專利名稱：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，尤其涉及一種補(bǔ)償溫度漂移的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件以及操作前述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法。
背景技術(shù)：
盡管本發(fā)明的基本問題將針對(duì)DRAM存儲(chǔ)器件來描述，但是本發(fā)明不限于此，而涉及任何的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。
DRAM存儲(chǔ)器件目前在多種電池供電的應(yīng)用中使用。這些應(yīng)用期望的操作時(shí)間設(shè)置了對(duì)存儲(chǔ)器件功耗的限制。功耗顯著的降低是通過降低存儲(chǔ)器件的工作電壓來實(shí)現(xiàn)的。
具有降低了工作電壓的存儲(chǔ)器件被期望對(duì)于存儲(chǔ)在作為功耗器件的存儲(chǔ)器件中的信息具有相同的工作速度和存取時(shí)間。但是存儲(chǔ)器件中的晶體管的開關(guān)速度隨降低了的工作電壓而增加。這可以通過并行降低這些晶體管的閾值電壓來補(bǔ)償，使得它們的開關(guān)速度被保持。
在DRAM中，信息單元作為電荷被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元內(nèi)提供的隔離電容器中。為防止信息的損失，該晶體管在所有工作條件下必須具有良好的隔離屬性。因此，晶體管的閾值電壓與較低工作電壓之間的差異必須足夠得大，使得該晶體管中控制線中無意的電壓波動(dòng)將不會(huì)無意地將晶體管切換到導(dǎo)通狀態(tài)。因此，由于對(duì)存儲(chǔ)器件的可靠性的限制，所以給出對(duì)閾值電壓的較低限制。
因此，給出了低功耗的折衷選擇，其要求低的工作電壓和高速操作，高速操作要求在最小閾值電壓的約束下工作電壓相對(duì)于閾值電壓有較大的關(guān)系。
存儲(chǔ)器件必須對(duì)于其工作溫度范圍內(nèi)的所有溫度都能正確地工作。晶體管的閾值電壓隨著溫度的升高而降低，并且在最高工作溫度時(shí)處于其最低電平。晶體管被如此設(shè)計(jì)使得該最低電平大于或等于先前提到的最小閾值電壓，以確?？煽抗ぷ?。
然而，在低的溫度下，晶體管的閾值電壓較大，使得工作速度由于其取決于閾值電壓而較低。因此在低的溫度下，使用這些晶體管的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件將具有很長(zhǎng)的對(duì)存儲(chǔ)單元的存取時(shí)間和低的數(shù)據(jù)通信量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種可在大溫度范圍上以高速工作的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。其進(jìn)一步的目的是提供一種操作該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件使得其變得對(duì)溫度變化不敏感的方法。
根據(jù)本發(fā)明，一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括與溫度有關(guān)的電壓源，用于在其輸出上根據(jù)在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中測(cè)量的上升溫度來輸出上升電壓。至少一個(gè)存儲(chǔ)單元具有至少一個(gè)第一晶體管，所述第一晶體管包括第一晶體管體。所述第一晶體管體連接到所述與溫度有關(guān)的電壓源的所述輸出。
根據(jù)本發(fā)明，按如下操作一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括至少一個(gè)存儲(chǔ)單元，其本身包括具有晶體管體的晶體管。確定所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的溫度。提供與溫度有關(guān)的電壓源以便輸出電壓，其中所述電壓隨所述確定的溫度的上升而上升。所述電壓被施加到所述晶體管體。
本發(fā)明所基于的基本思想在于，通過把電壓施加到晶體管體、晶體管的閾值體，閾值電壓增加，這補(bǔ)償了由上升的溫度而引起的閾值電壓的降低。
晶體管體被定義為完整的半導(dǎo)體區(qū)，其中或其上提供了源極區(qū)和漏極區(qū)，并且其中在所述半導(dǎo)體中形成導(dǎo)電的閘極通道。
從屬權(quán)利要求給出了對(duì)制造方法和半導(dǎo)體器件的有利改進(jìn)和提高。
信息由在存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)的電荷表示。在將讀信號(hào)和地址信號(hào)提供給存儲(chǔ)器件后，相對(duì)于地址的字線被推到高電平。接著，由在與同一存儲(chǔ)單元連接的位線中的流動(dòng)電荷而引起的電位階躍經(jīng)由第一感測(cè)放大器放大并接著由第二感測(cè)放大器感測(cè)。
位線具有電阻和電容。這限制了電位階躍的轉(zhuǎn)換速度。此外，將電壓施加到晶體管體降低了轉(zhuǎn)換速度。對(duì)第二感測(cè)放大器的可靠操作要求等待直到在進(jìn)行位線的感測(cè)之前確立位線的平穩(wěn)狀態(tài)為止。因此，用第二感測(cè)放大器開始感測(cè)和把字線推向高電平之間需要一個(gè)時(shí)間延遲?？蔀樗泄ぷ鳒囟群拖蚓w管體施加的電壓而選擇單個(gè)延遲量。但是，工作速度的增加可通過一下優(yōu)選實(shí)施例來獲得。
根據(jù)一個(gè)特定優(yōu)選實(shí)施例，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括用于輸出讀控制信號(hào)的讀控制器。讀檢測(cè)單元下游連接到所述讀控制器并連接到所述存儲(chǔ)單元。所述讀檢測(cè)單元被設(shè)置用于在收到所述讀控制信號(hào)時(shí)讀取或感測(cè)所述存儲(chǔ)單元的內(nèi)容。延遲單元被放置在所述讀控制器和所述讀檢測(cè)單元之間。所述讀控制器被設(shè)置用于延遲所述讀控制信號(hào)。所述延遲單元包括至少一個(gè)具有第二晶體管體的第二晶體管。所述第二晶體管體連接到所述與溫度有關(guān)的電壓源的所述輸出。
根據(jù)又一個(gè)特定優(yōu)選實(shí)施例，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括預(yù)充電控制單元，用于提供預(yù)充電控制信號(hào)。預(yù)充電單元與所述預(yù)充電控制單元下游連接。所述預(yù)充電單元均衡連接到存儲(chǔ)單元的位線的電位，直到收到所述預(yù)充電控制信號(hào)。延遲單元放置在所述預(yù)充電單元和所述預(yù)充電控制單元之間，用于延遲所述預(yù)充電控制信號(hào)。所述延遲單元包括至少一個(gè)具有第二晶體管體的第二晶體管。所述第二晶體管體連接到所述與溫度有關(guān)的電壓源的所述輸出。
需要維持位線的預(yù)充電操作直到位線的電位被均衡和/或上升/降低到預(yù)定電壓。在把電壓施加到晶體管體時(shí)，預(yù)充電操作所需要的持續(xù)時(shí)間上升。通過延遲終止預(yù)充電操作的預(yù)充電控制信號(hào)，前述的實(shí)施例遇到該問題。預(yù)充電操作的有限持續(xù)時(shí)間節(jié)省了功率。因此，有利地，本實(shí)施例要比裝置對(duì)所有工作溫度使用恒定延遲的情況的功耗更小。
根據(jù)一個(gè)改進(jìn)，延遲單元包括偶數(shù)個(gè)非門。至少一個(gè)所述非門包括所述第二晶體管。
在另一個(gè)改進(jìn)中，至少一個(gè)非門包括第三晶體管。所述第三晶體管包括第二導(dǎo)電類型的第三晶體管體，第二導(dǎo)電類型與所述第一導(dǎo)電類型相反。所述與溫度有關(guān)的電壓源在第二輸出上輸出與所述電壓符號(hào)相反的第二電壓。所述第二輸出連接到所述第三晶體管體。
在下面的描述中將在附圖中說明本發(fā)明的示例實(shí)施例并更詳細(xì)地解釋這些示例實(shí)施例。


圖1示出了在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中使用的晶體管的部分橫截面；圖2說明了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的時(shí)序圖；圖3示出了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的框圖；圖4示意說明了在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中使用的延遲單元；圖5說明了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的時(shí)序圖；圖6示出了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的框圖。
在圖1到6中，相同的附圖標(biāo)記表示同樣的或功能上相同的部件。
具體實(shí)施例方式
在本領(lǐng)域中已知多個(gè)不同的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器形式，包括SRAM、DRAM、ROM、EPROM等。它們都包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，其每一個(gè)包括至少一個(gè)用于控制對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和存儲(chǔ)單元進(jìn)行存取的晶體管。該晶體管對(duì)于存儲(chǔ)器件的工作速度至關(guān)重要。
工作速度還受到晶體管從非導(dǎo)通擺向?qū)顟B(tài)所需的擺動(dòng)時(shí)間的限制。這個(gè)時(shí)間可通過降低晶體管的閾值電壓來減小。但是，已經(jīng)確保了閾值電壓被選擇得足夠大使得寄生效應(yīng)不會(huì)將晶體管從非導(dǎo)通擺向?qū)顟B(tài)。如果如此，后者將導(dǎo)致存儲(chǔ)單元中信息的丟失。
目前，大約0.2V的閾值電壓對(duì)于由現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體工藝方案制造的晶體管來說是可實(shí)現(xiàn)的。但是，閾值電壓隨著半導(dǎo)體器件溫度的增加而降低。在室溫中工作良好的半導(dǎo)體可能在升高的溫度中出故障。因此，所使用的晶體管在整個(gè)工作溫度范圍上具有在最小閾值電壓之上的閾值電壓。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所提供的晶體管在大的工作溫度范圍上具有穩(wěn)定或近似穩(wěn)定的閾值電壓。這種晶體管如圖1的橫截面所示。由第一摻雜n型的半導(dǎo)體材料制成的晶體管體1具有第二傳導(dǎo)類型n的嵌入式源極S和漏極區(qū)D。晶體管體經(jīng)由第二傳導(dǎo)類型的層2與襯底(未示出)隔離。隔離溝道通常排列在晶體管體1側(cè)壁的周圍。此外，第一傳導(dǎo)類型p的控制區(qū)C被嵌入在晶體管體1中。該控制區(qū)C連接到與溫度有關(guān)的電壓源VS。施加到控制區(qū)的負(fù)電壓V增加了閾值電壓的絕對(duì)值。因此，該電壓V可用于補(bǔ)償閾值電壓對(duì)于溫度的漂移。與溫度有關(guān)的電壓源的輸入連接到用于接收對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的溫度T的信號(hào)的溫度傳感器ST。因此，根據(jù)電壓溫度特性的溫度T來控制輸出電壓V，使得晶體管的閾值電壓在工作溫度范圍上保持恒定。優(yōu)選的電壓溫度特性提供了線性關(guān)系，其中電壓隨溫度的上升而上升。
圖2說明了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的讀操作的簡(jiǎn)化時(shí)序圖。與時(shí)鐘信號(hào)CLK同步，在時(shí)間點(diǎn)t1字線WL被升高到高電平。在沒有限制的情況下，可能存在時(shí)鐘信號(hào)CLK的上升沿和字線信號(hào)WL之間的延遲。在時(shí)間點(diǎn)t1，與字線連接的存儲(chǔ)單元被存取并且其晶體管切換為導(dǎo)通。存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元中的電荷流到與存儲(chǔ)單元連接的位線BL1、BL2中。因此，位線BL1、BL2的電位分別上升和下降。在時(shí)間點(diǎn)t2，位線BL1、BL2的電位接近于或處于穩(wěn)定狀態(tài)。t1和t2之間的時(shí)間此后將被稱為上升時(shí)間。上升時(shí)間取決于與字線和位線連接的晶體管以及位線的電阻和電容的開關(guān)特性。在圖2中，在t2之后，在確保了位線將會(huì)達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)執(zhí)行讀出位線BL的電位。在時(shí)間點(diǎn)t3，讀操作由列線時(shí)鐘信號(hào)CL觸發(fā)。列線選擇信號(hào)CL相對(duì)字線信號(hào)WL延遲了時(shí)間差t3-t1，其要比上升時(shí)間長(zhǎng)一個(gè)安全限度。該安全限度被選擇盡可能得小，以便達(dá)到高的工作速度。
在溫度控制的電壓被施加到晶體管體1的情況下，不僅閾值電壓增加了，而且晶體管的開關(guān)時(shí)間也增加了。因此，位線BL′、BL中電位的上升時(shí)間更長(zhǎng)，即轉(zhuǎn)換速度下降。因此，當(dāng)在時(shí)間點(diǎn)t3，在列線選擇信號(hào)CL的上升沿處開始位線的讀出時(shí)，位線BL′1、BL′2沒有達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)。這可導(dǎo)致讀出錯(cuò)誤，因?yàn)閮蓚€(gè)位線BL′1、BL′2之間的電位差可仍然低于較低的檢測(cè)限制。該錯(cuò)誤可通過將列選擇線信號(hào)相對(duì)于字線信號(hào)的延遲定義為長(zhǎng)于或等于最長(zhǎng)的上升時(shí)間來防止，所述最長(zhǎng)的上升時(shí)間是所有溫度控制電壓所期望的。但是，這將顯著地降低存儲(chǔ)器件的工作速度。
圖3示出了本發(fā)明的一個(gè)特定優(yōu)選實(shí)施例的框圖。多個(gè)存儲(chǔ)單元中的一個(gè)C連接到字線WL(線路以及通過這些線路傳輸?shù)男盘?hào)由相同的附圖標(biāo)記來表示)和兩個(gè)位線，即真位線BL1和補(bǔ)位線BL2。讀控制單元把由附加電路(未示出)直接或間接傳遞的讀命令RC提供給字線。在字線信號(hào)活動(dòng)時(shí)，存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元中的電荷被轉(zhuǎn)移到位線。兩條位線的電位變化由與這些位線連接的第一感測(cè)放大器SA1來感測(cè)。在第二級(jí)中，第二感測(cè)放大器SA2經(jīng)由兩個(gè)開關(guān)器件SW1、SW2連接到第一感測(cè)放大器SA1。這些開關(guān)器件只在存在列線選擇信號(hào)時(shí)才被轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通。此外，第二感測(cè)放大器SA1只有當(dāng)列線選擇信號(hào)CL存在時(shí)才是活動(dòng)的。列線選擇信號(hào)CL由延遲單元DU通過延遲讀控制信號(hào)RC來生成。該延遲單元控制器具有連接到與溫度有關(guān)的電壓源VS的控制輸入。該溫度控制的電壓源可等同于或原理上等同于與存儲(chǔ)單元C的晶體管體連接的電壓源。
圖4示意說明了這種延遲單元的一種可能實(shí)現(xiàn)。在輸入側(cè)Din和輸出側(cè)Dout之間提供了偶數(shù)個(gè)非門。由該延遲單元提供的延遲主要由非門的數(shù)量及其各自的渡越時(shí)間來限定。因此，非門的數(shù)量如此選擇使得延遲等于位線BL的電位的上升時(shí)間。每個(gè)非門包括兩個(gè)互補(bǔ)的晶體管T1、T2。反向鏈(inverted chain)中至少一種晶體管T1的晶體管體具有被施加了控制電壓的控制區(qū)C1。隨著增加的控制電壓，晶體管T1的開關(guān)速度降低，并且因此延遲單元DU的延遲上升。第二控制區(qū)C2可應(yīng)用于互補(bǔ)晶體管T2中的晶體管體。施加到該第二控制區(qū)C2的增加的控制電壓也增加了這些晶體管T2的渡越時(shí)間，并且因此延遲單元DU的延遲上升。
施加到控制區(qū)C1和/或C2的控制電壓基于由與溫度有關(guān)的電壓源VS提供的溫度控制的電壓V。因此，由延遲單元DU提供的延遲與存儲(chǔ)單元C的數(shù)據(jù)信號(hào)的上升時(shí)間并行增加。由此，列線選擇信號(hào)總是相對(duì)于字線信號(hào)被充分延遲，使得只有當(dāng)位線的電位處于穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)才執(zhí)行字線的讀出。另一方面，延遲在存儲(chǔ)器件的整個(gè)工作溫度范圍上最小。
優(yōu)選地，一種晶體管T1等同于在存儲(chǔ)單元C中提供的控制晶體管。否則，可能需要在溫度控制的電壓源VS和延遲單元DU的控制輸入之間提供電壓放大器或衰減器。在任何情況下，需要將用于兩個(gè)互補(bǔ)晶體管類型T1、T2中的一個(gè)的電壓反向。
為了存儲(chǔ)器件的可靠操作，需要預(yù)充電和均衡兩條位線BL1、BL2。這是通過預(yù)充電控制單元PCU來實(shí)現(xiàn)的。圖5以時(shí)序圖說明了預(yù)充電操作的開始。預(yù)充電控制信號(hào)PC由讀控制單元RCU提供，以作為相對(duì)于字線信號(hào)延遲的信號(hào)。在其上升沿(或下降沿)，真位線BL的電位下降到工作電壓VDD的一半并且補(bǔ)位線BL2的電位上升到工作電壓VDD的一半。在預(yù)定時(shí)間之后，預(yù)充電操作在時(shí)間點(diǎn)t6停止。預(yù)定時(shí)間被如此選擇，使得位線BL1、BL2的電位都等于工作電壓VDD的一半。當(dāng)溫度控制電壓V被提供到存儲(chǔ)單元和相應(yīng)的晶體管體時(shí)，預(yù)充電操作所花費(fèi)的時(shí)間更長(zhǎng)。在時(shí)間點(diǎn)t6，位線BL1′、BL2′不等于工作電壓VDD的一半。這可引起相鄰存儲(chǔ)單元后續(xù)讀出中的錯(cuò)誤。
在另外一個(gè)的優(yōu)選實(shí)施例中，延遲單元DU2被布置在讀控制單元和預(yù)充電控制單元之間，用于延遲預(yù)充電控制信號(hào)的終點(diǎn)。延遲單元DU2連接到溫度控制電壓源VS。隨溫度的增加，溫度控制電壓增加了結(jié)束的延遲，因此使預(yù)充電操作更長(zhǎng)。延遲單元DU2的實(shí)現(xiàn)等同或類似于如圖4所示的延遲單元DU。附加的邏輯門可提供以便只延遲預(yù)充電控制信號(hào)PC的結(jié)束而不延遲其開始。
針對(duì)優(yōu)選實(shí)施例已經(jīng)描述了本發(fā)明，但本發(fā)明不限于此。
尤其可以理解，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可包括兩個(gè)延遲單元，一個(gè)用于延遲列線選擇信號(hào)并且第二個(gè)用于延遲預(yù)充電控制信號(hào)。
本發(fā)明不僅涉及DRAM存儲(chǔ)器件而在原理上涉及所有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件。
附圖標(biāo)記S 源極D 漏極G 閘極1 晶體管體2 襯底ST 傳感器VS 與溫度有關(guān)的電壓源V 電壓T 溫度C，C1，C2 控制區(qū)p 第一導(dǎo)電類型n 第二導(dǎo)電類型CLK 時(shí)鐘信號(hào)WL 字線、字線信號(hào)CL 列線選擇線、列線時(shí)鐘信號(hào)BL1，BL2位線、位線電位BL1′，BL2′位線電位t 時(shí)間CM 存儲(chǔ)單元SA1，SA2感測(cè)放大器SW1，SW2開關(guān)單元DU，DU2 延遲單元RCU 讀控制單元RC 讀控制信號(hào)PCU 預(yù)充電控制單元T1，T2 晶體管
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括與溫度有關(guān)的電壓源，用于在其輸出上根據(jù)在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中測(cè)量的上升溫度來輸出上升電壓；至少一個(gè)存儲(chǔ)單元，具有至少一個(gè)第一晶體管，所述第一晶體管包括第一晶體管體，所述第一晶體管體連接到所述與溫度有關(guān)的電壓源的所述輸出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中所述第一晶體管體具有第一導(dǎo)電類型，所述第一晶體管體包括所述第一導(dǎo)電類型的阱，該阱連接到與溫度有關(guān)的電壓源的所述輸出。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中所述第一導(dǎo)電類型是n型，并且與溫度有關(guān)的電壓源輸出負(fù)電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括讀控制器，用于輸出讀控制信號(hào)；讀檢測(cè)單元，下游連接到所述讀控制器并連接到所述存儲(chǔ)單元，所述讀檢測(cè)單元在收到所述讀控制信號(hào)時(shí)讀取所述存儲(chǔ)單元的內(nèi)容；延遲單元，被放置在所述讀控制器和所述讀檢測(cè)單元之間，所述讀控制器延遲所述讀控制信號(hào)，其中所述延遲單元包括至少一個(gè)具有第二晶體管體的第二晶體管，所述第二晶體管體連接到所述與溫度有關(guān)的電壓源的所述輸出。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括預(yù)充電控制單元，用于提供預(yù)充電控制信號(hào)；預(yù)充電單元，下游連接所述預(yù)充電控制單元，所述預(yù)充電單元在收到所述預(yù)充電控制信號(hào)時(shí)均衡連接到存儲(chǔ)單元的位線的電位；延遲單元，被放置在所述預(yù)充電單元和所述預(yù)充電控單元之間，用于延遲所述預(yù)充電控制信號(hào)，其中所述延遲單元包括至少一個(gè)具有第二晶體管體的第二晶體管，所述第二晶體管體連接到所述與溫度有關(guān)的電壓源的所述輸出。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中所述延遲單元包括偶數(shù)個(gè)非門，至少一個(gè)所述非門包括所述第二晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中至少一個(gè)非門包括第三晶體管，所述第三晶體管具有第二導(dǎo)電類型的第三晶體管體，第二導(dǎo)電類型與所述第一導(dǎo)電類型相反。所述與溫度有關(guān)的電壓源在第二輸出上輸出與所述電壓符號(hào)相反的第二電壓，所述第二輸出連接到所述第三晶體管體。
8.根據(jù)權(quán)利要求5的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中所述延遲單元包括偶數(shù)個(gè)非門，至少一個(gè)所述非門包括所述第二晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中至少一個(gè)非門包括第三晶體管，所述第三晶體管具有第二導(dǎo)電類型的第三晶體管體，第二導(dǎo)電類型與所述第一導(dǎo)電類型相反。所述與溫度有關(guān)的電壓源在第二輸出上輸出與所述電壓符號(hào)相反的第二電壓，所述第二輸出連接到所述第三晶體管體。
10.一種操作半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括至少一個(gè)存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元包括具有晶體管體的晶體管，所述方法包括下列步驟確定所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的溫度；提供與溫度有關(guān)的電壓源，以便輸出電壓，其中所述電壓隨著所述確定的溫度的上升而上升；將所述電壓施加到所述晶體管體。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，還包括步驟由讀控制單元提供讀控制信號(hào)；通過延遲單元來延遲所述讀控制信號(hào)，以便提供延遲的讀控制信號(hào)；將所述延遲的讀控制信號(hào)傳遞給讀檢測(cè)單元；和在收到所述延遲的讀控制信號(hào)之后，由所述讀檢測(cè)單元來讀取所述一個(gè)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，還包括步驟通過預(yù)充電控制單元來提供預(yù)充電控制信號(hào)；通過延遲單元延遲所述預(yù)充電控制信號(hào)，以便提供延遲的預(yù)充電控制信號(hào)；將所述延遲的預(yù)充電控制信號(hào)傳遞給預(yù)充電單元；和在收到所述延遲的預(yù)充電控制信號(hào)之后，預(yù)充電與一個(gè)存儲(chǔ)器單元連接的位線。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明，一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括與溫度有關(guān)的電壓源，用于在其輸出上根據(jù)在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中測(cè)量的上升溫度來輸出上升電壓。至少一個(gè)存儲(chǔ)單元具有至少一個(gè)第一晶體管，所述第一晶體管包括第一晶體管體。所述第一晶體管體連接到所述與溫度有關(guān)的電壓源的所述輸出。
文檔編號(hào)G11C7/04GK1917081SQ20061011503
公開日2007年2月21日 申請(qǐng)日期2006年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月17日
發(fā)明者R·巴滕施拉格爾, W·李, J－S·蒙, F·施納貝爾, C·西切爾特 申請(qǐng)人:奇夢(mèng)達(dá)股份公司, 南亞科技公司