專利名稱：：反射膜或半透反射膜用的薄膜及濺射靶材以及光記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及可用作光記錄介質(zhì)、顯示器等中所使用的反射膜或半透反射膜的薄膜，特別涉及即使長(zhǎng)期使用反射率的下降也得到抑制的薄膜以及具備該薄膜作為反射膜或半透反射膜的光記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
：在CD-R/RW、DVD-R/RW/RAM、藍(lán)光光盤等光記錄介質(zhì)和液晶顯示器、有機(jī)發(fā)光顯示器等顯示裝置中，至少形成有l(wèi)層反射膜。例如，圖l是作為光記錄介質(zhì)的例子表示近年來(lái)正在進(jìn)行開發(fā)的HD-DVD(可擦寫型單面2層)的結(jié)構(gòu)的圖。如該例子所示，光記錄介質(zhì)具有除了作為其功能的中心的記錄層之外，還具備保護(hù)層、熱擴(kuò)散層以及反射膜的多層結(jié)構(gòu)。以往的反射膜大多由銀形成。這是因?yàn)殂y的反射率高，比同樣具有高反射率的金便宜。此外，銀由于通過(guò)適當(dāng)?shù)卣{(diào)整其膜厚可具有良好的透光性，所以可以用作半透反射膜，因此在今后所開發(fā)的光記錄介質(zhì)中會(huì)被廣泛使用(參照?qǐng)Dl)。另一方面，銀缺乏耐蝕性，存在因腐蝕變成黑色而使反射率下降的問(wèn)題。作為反射膜腐蝕的主要原因，根據(jù)所采用的介質(zhì)、裝置而不同，例如被光記錄介質(zhì)的記錄層中所采用的有機(jī)染料材料腐蝕，由于長(zhǎng)期使用而出現(xiàn)反射率的下降。此外，顯示器裝置的反射膜可能會(huì)因大氣中的濕度等而發(fā)生反射膜的腐蝕。于是，為了解決銀的耐蝕性的問(wèn)題，開發(fā)了由在銀中添加各種元素而得的銀合金形成的薄膜。例如，專利文獻(xiàn)l中揭示了在銀中添加O.510原子％的釕和0.110原子％的鋁的銀合金，專利文獻(xiàn)2中揭示了在銀中添加有0.54.9原子％的鈀的銀合金等。此外，專利文獻(xiàn)3、專利文獻(xiàn)4中揭示了在Ag中添加有Ca、V、Nb的銀合金等。4專利文獻(xiàn)l:日本專利特開平11-134715號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本專利特開2000-109943號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3:日本專利特開平6-243509號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4:日本專利特開2003-6926號(hào)公報(bào)發(fā)明的揭示將以上的銀合金作為構(gòu)成材料的薄膜在耐蝕性的改善方面有一定的效果。然而，雖然腐蝕的問(wèn)題應(yīng)該得到了解決，但即使是采用銀合金薄膜的光記錄介質(zhì)，也無(wú)法完全抑制反射膜的劣化引起的記錄錯(cuò)誤。此外，伴隨今后對(duì)于記錄速度和記錄密度的進(jìn)一步提高的要求，需要反射率維持特性比以往更好的材料。于是，本發(fā)明的目的在于提供用于構(gòu)成光記錄介質(zhì)、顯示器等的反射膜、半透反射膜的薄膜及其制造方法，該薄膜即使長(zhǎng)期使用反射率也不會(huì)下降，能夠很好地發(fā)揮其功能。為了解決所述課題，本發(fā)明人進(jìn)行了認(rèn)真研究，對(duì)銀薄膜的反射特性的劣化機(jī)理進(jìn)行了研究，認(rèn)為其主要原因不僅在于單純的腐蝕(發(fā)黑)，還在于加熱時(shí)的銀原子的遷移現(xiàn)象。該銀原子的遷移現(xiàn)象是指剛成膜后的平坦的薄膜根據(jù)所附加的環(huán)境條件，構(gòu)成薄膜的銀原子為了達(dá)到能量上非常穩(wěn)定的狀態(tài)而遷移的現(xiàn)象。并且，這時(shí)的銀原子的遷移不限于平面的遷移，大多為三維的行為，因而以接近于球體的多邊形凝集。如果薄膜上形成所述的三維凝集體，則入射到薄膜的激光的反射光向其入射軸方向漫反射，被反射向多個(gè)方向。因此，將這樣的薄膜作為反射膜的光記錄介質(zhì)中，向光記錄裝置的傳感器軸方向的反射率下降，使記錄介質(zhì)發(fā)生錯(cuò)誤。如上所述，銀原子的遷移現(xiàn)象和凝集是與腐蝕不同的現(xiàn)象。在這方面，以往的銀合金被認(rèn)為對(duì)于銀原子的遷移現(xiàn)象并非完全沒有抑制效果。這是因?yàn)榕c銀合金化的金屬原子被認(rèn)為也稍稍具有阻止銀原子的遷移的作用。但是，以往的銀合金特別以耐蝕性等的改善為目的，因此可以說(shuō)不是所有的合金化都對(duì)銀原子的遷移抑制有效。于是，本發(fā)明人研究了抑制薄膜中的銀原子的遷移的方法，對(duì)具有該效果的銀合金進(jìn)行了研究。并且，發(fā)現(xiàn)作為進(jìn)一步的改善對(duì)策，使化合物相分散于銀或銀合金中的方法對(duì)于銀原子的遷移抑制更有效，藉此可以制成反射率維持特性良好的薄膜，從而完成了本發(fā)明。艮P，本發(fā)明是在由銀或銀合金形成的基質(zhì)中分散由鎵、鈀、銅的氮化物、氧化物、復(fù)合氧化物、氮氧化物、碳化物、硫化物、氯化物、硅化物、氟化物、硼化物、氫化物、磷化物、硒化物、碲化物中的至少一種形成的化合物相而成的反射膜或半透反射膜用的薄膜。本發(fā)明中，通過(guò)將由上述的3種金屬的化合物形成的相分散于由銀或銀合金形成的基質(zhì)中，構(gòu)成基質(zhì)的銀原子的遷移受到阻礙，可以維持薄膜的平面性。藉此，即使薄膜受熱，反射率的下降也得到抑制?；衔锵嗟木唧w例子示于表l。如表1所示，這些化合物除了穩(wěn)定存在的化學(xué)計(jì)量學(xué)上為平衡狀態(tài)的化合物組成的化合物之外，還包括化學(xué)計(jì)量學(xué)上為非平衡狀態(tài)的化合物，例如對(duì)于GaN(氮化鎵)，包括Ga,N卜x(0〈x〈1)。<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>0<x<1,0<y<2，0<z<30<a<1.5，0〈b<5另外，本發(fā)明的薄膜可以包含銀的氮化物、氧化物、復(fù)合氧化物、氮氧化物、碳化物、硫化物、氯化物、硅化物、氟化物、硼化物、氫化物、磷化物、硒化物、碲化物中的任一種銀化合物作為化合物相。該銀化合物的具體例子示于表2。該銀化合物除了有意形成的化合物之外，還包括后述的薄膜的制造方法中在上述的鎵等的化合物相形成的同時(shí)生成的化合物。并且，該由銀化合物形成的化合物相也與鎵等的化合物相同樣，具有抑制薄膜的銀原子的遷移的作用。還有，對(duì)于這些銀化合物相，也包括化學(xué)計(jì)量學(xué)上為非平衡狀態(tài)的化合物。氮化物AgN(Ag卜凡)氧化物Ag20,Ag0(Ag卜A)碳化物AgC(Ag卜A)硫化物Ag2S(Ag2-xSx)氟化物AgF(Ag丄)硼化物AgB(Ag,-XBX)硅化物AgSi(Ag卜xSiJ氯化物AgCI(Ag卜xClx)磷化物AgP(Ag，—A)硒化物Ag2Se(Ag2-ySey)碲化物Ag2Te(Ag2—yTey)復(fù)合氧化物Ag肌Ag肌AgV03Ag2Gr04Ag4P207Ag3P040<x<1,0<y<2并且，這些化合物相的含量較好是0.0012.5重量％。為了充分地阻止銀原子遷移，需要0.001重量％以上的化合物相。此外，將2.5重量％作為上限是因?yàn)槿绻^(guò)該值，則薄膜的初始的反射率不足?；衔锵嗟暮扛檬荗.0011.0重量％，特別好是O.0010.5重量％。如果化合物相的含量增加，則反射率下降的抑制效果提高，但反射率存在下降的傾向。化合物相的含量較好是根據(jù)其用途在上述范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)整。還有，以上的化合物相的含量以薄膜整體的重量(基質(zhì)和化合物相的總重量)為基準(zhǔn)。此外，存在銀化合物相時(shí)，化合物相的含量是銀化合物的含量和鎵、鈀、銅的化合物的含量的總和。另外，即使作為化合物相僅存在鎵、鈀、銅的化合物時(shí)，其含量也較好是在上述范圍內(nèi)。此外，化合物相較好是由多種化合物分子構(gòu)成的粒子狀態(tài)的相，但并不局限于該形態(tài)。即，化合物相由至少l種化合物的分子形成即可。對(duì)于化合物相的尺寸，較好是薄膜的厚度的1/10以下。例如，薄膜的厚度為1000A的情況下，較好是100A以下的化合物相，膜厚120A的薄膜中較好是分散12A以下的化合物相。另一方面，本發(fā)明的薄膜的基質(zhì)是純銀或銀合金。本發(fā)明中，雖然銀原子遷移的抑制效果主要是化合物相所具有的，但也無(wú)法忽視合金化產(chǎn)生的作用。此外，即使將純銀作為基質(zhì)，通過(guò)化合物相的作用，也形成具有良好的反射率維持特性的薄膜。于是，將純銀和銀合金作為基質(zhì)。并且，基質(zhì)為銀合金的情況下，該合金較好是銀和鎵、鈀、銅中的至少任一種元素的合金。這些元素是以上最初例舉的構(gòu)成化合物相的金屬元素，但通過(guò)與銀的合金化，也可以抑制銀原子的遷移現(xiàn)象。此外，基質(zhì)為銀合金時(shí)，與銀合金化的金屬的濃度較好是0.0110重量％。這是因?yàn)椴蛔?.01重量％時(shí)，失去合金化的意義；如果超過(guò)10重量%，則薄膜的反射率惡化。并且，該濃度更好是0.015重量％,特別好是0.013.5重量％。還有，這里的金屬濃度以作為基質(zhì)的銀合金的重量為基準(zhǔn)。下面，對(duì)本發(fā)明的薄膜的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。本發(fā)明的反射膜在用于光記錄介質(zhì)、顯示器等時(shí)，較好是厚度為120A1200A的膜。作為這樣的膜厚的薄膜的制造方法，較好是采用濺射法。并且，包含化合物相的薄膜的制造采用濺射法的情況下，其方法可以例舉以下的2個(gè)方面。第l個(gè)方面是使用與需制造的薄膜的結(jié)構(gòu)、構(gòu)成近似的靶材的方法，即使用在由銀或銀合金形成的基質(zhì)中分散由鎵、鈀、銅的氮化物、氧化物、復(fù)合氧化物、氮氧化物、碳化物、硫化物、氯化物、硅化物、氟化物、硼化物、氫化物、磷化物、硒化物、碲化物中的至少一種形成的化合物相而成的靶材。如果采用該方好。在這里，作為本發(fā)明的薄膜制造用的濺射靶材，具體有以下的3種形態(tài)。首先是內(nèi)部化合型靶材。內(nèi)部化合型靶材是指將由銀(純銀)或銀合金形成的原料素材在高壓的氧氣、氮?dú)獾鹊臍夥罩羞M(jìn)行加熱處理，使其內(nèi)部的銀或與銀合金化的金屬部分地化合成氧化物、氮化物等而得的靶材。還有，這時(shí)的原料素材可以是接近靶材的形狀的板狀的材料，也可以將粒狀的材料作為素材使其內(nèi)部化合后，再將其壓縮成形。此外，可以使用燒結(jié)靶材。燒結(jié)靶材是指將銀(純銀)或銀合金的粉末和要分散的化合物的粉末根據(jù)目標(biāo)組成混合，壓縮，成形后，燒結(jié)而得的靶材。該燒結(jié)靶材可以用于通過(guò)上述的內(nèi)部化合型在化合物相的添加濃度存在極限等其制造困難的情況，例如適合于作為化合物相分散有氧化銅、氧化鎵、氮化銅的薄膜的制造。另外，還有埋入型靶材。埋入型靶材是指準(zhǔn)備由純銀或銀合金形成的靶材，在其基于濺射的消耗區(qū)域埋入有由要分散的化合物形成的小片(圓柱形、球形等，對(duì)形狀沒有限定)的靶材。上述的內(nèi)部化合型靶材、燒結(jié)靶材如圖2(a)所示微觀上具有與需制造的薄膜接近的組成、結(jié)構(gòu)，而該靶材如圖2(b)所示宏觀上與需制造的薄膜接近。該靶材可以通過(guò)埋入的化合物小片的直徑、配置位置、個(gè)數(shù)、濺射率來(lái)控制所制造的薄膜的組成。以上的3種耙材中，化合物相的含量理想的是采用與要制造的薄膜相同的組成。因此，化合物的含量較好是0.0012.5重量％，更好是0.001L0重量％，特別好是0.0010.5重量％。這些靶材的化合物相的尺寸沒有特別限定，可以與需制造的薄膜同樣是分子水平，也可以像埋入型的靶材那樣為毫米級(jí)。這是因?yàn)椴徽摶衔锵嗟某叽缛绾危跒R射時(shí)，化合物都以分子單位被濺射而形成目標(biāo)組成的薄膜。此外，該靶材理想的是采用與要制造的薄膜相同的構(gòu)成，所以形成基質(zhì)的銀合金較好是銀和鎵、鈀、銅中的至少任一種元素的合金。并且，鎵等合金金屬的濃度較好是0.0110重量％，更好是0.015重量％，特別好是O.013.5重量％。用于制造本發(fā)明的薄膜的第2個(gè)方面是改良濺射的方法。該方法中，主要使用的耙材是一般的純銀靶材或銀合金耙材，不是像上述第l方面那樣的特殊的靶材。并且，在該第2個(gè)方面，具體可以采用以下的2種方法。首先，是使用多種靶材的同時(shí)濺射。它是使用由與構(gòu)成薄膜的相同樣組成的化合物、金屬形成的多種靶材，同時(shí)進(jìn)行濺射的方法。例如，使用純銀靶材或銀合金靶材和氧化鎵(Ga203)靶材這2種靶材，將它們一起配置于處理室內(nèi)，同時(shí)進(jìn)行濺射，從而可以制造在銀或銀合金中分散有由氧化鎵形成的化合物相的薄膜。該方法是可用于難以制造如上所述的內(nèi)部化合型靶材等特殊耙材的情況的方法。此外，在該第2個(gè)方面，特別有用的是反應(yīng)性濺射的釆用。反應(yīng)性濺射是指在濺射的氣氛中加入氧、氮等反應(yīng)性氣體進(jìn)行濺射，使來(lái)自靶材的濺射粒子全部或部分氧化、氮化的同時(shí)，形成薄膜。反應(yīng)性濺射是可以用于分散于薄膜中的化合物的價(jià)格高、難以獲得、化學(xué)上難以制造的情況。對(duì)于該反應(yīng)性濺射，可以單獨(dú)采用，也可以與其它方法組合。例如，使用上述的特殊的一體型靶材，即，使用內(nèi)部化合靶材、燒結(jié)靶材、埋入型耙材的情況下，預(yù)測(cè)單獨(dú)使用這些靶材時(shí)化合物的分散量不足的時(shí)候，可以通過(guò)在氣氛中導(dǎo)入反應(yīng)性氣體，使化合物的含量增加。此外，采用同時(shí)濺射的薄膜制造中，也可以通過(guò)組合反應(yīng)性濺射來(lái)調(diào)整化合物量。附圖的簡(jiǎn)單說(shuō)明圖1是表示HD-DVD的結(jié)構(gòu)例的圖。圖2是表示用于制造本發(fā)明的反射膜、半透反射膜的濺射靶材的具體例子的圖。實(shí)施發(fā)明的最佳方式本實(shí)施方式中，首先制造內(nèi)部化合型、燒結(jié)型、埋入型這3種靶材。并且，除了使用這些靶材的薄膜的制造之外，還進(jìn)行基于同時(shí)濺射法、反應(yīng)性濺射法的薄膜制造。還有，以下的說(shuō)明中，表示靶材和薄膜的組成時(shí)，如基質(zhì)/化合物相這樣，"/"的前面的部分是基質(zhì)，后面的部分表示化合物相。此外，基質(zhì)為銀合金時(shí)的合金元素濃度表示作為基質(zhì)的銀合金中的重量％。例如，lO號(hào)試樣的Ag-lO.Owt%Ga/l.0wt^Cii3N是指以Ag-10.Owt^Ga組成的銀合金為基質(zhì)，在其中以薄膜(靶材)整體的重量為基準(zhǔn)分散有1.0重量％的Cu.,N的薄膜(靶材)。A:濺射靶材的制造(a)內(nèi)部化合型耙材準(zhǔn)備5.Okg粒徑l.03.Omm的粒狀的Ag-2.Owt^Ga合金原料，將其加入高壓反應(yīng)釜，將釜的內(nèi)部用氮?dú)獬浞种脫Q后，加壓、升溫至氮?dú)鈮?.8MPa、溫度80(TC，在該狀態(tài)下保持48小時(shí)，對(duì)Ga進(jìn)行內(nèi)部氮化。接著，退火后取出，裝填于模具，在75(TC高壓擠出來(lái)進(jìn)行一體成形。成形后，進(jìn)行鍛造、壓延而加工成板材(尺寸160mmX160mmX6ram)。接著，對(duì)其進(jìn)行切削加工，制成標(biāo)準(zhǔn)尺寸(直徑152mm(6英寸)，厚5mra)的濺射靶材。該靶材的組成為以銀為基質(zhì)，以2.5重量X的氮化鎵為化合物相的Ag/2.5wt%GaN，對(duì)應(yīng)于后述的1號(hào)試樣。作為內(nèi)部化合型靶材，除了上述之外，還制造了Ag/1.0wt^Cu3N(2號(hào)試樣)。對(duì)于該2號(hào)試樣的靶材，以Ag-0.93wt^Cu合金為原料，在氮?dú)鈮篛.5MPa、溫度75(TC、保持時(shí)間24小時(shí)的條件下進(jìn)行內(nèi)部氮化。(b)燒結(jié)型靶材準(zhǔn)備粒徑都為50100um的Ag-10.Owt^Ga合金粉末和氮化銅粉末，將其按目標(biāo)組成進(jìn)行稱量，充分混合后填充于碳制的模具，進(jìn)行壓縮*成形后，在真空燒結(jié)爐中于75(TC燒結(jié)8小時(shí)而一體化。燒結(jié)后，為了進(jìn)一步使致密度提高而進(jìn)行鍛造、壓延，再進(jìn)行切削加工，制成與上述相同的標(biāo)準(zhǔn)尺寸的濺射靶材。該靶材的組成為Ag-10.0wt%Ga/1.0wt%Cu3N，對(duì)應(yīng)于后述的10號(hào)試樣。作為燒結(jié)型靶材，改變銀合金粉末和化合物粉末，除了上述之外，還制造了對(duì)應(yīng)于39、11、12號(hào)試樣的靶材。(c)埋入型耙材準(zhǔn)備標(biāo)準(zhǔn)尺寸(直徑152mm(6英寸),厚5mm)的由Ag-3.Owt%Ga-0.5wtXCu合金形成的圓板，在其直徑80mm的圓周上等間隔地于3處進(jìn)行穿孔而形成直徑1.05mm的圓孔，在該圓孔中插入直徑1.0mm、長(zhǎng)5mm的由氧化鎵(Ga203)形成的圓棒。接著，從周邊進(jìn)行斂縫加工而固定圓棒，使圓棒不會(huì)脫落，制成埋入型靶材。該靶材的組成相當(dāng)于Ag-3.0wt%Ga-0.5wt%Cu/l.0wt%Ga203，對(duì)應(yīng)于后述的13號(hào)試樣。對(duì)于埋入型耙材，除了上述之外，改變圓板的合金組成和埋入的圓棒的組成、根數(shù)，還制造了對(duì)應(yīng)于1419號(hào)試樣的靶材。B.薄膜的制造使用上述的各種靶材，并且采用同時(shí)濺射法、反應(yīng)性濺射法來(lái)制造薄膜。在這里，在DVD用的聚碳酸酯基板上制造薄膜。該基板是通過(guò)具備形成有預(yù)格式化圖案的母盤的注塑成形機(jī)制成的基板(直徑120mm，板厚0.6mm)。接著，在該基板的上表面通過(guò)各方法以120A的膜厚形成了反射膜。(i)使用上述(a)(c)中制成的3種耙材，在聚碳酸酯基板上形成薄膜。將各靶材設(shè)置于濺射室內(nèi)并抽真空后，導(dǎo)入氬氣至5.0X10—'Pa。接著，使基板位置在靶材正下方呈靜止?fàn)顟B(tài)，以直流0.4kW進(jìn)行8秒的濺射。還有，膜厚分布在±10%以內(nèi)。(ii)同時(shí)濺射將Ag-l.Owt%Pd-1.Owt^Cu組成的銀合金靶材、市售的氧化鎵靶材和氧化鈀靶材這3塊靶材設(shè)置于自濺射裝置的中心軸半徑160mm的同心圓上的分割成的3份的位置。接著，將裝置內(nèi)抽真空后，導(dǎo)入氬氣至5.0X10—卞a。然后，將基板承載于轉(zhuǎn)臺(tái)中央部并使其以10rpm旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，對(duì)銀合金靶材施加直流0.99kW的濺射電力，對(duì)氧化鎵靶材施加高頻O.lkW的濺射電力，對(duì)氧化鈀耙材施加高頻0.03kW的濺射電力，進(jìn)行8秒的濺射。這里所制成的薄膜的組成為Ag-1.Owt%Pd-1.Owt%Cu/0.lwt%Ga203-0.lwt%PdO，對(duì)應(yīng)于后述的23號(hào)試樣。該同時(shí)濺射中，可以通過(guò)改變銀合金靶材的種類和與之組合的靶材的種類來(lái)調(diào)整薄膜的組成，本實(shí)施方式中2022、2443號(hào)試樣的薄膜也通過(guò)該方法制成。(iii)反應(yīng)性濺射將Ag-0.8wt%Ga-1.OwtXCu組成的銀合金耙材和Ag-1.Owt%Ga-1.OwtXCu組成的銀合金靶材這2塊靶材設(shè)置于濺射裝置中并抽真空后，導(dǎo)入氬氣至5.0X10—卞a。然后，導(dǎo)入作為反應(yīng)性氣體的氮?dú)?。氮?dú)獾姆謮簽?.0XlO,a。接著，將基板承載于轉(zhuǎn)臺(tái)中央部并使其以10rpm旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，對(duì)各12靶材施加直流0.5kW的濺射電力，進(jìn)行8秒的濺射。這里所制成的薄膜的組成為Ag-0.8wt%Ga-1.Owt%Cu/l.Owt%GaN，對(duì)應(yīng)于后述的48號(hào)試樣。反應(yīng)性濺射中，可以通過(guò)增減靶材的種類、反應(yīng)氣體的分壓、使用2種以上的靶材時(shí)的各靶材的濺射電力來(lái)調(diào)整薄膜的組成，本實(shí)施方式中4447、49117號(hào)試樣的薄膜通過(guò)該方法制成。C.薄膜的評(píng)價(jià)將如上所述在聚碳酸酯基板上形成了薄膜的材料作為DVD介質(zhì)，通過(guò)評(píng)價(jià)其特性來(lái)進(jìn)行薄膜的評(píng)價(jià)。評(píng)價(jià)中，采用光盤評(píng)價(jià)裝置(帕爾斯太克工業(yè)株式會(huì)社(八°々只亍y夕工業(yè))制光盤評(píng)價(jià)裝置ODU-1000)，測(cè)定了制造后的初始狀態(tài)下的抖動(dòng)值、PI錯(cuò)誤、PO失敗、反射率，確認(rèn)它們?cè)贒VD標(biāo)準(zhǔn)的范圍內(nèi)。接著，進(jìn)行將DVD介質(zhì)暴露于溫度8(TC、相對(duì)濕度85%的環(huán)境中500小時(shí)的加速環(huán)境試驗(yàn)，對(duì)于加速環(huán)境試驗(yàn)后的DVD介質(zhì)用評(píng)價(jià)裝置測(cè)定各值。其結(jié)果示于表36。表中也一并表示了對(duì)將純銀作為反射膜的DVD介質(zhì)進(jìn)行同樣的試驗(yàn)時(shí)的結(jié)果。[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>*1"/"的前面的部分表示形成基質(zhì)的銀或銀合金，后面的部分表示化合物相*2薄腠制造方法如下:使用內(nèi)部化合型把材b:使用燒結(jié)型耙材c:使用埋入型靶材<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>[表5]<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>*1"/"的前面的部分表示形成基質(zhì)的銀或銀合金，后面的部分表示化合物相*2薄腠制造方法如下:使用內(nèi)部化合型靶材:使用燒結(jié)型靶材:使用埋入型靶材:同時(shí)濺射:反應(yīng)性ll射<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>錄裝置識(shí)別，無(wú)法使用。產(chǎn)業(yè)上利用的可能性如上所述，本發(fā)明的薄膜即使長(zhǎng)期使用反射率的下降也少，可以延長(zhǎng)光記錄介質(zhì)、顯示器等采用反射膜的各種裝置的壽命。此外，本發(fā)明的反射膜的反射率維持特性受入射光波長(zhǎng)的影響也少。在這方面，光記錄介質(zhì)的領(lǐng)域中，如使用藍(lán)色激光的HD-DVD的開發(fā)等，記錄用光源不斷短波長(zhǎng)化。本發(fā)明也可以應(yīng)對(duì)這樣的技術(shù)。例如，用于光記錄介質(zhì)的情況下，具有減少錯(cuò)誤數(shù)、延長(zhǎng)壽命的優(yōu)點(diǎn)。還有，本發(fā)明中，反射膜只要是具有反射光的功能即可，也包括具備透光性的薄膜。因此，也可以用于光記錄介質(zhì)中所采用的半反半透膜。權(quán)利要求1.反射膜或半透反射膜用的薄膜，其特征在于，在由銀或銀合金形成的基質(zhì)中分散由鎵、鈀、銅的氮化物、氧化物、復(fù)合氧化物、氮氧化物、碳化物、硫化物、氯化物、硅化物、氟化物、硼化物、氫化物、磷化物、硒化物、碲化物中的至少一種形成的化合物相而成。2.如權(quán)利要求l所述的反射膜或半透反射膜用的薄膜，其特征在于，作為化合物相，還分散有銀的氮化物、氧化物、復(fù)合氧化物、氮氧化物、碳化物、硫化物、氯化物、硅化物、氟化物、硼化物、氫化物、磷化物、硒化物、碲化物中的至少一種。3.如權(quán)利要求1或2所述的薄膜，其特征在于，化合物相的含量為0.0012.5重量％。4.如權(quán)利要求1或2所述的薄膜，其特征在于，化合物相的含量為0.0011.0重量。Z。5.如權(quán)利要求1或2所述的薄膜，其特征在于，化合物相的含量為0.0010.5重量％。6.如權(quán)利要求15中的任一項(xiàng)所述的反射膜或半透反射膜用的薄膜，其特征在于，基質(zhì)為銀合金，所述銀合金為銀和鎵、鈀、銅中的至少任一種的合金。7.如權(quán)利要求6所述的反射膜或半透反射膜用的薄膜，其特征在于，與銀合金化的鎵、鈀、銅的濃度為0.0110重量％。8.如權(quán)利要求6所述的反射膜或半透反射膜用的薄膜，其特征在于，與銀合金化的鎵、鈀、銅的濃度為0.015重量％。9.如權(quán)利要求6所述的反射膜或半透反射膜用的薄膜，其特征在于，與銀合金化的鎵、鈀、銅的濃度為0.013.5重量％。10.濺射靶材，其特征在于，在由銀或銀合金形成的基質(zhì)中分散由鎵、鈀、銅的氮化物、氧化物、復(fù)合氧化物、氮氧化物、碳化物、硫化物、氯化物、硅化物、氟化物、硼化物、氫化物、磷化物、硒化物、碲化物中的至少一種形成的化合物相而成。11.如權(quán)利要求10所述的濺射靶材，其特征在于，化合物相包含銀的氮化物、氧化物、復(fù)合氧化物、氮氧化物、碳化物、硫化物、氯化物、硅化物、氟化物、硼化物、氫化物、磷化物、硒化物、碲化物中的至少一種。12.如權(quán)利要求10或11所述的濺射靶材，其特征在于，化合物相的含量為O.0012.5重量％。13.如權(quán)利要求10或11所述的濺射靶材，其特征在于，化合物相的含量為O.0011.0重量％。14.如權(quán)利要求10或11所述的濺射靶材，其特征在于，化合物相的含量為O.0010.5重量％。15.如權(quán)利要求1014中的任一項(xiàng)所述的濺射靶材，其特征在于，基質(zhì)為銀合金，所述銀合金為銀和鎵、鈀、銅中的至少任一種的合金。16.如權(quán)利要求15所述的濺射靶材，其特征在于，與銀合金化的鎵、鈀、銅的濃度為0.0110重量％。17.如權(quán)利要求15所述的濺射靶材，其特征在于，與銀合金化的鎵、鈀、銅的濃度為0.015重量％。18.如權(quán)利要求15所述的濺射靶材，其特征在于，與銀合金化的鎵、鈀、銅的濃度為0.013.5重量％。19.光記錄介質(zhì)，其特征在于，具備權(quán)利要求19中的任一項(xiàng)所述的薄膜作為反射膜或半透反射膜。全文摘要本發(fā)明是在由銀或銀合金形成的基質(zhì)中分散由鎵、鈀、銅的氮化物、氧化物、復(fù)合氧化物、氮氧化物、碳化物、硫化物、氯化物、硅化物、氟化物、硼化物、氫化物、磷化物、硒化物、碲化物中的至少一種形成的化合物相而成的反射膜或半透反射膜用的薄膜。作為薄膜中的化合物相，除上述之外，還可以包含銀的氮化物、氧化物、復(fù)合氧化物、氮氧化物、碳化物、硫化物、氯化物、硅化物、氟化物、硼化物、氫化物、磷化物、硒化物、碲化物中的至少一種。本發(fā)明的薄膜即使長(zhǎng)期使用反射率的下降也少，可以延長(zhǎng)光記錄介質(zhì)、顯示器等采用反射膜的各種裝置的壽命。此外，也可以用于光記錄介質(zhì)中所采用的半反半透膜。文檔編號(hào)G11B7/258GK101460873SQ200680054819公開日2009年6月17日申請(qǐng)日期2006年11月17日優(yōu)先權(quán)日2006年11月17日發(fā)明者小幡智和,柳原浩申請(qǐng)人:田中貴金屬工業(yè)株式會(huì)社