專利名稱：半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置及其監(jiān)視方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體設(shè)計(jì)技術(shù)，特別是涉及關(guān)于一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置 中的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置及其監(jiān)視方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置經(jīng)由各種內(nèi)部信號(hào)將自存儲(chǔ)單元讀取的數(shù)據(jù)傳輸至輸入/輸出襯墊(DQ襯墊)。此時(shí)，存在由于不同因素而使數(shù)據(jù)經(jīng)失真地傳輸或 未經(jīng)傳輸?shù)膯栴}。 一種因素為內(nèi)部信號(hào)的失真，藉由基于數(shù)據(jù)是否視需要實(shí) 際上輸出至輸入/輸出襯墊觀測(cè)內(nèi)部信號(hào)的操作狀態(tài)來(lái)監(jiān)視該失真。當(dāng)未輸 出所要數(shù)據(jù)時(shí)，執(zhí)行不同類型的測(cè)試以比較所要數(shù)據(jù)與實(shí)際輸出數(shù)據(jù)且設(shè)法 找到可疑的內(nèi)部電路。此外，連接至裝置(諸如微波探針，或昂貴的內(nèi)部信 號(hào)探測(cè)裝置)的示波器用以讀出內(nèi)部信號(hào)，藉此檢測(cè)內(nèi)部信號(hào)出差錯(cuò)。然而，與確定數(shù)據(jù)輸出的成功/失效的簡(jiǎn)單任務(wù)相比，使用連接至微波 探針或內(nèi)部信號(hào)探測(cè)裝置的示波器需要精通的技能。此外，在為實(shí)現(xiàn)監(jiān)視這種內(nèi)部信號(hào)的目的使外部裝置(諸如微波探針)與待檢驗(yàn)的節(jié)點(diǎn)直接接觸時(shí)，實(shí)際用于半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的信號(hào)(其為來(lái)自建 構(gòu)于半導(dǎo)體芯片中的小驅(qū)動(dòng)器級(jí)的輸出信號(hào))變得失真。因此，不能精確地監(jiān)視內(nèi)部信號(hào)及其操作狀態(tài)。另外，由于半導(dǎo)體芯片中的互連通常以一保護(hù) 涂層封閉，所以為了監(jiān)視內(nèi)部信號(hào)要事先處理以去除保護(hù)涂層。例如，圖l 示出了說明于半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中現(xiàn)有的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置的方塊圖。此外，因?yàn)榘雽?dǎo)體芯片通常被封裝并且這種封裝的半導(dǎo)體芯片被拆卸以 經(jīng)由微波探針或內(nèi)部信號(hào)探測(cè)裝置來(lái)監(jiān)視內(nèi)部信號(hào)，所以難以監(jiān)視封裝的半 導(dǎo)體芯片中的內(nèi)部信號(hào)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一實(shí)施例是針對(duì)一種于半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置
及其能夠精確地監(jiān)視內(nèi)部信號(hào)而不造成失真的監(jiān)視方法。 本發(fā)明能夠更容易及更迅速地監(jiān)視內(nèi)部信號(hào)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置，該裝置包括 一內(nèi)部信號(hào)輸入單元，其用以接收待監(jiān)視的內(nèi)部信號(hào)且具 有一輸出以響應(yīng)于測(cè)試模式信號(hào)來(lái)提供監(jiān)視源信號(hào)；及一 內(nèi)部信號(hào)輸出單 元，其具有耦接至該內(nèi)部信號(hào)輸入單元的輸出的輸入，該內(nèi)部信號(hào)輸出單元 用以響應(yīng)于測(cè)試模式信號(hào)來(lái)將監(jiān)視源信號(hào)傳輸至半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的預(yù)定襯塾。此外，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種監(jiān)視半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的內(nèi)部 信號(hào)的方法，該方法包括藉由接收待監(jiān)視的內(nèi)部信號(hào)且響應(yīng)于一測(cè)試模式 信號(hào)來(lái)在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置內(nèi)輸出一監(jiān)視源信號(hào)；以及響應(yīng)于測(cè)試模式信號(hào)來(lái) 將監(jiān)視源信號(hào)傳輸至半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的預(yù)定襯墊。


圖l示出了說明在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的現(xiàn)有的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置的方塊圖；圖2A及圖2B示出了說明根據(jù)本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝 置中的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置的方塊圖；圖3為說明圖2B中所示的內(nèi)部信號(hào)輸入單元的電路圖；圖4為說明圖3中所示的組合器的電路圖；圖5A至圖5D為說明圖2B中所示的內(nèi)部信號(hào)輸出單元的電路圖；圖6為說明多個(gè)內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置的方塊圖，其中數(shù)據(jù)襯墊用作接收監(jiān) 視信號(hào)的襯墊；圖7為說明圖6中所示的測(cè)試模式確定單元的電路圖；以及 圖8A及圖8B為說明使用根據(jù)本發(fā)明的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置的半導(dǎo)體存儲(chǔ) 裝置的方塊圖。附圖符號(hào)說明 201 內(nèi)部信號(hào)輸入單元 203 內(nèi)部信號(hào)輸出單元 205 測(cè)試模式確定單元 207 襯墊251 內(nèi)部信號(hào)輸入單元 253 內(nèi)部信號(hào)輸出單元 255 測(cè)試模式確定單元 257 襯墊301 第一輸入?yún)^(qū)段302 第二輸入?yún)^(qū)段303 第三輸入?yún)^(qū)段304 第四輸入?yún)^(qū)段305 組合器 401 鎖存電路501 第一轉(zhuǎn)移區(qū)段507 第二轉(zhuǎn)移區(qū)段5 09 控制器511 輸出級(jí)515 第一鎖存電路517 第二鎖存電路601 單獨(dú)測(cè)試模式信號(hào)產(chǎn)生器603 組合電路701 第一監(jiān)視裝置703 第二監(jiān)視裝置705 第n個(gè)監(jiān)視裝置707 測(cè)試模式確定單元CLK—DO 時(shí)鐘信號(hào)DATA 數(shù)據(jù)信號(hào)DOUT-EN數(shù)據(jù)輸出信號(hào)DOWN — LINE 下部線ENB 第一重置信號(hào)EN 第二重置信號(hào)INV1第一反相器INV2第二反相器INV3第三反相器INV4反相器INV13第四反相器INV14反相器INV15緩沖器INV16緩沖器INV17第一反相器INV18第二反相器函9第三反相器INV20第四反相器INV21第五反相器INV22第一反相器INV23第三反相器INV24第二反相器INV25第四反相器INV26第五反相器INV27第六反相器INV28第七反相器Ml 第一個(gè)別監(jiān)視源信號(hào)M2 第二個(gè)別監(jiān)視源信M3 第三個(gè)別監(jiān)視源信M4 第四個(gè)別監(jiān)視源信Nl 第一麗OS晶體管N2 第二麗os晶體管N3 NM0S晶體管N4 第一麗os晶體管N5 第二NM0S晶體管NAND1第一與非門NAND5與非門NA畫第一與非門NAND7第二與非門N0R1 第一或非門N0R2 或非門N0R3 第一或非門OUTSIG 監(jiān)一見信號(hào)Pl 第一PMOS晶體管P2 第二PMOS晶體管P3 PMOS晶體管P4 第一PMOS晶體管P5 第二PMOS晶體管SOURCES IG 監(jiān)一見源信號(hào)TG1第一傳輸門TG2 第二傳輸門TG3 第三傳輸門TG4 第四傳輸門TG5第一傳輸門TG6 第二傳輸門TG7 第三傳輸門TG8 第四傳輸門TNLEN 測(cè)試模式信號(hào)TM〈0: N〉單獨(dú)測(cè)試模式信號(hào)群TM1第一測(cè)試模式信號(hào)/第一單獨(dú)測(cè)試模式信號(hào)TM2第二測(cè)試模式信號(hào)/第二單獨(dú)測(cè)試模式信號(hào)TM3第三測(cè)試模式信號(hào)/第三單獨(dú)測(cè)試模式信號(hào)TM4 第四測(cè)試模式信號(hào)/第四單獨(dú)測(cè)試模式信號(hào)TM 測(cè)試模式信號(hào)UP-LINE上部線具體實(shí)施方式
在下文中，將結(jié)合附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的例示性實(shí)施例的半導(dǎo)體存 儲(chǔ)裝置中的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置。圖2A及圖2B示出了說明根據(jù)本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置 中的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置的方塊圖。在圖2A中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置包括內(nèi)部信號(hào)輸入單元201、內(nèi)部信號(hào)輸出單元203、測(cè)試模式確定單元205及襯墊207。內(nèi)部信號(hào)輸入單元2 01響應(yīng)于測(cè)試模式信號(hào)TM而接收待監(jiān)視的內(nèi)部信 號(hào)。內(nèi)部信號(hào)輸出單元203接收自內(nèi)部信號(hào)輸入單元201輸出的監(jiān)視源信號(hào) SOURCESIG并響應(yīng)于測(cè)試模式信號(hào)TM而將監(jiān)視信號(hào)OUTSIG傳輸至襯墊207。測(cè) 試模式確定單元205輸出測(cè)試模式信號(hào)TM。襯墊207可為接收地址信號(hào)的地址襯墊、接收/輸出數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)村墊、接 收指令信號(hào)的指令襯墊，及監(jiān)視專用襯墊，其可為如下面所使用的專用于監(jiān) 視半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的內(nèi)部信號(hào)的備用村墊。參考圖2B,半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置包括內(nèi)部信號(hào)輸入單 元251、內(nèi)部信號(hào)輸出單元253、測(cè)試模式確定單元255及襯墊257。內(nèi)部信號(hào)輸入單元251響應(yīng)于第一至第四測(cè)試模式信號(hào)TM1至TM4來(lái)接收 待監(jiān)視的第一至第四內(nèi)部信號(hào)。內(nèi)部信號(hào)輸出單元253接收自內(nèi)部信號(hào)輸入 單元251輸出的監(jiān)視源信號(hào)S0URCESIG并響應(yīng)于第一至第四測(cè)試模式信號(hào)TM1 至TM4來(lái)將監(jiān)視信號(hào)OUTSIG傳輸至襯墊257。測(cè)試模式確定單元255輸出第一 至第四測(cè)試;漠式信號(hào)TM1至TM4。圖2 B中所示的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置類似于圖2 A中所示的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝 置，但具備接收第一至第四內(nèi)部信號(hào)的內(nèi)部信號(hào)輸入單元251，其不同于接 收一 內(nèi)部信號(hào)的內(nèi)部信號(hào)輸入單元201 。結(jié)合圖3來(lái)描述內(nèi)部信號(hào)輸入單元251。在圖3中，內(nèi)部信號(hào)輸入單元251具有第一輸入?yún)^(qū)段301、第二輸入?yún)^(qū)段 302、第三輸入?yún)^(qū)段303、第四輸入?yún)^(qū)段304及組合器305。同時(shí)，圖2A中所示的內(nèi)部信號(hào)輸入單元201可由單一輸入?yún)^(qū)段(例如，圖 2B中所示的內(nèi)部信號(hào)輸入單元251中的第一輸入?yún)^(qū)段301)組成。第 一輸入?yún)^(qū)段301包括第 一與非(NAND)門NAND1及第 一至第三反相器 INV1、 INV2及INV3。第一與非門NAND1接收第一內(nèi)部信號(hào)及第一單獨(dú)測(cè)試模 式信號(hào)TMl,并且第一至第三反相器INV1至INV3緩沖第一與非門N緒D1的輸出 信號(hào)。第二輸入?yún)^(qū)段302、第三輸入?yún)^(qū)段303及第四輸入?yún)^(qū)段304亦使用與第一 輸入?yún)^(qū)段301相同的電路，但接收第二、第三及第四內(nèi)部信號(hào)以及第二、第 三及第四單獨(dú)測(cè)試模式信號(hào)TM2、 TM3及TM4。組合器305包括第一或非(NOR)門N0R1及第四反相器INV13。第一或非門 NOR1接收第一至第四輸入?yún)^(qū)段301至304的輸出信號(hào)，亦即，第一至第四個(gè)別 監(jiān)視源信號(hào)M1至M4。第四反相器INV13使第一或非門N0R1的輸出信號(hào)反相以 輸出監(jiān)視源信號(hào)SOURCESIG。另外，如下面所述，組合器305可實(shí)施為圖4中所示的電路。參考圖4，組合器305包括第一至第四傳輸門TG1、 TG2、 TG3及TG4、鎖存 電路401及反相器INV14。第一傳輸門TG1基于第一單獨(dú)測(cè)試模式信號(hào)TM1來(lái)傳遞第一個(gè)別監(jiān)視源 信號(hào)M1。第二傳輸門TG2基于第二單獨(dú)測(cè)試模式信號(hào)TM2來(lái)傳遞第二個(gè)別監(jiān)視 源信號(hào)M2。第三傳輸門TG3基于第三單獨(dú)測(cè)試模式信號(hào)TM3來(lái)傳遞第三個(gè)別監(jiān) 視源信號(hào)M3。第四傳輸門TG4基于第四單獨(dú)測(cè)試模式信號(hào)TM纟來(lái)傳遞第四個(gè)別 監(jiān)視源信號(hào)M4。鎖存電路401鎖存第一至第四傳輸門TG1至TG4的輸出信號(hào)中 的任一個(gè)。反相器INV14使鎖存電路401的輸出信號(hào)反相以輸出監(jiān)視源信號(hào) SOURCESIG。在此種狀況下，鎖存電路401可為反相鎖存電路?，F(xiàn)描述在圖2A及圖2B中所示的內(nèi)部信號(hào)輸出單元203及25 3,其中內(nèi)部信 號(hào)輸出單元203及253為相同電路，且因此僅結(jié)合圖5A至圖5D來(lái)描述內(nèi)部信號(hào) 輸出單元253。參考圖5A,內(nèi)部信號(hào)輸出單元253包括串聯(lián)連接的兩個(gè)緩沖器INV1S及 INV16。緩沖器INV15及INV16緩沖監(jiān)視源信號(hào)SOURCESIG以將其傳輸至襯墊 (圖中未示出)，諸如地址襯墊、數(shù)據(jù)襯墊、指令襯墊及監(jiān)視專用襯墊。在圖5B中，內(nèi)部信號(hào)輸出單元253包括反相器INV4、第一PM0S晶體管P1 及第二PM0S晶體管P2，與第一麗0S晶體管N1及第二畫0S晶體管N2。反相器INV4使測(cè)試模式信號(hào)TM-EN反相。第一PM0S晶體管P1接收反相器 INV4的輸出信號(hào)作為其柵極輸入信號(hào)。第一蘭0S晶體管N1接收測(cè)試模式信號(hào) TM—EM作為其柵極輸入信號(hào)。第二PMOS晶體管P2及第二麗OS晶體管M接收監(jiān) 視源信號(hào)SOURCESIG作為其柵極輸入信號(hào)，且第二PMOS晶體管P卩及第二畫OS 晶體管N2的共同輸出級(jí)耦接至襯墊(圖中未示出)。參考圖5C,內(nèi)部信號(hào)輸出單元253可由第一至第五反相器INV1 至INV21、 與非門NAND5、或非門N0R2、 PMOS晶體管P3及畫OS晶體管N3實(shí)施。第一反相器INV17使測(cè)試模式信號(hào)TM—EM反相。與非門NAND5接收測(cè)試模
式信號(hào)TM-EM及監(jiān)視源信號(hào)SOURCESIG。第二反相器INV18及第三反相器INV19 緩沖與非門NAND5的輸出信號(hào)。PMOS晶體管P3接收第三反相器INV19的輸出信 號(hào)作為其柵極輸入信號(hào)?；蚍情TNOR2接收第一反相器INV17的輸出信號(hào)及監(jiān) 視源信號(hào)SOURCESIG。第四反相器INV20及第五反相器INV21緩沖或非門NOR2 的輸出信號(hào)。麗OS晶體管N3接收第五反相器INV21的輸出信號(hào)作為其柵極輸 入信號(hào)。PMOS晶體管P3及顧OS晶體管N3的共同輸出級(jí)耦接至襯墊(圖中未示 出)。圖5D示出了用于將監(jiān)視信號(hào)OUTSIG耦接至襯墊(圖中未示出)(例如，數(shù) 據(jù)襯墊)的內(nèi)部信號(hào)輸出單元25 3。內(nèi)部信號(hào)輸出單元253具有第一轉(zhuǎn)移區(qū)段 501、第二轉(zhuǎn)移區(qū)段507、控制器509及輸出級(jí)511。應(yīng)注意，監(jiān)視信號(hào)OUTSIG必須輸出至數(shù)據(jù)襯墊而不與數(shù)據(jù)及監(jiān)視源信號(hào) SOURCESIG發(fā)生沖突。描述用于防止此沖突的內(nèi)部信號(hào)輸出單元253。第 一轉(zhuǎn)移區(qū)段501包括第 一反相器INV22、第 一與非門NAND6與第 一傳輸 門TG5及第二傳輸門TG6。第一反相器INV22使測(cè)試模式信號(hào)TM—EM反相。第一 與非門NAND6接收第一反相器INV22的輸出信號(hào)及輸出時(shí)鐘信號(hào)CLK — DO。第一 傳輸門TG5響應(yīng)于第一與非門NAND6的輸出信號(hào)來(lái)傳遞數(shù)據(jù)信號(hào)DATA。第二傳 輸門TG6響應(yīng)于測(cè)試模式信號(hào)TM-EM來(lái)傳遞監(jiān)視源信號(hào)S0URCESIG。將自第一 傳輸門TG5及第二傳輸門TG6輸出的信號(hào)傳遞至輸出級(jí)511的上部線UP — LINE。第二轉(zhuǎn)移區(qū)段507包括第二反相器INV24 、第二與非門NAND7與第三傳輸 門TG7及第四傳輸門TG8。第二反相器INV2々使測(cè)試模式信號(hào)TM—EM反相。第二 與非門NAND7接收第二反相器INV24的輸出信號(hào)及輸出時(shí)鐘信號(hào)CLK—DO。第三 傳輸門TG7響應(yīng)于第二與非門NAND7的輸出信號(hào)來(lái)傳遞數(shù)據(jù)信號(hào)DATA。第四傳 輸門TG8響應(yīng)于測(cè)試模式信號(hào)TM-EM來(lái)傳遞監(jiān)視源信號(hào)S0URCESIG。自第三傳 輸門TG7及第四傳輸門TG8輸出的信號(hào)傳遞至輸出級(jí)511的下部線DOWN—LINE。控制器509包括第一或非門NOR3及第三反相器INV23。第一或非門N0R3接 收數(shù)據(jù)輸出信號(hào)DOUT—EN以輸出第一重置信號(hào)ENB，且第三反相器INVU使第 一或非門NOR3的輸出信號(hào)反相以輸出第二重置信號(hào)EN,其中數(shù)據(jù)輸出信號(hào) DOUT—EN用于控制測(cè)試模式信號(hào)TM-EM及數(shù)據(jù)信號(hào)DATA的輸出，第一重置信號(hào) ENB用于重置輸出級(jí)511的下部線且第二重置信號(hào)EN用于重置輸出級(jí)511的上部線。輸出級(jí)511包括第一PMOS晶體管P4及第二PMOS晶體管P5、第一麗OS晶體
管N4及第二蘭OS晶體管N5、第一鎖存電路515及第二鎖存電路517，及第四至 第七反相器INV25至INV28。第一PM0S晶體管P4接收第二重置信號(hào)EN以重置上部線UP—LINE。第一鎖 存電路515鎖存第一轉(zhuǎn)移區(qū)段501的輸出信號(hào)。第四反相器INV25及第五反相 器INV26緩沖第一鎖存電路515的輸出信號(hào)。第二PM0S晶體管P5接收第五反相 器INV26的輸出信號(hào)作為其柵極輸入信號(hào)。第一NM0S晶體管N4接收第一重置 信號(hào)E N B以重置下部線D 0 W N _ LIN E 。第二鎖存電路517鎖存第二轉(zhuǎn)移區(qū)段5 0 7的 輸出信號(hào)。第六反相器INV27及第七反相器INV28緩沖第二鎖存電路517的輸 出信號(hào)。第二NMOS晶體管N5接收第七反相器INV28的輸出信號(hào)作為其柵極輸 入信號(hào)。內(nèi)部信號(hào)輸出單元253操作如下當(dāng)數(shù)據(jù)輸出信號(hào)DOUT—EN及測(cè)試模式信 號(hào)TM-EM處于邏輯電平低電平時(shí)，禁用輸出級(jí)511，且接著當(dāng)測(cè)試模式信號(hào) TM-EM在測(cè)試模式中變成邏輯電平高電平時(shí)，開始啟用輸出級(jí)511 。同時(shí)，響應(yīng)于測(cè)試模式信號(hào)TM-EM，第一轉(zhuǎn)移區(qū)段501中的第一傳輸門TG5 及第二轉(zhuǎn)移區(qū)段507中的第三傳輸門TG7被禁用，而第二傳輸門TG6及第四傳 輸門TG8被啟用。亦即，未將數(shù)據(jù)信號(hào)DATA傳遞至輸出級(jí)511且將監(jiān)視源信號(hào) S0URCESIG傳遞至輸出級(jí)511。其后，輸出級(jí)511接收監(jiān)視源信號(hào)SOURCESIG以產(chǎn)生及傳遞監(jiān)^L信號(hào) OUTSIG至數(shù)據(jù)襯墊?？纱嬖趯?shù)據(jù)襯墊用作監(jiān)視信號(hào)OUTSIG的輸出襯墊的多個(gè)內(nèi)部信號(hào)監(jiān) 視裝置。圖6示出了說明將數(shù)據(jù)襯墊用作監(jiān)視信號(hào)OUTSIG的輸出襯墊的多個(gè)內(nèi)部 信號(hào)監(jiān)視裝置的方塊圖。在圖6中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包括第一監(jiān)視裝置701、第二監(jiān)視裝置703、 第n個(gè)監(jiān)視裝置705及用于控制這種監(jiān)視裝置的測(cè)試模式確定單元707。因?yàn)閿?shù)據(jù)襯墊用于輸入/輸出數(shù)據(jù)，所以使用數(shù)據(jù)襯墊以監(jiān)視內(nèi)部信號(hào) 可能在自存儲(chǔ)單元讀出數(shù)據(jù)時(shí)必須受約束，該數(shù)據(jù)必須在正常操作中被輸 出。然而，對(duì)于典型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置(例如，DRAM),諸如X4、 X8或X16操作 模式之類的位構(gòu)成(bit organization)整合于單一芯片上。因此，在X4或 X8操作模式中，8或12個(gè)數(shù)據(jù)襯墊未被使用且因此可用作備用襯墊，且因此 有可能在備用襯墊用于內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視的情況下減少對(duì)額外襯墊的需要。此
外，盡管數(shù)據(jù)實(shí)際上在測(cè)試模式中未輸出至數(shù)據(jù)襯墊，但藉由使用備用襯墊 俘獲存儲(chǔ)裝置的狀態(tài)來(lái)監(jiān)視內(nèi)部信號(hào)為合適的。上述參考圖5D的內(nèi)部信號(hào)輸入單元的描述，將數(shù)據(jù)襯墊用作監(jiān)視信號(hào)OUTS IG的輸出村墊的多個(gè)內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置中的每一個(gè)的操作是本領(lǐng)域的 技術(shù)人員所熟悉的，因此在此不再描述。圖7示出了說明測(cè)試模式確定單元707的電路圖。測(cè)試模式確定單元707具有單獨(dú)測(cè)試模式信號(hào)產(chǎn)生器601及組合電路 603。單獨(dú)測(cè)試模式信號(hào)產(chǎn)生器6Ql產(chǎn)生單獨(dú)測(cè)試模式信號(hào)群TM〈Q:r^。組合 電路603組合單獨(dú)測(cè)試模式信號(hào)群TM〈0:11〉以輸出測(cè)試^^式信號(hào)TM-EN。組合電路603包括用于接收單獨(dú)測(cè)試模式信號(hào)群TM〈0: n〉的或非門及用 于使或非門的輸出信號(hào)反相以輸出測(cè)試模式信號(hào)TM _ EN的反相器。因此，如圖8A及圖8B中所示，所設(shè)計(jì)的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置可整合至半導(dǎo) 體存儲(chǔ)裝置中。在圖8A中，探針裝置用以監(jiān)視傳輸至襯墊的內(nèi)部信號(hào)，藉此可使用整合 的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置來(lái)解決關(guān)于內(nèi)部信號(hào)失真的現(xiàn)有的問題。參考圖8B,探針卡用以監(jiān)視傳輸至襯墊的內(nèi)部信號(hào)(藉由整合的內(nèi)部信 號(hào)監(jiān)視裝置)，藉此可解決關(guān)于內(nèi)部信號(hào)失真的現(xiàn)有的問題。如上文所述，當(dāng)監(jiān)視半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的內(nèi)部信號(hào)時(shí)，現(xiàn)有的監(jiān)視操作 存在內(nèi)部信號(hào)被監(jiān)視為失真狀態(tài)的問題，這是因?yàn)橐允固结樑c待檢驗(yàn)的節(jié)點(diǎn) 直接接觸的方式執(zhí)行現(xiàn)有的監(jiān)視操作。根據(jù)本發(fā)明，在監(jiān)視操作由測(cè)試模式 信號(hào)控制且指示內(nèi)部信號(hào)的狀態(tài)的監(jiān)視信號(hào)傳輸至襯墊的情況下，可克服此 問題。此外，當(dāng)監(jiān)視封裝的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的內(nèi)部信號(hào)時(shí)，現(xiàn)有的監(jiān)視操作 是在移除封裝材料后進(jìn)行的，而根據(jù)本發(fā)明的監(jiān)視操作允許經(jīng)由外部？ 1腳監(jiān) 視傳輸至襯墊的內(nèi)部信號(hào)而不必移除封裝材料。本發(fā)明不限于所述描述及附圖，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的范 疇及精神的前提下可對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行各種修改、改變及變化。盡管對(duì)于在輸入及輸出信號(hào)為邏輯高電平HIGH時(shí)這種信號(hào)有效的狀況 示出了用于本發(fā)明的較佳實(shí)施例中的邏輯電路，但此類型的邏輯電路及其構(gòu) 造可視有效信號(hào)的極性而變化。此外，因?yàn)椴煌N類的邏輯電路及其構(gòu)造過 多以致于不可能逐一地提及，且自本文所揭示內(nèi)容的教示，其變化可由本領(lǐng)
域的技術(shù)人員所了解，所以將不描述其細(xì)節(jié)。此外，內(nèi)部信號(hào)輸入單元及內(nèi)部信號(hào)輸出單元描述為包括多個(gè)邏輯電 路，但其僅為實(shí)例。如上可見，本發(fā)明可經(jīng)由接收內(nèi)部信號(hào)的監(jiān)視版本的襯墊來(lái)容易地監(jiān)視 內(nèi)部信號(hào)，且不干擾內(nèi)部信號(hào)。這就防止了將由內(nèi)部信號(hào)失真造成的運(yùn)算誤 差。此外，本發(fā)明可經(jīng)由接合至襯墊的外部引腳來(lái)監(jiān)視封裝的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝 置中的內(nèi)部信號(hào)，藉此有助于監(jiān)視內(nèi)部信號(hào)且減少開發(fā)產(chǎn)品所需的時(shí)間。本發(fā)明要求申請(qǐng)日為2006年9月21日、申請(qǐng)?zhí)枮?0-2006-91630的韓 國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，在此將其作為參考引入。
權(quán)利要求
1.一種在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置，其包含內(nèi)部信號(hào)輸入單元，其用以接收一待監(jiān)視的內(nèi)部信號(hào)且具有一輸出以響應(yīng)于一測(cè)試模式信號(hào)來(lái)提供一監(jiān)視源信號(hào)；以及內(nèi)部信號(hào)輸出單元，其具有一耦接至該內(nèi)部信號(hào)輸入單元的該輸出的輸入，該內(nèi)部信號(hào)輸出單元用以響應(yīng)于該測(cè)試模式信號(hào)來(lái)將該監(jiān)視源信號(hào)傳輸至該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的一預(yù)定襯墊。
2. 如權(quán)利要求l的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置，其中該襯墊選自以下各組接收 一地址信號(hào)的地址襯墊、接收/輸出一數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)襯墊、接收一指令信號(hào)的 指令襯墊及一備用襯墊。
3. 如權(quán)利要求l的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置，其中該內(nèi)部信號(hào)輸入單元用以接 收待監(jiān)視的多個(gè)內(nèi)部信號(hào)及多個(gè)測(cè)試模式信號(hào)。
4. 如權(quán)利要求3的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置，其中該內(nèi)部信號(hào)輸入單元包括 多個(gè)輸入單元，其用于分別接收該多個(gè)內(nèi)部信號(hào)及該多個(gè)測(cè)試模式信號(hào)以輸出多個(gè)輸入信號(hào)；以及一組合器，其用于組合自該多個(gè)輸入單元輸出的該多個(gè)輸入信號(hào)。
5. 如權(quán)利要求4的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置，其中該多個(gè)輸入單元中的每一個(gè) 包括與非門，其用于接收所述內(nèi)部信號(hào)中的一對(duì)應(yīng)內(nèi)部信號(hào)及所述測(cè)試模式 信號(hào)中的一對(duì)應(yīng)測(cè)試模式信號(hào)；以及緩沖單元，其用于緩沖該與非門的一輸出信號(hào)以輸出所述輸入信號(hào)中的 一對(duì)應(yīng)輸入信號(hào)。
6. 如權(quán)利要求5的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置，其中該緩沖單元包括多個(gè)反相器。
7. 如權(quán)利要求4的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置，其中該組合器包括 或非門，其用于接收該多個(gè)輸入信號(hào)；以及反相器，其用于使該或非門的一輸出信號(hào)反相以輸出該監(jiān)視源信號(hào)。
8. 如權(quán)利要求4的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置，其中該組合器包括多個(gè)第 一傳輸門，各用于響應(yīng)于所述測(cè)試模式信號(hào)中的一對(duì)應(yīng)測(cè)試模式 信號(hào)來(lái)傳遞所述輸入信號(hào)中的 一對(duì)應(yīng)輸入信號(hào)；鎖存電路，其用于鎖存所述傳輸門的輸出信號(hào)；以及 反相器，其用于使該鎖存電路的 一輸出信號(hào)反相以輸出該監(jiān)視源信號(hào)。
9. 如權(quán)利要求3的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置，其中該內(nèi)部信號(hào)輸出單元包括一第一緩沖器，該第一緩沖器用于緩沖該監(jiān)視源信號(hào)以將其傳輸至該襯墊。
10. 如權(quán)利要求9的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置，其中該緩沖器包括多個(gè)反相器。
11. 如權(quán)利要求3的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置，其中該內(nèi)部信號(hào)輸出單元包括 反相器，其用于使該測(cè)試模式信號(hào)反相；第一PM0S晶體管，其用于接收該反相器的一輸出信號(hào)作為 一柵極輸入信號(hào)，第一麗0S晶體管，其用于接收該測(cè)試模式信號(hào)作為一柵極輸入信號(hào)；以及第二PMOS晶體管及第二雨OS晶體管，其具有一耦接至該襯墊的共同級(jí)， 用于接收該監(jiān)視源信號(hào)作為其柵極輸入信號(hào)。
12. 如權(quán)利要求3的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置，其中該內(nèi)部信號(hào)輸出單元包括 與非門，其用于接收該測(cè)試模式信號(hào)及該監(jiān)視源信號(hào)；第 一緩沖單元，其用于緩沖該與非門的一輸出信號(hào)；PM0S晶體管，其耦接至該襯墊以用于接收該第一緩沖單元的一輸出信號(hào)作為一柵極輸入信號(hào)；反相器，其用于使該測(cè)試模式信號(hào)反相；或非門，其用于接收該反相器的一輸出信號(hào)及該監(jiān)視源信號(hào)；第二緩沖單元，其用于緩沖該或非門的一輸出信號(hào)；以及麗0S晶體管，其耦接至該襯墊以用于接收該第二緩沖單元的 一輸出信號(hào)作為一柵極輸入信號(hào)。
13. 如權(quán)利要求9的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置，其中該第一緩沖單元及該第二緩 沖單元包括多個(gè)反相器。
14. 如權(quán)利要求3的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置，其中該內(nèi)部信號(hào)輸出單元包括 第一轉(zhuǎn)移區(qū)段，其用于傳輸一數(shù)據(jù)及該監(jiān)視源信號(hào)； 第二轉(zhuǎn)移區(qū)段，其用于傳輸該數(shù)據(jù)及該監(jiān)視源信號(hào)；輸出級(jí)，其用于響應(yīng)于第一控制信號(hào)及第二控制信號(hào)來(lái)將該第一轉(zhuǎn)移區(qū) 段及該第二轉(zhuǎn)移區(qū)段的輸出信號(hào)傳遞至一數(shù)據(jù)襯墊；及控制器，其用于產(chǎn)生該第 一 控制信號(hào)及該第二控制信號(hào)以控制該輸出級(jí)。
15.如權(quán)利要求14的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置，其中該第 一轉(zhuǎn)移區(qū)段及該第二轉(zhuǎn)移區(qū)段中的每一 區(qū)段具有反相器，其用于使該測(cè)試模式信號(hào)反相；與非門，其用于接收一 時(shí)鐘信號(hào)及該反相器的 一輸出信號(hào)；第 一傳輸門，其用于響應(yīng)于該與非門的 一輸出信號(hào)且根據(jù)該時(shí)鐘信號(hào)來(lái)傳輸該數(shù)據(jù)；以及第二傳輸門，其用于響應(yīng)于該測(cè)試模式信號(hào)來(lái)傳遞該監(jiān)視源信號(hào)。
16. 如權(quán)利要求14的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置，其中該輸出級(jí)具有第一PM0S晶體管，其用于自該控制器接收該第 一控制信號(hào)作為一柵極輸 入信號(hào)以重置一第一線；第一鎖存電^各，其用于鎖存轉(zhuǎn)移至該第一線的該第一轉(zhuǎn)移區(qū)段的一輸出 信號(hào)；第一緩沖單元，其用于緩沖該第一鎖存電路的一輸出信號(hào)；以及 第二PMOS晶體管，其耦接至該襯墊以用于接收該第一緩沖單元的一輸出 信號(hào)作為一柵極輸入信號(hào)。
17. 如權(quán)利要求16的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置，其中該輸出級(jí)進(jìn)一步包括第 一麗0S晶體管，其用于自該控制器接收該第二控制信號(hào)作為一柵極輸 入信號(hào)以重置一第二線；第二鎖存電路，其用于鎖存轉(zhuǎn)移至該第二線的該第二轉(zhuǎn)移區(qū)段的一輸出信號(hào)；第二緩沖單元，其用于緩沖該第二鎖存電路的一輸出信號(hào)；以及 第二NMOS晶體管，其用于接收該第二緩沖單元的一輸出信號(hào)作為一柵極 輸入信號(hào)，其中該第二PMOS晶體管及該第二麗OS晶體管具有一耦接至該襯墊的共同級(jí)。
18. 如權(quán)利要求17的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置，其中該第一緩沖單元及該第二 緩沖單元中的每一個(gè)包括多個(gè)反相器。
19. 如權(quán)利要求14的內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置，其中該控制器具有或非門，其用于接收一數(shù)據(jù)輸出信號(hào)以輸出該第二控制信號(hào)，該數(shù)據(jù)輸 出信號(hào)用于控制該測(cè)試模式信號(hào)的一輸出及該數(shù)據(jù)；以及反相器，其用于使該或非門的一輸出信號(hào)反相以輸出該第 一控制信號(hào)。
20. —種監(jiān)視一半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的一內(nèi)部信號(hào)的方法，該方法包含 藉由接收待監(jiān)視的該內(nèi)部信號(hào)且響應(yīng)于一測(cè)試模式信號(hào)來(lái)在該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置內(nèi)輸出一監(jiān)視源信號(hào)；以及響應(yīng)于該測(cè)試模式信號(hào)來(lái)將該監(jiān)視源信號(hào)傳輸至該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的 一預(yù)定襯墊。
21. 如權(quán)利要求20的方法，其中該襯墊為接收一地址信號(hào)的地址襯墊、 接收/輸出一數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)襯墊、接收一指令信號(hào)的指令襯墊及備用襯墊中的 一個(gè)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種于半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中內(nèi)部信號(hào)監(jiān)視裝置，該裝置包括內(nèi)部信號(hào)輸入單元，其用以接收一待監(jiān)視的內(nèi)部信號(hào)且具有一輸出以響應(yīng)于一測(cè)試模式信號(hào)來(lái)提供一監(jiān)視源信號(hào)；及內(nèi)部信號(hào)輸出單元，其具有一耦接至該內(nèi)部信號(hào)輸入單元的該輸出的輸入，該內(nèi)部信號(hào)輸出單元用以響應(yīng)于該測(cè)試模式信號(hào)來(lái)將該監(jiān)視源信號(hào)傳輸至該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的一預(yù)定襯墊。
文檔編號(hào)G11C29/12GK101149976SQ20071015289
公開日2008年3月26日 申請(qǐng)日期2007年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月21日
發(fā)明者都昌鎬 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司