專利名稱：光儲(chǔ)存媒體的寫入?yún)?shù)最佳化的方法以及記錄裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種光儲(chǔ)存媒體的記錄裝置，且特別是關(guān)于一種可動(dòng)態(tài)調(diào)整光儲(chǔ)存媒體的寫入功率與寫入策略以達(dá)到寫入?yún)?shù)最佳化的方法以及使用該方法的記錄裝置。
背景技術(shù)：
目前可寫式光儲(chǔ)存媒體(例如光盤片)種類繁多，例如有CD-R、CD-RW、DVD-R、DVD+R、DVD-RW、DVD+RW以及DVD-RAM等等。由于這些光儲(chǔ)存媒體染料及材料特性不盡相同，可支持的寫入(或記錄)倍速也不同，因此要將資料寫入光儲(chǔ)存媒體所需要的寫入功率也不同。因此，在將資料寫入光儲(chǔ)存媒體之前，會(huì)先在光儲(chǔ)存媒體中的測(cè)試區(qū)(例如，位于光盤片的功率測(cè)定區(qū)域(power calibration area，PCA)內(nèi))進(jìn)行所謂的最佳寫入功率測(cè)定(optimal power calibration，OPC)。即，利用測(cè)試資料在測(cè)試區(qū)試寫，讀出測(cè)試資料并評(píng)估其信號(hào)品質(zhì)，進(jìn)而找出最佳的寫入功率。


圖1示出了一種已知的最佳寫入功率測(cè)定的流程圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，首先，在步驟S10，把光盤片加載到光驅(qū)。接著，在步驟S11，光驅(qū)根據(jù)光盤片從預(yù)存的寫入策略(write strategy)中選取最佳寫入策略，其中預(yù)存的寫入策略系光盤制造商預(yù)存于光盤片之中，或光驅(qū)制造商預(yù)存于光驅(qū)的內(nèi)存之中。在步驟S12，光驅(qū)使用最佳寫入策略，并利用多個(gè)不同的寫入功率將測(cè)試資料寫入光盤片的測(cè)試區(qū)。在步驟S13，讀出寫入測(cè)試區(qū)的測(cè)試資料，并據(jù)此從這些寫入功率中決定最佳寫入功率。最后，在步驟S14，光驅(qū)利用最佳寫入策略與最佳寫入功率將資料寫入光盤片。
圖2示出了另一種已知的最佳寫入功率測(cè)定的流程圖，應(yīng)用于固定角速度(constant angular velocity，CAV)的寫入方式。請(qǐng)參照?qǐng)D2，步驟S20到步驟S24皆與圖1所示的步驟S10到步驟S14相同。不過(guò)，因?yàn)镃AV的寫入方式，光盤片在內(nèi)圈與外圈的寫入速度不同，如果內(nèi)圈與外圈都使用同一個(gè)寫入策略，容易造成寫入失敗。因此，將光盤片分成多個(gè)區(qū)域(zone)，其中一開始寫入的第一個(gè)區(qū)域的寫入策略系根據(jù)光盤片從預(yù)存的寫入策略中選取最佳寫入策略，其余的區(qū)域則根據(jù)第一個(gè)區(qū)域所使用的最佳寫入策略配合各個(gè)區(qū)域進(jìn)行調(diào)整。在這里，預(yù)存的寫入策略如同圖1的已知技術(shù)一般，系預(yù)存于光盤片或光驅(qū)的內(nèi)存之中。
所以，接著在步驟S25判斷是否到達(dá)下一區(qū)域。若否，則回到步驟S24；若是，則到步驟S26，配合目前區(qū)域?qū)Σ襟ES14中的最佳寫入策略進(jìn)行調(diào)整，并以調(diào)整后的最佳寫入策略取代原本的最佳寫入策略，然后進(jìn)行最佳寫入功率測(cè)定，其中最佳寫入策略的調(diào)整系根據(jù)最初寫入策略按所在區(qū)域調(diào)整，并非實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)調(diào)整。然后繼續(xù)寫入資料，直到資料寫入完畢。
此外，CAV寫入方式有一種作法是將各區(qū)域的寫入策略預(yù)存在光驅(qū)的內(nèi)存之中，并藉由光驅(qū)判斷光盤片被寫入到哪一個(gè)區(qū)域，然后從光驅(qū)的內(nèi)存中讀出該區(qū)域的最佳寫入策略，再進(jìn)行最佳寫入功率測(cè)定。
所謂在光盤片上寫入資料，事實(shí)上即是在光盤片上形成代表資料的坑(pit)或標(biāo)記(mark)。而坑或標(biāo)記的形狀可藉由改變寫入策略與寫入功率兩者的組合來(lái)達(dá)成。圖3A與圖3B分別示出了CD-R與CD-RW的寫入策略。請(qǐng)參照?qǐng)D3A與圖3B，欲寫入光盤片的數(shù)字資料會(huì)先進(jìn)行編碼工作，即8轉(zhuǎn)14調(diào)制(eight-to-fourteen modulation，EFM)，然后再將編碼后的EFM訊號(hào)透過(guò)光驅(qū)的光學(xué)讀寫頭寫入光盤片，此時(shí)會(huì)根據(jù)光盤片為CD-R而采用如圖3A具有Td、Tp與Tf等參數(shù)的寫入策略，或者根據(jù)光盤片為CD-RW而采用如圖3B具有Td、Tp、Tf與Tm等參數(shù)的寫入策略。其中，T為基準(zhǔn)時(shí)間幅，即1倍速，其頻率為4.32兆赫(MHz)，故1T約230納秒(ns)。對(duì)于DVD-R/RW、DVD+R/RW以及DVD-RAM等類型的光盤片而言，其參數(shù)定義更為繁多，在后文說(shuō)明中僅以表示前緣移位(leading shift)時(shí)間的Td參數(shù)為例，并非限定其權(quán)利范圍。
在寫入倍速較低時(shí)，由于光學(xué)讀寫頭中用以發(fā)射光束到光盤片的雷射二極管的響應(yīng)速度相對(duì)于編碼數(shù)據(jù)傳輸?shù)焦鈱W(xué)讀寫頭的速度快的多，改變寫入功率即可改變坑或標(biāo)記的形狀。但是，到了較高寫入倍速時(shí)，雷射二極管的響應(yīng)速度相對(duì)于編碼數(shù)據(jù)的3T頻率已經(jīng)頗為接近，一旦雷射二極管的響應(yīng)速度到達(dá)其極限時(shí)，改變寫入功率便喪失改變坑或標(biāo)記的效果。
在上述兩種已知技術(shù)中，無(wú)法在光盤片寫入資料前所進(jìn)行的最佳寫入功率測(cè)定中，實(shí)時(shí)且動(dòng)態(tài)地調(diào)整寫入策略與寫入功率。因此，亦無(wú)法藉由調(diào)整寫入策略來(lái)對(duì)每一個(gè)光學(xué)讀寫頭的響應(yīng)特性再做調(diào)整，以得到較好的寫入品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是在提供一種光儲(chǔ)存媒體的寫入?yún)?shù)最佳化的方法以及使用該方法的記錄裝置，其可動(dòng)態(tài)調(diào)整光儲(chǔ)存媒體的寫入功率與寫入策略以達(dá)到寫入?yún)?shù)最佳化。
本發(fā)明提出一種光儲(chǔ)存媒體的寫入?yún)?shù)最佳化的方法，適用于光儲(chǔ)存媒體的記錄裝置。該寫入?yún)?shù)最佳化的方法包括把光儲(chǔ)存媒體加載到記錄裝置，其中光儲(chǔ)存媒體包括一測(cè)試區(qū)。接著，根據(jù)光儲(chǔ)存媒體決定最初寫入策略與最初寫入功率的組合。利用最初寫入策略與最初寫入功率的組合對(duì)測(cè)試區(qū)進(jìn)行試寫，以動(dòng)態(tài)調(diào)整最初寫入策略與最初寫入功率的組合，從而得到最佳寫入策略與最佳寫入功率的組合。最后，利用最佳寫入策略與最佳寫入功率的組合，將資料寫入光儲(chǔ)存媒體。
本發(fā)明提出一種光儲(chǔ)存媒體的記錄裝置，用以最佳化光儲(chǔ)存媒體的寫入?yún)?shù)，其中光儲(chǔ)存媒體包括一測(cè)試區(qū)，而寫入?yún)?shù)包括寫入策略與寫入功率。該記錄裝置包括光學(xué)讀寫單元、訊號(hào)還原單元、效能指數(shù)測(cè)量單元以及寫入?yún)?shù)最佳化控制單元，其中訊號(hào)還原單元耦接至光學(xué)讀寫單元，效能指數(shù)測(cè)量單元耦接至訊號(hào)還原單元，以及寫入?yún)?shù)最佳化控制單元耦接至效能指數(shù)測(cè)量單元以及光學(xué)讀寫單元。
光學(xué)讀寫單元用來(lái)物理性地對(duì)光儲(chǔ)存媒體進(jìn)行資料寫入/讀取。訊號(hào)還原單元用來(lái)還原從光儲(chǔ)存媒體讀取的資料。效能指數(shù)測(cè)量單元用來(lái)測(cè)量從光儲(chǔ)存媒體讀取的資料的效能指數(shù)。寫入?yún)?shù)最佳化控制單元根據(jù)光儲(chǔ)存媒體決定最初寫入策略與最初寫入功率的組合，且利用最初寫入策略與最初寫入功率的組合透過(guò)光學(xué)讀寫單元對(duì)測(cè)試區(qū)進(jìn)行試寫，以根據(jù)效能指數(shù)動(dòng)態(tài)調(diào)整最初寫入策略與最初寫入功率的組合而得到最佳寫入策略與最佳寫入功率的組合，并利用最佳寫入策略與最佳寫入功率的組合將資料寫入光儲(chǔ)存媒體。
本發(fā)明因?yàn)樵诠鈨?chǔ)存媒體寫入資料前，藉由將測(cè)試資料試寫到光儲(chǔ)存媒體，還原試寫到光儲(chǔ)存媒體的測(cè)試資料以評(píng)估寫入品質(zhì)，然后實(shí)時(shí)且動(dòng)態(tài)地調(diào)整寫入策略與寫入功率，所以可在光儲(chǔ)存媒體寫入資料時(shí)得到較好的寫入品質(zhì)。而且，因?yàn)樵诠鈨?chǔ)存媒體寫入資料前動(dòng)態(tài)地調(diào)整寫入策略，所以能夠補(bǔ)償光學(xué)讀寫單元的響應(yīng)特性的差異。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。
圖2示出了另一種已知的最佳寫入功率測(cè)定的流程圖，應(yīng)用于固定角速度(CAV)的寫入方式。
圖3A與圖3B分別示出了CD-R與CD-RW的寫入策略。
圖4為依照本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例所示出的光盤片的寫入?yún)?shù)最佳化的方法流程圖。
圖5示出了圖4步驟中動(dòng)態(tài)調(diào)整最初寫入策略與最初寫入功率的組合的一優(yōu)選實(shí)施例的流程圖。
圖6示出了圖4步驟中動(dòng)態(tài)調(diào)整最初寫入策略與最初寫入功率的組合的另一優(yōu)選實(shí)施例的流程圖。
圖7示出了圖4步驟中動(dòng)態(tài)調(diào)整最初寫入策略與最初寫入功率的組合的又一優(yōu)選實(shí)施例的流程圖。
圖8為依照本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例所示出的光驅(qū)電路的框圖。
具體實(shí)施例方式
為了方便說(shuō)明實(shí)施例起見，以下光儲(chǔ)存媒體以光盤片為例，光儲(chǔ)存媒體的記錄裝置以光驅(qū)為例。
圖4為依照本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例所示出的光盤片的寫入?yún)?shù)最佳化的方法流程圖。請(qǐng)參照?qǐng)D4，首先，在步驟S40，把包括一測(cè)試區(qū)的光盤片加載到光驅(qū)。其中光盤片可以是CD-R、CD-RW、DVD-R、DVD+R、DVD-RW、DVD+RW或DVD-RAM等類型。而且，一般在光盤片內(nèi)圈的功率測(cè)定區(qū)域(PCA)包括測(cè)試區(qū)與計(jì)數(shù)區(qū)，其中測(cè)試區(qū)分成多個(gè)區(qū)域以供多次試寫，而計(jì)數(shù)區(qū)儲(chǔ)存指示測(cè)試區(qū)中哪些區(qū)域已經(jīng)被試寫的信息。
接著，在步驟S41，根據(jù)光盤片決定最初寫入策略與最初寫入功率的組合。一般光盤片制造商會(huì)測(cè)試其生產(chǎn)的光盤片的特性，并將之寫入在光盤片中，這些預(yù)存于光盤片中的信息包括光盤片的類型(type)、記錄速度(recording speed)或記錄參數(shù)(recording parameter)等。在步驟S42，利用最初寫入策略與最初寫入功率的組合對(duì)光盤片的測(cè)試區(qū)進(jìn)行試寫，以動(dòng)態(tài)調(diào)整最初寫入策略與最初寫入功率的組合，而得到最佳寫入策略與最佳寫入功率的組合。最后，在步驟S43，利用最佳寫入策略與最佳寫入功率的組合，將資料寫入光盤片。不過(guò)，還有一種作法即是將不同種類、制造商的光盤片的最佳寫入策略與最佳寫入功率的組合預(yù)先調(diào)整好而儲(chǔ)存在光驅(qū)的內(nèi)存中。當(dāng)光驅(qū)判斷加載的光盤片是哪一種類、制造商的光盤片時(shí)，從預(yù)存在光驅(qū)的內(nèi)存中的最佳寫入策略與最佳寫入功率的組合作為最初寫入策略與最初寫入功率的組合，再對(duì)光盤片的測(cè)試區(qū)進(jìn)行試寫以動(dòng)態(tài)調(diào)整此組合。
圖5示出了圖4步驟中動(dòng)態(tài)調(diào)整最初寫入策略與最初寫入功率的組合(即步驟S42)的一優(yōu)選實(shí)施例的流程圖。請(qǐng)參照?qǐng)D5，首先，在步驟S50以及步驟S51，分別根據(jù)最初寫入策略決定寫入策略范圍，并從寫入策略范圍內(nèi)選取M個(gè)測(cè)試寫入策略，以及根據(jù)最初寫入功率決定寫入功率范圍，并從寫入功率范圍內(nèi)選取N個(gè)測(cè)試寫入功率。其中，M個(gè)測(cè)試寫入策略以Td1、Td2、Td3、…、TdM來(lái)表示，以及N個(gè)測(cè)試寫入功率以P 1、P2、P3、…、PN來(lái)表示。
此外，寫入功率范圍為(Pmin，Pmax)，其上限Pmax由最初寫入功率P加上一數(shù)值ΔP1所決定(即Pmax＝P+ΔP1)，而其下限由最初寫入功率P減去另一數(shù)值ΔP2所決定(即Pmin＝P-ΔP2)。在一實(shí)施例中，ΔP1與ΔP2相同，例如皆為P的20％，因此相當(dāng)于以最初寫入功率P為基準(zhǔn)，增減其20％為寫入功率范圍。另外，選取M個(gè)測(cè)試寫入功率的方式可以采用將寫入功率范圍內(nèi)等分為M個(gè)而得之。
同樣地，寫入策略范圍為(Tdmin，Tdmax)，其上限Tdmax由最初寫入策略的時(shí)間參數(shù)Td加上一數(shù)值ΔTd1所決定(即Tdmax＝Td+ΔTd1)，而其下限由最初寫入策略的時(shí)間參數(shù)Td減去另一數(shù)值ΔTd2所決定(即Tdmin＝Td-ΔTd2)。在這里，以對(duì)寫入策略影響較大的前緣移位時(shí)間參數(shù)Td為例，但是也可以采用其它時(shí)間參數(shù)。另外，選取N個(gè)測(cè)試寫入策略的方式可以采用將寫入策略范圍內(nèi)等分為N個(gè)而得之。
接著，在步驟S52，采用最初寫入策略Td，分別利用測(cè)試寫入功率P1～PN將測(cè)試資料試寫到測(cè)試區(qū)。換句話說(shuō)，即分別利用寫入策略與寫入功率的組合(Td，P1)、(Td，P2)、(Td，P3)、…、(Td，PN)將測(cè)試資料試寫到測(cè)試區(qū)。
再來(lái)，在步驟S53，讀出試寫到測(cè)試區(qū)的測(cè)試資料，并根據(jù)所讀出的試寫到測(cè)試區(qū)的測(cè)試資料的抖動(dòng)(jitter)值或誤碼率(bit error rate)，從測(cè)試寫入功率P1～PN中決定最佳寫入功率Po。例如，最佳寫入功率Po若為測(cè)試寫入功率P5，則Po＝P5。
然后，在步驟S54，采用最佳寫入功率Po，分別利用測(cè)試寫入策略Td1～TdM將測(cè)試資料試寫到測(cè)試區(qū)。換句話說(shuō)，即分別利用寫入策略與寫入功率的組合(Td1，Po)、(Td2，Po)、(Td3，Po)、…、(TdM，Po)將測(cè)試資料試寫到測(cè)試區(qū)。
最后，在步驟S55，讀出試寫到測(cè)試區(qū)的測(cè)試資料，并據(jù)此從測(cè)試寫入策略Td1～TdM中決定最佳寫入策略Tdo。由上可知，本實(shí)施例總共需要寫入N+M筆測(cè)試資料到測(cè)試區(qū)，以取得最佳寫入策略與最佳寫入功率的組合(Tdo，Po)。
圖6示出了圖4步驟中動(dòng)態(tài)調(diào)整最初寫入策略與最初寫入功率的組合(即步驟S42)的另一優(yōu)選實(shí)施例的流程圖。請(qǐng)參照?qǐng)D6，首先，在步驟S60以及步驟S61，與圖5的步驟S50以及步驟S51相同。接著，在步驟S62，利用測(cè)試寫入策略Td1～TdM以及測(cè)試寫入功率P1～PN的組合，將測(cè)試資料試寫到測(cè)試區(qū)。換句話說(shuō)，即分別利用寫入策略與寫入功率的組合(Td1，P1)、(Td1，P2)、…、(Td1，PN)、(Td2，P1)、(Td2，P2)、…、(Td2，PN)、…、(TdM，P1)、(TdM，P2)、…、(TdM，PN)將測(cè)試資料試寫到測(cè)試區(qū)。
最后，在步驟S63，讀出試寫到測(cè)試區(qū)的測(cè)試資料，并據(jù)此從測(cè)試寫入策略Td1～TdM以及測(cè)試寫入功率P1～PN的組合中，決定該最佳寫入功率與該最佳寫入策略的組合(Tdo，Po)。由上可知，本實(shí)施例總共需要寫入N*M筆測(cè)試資料到測(cè)試區(qū)，以取得最佳寫入策略與最佳寫入功率之組合(Tdo，Po)。
圖7示出了圖4步驟中動(dòng)態(tài)調(diào)整最初寫入策略與最初寫入功率的組合(即步驟S42)的又一優(yōu)選實(shí)施例的流程圖。請(qǐng)參照?qǐng)D7，首先，在步驟S70，決定寫入功率改變量ΔP以及寫入策略改變量ΔTd。接著，在步驟S71，利用五組測(cè)試寫入功率與測(cè)試寫入策略的組合將測(cè)試資料試寫到測(cè)試區(qū)，這五組組合分別為(P，Td)、(P+ΔP，Td)、(P-ΔP，Td)、(P，Td+ΔTd)以及(P，Td-ΔTd)，其中P為最初寫入功率，Td為最初寫入策略。
再來(lái)，在步驟S72，讀出試寫到測(cè)試區(qū)的測(cè)試資料，并據(jù)此從上述五組組合中決定最佳寫入功率與最佳寫入策略的組合(Po，Tdo)，其中Po為最佳寫入功率，Tdo為最佳寫入策略。
然后，在步驟S73判斷(P，Td)這一組是否是最佳寫入功率與該最佳寫入策略的組合。若在步驟S73判斷為“否”，則到步驟S74，從剩下四組(P+ΔP，Td)、(P-ΔP，Td)、(P，Td+ΔTd)以及(P，Td-ΔTd)中選取最佳寫入功率與最佳寫入策略的組合，并以選取的最佳寫入功率與最佳寫入策略的組合取代步驟S71中的(P，Td)，重復(fù)步驟S71至步驟S73直到在步驟S73判斷為“是”。
圖8為依照本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例所示出的光驅(qū)的電路框圖。請(qǐng)參照?qǐng)D8，此光驅(qū)80用來(lái)最佳化光盤片88d的寫入?yún)?shù)，而寫入?yún)?shù)包括寫入策略與寫入功率。光驅(qū)80包括光學(xué)讀寫單元81、訊號(hào)還原單元82、效能指數(shù)測(cè)量單元83以及寫入?yún)?shù)最佳化控制單元84，其中寫入?yún)?shù)最佳化控制單元84包括控制單元85、寫入策略產(chǎn)生單元86以及寫入功率產(chǎn)生單元87。此外，主軸馬達(dá)89用來(lái)轉(zhuǎn)動(dòng)光盤片88。
首先，寫入?yún)?shù)最佳化控制單元84根據(jù)光盤片88決定最初寫入策略與最初寫入功率的組合之后，控制單元85控制寫入策略產(chǎn)生單元86以及寫入功率產(chǎn)生單元87分別產(chǎn)生最初寫入策略與最初寫入功率，再透過(guò)光學(xué)讀寫單元81將測(cè)試資料試寫到光盤片88中的測(cè)試區(qū)。
再來(lái)，光學(xué)讀寫單元81讀取試寫到測(cè)試區(qū)的測(cè)試資料，并經(jīng)由訊號(hào)還原單元82還原，以便效能指數(shù)測(cè)量單元83測(cè)量還原的測(cè)試數(shù)據(jù)的效能指數(shù)，例如測(cè)量資料的抖動(dòng)值或誤碼率。然后，控制單元85根據(jù)效能指數(shù)測(cè)量單元83所測(cè)量到的效能指數(shù)，動(dòng)態(tài)調(diào)整最初寫入策略與最初寫入功率的組合而得到最佳寫入策略與最佳寫入功率的組合。最后，控制單元85控制寫入策略產(chǎn)生單元86以及寫入功率產(chǎn)生單元87分別產(chǎn)生最佳寫入策略與最佳寫入功率，再透過(guò)光學(xué)讀寫單元81將資料寫入光盤片88。
綜上所述，在本發(fā)明因?yàn)樵诠鈨?chǔ)存媒體寫入資料前，藉由將測(cè)試資料試寫到光儲(chǔ)存媒體，還原試寫到光儲(chǔ)存媒體的測(cè)試資料以評(píng)估寫入品質(zhì)，然后實(shí)時(shí)且動(dòng)態(tài)地調(diào)整寫入策略與寫入功率，故可在光儲(chǔ)存媒體寫入資料時(shí)得到較好的寫入品質(zhì)。而且，因?yàn)樵诠鈨?chǔ)存媒體寫入資料前動(dòng)態(tài)地調(diào)整寫入策略，所以能夠補(bǔ)償光學(xué)讀寫單元響應(yīng)特性的差異。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，然而其并非用于限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，應(yīng)該可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種光儲(chǔ)存媒體的寫入?yún)?shù)最佳化的方法，適用于一光儲(chǔ)存媒體的記錄裝置，該光儲(chǔ)存媒體的寫入?yún)?shù)最佳化的方法包括下列步驟把所述光儲(chǔ)存媒體加載到所述記錄裝置，其中所述光儲(chǔ)存媒體包括一測(cè)試區(qū)；根據(jù)所述光儲(chǔ)存媒體，決定一最初寫入策略與一最初寫入功率的組合；利用所述最初寫入策略與所述最初寫入功率的組合對(duì)所述測(cè)試區(qū)進(jìn)行試寫，以動(dòng)態(tài)調(diào)整所述最初寫入策略與所述最初寫入功率的組合，而得到一最佳寫入策略與一最佳寫入功率的組合；以及利用所述最佳寫入策略與所述最佳寫入功率的組合，將資料寫入所述光儲(chǔ)存媒體。
2.如權(quán)利要求1所述的光儲(chǔ)存媒體的寫入?yún)?shù)最佳化的方法，其中所述最初寫入策略與所述最初寫入功率的組合系根據(jù)預(yù)存于所述光儲(chǔ)存媒體的信息，或是預(yù)先調(diào)整好而預(yù)存在所述記錄裝置的內(nèi)存中，其中所述信息包括所述光儲(chǔ)存媒體的類型。
3.如權(quán)利要求2所述的光儲(chǔ)存媒體的寫入?yún)?shù)最佳化的方法，其中所述信息更包括所述光儲(chǔ)存媒體的記錄速度(recording speed)以及記錄參數(shù)(recording parameter)二者的至少其中之一。
4.如權(quán)利要求1所述的光儲(chǔ)存媒體的寫入?yún)?shù)最佳化的方法，其中步驟“利用所述最初寫入策略與所述最初寫入功率的組合對(duì)所述測(cè)試區(qū)進(jìn)行試寫，以動(dòng)態(tài)調(diào)整所述最初寫入策略與所述最初寫入功率的組合，而得到一最佳寫入策略與一最佳寫入功率的組合”包括下列步驟根據(jù)所述最初寫入策略決定一寫入策略范圍，并且從所述寫入策略范圍內(nèi)選取多個(gè)測(cè)試寫入策略；以及根據(jù)所述最初寫入功率決定一寫入功率范圍，并且從所述寫入功率范圍內(nèi)選取多個(gè)測(cè)試寫入功率。
5.如權(quán)利要求4所述的光儲(chǔ)存媒體的寫入?yún)?shù)最佳化的方法，其中步驟“利用所述最初寫入策略與所述最初寫入功率的組合對(duì)所述測(cè)試區(qū)進(jìn)行試寫，以動(dòng)態(tài)調(diào)整所述最初寫入策略與所述最初寫入功率的組合，而得到一最佳寫入策略與一最佳寫入功率的組合”更包括下列步驟配合所述最初寫入策略，利用所述這些測(cè)試寫入功率將測(cè)試資料試寫到所述測(cè)試區(qū)；讀出試寫到所述測(cè)試區(qū)的測(cè)試資料，并據(jù)此從所述這些測(cè)試寫入功率中決定所述最佳寫入功率；配合所述最佳寫入功率，利用所述這些測(cè)試寫入策略將測(cè)試資料試寫到所述測(cè)試區(qū)；以及讀出試寫到所述測(cè)試區(qū)的測(cè)試資料，并據(jù)此從所述這些測(cè)試寫入策略中決定所述最佳寫入策略。
6.如權(quán)利要求4所述的光儲(chǔ)存媒體的寫入?yún)?shù)最佳化的方法，其中步驟“利用所述最初寫入策略與所述最初寫入功率的組合對(duì)所述測(cè)試區(qū)進(jìn)行試寫，以動(dòng)態(tài)調(diào)整所述最初寫入策略與所述最初寫入功率的組合，而得到一最佳寫入策略與一最佳寫入功率得組合”更包括下列步驟配合所述最初寫入功率，利用所述這些測(cè)試寫入策略將測(cè)試資料試寫到所述測(cè)試區(qū)；讀出試寫到所述測(cè)試區(qū)的測(cè)試資料，并據(jù)此從所述這些測(cè)試寫入策略中決定所述最佳寫入策略；配合所述最佳寫入策略，利用所述這些測(cè)試寫入功率將測(cè)試資料試寫到所述測(cè)試區(qū)；以及讀出試寫到所述測(cè)試區(qū)之測(cè)試資料，并據(jù)此從所述這些測(cè)試寫入功率中決定該最佳寫入功率。
7.如權(quán)利要求4所述的光儲(chǔ)存媒體的寫入?yún)?shù)最佳化的方法，其中該寫入功率范圍的上限由該最初寫入功率加上一數(shù)值所決定，而下限由該最初寫入功率減去另一數(shù)值所決定。
8.如權(quán)利要求4所述的光儲(chǔ)存媒體的寫入?yún)?shù)最佳化的方法，其中所述寫入策略范圍的上限由所述最初寫入策略的一時(shí)間參數(shù)加上一數(shù)值所決定，而下限由所述最初寫入策略的所述時(shí)間參數(shù)減去另一數(shù)值所決定。
9.如權(quán)利要求8所述的光儲(chǔ)存媒體的寫入?yún)?shù)最佳化的方法，其中所述時(shí)間參數(shù)包括一前緣移位時(shí)間參數(shù)。
10.如權(quán)利要求1所述的光儲(chǔ)存媒體的寫入?yún)?shù)最佳化的方法，其中步驟“利用所述最初寫入策略與所述最初寫入功率的組合對(duì)所述測(cè)試區(qū)進(jìn)行試寫，以動(dòng)態(tài)調(diào)整所述最初寫入策略與所述最初寫入功率的組合，而得到一最佳寫入策略與一最佳寫入功率的組合”包括下列步驟根據(jù)所述最初寫入策略決定一寫入策略范圍，并且從所述寫入策略范圍內(nèi)選取多個(gè)測(cè)試寫入策略；根據(jù)所述最初寫入功率決定一寫入功率范圍，并且從所述寫入功率范圍內(nèi)選取多個(gè)測(cè)試寫入功率；利用所述這些測(cè)試寫入策略以及所述這些測(cè)試寫入功率的組合，將測(cè)試資料試寫到所述測(cè)試區(qū)；以及讀出試寫到所述測(cè)試區(qū)的測(cè)試資料，并據(jù)此從所述這些測(cè)試寫入策略以及所述這些測(cè)試寫入功率的組合中決定所述最佳寫入策略與所述最佳寫入功率的組合。
11.如權(quán)利要求10所述的光儲(chǔ)存媒體的寫入?yún)?shù)最佳化的方法，其中所述寫入功率范圍的上限由所述最初寫入功率加上一數(shù)值所決定，而下限由所述最初寫入功率減去另一數(shù)值所決定。
12.如權(quán)利要求10所述的光儲(chǔ)存媒體的寫入?yún)?shù)最佳化的方法，其中所述寫入策略范圍的上限由所述最初寫入策略的一時(shí)間參數(shù)加上一數(shù)值所決定，而下限由所述最初寫入策略的所述時(shí)間參數(shù)減去另一數(shù)值所決定。
13.如權(quán)利要求12所述的光儲(chǔ)存媒體的寫入?yún)?shù)最佳化的方法，其中所述時(shí)間參數(shù)包括一前緣移位時(shí)間參數(shù)。
14.如權(quán)利要求10所述的光儲(chǔ)存媒體的寫入?yún)?shù)最佳化的方法，其中從所述這些測(cè)試寫入策略以及所述這些測(cè)試寫入功率的組合中決定所述最佳寫入功率與所述最佳寫入策略的組合，系根據(jù)所讀出的試寫到測(cè)試區(qū)之測(cè)試資料的抖動(dòng)值、誤碼率或其它可以評(píng)斷測(cè)試資料的指針。
15.如權(quán)利要求1所述的光儲(chǔ)存媒體的寫入?yún)?shù)最佳化的方法，其中步驟“利用所述最初寫入策略與所述最初寫入功率的組合對(duì)所述測(cè)試區(qū)進(jìn)行試寫，以動(dòng)態(tài)調(diào)整所述最初寫入策略與所述最初寫入功率的組合，而得到一最佳寫入策略與一最佳寫入功率的組合”包括下列步驟(A)決定一寫入功率改變量以及一寫入策略改變量；(B)利用五組測(cè)試寫入功率與測(cè)試寫入策略的組合將測(cè)試資料試寫到所述測(cè)試區(qū)，其中所述第一組測(cè)試寫入功率與測(cè)試寫入策略的組合包括所述最初寫入功率，與所述最初寫入策略；所述第二組測(cè)試寫入功率與測(cè)試寫入策略的組合包括所述最初寫入功率加上所述寫入功率改變量，與所述最初寫入策略；所述第三組測(cè)試寫入功率與測(cè)試寫入策略的組合包括所述最初寫入功率減去所述寫入功率改變量，與所述最初寫入策略；所述第四組測(cè)試寫入功率與測(cè)試寫入策略的組合包括所述最初寫入功率，與所述最初寫入策略加上所述寫入策略改變量；以及所述第五組測(cè)試寫入功率與測(cè)試寫入策略的組合包括所述最初寫入功率，與所述最初寫入策略減去所述寫入策略改變量；(C)讀出試寫到所述測(cè)試區(qū)的測(cè)試資料，并據(jù)此從上述五組測(cè)試寫入功率與測(cè)試寫入策略的組合中決定所述最佳寫入功率與所述最佳寫入策略的組合；(D)判斷所述第一組測(cè)試寫入功率與測(cè)試寫入策略的組合是否是所述最佳寫入功率與所述最佳寫入策略的組合；(E)當(dāng)所述第一組測(cè)試寫入功率與測(cè)試寫入策略的組合不是所述最佳寫入功率與所述最佳寫入策略的組合時(shí)，根據(jù)所讀出的試寫到所述測(cè)試區(qū)的測(cè)試資料，從所述第二組至所述第五組測(cè)試寫入功率與測(cè)試寫入策略的組合中選取所述最佳寫入功率與所述最佳寫入策略的組合，并以選取的所述最佳寫入功率與所述最佳寫入策略的組合取代步驟(B)的所述第一組測(cè)試寫入功率與測(cè)試寫入策略的組合，重復(fù)步驟(B)至步驟(D)；以及(F)當(dāng)所述第一組測(cè)試寫入功率與測(cè)試寫入策略的組合是所述最佳寫入功率與所述最佳寫入策略的組合時(shí)，不再重復(fù)步驟(B)至步驟(D)。
16.如權(quán)利要求15所述的光儲(chǔ)存媒體的寫入?yún)?shù)最佳化的方法，其中從所述第二組至所述第五組測(cè)試寫入功率與測(cè)試寫入策略的組合中選取所述最佳寫入功率與所述最佳寫入策略的組合，系根據(jù)所讀出的試寫到測(cè)試區(qū)的測(cè)試資料的抖動(dòng)值、誤碼率或其它可以評(píng)斷測(cè)試資料的指針。
17.一種光儲(chǔ)存媒體的記錄裝置，用以最佳化所述光儲(chǔ)存媒體的寫入?yún)?shù)，其中所述光儲(chǔ)存媒體包括一測(cè)試區(qū)，而寫入?yún)?shù)包括寫入策略與寫入功率，所述光儲(chǔ)存媒體的記錄裝置包括一光學(xué)讀寫單元，用以物理性地對(duì)所述光儲(chǔ)存媒體進(jìn)行資料寫入/讀?。灰挥嵦?hào)還原單元，耦接至所述光學(xué)讀寫單元，用以還原從所述光儲(chǔ)存媒體讀取的資料；一效能指數(shù)測(cè)量單元，耦接至所述訊號(hào)還原單元，用以測(cè)量從所述光儲(chǔ)存媒體讀取的資料的一效能指數(shù)；以及一寫入?yún)?shù)最佳化控制單元，耦接至所述效能指數(shù)測(cè)量單元以及所述光學(xué)讀寫單元，所述寫入?yún)?shù)最佳化控制單元根據(jù)所述光儲(chǔ)存媒體決定一最初寫入策略與一最初寫入功率的組合，且利用所述最初寫入策略與所述最初寫入功率的組合透過(guò)所述光學(xué)讀寫單元對(duì)所述測(cè)試區(qū)進(jìn)行試寫，以根據(jù)所述效能指數(shù)動(dòng)態(tài)調(diào)整所述最初寫入策略與所述最初寫入功率的組合而得到一最佳寫入策略與一最佳寫入功率的組合，并利用所述最佳寫入策略與所述最佳寫入功率的組合將資料寫入所述光儲(chǔ)存媒體。
18.如權(quán)利要求17所述的光儲(chǔ)存媒體的記錄裝置，其中所述寫入?yún)?shù)最佳化控制單元包括一寫入策略產(chǎn)生單元，耦接至所述光學(xué)讀寫單元，用以產(chǎn)生寫入策略以控制所述光學(xué)讀寫單元存取所述光儲(chǔ)存媒體的資料；一寫入功率產(chǎn)生單元，耦接至所述光學(xué)讀寫單元，用以產(chǎn)生寫入功率以控制所述光學(xué)讀寫單元存取所述光儲(chǔ)存媒體的資料；以及一控制單元，耦接至所述效能指數(shù)測(cè)量單元、所述寫入策略產(chǎn)生單元以及所述寫入功率產(chǎn)生單元，所述控制單元根據(jù)所述光儲(chǔ)存媒體決定一最初寫入策略與一最初寫入功率的組合，且透過(guò)所述寫入策略產(chǎn)生單元與所述寫入功率產(chǎn)生單元以所述最初寫入策略與所述最初寫入功率的組合對(duì)所述測(cè)試區(qū)進(jìn)行試寫，以根據(jù)所述效能指數(shù)動(dòng)態(tài)調(diào)整所述最初寫入策略與所述最初寫入功率的組合而得到一最佳寫入策略與一最佳寫入功率的組合，并透過(guò)所述寫入策略產(chǎn)生單元與所述寫入功率產(chǎn)生單元利用所述最佳寫入策略與所述最佳寫入功率的組合將資料寫入所述光儲(chǔ)存媒體。
19.如權(quán)利要求17所述的光儲(chǔ)存媒體的記錄裝置，其中所述效能指數(shù)包括抖動(dòng)值、誤碼率或其它可以評(píng)斷測(cè)試資料的指針。
20.如權(quán)利要求17所述的光儲(chǔ)存媒體的記錄裝置，其中所述最初寫入策略與所述最初寫入功率的組合系根據(jù)預(yù)存于所述光儲(chǔ)存媒體的信息，或是預(yù)先調(diào)整好而儲(chǔ)存在所述記錄裝置的內(nèi)存中，其中所述信息包括所述光儲(chǔ)存媒體的類型、記錄速度以及記錄參數(shù)三者至少其中之一。
全文摘要
一種光儲(chǔ)存媒體的寫入?yún)?shù)最佳化的方法以及記錄裝置，該方法包括把光儲(chǔ)存媒體加載到記錄裝置，其中光儲(chǔ)存媒體包括測(cè)試區(qū)。根據(jù)光儲(chǔ)存媒體，決定最初寫入策略與最初寫入功率的組合。接著，利用最初寫入策略與最初寫入功率的組合對(duì)測(cè)試區(qū)進(jìn)行試寫，以動(dòng)態(tài)調(diào)整最初寫入策略與最初寫入功率的組合，而得到最佳寫入策略與最佳寫入功率的組合。最后，利用最佳寫入策略與最佳寫入功率的組合，將資料寫入光儲(chǔ)存媒體。
文檔編號(hào)G11B7/0045GK1925024SQ200510093700
公開日2007年3月7日 申請(qǐng)日期2005年9月1日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月1日
發(fā)明者李耀裕, 王信博, 蔡岳軒 申請(qǐng)人:凌陽(yáng)科技股份有限公司