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      具有精確定位微致動器的磁頭折片組合的特性測試方法

      文檔序號:6778835閱讀:204來源:國知局
      專利名稱:具有精確定位微致動器的磁頭折片組合的特性測試方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種測試具有精確定位微致動器的磁頭折片組合(HGA, head gimbal assembly)的特性的方法,其中所述微致動器用于精確定位磁盤驅(qū)動單元 中的滑塊,更具體地,本發(fā)明涉及一種測試所迷^f敬致動器的位移特性的方法。
      背景技術(shù)
      一種常見類型的信息存儲單元為磁盤驅(qū)動單元。所述磁盤驅(qū)動單元使用磁 性媒介存儲數(shù)據(jù),并使用一位于所述磁性媒介上方的可移動讀/寫頭來選擇性地 從所述磁性介媒上讀取或向磁性媒介寫入數(shù)據(jù)。
      消費(fèi)者總是希望這類磁盤驅(qū)動系統(tǒng)單元的存儲容量不斷增加,同時(shí)希望其 讀寫速度更快更精確。因此磁盤驅(qū)動單元制造商一直致力于開發(fā)具有較高存儲 容量的磁盤系統(tǒng),比如通過減少磁盤上的磁道寬度或磁道間距的方式增加》茲道 的密度,進(jìn)而間接增加磁盤的存儲容量。然而,隨著磁道密度的增加,對讀寫 頭的位置控制精度也必須相應(yīng)的提高,以便在高密度磁盤中實(shí)現(xiàn)更快更精確的 讀寫操作。隨著磁道密度的增加,使用傳統(tǒng)技術(shù)來實(shí)現(xiàn)更快更精確地將讀寫頭 定位于磁盤上期望的磁道上變得越來越困難。因此,磁盤驅(qū)動單元制造商一直 尋找提高對讀寫頭位置控制的方式,以便利用不斷增加的磁道密度所帶來的益 處。
      一種被磁盤驅(qū)動單元制造商有效利用的方法是采用音圈馬達(dá)(VCM, voice-coil motor)來提高讀寫頭在高密度磁盤上位置控制的精度。參見圖la, — 種使用音圈馬達(dá)的傳統(tǒng)磁盤驅(qū)動單元典型地具有一個(gè)驅(qū)動臂104、 一個(gè)連接到并 安裝在所述驅(qū)動臂104上的磁頭折片組合106、懸置在所述磁頭折片組合106上 的磁盤101以及旋轉(zhuǎn)所述磁盤101的主軸馬達(dá)102。所述音圈馬達(dá)以附圖標(biāo)記
      105表示并連接到所述驅(qū)動臂104上,以控制所述驅(qū)動臂104的運(yùn)動,進(jìn)而控制 所述磁頭折片組合106上的滑塊103定位在所述磁盤101的表面的磁道上,最 終使得所述滑塊103內(nèi)的讀寫頭能從所述磁盤101上讀取數(shù)據(jù)或者把數(shù)據(jù)寫到 所述^f茲盤101上。音圏馬達(dá)105如此地執(zhí)行調(diào)整讀寫頭的位置。然而,由于所 述音圈馬達(dá)105的大慣性,其具有有限的帶寬,因此所述音圈馬達(dá)105對所述 讀寫頭相對于所述磁道的位置控制達(dá)不到足夠的精度,因此所述滑塊103不能 得到快速精確的位置控制,這相應(yīng)地影響了所述讀寫頭在所述^f茲盤101上的讀 寫性能。
      為了解決上述問題, 一個(gè)附加致動器機(jī)制,例如壓電(PZT, piezoelectric) 微致動器,被引進(jìn)到所述磁盤驅(qū)動單元中以改善滑塊的移位,因此所述磁盤驅(qū) 動單元形成了雙階致動器(DSA, dual stage actuator)。參考圖2a和2b,所述磁 盤驅(qū)動單元使用壓電微致動器205作為附加致動器。所述壓電微致動器205安 裝在所述磁盤驅(qū)動單元的磁頭折片組合106中。詳細(xì)地,所述磁頭折片組合106 具有一個(gè)懸臂件207以懸置所述滑塊103。所述壓電微致動器205安裝在所述懸 臂件207的舌片上,并且局部包含所述滑塊103。若干電連接球215 (金球焊接 或者錫球焊接,GBB or SBB, gold ball bonding or solder ball bonding)把所述壓 電微致動器205電性連接到相應(yīng)懸臂線纜225上。若干電連接球213把所述滑 塊103電性連接到相應(yīng)懸臂線纜223上。所述懸臂線纜223、 225與控制系統(tǒng)(圖 未示)電性連接。所述控制系統(tǒng)控制所述滑塊103和所述壓電微致動器205。
      參見圖2c和2d,所述壓電微致動器205包括一個(gè)U形框架297。所述U形 框架297包括兩個(gè)邊臂205a、 205b。所述邊臂205a具有壓電元件235a;所述邊 臂205b具有壓電元件235b。所述滑塊在其連接點(diǎn)206處通過環(huán)氧膠212與所述 壓電微致動器205的兩個(gè)邊臂205a、 205b機(jī)械連接。所述U形框架297的底部 連接到所述懸臂件207的舌片上。所述滑塊103和所述框架297相互組成一個(gè) 矩形鏤空結(jié)構(gòu)。所述滑塊103和所述邊臂205a、 205沒有直接連接到所述懸臂 件207的舌片上,因此使得所述滑塊103和所述邊臂205a、 205b能相對于所述 懸臂件207的舌片自由移動。參考圖2e,當(dāng)正弦電壓通過懸臂線纜223、 225施 加到壓電微致動器205上時(shí),所述壓電元件235a、 235b將會擴(kuò)張或者收縮,引起所述邊臂205a、 205b向相同的側(cè)面方向彎曲。這就是說,當(dāng)正弦電壓輸入到 所述壓電元件205a、 235b上時(shí),在第一個(gè)半周期內(nèi)所述邊臂205a將會朝向所述 外側(cè)300a彎曲;而在第二個(gè)半周期內(nèi)所述邊臂205b將會朝向外側(cè)300b彎曲。 結(jié)果初始矩形鏤空結(jié)構(gòu)變成近似于平行四邊形,使所述滑塊103發(fā)生側(cè)向平移, 通過這種方式成功地調(diào)整滑塊的位置。因此,所述壓電微致動器205使較小的 記錄磁道寬度以及較高的磁道密度(TPI值,"tracks-per-inch" value,每英寸所 含的磁道數(shù)量)可行,并因此創(chuàng)造了提高表面記錄密度的可能性。
      為了測試所述雙階制動器的位移特性以確定所述雙階制動器是否具有調(diào)整 能力,現(xiàn)有技術(shù)提供了一種交流(AC, Alternative Current)測試方法。所述交流 測試方法通過讀寫測試4義(R/W tester, Read/Write tester) -使用磁頭在磁盤上讀 寫信息。參考圖3a,當(dāng)正弦電壓施加到所述微致動器時(shí)執(zhí)行寫操作,這時(shí)一個(gè) 非環(huán)形磁道將被記錄到所述磁盤101上。所述讀寫測試儀能沿著磁盤轉(zhuǎn)動方向 在磁盤101的石茲道之每個(gè)偏離軌道方向上進(jìn)行讀出信息的掃描。所述讀出信息 或者輸出amp(Xm,yn)是二維的,其中xm表示某一偏離;茲道位置,y。表示某一磁 盤旋轉(zhuǎn)位置。參考圖3b,在一個(gè)給定的磁盤旋轉(zhuǎn)位置yn位于偏離磁道位置Xm 處的讀出信息amp(Xm,yt)是最大的。圖3c展示了三個(gè)響應(yīng)曲線501,、 502,、 503,, 分別表示在給定磁盤旋轉(zhuǎn)位置501、 502、 503處的輸出幅度。通過標(biāo)制磁盤旋
      轉(zhuǎn)位置yi, y2, y3…yn上讀出信息最大處的偏離磁道位置,并連接這些標(biāo)制點(diǎn),
      可以得到磁盤上的位移曲線150。所述曲線150表明了磁信息的中心線。從圖 3c中可以看出,所述曲線150是三個(gè)響應(yīng)曲線501,、 502,、 503,的最大輸出幅 度點(diǎn)505、 506、 507的標(biāo)制圖。所述位移曲線150對應(yīng)于寫操作中的致動器的 位移。因此,致動器響應(yīng)輸入的交流電壓的響應(yīng)特性被測定。
      然而,所述測試方法引起了很多問題。參考圖3b,如果所述交流電壓的幅 度非常小,例如小于5伏特,確定點(diǎn)505、 506、 507的位置是非常困難的,由 此所述位移數(shù)值難以判斷,所以所述測試方法存在測量精度問題。并且,參考 圖3d,當(dāng)交流電壓的幅度很小時(shí),找尋最大幅度位置508、 509非常困難,因此 妨礙標(biāo)制位移曲線,從而不能測試出所述雙階驅(qū)動器的位移特性,這也是現(xiàn)有 方法的第二個(gè)不利因素。也就是說,所述現(xiàn)有方法在位移測量方面具有局限性,
      特別是在低工作電壓的情況下這種缺陷尤為突出。第三,由于需要讀寫測試儀 測試二維的讀出信息,所以現(xiàn)有技術(shù)是十分復(fù)雜的,這就不可避免地并且很不 利地延長了測試時(shí)間并因此使得測試耗費(fèi)非常高。
      因此,有必要提供一種磁頭折片組合的改進(jìn)的特性測試方法來克服上述缺陷。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的是提供一種測試磁頭折片組合特性的方法,所述方法能在低 工作電壓條件下精確測試所述磁頭折片組合的微致動器的位移特性,同時(shí)所述 方法流程筒單且用時(shí)較短。
      為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種測試磁頭折片組合特性的方法。所 述磁頭折片組合包括磁頭和用于精確地把所述磁頭關(guān)于磁性媒介定位的微致動
      器。所述測試磁頭折片組合特性的方法包括如下步驟(l)寫初始磁道信息到 所述磁性媒介上,讀出所述初始磁道信息,測量讀出的初始磁道信息的初始磁 道平均振幅分布(TAA, track average amplitude),以及根據(jù)所述初始磁道平均振 幅分布計(jì)算磁道中心值OFFSET 1; ( 2)判斷將被施加到所述微致動器的工作直 流(DC, direct current)電壓是否高于一閥值,如果不是,執(zhí)行步驟(3)-(6),如果 是,轉(zhuǎn)到步驟(7); (3)把所述磁頭朝偏離磁道方向移動一預(yù)定距離D; (4) 施加所述工作直流電壓到所述微致動器以驅(qū)動所述微致動器在正方向位移,同 時(shí)寫第一磁道信息到所述磁性媒介上,讀出所述第一磁道信息,測量讀出的第 一磁道信息的第一磁道平均振幅分布,以及根據(jù)所述第 一磁道平均振幅分布計(jì) 算磁道中心值OFFSET 2; ( 5 )施加所述工作直流電壓到所述微致動器以驅(qū)動所 述微致動器在負(fù)方向位移,同時(shí)寫第二磁道信息到所述磁性媒介上,讀出所述 第二磁道信息,測量讀出的第二磁道信息的第二磁道平均振幅分布,以及根據(jù) 所述第二磁道平均振幅分布計(jì)算磁道中心值OFFSET3; (6 )根據(jù)公式((OFFSET 2-OFFSET l-D)+(D-(OFFSET3-OFFSET l)))/2計(jì)算所述微致動器的位移;(7)施 加所述工作直流電壓到所述微致動器以驅(qū)動所述微致動器在正方向位移,同時(shí)
      寫第一磁道信息到所述磁性媒介上,讀出所述第一磁道信息,測量讀出的第一 磁道信息的第 一磁道平均振幅分布,以及根據(jù)所迷第 一磁道平均振幅分布計(jì)算
      石茲道中心值OFFSET 2,; (8)施加所述工作直流電壓到所述《效致動器以驅(qū)動所 述微致動器在負(fù)方向位移,同時(shí)寫第二磁道信息到所述磁性媒介上,讀取所述 第二磁道信息,測量讀出的第二磁道信息的第二磁道平均振幅分布,以及根據(jù) 所述第二磁道平均振幅分布計(jì)算磁道中心值OFFSET3,; (9)根據(jù)公式(OFFSET 2'+OFFSET 3,)/2計(jì)算所述微致動器的位移。 較佳地,所述閥值等于5伏特。
      可選地,所述磁道平均振幅分布是用動態(tài)特性測試儀(DP tester, Dynamic Performance tester)或者讀寫測試儀(R/W tester, read/write tester)測量得到的。
      作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例,所述預(yù)定距離D ^fc沒置成與所述工作直流電壓 成反比
      與現(xiàn)有方法相比,本發(fā)明除了能在高工作電壓條件下獲得所述磁頭折片組 合的微致動器的位移特性之外,當(dāng)?shù)凸ぷ麟妷菏┘拥剿鑫⒅聞悠鲿r(shí),本發(fā)明 能通過把磁頭朝偏離vf茲道方向移動一個(gè)預(yù)定距離D來測量所述微致動器的位 移。因此,本方法可以容易地并清楚地找出各個(gè)磁道中心值,并因此提供精確 的測量。另外,不論工作電壓的幅度大小,本發(fā)明的位移特性測試方法只需要 計(jì)算三個(gè)數(shù)據(jù),即低工作電壓下的磁道中心值OFFSET 1、 OFFSET 2、 OFFSET 3,或高工作電壓下的磁道中心值OFFSET 1、 OFFSET2'、 OFFSET3'。因此, 本發(fā)明方法的流程更簡單。并且,由于本發(fā)明的方法能容易找出各個(gè)軌道中心 值,因此找尋操作時(shí)間降低,所以本方法的測試時(shí)間大大縮短,尤其是把簡單 的三個(gè)數(shù)據(jù)計(jì)算流程考慮在內(nèi)時(shí)。
      通過以下的描述并結(jié)合附圖,本發(fā)明將變得更加清晰,這些附圖用于解釋 本發(fā)明的實(shí)施例。


      圖1展示了現(xiàn)有技術(shù)中典型的磁盤驅(qū)動單元的結(jié)構(gòu),其中音圈馬達(dá)用于對 讀寫頭進(jìn)行位置控制。
      圖2a詳細(xì)展示了圖1所述磁盤驅(qū)動單元的典型的磁頭折片組合,其中壓電 微致動器用于對讀寫頭進(jìn)行精確位置控制。
      圖2b展示了圖2a所述磁頭折片組合的詳細(xì)結(jié)構(gòu),特別展示了壓電微致動 器相對于磁頭折片組合中的磁頭和懸臂件的位置。圖2c是圖2b所示壓電微致動器的立體圖。圖2d展示了圖2b中把所述滑塊安裝到所述壓電微致動器上的詳細(xì)流程。 圖2e示意性地展示了壓電微致動器的位置控制原理。
      圖3a是一個(gè)示意圖,說明了使用傳統(tǒng)交流測試方法,通過施加交流電壓來 驅(qū)動壓電微致動器,從而對磁盤執(zhí)行寫操作。
      圖3b是一個(gè)示意圖,說明了在某一位置沿著磁盤旋轉(zhuǎn)方向或者磁道方向之 讀出信息的幅度或者輸出幅度最大處的偏離磁道位置。圖3c是一個(gè)示意圖,示意性地展示圖3a所示交流測試方法,并詳細(xì)說明了 為什么寫到所述磁盤上的磁道的中心線能夠通過對讀出信息幅度或者輸出的最 大位置處的偏離磁道位置進(jìn)行標(biāo)制并連接所述標(biāo)制位置而得到。
      圖3d對圖3a所示交流測試方法在確定位移的難度上進(jìn)行了詳細(xì)說明。圖4展示了用于本發(fā)明磁頭折片組合特性測試的具有磁折片組合的磁盤驅(qū) 動器的整體結(jié)構(gòu)。圖5為本發(fā)明/f茲頭折片組合特性測試方法測試圖4所示石茲頭折片組合的一 個(gè)實(shí)施例的流程圖。圖6a展示了圖5所示實(shí)施例中通過磁道分布測量所獲得的低壓初始磁道平 均振幅分布、第一低壓^f茲道平均振幅分布以及第二低壓^f茲道平均振幅分布。圖6b展示了圖5所示實(shí)施例中通過磁道分布測量所獲得的高壓初始磁道平 均振幅分布、第一高壓磁道平均振幅分布以及第二高壓》茲道平均振幅分布。圖7是圖5所示實(shí)施例使用動態(tài)特性測試儀測量的直流位移與使用傳統(tǒng)激 光多普勒振動測量方法測試的直流位移二者之間相關(guān)性的圖表。
      具體實(shí)施例方式
      現(xiàn)在參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例,附圖中類似的元件標(biāo)號代表類似的元 件。如上所述,本發(fā)明提供了一種測試磁頭折片組合特性的方法。所述磁頭折 片組合包括磁頭和用于精確地把所述磁頭關(guān)于磁性媒介定位的微致動器。本發(fā) 明方法的關(guān)鍵是分別在不驅(qū)動微致動器、施加工作直流電壓在正方向上驅(qū)動微 致動器以及施加工作直流電壓在負(fù)方向上驅(qū)動微致動器的條件下獲得三個(gè)磁道 中心值,最后對所述三個(gè)磁道中心值進(jìn)行計(jì)算,最終以一種簡單的方式獲得所 述微致動器的位移特性。而且,本方法能在低工作電壓條件下測試所述磁頭折 片組合的特性,這是通過把磁頭朝偏離磁道方向移動一個(gè)預(yù)定距離來實(shí)現(xiàn)的, 這種操作有助于確定所述三個(gè)磁道中心值,進(jìn)而確保本方法具有精確的測量功
      能。另外,本方法由于流程簡單而能減少測量時(shí)間。
      圖4展示了用于本發(fā)明磁頭折片組合特性測試的具有磁折片組合的磁盤驅(qū) 動器的整體結(jié)構(gòu)。所述磁盤驅(qū)動器包括具有滑塊卯3的磁頭折片組合906、連接 所述磁頭折片組合906的驅(qū)動臂904、控制所述驅(qū)動臂904的音圏馬達(dá)905、磁 盤901以及旋轉(zhuǎn)所述磁盤901的主軸馬達(dá)902。上述部件相互組裝在一起。撓性 線纜907把所述磁頭折片組合906電性地連接到印刷電路4反組合(PCBA,printed circuit broad assembly,圖未示)。所述音圈馬達(dá)卯5用于控制所述驅(qū)動臂904的 運(yùn)動,從而定位整個(gè)石茲頭折片組合906,進(jìn)而粗略地控制所述滑塊903在所述^茲 盤901表面從一個(gè)磁道移動到另一個(gè)磁道。另外,所述磁頭折片組合906還釆 用一個(gè)把所述滑塊903精確定位于所述磁盤卯l的上表面的磁道的微致動器(見 圖5)。所述微致動器能通過逆向壓電作用(reverse piezoelectric effect)來擴(kuò)張 和/或收縮,從而使所述滑塊903產(chǎn)生位移。所述滑塊903的位移使得磁頭沿著 弧度擺動從而橫跨所述磁盤901上的記錄磁道。
      圖5為本發(fā)明磁頭折片組合特性測試方法測試圖4所示磁頭折片組合906 的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。下面將詳細(xì)說明圖5所示位移特性測試方法。
      首先,對測試儀的磁盤的磁道表面做信息擦除,然后把所述待測量的磁頭
      折片組合(圖4所示)裝載在所述》茲盤上(步驟Sll )??梢岳斫?,所述》茲頭折 片組合的裝置方式是使嵌入在所述磁頭折片組合的滑塊中的磁頭的空氣承載面 (ABS, air bearing surface)面對f茲盤的上表面。
      接著,使用磁頭寫初始磁道信息到所述磁盤上(步驟S12)。此寫操作是磁 頭在沒有驅(qū)動磁頭折片組合的微致動器產(chǎn)生位移的情況下進(jìn)行的。然后,使用 所述/f茲頭的讀傳感器讀出所述初始石茲道信息,并測量讀出的初始》茲道信息的初 始磁道平均振幅分布(步驟S13)。再然后,根據(jù)所述初始磁道平均振幅分布計(jì) 算磁道中心值OFFSET 1 (步驟S14 )。所述初始磁道平均振幅分布和所述磁道中 心值OFFSET 1展示在圖6a和6b中。
      隨后,判斷將被施加到所述微致動器的工作直流電壓是否高于閥值(步驟 S15)。如果不是,即所述工作直流電壓不高于所述閥值時(shí),流程轉(zhuǎn)到步驟S16。 較佳地,所述閥值等于5伏特。
      在步驟S16中,把所述磁頭朝磁盤的偏離磁道方向移動一個(gè)預(yù)定距離D。 在本實(shí)施例中,所述預(yù)定距離D被設(shè)置成與所述工作直流電壓值成反比。
      然后,施加工作直流電壓以驅(qū)動所述微致動器在正方向上位移,同時(shí)使用 所述磁頭寫第一低壓磁道信息到所述磁盤上(步驟S17)。接著,使用所述讀傳 感器讀出所述第 一低壓-茲道信息,并測量讀出的第 一低壓磁道信息的第 一低壓 磁道平均振幅分布(步驟S18)。隨后,根據(jù)所述第一低壓磁道平均振幅分布計(jì)算 ^磁道中心值OFFSET 2 (步驟S19)。所述第一低壓;茲道平均振幅分布和所述i茲道 中心值OFFSET 2都展示在圖6a中。
      下一步,施加工作直流電壓以驅(qū)動所述微致動器在負(fù)方向上位移,同時(shí)使 用所述磁頭寫第二低壓磁道信息到所述磁盤上(步驟S20)。接著,使用所述讀 傳感器讀出所述第二低壓磁道信息,并測量讀出的第二低壓磁道信息的第二低 壓磁道平均振幅分布(步驟S21)。隨后,根據(jù)所述第二低壓^ 茲道平均振幅分布計(jì) 算磁道中心值OFFSET 3(步驟S22)。所述第二低壓磁道平均振幅分布和所述磁 道中心值OFFSET 3都展示在圖6a中。
      隨后,根據(jù)公式((OFFSET 2-OFFSET l-D)+(D-(OFFSET 3-OFFSET 1)))/2計(jì) 算所述微致動器的位移(步驟S23)。這樣所述方法成功得到低工作電壓條件下磁 頭折片組合的微致動器的位移特性。
      如上所述,如果所述步驟S15的判斷表明所述工作直流電壓高于所述閥值, 流程將會轉(zhuǎn)到步驟S24。
      在步驟S24中,施加工作直流電壓以驅(qū)動所述^:致動器在正方向上位移, 同時(shí)使用所述磁頭寫第一高壓磁道信息到所述磁盤上。接著,使用所述讀傳感 器讀出所述第 一 高壓磁道信息,并測量讀出的第 一 高壓磁道信息的第 一 高壓磁 道平均振幅分布(步驟S25)。隨后,根據(jù)所述第一高壓磁道平均振幅分布計(jì)算磁 道中心值OFFSET 2,(步驟S26)。所述第一高壓磁道平均振幅分布和所述磁道中 心值OFFSET 2'都展示在圖6b中。
      下一步,施加工作直流電壓以驅(qū)動所述微致動器在負(fù)方向上位移,同時(shí)使 用所述磁頭寫第二高壓磁道信息到所述磁盤上(步驟S27)。接著,使用所述讀 傳感器讀出所述第二高壓^f茲道信息,并測量讀出的第二高壓> 茲道信息的第二高 壓磁道平均振幅分布(步驟S28)。隨后,根據(jù)所述第二高壓磁道平均振幅分布計(jì) 算磁道中心值OFFSET 3'(步驟S29)。所述第二高壓磁道平均振幅分布和所述磁 道中心值OFFSET 3'都展示在圖6b中。
      隨后,根據(jù)公式(OFFSET 2'+OFFSET 3,)/2計(jì)算所述微致動器的位移(步驟 S30)。這樣所述方法成功得到高工作電壓條件下磁頭折片組合的微致動器的位 移特性。
      較佳地,所述,茲道平均振幅分布是使用旋轉(zhuǎn)測試儀(spindle tester)測量得 到的。詳細(xì)地,所述旋轉(zhuǎn)測試儀可為讀寫測試儀或者動態(tài)特性測試儀。所述讀 寫測試儀或者動態(tài)特性測試儀都具有磁道分布測量功能。通過沿著磁盤的偏離 磁道方向逐漸改變所述磁頭折片組合在所述旋轉(zhuǎn)測試儀上的位置,所述旋轉(zhuǎn)測 試儀測量偏離磁道方向上不同位置處的磁道平均振幅分布。
      圖7是圖5所示實(shí)施例使用動態(tài)特性測試儀測量的直流位移與使用傳統(tǒng)激 光多普勒振動(LDV, laser Doppler vibration)測量方法測試的直流位移二者之間
      相關(guān)性的圖表。如圖7所示,所述相關(guān)性是線性的,這表明動態(tài)特性測試儀測 量與激光多普勒振動測量之間具有良好的相關(guān)性。因此可以理解,具有微致動 器的磁頭折片組合正確的響應(yīng)位移可通過本實(shí)施例的方法測量得到。
      以上結(jié)合最佳實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了描述,但本發(fā)明并不局限于以上揭示 的實(shí)施例,而應(yīng)當(dāng)涵蓋各種根據(jù)本發(fā)明的本質(zhì)進(jìn)行的修改、等效組合。
      權(quán)利要求
      1.一種測試磁頭折片組合特性的方法,所述磁頭折片組合包括磁頭和用于精確地把所述磁頭關(guān)于磁性媒介定位的微致動器,其特征在于,所述方法包括如下步驟(1)寫初始磁道信息到所述磁性媒介上,讀出所述初始磁道信息,測量讀出的初始磁道信息的初始磁道平均振幅分布,以及根據(jù)所述初始磁道平均振幅分布計(jì)算磁道中心值OFFSET 1;(2)判斷將被施加到所述微致動器的工作直流電壓是否高于一閥值,如果不是,執(zhí)行步驟(3)-(6),如果是,轉(zhuǎn)到步驟(7);(3)把所述磁頭朝偏離磁道方向移動一預(yù)定距離D;(4)施加所述工作直流電壓到所述微致動器以驅(qū)動所述微致動器在正方向位移,同時(shí)寫第一磁道信息到所述磁性媒介上,讀出所述第一磁道信息,測量讀出的第一磁道信息的第一磁道平均振幅分布,以及根據(jù)所述第一磁道平均振幅分布計(jì)算磁道中心值OFFSET 2;(5)施加所述工作直流電壓到所述微致動器以驅(qū)動所述微致動器在負(fù)方向位移,同時(shí)寫第二磁道信息到所述磁性媒介上,讀出所述第二磁道信息,測量讀出的第二磁道信息的第二磁道平均振幅分布,以及根據(jù)所述第二磁道平均振幅分布計(jì)算磁道中心值OFFSET 3;(6)根據(jù)公式((OFFSET 2-OFFSET 1-D)+(D-(OFFSET 3-OFFSET 1)))/2計(jì)算所述微致動器的位移;(7)施加所述工作直流電壓到所述微致動器以驅(qū)動所述微致動器在正方向位移,同時(shí)寫第一磁道信息到所述磁性媒介上,讀出所述第一磁道信息,測量讀出的第一磁道信息的第一磁道平均振幅分布,以及根據(jù)所述第一磁道平均振幅分布計(jì)算磁道中心值OFFSET 2’;(8)施加所述工作直流電壓到所述微致動器以驅(qū)動所述微致動器在負(fù)方向位移,同時(shí)寫第二磁道信息到所述磁性媒介上,讀取所述第二磁道信息,測量讀出的第二磁道信息的第二磁道平均振幅分布,以及根據(jù)所述第二磁道平均振幅分布計(jì)算磁道中心值OFFSET 3’;(9)根據(jù)公式(OFFSET 2’+OFFSET 3’)/2計(jì)算所述微致動器的位移。
      2. 如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于所述閥值等于5伏特。
      3. 如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于所述磁道平均振幅分布是用動 態(tài)特性測試儀或者讀寫測試儀測量得到的。
      4. 如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于所述預(yù)定距離D^皮設(shè)置成與所 述工作直流電壓成反比。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種測試磁頭折片組合特性的方法。所述磁頭折片組合包括磁頭和用于精確地把所述磁頭關(guān)于磁性媒介定位的微致動器。本發(fā)明的關(guān)鍵是分別在不驅(qū)動微致動器、使用工作直流電壓在正方向上驅(qū)動微致動器以及使用工作直流電壓在負(fù)方向上驅(qū)動微致動器的條件下獲得三個(gè)磁道中心值,最后對所述三個(gè)磁道中心值進(jìn)行計(jì)算,最終獲得所述微致動器的位移特性。本發(fā)明能在低工作電壓條件下通過把所述磁頭朝偏離磁道方向移動一個(gè)預(yù)定距離來測試所述磁頭折片組合的特性,這種操作有助于確定所述三個(gè)磁道中心值,進(jìn)而確保本發(fā)明具有精確的測試功能。
      文檔編號G11B5/596GK101339772SQ20071012871
      公開日2009年1月7日 申請日期2007年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月3日
      發(fā)明者姚明高 申請人:新科實(shí)業(yè)有限公司
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