專(zhuān)利名稱(chēng)：：包含用于監(jiān)測(cè)擦除/編程電壓的標(biāo)記的無(wú)源非接觸式集成電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種包含數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和用于提供在存儲(chǔ)器中寫(xiě)入數(shù)據(jù)所必需的高電壓的電荷積聚升壓電路(chargeaccumulationboostercircuit)的非接觸式集成電路。本發(fā)明更具體地涉及一種無(wú)源型(passivetype)非接觸式集成電路，其由天線(xiàn)信號(hào)產(chǎn)生的電壓供電。
背景技術(shù)：
：無(wú)源非接觸式集成電路通常用于RFID(RadioFrequencyIdentification,射頻識(shí)別)應(yīng)用中，可以是感應(yīng)耦合型或"電耦合"型。第一種類(lèi)型的無(wú)源集成電路包含天線(xiàn)線(xiàn)圈，通過(guò)負(fù)載調(diào)制發(fā)送數(shù)據(jù)，在頻率通常為約10MHz的磁場(chǎng)中通過(guò)感應(yīng)耦合供電。這類(lèi)集成電路例如由標(biāo)準(zhǔn)ISO/IEC14443A/B、ISO/IEC13693所說(shuō)明，其提供13.56MHz的工作頻率。第二種類(lèi)型的無(wú)源集成電路由在幾百M(fèi)Hz振蕩的超高頻(UHF)電場(chǎng)供電，通過(guò)調(diào)節(jié)其天線(xiàn)電路的反射率來(lái)發(fā)送數(shù)據(jù)(這種技術(shù)被稱(chēng)為"反向散射(backscattering)")。這類(lèi)集成電路例如由處于標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程中的工業(yè)規(guī)范EPCTM-GEN2('TJatZ/o-i^^we""/cfew"^尸ratoco"C7"^畫(huà)7M他"，浙凝識(shí)豫鈔,第i類(lèi)第2/fWfFiF/DS仰,凝遞訪坊'議)所說(shuō)明。這類(lèi)集成電路一般用于遠(yuǎn)程應(yīng)用，其中集成電路和用于發(fā)送/接收發(fā)射電場(chǎng)的數(shù)據(jù)且通常被稱(chēng)為讀卡機(jī)的站(station)之間的距離可達(dá)幾米。圖1示意性地表示第二種類(lèi)型的集成電路IC1的結(jié)構(gòu)。該集成電路包含偶極天線(xiàn)電路AC，通信接口電路CICT，控制單元CTU1,EEPROM(electricallyerasableandprogrammablememory,電可擦除可編禾呈存儲(chǔ)器)類(lèi)型的非易失性存儲(chǔ)器MEM，電荷積聚升壓電路HVCT和向控制單元CTU1提供時(shí)鐘信號(hào)CK的振蕩器OSC。電路CICT確保通過(guò)天線(xiàn)電路接收和傳輸數(shù)據(jù)。其從控制單元CTU1接收將通過(guò)天線(xiàn)電路發(fā)送的數(shù)據(jù)DTx或向控制單元CTU1提供通過(guò)天線(xiàn)電路接收的數(shù)據(jù)DTr。其還提供確保集成電路供電的電壓Vcc，該電壓Vcc由出現(xiàn)在讀卡機(jī)(圖中未示出)發(fā)射的電場(chǎng)E中的天線(xiàn)電路AC中的天線(xiàn)信號(hào)S1、S2生成。電壓Vcc—般為約一伏特(V)到幾伏特。升壓電路HVCT從電壓Vcc中提供在存儲(chǔ)器中寫(xiě)入數(shù)據(jù)操作所必需的高電壓Vhv，典型地為約10到15V。電壓Vhv通常通過(guò)由控制單元CTU1控制的開(kāi)關(guān)電路SCT施加到存儲(chǔ)器。收到寫(xiě)入指令時(shí)，控制單元CTU1激活升壓電路HVCT，將寫(xiě)入地址ADW和將要寫(xiě)入的數(shù)據(jù)DTW應(yīng)用到存儲(chǔ)器MEM，并激活開(kāi)關(guān)電路SCT以使電壓脈沖Vpp施加到存儲(chǔ)器。根據(jù)將要執(zhí)行的寫(xiě)入周期數(shù)，這些操作可以重復(fù)若干次，同時(shí)保持升壓電路激活。這種集成電路源于其無(wú)源特性的一個(gè)缺點(diǎn)是，從電場(chǎng)E攝取的供電電壓Vcc會(huì)因電場(chǎng)E的強(qiáng)度變化具有臨界衰減(criticalattenuations)。當(dāng)磁場(chǎng)強(qiáng)度和/或與讀卡機(jī)的感應(yīng)耦合率不足時(shí),感應(yīng)耦合型無(wú)源集成電路也有類(lèi)似的缺點(diǎn)。當(dāng)例如集成電路使用者，例如包含集成電路的非接觸式芯片卡的持有者，在讀卡機(jī)和集成電路之通信期間將卡/集成電路從讀卡機(jī)移走時(shí)，這些衰減就會(huì)發(fā)生。當(dāng)衰減發(fā)生于在存儲(chǔ)器中寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，這些供電電壓的衰減便會(huì)成為問(wèn)題，因?yàn)槠鋾?huì)影響高電壓Vhv。因此，當(dāng)集成電路觸發(fā)存儲(chǔ)器的寫(xiě)入時(shí)，如果電壓Vhv在不足的水平，存儲(chǔ)單元(memorycells)可能不會(huì)存儲(chǔ)預(yù)期的數(shù)據(jù)或者可能被設(shè)置成中間狀態(tài)(intermediarystate),該中間狀態(tài)既不是編程狀態(tài)也不是擦除狀態(tài)，相當(dāng)于存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的損毀(corruption)。美國(guó)專(zhuān)利6288629提出，在存儲(chǔ)器中寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)監(jiān)測(cè)供電電壓Vcc，并且當(dāng)電壓Vcc在寫(xiě)入階段在低于臨界閾值(criticalthreshold)變化時(shí)，發(fā)出(raise)指示標(biāo)記。當(dāng)寫(xiě)入階段結(jié)束時(shí)，集成電路讀取該標(biāo)記，如果該標(biāo)記顯示在寫(xiě)入階段電壓Vcc已經(jīng)變到低于臨界閾值，集成電路將該信息傳送給發(fā)射過(guò)寫(xiě)入指令的讀卡機(jī)。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明者所做的研究，包括為觀測(cè)在與具體應(yīng)用相應(yīng)的操作條件下非接觸式集成電路的行為的各種仿真，這種方法可以引起將盡管已經(jīng)適當(dāng)形成的寫(xiě)入操作診斷為故障。事實(shí)上，結(jié)果表明，在各種操作條件下，供電電壓Vcc都會(huì)衰減或者甚至短暫微斷(shortmicrodisconnections)，這不會(huì)影響寫(xiě)入過(guò)程。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的在于改善對(duì)有缺陷的寫(xiě)入操作的診斷，以使己經(jīng)適當(dāng)形成的寫(xiě)入操作將不會(huì)僅因?yàn)楣╇婋妷篤cc在變化時(shí)已經(jīng)低于某一閾值而被視為有缺陷的。本發(fā)明基于這種認(rèn)知，即在大多數(shù)情況和操作條件下，當(dāng)升壓電路已經(jīng)積聚足夠的電荷以使其完成這一寫(xiě)入操作時(shí)，寫(xiě)入操作可以有效地完成。根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)升壓電路提供的高電壓Vhv已達(dá)到被稱(chēng)為"臨界點(diǎn)"的閾值時(shí)，這一條件可以滿(mǎn)足。因此，根據(jù)本發(fā)明，提供指示標(biāo)記，其不是根據(jù)供電電壓，而是根據(jù)升壓電路提供的高電壓值。該指示標(biāo)記可以用于寫(xiě)入操作之后診斷(post-diagnose)，但還有多種其他用處，這將在下面描述。更具體地說(shuō)，本發(fā)明提供一種無(wú)源非接觸式集成電路，其包含電可編程非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，用于提供在存儲(chǔ)器中寫(xiě)入數(shù)據(jù)所必需的高電壓的電荷積聚升壓電路，用于存儲(chǔ)指示標(biāo)記的易失性存儲(chǔ)點(diǎn)，以及在激活升壓電路后、當(dāng)高電壓第一次達(dá)到臨界閾值時(shí)，用于改變指示標(biāo)記值的設(shè)備。根據(jù)一實(shí)施例，集成電路包含用于向存儲(chǔ)器施加高電壓的開(kāi)關(guān)電路，和只要在激活升壓電路后、高電壓未達(dá)到臨界閾值，用于阻止開(kāi)關(guān)電路向存儲(chǔ)器施加高電壓的設(shè)備。根據(jù)一實(shí)施例，開(kāi)關(guān)電路包含用于為存儲(chǔ)器逐漸提供高電壓的斜波發(fā)生器(rampgenerator)。根據(jù)一實(shí)施例，集成電路包含控制單元，該控制單元配置成用來(lái)執(zhí)行在存儲(chǔ)器中寫(xiě)入數(shù)據(jù)的指令，然后，當(dāng)標(biāo)記顯示在執(zhí)行寫(xiě)入指令期間高電壓未達(dá)到臨界閾值時(shí)，發(fā)送特定的報(bào)告信息(messageofinformation)。根據(jù)一實(shí)施例，集成電路包含控制單元，該控制單元配置成，響應(yīng)在存儲(chǔ)器中寫(xiě)入數(shù)據(jù)的指令無(wú)條件地執(zhí)行下列動(dòng)作將激活信號(hào)施加到升壓電路，以使其產(chǎn)生高電壓，將寫(xiě)入地址和要寫(xiě)入的數(shù)據(jù)施加到存儲(chǔ)器，將激活信號(hào)施加到向存儲(chǔ)器提供高電壓的開(kāi)關(guān)電路。根據(jù)一實(shí)施例，集成電路包含控制單元，該控制單元配置成，在收到在存儲(chǔ)器中寫(xiě)入數(shù)據(jù)的指令后立即執(zhí)行下列動(dòng)作將激活信號(hào)施加到升壓電路，以使其產(chǎn)生高電壓，將寫(xiě)入地址和要寫(xiě)入的數(shù)據(jù)施加到存儲(chǔ)器，如果高電壓達(dá)到臨界閾值，將激活信號(hào)施加到向存儲(chǔ)器提供高電壓的開(kāi)關(guān)電路，以及在確定的時(shí)段結(jié)束時(shí)，如果高電壓未達(dá)到臨界閾值，不將激活信號(hào)施加到開(kāi)關(guān)電路，并發(fā)送表示高電壓未施加到存儲(chǔ)器的特定的報(bào)告信根據(jù)一實(shí)施例，集成電路包含檢測(cè)電路，其監(jiān)測(cè)高電壓并提供檢測(cè)信號(hào)，該信號(hào)的值表示高電壓是低于臨界閾值、還是高于或等于臨界閾值。根據(jù)一實(shí)施例，集成電路包含調(diào)節(jié)電路(regulatorcircuit)，每一次高電壓高于或等于調(diào)節(jié)閾值時(shí)，其提供具有有效值(activevalue)的升壓電路調(diào)節(jié)信號(hào)。根據(jù)一實(shí)施例，臨界閾值等于調(diào)節(jié)閾值。根據(jù)一實(shí)施例，調(diào)節(jié)信號(hào)和檢測(cè)信號(hào)相同。根據(jù)一實(shí)施例，指示標(biāo)記由觸發(fā)器(flip-flop)存儲(chǔ)，該觸發(fā)器包含第一控制輸入端，用于賦予標(biāo)記表示高電壓已經(jīng)達(dá)到臨界閾值的第一值，以及第二控制輸入端，用于賦予標(biāo)記表示高電壓尚未達(dá)到臨界閾值的第二值。根據(jù)一實(shí)施例，觸發(fā)器的第一控制輸入端接收檢測(cè)信號(hào)。根據(jù)一實(shí)施例，觸發(fā)器的第二輸入端接收以下兩種信號(hào)中的至少一種用于解除(deactivating)升壓電路的信號(hào)和/或用于重置(resetting)集成電路的信號(hào)。本發(fā)明還涉及芯片卡(chipcard)或電子標(biāo)簽類(lèi)型的便攜式電子物品，包含便攜式支撐(portablesupport)和根據(jù)本發(fā)明安裝到便攜式支撐之集成電路或根據(jù)本發(fā)明集成到便攜式支撐的集成電路。本發(fā)明還涉及一種在無(wú)源非接觸式集成電路的電可編程非易失性存儲(chǔ)器中寫(xiě)入數(shù)據(jù)的方法，包含以下步驟初始化集成電路的易失性存儲(chǔ)點(diǎn)(memorypoint)中的指示標(biāo)記，激活提供在存儲(chǔ)器中寫(xiě)入數(shù)據(jù)所必需的高電壓的電荷積聚升壓電路，在激活升壓電路后、當(dāng)高電壓第一次達(dá)到臨界閾值時(shí)，改變指示標(biāo)記的值。根據(jù)一實(shí)施例，只要高電壓未達(dá)到臨界閾值，就不將其施加到存儲(chǔ)器。根據(jù)一實(shí)施例，方法包含無(wú)條件地執(zhí)行針對(duì)在存儲(chǔ)器中寫(xiě)入數(shù)據(jù)的預(yù)定級(jí)，然后，如果標(biāo)記指示在執(zhí)行預(yù)定級(jí)的過(guò)程中高電壓未達(dá)到臨界閾值，則發(fā)送關(guān)于指示標(biāo)記的值的報(bào)告信息。根據(jù)一實(shí)施例，方法包含在調(diào)節(jié)閾值附近調(diào)節(jié)高電壓的步驟。根據(jù)一實(shí)施例，臨界閾值等于調(diào)節(jié)閾值。根據(jù)一實(shí)施例，指示標(biāo)記通過(guò)觸發(fā)器控制，該觸發(fā)器包含檢測(cè)信號(hào)施加于其上的控制輸入端，該檢測(cè)信號(hào)的值指示高電壓是低于臨界閾值、還是高于或等于臨界閾值。根據(jù)一實(shí)施例，在升壓電路未激活時(shí)，觸發(fā)器重置。本發(fā)明的上述以及其他目的、優(yōu)點(diǎn)和特征，將在以下對(duì)根據(jù)本發(fā)明的無(wú)源非接觸式集成電路的實(shí)施例的描述中，結(jié)合、但不限于以下附圖詳細(xì)地呈現(xiàn)。其中-前述的圖1示意性地表示包含非易失性存儲(chǔ)器的非接觸式集成電路的結(jié)構(gòu)，-圖2表示根據(jù)本發(fā)明的包含非易失性存儲(chǔ)器和用于診斷在存儲(chǔ)器中寫(xiě)入過(guò)程中的缺陷的設(shè)備的非接觸式集成電路的結(jié)構(gòu)，-圖3A至3E表示在存儲(chǔ)器中寫(xiě)入數(shù)據(jù)期間，圖2中的電路中出現(xiàn)的各種電信號(hào)，-圖4為說(shuō)明收到在存儲(chǔ)器中寫(xiě)入的指令后、圖1的集成電路執(zhí)行的操作的圖表，-圖5表示在圖2中以方框形式表示的電荷泵的一個(gè)實(shí)施例，-圖6表示在圖2中以方框形式表示的閾值檢測(cè)器(thresholddetector)的一個(gè)實(shí)施例，-圖7表示在圖2中以方框形式表示的、根據(jù)本發(fā)明接收指示標(biāo)記的易失性存儲(chǔ)點(diǎn)的一個(gè)實(shí)施例，-圖8表示在圖2中以方框形式表現(xiàn)的非易失性存儲(chǔ)器的一個(gè)實(shí)施例，以及-圖9表示在圖8中的存儲(chǔ)器中出現(xiàn)的非易失性存儲(chǔ)單元的一個(gè)實(shí)施具體實(shí)施方式圖2所示的集成電路IC2典型地包含天線(xiàn)電路AC、通信接口電路CICT、控制單元CTU2、EEPROM型(electricallyerasableandprogrammable,電可這里的天線(xiàn)電路包含形成偶極的兩條導(dǎo)線(xiàn)(wires)Wl、W2。在示意性表示的讀卡機(jī)RD1發(fā)射的電場(chǎng)E存在的情況下，在導(dǎo)線(xiàn)W1、W2上出現(xiàn)低振幅(十分之幾伏特)的交變天線(xiàn)信號(hào)S1、S2。電路CICT包含供電電路PSCT、調(diào)制電路MCT和解調(diào)電路DCT。電路PSCT提供確保集成電路供電的電壓Vcc。電壓Vcc從天線(xiàn)信號(hào)Sl、S2(或者如果導(dǎo)線(xiàn)W1、W2中只有一個(gè)接地的話(huà)，從天線(xiàn)信號(hào)S1、S2中的一個(gè))中產(chǎn)生。電路PSCT例如為使用交變信號(hào)Sl、S2作為泵信號(hào)(pumpsignals)的初級(jí)電荷泵(primarychargepump)。電壓Vcc典型地約為一伏特到幾伏特，最新的微電子技術(shù)使構(gòu)建小尺寸的集成電路成為可能，其植入在表面小于lmn^的硅片上，并在約1.8V的供電電壓下操作。調(diào)制電路MCT從控制單元CTU1接收將要發(fā)送的數(shù)據(jù)DTx，其通常為編碼形式，并根據(jù)這些數(shù)據(jù)調(diào)制天線(xiàn)電路AC的阻抗，這里是通過(guò)向電路PSCT施加阻抗調(diào)制信號(hào)S(DTx)來(lái)完成的，該阻抗調(diào)制信號(hào)的效果就是使初級(jí)電荷泵的級(jí)短路。電路DCT解調(diào)信號(hào)Sl、S2并向控制單元CTU1提供這些信號(hào)所傳送的數(shù)據(jù)DTr。這些數(shù)據(jù)由讀卡機(jī)RD1發(fā)送，經(jīng)電場(chǎng)E調(diào)制，例如電場(chǎng)振幅的調(diào)制。這里的升壓電路HVCT包含電荷泵PMP和確保電荷泵激發(fā)的電路HGEN。電路HGEN為電荷泵提供兩個(gè)低頻率的反相泵信號(hào)H1、H2,該信號(hào)產(chǎn)生自時(shí)鐘信號(hào)CK。電荷泵PMP從電壓Vcc(或直接從天線(xiàn)信號(hào)Sl、S2)提供高電壓Vhv，典型地從10到15V。電壓Vhv通過(guò)開(kāi)關(guān)電路SCT施加至存儲(chǔ)器MEM。電路SCT在這里為斜波發(fā)生器，其在寫(xiě)入階段允許電壓Vhv逐漸地施加到存儲(chǔ)器MEM，從而避免損壞存儲(chǔ)單元。在開(kāi)關(guān)電路SCT的輸出端以斜波形式提供的高電壓在這里被稱(chēng)為Vpp?？刂茊卧狢TU2通過(guò)天線(xiàn)電路AC和接口電路CICT從讀卡機(jī)RD1接收在存儲(chǔ)器MEM中讀取或?qū)懭氲闹噶?，包括?xiě)入地址ADW或讀取地址ADR，寫(xiě)入指令還包含將要寫(xiě)入的數(shù)據(jù)DTW。其發(fā)送回可能包含在存儲(chǔ)器中讀取的數(shù)據(jù)DTR的信息，尤其是響應(yīng)讀取指令。數(shù)據(jù)的寫(xiě)入通常包含擦除接收的地址所指定的存儲(chǔ)單元，對(duì)應(yīng)于在存儲(chǔ)單元寫(xiě)入"0"，然后是存儲(chǔ)單元的編程，其將接收'T'。當(dāng)收到寫(xiě)入指令時(shí)，單元CTU2激活電路HGEN，由此，電荷泵PMP接收泵信號(hào)Hl、H2并提供電壓Vhv。然后，單元CTU2將寫(xiě)入地址ADW和要寫(xiě)入的數(shù)據(jù)DTW應(yīng)用到存儲(chǔ)器，并激活開(kāi)關(guān)電路SCT，由此，電壓脈沖Vpp施加到存儲(chǔ)器。這里，單元CTU2通過(guò)在電路HGEN的控制輸入端上施加等于1的信號(hào)"ONl"激活電路HGEN，通過(guò)向開(kāi)關(guān)電路SCT的控制輸入端施加等于1的信號(hào)"WRITE"激活開(kāi)關(guān)電路SCT。根據(jù)本發(fā)明，集成電路IC2包含監(jiān)測(cè)高電壓Vhv的閾值檢測(cè)電路THDET。電路THDET包含連接到電荷泵PMP輸出端的輸入端以及提供檢測(cè)信號(hào)THR1的輸出端。當(dāng)高電壓Vhv低于閾值Vc時(shí)，信號(hào)THR1預(yù)設(shè)為0。當(dāng)電壓Vhv超過(guò)閾值Vc時(shí)，電路THDET將信號(hào)THR1設(shè)置成1。根據(jù)本發(fā)明，閾值Vc為臨界閾值，從該閾值起假定升壓電路HVCT已經(jīng)積聚足夠的電荷來(lái)確保在存儲(chǔ)器中的寫(xiě)入操作，即使供電電壓Vcc存在衰減或微斷(micro-disconnections)。集成電路IC2還包含用于存儲(chǔ)指示標(biāo)記THR2的易失性存儲(chǔ)點(diǎn)。該存儲(chǔ)點(diǎn)在這里為觸發(fā)器FF1，其在一個(gè)輸入端SET接收信號(hào)THR1，其輸出端提供標(biāo)記THR2。在重置(resetting)觸發(fā)器FF1后，標(biāo)記THR2第一次變成1,信號(hào)THR1變?yōu)?，然后保持1直到下一次觸發(fā)器重置。通過(guò)在觸發(fā)器的一個(gè)輸入端RESET(重置)施加由反向門(mén)(invertinggate)提供的信號(hào)/ONl來(lái)確保重置，其中該反向門(mén)在其輸入端接收信號(hào)ONl。因此，當(dāng)控制單元CTU2將信號(hào)ONI保持為0，并且升壓電路HVCT不激活時(shí)，標(biāo)記THR2變?yōu)?。當(dāng)單元CTU2將信號(hào)ON1設(shè)置為1來(lái)激活電路HVCT時(shí)，標(biāo)記的值仍然為0。當(dāng)電壓Vhv達(dá)到閾值Vc時(shí)，信號(hào)THR1變成l，標(biāo)記THR2變成1。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選擇的、但有益的方面，將電壓Vhv調(diào)節(jié)在調(diào)節(jié)閾值附近，在這里該調(diào)節(jié)閾值等于臨界閾值Vc。更有利地，在這里通過(guò)在信號(hào)THR1變成1時(shí)阻止(inhibiting)電路HGEN來(lái)確保該調(diào)節(jié)，因此泵信號(hào)Hl、H2不再提供給電荷泵。電路HGEN的控制輸入端例如連接到AND型的門(mén)Al的輸出端，該門(mén)Al在非反向輸入端(non-invertinginput)接收信號(hào)ONl，在反向輸入端(invertingi叩ut)接收信號(hào)THR1。當(dāng)信號(hào)ONI等于1且信號(hào)THR1等于0(Vhv<Vc)時(shí)，門(mén)Al相對(duì)于信號(hào)ONI來(lái)說(shuō)是可通過(guò)的，電路HGEN被激活。當(dāng)信號(hào)THR1變成l(Vhv2Vc)時(shí)，門(mén)Al的輸出端變成0，電路HGEN不被激活(deactivated)，因此，電壓Vhv降低，直至信號(hào)THR1變回到0(Vhv<Vc)。然后，電壓Vhv再次升高，信號(hào)THR1再次變成1，等等，電壓Vhv因此被調(diào)節(jié)在閾值Vc附近。因此，檢測(cè)器THR1除了其檢測(cè)允許標(biāo)記THR2被控制的閾值的功能外，還與門(mén)Al有利地形成高電壓Vhv的調(diào)節(jié)器。所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
的技術(shù)人員將注意到，通過(guò)阻止電路HGEN對(duì)升壓電路的調(diào)節(jié)減少了集成電路的耗電量，比通過(guò)不停止電荷泵箝住高電壓Vhv更為有利、意味著在調(diào)節(jié)器中出現(xiàn)泄露電流。同樣地，可以考慮不停止電路HGEN而阻止信號(hào)H1、H2，但是其會(huì)不必要地消耗電流。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)可選擇的、但有益的方面，在激活升壓電路HVCT后，只要高電壓Vhv至少一次地未達(dá)到臨界閾值Vc，就不能通過(guò)控制單元CTU激活開(kāi)關(guān)電路SCT。在這之后，開(kāi)關(guān)電路SCT的控制輸入端例如連接到AND型的門(mén)A2的輸出端，該門(mén)A2在第一輸入端接收信號(hào)WRITE,在第二輸入端接收標(biāo)記THR2。當(dāng)單元CTU2將信號(hào)WRITE設(shè)置為1來(lái)向存儲(chǔ)器施加電壓脈沖Vpp時(shí)，只要標(biāo)記THR2不等于1，門(mén)Al相對(duì)于信號(hào)WRITE來(lái)說(shuō)是不通的。因此，如果供電電壓Vcc的衰減阻止高電壓Vhv按預(yù)期升高，且如果當(dāng)控制單元將信號(hào)WRITE設(shè)置為1時(shí)其未達(dá)到閾值Vc，則開(kāi)關(guān)電路SCT的阻止保證存儲(chǔ)器MEM將不接收水平不夠高的電壓Vpp來(lái)寫(xiě)入數(shù)據(jù)，如果寫(xiě)入將可能引起數(shù)據(jù)毀損。圖3A至3E表示在包含在存儲(chǔ)器中寫(xiě)入的周期WC1、WC2…的存儲(chǔ)器寫(xiě)入階段中，信號(hào)ONl、WRITE、THR1、標(biāo)記THR2和電壓Vhv、Vpp的形狀。信號(hào)ONI和WRITE表示在圖3A中，電壓Vhv表示在圖3B中(圖中未示出在閾值Vc附近調(diào)節(jié)引起的電壓Vhv的變化)，信號(hào)THRl表示在圖3C中(這里作為檢測(cè)信號(hào)和電壓Vhv的調(diào)節(jié)信號(hào))，標(biāo)記THR2表示在圖3D中，作為斜波發(fā)生器的開(kāi)關(guān)電路SCT所提供的電壓Vpp表示在圖3E中。"寫(xiě)入周期"WC1、WC2意為擦除或編程一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)單元的周期，"寫(xiě)入階段"意為包括存儲(chǔ)數(shù)據(jù)所必需的所有擦除和編程周期的期間。例如，如果存儲(chǔ)器MEM可通過(guò)8比特字符擦除并可通過(guò)8比特字符編程，而且將要寫(xiě)入的數(shù)據(jù)為字符，則寫(xiě)入該字符的階段包含擦除8個(gè)存儲(chǔ)單元的周期(集合擦除周期、在存儲(chǔ)單元中寫(xiě)入O)和集合對(duì)將要接收l(shuí)的存儲(chǔ)單元的編程的周期。如果存儲(chǔ)器MEM為頁(yè)可擦除(字行)或部分可擦除、且字節(jié)可編程(programmablebybytes)，而且如果將要寫(xiě)入的數(shù)據(jù)包含屬于同一部分或頁(yè)的若干個(gè)字符，則寫(xiě)入該字符的階段包含集合擦除整個(gè)部分或整頁(yè)的周期和與將要寫(xiě)入的字符同樣多的編程周期。在第一寫(xiě)入周期WC1(例如擦除周期)前之一時(shí)刻t0，信號(hào)ONI和WRITE在0處，電壓Vhv等于0，信號(hào)THR1等于0，標(biāo)記THR2由信號(hào)ON1保持在0(對(duì)觸發(fā)器FF1的輸入端RESET動(dòng)作)。在時(shí)刻tl，單元CTU2將信號(hào)ONl設(shè)置為1，電壓Vhv開(kāi)始升高。在時(shí)刻t2，單元CTU2將信號(hào)WRITE設(shè)置為1，但是開(kāi)關(guān)電路SCT保持阻斷，因?yàn)闃?biāo)記THR2等于0，阻止信號(hào)WRITE應(yīng)用到電路SCT的控制輸入端。在時(shí)刻t3，因?yàn)樯龎弘娐繁皇┘恿穗妷?，所以電壓Vhv達(dá)到閾值Vc，信號(hào)THR1第一次變成l，因此，標(biāo)記THR2也變成1。電路SCT自觸發(fā)，電壓Vpp的斜波施加到存儲(chǔ)器MEM。同時(shí)，在升壓電路的輸入端阻止信號(hào)ONl，高電壓Vhv降低。在時(shí)刻t3'，電壓Vhv再次變成低于閾值Vc，信號(hào)THR1返回到0。在時(shí)刻t4，電壓Vhv達(dá)到閾值Vc，信號(hào)THR1變回到1，然后在時(shí)刻t4'變回到0，等等，只要信號(hào)0N1保持在1，電壓Vhv的調(diào)節(jié)引起的這些變化就不影響在整個(gè)寫(xiě)入階段保持在1的標(biāo)記THR2。在時(shí)刻t5，電壓Vpp達(dá)到等于Vc(或Vc-Vm，如果電路SCT對(duì)電壓Vhv造成電壓Vm降低)的高電位，并穩(wěn)定地保持在高電位附近，直到指示寫(xiě)入周期WC1結(jié)束的時(shí)刻t6，此時(shí)單元CTU2將信號(hào)WRITE設(shè)置到0而使信號(hào)ONI變成1。信號(hào)THR1保持交替地從0變成1,反之亦然，來(lái)調(diào)整高電壓Vhv，標(biāo)記THR2保持為1。在時(shí)刻t7，單元CTU2將信號(hào)WRITE設(shè)置回1，第二寫(xiě)入周期WC2開(kāi)始，例如編程周期。標(biāo)記THR2在這里從周期WC2的開(kāi)始即為1，并在整個(gè)寫(xiě)入階段中保持為1。圖4為一圖表，表示通過(guò)控制單元CTU2執(zhí)行寫(xiě)入階段和使用標(biāo)記THR2來(lái)診斷高電壓Vhv可能的缺陷。在步驟S100中，單元CTU2從讀卡機(jī)RD1接收指令"[WRITE][DTW][ADW]"。在步驟S110中，單元CTU2將信號(hào)ON1設(shè)置成1來(lái)激活升壓電路(上述的時(shí)刻tl)并將數(shù)據(jù)DTW和地址ADW應(yīng)用到存儲(chǔ)器。在步驟S120中，單元CTU2將信號(hào)WRITE設(shè)置成l(上述的時(shí)刻t2)。步驟S110和S120可以不斷的重復(fù)，重復(fù)次數(shù)和將要執(zhí)行的寫(xiě)入周期CW1、CW2…的數(shù)目相同，而使信號(hào)ONl持續(xù)為1。一旦寫(xiě)入階段結(jié)束，單元CTU2在步驟S130中檢測(cè)標(biāo)記THR2:-如果標(biāo)記THR2等于1，則認(rèn)為寫(xiě)入階段正常地進(jìn)行，單元CTU2跳入步驟S140("WAIT",即"等待")，在此將等待新的指令。在一個(gè)變化中，在跳入下一步驟S140之前，單元CTU2讀取其己經(jīng)寫(xiě)入存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)并在一個(gè)消息中將其發(fā)送回來(lái)確認(rèn)指令的執(zhí)行，因此，讀卡機(jī)RD1可以校驗(yàn)寫(xiě)入的數(shù)據(jù)即為指令中所包含的數(shù)據(jù)，-如果標(biāo)記THR2等于0，其表示高電壓Vhv未達(dá)到臨界閾值，并且未在存儲(chǔ)器中寫(xiě)入。單元CTU2跳入步驟S150，在此其發(fā)送失敗信息"WRITEFAIL"("寫(xiě)入失敗")。如上所述，可以提供單元CTU2以在指令中出現(xiàn)的讀取地址ADW上在存儲(chǔ)器中讀取數(shù)據(jù)，并將其及信息"WRITEFAIL"發(fā)送回讀卡機(jī)RD1，因此，其可以驗(yàn)校未寫(xiě)入損壞的數(shù)據(jù)。然而，根據(jù)本發(fā)明的標(biāo)記THR2的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是允許集成電路迅速地發(fā)送寫(xiě)入失敗信息，而無(wú)需再次讀取存儲(chǔ)區(qū)域，其歸功于基于對(duì)電壓Vhv的觀測(cè)而非對(duì)電壓Vcc的觀測(cè)的可靠的失敗診斷。所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
的技術(shù)人員將注意到，使用指示標(biāo)記THR2來(lái)自動(dòng)地阻止斜波發(fā)生器電路SCT的激活是本發(fā)明的一方面，當(dāng)集成電路IC2裝備有包含有限狀態(tài)機(jī)(finitestatemachine)的有線(xiàn)邏輯控制單元(wired-logiccontrolunit)CTU時(shí)，其特別地有益，其中該有限狀態(tài)機(jī)根據(jù)時(shí)鐘信號(hào)CK定時(shí)的固定順序?qū)?xiě)入周期定時(shí)。提供有線(xiàn)邏輯控制單元使為大規(guī)模應(yīng)用構(gòu)建低成本集成電路成為可能。然而，根據(jù)控制單元的適應(yīng)性和"智能"程度，本發(fā)明能以各種方式實(shí)施。例如，微處理器控制單元可以在將激活信號(hào)WRITE施加到開(kāi)關(guān)電路SCT之前檢測(cè)標(biāo)記THHR2。在這種情況下，不再需要用標(biāo)記THR2來(lái)阻止信號(hào)WRITE?？刂茊卧却龢?biāo)記THR2在一計(jì)時(shí)器測(cè)量的時(shí)段內(nèi)變成1，如果該時(shí)段結(jié)束時(shí)電壓Vhv未達(dá)到臨界閾值Vc，則控制單元取消該寫(xiě)入周期并發(fā)送信息WRITEFAIL。圖5表示電荷泵PMP的一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施例。其包含并聯(lián)的電容器CI、C2…Cn，每一個(gè)電容器的陽(yáng)極通過(guò)二極管D1、D2…Dn-l連接到下一列電容器的陽(yáng)極，每一奇數(shù)列的電容器的陰極接收泵信號(hào)Hl,每一偶數(shù)列的電容器的陰極接收泵信號(hào)H2。二極管Dn將最后一個(gè)電容器的陽(yáng)極連接到提供電壓Vhv的輸出電容器Chv，電壓Vcc通過(guò)二極管D0施加到第一個(gè)電容器的陽(yáng)極。當(dāng)信號(hào)Hl提高而信號(hào)H2降低時(shí)，每一奇數(shù)列的電容器在之后的偶數(shù)列電容器中將在信號(hào)H2提高而信號(hào)Hl降低的前半周期積聚的電荷放電。當(dāng)信號(hào)H2提高而信號(hào)H1降低時(shí)，每一偶數(shù)列的電容器放電在之后的奇數(shù)列電容器中將在信號(hào)Hl提高而信號(hào)H2降低的前半周期積聚的電荷放電。圖6表示檢測(cè)電路THDET的一個(gè)實(shí)施例。檢測(cè)電路THDET包含由二極管Dd形成的輸入級(jí)，該二極管Dd連接到NMOS晶體管TN1的漏極端子，該NMOS晶體管的源極端子接地。二極管Dd反向安裝并接收電壓Vhv。晶體管TN1在其柵極G接收穩(wěn)定的偏置電壓Vref，更適宜地為在溫度上補(bǔ)償。二極管Dd具有反向電壓Vd,晶體管具電壓Vref產(chǎn)生的漏極-源極電壓Vds。位于晶體管TN1的漏極的節(jié)點(diǎn)Nl加在NMOS晶體管TN2的柵極上，該NMOS晶體管TN2的源極端子S接地。晶體管TN2的漏極端子D形成節(jié)點(diǎn)N2，該節(jié)點(diǎn)N2加在輸出端提供集測(cè)信號(hào)THR1的反向門(mén)(invertinggate)INV1的輸入端上。節(jié)點(diǎn)N2由PMOS晶體管TP2提高，晶體管TP2的源極端子S接收電壓Vcc，其柵極接收電壓V2。當(dāng)電壓Vhv達(dá)到閾值Vc，這里等于Vd+Vds時(shí)，輸入級(jí)導(dǎo)通，節(jié)點(diǎn)N1從高阻抗電位變成電位Vds。晶體管TN2導(dǎo)通，節(jié)點(diǎn)N2從l(Vcc)變成0(接地)。信號(hào)THR1變成1。圖7表示觸發(fā)器FF1的一個(gè)實(shí)施例，觸發(fā)器FF1由兩個(gè)門(mén)NORl、NOR2(或非門(mén))構(gòu)成，每個(gè)門(mén)具有連接到另一個(gè)門(mén)的輸入端的輸出端。門(mén)NOR1的另一個(gè)輸入端形成觸發(fā)器的輸入端SET(設(shè)置)并接收信號(hào)THR1。門(mén)NOR2的另一個(gè)輸入端形成觸發(fā)器的輸入端RESET(重置)并接收信號(hào)/ONl，如上所述。門(mén)NOR2的輸出端提供標(biāo)記THR2。可選擇地，門(mén)NOR2包含形成觸發(fā)器輸入端RESET'的第三輸入端并接收POR信號(hào)("PowerOnReset","電源重啟")，該信號(hào)由集成電路在每一次啟動(dòng)時(shí)產(chǎn)生。圖8示意性地表示存儲(chǔ)器MEM的一個(gè)實(shí)施例。存儲(chǔ)器MEM包含存儲(chǔ)器陣列MA、地址解碼器ADEC、編程電路PCT、選擇電路SCT和讀取電路RCT。存儲(chǔ)器陣列MA包含電可擦除可編程存儲(chǔ)單元Ci,j，該存儲(chǔ)電元Ci,j按照水平和垂直線(xiàn)排列，并連接到字線(xiàn)(wordlines)WLi和位線(xiàn)(bitlines)BLj。編程電路PCT包含連接到存儲(chǔ)器陣列的位線(xiàn)的擦除-編程鎖(圖中未示出)，其由解碼器ADEC提供的信號(hào)COLSEL選擇，接收將寫(xiě)入存儲(chǔ)器陣列的數(shù)據(jù)DTW。讀取電路RCT包含一個(gè)或多個(gè)通過(guò)選擇電路SCT連接到存儲(chǔ)器陣列MA的位線(xiàn)的感測(cè)放大器，其提供在存儲(chǔ)器陣列中讀取的數(shù)據(jù)DTR。圖9表示允許將位線(xiàn)bi，j存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器陣列的電可擦除可編程存儲(chǔ)單元Ci,j的一個(gè)實(shí)施例。存儲(chǔ)單元包含浮柵極晶體管FGT和存取晶體管(accesstransistor)AT，這里為NMOS型。存取晶體管具有連接到位線(xiàn)BLj的漏極端子D，連接到字線(xiàn)WLi的柵極G和連接到晶體管FGT的漏極端子D的源極端子S。晶體管FGT還包含浮柵極FG，連接到控制柵極線(xiàn)CGL的控制柵極CG，以及連接到源極線(xiàn)SLi的源極端子S。通過(guò)經(jīng)由存取晶體管AT向晶體管FGT的漏極端子D施加例如電壓Vpp、向其控制柵極CG施加例如OV的低電壓，存儲(chǔ)單元Cij被設(shè)置為編程狀態(tài)。通過(guò)隧道效應(yīng)將電荷注入到浮柵極FG，晶體管FGT的閾值電壓(thresholdvoltage)Vt降低，其通常變?yōu)樨?fù)值。通過(guò)向晶體管FGT的控制柵極施加例如電壓Vpp、向其源極端子S施加例如OV的低電壓，存儲(chǔ)單元Ci，j被設(shè)置為擦除狀態(tài)。通過(guò)隧道效應(yīng)從浮柵極FG汲取電荷，晶體管FGT的闔值電壓增加，其通常變?yōu)檎怠８袦y(cè)放大器RCTj確保存儲(chǔ)單元Ci，j的讀取，該感測(cè)放大器RCTj通過(guò)位線(xiàn)BLj和存取晶體管AT連接到晶體管FGT的漏極端子D。當(dāng)讀取電壓Vread施加到晶體管FGT的控制柵極CG而源極線(xiàn)接地時(shí)，放大器RCTj向位線(xiàn)施加偏置電壓Vpol。如果晶體管FGT為編程狀態(tài)，存儲(chǔ)單元導(dǎo)通，高于確定閾值的讀電流Iread流過(guò)位線(xiàn)BLj。放大器RCTj接著提供比特bi,j，該比特bi，j的值按照慣例定義，例如1。如果晶體管FGT為擦除狀態(tài)，存儲(chǔ)單元不導(dǎo)通或微導(dǎo)通(slightlyconducting)，放大器RCTj提供相反值的比特bi,j，例如等于0的比特。通過(guò)隧道效應(yīng)具有電可擦除可編程單元的EEPROM存儲(chǔ)器的使用是有益的，因?yàn)榭梢院艿偷碾娏鲗?shí)現(xiàn)通過(guò)隧道效應(yīng)注入和汲取電荷，不像通過(guò)注入熱載子(hotcarriers)來(lái)實(shí)現(xiàn)電荷注入、并且需要顯著的單元電流的存儲(chǔ)器。因此，本存儲(chǔ)器符合本發(fā)明的基本原理，根據(jù)該原理，一旦臨界閾值達(dá)到即使存在電壓Vhv衰減，寫(xiě)入操作也通常必須適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行。實(shí)際上，如上面提到的，閾值Vc最好接近于等于或接近升壓電路的調(diào)節(jié)閾值，根據(jù)制造上述存儲(chǔ)單元的技術(shù)，該調(diào)節(jié)閾值一般為約10到15V。所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
的技術(shù)人員將明白，監(jiān)測(cè)高電壓Vhv和操控指示標(biāo)記THR2的方式可用于各種實(shí)施方式。本發(fā)明還用于多種應(yīng)用，而非僅用于通過(guò)電耦合操作的非接觸式UHF電路。本發(fā)明應(yīng)用于例如使用感應(yīng)耦合的集成電路，普便地應(yīng)用于在編程或擦除存儲(chǔ)單元階段電力供應(yīng)易失靈的任何集成電路或收發(fā)機(jī)(transponder)o權(quán)利要求1.包含電可編程非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(MEM)、用于提供在存儲(chǔ)器中寫(xiě)入數(shù)據(jù)(DTW)所必需的高電壓(Vhv)的電荷積聚升壓電路(HVCT，PMP，HGEN)的無(wú)源非接觸式集成電路(IC2)，其特征在于其包含-易失性存儲(chǔ)點(diǎn)(FF1)，用于存儲(chǔ)指示標(biāo)記(THR2)，以及-設(shè)備(THDET，THR1，F(xiàn)F1)，用于在激活升壓電路后、高電壓(Vhv)第一次達(dá)到臨界閾值(Vc)時(shí)，改變指示標(biāo)記(THR2)的值。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于包含用于向存儲(chǔ)器(MEM)施加高電壓(Vhv)的開(kāi)關(guān)電路(SCT)，和設(shè)備(A2)，其用于在激活升壓電路后、髙電壓未達(dá)到臨界閾值(Vc)時(shí)，阻止開(kāi)關(guān)電路(SCT)向存儲(chǔ)器(MEM)施加高電壓。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路，其特征在于開(kāi)關(guān)電路(SCT)包含斜波發(fā)生器，用于向存儲(chǔ)器(MEM)逐漸提供高電壓(Vhv)。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的集成電路，其特征在于包含控制單元(CTU2)，其配置成用來(lái)執(zhí)行在存儲(chǔ)器(MEM)中寫(xiě)入數(shù)據(jù)(DTW)的指令，然后，當(dāng)標(biāo)記(THR2)指示在執(zhí)行寫(xiě)入指令期間高電壓(Vhv)未達(dá)到臨界閾值(Vc)時(shí)，發(fā)送特定的報(bào)告信息(WRITEFAIL)。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的集成電路，其特征在于包含控制單元(CTU2)，其配置成用來(lái)響應(yīng)在存儲(chǔ)器(MEM)中寫(xiě)入數(shù)據(jù)(DTW)的指令無(wú)條件地執(zhí)行下列動(dòng)作-向升壓電路(HVCT,HGEN,PMP)施加激活信號(hào)(ON1-1),以使產(chǎn)生高電壓(Vhv)，-向存儲(chǔ)器施加寫(xiě)入地址(ADW)和將寫(xiě)入的數(shù)據(jù)(DTW)，以及-向?yàn)榇鎯?chǔ)器提供高電壓(Vhv)的開(kāi)關(guān)電路(SCT)施加激活信號(hào)(WRITE=1)。6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路，其特征在于包含控制單元(CTU2)，其配置成用來(lái)根據(jù)收到的在存儲(chǔ)器(MEM)中寫(xiě)入數(shù)據(jù)(DTW)的指令執(zhí)行下列動(dòng)作-向升壓電路(HVCT,HGEN,PMP)施加激活信號(hào)(ONl=l)，以使其產(chǎn)生高電壓(Vhv)，-向存儲(chǔ)器施加寫(xiě)入地址(ADW)和將寫(xiě)入的數(shù)據(jù)(DTW)，-如果高電壓達(dá)到臨界閾值(Vc)，向?yàn)榇鎯?chǔ)器提供高電壓(Vhv)的開(kāi)關(guān)電路(SCT)施加激活信號(hào)(WRITE=1)，以及-在確定的時(shí)段結(jié)束時(shí)，如果高電壓未達(dá)到臨界閾值(Vc)，不向開(kāi)關(guān)電路(SCT)施加激活信號(hào)(WRITE=1)，并發(fā)送指示高電壓(Vhv)未施加到存儲(chǔ)器的特定的報(bào)告信息(WRITEFAIL)。7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的集成電路，其特征在于包含檢測(cè)電路(THDET)，其監(jiān)測(cè)高電壓并提供檢測(cè)信號(hào)(THR1)，該信號(hào)的值指示高電壓(Vhv)是低于臨界閾值(Vc)、還是高于或等于臨界閾值(Vc)。8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的集成電路，其特征在于包含調(diào)節(jié)電路(THDET，A1)，每次高電壓(Vhv)高于或等于調(diào)節(jié)閾值(Vc)時(shí)，其提供具有有效值(1)的升壓電路的調(diào)節(jié)信號(hào)(THRO。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路，其中臨界閾值等于調(diào)節(jié)閾值(Vc)。10.根據(jù)權(quán)利要求7及8和9中的一項(xiàng)所述的集成電路，其中調(diào)節(jié)信號(hào)(THR1)和檢測(cè)信號(hào)(THR1)相同。11.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的集成電路，其特征在于指示標(biāo)記(THR2)由觸發(fā)器(FF1)存儲(chǔ)，該觸發(fā)器包含第一控制輸入端(SET)，用于賦予標(biāo)記(THR2)表示高電壓(Vhv)已經(jīng)達(dá)到臨界閾值(Vc)的第一值，以及第二控制輸入端(RSET)，用于賦予標(biāo)記表示高電壓(Vhv)尚未達(dá)到臨界閾值(Vc)的第二值。12.根據(jù)權(quán)利要求7和11中的一項(xiàng)所述的集成電路，其中觸發(fā)器的第一控制輸入端(SET)接收檢測(cè)信號(hào)(TH1)。13.根據(jù)權(quán)利要求11和12中的一項(xiàng)所述的集成電路，其中觸發(fā)器的第二輸入端(RSET)接收以下兩種信號(hào)中的至少一種用于解除升壓電路的信號(hào)(/ON1)和/或用于重置集成電路的信號(hào)(POR)。14.芯片卡或電子標(biāo)簽類(lèi)型的便攜式電子物品，包含便攜式支撐和安裝到便攜式支撐或集成到便攜式支撐的、根據(jù)權(quán)利要求1到13中任一項(xiàng)所述的集成電路(IC2)。15.在無(wú)源非接觸式集成電路(IC2)的電可編程非易失性存儲(chǔ)器(MEM)中寫(xiě)入數(shù)據(jù)(DTW)的方法，其特征在于其包含步驟-初始化集成電路的易失性存儲(chǔ)點(diǎn)(FF1)中的指示標(biāo)記(THR2)，-激活(ONl=l)提供在存儲(chǔ)器中寫(xiě)入數(shù)據(jù)(DTW)所必須的高電壓(Vhv)的電荷積聚升壓電路(HVCT，PMP,HGEN)，以及-在激活升壓電路后、當(dāng)高電壓(Vhv)第一次達(dá)到臨界閾值(Vc)時(shí)，改變指示標(biāo)記(THR2)的值。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中只要高電壓(Vhv)未達(dá)到臨界閾值(Vc)，就不將其施加到存儲(chǔ)器(MEM)。17.根據(jù)權(quán)利要求15和16中的一項(xiàng)所述的方法，其特征在于包含無(wú)條件地執(zhí)行針對(duì)在存儲(chǔ)器中寫(xiě)入數(shù)據(jù)(DTW)的預(yù)定級(jí)，然后，如果標(biāo)記(THR2)指示在執(zhí)行預(yù)定級(jí)的過(guò)程中高電壓未達(dá)到臨界閾值(Vc)，則發(fā)送關(guān)于指示標(biāo)記(THR2)的值的報(bào)告信息(WRITEFAIL)。18.根據(jù)權(quán)利要求15至17中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于包含在調(diào)節(jié)閾值(Vc)附近調(diào)節(jié)高電壓(Vhv)的步驟。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于臨界閾值(Vc)等于調(diào)節(jié)閾值(Vc)。20.根據(jù)權(quán)利要求18和19中的一項(xiàng)所述的方法，其中指示標(biāo)記(THR2)通過(guò)觸發(fā)器(FF1)控制，該觸發(fā)器包含檢測(cè)信號(hào)(THR1)施加于其上的控制輸入端(SET)，該檢測(cè)信號(hào)(THRl)的值指示高電壓(Vhv)是低于臨界閾值(Vc)、還是或高于或等于臨界閾值(Vc)。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中在升壓電路未激活時(shí)，觸發(fā)器(FF1)重置。全文摘要本發(fā)明涉及包含電可編程非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(MEM)、用于提供在存儲(chǔ)器中寫(xiě)入數(shù)據(jù)(DTW)所必須的高電壓(Vhv)的電荷積聚升壓電路(HVCT，PMP，HGEN)的無(wú)源非接觸式集成電路(IC2)。根據(jù)本發(fā)明，該集成電路包含易失性存儲(chǔ)點(diǎn)(FF1)，用于存儲(chǔ)指示標(biāo)記(THR2)，以及設(shè)備(THDET，THR1，F(xiàn)F1)，用于在激活升壓電路后、高電壓(Vhv)第一次達(dá)到臨界閾值(Vc)時(shí)，改變指示標(biāo)記(THR2)的值。文檔編號(hào)G11C5/14GK101258553SQ200680032489公開(kāi)日2008年9月3日申請(qǐng)日期2006年8月25日優(yōu)先權(quán)日2005年9月6日發(fā)明者克里多夫·摩爾魯克斯,大衛(wèi)·那拉,皮爾·瑞索,阿曼·卡利申請(qǐng)人:St電子有限公司