專利名稱：光記錄介質(zhì)、多層光記錄介質(zhì)、以及使用它們的光記錄方法和記錄裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有相變光記錄層并且能夠高密度記錄的光記錄介質(zhì)，例如可重寫DVD(數(shù)字多用途盤)，其可被稱為“光信息記錄介質(zhì)”或“光盤”，并且，本發(fā)明涉及一種使用該光記錄介質(zhì)的光記錄方法和光記錄裝置。
本發(fā)明還涉及一種多層光記錄介質(zhì)，其具有兩個或多個信息層，每個信息層包含記錄層，其中，可以通過用激光束照射信息層以誘發(fā)記錄層的材料上的光學(xué)改變來可重寫地記錄和再現(xiàn)信息，并且，本發(fā)明涉及一種使用該多層光記錄介質(zhì)的光記錄方法和光記錄裝置。
背景技術(shù)：
近來，對于光記錄介質(zhì)的高速記錄的需求已經(jīng)增加。特別是對于盤形光記錄介質(zhì)，因?yàn)榭梢酝ㄟ^加大旋轉(zhuǎn)速度來加快其記錄速度和再現(xiàn)速度，所以記錄的加速正在發(fā)展。在光盤中，能夠在記錄期間僅僅利用用于照射的光的調(diào)制度來記錄信息的光記錄介質(zhì)由于其簡單的記錄機(jī)制而使得能夠?qū)崿F(xiàn)介質(zhì)本身和記錄裝置的價格降低，并且保證與僅僅再現(xiàn)的裝置的高度兼容性，因?yàn)閺?qiáng)調(diào)制的光也用于再現(xiàn)。出于上述原因，這些光記錄介質(zhì)變得普遍，并且對于高密度和高速記錄的需求進(jìn)一步增加。
在這些光盤中，由于多次重復(fù)重寫信息的能力而主要使用采用相變材料的那些光盤。在使用相變材料的光盤的情況下，通過利用加強(qiáng)的照射光的調(diào)制度使記錄層材料經(jīng)歷淬火狀態(tài)和退火狀態(tài)來記錄信息。在淬火狀態(tài)中，記錄層材料變?yōu)榉蔷蔚?amorphous)，并且在退火狀態(tài)中，記錄層材料變?yōu)榻Y(jié)晶的(crystalline)。由于光特性在非晶相和結(jié)晶相之間不同，因此可以記錄信息。換句話說，相變光記錄介質(zhì)是這樣的介質(zhì)，其中，利用激光束照射在基板上的薄記錄層，以便加熱該記錄層并且誘發(fā)記錄層結(jié)構(gòu)上的結(jié)晶相和非晶相之間的相變以改變光盤的反射率，由此記錄或擦除信息。通常，在具有高反射率的結(jié)晶相中形成非記錄部分，并且通過形成在具有低反射率的非晶相中形成的標(biāo)記、以及在非記錄部分上具有高反射率的結(jié)晶相中形成的空白來記錄信息。
由于將這種記錄層材料的“淬火”和“退火”的復(fù)雜機(jī)制用作記錄原理，因此在高速記錄中，如公知的那樣，通過利用其脈沖被劃分和強(qiáng)調(diào)制為三部分(ternay)的記錄光束照射記錄介質(zhì)來記錄信息。
用于重復(fù)記錄包含標(biāo)記和空白的數(shù)據(jù)的波形的發(fā)射模式或記錄策略的示例包括如圖7所示的用于DVD+RW等的那些。通過重復(fù)地交替峰值功率(Pw＝Pp)束和偏置功率(Pb)束的脈沖照射來形成在非晶狀態(tài)中的標(biāo)記，并且通過利用處于所述峰值功率(Pw＝Pp)束和偏置功率(Pb)束之間的中間電平上的擦除功率(Pe)的連續(xù)照射來形成在結(jié)晶狀態(tài)中的空白。對于一個或多個空白，可以將擦除功率束二進(jìn)制化以用于在脈沖模式中的照射。
當(dāng)利用包含峰值功率束和偏置功率束的脈沖串來照射記錄層時，記錄層被重復(fù)熔化和淬火以形成非晶標(biāo)記。當(dāng)利用擦除功率束來照射記錄層時，記錄層被熔化并且在固相狀態(tài)中緩慢冷卻或退火以便結(jié)晶，然后形成空白。通常將包含峰值功率束和偏置功率束的脈沖串分類為引導(dǎo)脈沖、中間脈沖和最后脈沖。僅使用引導(dǎo)脈沖和最后脈沖來記錄最短標(biāo)記3T，并且當(dāng)記錄4T或更多的標(biāo)記時，除了引導(dǎo)脈沖和最后脈沖之外還使用中間脈沖。中間脈沖被稱為“多脈沖”并且是對每個1T周期設(shè)置的，并且，每當(dāng)標(biāo)記長度在長度上增加1T時，脈沖的數(shù)量就增加1。也就是說，相對于標(biāo)記長度nT，脈沖串的數(shù)量是值(n-1)。
當(dāng)以比4X DVD更快的高速來記錄信息時，縮短基本時鐘周期T的時間，因此增大了在光源驅(qū)動元件上負(fù)擔(dān)的負(fù)載。當(dāng)利用1T周期的脈沖串來照射記錄層時，加熱時間和冷卻時間都縮短，這導(dǎo)致了不能獲得以足夠的大小形成的非晶標(biāo)記的問題。為了防止該問題，存在各種建議，其中，減小用于形成非晶標(biāo)記的脈沖數(shù)量，即，將脈沖周期設(shè)置為具有長于1T的周期，以保證用于加熱和冷卻二者的足夠時間，使得可以形成具有足夠大小的非晶標(biāo)記(例如，專利文獻(xiàn)1到專利文獻(xiàn)3以及其它文件)。
此外，在高速記錄中，在第一次記錄時可以以低抖動來記錄信息，然而，當(dāng)重復(fù)記錄時，發(fā)生抖動顯著地急劇提高的事件。圖1示出了在重復(fù)記錄隨機(jī)模式期間的抖動的變化示例。在第一次重復(fù)記錄時急劇增大的抖動通過大約10次重復(fù)記錄而逐漸降低，并且被穩(wěn)定下來，并且從當(dāng)通過幾千次重復(fù)記錄到幾百萬次重復(fù)記錄而使得層質(zhì)量變差時的時間直到當(dāng)抖動再次提高時的時間的抖動變化較小。在與1X DVD到2X DVD一樣快的低速記錄中也觀察到在重復(fù)記錄的早期中的抖動提高，但是該抖動變化不是那么顯著，并且即使當(dāng)在與1X DVD到2X DVD一樣快的低速記錄中提高抖動時，也有可能滿足標(biāo)準(zhǔn)抖動值。當(dāng)記錄線速度加快時，經(jīng)常有這樣的情況，其中，具體地說，盡管可以在第一次記錄時或者在重復(fù)記錄10次或更多之后執(zhí)行良好的記錄，但是第一次重復(fù)記錄時的抖動較高并且超過了標(biāo)準(zhǔn)抖動。
假定在重復(fù)記錄的早期中的這種抖動增加是由在初始化過程中形成的早期結(jié)晶相和在記錄期間形成的結(jié)晶相之間的某些狀態(tài)上的差異導(dǎo)致的。出于此原因，在其中早期結(jié)晶相和在記錄期間形成的結(jié)晶相混合的重復(fù)記錄的早期中，發(fā)生標(biāo)記形狀的變化，從而導(dǎo)致抖動值增大。假定通過大約10次的重復(fù)記錄、利用在記錄期間形成的結(jié)晶相來形成幾乎全部記錄軌道，因此標(biāo)記形狀的變化被減弱以降低抖動。
因此，在重復(fù)記錄早期的抖動根據(jù)早期結(jié)晶狀態(tài)而顯著不同?？梢酝ㄟ^在與在記錄期間形成的晶體的狀態(tài)相似的狀態(tài)下形成早期結(jié)晶相來降低在重復(fù)記錄早期的抖動。具體地說，當(dāng)初始化用于高速記錄的記錄層時，通過使用大孔徑的光束來以較高的線速度掃描該記錄層以使該記錄層熔化和結(jié)晶，在重復(fù)記錄早期的抖動趨向于降低。
但是，在高速記錄中形成的結(jié)晶狀態(tài)通常是不穩(wěn)定的，并且即使對于在初始化過程之后立即顯示出良好特性的光記錄介質(zhì)，也存在下述趨勢所述狀態(tài)隨著時間的過去而改變，并且在相同的記錄條件下將不會執(zhí)行良好的記錄。該現(xiàn)象如圖2所示。圖2示出了這樣的示例即使在重復(fù)記錄的早期，也能夠在初始化之后立即以低抖動來進(jìn)行記錄，然而，當(dāng)在第一次重復(fù)記錄后的一個月在相同的記錄條件下在非記錄部分中再次記錄信息時，抖動提高。因此，有必要降低在重復(fù)記錄早期中的抖動，即使當(dāng)早期結(jié)晶狀態(tài)不同于在記錄時形成的晶體的狀態(tài)時也是如此。
作為在減小第一次重復(fù)記錄時的抖動方面有效的記錄方法，專利文獻(xiàn)4描述了將引導(dǎo)部分的加熱脈沖的開始時間延遲1T或更多。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明人的研究，當(dāng)把1T的周期用于脈沖串時，該記錄方法是有效的方法。但是，當(dāng)把脈沖周期設(shè)置為長于1T以便響應(yīng)較高速度的記錄時，該記錄方法是無效的。
此外，專利文獻(xiàn)5公開了可以通過延長引導(dǎo)部分的加熱脈沖的照射時間來良好地進(jìn)行記錄。該記錄方法在減小重復(fù)記錄早期中的抖動提高方面也是有效的。但是，在高速記錄的情況中，該記錄方法具有這樣的問題因?yàn)榉逯倒β手低ǔ］^高，所以所述層容易隨著延長的照射時間而變差，并且重復(fù)記錄的耐久性降低。該記錄方法還具有這樣的問題在相鄰軌道中記錄的標(biāo)記被部分地擦除，并且交叉擦除的頻率增大。
諸如致密盤-可重寫(CD-RW)的相變光記錄介質(zhì)通常具有這樣的基本結(jié)構(gòu)，其中，在塑料基板上形成包含相變材料的記錄層，并且在記錄層上形成能夠提高記錄層的光吸收并且具有熱擴(kuò)散效應(yīng)的反射層，并且，利用來自基板表面的激光束來照射該層狀結(jié)構(gòu)，從而記錄和再現(xiàn)信息。
用于相變光記錄介質(zhì)的記錄層的相變記錄材料通過利用激光束重復(fù)加熱相變材料并且冷卻該相變材料來誘發(fā)結(jié)晶狀態(tài)和非晶狀態(tài)之間的相變，并且，所述材料在被迅速加熱和淬火時處于非晶狀態(tài)，并且所述材料在被緩慢冷卻時處于結(jié)晶狀態(tài)。相變光記錄介質(zhì)是所述性質(zhì)被應(yīng)用于信息記錄的那些光記錄介質(zhì)，并且通過利用由在結(jié)晶狀態(tài)和非晶狀態(tài)之間的光學(xué)常數(shù)上的差別引起的反射率的差別來再現(xiàn)信息。
相變光記錄介質(zhì)通常包含在基板和記錄層之間形成的上保護(hù)層(其可被稱為上介電層)和在記錄層和反射層之間形成的下保護(hù)層(其可被稱為下介電層)，用于防止通過光束的照射而施加的熱量引起的氧化、蒸發(fā)和變形。這些保護(hù)層具有通過控制所述層的厚度來控制記錄介質(zhì)的光學(xué)特性的功能。此外，上保護(hù)層還具有防止基板被記錄記錄層時產(chǎn)生的熱量軟化的功能。
近來，隨著通過計(jì)算機(jī)等使用的信息量的增加，在諸如DVD-RAM、DVD-RW和DVD+RW的可重寫光盤上記錄的信號的記錄量增加，并且信號信息的高度致密化被迅速提出。到現(xiàn)在2005年為止，致密盤(CD)具有大約650MB的存儲容量，并且數(shù)字多用途盤(DVD)具有大約7GB的存儲容量，然而，預(yù)計(jì)在不久的將來對高密度記錄的需求將進(jìn)一步增加。
作為用于通過使用這種光記錄介質(zhì)來進(jìn)行高密度記錄的方法，例如，已經(jīng)提出了其中把要使用的激光波長縮短為藍(lán)色激光波長的方法、以及以下方法在該方法中，通過增大要用于記錄和再現(xiàn)信息的拾取器的物鏡的數(shù)值孔徑(NA)來減小要用于照射光記錄介質(zhì)的激光束的光斑大小。這些方法的研究和開發(fā)已經(jīng)取得進(jìn)展，并且接近投入實(shí)用。
另一方面，作為用于改進(jìn)光記錄介質(zhì)本身以提高存儲容量的方法，已經(jīng)對于雙層光記錄介質(zhì)提出了各種建議，所述雙層光記錄介質(zhì)是通過以下方法產(chǎn)生的在所述方法中，兩個信息層分別具有被布置在基板的一個表面上的層狀結(jié)構(gòu)中的至少一個記錄層和反射層，并且這些信息層通過紫外線固化樹脂等而被粘合。粘合在所述信息層之間的中間層具有光學(xué)地分離這兩個信息層的功能，并且由于用于記錄和再現(xiàn)的激光束需要盡可能遠(yuǎn)地達(dá)到內(nèi)側(cè)信息層，因此該中間層包含盡可能地防止吸收光的材料。但是，對于雙層光記錄介質(zhì)，仍然有很多問題要解決。例如，當(dāng)激光束不足以被傳送到從激光束照射側(cè)觀看的前側(cè)上形成的信息層(第一信息層)時，在內(nèi)側(cè)信息層(第二信息層)的記錄層中既不能記錄也不能再現(xiàn)信息，因此，構(gòu)成第一信息層的反射層需要是極其薄的半透明反射層。
以下述方式來進(jìn)行在相變光記錄介質(zhì)上的記錄在所述方式中，利用激光束照射記錄層的相變材料，以便將相變材料加熱到熔點(diǎn)或更高的溫度，然后將該相變材料淬火以便將結(jié)晶狀態(tài)改變?yōu)榉蔷顟B(tài)，從而形成記錄標(biāo)記。通過將記錄層的相變材料加熱到結(jié)晶溫度或更高溫度、然后將該相變材料退火以便將非晶狀態(tài)改變?yōu)榻Y(jié)晶狀態(tài)，來擦除信息。
在傳統(tǒng)的單層光記錄介質(zhì)中，由于可以足夠厚地形成反射層，因此有可能允許由激光束照射引起的余熱迅速散失。因此，由于所進(jìn)行的淬火效應(yīng)而容易形成非晶狀態(tài)。類似地，對于雙層光記錄介質(zhì)，不需要使激光束被傳送到其第二信息層，因此，第二反射層和第二記錄層可以被形成為分別具有如可在傳統(tǒng)單層光記錄介質(zhì)中看到的那樣的厚度，并且當(dāng)?shù)谝恍畔泳哂懈咄干渎蕰r，可以獲得良好的記錄特性，以及容易地再現(xiàn)信息。
但是，當(dāng)在雙層光記錄介質(zhì)的第一信息層上記錄信息、并且使用具有大約10nm的厚度的極薄的半透明反射層時，由于減小了熱擴(kuò)散效應(yīng)而難以形成非晶標(biāo)記。為了允許在第二信息層的記錄層上記錄和再現(xiàn)信息，優(yōu)選的是，第一信息層具有高透光率。因此，為了在雙層光記錄介質(zhì)的第一信息層上記錄或擦除非晶標(biāo)記，有必要利用比單層光記錄介質(zhì)的記錄功率或擦除功率高的記錄功率或擦除功率的激光束來照射第一信息層，其中在所述單層光記錄介質(zhì)中，可以較厚地形成反射層。例如，已知范圍從大約6mW到9mW的擦除功率Pe導(dǎo)致處于范圍從3.5米/秒到27.9米/秒的記錄線速度的傳統(tǒng)DVD單層光記錄介質(zhì)上的良好特性。反之，用于照射DVD雙層光記錄介質(zhì)的第一信息層的擦除功率Pe在范圍從3.5米/秒到14米/秒的記錄線速度處需要大約6mW到9mW，并且需要擦除功率在記錄線速度慢于單層光記錄介質(zhì)的記錄線速度的環(huán)境下具有高密度能量。
另外，由于雙層光記錄介質(zhì)需要高擦除功率Pe并且還具有薄第一反射層，因此第一信息層的熱擴(kuò)散特性與單層光記錄介質(zhì)的熱擴(kuò)散特性相比相當(dāng)差，并且存在關(guān)于被形成為超薄的第一記錄層所遭受到的熱效應(yīng)的問題。當(dāng)以范圍從3.5米/秒到14米/秒的記錄線速度記錄信息時，需要具有擦除功率的兩倍或更多的功率的記錄功率Pp，由這樣的高記錄功率產(chǎn)生的余熱還導(dǎo)致在第一記錄層上的熱損害，因此存在防止熱損害的問題。
例如，專利文獻(xiàn)6提出了一種方法，其中，當(dāng)形成空白時，將擦除功率束二進(jìn)制化以便用脈沖能量進(jìn)行照射。但是，在該建議中，在具有用于形成標(biāo)記的峰值功率Pp的引導(dǎo)脈沖緊前的擦除功率未被降低到偏置功率Pb電平，并且當(dāng)利用該記錄方法記錄信息時，存在由余熱誘發(fā)的熱量的過度施加的問題。
另外，當(dāng)利用如在專利文獻(xiàn)7中看到的暫時增大緊接在形成記錄標(biāo)記之前使用的擦除功率的記錄方法來記錄信息時，其也引起熱量的過度施加的問題。
如可以在專利文獻(xiàn)8到10中看到的那樣，在僅在引導(dǎo)脈沖緊前設(shè)置偏置功率Pb的方法中，當(dāng)在如雙層光記錄介質(zhì)中看到的、具有不良熱擴(kuò)散特性的第一信息層中執(zhí)行記錄和擦除時，效果不夠，并且存在這樣的問題雖然可以對單層光記錄介質(zhì)充分地發(fā)揮效果，但是難以獲得良好的記錄特性。
因此，當(dāng)在從多層光記錄介質(zhì)的激光束通量(flux)照射側(cè)觀看的前側(cè)上布置的第一信息層中形成的第一記錄層上記錄信息時，還沒有提供下述用于多層光記錄介質(zhì)的記錄方法其能夠防止第一記錄層遭受到的熱損害、適當(dāng)?shù)赜涗浐筒脸畔?、并且具有良好的記錄特性，其中，所述多層光記錄介質(zhì)包含兩個或更多的信息層，在該信息層上，可以通過利用激光束照射信息層以誘發(fā)記錄層材料上的光學(xué)改變來可重寫地記錄和再現(xiàn)信息。因此，期望關(guān)于這種記錄方法的迅速發(fā)展。
專利文獻(xiàn)1 日本專利申請公開(JP-A)第2002-237051號專利文獻(xiàn)2 日本專利申請公開(JP-A)第2002-288837號專利文獻(xiàn)3 日本專利申請公開(JP-A)第2001-331936號專利文獻(xiàn)4 日本專利申請公開(JP-A)第2004-46956號專利文獻(xiàn)5 日本專利(JP-B)第3223907號專利文獻(xiàn)6 日本專利申請公開(JP-A)第2004-63005號專利文獻(xiàn)7 日本專利申請公開(JP-A)第2002-288830號專利文獻(xiàn)8 日本專利申請公開(JP-A)第2001-273638號專利文獻(xiàn)9 日本專利申請公開(JP-A)第2004-47053號專利文獻(xiàn)10 日本專利申請公開(JP-A)第2005-63586號發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的是提供一種光記錄介質(zhì)，即使在像6X DVD到8XDVD那樣快的高速記錄時，其也能夠在不引起重復(fù)記錄耐久性變差和串?dāng)_增大的情況下、與早期結(jié)晶狀態(tài)無關(guān)地減小在重復(fù)記錄早期中的抖動增大；以及使用該光記錄介質(zhì)的光記錄方法和光記錄裝置。
當(dāng)在從具有包含相變記錄層的兩個或多個信息層的多層光記錄介質(zhì)的激光束通量照射側(cè)看的前側(cè)上布置的第一信息層中形成的第一記錄層上記錄信息時，本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種多層光記錄介質(zhì)，其能夠防止第一記錄層遭受到的熱損害、適當(dāng)?shù)赜涗浐筒脸畔?、并且具有良好的重?fù)記錄特性和在記錄靈敏度上出色的兩個或多個記錄層；以及用于該多層光記錄介質(zhì)的記錄方法和記錄裝置。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種用于多層光記錄介質(zhì)的記錄方法，所述多層光記錄介質(zhì)包括M個相變記錄層、并且M≥2，所述方法包括通過利用包括多個激光束脈沖的記錄脈沖串而用激光照射所述記錄層中的第K個，在第K記錄層中記錄標(biāo)記，用于第K記錄層的記錄脈沖串具有t(K)[T]的周期，其中第1記錄層是與激光束最近的記錄層，第M記錄層是與激光束最遠(yuǎn)的記錄層，T是時鐘周期；其中，滿足以下關(guān)系t(1)＜t(M)，并且記錄脈沖串的周期在激光束照射的方向上從一個記錄層到下一個記錄層不減小。
在根據(jù)所述第一方面的用于多層光記錄介質(zhì)的光記錄方法中，可以使布置在其前側(cè)處的記錄層的重復(fù)記錄特性和在其最內(nèi)側(cè)處的記錄的記錄靈敏度獲得改善。
通過在記錄層的前側(cè)處使用1T的記錄策略，并且在記錄層的最內(nèi)側(cè)處使用2T的記錄策略，可以獲得下面的效果。
(1)可以在記錄層的前側(cè)處獲得良好的抖動特性；(2)可以改善記錄層最內(nèi)側(cè)的記錄靈敏度(利用低記錄功率來實(shí)現(xiàn)記錄)；以及(3)可以獲得提高在記錄層最內(nèi)側(cè)處的調(diào)制度的最大值的效果(如可以在圖32中看到的那樣，在其最內(nèi)側(cè)(2T的記錄策略側(cè))處的調(diào)制度的飽和值比在其前側(cè)(1T的記錄策略側(cè))處的調(diào)制度的飽和值高2％。
在1T的記錄策略中，如圖34所示，為了記錄具有nT長度的標(biāo)記，使用(n-1)個脈沖。
在2T的記錄策略中，如圖35所示，在使用m個脈沖的具有nT長度的標(biāo)記的情況下，如果‘n’是偶數(shù)則‘n’等于2m，并且如果‘n’是奇數(shù)則‘n’等于2m+1(其中m≥1)。
在3T的記錄策略中，如圖36所示，在使用m個脈沖(其中m≥1)的具有nT長度的標(biāo)記的情況下，實(shí)現(xiàn)以下方程當(dāng)‘n’除以3并且剩余1時，n＝3m-2當(dāng)‘n’除以3并且剩余2時，n＝3m-1以及當(dāng)‘n’是3的倍數(shù)時，n＝3m。
本發(fā)明的實(shí)施例可以提供一種方法，其中，對于用于第1和第2層的記錄脈沖，滿足下面的關(guān)系t(1)＜t(2)。
本發(fā)明的實(shí)施例可以包括使用具有1T周期的記錄脈沖串來在第1記錄層中記錄標(biāo)記；以及，使用具有2T周期的記錄脈沖串來在第2記錄層中記錄標(biāo)記。
本發(fā)明的實(shí)施例可以包括使用具有1T周期的記錄脈沖串來在第1記錄層中記錄標(biāo)記；以及使用具有2T周期的記錄脈沖串來在其它記錄層中記錄標(biāo)記。
本發(fā)明的實(shí)施例可以提供一種方法，其中，當(dāng)在除了第M記錄層之外的M個相變記錄層的記錄層中記錄具有nT長度的標(biāo)記時，滿足以下關(guān)系(n-1.5)T≤Tr≤(n-1)T
其中，n是不小于1的整數(shù)，并且Tr表示在引導(dǎo)脈沖的前沿到最后脈沖的前沿之間的間隔。
本發(fā)明的實(shí)施例可以提供一種方法，其中，滿足下面的關(guān)系0.12T≤Tmp≤0.3T，其中，Tmp表示記錄脈沖的寬度。
本發(fā)明的實(shí)施例可以提供一種方法，其中，在除了從激光束照射側(cè)觀看的最內(nèi)側(cè)處布置的記錄層之外的記錄層上記錄標(biāo)記，并且通過記錄脈沖串來形成記錄標(biāo)記，所述記錄脈沖串被設(shè)置為使得在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，并且在擦除功率電平Pe與在引導(dǎo)脈沖之前的偏置功率電平Pb和最后脈沖之后的偏置功率電平Pb中的至少一個偏置功率電平Pb之間設(shè)置所述冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便滿足以下關(guān)系Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
本發(fā)明的實(shí)施例可以提供一種方法，其中，通過記錄脈沖串來形成標(biāo)記，所述記錄脈沖串被設(shè)置為使得在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，并且在擦除功率電平Pe與在引導(dǎo)脈沖之前的偏置功率電平Pb之間設(shè)置所述冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便滿足以下關(guān)系Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
本發(fā)明的實(shí)施例可以提供一種方法，其中，通過記錄脈沖串來形成標(biāo)記，所述記錄脈沖串被設(shè)置為使得在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，并且在擦除功率電平Pe與在最后脈沖之后的偏置功率電平Pb之間設(shè)置所述冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便滿足以下關(guān)系Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
本發(fā)明的實(shí)施例可以提供一種方法，其中，通過記錄脈沖串來形成標(biāo)記，所述記錄脈沖串被設(shè)置為使得在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，并且在擦除功率電平Pe與在引導(dǎo)脈沖之前和最后脈沖之后的偏置功率電平Pb之間設(shè)置所述冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便滿足以下關(guān)系
Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN中的值N可以是從1到3的整數(shù)中的任何一個。
可以在所述兩個或多個相變記錄層的每一個上記錄信息，并且可以通過對于所述兩個或多個相變記錄層的每一個改變以下比率中的至少一個來記錄該信息在記錄功率電平Pp和擦除功率電平Pe之間的比率e(Pe/Pp)、以及在記錄功率電平Pp和冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN之間的比率d1、...dN(Pc1/Pp、...、PcN/Pp)。
本發(fā)明的實(shí)施例可以提供一種方法，其中，在記錄具有nT(其中n是1或更大的整數(shù)，并且T表示時鐘周期)長度的記錄標(biāo)記時使用的記錄功率電平Pp的照射脈沖的數(shù)量被表示為m(其中m是1或更大的整數(shù))，如果值n是偶數(shù)則滿足關(guān)系n＝2m，并且如果值n是奇數(shù)則滿足關(guān)系n＝2m+1?？梢酝ㄟ^僅將最短的標(biāo)記增加一個脈沖來記錄所述標(biāo)記。
本發(fā)明的實(shí)施例可以提供一種方法，其中，在擦除功率電平Pe的照射期間，包括比擦除功率Pe低的擦除功率電平Pe-的脈沖結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的實(shí)施例可以提供一種方法，其中，當(dāng)在多層光記錄介質(zhì)的每個信息層上記錄信息時，從布置在自激光束通量照射側(cè)觀看的前側(cè)上的信息層起依序記錄信息。
T對于每個記錄層可以是相同的時鐘周期。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種用于多層光記錄介質(zhì)的記錄裝置，所述多層光記錄介質(zhì)包括M個相變記錄層，并且M≥2，所述裝置被布置為使用被布置為利用包括多個激光束脈沖的記錄脈沖串來照射第K記錄層的激光來在第K記錄層中記錄標(biāo)記，用于第K層的記錄脈沖串具有t(K)[T]的周期，其中第1記錄層是與激光束最近的記錄層，第M記錄層是與激光束最遠(yuǎn)的記錄層，并且1≤K≤M，T是時鐘周期；其中，滿足以下關(guān)系t(1)＜t(M)，并且記錄脈沖串的周期在激光束照射的方向上從一個記錄層到下一個記錄層不減小。
在這樣的裝置中，可以使布置在其前側(cè)處的記錄層的重復(fù)記錄特性和在其最內(nèi)側(cè)處的記錄的記錄靈敏度獲得改善。
在一些實(shí)施例中，所述裝置被布置為使得對于用于第1和第2層的記錄脈沖滿足以下關(guān)系t(1)＜t(2)。
在一些實(shí)施例中，所述裝置被布置為使用具有1T周期的記錄脈沖串來在第1記錄層中記錄標(biāo)記；并且使用具有2T周期的記錄脈沖串來在第2記錄層中記錄標(biāo)記。
在一些實(shí)施例中，所述裝置被布置為使用具有1T周期的記錄脈沖串來在第1記錄層中記錄標(biāo)記；并且使用具有2T周期的記錄脈沖串來在其它記錄層中記錄標(biāo)記。
在一些實(shí)施例中，所述裝置被布置為使得當(dāng)在除了第M記錄層之外的M個相變記錄層的記錄層中記錄具有長度nT的標(biāo)記時，滿足以下關(guān)系(n-1.5)T≤Tr≤(n-1)T其中，n是不小于1的整數(shù)，Tr表示在引導(dǎo)脈沖的前沿到最后脈沖的前沿之間的間隔。
在一些實(shí)施例中，所述裝置被布置為使得滿足以下關(guān)系0.12T≤Tmp≤0.3T，其中Tmp表示記錄脈沖的寬度。
在一些實(shí)施例中，所述裝置被布置為使得在除了從激光束照射側(cè)觀看的最內(nèi)側(cè)上布置的記錄層之外的記錄層上記錄標(biāo)記，并且通過記錄脈沖串來形成記錄標(biāo)記，所述記錄脈沖串被設(shè)置為使得在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，并且在擦除功率電平Pe與在引導(dǎo)脈沖之前的偏置功率電平Pb和最后脈沖之后的偏置功率電平Pb中的至少一個偏置功率電平Pb之間設(shè)置所述冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便滿足以下關(guān)系Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
在一些實(shí)施例中，所述裝置被布置為使得通過記錄脈沖串來形成標(biāo)記，所述記錄脈沖串被設(shè)置為使得在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，并且在擦除功率電平Pe和在引導(dǎo)脈沖之前的偏置功率電平Pb之間設(shè)置所述冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便滿足以下關(guān)系Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
在一些實(shí)施例中，所述裝置被布置為使得通過記錄脈沖串來形成標(biāo)記，所述記錄脈沖串被設(shè)置為使得在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，并且在擦除功率電平Pe與在最后脈沖之后的偏置功率電平Pb之間設(shè)置所述冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便滿足以下關(guān)系Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
在一些實(shí)施例中，所述裝置被布置為使得通過記錄脈沖串來形成標(biāo)記，所述記錄脈沖串被設(shè)置為使得在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，并且在擦除功率電平Pe與在引導(dǎo)脈沖之前和最后脈沖之后的偏置功率電平Pb之間設(shè)置所述冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便滿足以下關(guān)系Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN中的值N可以是從1到3的整數(shù)中的任何一個。
在一些實(shí)施例中，所述裝置被布置為使得當(dāng)在所述兩個或多個相變記錄層的每一個上記錄信息時，通過對于所述兩個或多個相變記錄層的每一個改變以下比率中的至少一個來記錄該信息在記錄功率電平Pp和擦除功率電平Pe之間的比率e(Pe/Pp)，以及在記錄功率電平Pp和冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN之間的比率d1、...dN(Pc1/Pp、...、PcN/Pp)。
在一些實(shí)施例中，所述裝置被布置為使得當(dāng)在記錄具有nT(其中n是1或更大的整數(shù)，并且T表示時鐘周期)長度的記錄標(biāo)記時使用的記錄功率電平Pp的照射脈沖的數(shù)量被表示為m(其中m是1或更大的整數(shù))，如果值n是偶數(shù)則滿足關(guān)系n＝2m，并且如果值n是奇數(shù)則滿足關(guān)系n＝2m+1?？梢酝ㄟ^僅將最短標(biāo)記增加一個脈沖來記錄所述標(biāo)記。
在一些實(shí)施例中，所述裝置被布置為使得在擦除功率電平Pe的照射期間，包括比擦除功率Pe低的擦除功率電平Pe-的脈沖結(jié)構(gòu)。
在一些實(shí)施例中，所述裝置被布置為使得當(dāng)在多層光記錄介質(zhì)的每個信息層上記錄信息時，從布置在自激光束通量照射側(cè)看到的前側(cè)上的信息層起依序記錄該信息。
T對于每個記錄層可以是相同的時鐘周期。


圖1是示例性地示出在重復(fù)記錄隨機(jī)模式期間地抖動變化示例的曲線圖。
圖2是示出緊接在初始化之后顯示的抖動和在初始化后的一個月重復(fù)記錄該隨機(jī)模式時的抖動的曲線圖。
圖3是示例性地示出基于DVD規(guī)格(specification)和高速規(guī)格的相變光記錄介質(zhì)的示例的示意圖。
圖4是示例性地示出以下現(xiàn)象的視圖由第一加熱脈沖形成的非晶部分由于重新結(jié)晶而消失，但是，通過第一加熱脈沖的預(yù)熱效果提高了照射第二加熱脈沖時的溫度，以加寬熔化區(qū)域并且因此增大標(biāo)記的外圍部分。
圖5是示例性地示出了用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明實(shí)施例的光記錄方法的光記錄裝置的示例的方框圖。
圖6是示出在示例A-1到A-4中以及在比較示例A-1和A-2中重復(fù)記錄了隨機(jī)模式之后的抖動的曲線圖。
圖7是示出用于重復(fù)記錄包含在DVD+RW等中使用的標(biāo)記和空白的數(shù)據(jù)的波形的發(fā)射模式(記錄策略)的曲線圖。
圖8是示出用于在示例中使用的每個標(biāo)記長度的波形的發(fā)射模式(記錄策略)的曲線圖。
圖9是示出在改變6T或更大的引導(dǎo)標(biāo)記的第二冷卻脈沖的長度的情況下、當(dāng)在第一記錄時記錄隨機(jī)模式的時候以及在重復(fù)記錄隨機(jī)模式10次之后的該標(biāo)記的抖動檢查結(jié)果的曲線圖。
圖10是示出在將Pp固定在38mW并且改變Pe值以改變Pe/Pp的值的情況下、當(dāng)在第一記錄時記錄隨機(jī)模式的時候以及在重復(fù)記錄隨機(jī)模式10次之后的相應(yīng)抖動的曲線圖。
圖11是示例性地示出了當(dāng)與其中設(shè)置Pc1到PcN的功率電平的、本發(fā)明的一些實(shí)施例的第一方面有關(guān)的記錄方法中的N＝1時的激光發(fā)射模式的示例的視圖。
圖12是示例性地示出了當(dāng)與其中設(shè)置Pc1到PcN的功率電平的、本發(fā)明的一些實(shí)施例的第一方面有關(guān)的記錄方法中的N＝2時的激光發(fā)射模式的示例的視圖。
圖13是示例性地示出了當(dāng)與其中設(shè)置Pc1到PcN的功率電平的、本發(fā)明的一些實(shí)施例的第二方面有關(guān)的記錄方法中的N＝1時的激光發(fā)射模式的示例的視圖。
圖14是示例性地示出了當(dāng)與其中設(shè)置Pc1到PcN的功率電平的、本發(fā)明的一些實(shí)施例的第三方面有關(guān)的記錄方法中的N＝1時的激光發(fā)射模式的示例的視圖。
圖15是示例性地示出傳統(tǒng)記錄方法中的激光發(fā)射模式示例的視圖。
圖16是示例性地示出傳統(tǒng)記錄方法中的激光發(fā)射模式的另一示例的視圖。
圖17是示例性地示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層光記錄介質(zhì)的層狀結(jié)構(gòu)的示例的橫截面圖。
圖18是示出在單層光記錄介質(zhì)的記錄層中的Sb含量的量和記錄線速度之間的關(guān)系的曲線圖。
圖19是圖示不對稱(asymmetry)的圖。
圖20是示出當(dāng)利用圖11所示的記錄策略來向第一和第二信息層記錄信息時、與第二信息層的記錄特性相比較的第一信息層的記錄特性的視圖。
圖21是示出當(dāng)包括擦除功率Pe-時的激光發(fā)射波形的視圖。
圖22是示出與在示例B-28中準(zhǔn)備的雙層相變光記錄介質(zhì)的記錄特性相比較的、在示例B-34中準(zhǔn)備的雙層相變光記錄介質(zhì)的第二信息層的記錄特性的曲線圖。
圖23是示出與在比較示例B-32中獲得的調(diào)制度相比較的、在示例B-47中獲得的調(diào)制度的曲線圖。
圖24包括(1)、(2)和(3)(1)圖示了傳統(tǒng)單層光記錄介質(zhì)的記錄方法的示例。
(2)圖示了從其光束照射側(cè)觀看的、傳統(tǒng)雙層光記錄介質(zhì)的前側(cè)上形成的信息層的記錄方法的示例。
(3)圖示了從其光束照射側(cè)觀看的、傳統(tǒng)雙層光記錄介質(zhì)的前側(cè)上形成的信息層的記錄方法的另一示例。
圖25是示出對于在示例B-17中準(zhǔn)備的雙層相變光記錄介質(zhì)比較的抖動的曲線圖。
圖26是示出對于在示例B-18中準(zhǔn)備的雙層相變光記錄介質(zhì)比較的抖動的曲線圖。
圖27是示出對于在示例B-18中準(zhǔn)備的雙層相變光記錄介質(zhì)比較的調(diào)制度的曲線圖。
圖28是示出在本發(fā)明中使用的記錄脈沖策略的參數(shù)的視圖。
圖29是示出在從激光束照射側(cè)觀看的前側(cè)處布置的記錄層上、通過改變參數(shù)的數(shù)量來重復(fù)記錄多達(dá)10次的記錄特性的比較結(jié)果的視圖。
圖30是示出在從激光束照射側(cè)觀看的前側(cè)處布置的記錄層上、通過改變參數(shù)的數(shù)量來重復(fù)記錄多達(dá)500次的記錄特性的比較結(jié)果的視圖。
圖31示出了在圖29和30中實(shí)際使用的記錄策略的參數(shù)。
圖32是示出記錄功率和調(diào)制度之間的關(guān)系的曲線圖。
圖33是示例性地示出在其上安裝了本發(fā)明的單面多層光記錄介質(zhì)的光記錄裝置的視圖。
圖34是示出1T的記錄策略的波形的視圖。
圖35是示出2T的記錄策略的波形的視圖。
圖36是示出3T的記錄策略的波形的視圖。
具體實(shí)施例方式
(光記錄介質(zhì)、光記錄方法和光記錄裝置)根據(jù)按照本發(fā)明一些實(shí)施例的光記錄方法，當(dāng)利用激光束來照射光記錄介質(zhì)、并且通過其中用nT(T表示基本時鐘周期，并且n是自然數(shù))來表示記錄標(biāo)記的時間長度的標(biāo)記長度記錄方法來記錄信息時，通過交替進(jìn)行利用功率Pp的加熱脈沖和功率Pb(Pp＞Pb)的冷卻功率的照射“m”次來形成記錄標(biāo)記，滿足條件m≤(n/2+1)，并且引導(dǎo)冷卻脈沖的照射時間是0.2T到0.4T。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光記錄介質(zhì)被用于所述光記錄方法中，并且包含基板、第一保護(hù)層、相變記錄層、第二保護(hù)層和反射層，其每一個以層狀結(jié)構(gòu)而被形成在基板上，并且相變記錄層包含Sb以及從由Ge、Ga、In、Zn、Mn、Sn、Ag、Mg、Ca、Bi、Se和Te構(gòu)成的組中選擇的一個或多個元素。
在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光記錄裝置中，使用激光束來照射光記錄介質(zhì)，并且通過其中用nT(T表示基本時鐘周期，并且n是自然數(shù))表示記錄標(biāo)記的時間長度的標(biāo)記長度記錄方法來記錄信息。所述光記錄裝置包含旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)，被配置用來旋轉(zhuǎn)光記錄介質(zhì)；激光源，被配置用來發(fā)射用于照射光記錄介質(zhì)的激光束；以及光源驅(qū)動單元，被配置用來發(fā)射激光源；發(fā)射波形控制單元，被配置用來通過設(shè)置與由激光源發(fā)射的光束的發(fā)射波形相關(guān)的記錄策略來控制光源驅(qū)動單元，并且該記錄策略被設(shè)置為使得通過交替地利用加熱脈沖功率Pp和冷卻脈沖功率Pb(Pp＞Pb)照射“m”次來形成記錄標(biāo)記，m≤(n/2+1)，并且第一次冷卻脈沖的照射時間是0.2T到0.4T。
本發(fā)明的實(shí)施例可以被應(yīng)用于光記錄方法，并且包括所使用的光信息再現(xiàn)裝置的光記錄裝置可以利用光束照射而通過強(qiáng)度調(diào)制記錄、擦除或重寫信息，其中對于所述光記錄裝置，可以以高速、例如以與6X DVD到8X DVD那樣快或更大的記錄速度來記錄信息。
圖3示出了適合于本發(fā)明的一些實(shí)施例的光記錄方法的、基于DVD規(guī)格和高速規(guī)格的相變光記錄介質(zhì)的示例。
在圖3中，相變光記錄介質(zhì)106包含在具有導(dǎo)槽的透明基板101上的第一保護(hù)層102、相變記錄層103、第二保護(hù)層104、反射層105、抗硫化層107和有機(jī)保護(hù)層108，并且還根據(jù)需要包含其它層。
透明基板101的材料不受具體限制、可以根據(jù)所希望的用途來適當(dāng)?shù)剡x擇，但是，從耐熱性、抗沖擊性、低吸水特性等方面來看，優(yōu)選地使用聚碳酸酯樹脂。
基板101的折射率最好是1.5到1.65。當(dāng)折射率大于1.65時，整個盤的折射率降低，而當(dāng)折射率小于1.5時，作為折射率增大的結(jié)果，調(diào)制度可能變小。基板101的厚度最好是0.59mm到0.62mm。當(dāng)基板厚度比0.62毫米厚時，可能存在拾取透鏡的聚焦性能的問題，當(dāng)所述厚度比0.59mm薄時，可能存在由于沒有記錄和再現(xiàn)裝置的夾具而導(dǎo)致旋轉(zhuǎn)數(shù)目不穩(wěn)定的問題。此外，當(dāng)在厚度上的圓周均勻性(uniformity)大于上述范圍時，可能存在信號強(qiáng)度在盤的圓周上變化的情況。
對于相變記錄層103，使用包含Sb以及從由Ge、Ga、In、Zn、Mn、Sn、Ag、Mg、Ca、Ag、Bi、Se和Te構(gòu)成的組中選擇的一個或多個元素的材料。
當(dāng)Sb被用作基體、并且與和Sb是二價的并具有大約600℃或更少的共晶點(diǎn)(eutectic point)的元素或形成固溶體的元素組合時，有可能形成適合于在非晶狀態(tài)和結(jié)晶狀態(tài)之間執(zhí)行重復(fù)記錄的記錄層。根據(jù)要與Sb組合的元素的類型和數(shù)量，控制諸如結(jié)晶速率(rate)、記錄特性、存儲穩(wěn)定性和初始化的容易性的特性。要與Sb組合的元素是一個或多個，并且根據(jù)必要性可以是幾種類型?？梢韵蛏鲜鲈睾蚐b之間的合金增加二價或更大的其它元素。
當(dāng)以高速重復(fù)記錄信息時，需要以高速結(jié)晶非晶標(biāo)記，因此，特別是當(dāng)以像6X DVD到8X DVD那樣快或更大的高速來進(jìn)行記錄時，Sb的使用通常是50原子百分比(50atomic％)到90原子百分比，并且最好是60原子百分比到85原子百分比。當(dāng)Sb的使用小于50原子百分比時，結(jié)晶速率很低以至于非晶標(biāo)記在重復(fù)記錄時保持不被擦除，這導(dǎo)致了抖動和錯誤數(shù)量的增加。當(dāng)所述使用大于90原子百分比時，難以形成非晶標(biāo)記。
當(dāng)相變記錄層103的厚度比8nm薄時，調(diào)制度小，并且再現(xiàn)光束的穩(wěn)定性降低。當(dāng)它比22nm厚時，抖動顯著增大。因此，相變記錄層103的厚度通常是8nm到22nm，并且優(yōu)選的是，當(dāng)將其設(shè)置在11nm到16nm的范圍中時，特別地改善了重復(fù)記錄的耐久性。
對于反射層105，傳統(tǒng)上使用基于Al的合金。Al具有高反射率和高導(dǎo)熱率，并且當(dāng)被形成在盤中時在時間穩(wěn)定性上較為優(yōu)秀。但是，當(dāng)記錄材料的結(jié)晶速率高時，利用將Al合金用于反射層105的盤，容易使記錄標(biāo)記變薄，可能難以用足夠的調(diào)制度來進(jìn)行記錄。作為此的原因，當(dāng)結(jié)晶速率高時，熔化區(qū)域中的重新結(jié)晶區(qū)域在記錄時變得更大，要形成的非晶區(qū)域大小變小。為了在大小上減小重新結(jié)晶的區(qū)域，僅需要使第二保護(hù)層104較薄以便具有淬火結(jié)構(gòu)，然而，僅僅簡單地使第二反射層104較薄不會使記錄層的溫度足夠地增大，并且熔化區(qū)域大小減小。因此，即使在可以減小重新結(jié)晶的區(qū)域的大小時，也會因此減小要形成的非晶區(qū)域的大小。在650nm到670nm的波長處的折射率(n+ik)中，當(dāng)具有比Al的‘n’和‘k’值小的‘n’和‘k’值的金屬被用于反射層時，記錄層的吸收率增大，并且還可以增大調(diào)制度。具有比Al的‘n’和‘k’值小的‘n’和‘k’值的金屬的示例包括作為主要組分的Au、Ag、Cu以及以其為基礎(chǔ)的合金。這里，作為主要組分意味著以90原子百分比或更多而在材料中包括該組分，并且最好以95原子百分比或更多而包括該組分。
Au、Ag和Cu分別具有比Al更高的導(dǎo)熱率，并且當(dāng)這些金屬被用作反射層時，有下述效果提高記錄層的光吸收率，并且升高記錄層的溫度以便增大熔化區(qū)域的大小，以及提高冷卻速率以便在冷卻時減小重新結(jié)晶區(qū)域的大小，并且由此形成比在使用Al合金的情況中更大的非晶區(qū)域。通過光調(diào)制度和標(biāo)記的大小來確定記錄標(biāo)記的調(diào)制度，并且利用增大的光調(diào)制度和記錄標(biāo)記的大小，記錄標(biāo)記的調(diào)制度大小增大。因此，即使當(dāng)使用具有高結(jié)晶速率的材料作為記錄層而以高線速度記錄信息時，也由于這種反射層具有高吸收率和高冷卻速率而可以通過使用該反射層來形成大記錄標(biāo)記，并且還有可能由于增大了結(jié)晶相和非晶相之間的反射率差而以高調(diào)制度記錄信息。
在Au、Ag、Cu和以其為基礎(chǔ)的合金中，具體地說，Ag和Ag合金在成本上比較便宜，并且與在成本上也較便宜的Cu和Cu合金相比更難以被氧化，因此有可能產(chǎn)生在長期穩(wěn)定性上優(yōu)越的記錄介質(zhì)，并且最好將Ag和Ag合金用于反射層。
當(dāng)反射層的厚度是90nm或更多時，幾乎沒有透射的光束，并且可以有效地使用光束，因此，厚度最好是90nm或更多。利用增大的反射層105的厚度，記錄介質(zhì)的冷卻速率被提高，然而，有益的是，當(dāng)使用具有高結(jié)晶速率的記錄層時，冷卻速率對于200nm或更小的厚度飽和，即使在使反射層105比200nm厚時，在記錄特性上也沒有改變，并且只是花費(fèi)額外的時間來形成所述層。因此，優(yōu)選的是形成具有200nm或更小的厚度的反射層105。
當(dāng)將Ag或Ag合金用作反射層105、并且將包括S的材料用于第二保護(hù)層時，需要抗硫化層107。對抗硫化層要求的特性的示例包括不包含S并且不傳送(transmitting)到S。本發(fā)明的發(fā)明人形成各種氧化層、氮化層等作為抗硫化層107，以便評估其記錄特性和存儲穩(wěn)定性。在結(jié)果中，評估結(jié)果顯示SiC、Si、或者由SiC或Si的任何一個作為主要組分形成的材料具有良好的功能。這里，作為主要組分意味著在所述材料中以值為90的摩爾(mole)百分?jǐn)?shù)或更多來包括SiC或Si，并且最好是以值為95的摩爾百分?jǐn)?shù)或更多來包括SiC或Si。
抗硫化層107的厚度最好是3nm到22nm。當(dāng)抗硫化層107的厚度是3nm或更大時，由于通過濺射形成的層被均勻地形成而施加抗硫化功能，然而，當(dāng)其厚度比3nm薄時，局部造成缺陷的概率急劇變高。當(dāng)厚度大于22nm時，反射率隨著增大的厚度而減小，并且由于抗硫化層的沉積速率最大等于記錄層，因此當(dāng)抗硫化層107比記錄層厚時，生產(chǎn)效率降低。由于這些原因，優(yōu)選的是形成抗硫化層107以便在最大時不具有比記錄層的厚度更厚的厚度。結(jié)果，抗硫化層107的優(yōu)選上限厚度是22nm。
對于第一保護(hù)層102和第二保護(hù)層104，除了諸如耐熱性的作為保護(hù)層的功能之外，它們還分別具有高折射率和高耐熱性，因此，使用具有接近8∶2的摩爾比的ZnS和SiO2的混合物，在該混合物中，可以通過控制厚度來有效地利用入射光束。
第一保護(hù)層102的厚度優(yōu)選的是40nm到220nm，并且更優(yōu)選的是40nm到80nm。該厚度值主要由反射率確定，并且在該厚度范圍中，選擇其中可以獲得足夠的反射率和足夠的記錄靈敏度的厚度。當(dāng)?shù)谝槐Ｗo(hù)層102的厚度比40nm薄時，耐熱性差，并且對于基板1的損壞增大，從而導(dǎo)致在重復(fù)記錄時的抖動增大。當(dāng)?shù)谝槐Ｗo(hù)層102的厚度比220nm厚時，記錄靈敏度由于過度的高反射率而降低。
第二保護(hù)層104的厚度優(yōu)選的是2nm到20nm，并且更優(yōu)選的是6nm到14nm。該厚度值主要由導(dǎo)熱率確定。由于還在第二保護(hù)層104上形成反射層，因此在記錄層中吸收的熱量通過第二保護(hù)層104擴(kuò)散到反射層以便冷卻。因此，當(dāng)在過薄的層中形成第二保護(hù)層104時，熱擴(kuò)散速度太快而不能充分地增大記錄層的溫度，從而導(dǎo)致記錄靈敏度降低。當(dāng)?shù)诙Ｗo(hù)層104過厚時，這使得由于不足的冷卻速率而難以形成非晶標(biāo)記。
通過濺射以第一保護(hù)層102、相變記錄層103、第二保護(hù)層104、抗硫化層107和反射層105的順序在基板101上形成上述層，并且隨后，通過旋涂而在反射層105上形成有機(jī)保護(hù)層108。在此狀態(tài)下的層或者還進(jìn)行粘合步驟并且然后進(jìn)行初始化步驟的層將被用作光記錄介質(zhì)6。所述粘合是這樣的步驟，其中，通過有機(jī)保護(hù)層將具有與基板相同的大小并且通常由與基板相同的材料組成的板粘合到基板上。
所述初始化是這樣的步驟，其中，利用具有大約1W至2W的、在大約1×幾十微米到幾百微米中形成的激光束來照射該層結(jié)構(gòu)，緊接在形成所述層之后處于非晶狀態(tài)中的相變記錄層103被初始化。
在下文中，將描述基于如上所述的高速規(guī)格、具體地說是所述記錄策略對光記錄介質(zhì)6進(jìn)行的本發(fā)明實(shí)施例的光記錄方法。
這里，將使用記錄標(biāo)記長度和標(biāo)記間長度調(diào)制系統(tǒng)來記錄信息，其中在所述系統(tǒng)中，對于光記錄介質(zhì)6應(yīng)用PWM(脈沖寬度調(diào)制)。根據(jù)所述記錄系統(tǒng)，可以通過使用基本時鐘周期T作為單位來控制記錄標(biāo)記的長度和在所記錄的標(biāo)記之間的長度，來記錄信息。該記錄系統(tǒng)特征在于高度致密化的能力，因?yàn)樵撚涗浵到y(tǒng)能夠使記錄密度比在作為光記錄介質(zhì)的記錄方法之一的標(biāo)記位置調(diào)制系統(tǒng)中高，并且該記錄系統(tǒng)是在光盤中采納的調(diào)制系統(tǒng)，諸如在CD、DD(雙密度)CD中采用的EFM以及在DVD中采用的EFM+。在記錄標(biāo)記長度和標(biāo)記間長度調(diào)制系統(tǒng)中，重要的是適當(dāng)?shù)乜刂朴涗洏?biāo)記的長度和在所記錄的標(biāo)記之間的長度(以下稱為“空白長度”)。在這些調(diào)制系統(tǒng)中，記錄標(biāo)記長度和空白長度相對于基本時鐘周期T都具有nT的時間長度(n是3或更大的自然數(shù))。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，對于使用峰值功率Pp、擦除功率Pe和偏置功率Pd的三個值的記錄策略，其基于這樣的假設(shè)使用用于減少脈沖數(shù)量的方法，使得作為高速規(guī)格來充分加熱和冷卻記錄層，也就是說，其基于這樣的方法其中，通過利用‘m’個脈沖的照射來形成具有nT長度的非晶標(biāo)記(m是整數(shù)，并且滿足條件m≤(n/2+1))，通過重復(fù)地交替峰值功率Pp光束和偏置功率Pb光束來形成所述‘m’個脈沖，其中m表示整數(shù)；通過利用擦除功率Pe光束的照射來形成在非晶標(biāo)記之間具有nT長度的結(jié)晶空白。因此，利用2個脈沖或更少來形成作為基于EFM+調(diào)制系統(tǒng)形成的最小標(biāo)記的3T，利用3個脈沖或更少來形成4T和5T，利用4個脈沖或更少來形成6T和7T，利用5個脈沖或更少來形成8T和9T，利用6個脈沖或更少來形成10T和11T，并且利用8個脈沖或更少來形成14T。脈沖數(shù)量主要由記錄線速度確定，并且記錄線速度越快，脈沖數(shù)量減少得越多。
在如上所述的高速規(guī)格條件下，在具有形成非晶標(biāo)記的加熱脈沖和冷卻脈沖的脈沖串中的引導(dǎo)冷卻脈沖時間是0.2T到0.4T。當(dāng)通過利用三個或更多加熱脈沖和冷卻脈沖串的照射來形成標(biāo)記時，第二冷卻脈沖時間是1.0T到2.5T。擦除功率Pe與峰值功率Pp的比率是0.1≤Pe/Pp≤0.4。
這些設(shè)計(jì)使得有可能較厚地形成非晶標(biāo)記邊緣，因此，邊緣的形狀幾乎不受外圍晶體狀態(tài)影響，并且有可能防止在重復(fù)記錄早期的抖動增大，以及防止交叉擦除，而不降低重復(fù)記錄的耐久性。
當(dāng)標(biāo)記邊緣較薄時，晶體狀態(tài)的差別容易被反映為抖動的增大，在重復(fù)記錄早期的抖動增大進(jìn)一步增大。因?yàn)樵谑褂肧b作為主要組分的記錄層的情況下由于晶體的生長而導(dǎo)致結(jié)晶從與晶體的邊界開始進(jìn)行，所以出現(xiàn)這一現(xiàn)象。
通常，溫度越高，晶體的生長越快。出于這一原因，當(dāng)在結(jié)晶相和非晶相之間的邊界位于其中它具有較高溫度的軌道的中心部分時，結(jié)晶容易進(jìn)行，并且當(dāng)在晶體狀態(tài)上存在差別時，在利用脈沖串的照射過程中，容易發(fā)生標(biāo)記邊緣形狀的變化。當(dāng)標(biāo)記邊緣較厚并且在結(jié)晶相和非晶相之間的邊界遠(yuǎn)離軌道的中心部分時，即使當(dāng)在結(jié)晶狀態(tài)上存在差別時，因?yàn)闇囟鹊筒⑶揖w生長速率慢，所以也難以發(fā)生標(biāo)記邊緣形狀的變化。
此外，由于記錄和再現(xiàn)光束通常具有高斯分布，因此在再現(xiàn)時，與由于遠(yuǎn)離軌道中心部分的標(biāo)記的形狀改變導(dǎo)致的反射率改變相比，位于該軌道中心部分的標(biāo)記的形狀改變更多地影響光束。由于上述原因，可以說，當(dāng)標(biāo)記邊緣的形狀最初較厚時，它難以受到晶體狀態(tài)的差別影響，并且當(dāng)標(biāo)記邊緣的形狀較薄時，它容易受到晶體狀態(tài)的差別影響。因此，較厚地記錄標(biāo)記邊緣是有效的方法。
由于用于高速記錄的相變記錄層的結(jié)晶速率通常較快，因此如在本發(fā)明實(shí)施例的引導(dǎo)冷卻脈沖的設(shè)置中看到的那樣，幾乎不考慮縮短冷卻脈沖的照射時間。這是因?yàn)楫?dāng)縮短冷卻脈沖的照射時間時，由緊接在冷卻脈沖之前的加熱脈沖形成的非晶標(biāo)記被重新結(jié)晶，并且不能形成足夠大的非晶標(biāo)記，導(dǎo)致抖動增大。然而，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)可以通過大膽地縮短引導(dǎo)冷卻脈沖的照射時間來以大尺寸形成標(biāo)記邊緣。作為對仿真和TEM畫面的觀察的考慮結(jié)果，發(fā)現(xiàn)由第一加熱脈沖形成的非晶部分由于重新結(jié)晶而消失，然而，通過第一加熱脈沖的預(yù)熱效果升高了在使用第二加熱脈沖照射期間的溫度，并且所升高的溫度加寬了熔化區(qū)域，并且因此擴(kuò)大了標(biāo)記邊緣。圖4示意地示出了該現(xiàn)象。
類似地，也有可能在未設(shè)置引導(dǎo)冷卻脈沖時以大尺寸形成標(biāo)記邊緣，并且按照第一加熱脈沖可能繼續(xù)到第二加熱脈沖的方式來延長第一加熱脈沖。然而，在這種情況下，因?yàn)榉逯倒β实倪B續(xù)照射，溫度過度升高，并且加速了層的質(zhì)量的變差，從而導(dǎo)致重復(fù)記錄的耐久性降低。另外，由于升高了相鄰軌道的溫度，因此導(dǎo)致交叉擦除現(xiàn)象，其中，已經(jīng)記錄在相鄰軌道中的非晶標(biāo)記被部分擦除。
引導(dǎo)冷卻脈沖應(yīng)當(dāng)在0.2T到0.4T之間。當(dāng)引導(dǎo)冷卻脈沖被設(shè)置為具有短于0.2T的周期時，很難獲得冷卻效果，并且它表現(xiàn)出與延長第一加熱脈沖的情況中的行為相似的行為，從而引起重復(fù)記錄耐久性的降低和串?dāng)_的增大。當(dāng)引導(dǎo)冷卻脈沖被設(shè)置為具有長于0.4T的周期時，由第一加熱脈沖形成的非晶部分保持，因此所述非晶部分具有薄邊緣，從而導(dǎo)致在重復(fù)記錄早期的增大的抖動。
如傳統(tǒng)上考慮的那樣，在通過三個或更多脈沖串形成標(biāo)記的情況中的第二冷卻脈沖需要被充分延長。利用這種配置，可以防止由第三加熱脈沖進(jìn)行的重新結(jié)晶以便以形成大尺寸的標(biāo)記邊緣。第二冷卻脈沖被設(shè)置為具有1.0T至2.5T之間的周期。當(dāng)?shù)诙鋮s脈沖被設(shè)置為具有短于1.0T的周期時，第三加熱脈沖影響在利用第二冷卻脈沖的照射過程中所形成的非晶部分的重新結(jié)晶的進(jìn)行，從而導(dǎo)致增大的抖動。當(dāng)?shù)诙鋮s脈沖長于2.5T時，不能形成連續(xù)的標(biāo)記。
當(dāng)擦除功率Pe與峰值功率Pp的比率小于0.4或更小時，有效地施加上述記錄策略。作為本發(fā)明的發(fā)明人的研究結(jié)果，當(dāng)以與6X DVD那樣快或更大的速度來記錄信息、并且擦除功率Pe與峰值功率Pp的比率增大到大于0.4時，即使在第一記錄時抖動也增大。原因未被澄清，然而，認(rèn)為由于在高速記錄的情況下記錄時間較短，因此不能充分地加熱記錄層，除非增大值Pp，然而，當(dāng)值Pe也被增大時，其導(dǎo)致冷卻不足，并且相反，增大了抖動。然而，當(dāng)值Pe低時，由第一峰值功率引發(fā)的溫度上升可能不夠。在這種情況下，在重復(fù)記錄早期的抖動趨向于增大，然而，可以通過將第一加熱脈沖用作預(yù)熱脈沖來解決該問題，如可以在本發(fā)明的實(shí)施例中看到的那樣。然而，當(dāng)值Pe/Pp小于0.1時，擦除功率有可能不夠，并且抖動在整個重復(fù)記錄中增大，即使第一記錄顯示出良好的抖動特性也是如此。
接著，將參照圖5來描述用于實(shí)現(xiàn)基于上述記錄策略的光記錄方法的光記錄裝置的配置示例。
該光記錄裝置包含旋轉(zhuǎn)控制機(jī)構(gòu)122，其具有主軸電動機(jī)121，可旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動光記錄介質(zhì)106；和光頭124，在所述光頭124中，在盤徑向上以可尋找和移動(seek-and-movably)的方式布置物鏡和諸如激光二極管LD 123的激光光源，其中利用聚焦的激光束通過所述物鏡來照射光記錄介質(zhì)106。致動器控制機(jī)構(gòu)25連接到物鏡驅(qū)動單元和光頭124的輸出系統(tǒng)。包括可編程BPF26的搖擺檢測單元27連接到致動器控制機(jī)構(gòu)25。從所檢測的搖擺信號中解調(diào)地址的地址解碼電路28連接到搖擺檢測單元27。包括PLL合成器電路29的記錄時鐘產(chǎn)生單元30連接到地址解碼電路28。驅(qū)動控制器31連接到PLL合成器電路29。旋轉(zhuǎn)控制機(jī)構(gòu)122、致動器控制機(jī)構(gòu)25和搖擺檢測單元27以及地址解碼電路28也連接到與系統(tǒng)控制器32連接的驅(qū)動控制器31。
系統(tǒng)控制器32基于包含CPU等的所謂的微計(jì)算機(jī)配置。EFM編碼器34、標(biāo)記長度計(jì)數(shù)器35、脈沖數(shù)量控制單元36連接到系統(tǒng)控制器32。要作為發(fā)射波形控制單元的記錄脈沖控制單元37連接到EFM編碼器34、標(biāo)記長度計(jì)數(shù)器35、脈沖數(shù)量控制單元36和系統(tǒng)控制器32。記錄脈沖串控制單元37包含產(chǎn)生由記錄策略定義的多個脈沖(用于峰值功率Pp的接通脈沖和用于偏置功率Pb的截止脈沖)的多脈沖產(chǎn)生單元38、邊緣選擇器39、以及脈沖邊緣產(chǎn)生單元40。
LD驅(qū)動器單元42連接到記錄脈沖串控制單元37的輸出側(cè)。LD驅(qū)動器42充當(dāng)光源驅(qū)動單元，其被配置用來通過切換用于記錄功率Pw(峰值功率Pp)、擦除功率Pe和偏置功率Pb的每個單獨(dú)的驅(qū)動電流源41，來驅(qū)動光頭124中的激光二極管LD 123。
在這種配置中，為了在光記錄介質(zhì)106中記錄信息，主軸電動機(jī)121的轉(zhuǎn)數(shù)由旋轉(zhuǎn)控制機(jī)構(gòu)122在驅(qū)動控制器31的控制下進(jìn)行控制，以便具有與預(yù)期的記錄速度相對應(yīng)的記錄速度，然后通過由可編程BPF 26從由光頭124獲得的推挽信號分別檢測的搖擺信號來進(jìn)行地址解調(diào)，并且通過PLL合成器電路29來產(chǎn)生記錄通道時鐘。接著，為了通過使用激光二極管LD 123來產(chǎn)生記錄脈沖串，在記錄脈沖串控制單元37中輸入記錄通道時鐘和作為要記錄的信息的EFM+數(shù)據(jù)，并且記錄脈沖串控制單元37中的多脈沖產(chǎn)生單元38按照如圖7所示的記錄策略來產(chǎn)生多脈沖，并且可以通過切換驅(qū)動電流源41而獲得LD發(fā)射波形，其中設(shè)置所述驅(qū)動電流源41以便作為與LD驅(qū)動器單元42中的峰值功率Pp、擦除功率Pe和偏置功率Pb相對應(yīng)的每個單獨(dú)的照射功率。
在如圖5所示的記錄脈沖串控制單元37中，用于對從EFM編碼器34獲得的EFM+信號的標(biāo)記長度進(jìn)行計(jì)數(shù)的標(biāo)記長度計(jì)數(shù)器35被布置和配置為通過脈沖控制單元36的數(shù)量來產(chǎn)生多脈沖，使得每次將標(biāo)記計(jì)數(shù)值增大2T時，就產(chǎn)生脈沖串(記錄功率Pw＝利用(by)峰值功率Pp的接通脈沖和利用偏置功率Pb的截止脈沖)。
作為多脈沖產(chǎn)生單元38的另一配置，產(chǎn)生其中記錄通道時鐘被劃分為兩個頻率的記錄頻率劃分時鐘，使用多級延遲電路從記錄頻率劃分時鐘產(chǎn)生邊緣脈沖，并且通過邊緣選擇器選擇前后邊緣，以由此每次將記錄通道時鐘增大2T時就產(chǎn)生脈沖串(記錄功率Pw＝利用峰值功率Pp的接通脈沖和利用偏置功率Pb的截止脈沖)。在這種配置中，多脈沖產(chǎn)生單元的實(shí)際操作頻率是1/2，并且有可能進(jìn)行更高速度的記錄操作。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以提供一種光記錄方法和光記錄裝置，其使得能夠在不引起重復(fù)記錄耐久性的變差和串?dāng)_的增大的情況下，與早期結(jié)晶狀態(tài)無關(guān)地減小在重復(fù)記錄早期的抖動增大，這是因?yàn)槟軌蛟谙?X DVD到8XDVD那么快的高速記錄時較厚地形成標(biāo)記邊緣。
(用于多層光記錄介質(zhì)的記錄方法和記錄裝置)在本發(fā)明一些實(shí)施例的用于多層光記錄介質(zhì)的記錄方法中，當(dāng)在時鐘周期T下將在從激光束照射側(cè)觀看的第K記錄層(K是1或更大的整數(shù))上記錄信息時的記錄脈沖串的周期表示為t(k)[T]的時候，滿足條件1≤t(1)≤t(2)≤...≤t(k)≤t(K+1)。但是當(dāng)用等號(equal)表示所有符號時，該條件被排除。
在其它實(shí)施例中，在用于包括M個相變記錄層(M≥2)的多層光記錄介質(zhì)的記錄方法中，通過利用包括多個激光束脈沖的記錄脈沖串而用激光照射記錄層中的第K個，在第K記錄層中記錄標(biāo)記，用于第K記錄層的記錄脈沖串具有t(k)[T]的周期。第1記錄層是與激光束最近的記錄層，并且第M記錄層是與激光束最遠(yuǎn)的記錄層，T是時鐘周期。在這種實(shí)施例中，滿足以下關(guān)系t(1)＜t(M)，并且記錄脈沖串的周期在激光束照射的方向上從一個記錄層到下一個記錄層不減小。
在許多情況下，T1等于1。當(dāng)T1等于1、并且向第二記錄層或更后的記錄層記錄信息時，通過提供周期1.5或更多以進(jìn)行記錄來發(fā)揮所述效果。通常，對于3T周期的記錄策略，記錄也是有可能的。即，當(dāng)值K被設(shè)置在2或更大時，t(K)的范圍最好是1.5到3、即1.5≤t(K)≤3。但是，在實(shí)際中，優(yōu)選的是記錄具有2T周期的信息，以便防止記錄策略的參數(shù)數(shù)量增加。因此，當(dāng)在從激光束照射側(cè)觀看的最前側(cè)處布置的記錄層上進(jìn)行記錄時，使用具有1T周期的記錄策略，并且當(dāng)向除了布置在最前側(cè)的記錄層之外的記錄層的區(qū)域進(jìn)行記錄時，最好使用具有2T周期的記錄策略。
當(dāng)在記錄的最前側(cè)處布置的記錄層上進(jìn)行記錄、并將記錄脈沖串設(shè)置為具有1T周期時，改善了覆寫特性。在將記錄脈沖串設(shè)置為具有2T周期的條件下，記錄是可能的，但是當(dāng)增大重復(fù)記錄次數(shù)時，抖動特性比在1T周期的情況中差，因?yàn)樗饕茏疃虡?biāo)記長度的不對齊的影響(見圖25)。注意，該情況示例顯示該測試是使用在示例B-17中使用的雙層光記錄介質(zhì)進(jìn)行的。
當(dāng)向除了布置在最前側(cè)的記錄層之外的記錄層的區(qū)域進(jìn)行記錄、并且將2T周期用于記錄脈沖串時，因?yàn)榭梢詫⒂涗浢}沖串的脈沖寬度取得更寬、并且可以將冷卻時間取為更長時間，所以可以改善記錄靈敏度。在使用1T周期的條件下，雖然記錄是可能的，但是記錄靈敏度降低大約15％(見圖26和27)。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光記錄方法，可以改善具有兩個或多個相變記錄層的多層光記錄介質(zhì)的、除了從激光束照射側(cè)觀看的最內(nèi)記錄層之外的記錄層的記錄特性。
如圖24所示，在諸如DVD+RW的傳統(tǒng)單層可重寫光記錄介質(zhì)中，例如，當(dāng)使用1T周期的記錄策略時，從相對于數(shù)據(jù)延遲1T的時間位置開始記錄數(shù)據(jù)(見圖24中的(1))已經(jīng)是一種主要的記錄方法。但是，對于用于在具有兩個或多個相變記錄層的多層光記錄介質(zhì)的、除了從激光束照射側(cè)觀看的最內(nèi)記錄層之外的記錄層上記錄的方法，如圖24-B和24-C中所示，當(dāng)形成具有nT的標(biāo)記長度的標(biāo)記時，優(yōu)選的是使用以下記錄方法加寬在引導(dǎo)脈沖和最后脈沖之間的上升時間寬度Tr。
這是因?yàn)槎鄬庸庥涗浗橘|(zhì)的、除了從激光束照射側(cè)觀看的最內(nèi)記錄層之外的信息層需要具有高透射率，并且不能形成厚金屬層，因此必須通過使用透明電介質(zhì)來補(bǔ)充散熱效果。當(dāng)使金屬層較厚時，可以獲得足夠的散熱效果，并且容易形成記錄標(biāo)記，但是，當(dāng)使用透明電介質(zhì)時，導(dǎo)熱率低于金屬層的導(dǎo)熱率，因此不能發(fā)揮足夠的散熱效果，并且容易發(fā)生非晶標(biāo)記的重新結(jié)晶。因此，上述記錄方法旨在通過將上升時間寬度Tr設(shè)置得較寬來獲得所希望的標(biāo)記長度。
在所述記錄方法中，如圖24中的(2)中所示，引導(dǎo)脈沖的上升可以在時間上較早，并且可以在時間上延遲最后脈沖的上升，并且如圖24中的(3)中所示，也允許僅使引導(dǎo)脈沖較早地升高。值Tr的范圍最好被設(shè)置為(n-1.5)T≤Tr≤(n-1)T。例如，當(dāng)記錄8T標(biāo)記時，使用滿足6.5T≤Tr≤7T的條件的值Tr。此外，為了增大用來形成非晶標(biāo)記的區(qū)域，加熱之后的冷卻時間需要具有較長的時間。因此，優(yōu)選的是使記錄脈沖寬度Tmp盡可能窄。當(dāng)將時鐘周期表示為T時，優(yōu)選的是具有0.12T≤Tmp≤0.3T的范圍，而不論記錄線速度是多少。當(dāng)將記錄脈沖寬度Tmp設(shè)置為短于0.12T時，需要高記錄功率，并且特別是當(dāng)記錄線速度較快、例如處于9.2米/秒時，時鐘周期T是15.9納秒，因此，記錄脈沖寬度Tmp是等于1.9納秒的0.12T，并且，難以以所希望的記錄功率來記錄信息，因?yàn)樗鼘τ趶挠涗浹b置中的激光二極管(LD)發(fā)射的激光的響應(yīng)時間(上升時間和下降時間)太遲。當(dāng)使記錄脈沖寬度Tmp長于0.3T時，由于缺乏冷卻時間而由下一個脈沖的余熱誘發(fā)重新結(jié)晶，從而引起不能保證所希望的調(diào)制度的問題。
通常，優(yōu)選的是使用圖28所示的記錄脈沖策略的參數(shù)并且保持上述Tr范圍，但是，Tr的范圍不限于上面所述。例如，DVD采用EFM+數(shù)據(jù)調(diào)制模式，并且3T標(biāo)記和4T標(biāo)記的出現(xiàn)次數(shù)大于其它長標(biāo)記的出現(xiàn)次數(shù)。因此，3T標(biāo)記和4T標(biāo)記對于記錄特性或抖動特性可具有多得多的影響。就3T標(biāo)記和4T標(biāo)記的記錄進(jìn)行而言，可以單獨(dú)地設(shè)置諸如(dTtop3)、(dTtop4)、(dTlp3)、(dTlp4)、(dTera3)和(dTera4)的參數(shù)。圖29和圖30分別示出了當(dāng)改變參數(shù)數(shù)量時記錄特性(抖動)的比較結(jié)果。所發(fā)現(xiàn)的是當(dāng)單獨(dú)地設(shè)置3T或4T的最后脈沖時，改善了記錄特性。所述記錄是使用由圖31示出的參數(shù)表示的記錄策略來進(jìn)行的。標(biāo)記“-”表示記錄被延遲到基準(zhǔn)時鐘或上升時間之后。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光記錄方法，改善了多層光記錄介質(zhì)的記錄特性。此外，作為要應(yīng)用到除了從激光束照射側(cè)觀看的最內(nèi)記錄層之外的記錄層上的記錄方法，當(dāng)通過利用激光束照射在基板上具有兩個或多個相變記錄層的多層光記錄介質(zhì)而形成記錄標(biāo)記時，通過使用激光束的發(fā)射波形作為包含多個脈沖的記錄脈沖串、并且調(diào)制該記錄脈沖串來記錄信息，在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制記錄標(biāo)記，并且設(shè)置在擦除功率電平Pb與引導(dǎo)脈沖之前和最后脈沖之后的至少一個偏置功率電平之間的冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(N是1或更大的整數(shù))，以便通過滿足由以下條件表示的關(guān)系的脈沖串來形成記錄標(biāo)記Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
本發(fā)明實(shí)施例的用于多層光記錄介質(zhì)的記錄裝置被設(shè)置為使得可以執(zhí)行本發(fā)明實(shí)施例的多層光記錄介質(zhì)的記錄方法，并且光學(xué)器件將從激光光源發(fā)射的激光束引導(dǎo)到聚光透鏡，并且該聚光透鏡將激光束聚焦并照射到多層光記錄介質(zhì)上，由此在多層光記錄介質(zhì)上記錄信息。所述記錄裝置將從激光光源發(fā)射的激光束的一部分引導(dǎo)到激光束檢測器，并且根據(jù)由激光束檢測器檢測的激光束的檢測量來控制激光光源的光量。激光束檢測器將激光束的檢測量轉(zhuǎn)換為電壓或電流以將其作為檢測信號輸出。
所述記錄裝置根據(jù)需要還包括各種控制單元。所述控制單元不受具體限制，只要上述各個單元的運(yùn)動可以被控制、可以根據(jù)預(yù)期的用途而被適當(dāng)?shù)剡x擇即可，并且其示例包括諸如定序器和計(jì)算機(jī)之類的儀器。
本發(fā)明一些實(shí)施例的用于多層記錄介質(zhì)的記錄方法包含以下方面中的任何一個本發(fā)明一些實(shí)施例的第一方面是一種光記錄方法，其中，在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制記錄標(biāo)記，并且設(shè)置在擦除功率電平Pe與在引導(dǎo)脈沖之前的偏置功率電平Pb之間的冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便通過滿足由下面的條件表示的關(guān)系的脈沖串來形成記錄標(biāo)記Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
本發(fā)明一些實(shí)施例的第二方面是一種光記錄方法，其中，在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制記錄標(biāo)記，并且設(shè)置在擦除功率電平Pe與在最后脈沖之后的偏置功率電平Pb之間的冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便通過滿足由下面的條件表示的關(guān)系的脈沖串來形成記錄標(biāo)記Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
本發(fā)明一些實(shí)施例的第三方面是一種光記錄方法，其中，在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制記錄標(biāo)記，并且設(shè)置在擦除功率電平Pe與在引導(dǎo)脈沖之前和最后脈沖之后的偏置功率電平Pb之間的冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便通過滿足由下面的條件表示的關(guān)系的脈沖串來形成記錄標(biāo)記Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
在所述第一方面到第三方面中，優(yōu)選的是，冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN中的值N是整數(shù)1到3的任何一個。
這里，特定激光波形發(fā)射模式的示例包括用于DVD+RW的激光波形發(fā)射模式，如圖15和16中所示。通過交替地重復(fù)利用峰值功率(Pp)光束和偏置功率(Pb)光束的脈沖的照射來形成非晶標(biāo)記。另一方面，通過利用在峰值功率Pp和偏置功率(Pb)光束之間的中間電平上的擦除功率(Pe)光束來連續(xù)地照射而形成在結(jié)晶狀態(tài)中形成的空白。
當(dāng)使用包含峰值功率(Pp)光束和偏置功率(Pb)光束的記錄脈沖串來照射記錄層時，該記錄層被重復(fù)地熔化和淬火以在其上形成非晶標(biāo)記。當(dāng)使用擦除功率(Pe)光束來照射記錄層時，該記錄層被熔化并且隨后在固相狀態(tài)中緩慢冷卻或退火以便結(jié)晶，以由此形成空白。
通常，包含峰值功率(Pp)光束和偏置功率(Pb)光束的記錄脈沖串被劃分為引導(dǎo)脈沖、中間脈沖和最后脈沖。通過僅使用引導(dǎo)脈沖和最后脈沖來記錄最短標(biāo)記3T，并且當(dāng)形成4T或更大的標(biāo)記時，還使用中間脈沖。該中間脈沖被稱為“多脈沖”，并且通過每個1T周期而被設(shè)置，并且其方法是每次標(biāo)記長度在長度上增加1T，脈沖數(shù)量就增加1。該記錄方法被稱為“1T周期記錄策略”，并且在形成具有nT長度的標(biāo)記時的記錄脈沖的數(shù)量是(n-1)。但是，T表示時鐘周期。順便提及，當(dāng)以比4X DVD+RW快的記錄速度記錄信息時，時鐘周期被縮短，因此經(jīng)常采用使用2T周期的記錄方法(2T周期記錄策略)。
在根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的第一方面的、用于多層光記錄介質(zhì)的記錄方法中，當(dāng)值N是1時，如圖11所示，在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制記錄標(biāo)記，并且在擦除功率電平Pb和在引導(dǎo)脈沖之前的偏置功率電平Pb之間的冷卻功率電平Pc1滿足關(guān)系Pp＞Pe＞Pc1＞Pb。
當(dāng)值N是2時，如圖12所示，在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制記錄標(biāo)記，并且在擦除功率電平Pb和在引導(dǎo)脈沖之前的偏置功率電平Pb之間的冷卻功率電平Pc1和Pc2滿足關(guān)系Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2＞Pb。
在根據(jù)本發(fā)明第二方面的、用于多層光記錄介質(zhì)的記錄方法中，當(dāng)值N是1時，如圖13所示，清楚的是在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制記錄標(biāo)記，并且在擦除功率電平Pe與在最后脈沖之后的偏置功率電平Pb之間的冷卻功率電平Pc1滿足關(guān)系Pp＞Pe＞Pc1＞Pb。
在根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的第三方面的、用于多層光記錄介質(zhì)的記錄方法中，當(dāng)值N是1時，如圖14所示，清楚的是在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制記錄標(biāo)記，并且在擦除功率電平Pe與在引導(dǎo)脈沖之前和最后脈沖之后的偏置功率電平Pb之間的冷卻功率電平Pc1滿足關(guān)系Pp＞Pe＞Pc1＞Pb。
由于本發(fā)明實(shí)施例的、用于多層光記錄介質(zhì)的記錄方法可以通過滿足第一方面到第三方面的關(guān)系中的任何一個來利用至少在引導(dǎo)脈沖之前和最后脈沖之后剩余的余熱的任何一個，因此可以防止第一記錄層將進(jìn)一步遭受到的熱損害，適當(dāng)?shù)貓?zhí)行記錄和擦除，改善記錄特性，并且應(yīng)用于各種光記錄介質(zhì)，然而，該記錄方法特別適合用于將在下面描述的本發(fā)明實(shí)施例的多層光記錄介質(zhì)。
在如圖15和16所示的傳統(tǒng)記錄方法中，經(jīng)常使用以下記錄方法其記錄功率Pp和擦除功率Pe的比率ε(Pe/Pp)被設(shè)置為某個水平以進(jìn)行記錄。這是被創(chuàng)建以便使抖動和不對稱被良好地保持在更寬的記錄功率范圍內(nèi)的方法。這里，當(dāng)標(biāo)記和空白的反射率水平(level)在片(slice)的層次上被二進(jìn)制化時，抖動表示在邊界線和使用窗口寬度的時鐘之間的標(biāo)準(zhǔn)化的時間不對齊。抖動越低，記錄特性越好。不對稱是這樣的特性值，其表示對應(yīng)于14T空白的結(jié)晶反射率I14H和對應(yīng)于14T標(biāo)記的非晶反射率I14L的平均值與對應(yīng)于3T空白的結(jié)晶反射率I3H和對應(yīng)于3T標(biāo)記的非晶反射率I3L的平均值不重合到什么程度。該表達(dá)式由(I14H+I14L)-(13H+13L)/2(I14H-I14L)表示(見圖19)。由于根據(jù)片的層次將反射率信號二進(jìn)制化，因此與0最接近的不對稱最好。當(dāng)不對稱喪失其形狀時，有可能不適當(dāng)?shù)刈R別在標(biāo)記和空白之間的邊界線。所述不對稱由于過高或過低的記錄功率Pp或者過高或過低的擦除功率Pe而喪失其形狀，從而導(dǎo)致抖動降低。因此，需要固定這些比率以平衡所述功率，并且由此防止記錄特性變差。
因此，在本發(fā)明實(shí)施例的記錄方法中，優(yōu)選的是，不僅對于第一記錄層和第二記錄層單獨(dú)設(shè)置記錄功率Pp和擦除功率Pe的比率ε，還同時單獨(dú)設(shè)置記錄功率Pp和冷卻功率Pc1、Pc2、...、PcN的比率δ1、...、δN(＝Pc1/Pp、...、PcN/Pp)。
例如，用于第一記錄層的相變記錄材料和組成與第二記錄層的那些相同的情況被考慮如下。當(dāng)使用下述光記錄方法來以相同的記錄速度在每個信息層上記錄記錄標(biāo)記時，作為將每個信息層分別具有相同值ε和相同值δ1、...、δN的情況與每個信息層單獨(dú)分別不同值ε和不同值δ1、...、δN的情況相比較的研究結(jié)果，可以獲得如圖20所示的結(jié)果，其中在所述光記錄方法中，在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制記錄標(biāo)記，并且設(shè)置在擦除功率電平Pe與在引導(dǎo)脈沖之前和最后脈沖之后的至少一個偏置功率電平Pb之間的冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便通過滿足由下面的條件表示的關(guān)系的脈沖串而形成記錄標(biāo)記Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。圖20示出了當(dāng)使用圖11所示的記錄策略來對在示例B-19中描述的雙層相變光記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄時的數(shù)據(jù)結(jié)果，其對應(yīng)于將在后面描述的示例B-28和比較示例B-23的情況。
如圖20所示，當(dāng)使用與最適合的第一信息層的功率比率(ε＝0.18，δ1＝0.09)不同的功率比率(ε＝0.38，δ1＝0.19)對第二信息層進(jìn)行記錄時的記錄特性比使用與最適合的第一信息層的功率比率相同的功率比率來對第二信息層進(jìn)行記錄時的記錄特性更好。具體地說，當(dāng)使用相同功率比率對第二信息層進(jìn)行記錄時的最適合的記錄功率中的抖動(被稱為底部抖動(bottom jitter))是8.7％。相反，當(dāng)對于第一信息層和第二信息層使用不同的功率比率來進(jìn)行記錄時的底部抖動是8.1％。如上所述，可以認(rèn)識到對于每個信息層存在最適合的功率比率。
此外，如表1所示，當(dāng)使用ε＝0.38、δ1＝0.09的功率比率來對第二信息層進(jìn)行記錄時，底部抖動是8.3％。這表明不僅比率ε的效果而且比率δ1的效果對于記錄特性具有影響。
表1

在本發(fā)明實(shí)施例的光記錄方法中，將在記錄標(biāo)記具有nT(其中T是時鐘周期，并且n是1或更大的整數(shù))長度時的記錄功率電平Pp的照射脈沖數(shù)量表示為m(m是1或更大的整數(shù))，并且當(dāng)‘n’是偶數(shù)時，滿足關(guān)系n＝2m，而當(dāng)‘n’是奇數(shù)時，滿足關(guān)系n＝2m+1，有可能使記錄靈敏度非常好。
傳統(tǒng)上，當(dāng)響應(yīng)于1X DVD到4X DVD而對單層光記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄時，因?yàn)檫@種介質(zhì)的掃描線速度低，所以廣泛使用對于每一個時鐘周期重復(fù)執(zhí)行一組加熱照射脈沖和冷卻照射脈沖的方法(1T周期策略)。此記錄方法是這樣的方法當(dāng)記錄具有長度nT的非晶標(biāo)記時，交替進(jìn)行(n-1)個加熱照射脈沖和(n-1)個冷卻照射脈沖的照射。但是，由于時鐘周期隨著記錄線速度的提高而被縮短，因此當(dāng)像傳統(tǒng)上那樣利用基于1T周期的一組加熱照射脈沖和冷卻照射脈沖來照射單層光記錄介質(zhì)時，不能保證足夠的冷卻時間。換句話說，即使在利用某些加熱脈沖和冷卻脈沖來執(zhí)行照射并且形成非晶標(biāo)記時，也會通過從下一個1T周期之后的加熱脈沖引起的余熱而使從前形成的非晶標(biāo)記重新結(jié)晶，從而導(dǎo)致特別長的標(biāo)記變得較薄的問題，并且難以具有所述調(diào)制度。為了解決這樣的問題，必須采用盡可能長的冷卻脈沖照射時間。
因此，在大于4X DVD的高速記錄中，有可能通過采用下述記錄方法來形成厚和均勻的非晶標(biāo)記以及保證高調(diào)制度在所述方法中，每兩個時鐘周期就重復(fù)執(zhí)行一組加熱照射脈沖和冷卻照射脈沖(2T周期策略)。在該記錄方法中，優(yōu)選的是，當(dāng)記錄具有長度nT的非晶標(biāo)記、并且將加熱照射脈沖的數(shù)量表示為m(其中m是1或更大的整數(shù))時，優(yōu)選的是，當(dāng)‘n’是偶數(shù)時，滿足關(guān)系n＝2m，而當(dāng)‘n’是奇數(shù)時，滿足關(guān)系n＝2m+1。使用2T周期的記錄策略使得能夠當(dāng)在像1X DVD到4X DVD那么快的記錄線速度下使用時容易地記錄。此外，如上所述，有可能使用較低的記錄功率、以及以比在使用1T周期的記錄策略下進(jìn)行記錄時更好的靈敏度來記錄信息，因?yàn)橛锌赡塬@得長冷卻時間并且促進(jìn)淬火效果。在本發(fā)明實(shí)施例的、用于多層光記錄介質(zhì)的記錄方法中，其也是優(yōu)選的，因?yàn)楦纳屏酥T如第一信息層和第二信息層之類的每個單獨(dú)記錄層的記錄靈敏度。
在這種情況下，可以通過具體地將最短標(biāo)記增大僅僅一個脈沖來更好地執(zhí)行在多層光記錄介質(zhì)上的重復(fù)記錄。
在本發(fā)明實(shí)施例的光記錄方法中，擦除功率電平Pe在使用擦除功率電平Pe的照射期間包含比擦除功率Pe低的擦除功率電平Pe-的脈沖結(jié)構(gòu)，并且該配置使得能夠進(jìn)一步防止布置在前側(cè)上的信息層的熱損害。
圖21圖示了激光的發(fā)射波形。類似于激光照射波形的公知技術(shù)的示例包括在日本專利申請公開(JP-A)第2004-63005號中公開的技術(shù)。在所述技術(shù)中，擦除功率Pe+以脈沖的形狀布置在Pe區(qū)域中以提供擦除所需的能量，以便防止當(dāng)增大記錄線速度時所記錄的標(biāo)記保持在空白部分中而沒有被擦除。為了解決所述問題，在本發(fā)明的實(shí)施例中，為了防止由使用較高的擦除功率Pe照射導(dǎo)致的、對多層光記錄介質(zhì)的前側(cè)上的信息層的熱損害，將脈沖結(jié)構(gòu)Pe-布置在擦除功率Pe區(qū)域中。利用這種配置，有可能改善布置在前側(cè)上的信息層的重復(fù)記錄特性。
在本發(fā)明實(shí)施例的光記錄方法中，當(dāng)在多層光記錄介質(zhì)的每個單獨(dú)信息層上記錄信息時，優(yōu)選的是從布置在自激光束通量照射側(cè)觀看的前側(cè)上的信息層起依序記錄信息。
分別用于多層光記錄介質(zhì)的記錄層的相變材料的結(jié)晶狀態(tài)和非晶狀態(tài)具有不同的光學(xué)常數(shù)，并且結(jié)晶狀態(tài)具有比非晶狀態(tài)更高的吸收系數(shù)。換句話說，非晶狀態(tài)具有比結(jié)晶狀態(tài)高的透光率，因?yàn)榉蔷顟B(tài)具有比結(jié)晶狀態(tài)更小的吸收光的程度。因此，當(dāng)從布置在自激光束通量照射側(cè)觀看的前側(cè)上的信息層起依序進(jìn)行記錄時，通過記錄而在信息層上形成非晶標(biāo)記，并且從所述前側(cè)起依序形成具有用于非晶標(biāo)記的寬區(qū)域的狀態(tài)，并且容易發(fā)送激光束，以使得在布置在最內(nèi)側(cè)上的信息層上的記錄容易。
當(dāng)使用記錄裝置在光記錄介質(zhì)上實(shí)際記錄信息時，從第一信息層記錄信息的情況使得能夠利用比從第二信息層記錄信息的情況低幾個百分比的記錄功率來進(jìn)行記錄。第一信息層的透光率作用于在第二信息層上記錄信息所需的記錄功率，以便在相對改善記錄靈敏度上有效。
圖33是示例性地示出與本發(fā)明實(shí)施例相關(guān)聯(lián)的光記錄裝置的視圖。光記錄裝置220被提供有主軸電動機(jī)222，用于可旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動作為與本發(fā)明實(shí)施例相關(guān)聯(lián)的單面多層光記錄介質(zhì)的光盤215；光拾取器件223；尋找電動機(jī)221，用于在滑架(sledge)方向上驅(qū)動光拾取器件223；激光控制電路224；編碼器225；驅(qū)動控制電路226；再現(xiàn)信號處理電路228；緩沖器RAM 234；緩沖器管理器237；接口238；快閃存儲器239；CPU 240；和RAM 241等等。
應(yīng)當(dāng)注意，在圖33中示出的箭頭分別指示典型信號和信息的流動，并且不意欲指示這些塊的每一個之間的所有連接關(guān)系。在這個實(shí)施例中，光記錄裝置220與單面多層光記錄介質(zhì)兼容。
(多層光記錄介質(zhì))本發(fā)明實(shí)施例的多層光記錄介質(zhì)用于本發(fā)明實(shí)施例的多層光記錄介質(zhì)的記錄方法，并且包含兩個或多個信息層，每個信息層具有相變記錄層，其中，通過誘發(fā)在結(jié)晶狀態(tài)和非晶狀態(tài)之間的可逆相變來記錄信息，并且，所述多層光記錄介質(zhì)還根據(jù)需要而包含其它層。對于該多層光記錄介質(zhì)，最好使用一個方面，在該方面中，除了布置在從激光束照射側(cè)觀看的最內(nèi)側(cè)上的信息層之外的信息層包含上保護(hù)層、相變記錄層、下保護(hù)層、反射層和熱擴(kuò)散層。
在這種情況下，除了布置在從激光束照射側(cè)觀看的最內(nèi)側(cè)上的信息層之外的每個單獨(dú)信息層的透光率優(yōu)選的是30％到70％，并且更優(yōu)選的是40％到70％。當(dāng)透光率低于30％時，在布置在內(nèi)側(cè)的第二信息層上記錄、擦除和再現(xiàn)信息可能較為困難。當(dāng)透光率高于70％時，在第一信息層上記錄、擦除和再現(xiàn)信息可能較困難。
這里，可以通過由STEAG AG制造的ETA-Optik來測量透光率。在透光率的測量中，在雙層光記錄介質(zhì)的情況下，從透射光強(qiáng)度和反射光強(qiáng)度測量透射率、反射率和吸收率，其中通過僅僅使用激光束照射其上形成第一信息層的第一基板來確定所述透射光強(qiáng)度和反射光強(qiáng)度。也就是說，在將第一基板粘合到第二基板上之前測量透光率。
對于多層光記錄介質(zhì)，特別優(yōu)選地使用具有從激光束照射側(cè)起的第一信息層和第二信息層的雙層光記錄介質(zhì)。
圖17是與本發(fā)明一些實(shí)施例的一個方面相關(guān)的雙層光記錄介質(zhì)的示意橫截面圖。該雙層光記錄介質(zhì)以如下順序包含布置在第一基板3上的第一信息層1、中間層4、第二信息層2和第二基板5，并且還根據(jù)需要包括其它層。
第一信息層包含第一下保護(hù)層11、第一記錄層12、第一上保護(hù)層13、第一反射層14和熱擴(kuò)散層15。
第二信息層2包含第二下保護(hù)層21、第二記錄層22、第二上保護(hù)層23和第二反射層24。
可以分別在上保護(hù)層13和第一反射層14之間以及在第二上保護(hù)層23和第二反射層24之間形成阻擋層。
-第一基板-第一基板3需要充分地透射激光束以便進(jìn)行用于記錄和再現(xiàn)信息的照射，并且可以由本領(lǐng)域公知的那些適當(dāng)?shù)厥褂谩?br> 對于用于第一基板3的材料，通常使用玻璃、陶瓷、樹脂等，但是，就可成形性和成本來說，優(yōu)選地使用樹脂。
樹脂的示例包括聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、硅酮樹脂、含氟樹脂、ABS樹脂和氨基甲酸乙酯樹脂。在這些樹脂中，優(yōu)選地使用在可成形性、光特性和成本上優(yōu)異的聚碳酸酯樹脂、以及諸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)之類的丙烯酸樹脂。
在形成第一基板3的信息層所在的表面上，可以形成通常稱為凹槽(groove)部分或平臺(land)部分的凹凸圖案，它是螺旋形或同心形式的凹槽，并且通常通過注塑方法、光聚合物方法等形成所述圖案。
第一基板的厚度不受具體限制、可以根據(jù)預(yù)期的用途來適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行選擇，并且它最好是10微米到100微米。
對于第二基板的材料，可以使用與用于第一基板3相同的材料、以及對于記錄和再現(xiàn)光束不透明的材料，并且第二基板5的材料和凹槽形狀可以與第一基板3的那些不同。
第二基板5的厚度不受具體限制、可以根據(jù)預(yù)期的用途來適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行選擇，并且優(yōu)選的是，選擇第二基板5的厚度，使得包括第一基板5的厚度的總厚度是1.2毫米。
-相變記錄層(第一記錄層和第二記錄層)-對于相變記錄層，當(dāng)從用于傳統(tǒng)記錄層的材料的發(fā)展的觀點(diǎn)來看時，存在兩個主要的材料發(fā)展潮流。即，用于相變記錄層的材料的一種潮流包括GeTe，它是用于可記錄的記錄層的材料；可逆地可相變的Sb和Te之間的Sb2Te3合金；以及包含來自這兩種材料的固溶體或共晶組成的GeSbTe的三元合金的、用于記錄層的材料。用于相變記錄層的材料的另一潮流包括Sb和Te之間的合金，并且下述用于記錄層的材料是公知的在該材料中，向SbTe系統(tǒng)增加微量元素，作為Sb和Sb2Te3之間的共晶組成的Sb的含量是大約70％。
對于具有兩個記錄層的光記錄介質(zhì)，考慮到第二信息層上的信息的記錄和再現(xiàn)，需要第一信息層具有高透射率。因此，與減小反射層的吸收率的努力并行地嘗試使記錄層更薄的努力。當(dāng)使記錄層更薄時，結(jié)晶速度降低，因此，有益的是使用于記錄層本身的材料具有高結(jié)晶速度。因此，在用于記錄層的材料的該潮流中，具有大約70％的Sb含量的后一種SbTe共晶組成是優(yōu)選的。
但是，隨著增加Sb的量以加快結(jié)晶速度、換句話說加快要響應(yīng)的記錄線速度，降低結(jié)晶溫度。即使在可以進(jìn)行記錄時，也存在記錄標(biāo)記的存儲特性變差的顧慮。已經(jīng)研究了可以利用與GeSbTe和SbTe的Sb量相比更少量的Sb來更快地加快結(jié)晶速度、換句話說加快要響應(yīng)的記錄線速度的材料。所發(fā)現(xiàn)的是可以使用InSb材料中的少量Sb來提高記錄線速度。因此，對于用于需要薄記錄層厚度的第一信息層的記錄層材料，適合使用InSb材料。
因此，如圖28所示，有可能使存儲狀態(tài)穩(wěn)定而不使非晶標(biāo)記重新結(jié)晶。優(yōu)選的是將如上所述的相變材料用于記錄層，其中所述記錄層被包括在用于雙層光記錄介質(zhì)的第一信息層中。
可以通過諸如真空蒸發(fā)方法、濺射方法、等離子CVD方法、光CVD方法、離子涂敷方法和電子束蒸發(fā)方法的各種氣相生長來形成第一記錄層和第二記錄層。在這些方法中，由于大規(guī)模生產(chǎn)能力和層的質(zhì)量上的優(yōu)越性而優(yōu)選使用濺射方法，并且具體地說，更優(yōu)選地使用具有脈沖波形的直流濺射方法，因?yàn)樵谀繕?biāo)記錄層組成和實(shí)際形成的記錄層之間存在較小的組成差異，并且可以減少在通過諸如發(fā)弧和放電的延遲開始的濺射形成記錄層時發(fā)生的異常放電。
第一記錄層的厚度優(yōu)選為4nm到15nm，并且更優(yōu)選為6nm到12nm。當(dāng)厚度小于4nm時，可能難以均勻地形成記錄層，而當(dāng)厚度大于15nm時，可能減小透射率。
第二記錄層的厚度不受具體限制、可以根據(jù)預(yù)期的用途來適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行選擇，并且其優(yōu)選為3nm到25nm。當(dāng)厚度小于3nm時，可能難以均勻地形成記錄層，而當(dāng)厚度大于25nm時，記錄靈敏度可能變差。
-反射層(第一反射層和第二反射層)-如圖17所示，具有兩個記錄層的光記錄介質(zhì)需要使用于記錄和再現(xiàn)的激光束盡可能地透射到第二信息層。因此，優(yōu)選地使用激光束在第一反射層中幾乎不被吸收并且容易向其發(fā)送激光束的材料。這種材料的具體示例包括Ag和Cu。另一方面，第二反射層不必如在第一反射層中所示的那樣半透明。
對于如上所述的用于形成第一反射層和第二反射層的層的方法，存在各種氣相生長方法，例如，可以通過真空蒸發(fā)方法、濺射方法、等離子CVD方法、光CVD方法、離子涂敷方法和電子束蒸發(fā)方法來形成第一和第二反射層。在這些氣相生長方法中，濺射方法在大規(guī)模生產(chǎn)能力、層的質(zhì)量等上較為優(yōu)越。
-保護(hù)層(上保護(hù)層和下保護(hù)層)-對于用于單層光記錄介質(zhì)中的上保護(hù)層的材料，優(yōu)選的是主要使用以下材料透明、透光良好并且具有比記錄層的熔點(diǎn)高的熔點(diǎn)的材料；具有防止記錄層的變差和變性、提高與記錄層的粘合強(qiáng)度、以及改善記錄特性的效果的材料，例如金屬氧化物、氮化物、硫化物、碳化物等。這種材料的具體示例包括金屬氧化物，例如SiO、SiO2、ZnO、SnO2、Al2O3、TiO2、In2O3、MgO、ZrO2和Ta2O5；氮化物，例如Si3N4、AlN、TiN、BN和ZrN；硫化物，例如ZnS、In2S3、TaS4；碳化物，例如SiC、TaC、B4C、WC、TiC和ZrC；類金剛石的碳(DLC)；或其混合物。這些材料的每一種可以被單獨(dú)使用以形成保護(hù)層，或者可以是兩種元素的混合物。這些材料的每一種可以根據(jù)需要而包括雜質(zhì)?；旌衔锏氖纠╖nS-SiO2混合物和Ta2O5-SiO2混合物。其中，ZnS-SiO2混合物是特別優(yōu)選的?；旌衔锬柋?ZnS)80(SiO2)20是最優(yōu)選的。
但是，在多層光記錄介質(zhì)的情況中，當(dāng)在第一記錄層上記錄信息時，由于僅第一反射層較薄而熱擴(kuò)散特性變差，從而導(dǎo)致難以記錄信息的問題。因此，優(yōu)選的是對于第一上保護(hù)層使用具有盡可能好的導(dǎo)熱性的材料。因此，優(yōu)選的是使用具有比ZnS-SiO2的熱擴(kuò)散特性更高的熱擴(kuò)散特性的材料。例如，優(yōu)選的是使用Sn氧化物。Sn氧化物可以包括諸如In氧化物、Zn氧化物、Ta氧化物和Al氧化物的金屬氧化物。通過使用Sn氧化物，即使當(dāng)?shù)谝环瓷鋵拥暮穸容^厚時也容易在第一記錄層上形成非晶標(biāo)記。Sn氧化物、Ta氧化物和Al氧化物各自不會加速與反射層相關(guān)的劣化，并且可以根據(jù)生產(chǎn)工藝、成本、生產(chǎn)所允許的時間等來選擇這些組成比率的每一個。但是，當(dāng)Sn氧化物的量較大時，記錄所需的功率趨向于增大。當(dāng)Ta氧化物的量較大時，雖然它是防止沉積速率減慢的材料，但是難以在第一信息層上發(fā)揮記錄特性。當(dāng)Al氧化物的量較大時，沉積速率趨向于減慢。
對于第二上保護(hù)層，可以像傳統(tǒng)上使用的那樣使用ZnS-SiO2，或者可以使用Sn氧化物。原因是當(dāng)對第二記錄層進(jìn)行記錄時，由于第二反射層可以被形成得在厚度上足夠厚，因此可以獲得足夠的熱擴(kuò)散。當(dāng)將ZnS-SiO2用于第二上保護(hù)層并且將Ag用于第二反射層時，可以將諸如TiC-TiO2的分界層(interface layer)夾在第二上保護(hù)層和第二反射層之間。這是因?yàn)槭沽騍與Ag起反應(yīng)防止在光記錄介質(zhì)上引起問題。
對于用于第一下保護(hù)層和第二下保護(hù)層的材料，優(yōu)選的是主要使用以下材料透明、透光良好、并且具有比記錄層的熔點(diǎn)高的熔點(diǎn)的材料；以及具有防止記錄層的變差和變性、提高與記錄層的粘合強(qiáng)度、以及改善記錄特性的效果的材料，例如金屬氧化物、氮化物、硫化物、碳化物等。這種材料的具體示例包括金屬氧化物，例如SiO、SiO2、ZnO、SnO2、Al2O3、TiO2、In2O3、MgO、ZrO2和Ta2O5；氮化物，例如Si3N4、AlN、TiN、BN和ZrN；硫化物，例如ZnS、In2S3、TaS4；碳化物，例如SiC、TaC、B4C、WC、TiC和ZrC；類金剛石的碳(DLC)；或其混合物。這些材料的每一種可以被單獨(dú)使用以形成保護(hù)層，或者可以是兩種元素的混合物。這些材料的每一種可以根據(jù)需要而包括雜質(zhì)?；旌衔锏氖纠╖nS-SiO2混合物和Ta2O5-SiO2混合物。其中，ZnS-SiO2混合物是特別優(yōu)選的。混合物摩爾比最優(yōu)選的是(ZnS)80(SiO2)20。由于ZnS-SiO2具有高折射率‘n’和接近0的消光系數(shù)‘k’，因此它使得能夠提高記錄層的光吸收效率，從而減小導(dǎo)熱率、并且適度地抑制由光吸收產(chǎn)生的熱擴(kuò)散，有可能將記錄層上的溫度增大到可以熔化記錄層的溫度。
對于用于形成如上所述的第一上保護(hù)層、第二上保護(hù)層、第一下保護(hù)層和第二下保護(hù)層的層的方法，存在各種氣相生長方法，例如，可以通過真空蒸發(fā)方法、濺射方法、等離子CVD方法、光CVD方法、離子涂敷方法和電子束蒸發(fā)方法來形成第一和第二保護(hù)層。在這些氣相生長方法中，濺射方法在大規(guī)模生產(chǎn)能力、層的質(zhì)量等上較為優(yōu)異。
-熱擴(kuò)散層-需要熱擴(kuò)散層具有高導(dǎo)熱率，以便將受到激光照射的第一記錄層淬火。還需要熱擴(kuò)散層在激光波長處具有低吸收率，使得可以對布置在最內(nèi)側(cè)的第二信息層執(zhí)行記錄?？傊?，優(yōu)選的是，熱擴(kuò)散層包括從氮化物、氧化物、硫化物、碳化物和氟化物中選擇的至少一種。所述材料的示例包括AlN、Al2O3、SiC、SiN、IZO(銦氧化物-鋅氧化物)、ITO(銦氧化物-錫氧化物)、DLC(類金剛石的碳)和BN。在這些材料中，IZO和ITO被認(rèn)為是最優(yōu)選的。最好以在質(zhì)量上(by mass)1％到在質(zhì)量上10％的量來包括在ITO(銦氧化物-錫氧化物)中包括的錫氧化物。當(dāng)錫的量小于或大于所述范圍時，導(dǎo)熱率和透射率減小。而且，可以出于改善存儲穩(wěn)定性的目的而添加其它元素。這些元素可以被添加到它對于光特性沒有影響的程度，并且優(yōu)選地以在質(zhì)量上0.1％到在質(zhì)量上5％的量而包括這些元素。當(dāng)這些元素的添加量小于所述范圍時，不能獲得所述效果。當(dāng)添加量大于所述范圍時，光吸收增加，從而導(dǎo)致透射率降低。在用于記錄和再現(xiàn)信息的激光束的波長中，吸收系數(shù)優(yōu)選為1.0或更小，并且更優(yōu)選為0.5或更小。當(dāng)吸收系數(shù)大于1.0時，第一信息層的吸收率提高，并且在第二信息層上記錄和再現(xiàn)信息可能較為困難。
因?yàn)橛捎诠庥涗浗橘|(zhì)中的減小的內(nèi)應(yīng)力而幾乎不發(fā)生微觀薄度的改變，所以優(yōu)選地使用IZO(銦氧化物-鋅氧化物)而不是ITO(銦氧化物-錫氧化物)。
對于用于形成這種熱擴(kuò)散層的方法，存在各種氣相生長方法，例如，可以通過真空蒸發(fā)方法、濺射方法、等離子CVD方法、光CVD方法、離子涂敷方法和電子束蒸發(fā)方法來形成熱擴(kuò)散層。在這些氣相生長方法中，濺射方法在大規(guī)模生產(chǎn)能力、層的質(zhì)量等上較為優(yōu)異。
-中間層-中間層在用于用來記錄和再現(xiàn)信息的照射的激光束的波長上最好具有低吸收率。就可成形性和成本來說，用于中間層的材料最好是樹脂，并且可以使用紫外線固化樹脂、延遲動作(delayed-action)樹脂和熱塑樹脂。在第二基板和中間層上，可以形成與在第一信息層上相同的、通過注塑方法或光聚合物方法形成的凹凸圖案，例如凹槽和導(dǎo)槽。形成所述中間層，由于該中間層，拾取器可以將第一信息層與第二信息層區(qū)分開以光學(xué)地分離這兩個信息層。
中間層的厚度不受具體限制、可以根據(jù)預(yù)期的用途來適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行選擇，并且它最好是10微米到70微米。當(dāng)厚度小于10微米時，可能在兩個信息層之間發(fā)生串?dāng)_，而當(dāng)厚度大于70微米時，在第二記錄層上記錄和再現(xiàn)信息期間發(fā)生球面像差，并且記錄和再現(xiàn)可能較為困難。
-阻擋層-本發(fā)明實(shí)施例的多層光記錄介質(zhì)可以包括在上保護(hù)層和反射層之間的阻擋層。對于用于反射層的材料，Ag合金是最優(yōu)選的。對于用于上保護(hù)層的材料，ZnS和SiO2的混合物是最優(yōu)選的，但是，當(dāng)相鄰地形成這兩層時，存在保護(hù)層中的硫腐蝕反射層中的Ag的可能性，并且這有可能使存儲穩(wěn)定性降低。為了解決所述問題，優(yōu)選的是在使用Ag材料時形成阻擋層。該阻擋層不需要包括硫，并且需要具有比記錄層更高的熔點(diǎn)。用于阻擋的材料的具體示例包括金屬氧化物，例如SiO、ZnO、SnO2、Al2O3、TiO2、In2O3、MgO和ZrO2；氮化物，例如Si3N4、AlN、TiN和ZrN；硫化物，例如ZnS、In2S3、TaS4；碳化物，例如SiC、TaC、B4C、WC、TiC和ZrC；或其混合物。需要阻擋層在激光波長處具有低吸收率。
可以通過各種氣相生長方法，例如通過真空蒸發(fā)方法、濺射方法、等離子CVD方法、光CVD方法、離子涂敷方法和電子束蒸發(fā)方法來形成阻擋層。在這些氣相生長方法中，濺射方法在大規(guī)模生產(chǎn)能力、層的質(zhì)量等上較為優(yōu)異。
阻擋層的厚度最好是2nm到10nm。當(dāng)厚度小于2nm時，不能獲得防止Ag的腐蝕的效果，并且存儲可靠性降低。另一方面，當(dāng)厚度大于10nm時，存在不能獲得熱消散效果并且透射率降低的趨勢。
接下來，本發(fā)明實(shí)施例的雙層光記錄介質(zhì)不受具體限制、可以根據(jù)預(yù)期的用途來適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行選擇，但是，優(yōu)選的是根據(jù)下面所述來產(chǎn)生它。雙層光記錄介質(zhì)的產(chǎn)生方法包括層形成過程、初始化過程和粘合過程，并且基本上以這一順序來進(jìn)行這些過程中的每一個。
在層形成過程中，在圖17中，在其上形成了凹槽的第一基板的表面上形成第一信息層，并且在其上形成了凹槽的第二基板的表面上形成第二信息層?？梢酝ㄟ^各種氣相生長方法、例如通過真空蒸發(fā)方法、濺射方法、等離子CVD方法、光CVD方法、離子涂敷方法和電子束蒸發(fā)方法來形成第一信息層和第二信息層。在這些氣相生長方法中，濺射方法在大規(guī)模生產(chǎn)能力、層的質(zhì)量等上較為優(yōu)異。在濺射方法中，通常，在使諸如氬氣的惰性氣體流動的同時形成所述層，但是，它們可能在將氧氣、氮?dú)獾然旌显谝獮R射的惰性氣體中時發(fā)生反應(yīng)。
在初始化過程中，通過使用諸如激光束的能量光束來照射第一信息層和第二信息層的整個表面來初始化所述整個表面，即，使記錄層結(jié)晶。當(dāng)在初始化期間通過激光束能量的作用而可能使所述層浮起時，可以使用紫外線樹脂等旋涂第一信息層和第二信息層，并且所述信息層可以利用紫外線來進(jìn)行照射以便固化并隨后被涂覆。此外，在首先執(zhí)行隨后的粘合過程之后，可以從第一基板側(cè)來初始化第一信息層和第二信息層。
在粘合過程中，以第一基板面向第二基板的方式將第一基板通過中間層粘合到第二基板上。例如，在第一基板和第二基板的層表面的任何一個上涂上紫外線樹脂，使得第一信息層的層表面和第二信息層的層表面被布置為面對面、被加壓和粘合，并且隨后使用紫外線來照射粘合區(qū)域，由此固化紫外線樹脂。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以提供一種能夠解決傳統(tǒng)問題的多層光記錄介質(zhì)。當(dāng)在位于第一信息層上的第一記錄層上記錄信息，多層光記錄介質(zhì)能夠防止記錄層所遭受的熱損害并且適當(dāng)?shù)貓?zhí)行記錄和擦除，并且具有良好的記錄特性，其中所述第一信息層布置在具有每個都包含相變記錄層的兩個或多個信息層的多層光記錄介質(zhì)中的、從激光束通量照射側(cè)觀看的最前側(cè)處。還可以提供一種用于多層光記錄介質(zhì)的光記錄方法、以及用于多層光記錄介質(zhì)的光記錄裝置。此外，本發(fā)明的實(shí)施例還使得能夠使第二記錄層或更多記錄層的記錄靈敏度良好。
示例在下文中，將參照具體示例來詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，但是，本發(fā)明的實(shí)施例不限于所公開的示例。
示例A-1
在擁有12cm直徑、0.6mm厚度以及具有0.74微米的軌道間距的導(dǎo)槽的聚碳酸酯盤基板上，通過濺射方法按照以下順序形成了由ZnS-SiO2構(gòu)成、具有60nm厚度的第一保護(hù)層；由In3Sb17Te80構(gòu)成、具有15nm厚度的記錄層；由ZnS-SiO2構(gòu)成、具有12nm厚度的第二保護(hù)層；由SiC構(gòu)成、具有4nm厚度的抗硫化層；以及由Ag構(gòu)成、具有140nm厚度的反射層。有機(jī)保護(hù)層被覆涂在所獲得的反射層上，并且具有0.6mm厚度的聚碳酸酯盤被進(jìn)一步粘合到有機(jī)保護(hù)層上，以由此產(chǎn)生相變光記錄介質(zhì)。然后，使用具有大直徑透鏡的激光二極管來初始地使所述相變光記錄介質(zhì)結(jié)晶。
在下面描述的條件下對所獲得的光記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄，以檢查重復(fù)記錄的抖動。
對于記錄，以與12X DVD一樣快的42米/秒的記錄線速度、使用具有660nm的波長和數(shù)值孔徑NA 0.65的光頭、通過EFM+調(diào)制方法來記錄具有0.267微米/比特的線密度的隨機(jī)模式。圖8示出了用于每個標(biāo)記長度的波形的發(fā)射模式(記錄策略)。表2示出了通過基準(zhǔn)時鐘T來標(biāo)準(zhǔn)化為在標(biāo)記的起始位置開始的每個功率(Pe、Pp和Pb)保持的時標(biāo)的值。在本發(fā)明實(shí)施例中的示例中，將所有引導(dǎo)冷卻脈沖設(shè)置為0.2T。第二冷卻脈沖根據(jù)標(biāo)記長度而不同，并且被設(shè)置在1.0T到1.8T之間。
圖6示出了當(dāng)將每個功率(Pe、Pp和Pb)的設(shè)置值設(shè)置為Pp＝38mW、Pb＝0.1mW和Pe＝6.5mW時的抖動。如可以從圖6中的結(jié)果看到的那樣，即使在第一次重復(fù)記錄時也不存在抖動的急劇增大，該結(jié)果顯示了良好的重復(fù)記錄特性。
圖9示出了在改變6T或更大的標(biāo)記的第二冷卻脈沖的長度的情況下、當(dāng)在第一記錄時記錄隨機(jī)模式的時候以及重復(fù)記錄隨機(jī)模式10次之后在引導(dǎo)部分處的標(biāo)記的抖動檢查結(jié)果。當(dāng)6T或更大的標(biāo)記的第二冷卻脈沖的長度小于1.0T時，引導(dǎo)部分處的標(biāo)記抖動急劇增大。當(dāng)6T或更多的標(biāo)記的第二冷卻脈沖的長度長于2.5T時，第一記錄時的抖動低，但是，在重復(fù)記錄10次之后的抖動急劇增大。
圖10示出了在將Pp固定在38mW并且改變Pe值以改變Pe/Pp的值的情況下、當(dāng)在第一記錄時記錄隨機(jī)模式的時候以及在重復(fù)記錄隨機(jī)模式10次之后的相應(yīng)抖動。當(dāng)值Pe/Pp小于0.1時，第一記錄時的抖動低，但是，由于重復(fù)記錄而抖動顯著增大。當(dāng)值Pe/Pp大于0.4時，在第一記錄時和在重復(fù)記錄后，抖動均增大。
表2

示例A-2除了使用表3所示的條件來設(shè)置記錄策略以外，按照與示例A-1中相同的方式來檢查與在示例A-1中準(zhǔn)備的相同的光記錄介質(zhì)的記錄特性。當(dāng)標(biāo)記長度是6T或更多時，將引導(dǎo)冷卻脈沖的照射時間設(shè)置在0.4T，并且將第二冷卻脈沖的照射時間設(shè)置在1.3T。
圖6示出了當(dāng)將每個功率(Pe、Pp和Pb)的設(shè)置值設(shè)置為Pp＝38mW、Pb＝0.1mW并且Pe＝6.5mW時的抖動。如可從圖6中的結(jié)果看到的那樣，即使在第一次重復(fù)記錄時也不存在抖動的急劇增大，該結(jié)果顯示了良好的重復(fù)記錄特性。
表3

示例A-3除了使用表4所示的條件來設(shè)置記錄策略以外，按照與示例A-1中相同的方式來檢查與在示例A-1中準(zhǔn)備的相同的光記錄介質(zhì)的記錄特性。當(dāng)標(biāo)記長度是6T或更多時，將第二冷卻脈沖的照射時間設(shè)置在2.5T，并且設(shè)置當(dāng)標(biāo)記長度增大T的偶數(shù)倍時的脈沖，以便成為比示例A-1中的脈沖小的1.0T。
圖6示出了當(dāng)將每個功率(Pe、Pp和Pb)的設(shè)置值設(shè)置為Pp＝38mW、Pb＝0.1mW并且Pe＝6.5mW時的抖動。如可以從圖6中的結(jié)果看到的那樣，即使在第一次重復(fù)記錄時也沒有抖動的急劇增大，該結(jié)果顯示了良好的重復(fù)記錄特性。
表4

示例A-4除了將記錄材料改變?yōu)榫哂斜仁纠鼳-1中略慢的結(jié)晶速率的In5Sb17Te78以外，按照與示例A-1中相同的方式來產(chǎn)生光記錄介質(zhì)6。
除了將記錄速度改變?yōu)榫哂信c表2中所示的相同的記錄策略條件的8XDVD(大約27.9米/秒)以外，按照與示例A-1中相同的方式來檢查光記錄介質(zhì)的記錄特性。
圖6示出了當(dāng)將每個功率(Pe、Pp和Pb)的設(shè)置值設(shè)置為Pp＝30mW、Pb＝0.1mW并且Pe＝6mW時的抖動。如可以從圖6中的結(jié)果看到的那樣，即使在第一次重復(fù)記錄時也不存在抖動的急劇增大，該結(jié)果顯示了良好的重復(fù)記錄特性。
比較示例A-1除了使用表5所示的條件來設(shè)置記錄策略以外，按照與示例A-1中相同的方式來檢查與在示例A-1中準(zhǔn)備的相同的光記錄介質(zhì)的記錄特性。
圖6示出了當(dāng)將每個功率(Pe、Pp和Pb)的設(shè)置值設(shè)置為Pp＝30mW、Pb＝0.1mW并且Pe＝6mW時的抖動。如可以從圖6中的結(jié)果看到的那樣，重復(fù)記錄的初始抖動增加較小并且較好，但是，重復(fù)記錄耐久性較差，并且在第1000次記錄時，抖動顯著增大。此外，檢查了交叉擦除的影響。當(dāng)在與一個軌道相鄰的軌道上記錄了隨機(jī)模式時，在已經(jīng)記錄了隨機(jī)模式的這一個軌道上的抖動與僅在這一個軌道上記錄隨機(jī)模式的情況相比增大約1％，并且發(fā)現(xiàn)交叉擦除的影響較大。這表明了在高速記錄的情況下，不能使用0.1T或更少的冷卻脈沖設(shè)置獲得冷卻效果。
表5

比較示例A-2除了使用表6所示的條件來設(shè)置記錄策略以外，按照與示例A-1中相同的方式來檢查與在示例A-1中準(zhǔn)備的相同的光記錄介質(zhì)的記錄特性。當(dāng)標(biāo)記長度是6T或更多時，將引導(dǎo)冷卻脈沖設(shè)置在0.5T，并且將第二冷卻脈沖設(shè)置在1.2T。
圖6示出了當(dāng)將每個功率(Pe、Pp和Pb)的設(shè)置值設(shè)置為Pp＝38mW、Pb＝0.1mW并且Pe＝6mW時的抖動。如可以從圖6中的結(jié)果看到的那樣，第一重復(fù)記錄的抖動增大顯著增大。這被認(rèn)為是標(biāo)記邊緣形狀由于過長的引導(dǎo)冷卻脈沖而變薄，并且在標(biāo)記前邊緣處的抖動顯示出對結(jié)晶狀態(tài)差異的較大靈敏度。
表6

作為在以下示例B-1到B-47和比較示例B-1到B-32中用于光記錄介質(zhì)的評估設(shè)備，使用了由PULSTEC INDUSTRIAL CO.，LTD制造的ODU-1000，在記錄期間用于照射的激光波長是660nm，并且物鏡的數(shù)值孔徑(NA)是0.65。用于再現(xiàn)的激光束功率被設(shè)置在1.4mW。
在第一記錄層上的相鄰的三個軌道上進(jìn)行記錄，并且再現(xiàn)這三個軌道的中間軌道上的所記錄的標(biāo)記，以由此評估光記錄介質(zhì)。使用1T周期的記錄策略來進(jìn)行記錄。對于用于特性評估的評估標(biāo)準(zhǔn)，當(dāng)3T到11T的標(biāo)記、14T的標(biāo)記和空白被隨機(jī)記錄時的數(shù)據(jù)-時鐘抖動(DC抖動)是11％或更少的情況被評估為合格。這里，當(dāng)在片的層次上將標(biāo)記和空白的反射率等級二進(jìn)制化時，DC抖動在邊界線和時鐘之間表現(xiàn)出標(biāo)準(zhǔn)化的時滯。DC抖動越低，記錄特性越好。
示例B-1到B-4和比較示例B-1到B-3在第一基板上，在存在Ar氣體的情況下、通過濺射方法而以下述順序形成第一下保護(hù)層，由ZnS(80摩爾百分比)-SiO2(20摩爾百分比)構(gòu)成，具有70nm厚度；第一記錄層，由Ag0.2In3.5Sb69.8Te22Ge4.5構(gòu)成，具有7.5nm厚度；第一上保護(hù)層，由In2O3(7.5摩爾百分比)-ZnO(22.5摩爾百分比)-SnO2(60摩爾百分比)-Ta2O5(10摩爾百分比)構(gòu)成，具有5nm厚度；第一反射層，由在質(zhì)量上包含1.1％的Mo的Cu構(gòu)成，具有7.5nm厚度；以及熱擴(kuò)散層，由In2O3(90摩爾百分比)-ZnO(10摩爾百分比)構(gòu)成，具有65nm厚度，以由此形成第一信息層，其中所述第一基板由聚碳酸酯樹脂構(gòu)成，具有12cm的直徑、0.6mm的厚度、以及作為在其一面上具有0.74微米的軌道間距的連續(xù)搖擺凹槽(搖擺凹槽)的用于軌道引導(dǎo)的凹凸。使用具有8個室的濺射裝置(由Balzers AG公司制造)來進(jìn)行濺射。
形成與第一基板相似的基板作為第二基板。在第二基板上，按照與第一信息層中相同的方式來以如下順序形成由Ag構(gòu)成、具有140nm厚度的第二反射層；由TiC(70摩爾百分比)-TiO2(30摩爾百分比)構(gòu)成、具有4nm厚度的分界層；由ZnS(80摩爾百分比)-SiO2(20摩爾百分比)構(gòu)成、具有20nm厚度的第二上保護(hù)層；由Ag0.2In3.5Sb70.2Te22.6Ge3.5構(gòu)成、具有15nm厚度的第二記錄層；以及由ZnS(80摩爾百分比)-SiO2(20摩爾百分比)構(gòu)成、具有140nm厚度的第二下保護(hù)層，以由此形成第二信息層。
接著，在第一信息層的層表面上涂敷紫外線固化樹脂(由Nippon KayakuCo.，Ltd制造的KARAYAD DVD003M)，并且，第二信息層的側(cè)面被粘合到第一信息層的層表面，并被旋涂以通過利用紫外線從第一基板側(cè)照射紫外線固化樹脂來固化該紫外線固化樹脂，以便形成具有55微米厚度的中間層，并且由此產(chǎn)生具有兩個信息層的雙層相變光記錄介質(zhì)。
接著，通過使用激光束從第一基板側(cè)照射信息層來初始化第一信息層和第二信息層。通過經(jīng)由光拾取器(數(shù)值孔徑(NA)＝0.55)聚焦從激光二極管發(fā)射的激光束(發(fā)射波長810±10nm)來進(jìn)行該初始化。對于第一記錄層的初始化條件，以5米/秒的線速度、50微米/轉(zhuǎn)的每轉(zhuǎn)走動量、900mW的初始化功率以及23mm到59mm的半徑位置來在恒定線速度(CLV)模式中旋轉(zhuǎn)光記錄介質(zhì)。對于第二記錄層的初始化條件，以5米/秒的線速度、40微米/轉(zhuǎn)的每轉(zhuǎn)走動量、1250mW的初始化功率以及23mm到59mm的半徑位置來在恒定線速度(CLV)模式中旋轉(zhuǎn)光記錄介質(zhì)。首先初始化第二信息層，然后初始化第一信息層。初始化之后的第一信息層的透光率是42.5％，并且已經(jīng)證實(shí)獲得了足夠的透光率。透光率是使用由STEAG AG制造的ETA-Optik測量的。
以9.2米/秒的記錄線速度來在光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄。對于記錄策略，使用1T周期的記錄策略，并且將脈沖寬度設(shè)置在0.188T。
表7示出了測試結(jié)果。例如，DOW 10表示10次的重復(fù)記錄。表7所示的測試結(jié)果是在將記錄功率從34mW改變到40mW時獲得的抖動中的最佳抖動。
使用1T周期和2T周期的記錄策略來在第二信息層上進(jìn)行記錄。在結(jié)果中，獲得了60％的調(diào)制度的1T周期的記錄策略和2T周期的記錄策略的記錄功率對于1T周期是大約47mW，并且對于2T周期是大約40mW，并且使用2T周期的記錄策略進(jìn)行記錄時的記錄靈敏度比使用1T周期的記錄策略更好。根據(jù)示例B-1到B-4中的Tr的差別，在記錄功率上有很小的差別。
表7

示例B-5到B-8和比較示例B-4到B-6
除了將上保護(hù)層改變?yōu)镮n2O3(9.2摩爾百分比)-ZnO(27.5摩爾百分比)-SnO2(53.3摩爾百分比)-Ta2O5(10摩爾百分比)以外，按照與示例B-1中相同的方式來產(chǎn)生雙層光記錄介質(zhì)，并且按照與示例B-1中相同的方式來執(zhí)行對雙層光記錄介質(zhì)的記錄測試。初始化后的第一信息層的透光率是42.8％，并且已經(jīng)證實(shí)獲得足夠的透光率。透光率是使用由STEAG AG制造的ETA-Optik測量的。
表8示出了測試結(jié)果。表8所示的測試結(jié)果是在將記錄功率從34mW改變到40mW時獲得的抖動中的最佳抖動。
使用1周期和2T周期的記錄策略來在第二信息層上進(jìn)行記錄。在結(jié)果中，獲得了60％的調(diào)制度的1T周期的記錄策略和2T周期的記錄策略的記錄功率對于1T周期是大約46mW，并且對于2T周期是大約39.5mW，并且使用2T周期的記錄策略進(jìn)行記錄時的記錄靈敏度比使用1T周期的記錄策略更好。根據(jù)示例B-5到B-8中的Tr的差別，在記錄功率上有很小的差別。
表8

示例B-9到B-12和比較示例B-7到B-9除了將第一信息層的厚度改變?yōu)?nm以外，按照與示例B-1中相同的方式來產(chǎn)生雙層光記錄介質(zhì)，并且按照與示例B-1中相同的方式來執(zhí)行對雙層光記錄介質(zhì)的記錄測試。初始化后的第一信息層的透光率是38.5％，并且已經(jīng)證實(shí)獲得足夠的透光率。透光率是使用由STEAG AG制造的ETA-Optik測量的。
表9示出了測試結(jié)果。表9所示的測試結(jié)果是在將記錄功率從34mW改變到40mW時獲得的抖動中的最佳抖動。
使用1T周期和2T周期的記錄策略來在第二信息層上進(jìn)行記錄。在結(jié)果中，獲得了60％的調(diào)制度的1T周期的記錄策略和2T周期的記錄策略的記錄功率對于1T周期是大約54mW，并且對于2T周期是大約46mW，并且使用2T周期的記錄策略進(jìn)行記錄時的記錄靈敏度比使用1T周期的記錄策略更好。根據(jù)示例B-9到B-12中的Tr的差別，在記錄功率上有很小的差別。
表9

示例B-13到B-16和比較示例B-10到B-12使用與示例B-1中相同的雙層光記錄介質(zhì)來進(jìn)行記錄測試。
將記錄線速度設(shè)置在4.6米/秒，使用1T周期的記錄策略，并且將脈沖寬度設(shè)置在0.125T。
表10示出了測試結(jié)果。在表10中所示的測試結(jié)果是在將記錄功率從28mW改變到34mW時獲得的抖動中的最佳抖動。
使用1T周期和2T周期的記錄策略來在第二信息層上執(zhí)行記錄。在結(jié)果中，獲得了60％的調(diào)制度的1T周期的記錄策略和2T周期的記錄策略的記錄功率對于1T周期是大約42mW，并且對于2T周期是大約35mW，并且使用2T周期的記錄策略來執(zhí)行記錄時的記錄靈敏度比使用1T周期的記錄策略更好。根據(jù)示例B-13到B-16中的Tr的差別，在記錄功率上有很小的差別。
表10


示例B-17和比較示例B-13使用與示例B-1中相同的雙層光記錄介質(zhì)來進(jìn)行記錄測試。
如圖25所示，當(dāng)使用1T周期的記錄策略對第一記錄層執(zhí)行記錄時的重復(fù)記錄特性比使用2T周期的記錄策略改善得更多。在1T周期的記錄策略中的記錄功率是37mW，并且在2T周期的記錄策略中的記錄功率是31mW。
示例B-1和比較示例B-14使用與示例B-1中相同的雙層光記錄介質(zhì)來進(jìn)行記錄測試。
如圖26和27所示，當(dāng)使用2T周期的記錄策略來對第二記錄層執(zhí)行記錄時的記錄靈敏度比使用1T周期的記錄策略更好。
接著，按照如在示例B-19到B-35和比較示例B-15到B-28中所述的方式來產(chǎn)生如圖17所示的雙層光記錄介質(zhì)，以評估該雙層光記錄介質(zhì)。
準(zhǔn)備第一基板，所述第一基板由聚碳酸酯樹脂構(gòu)成，具有12cm的直徑、0.6mm的厚度、以及作為在其一面上具有0.74微米的軌道間距的連續(xù)搖擺凹槽(搖擺凹槽)的用于軌道引導(dǎo)的凹凸，并且，使用具有8個室的濺射裝置(由Balzers AG制造)、在存在Ar氣體的情況下通過濺射方法在第一基板上形成以下各個層。
首先，在第一基板上，形成由ZnS(80摩爾百分比)-SiO2(20摩爾百分比)構(gòu)成、具有60nm厚度的第一下保護(hù)層。
接著，在第一下保護(hù)層上，形成由Ag0.2In5Sb69.8Ge5Te20構(gòu)成、具有8nm厚度的第一記錄層。
在第一記錄層上，形成由In2O3(7.5摩爾百分比)-ZnO(22.5摩爾百分比)-SnO2(60摩爾百分比)-Ta2O5(10摩爾百分比)構(gòu)成、具有5nm厚度的第一上保護(hù)層。
在第一上保護(hù)層上，形成由Cu構(gòu)成、具有8nm厚度的第一反射層。
在第一反射層上，形成由In2O3(90摩爾百分比)-ZnO(10摩爾百分比)構(gòu)成、具有140nm厚度的熱擴(kuò)散層。
使用上述層結(jié)構(gòu)，在第一基板上形成第一信息層。
這里，使用由STEAG AG制造的ETA-Optik來測量第一信息層的透光率，并且透光率是41％。
接著，準(zhǔn)備與第一基板相似的第二基板，并且按照與第一基板相同的方式而通過濺射在第二基板上形成每個單獨(dú)的層。
首先，在第二基板上，形成由Ag構(gòu)成、具有140nm厚度的第二反射層。
在第二反射層上，形成由SnO2(80摩爾百分比)-Ta2O5(4摩爾百分比)-Al2O3(16摩爾百分比)構(gòu)成、具有11nm厚度的第二上保護(hù)層。
在第二上保護(hù)層上，形成由Ag0.2In3.5Sb71.4Te21.4Ge3.5構(gòu)成、具有14nm厚度的第二記錄層。
在第二記錄層上，形成由ZnS(80摩爾百分比)-SiO2(20摩爾百分比)構(gòu)成、具有120nm厚度的第二下保護(hù)層。
使用上述層結(jié)構(gòu)，在第一基板上形成第二信息層。
接著，通過分別從第一基板和第二信息層的層表面使用激光束來照射所述信息層，將第一信息層和第二信息層初始化。通過經(jīng)由光拾取器(數(shù)值孔徑(NA)＝0.55)聚焦從激光二極管發(fā)射的激光束(發(fā)射波長810±10nm)，來進(jìn)行初始化。對于初始化條件，以3米/秒的線速度、36微米/轉(zhuǎn)的每轉(zhuǎn)走動量、23mm到58mm的半徑位置、以及700mW的初始化功率來在恒定線速度(CLV)模式中旋轉(zhuǎn)光記錄介質(zhì)。
接著，在第一信息層的層表面上涂敷紫外線固化樹脂(由Nippon KayakuCo.，Ltd制造的KARAYAD DVD003M)，并且，第二信息層的層表面被粘合到第一信息層的層表面并且被旋涂，以通過從第一基板側(cè)使用紫外線照射紫外線固化樹脂來固化該紫外線固化樹脂，以便形成具有55微米厚度的中間層，并且由此產(chǎn)生具有兩個信息層的雙層相變光記錄介質(zhì)。
評估在所獲得的雙層光記錄介質(zhì)的基板上形成的連續(xù)搖擺凹槽的推挽(PP)信號。第一信息層的推挽信號(以下稱為“PP1”)是0.45，并且第二信息層的推挽信號(以下稱為“PP2”)是0.43?！癙P”是在連續(xù)搖擺凹槽上容易尋道(tracking)所必需的物理值。當(dāng)值PP過小或過大時，存在用于再現(xiàn)信號的裝置難以執(zhí)行尋道的問題。在此獲得的值PP1和PP2都是有利的值。測量了凹槽的載波噪聲比(WCN)。第一信息層中的信號的載波噪聲比(以下稱為“WCN1”)是50dB，并且第二信息層中的信號的載波噪聲比(以下稱為“WCN2”)是46dB。在此，當(dāng)值WCN小于某個值時是不利的，因?yàn)樗砻鳒?zhǔn)備了具有低搖擺周期性和不良的均勻性的基板。但是，在此獲得的值WCN1和WCN2都是有利的值。
使用所獲得的雙層光記錄介質(zhì)，通過如下所述改變記錄條件來進(jìn)行記錄。
示例B-19使用在圖11中所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來執(zhí)行記錄14米/秒的記錄線速度、46mW的記錄功率Pp、7mW的擦除功率Pe、4mW的冷卻功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.3T。
在結(jié)果中，DC抖動示出了10.7％的有利值。
比較示例B-15使用在圖16中所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來執(zhí)行記錄14米/秒的記錄線速度、46mW的記錄功率Pp、7mW的擦除功率Pe和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.3T。
在結(jié)果中，DC抖動是13.7％，并且DC抖動特性比示例B-19中差。
示例B-20使用圖11中所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來執(zhí)行記錄8.41米/秒的記錄線速度、38mW的記錄功率Pp、6.8mW的擦除功率Pe、3.9mW的冷卻功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.2T。
在結(jié)果中，DC抖動示出10.3％的有利值。
比較示例B-16使用在圖16中所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來執(zhí)行記錄8.41米/秒的記錄線速度、38mW的記錄功率Pp、6.8mW的擦除功率Pe和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.2T。
在結(jié)果中，DC抖動是12.5％，并且DC抖動特性比示例B-20中差。
示例B-21使用在圖11中所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來執(zhí)行記錄7米/秒的記錄線速度、36mW的記錄功率Pp、6.6mW的擦除功率Pe、3.5mW的冷卻功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.18T。
在結(jié)果中，DC抖動示出10.4％的有利值。
比較示例B-17使用在圖16中所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來執(zhí)行記錄7米/秒的記錄線速度、36mW的記錄功率Pp、6.6mW的擦除功率Pe和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.18T。
在結(jié)果中，DC抖動是12.9％，并且DC抖動特性比示例B-21中差。
示例B-22使用在圖11中所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來執(zhí)行記錄3.5米/秒的記錄線速度、33mW的記錄功率Pp、6.3mW的擦除功率Pe、3.4mW的冷卻功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.13T。
在結(jié)果中，DC抖動示出9.8％的有利值。
比較示例B-18使用在圖16中所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來執(zhí)行記錄3.5米/秒的記錄線速度、33mW的記錄功率Pp、6.3mW的擦除功率Pe和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.13T。
在結(jié)果中，DC抖動是11.5％，并且DC抖動特性比示例B-22中差。
示例B-23使用在圖13中所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來執(zhí)行記錄14米/秒的記錄線速度、46mW的記錄功率Pp、7.2mW的擦除功率Pe、4.2mW的冷卻功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.3T。
在結(jié)果中，DC抖動示出10.8％的有利值。
比較示例B-19使用在圖16中所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來執(zhí)行記錄14米/秒的記錄線速度、46mW的記錄功率Pp、7.2mW的擦除功率Pe和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.3T。
在結(jié)果中，DC抖動是13.9％，并且DC抖動特性比示例B-23中差。
示例B-24使用圖13中所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來執(zhí)行記錄8.41米/秒的記錄線速度、40mW的記錄功率Pp、7mW的擦除功率Pe、4mW的冷卻功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.4T。
在結(jié)果中，DC抖動示出10.1％的有利值。
比較示例B-20使用圖16中所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來執(zhí)行記錄8.41米/秒的記錄線速度、40mW的記錄功率Pp、7mW的擦除功率Pe和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.4T。
在結(jié)果中，DC抖動是12.9％，并且DC抖動特性比示例B-24中差。
示例B-25
使用圖14中所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來執(zhí)行記錄8.41米/秒的記錄線速度、40mW的記錄功率Pp、7.3mW的擦除功率Pe、4.3mW的冷卻功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.2T。
在結(jié)果中，DC抖動示出10.1％的有利值。
比較示例B-21使用圖16中所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來執(zhí)行記錄8.41米/秒的記錄線速度、40mW的記錄功率Pp、7.3mW的擦除功率Pe和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.2T。
在結(jié)果中，DC抖動是12.1％，并且DC抖動特性比示例B-25中差。
示例B-26使用圖14中所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來執(zhí)行記錄7米/秒的記錄線速度、36mW的記錄功率Pp、7.1mW的擦除功率Pe、4.1mW的冷卻功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.18T。
在結(jié)果中，DC抖動示出10.6％的有利值。
比較示例B-22使用圖16中所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來執(zhí)行記錄7米/秒的記錄線速度、36mW的記錄功率Pp、7.1mW的擦除功率Pe和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.18T。
在結(jié)果中，DC抖動是12.8％，并且DC抖動特性比示例B-26中差。
示例B-27使用在圖12中所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來執(zhí)行記錄8.41米/秒的記錄線速度、39mW的記錄功率Pp、7mW的擦除功率Pe、4mW的冷卻功率Pc1和2mW的Pc2和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.2T。
在結(jié)果中，DC抖動示出10.5％的有利值。
示例B-28在第一基板上，在存在Ar氣體的情況下、通過濺射方法而以下述順序形成第一下保護(hù)層，由ZnS(80摩爾百分比)-SiO2(20摩爾百分比)構(gòu)成、具有60nm厚度；第一記錄層，由Ag0.2In3.5Sb71.4Te21.4Ge3.5構(gòu)成、具有8nm厚度；第一上保護(hù)層，由In2O3(7.5摩爾百分比)-ZnO(22.5摩爾百分比)-SnO2(60摩爾百分比)-Ta2O5(10摩爾百分比)構(gòu)成、具有5nm厚度；第一反射層，由在質(zhì)量上包含1.0％的Mo的Cu構(gòu)成、具有8nm厚度；以及熱擴(kuò)散層，由In2O3(90摩爾百分比)-ZnO(10摩爾百分比)構(gòu)成、具有60nm厚度，以由此形成第一信息層，其中，所述第一基板由聚碳酸酯樹脂構(gòu)成，具有12cm的直徑、0.6mm的厚度、以及作為在其一面上具有0.74微米的軌道間距的連續(xù)搖擺凹槽(搖擺凹槽)的用于軌道引導(dǎo)的凹凸。該濺射是使用在示例B-19中使用的濺射裝置進(jìn)行的。
將與第一基板相似的基板用作第二基板。在第二基板上，按照與第一信息層中相同的方式來以如下順序形成第二反射熱消散層，由Ag構(gòu)成、具有140nm厚度；第二上保護(hù)層，由In2O3(7.5摩爾百分比)-ZnO(22.5摩爾百分比)-SnO2(60摩爾百分比)-Ta2O5(10摩爾百分比)構(gòu)成、具有20nm厚度；第二記錄層，由Ag0.2In3.5Sb71.4Te21.4Ge3.5構(gòu)成、具有15nm厚度；以及第二下保護(hù)層，由ZnS(80摩爾百分比)-SiO2(20摩爾百分比)構(gòu)成、具有120nm厚度，以由此形成第二信息層。
接著，通過分別從第一基板和第二信息層的層表面使用激光束來照射信息層，將第一信息層和第二信息層初始化。通過經(jīng)由光拾取器(數(shù)值孔徑(NA)＝0.55)聚焦從激光二極管發(fā)射的激光束(發(fā)射波長810±10nm)來進(jìn)行初始化。對于第一記錄層的初始化條件，以3米/秒的線速度、36微米/轉(zhuǎn)的每轉(zhuǎn)走動量、900mW的初始化功率、23mm到58mm的半徑位置和700mW的初始化功率來在恒定線速度(CLV)模式中旋轉(zhuǎn)光記錄介質(zhì)。對于第二記錄層的初始化條件，以3米/秒的線速度、36微米/轉(zhuǎn)的每轉(zhuǎn)走動量、23mm到58mm的半徑位置和500mW的初始化功率來在恒定線速度(CLV)模式中旋轉(zhuǎn)光記錄介質(zhì)。
初始化后的第一信息層的透光率是40％，并且已經(jīng)證實(shí)獲得足夠的透光率。該透光率是使用由STEAG AG制造的ETA-Optik測量的。
接著，在第一信息層的層表面上涂敷紫外線固化樹脂(由Nippon KayakuCo.，Ltd制造的KARAYAD DVD003M)，并且，第二信息層的層表面被粘合到第一信息層的層表面、并被旋涂，以通過從第一基板側(cè)使用紫外線照射紫外線固化樹脂來固化該紫外線固化樹脂，以便形成具有55微米厚度的中間層，并且由此產(chǎn)生具有兩個信息層的雙層相變光記錄介質(zhì)。
評估在所獲得的雙層光記錄介質(zhì)的基板上形成的連續(xù)搖擺凹槽的推挽(PP)信號。PP1的值是0.47，并且PP2的值是0.42。在此獲得的值PP1和PP2都是有利的值。另外，值WCN1是51dB，并且值WCN2是45dB，并且，在此獲得的值WCN1和WCN2都是有利的值。
使用在圖11中所示的脈沖波形，以8.4米/秒的記錄線速度來在如此產(chǎn)生的雙層相變信息上進(jìn)行記錄。用于在第一信息層和第二信息層上記錄的功率比率彼此不同。表11和圖20示出了結(jié)果。
比較示例B-23除了第一記錄層和第二記錄層的記錄功率電平Pp與擦除功率電平Pe的比率ε、以及記錄功率電平Pp與冷卻功率電平Pc1的比率δ被設(shè)置為相同值以外，按照與示例B-28中相同的方式、在具有與在示例B-28中產(chǎn)生的雙層相變光記錄介質(zhì)相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄。表11和圖20示出了結(jié)果。
示例B-29使用圖11中所示的脈沖波形，以9.9米/秒的記錄線速度，在具有與在示例B-28中產(chǎn)生的雙層相變光記錄介質(zhì)相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄。用于在第一信息和第二信息層上記錄的功率比率彼此不同。
比較示例B-24除了第一記錄層和第二記錄層的記錄功率電平Pp與擦除功率電平Pe的比率ε、以及記錄功率電平Pp與冷卻功率電平Pc1的比率δ被設(shè)置為相同值以外，按照與示例B-29中相同的方式，在具有與在示例B-28中產(chǎn)生的雙層相變光記錄介質(zhì)相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄。
示例B-30使用圖11中所示的脈沖波形，以11.5米/秒的記錄線速度，在具有與在示例B-28中產(chǎn)生的雙層相變光記錄介質(zhì)相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄。用于在第一信息和第二信息層上記錄的功率比率彼此不同。
比較示例B-25除了第一記錄層和第二記錄層的記錄功率電平Pp與擦除功率電平Pe的比率ε、以及記錄功率電平Pp與冷卻功率電平Pc1的比率δ被設(shè)置為相同值以外，按照與示例B-30中相同的方式，在具有與在示例B-28中產(chǎn)生的雙層相變光記錄介質(zhì)相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄。
示例B-31使用圖13中所示的脈沖波形，以8.4米/秒的記錄線速度，在具有與在示例B-28中產(chǎn)生的雙層相變光記錄介質(zhì)相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄。用于在第一信息和第二信息層上記錄的功率比率彼此不同。
比較示例B-26除了第一記錄層和第二記錄層的記錄功率電平Pp與擦除功率電平Pe的比率ε、以及記錄功率電平Pp與冷卻功率電平Pc1的比率δ被設(shè)置為相同值以外，按照與示例B-31中相同的方式，在具有與在示例B-28中產(chǎn)生的雙層相變光記錄介質(zhì)相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄。
示例B-32使用圖14中所示的脈沖波形，以8.4米/秒的記錄線速度，在具有與在示例B-28中產(chǎn)生的雙層相變光記錄介質(zhì)相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄。用于在第一信息和第二信息層上記錄的每個功率比率彼此不同。
比較示例B-27除了第一記錄層和第二記錄層的記錄功率電平Pp與擦除功率電平Pe的比率ε、以及記錄功率電平Pp與冷卻功率電平Pc1的比率δ被設(shè)置為相同值以外，按照與示例B-32中相同的方式，在具有與在示例B-28中產(chǎn)生的雙層相變光記錄介質(zhì)相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄。
示例B-33使用圖12中所示的脈沖波形，以8.4米/秒的記錄線速度，在具有與在示例B-28中產(chǎn)生的雙層相變光記錄介質(zhì)相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄。用于在第一信息和第二信息層上記錄的每個功率比率彼此不同。
比較示例B-28除了第一記錄層和第二記錄層的記錄功率電平Pp與擦除功率電平Pe的比率ε、以及記錄功率電平Pp與冷卻功率電平Pc1的比率δ被設(shè)置為相同值以外，按照與示例B-33中相同的方式，在具有與在示例B-28中產(chǎn)生的雙層相變光記錄介質(zhì)相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄。
表11示出了在示例B-28到B-33和比較示例B-23到B-28中的雙層相變光記錄介質(zhì)的記錄特性的評估結(jié)果。
表11

示例B-34使用在圖11中所示的脈沖波形，對于具有與在示例B-28中產(chǎn)生的雙層相變光記錄介質(zhì)相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)，以8.4米/秒的記錄線速度、使用2T周期的記錄策略來在第二記錄層上進(jìn)行記錄。
圖22示出了結(jié)果。它顯示出使用2T周期的記錄策略的記錄靈敏度給出了比使用1T周期的記錄策略進(jìn)行記錄的示例B-28中好大約10％的等級(rating)。
示例B-35以8.4米/秒的記錄線速度、42mW的記錄功率Pp、7mW的擦除功率Pe和4mW的Pe-，利用1T周期的記錄策略，在具有與示例B-28中產(chǎn)生的雙層相變光記錄介質(zhì)相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄。
表12示出了結(jié)果。它顯示出與如圖15和16所示的傳統(tǒng)記錄方法相比，改善了第一信息層的重復(fù)記錄特性。應(yīng)當(dāng)注意，在傳統(tǒng)方法中，顯然第二次或更多的重復(fù)記錄顯示出比在第一次記錄中差的結(jié)果，并且示出所得到的數(shù)值沒有意義(point)，因此，未測量傳統(tǒng)方法中的重復(fù)記錄。
表12

示例B-36除了將用于第一記錄層和第二記錄層二者的材料改變?yōu)锳g0.5In3.9Sb69.6Te24Ge2、并且將用于第二上保護(hù)層的材料改變?yōu)閆nS(80摩爾百分比)-SiO2(20摩爾百分比)以外，按照與示例B-28中相同的方式來產(chǎn)生具有與在示例B-28中相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)。使用在圖11中所示的脈沖波形，使用下述設(shè)置值來執(zhí)行記錄15.3米/秒的記錄線速度、30mW的記錄功率Pp、7mW的擦除功率Pe、4mW的冷卻功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.3T。
在第一記錄層的軌道上重復(fù)記錄100次后的DC抖動示出了9.8％的有利值。
比較示例B-29使用在圖16中所示的脈沖波形，使用下述設(shè)置值來在具有與示例B-36中相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄15.3米/秒的記錄線速度、30mW的記錄功率Pp、7mW的擦除功率Pe和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.3T。
在第一記錄層的軌道上重復(fù)記錄100次后的DC抖動是11.3％并且比示例B-36中差。
示例B-37使用在圖11中所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來在具有與示例B-36中相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄9.2米/秒的記錄線速度、28mW的記錄功率Pp、6mW的擦除功率Pe、3mW的冷卻功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.2T。
在第一記錄層的軌道上重復(fù)記錄100次后的DC抖動示出了9.6％的有利值。
比較示例B-30使用在圖16中所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來在具有與示例B-36中相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄9.2米/秒的記錄線速度、28mW的記錄功率Pp、6mW的擦除功率Pe和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.2T。
在第一記錄層的軌道上重復(fù)記錄100次后的DC抖動是10.9％并且比示例B-37中差。
示例B-38使用在圖11中所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來在具有與示例B-36中相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄8.4米/秒的記錄線速度、26mW的記錄功率Pp、6mW的擦除功率Pe、3mW的冷卻功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.2T。
在第一記錄層的軌道上重復(fù)記錄100次后的DC抖動示出了10％的有利值。
比較示例B-31使用在圖16中所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來在具有與示例B-36中相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄8.4米/秒的記錄線速度、26mW的記錄功率Pp、6mW的擦除功率Pe和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.2T。
在第一記錄層的軌道上重復(fù)記錄100次后的DC抖動是11.1％并且比示例B-38中差。
示例B-39使用如圖13所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來在具有與示例B-36中相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄15.3米/秒的記錄線速度、30mW的記錄功率Pp、6.2mW的擦除功率Pe、2.8mW的冷卻功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.3T。
在第一記錄層的軌道上重復(fù)記錄100次后的DC抖動示出了9.5％的有利值。
示例B-40使用如圖13所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來在具有與示例B-36中相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄9.2米/秒的記錄線速度、30mW的記錄功率Pp、6mW的擦除功率Pe、3mW的冷卻功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.2T。
在第一記錄層的軌道上重復(fù)記錄100次后的DC抖動示出了9.6％的有利值。
示例B-41使用如圖14所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來在具有與示例B-36中相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄15.3米/秒的記錄線速度、30mW的記錄功率Pp、6.5mW的擦除功率Pe、3.2mW的冷卻功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.3T。
在第一記錄層的軌道上重復(fù)記錄100次后的DC抖動示出了9.7％的有利值。
示例B-42使用如圖14所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來在具有與示例B-36中相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄9.2米/秒的記錄線速度、28mW的記錄功率Pp、5.9mW的擦除功率Pe、2.8mW的冷卻功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.2T。
在第一記錄層的軌道上重復(fù)記錄100次后的DC抖動示出了9.5％的有利值。
示例B-43使用如圖12所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來在具有與示例B-36中相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄15.3米/秒的記錄線速度、30mW的記錄功率Pp、7mW的擦除功率Pe、4mW的冷卻功率Pc1和2mW的Pc2、以及0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.3T。
在第一記錄層的軌道上重復(fù)記錄100次后的DC抖動示出了9.3％的有利值。
示例B-44使用如圖12所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來在具有與示例B-36中相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄9.2米/秒的記錄線速度、28mW的記錄功率Pp、6.2mW的擦除功率Pe、4mW的冷卻功率Pc1和2.1mW的Pc2、以及0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.2T。
在第一記錄層的軌道上重復(fù)記錄100次后的DC抖動示出了9.4％的有利值。
示例B-45使用如圖21所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來在具有與示例B-36中相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄15.3米/秒的記錄線速度、30mW的記錄功率Pp、7.2mW的擦除功率Pe、4.2mW的擦除功率Pe-、6.6mW的冷卻功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.3T。
在第一記錄層的軌道上重復(fù)記錄1000次后的DC抖動示出了9.4％的有利值。
示例B-46使用如圖21所示的脈沖波形，利用下述設(shè)置值來在具有與示例B-36中相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄9.2米/秒的記錄線速度、28mW的記錄功率Pp、6.8mW的擦除功率Pe和3.8mW的Pe-、3.8mW的冷卻功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。將多脈沖寬度設(shè)置在0.2T。
在第一記錄層的軌道上重復(fù)記錄1000次后的DC抖動示出了9.2％的有利值。
示例B-47在具有與示例B-36中相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)上，首先以9.2米/秒的記錄線速度在第一信息層上在24mm到58mm的半徑位置處進(jìn)行記錄，然后以9.2米/秒的記錄線速度在第二信息層上在40mm的半徑位置處進(jìn)行記錄。
圖23示出了結(jié)果。它顯示出與比較示例B-32中相比，示例B-47的記錄方法使得能夠以更低的功率獲得更高的調(diào)制度。
比較示例B-32在具有與示例B-36中相同的層結(jié)構(gòu)和層厚度的雙層相變光記錄介質(zhì)上，以9.2米/秒的記錄線速度在第二信息層上在40mm的半徑位置處進(jìn)行記錄，并且不在第一信息層上進(jìn)行記錄。
圖23示出了結(jié)果，它顯示出與示例B-47中相比，所述記錄方法例示了更差的記錄靈敏度，并且需要更高的功率。
即使在與6X DVD到8X DVD一樣快或更快的高速記錄時，本發(fā)明實(shí)施例的光記錄介質(zhì)以及用于該光記錄介質(zhì)的光記錄方法和光記錄裝置也可以在不引起重復(fù)記錄耐久性降低和串?dāng)_增大的情況下、與早期結(jié)晶狀態(tài)無關(guān)地減小在重復(fù)記錄早期的抖動增大，并且可以被應(yīng)用于各種致密盤(CD)和數(shù)字多用途盤(DVD)。
本發(fā)明實(shí)施例的多層光記錄介質(zhì)、用于該多層光記錄介質(zhì)的光記錄方法和光記錄裝置能夠防止記錄層遭受到的熱損害、適當(dāng)?shù)赜涗浐筒脸畔ⅰ⒉⑶腋纳浦貜?fù)記錄特性，因此它們適合用于多層致密盤(CD)、多層數(shù)字多用途盤(DVD)和對于藍(lán)色波長兼容的多層光記錄介質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種用于多層光記錄介質(zhì)的記錄方法，所述多層光記錄介質(zhì)包括M個相變記錄層，并且M≥2，所述方法包括通過利用包括多個激光束脈沖的記錄脈沖串而用激光照射所述記錄層中的第K個，在第K記錄層中記錄標(biāo)記，用于第K記錄層的記錄脈沖串具有t(K)[T]的周期，其中第1記錄層是與激光束最近的記錄層，第M記錄層是與激光束最遠(yuǎn)的記錄層，T是時鐘周期；其中，滿足以下關(guān)系t(1)＜t(M)，并且記錄脈沖串的周期在激光束照射的方向上從一個記錄層到下一個記錄層不減小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，對于用于第1和第2層的記錄脈沖，滿足以下關(guān)系t(1)＜t(2)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，包括使用具有1T周期的記錄脈沖串來在第1記錄層中記錄標(biāo)記；以及使用具有2T周期的記錄脈沖串來在第2記錄層中記錄標(biāo)記。
4.根據(jù)權(quán)利要求1到3的任何一個的方法，包括使用具有1T周期的記錄脈沖串來在第1記錄層中記錄標(biāo)記；以及使用具有2T周期的記錄脈沖串來在其它記錄層中記錄標(biāo)記。
5.根據(jù)權(quán)利要求1到4的任何一個的方法，其中，當(dāng)在除了第M記錄層之外的M個相變記錄層的記錄層中記錄具有長度nT的標(biāo)記時，滿足以下關(guān)系(n-1.5)T≤Tr≤(n-1)T其中，n是不小于1的整數(shù)，并且Tr表示在引導(dǎo)脈沖的前沿到最后脈沖的前沿之間的間隔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1到5的任何一個的方法，其中，滿足以下關(guān)系0.12T≤Tmp≤0.3T，其中Tmp表示記錄脈沖的寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1到6的任何一個的方法，其中，在除了從激光束照射側(cè)觀看的最內(nèi)側(cè)上布置的記錄層之外的記錄層上記錄標(biāo)記，并且通過記錄脈沖串來形成記錄標(biāo)記，所述記錄脈沖串被設(shè)置為使得在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，并且在擦除功率電平Pe與在引導(dǎo)脈沖之前的偏置功率電平Pb和最后脈沖之后的偏置功率電平Pb中的至少一個偏置功率電平Pb之間設(shè)置所述冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便滿足以下關(guān)系Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中，通過記錄脈沖串來形成所述標(biāo)記，所述記錄脈沖串被設(shè)置為使得在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，并且在擦除功率電平Pe與在引導(dǎo)脈沖之前的偏置功率電平Pb之間設(shè)置所述冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便滿足以下關(guān)系Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中，通過記錄脈沖串來形成所述標(biāo)記，所述記錄脈沖串被設(shè)置為使得在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，并且在擦除功率電平Pe與在最后脈沖之后的偏置功率電平Pb之間設(shè)置所述冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便滿足以下關(guān)系Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
10.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中，通過記錄脈沖串來形成所述標(biāo)記，所述記錄脈沖串被設(shè)置為使得在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，并且在擦除功率電平Pe與在引導(dǎo)脈沖之前和最后脈沖之后的偏置功率電平Pb之間設(shè)置所述冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便滿足以下關(guān)系Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
11.根據(jù)權(quán)利要求7到10的任何一個的方法，其中，冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN中的值N是從1到3的整數(shù)的任何一個。
12.根據(jù)權(quán)利要求7到11的任何一個的方法，其中，當(dāng)在所述兩個或多個相變記錄層的每一個上記錄信息時，通過對于所述兩個或多個相變記錄層的每一個改變下述比率的至少一個來記錄該信息記錄功率電平Pp與擦除功率電平Pe之間的比率e(Pe/Pp)，以及記錄功率電平Pp與冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN之間的比率d1、...dN(Pc1/Pp、...、PcN/Pp)。
13.根據(jù)權(quán)利要求7到12的任何一個的方法，其中，當(dāng)在記錄具有長度nT(其中n是1或更大的整數(shù)，并且T表示時鐘周期)的記錄標(biāo)記時使用的記錄功率電平Pp的照射脈沖的數(shù)量被表示為m(其中m是1或更大的整數(shù))時，如果值n是偶數(shù)則滿足關(guān)系n＝2m，并且如果值n是奇數(shù)則滿足關(guān)系n＝2m+1。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中，通過僅將最短標(biāo)記增加一個脈沖來記錄標(biāo)記。
15.根據(jù)權(quán)利要求1到14的任何一個的方法，其中，在擦除功率電平Pe的照射期間包括比擦除功率Pe低的擦除功率電平Pe-的脈沖結(jié)構(gòu)。
16.根據(jù)權(quán)利要求1到15的任何一個的方法，其中，當(dāng)在多層光記錄介質(zhì)的每個信息層上記錄信息時，從布置在自激光束通量照射側(cè)觀看的前側(cè)上的信息層起依序記錄信息。
17.根據(jù)權(quán)利要求1到16的任何一個的方法，其中，T對于每個記錄層是相同的時鐘周期。
18.一種用于多層光記錄介質(zhì)的記錄裝置，所述多層光記錄介質(zhì)包括M個相變記錄層，并且M≥2，所述裝置被布置為使用激光來在所述記錄層的第K個中記錄標(biāo)記，所述激光被布置為利用包括多個激光束脈沖的記錄脈沖串來照射該第K記錄層，用于第K層的記錄脈沖串具有t(K)[T]的周期，其中第1記錄層是與激光束最近的記錄層，第M記錄層是與激光束最遠(yuǎn)的記錄層，并且1≤K≤M，T是時鐘周期；其中，滿足以下關(guān)系t(1)＜t(M)，并且記錄脈沖串的周期在激光束被布置用來照射的方向上從一個記錄層到下一個記錄層不減小。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的裝置，其中，所述裝置被布置為使得對于用于第1和第2層的記錄脈沖，滿足以下關(guān)系t(1)＜t(2)。
20.根據(jù)權(quán)利要求18或19的裝置，其中，所述裝置被布置為使用具有1T周期的記錄脈沖串來在第1記錄層中記錄標(biāo)記；以及使用具有2T周期的記錄脈沖串來在第2記錄層中記錄標(biāo)記。
21.根據(jù)權(quán)利要求18到20的任何一個的裝置，其中，所述裝置被布置為使用具有1T周期的記錄脈沖串來在第1記錄層中記錄標(biāo)記；以及使用具有2T周期的記錄脈沖串來在其它記錄層中記錄標(biāo)記。
22.根據(jù)權(quán)利要求18到21的任何一個的裝置，其中，所述裝置被布置為使得當(dāng)在除了第M記錄層之外的M個相變記錄層的記錄層中記錄具有長度nT的標(biāo)記時，滿足以下關(guān)系(n-1.5)T≤Tr≤(n-1)T其中，n是不小于1的整數(shù)，并且Tr表示在引導(dǎo)脈沖的前沿到最后脈沖的前沿之間的間隔。
23.根據(jù)權(quán)利要求18到22的任何一個的方法，其中，滿足以下關(guān)系0.12T≤Tmp≤0.3T，其中Tmp表示記錄脈沖的寬度。
24.根據(jù)權(quán)利要求18到23的任何一個的裝置，其中，所述裝置被布置為使得在除了從激光束照射側(cè)觀看的最內(nèi)側(cè)上布置的記錄層之外的記錄層上記錄標(biāo)記，并且通過記錄脈沖串來形成所述標(biāo)記，所述記錄脈沖串被設(shè)置為使得在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，并且在擦除功率電平Pe與在引導(dǎo)脈沖之前的偏置功率電平Pb和最后脈沖之后的偏置功率電平Pb中的至少一個偏置功率電平Pb之間設(shè)置所述冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便滿足以下關(guān)系Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
25.根據(jù)權(quán)利要求24的裝置，其中，通過記錄脈沖串來形成所述標(biāo)記，所述記錄脈沖串被設(shè)置為使得在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，并且在擦除功率電平Pe與在引導(dǎo)脈沖之前的偏置功率電平Pb之間設(shè)置所述冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便滿足以下關(guān)系Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
26.根據(jù)權(quán)利要求24的裝置，其中，通過記錄脈沖串來形成所述標(biāo)記，所述記錄脈沖串被設(shè)置為使得在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，并且在擦除功率電平Pe與在最后脈沖之后的偏置功率電平Pb之間設(shè)置所述冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便滿足以下關(guān)系Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
27.根據(jù)權(quán)利要求24的裝置，其中，通過記錄脈沖串來形成所述標(biāo)記，所述記錄脈沖串被設(shè)置為使得在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，并且在擦除功率電平Pe與在引導(dǎo)脈沖之前和最后脈沖之后的偏置功率電平Pb之間設(shè)置所述冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便滿足以下關(guān)系Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
28.根據(jù)權(quán)利要求24到27的任何一個的裝置，其中，冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN中的值N是從1到3的整數(shù)的任何一個。
29.根據(jù)權(quán)利要求24到28的任何一個的裝置，其中，所述裝置被布置為使得當(dāng)在所述兩個或多個相變記錄層的每一個上記錄信息時，通過對所述兩個或多個相變記錄層的每一個改變下述比率的至少一個來記錄該信息記錄功率電平Pp與擦除功率電平Pe之間的比率e(Pe/Pp)，以及記錄功率電平Pp與冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN之間的比率d1、...dN(Pc1/Pp、...、PcN/Pp)。
30.根據(jù)權(quán)利要求24到29的任何一個的裝置，其中，當(dāng)在記錄具有長度nT(其中n是1或更大的整數(shù)，并且T表示時鐘周期)的記錄標(biāo)記時使用的記錄功率電平Pp的照射脈沖的數(shù)量被表示為m(其中m是1或更大的整數(shù))時，如果值n是偶數(shù)則滿足關(guān)系n＝2m，并且如果值n是奇數(shù)則滿足關(guān)系n＝2m+1。
31.根據(jù)權(quán)利要求30的裝置，其中，通過僅將最短標(biāo)記增加一個脈沖來記錄標(biāo)記。
32.根據(jù)權(quán)利要求18到30的任何一個的裝置，其中，在擦除功率電平Pe的照射期間包括比擦除功率Pe低的擦除功率電平Pe-的脈沖結(jié)構(gòu)。
33.根據(jù)權(quán)利要求18到32的任何一個的裝置，其中，當(dāng)在多層光記錄介質(zhì)的每個信息層上記錄信息時，從布置在自激光束通量照射側(cè)觀看的前側(cè)上的信息層起依序記錄信息。
34.根據(jù)權(quán)利要求18到33的任何一個的裝置，其中，T對于每個記錄層是相同的時鐘周期。
35.一種光記錄方法，包括使用激光束來照射光記錄介質(zhì)，以及通過標(biāo)記長度記錄方法來在該光記錄介質(zhì)上記錄信息，在所述標(biāo)記長度記錄方法中，利用nT(其中n是自然數(shù)，并且T表示基本時鐘周期)來表示記錄標(biāo)記的時間長度，其中，使用將記錄功率Pp的加熱脈沖和冷卻功率Pb(其中Pb滿足Pp＞Pb)的冷卻脈沖交替“m”次的激光束來照射光記錄介質(zhì)，以由此形成記錄標(biāo)記，滿足條件m≤(n/2+1)，并且引導(dǎo)冷卻脈沖的照射時間是0.2T到0.4T。
36.根據(jù)權(quán)利要求35的光記錄方法，其中，當(dāng)值m是3或更大時，第二冷卻脈沖的照射時間是1.0T到2.5T。
37.根據(jù)權(quán)利要求35到36的任何一個的光記錄方法，其中，通過照射功率Pe(其中Pe滿足Pp＞Pe＞Pb)的激光束來形成空白，并且滿足0.1≤Pe/Pp≤0.4的條件。
38.根據(jù)權(quán)利要求35到37的任何一個的光記錄方法，其中，所述光記錄介質(zhì)是相變光記錄介質(zhì)。
39.根據(jù)權(quán)利要求38的光記錄方法，其中，所述相變光記錄介質(zhì)包括第一保護(hù)層、相變記錄層、第二保護(hù)層和反射層，其每一個都被形成在基板上，并且所述相變記錄層包括Sb以及從由Ge、Ga、In、Zn、Mn、Sn、Ag、Mg、Ca、Bi、Se和Te構(gòu)成的組中選擇的一個或多個元素。
40.根據(jù)權(quán)利要求39的光記錄方法，其中，相變記錄層中的Sb的含量是50原子百分比到90原子百分比。
41.根據(jù)權(quán)利要求39到40的任何一個的光記錄方法，其中，反射層包括Ag和Ag合金。
42.根據(jù)權(quán)利要求39到41的任何一個的光記錄方法，其中，第一保護(hù)層和第二保護(hù)層分別包括ZnS和SiO2的混合物。
43.根據(jù)權(quán)利要求39到42的任何一個的光記錄方法，其中，所述相變光記錄介質(zhì)還包括在反射層和第二保護(hù)層之間的抗硫化層，所述反射層包括Ag和Ag合金的任何一個，并且第二保護(hù)層包括ZnS和SiO2的混合物。
44.一種光記錄介質(zhì)，包括基板，第一保護(hù)層，相變記錄層，第二保護(hù)層，以及反射層，其每一個都被形成在基板上，其中，所述相變記錄層包括Sb以及從由Ge、Ga、In、Zn、Mn、Sn、Ag、Mg、Ca、Bi、Se和Te構(gòu)成的組中選擇的一個或多個元素，并且所述光記錄介質(zhì)用于根據(jù)權(quán)利要求35到38的任何一個的光記錄方法。
45.根據(jù)權(quán)利要求44的光記錄介質(zhì)，其中，相變記錄層中的Sb的含量是50原子百分比到90原子百分比。
46.根據(jù)權(quán)利要求10到11的任何一個的光記錄介質(zhì)，其中，反射層包括Ag和Ag合金。
47.根據(jù)權(quán)利要求44到46的任何一個的光記錄介質(zhì)，其中，第一保護(hù)層和第二保護(hù)層分別包括ZnS和SiO2的混合物。
48.根據(jù)權(quán)利要求44到47的任何一個的光記錄介質(zhì)，還包括在反射層和第二保護(hù)層之間的抗硫化層，其中所述反射層包括Ag和Ag合金的任何一個，并且第二保護(hù)層包括ZnS和SiO2的混合物。
49.一種光記錄裝置，包括旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)，被配置用來旋轉(zhuǎn)光記錄介質(zhì)，激光束源，被配置用來發(fā)射激光束以照射光記錄介質(zhì)，激光束源驅(qū)動單元，被配置用來使激光束源發(fā)射激光束，以及發(fā)射波形控制單元，被配置用來作為與從激光束源發(fā)射的激光束的發(fā)射波形相關(guān)的記錄策略而控制激光束源驅(qū)動單元，其中，通過標(biāo)記長度記錄方法來在光記錄介質(zhì)上記錄信息，在所述標(biāo)記長度記錄方法中，利用nT(其中n是自然數(shù)，并且T表示基本時鐘周期)來表示記錄標(biāo)記的時間長度，所述記錄策略被設(shè)置為使得使用將記錄功率Pp的加熱脈沖和冷卻功率Pb(其中Pb滿足Pp＞Pb)的冷卻脈沖交替“m”次的激光束來照射光記錄介質(zhì)，以由此形成記錄標(biāo)記，滿足條件m≤(n/2+1)，并且引導(dǎo)冷卻脈沖的照射時間是0.2T到0.4T。
50.根據(jù)權(quán)利要求49的光記錄裝置，其中，當(dāng)值m是3或更大時，將記錄策略設(shè)置為使得第二冷卻脈沖的照射時間是1.0T到2.5T。
51.根據(jù)權(quán)利要求49到50的任何一個的光記錄裝置，其中，將記錄策略設(shè)置為使得通過利用功率Pe(其中Pe滿足Pp＞Pe＞Pb)的激光束照射光記錄介質(zhì)來形成空白，并且滿足條件0.1≤Pe/Pp≤0.4。
52.一種用于多層光記錄介質(zhì)的光記錄方法，包括使用激光束照射在基板上具有至少兩個或多個相變記錄層的多層光記錄介質(zhì)，設(shè)置用于激光束的發(fā)射波形的、包括多個脈沖的記錄脈沖串，以及調(diào)制所述記錄脈沖串，以由此在多層光記錄介質(zhì)上記錄記錄標(biāo)記，其中，當(dāng)將基于時鐘周期T的、在從激光束照射側(cè)觀看的第K記錄層(其中K是1或更大的整數(shù))上記錄時使用的記錄脈沖串的周期表示為t(k)[T]的時候，滿足條件1≤t(1)≤t(2)≤...≤t(k)≤t(K+1)(其中當(dāng)用等號表示所有符號時，該條件被排除)。
53.根據(jù)權(quán)利要求52的用于多層光記錄介質(zhì)的光記錄方法，其中，值t(1)小于t(2)。
54.根據(jù)權(quán)利要求52到53的任何一個的用于多層光記錄介質(zhì)的光記錄方法，其中，當(dāng)基于時鐘周期T來執(zhí)行記錄時，將在從激光束照射側(cè)觀看的最前側(cè)處布置的記錄層上記錄時使用的記錄脈沖串設(shè)置為具有1T的周期，并且將在除了該記錄層之外的記錄層上記錄時使用的記錄脈沖串設(shè)置為具有2T的周期。
55.根據(jù)權(quán)利要求54的用于多層光記錄介質(zhì)的光記錄方法，其中，當(dāng)在除了布置在從激光束照射側(cè)觀看的最內(nèi)側(cè)處的記錄層之外的記錄層上形成具有長度nT(其中n是1或更大的整數(shù)，并且T表示時鐘周期)的記錄標(biāo)記時，設(shè)置在引導(dǎo)脈沖的前沿和最后脈沖的前沿之間的間隔Tr，以便滿足以下條件(n-1.5)T≤Tr≤(n-1)T。
56.根據(jù)權(quán)利要求52到55的任何一個的用于多層光記錄介質(zhì)的光記錄方法，其中，在除了從激光束照射側(cè)觀看的最內(nèi)側(cè)處布置的記錄層之外的記錄層上記錄記錄標(biāo)記，并且通過記錄脈沖串來形成記錄標(biāo)記，所述記錄脈沖串被設(shè)置為使得在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(，其中N是1或更大的整數(shù))，并且在擦除功率電平Pe與在引導(dǎo)脈沖之前的偏置功率電平Pb和最后脈沖之后的偏置功率電平Pb中的至少一個偏置功率電平Pb之間設(shè)置所述冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便滿足以下關(guān)系Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
57.根據(jù)權(quán)利要求56的用于多層光記錄介質(zhì)的光記錄方法，其中，通過記錄脈沖串來形成記錄標(biāo)記，所述記錄脈沖串被設(shè)置為使得在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，并且在擦除功率電平Pe與在引導(dǎo)脈沖之前的偏置功率電平Pb之間設(shè)置所述冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便滿足以下關(guān)系Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
58.根據(jù)權(quán)利要求56的用于多層光記錄介質(zhì)的光記錄方法，其中，通過記錄脈沖串來形成記錄標(biāo)記，所述記錄脈沖串被設(shè)置為使得在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，并且在擦除功率電平Pe與在最后脈沖之后的偏置功率電平Pb之間設(shè)置所述冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便滿足以下關(guān)系Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
59.根據(jù)權(quán)利要求56的用于多層光記錄介質(zhì)的光記錄方法，其中，通過記錄脈沖串來形成記錄標(biāo)記，所述記錄脈沖串被設(shè)置為使得在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，并且在擦除功率電平Pe與在引導(dǎo)脈沖之前和最后脈沖之后的偏置功率電平Pb之間設(shè)置所述冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便滿足以下關(guān)系Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
60.根據(jù)權(quán)利要求56到59的任何一個的用于多層光記錄介質(zhì)的光記錄方法，其中，冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN中的值N是從1到3的整數(shù)的任何一個。
61.根據(jù)權(quán)利要求56到60的任何一個的用于多層光記錄介質(zhì)的光記錄方法，其中，當(dāng)在所述兩個或多個相變記錄層的每一個上記錄信息時，通過對于所述兩個或多個相變記錄層的每一個改變下述比率的至少一個來記錄該信息記錄功率電平Pp與擦除功率電平Pe之間的比率ε(Pe/Pp)，以及記錄功率電平Pp與冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN之間的比率δ1、...δN(Pc1/Pp、...、PcN/Pp)。
62.根據(jù)權(quán)利要求56到61的任何一個的用于多層光記錄介質(zhì)的光記錄方法，其中，當(dāng)將在記錄具有長度nT(其中n是1或更大的整數(shù)，并且T表示時鐘周期)的記錄標(biāo)記時使用的記錄功率電平Pp的照射脈沖數(shù)量表示為m(其中m是1或更大的整數(shù))時，如果值n是偶數(shù)則滿足關(guān)系n＝2m，并且如果值n是奇數(shù)則滿足關(guān)系n＝2m+1。
63.根據(jù)權(quán)利要求62的用于多層光記錄介質(zhì)的光記錄方法，其中，通過僅將最短標(biāo)記增加一個脈沖來記錄記錄標(biāo)記。
64.根據(jù)權(quán)利要求52到63的任何一個的用于多層光記錄介質(zhì)的光記錄方法，其中，在擦除功率電平Pe的照射期間包括比擦除功率Pe低的擦除功率電平Pe-的脈沖結(jié)構(gòu)。
65.根據(jù)權(quán)利要求52到64的任何一個的用于多層光記錄介質(zhì)的光記錄方法，其中，當(dāng)在多層光記錄介質(zhì)的每個信息層上記錄信息時，從布置在自激光束通量照射側(cè)觀看的前側(cè)上的信息層起依序記錄該信息。
66.一種用于多層光記錄介質(zhì)的光記錄裝置，包括激光束，以及多層光記錄介質(zhì)，其包括基板以及布置在該基板上的兩個或多個相變記錄層，其中，通過包括多個脈沖的記錄脈沖串來形成記錄標(biāo)記，所述記錄脈沖串被設(shè)置為使得在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，并且在擦除功率電平Pe與在引導(dǎo)脈沖之前的偏置功率電平Pb和最后脈沖之后的偏置功率電平Pb中的至少一個偏置功率電平Pb之間設(shè)置所述冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便滿足以下關(guān)系Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
67.根據(jù)權(quán)利要求32的用于多層光記錄介質(zhì)的光記錄裝置，其中，通過記錄脈沖串來形成記錄標(biāo)記，所述記錄脈沖串被設(shè)置為使得在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，并且在擦除功率電平Pe與在引導(dǎo)脈沖之前的偏置功率電平Pb之間設(shè)置所述冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便滿足以下關(guān)系Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
68.根據(jù)權(quán)利要求66的用于多層光記錄介質(zhì)的光記錄裝置，其中，通過記錄脈沖串來形成記錄標(biāo)記，所述記錄脈沖串被設(shè)置為使得在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，并且在擦除功率電平Pe與在最后脈沖之后的偏置功率電平Pb之間設(shè)置所述冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便滿足以下關(guān)系Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
69.根據(jù)權(quán)利要求66的用于多層光記錄介質(zhì)的光記錄裝置，其中，通過記錄脈沖串來形成記錄標(biāo)記，所述記錄脈沖串被設(shè)置為使得在偏置功率電平Pb和記錄功率電平Pp之間調(diào)制冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，并且在擦除功率電平Pe與在引導(dǎo)脈沖之前和最后脈沖之后的偏置功率電平Pb之間設(shè)置所述冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整數(shù))，以便滿足以下關(guān)系Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。
70.根據(jù)權(quán)利要求66到69的任何一個的用于多層光記錄介質(zhì)的光記錄裝置，其中，冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN中的值N是從1到3的整數(shù)的任何一個。
71.根據(jù)權(quán)利要求66到70的任何一個的用于多層光記錄介質(zhì)的光記錄方法，其中，當(dāng)在所述兩個或多個相變記錄層的每一個上記錄信息時，通過對于所述兩個或多個相變記錄層的每一個改變下述比率的至少一個來記錄該信息記錄功率電平Pp與擦除功率電平Pe之間的比率ε(Pe/Pp)，以及記錄功率電平Pp與冷卻功率電平Pc1、Pc2、...、PcN之間的比率δ1、...δN(Pc1/Pp、...、PcN/Pp)。
72.根據(jù)權(quán)利要求66到71的任何一個的用于多層光記錄介質(zhì)的光記錄裝置，其中，當(dāng)將在記錄具有長度nT(其中n是1或更大的整數(shù)，并且T表示時鐘周期)的記錄標(biāo)記時使用的記錄功率電平Pp的照射脈沖數(shù)量表示為m(其中m是1或更大的整數(shù))時，如果值n是偶數(shù)則滿足關(guān)系n＝2m，并且如果值n是奇數(shù)則滿足關(guān)系n＝2m+1。
73.根據(jù)權(quán)利要求72的用于多層光記錄介質(zhì)的光記錄裝置，其中，通過僅將最短標(biāo)記增加一個脈沖來記錄信息。
74.根據(jù)權(quán)利要求66到72的任何一個的用于多層光記錄介質(zhì)的光記錄裝置，其中，在擦除功率電平Pe的照射期間包括比擦除功率Pe低的擦除功率電平Pe-的脈沖結(jié)構(gòu)。
75.根據(jù)權(quán)利要求32到40的任何一個的用于多層光記錄介質(zhì)的光記錄裝置，其中，當(dāng)在多層光記錄介質(zhì)的每個信息層上記錄信息時，從布置在自激光束通量照射側(cè)觀看的前側(cè)上的信息層起依序記錄該信息。
76.一種多層光記錄介質(zhì)，包括兩個或多個信息層，每個具有相變記錄層，其中，通過使用激光束照射該多層光記錄介質(zhì)、以誘發(fā)在每個相變記錄層上的結(jié)晶狀態(tài)和非晶狀態(tài)之間的可逆相變，來記錄信息，并且在引導(dǎo)區(qū)域中預(yù)先格式化與用于通過根據(jù)權(quán)利要求52到65的任何一個的光記錄方法進(jìn)行記錄的記錄脈沖策略相關(guān)的信息。
77.根據(jù)權(quán)利要求76的多層光記錄介質(zhì)，其中，除了布置在從激光束照射側(cè)觀看的最內(nèi)側(cè)處的信息層之外的信息層的每一個包括上保護(hù)層、相變記錄層、下保護(hù)層、反射層和熱擴(kuò)散層。
78.根據(jù)權(quán)利要求76到77的任何一個的多層光記錄介質(zhì)，其中，除了布置在從激光束照射觀看的最內(nèi)側(cè)處的信息層之外的信息層的每一個的透光率是30％到70％。
79.根據(jù)權(quán)利要求76到78的任何一個的多層光記錄介質(zhì)，作為雙層光記錄介質(zhì)，其包括從激光束照射側(cè)觀看的下述順序的第一信息層和第二信息層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于多層光記錄介質(zhì)的記錄方法，所述多層光記錄介質(zhì)包括M個相變記錄層，并且M≥2。所述方法包括通過利用包括多個激光束脈沖的記錄脈沖串而用激光照射所述記錄層中的第K個，在第K記錄層中記錄標(biāo)記。用于第K記錄層的記錄脈沖串具有t
文檔編號G11B7/006GK1942937SQ20068000001
公開日2007年4月4日 申請日期2006年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月2日
發(fā)明者日比野榮子, 三浦裕司, 伊藤和典, 針谷真人, 關(guān)口洋義, 篠塚道明, 真貝勝, 加藤將紀(jì), 山田勝幸 申請人:株式會社理光