專利名稱：磁頭懸浮組件、滑架組件以及磁頭滑動器組件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及存儲介質(zhì)驅(qū)動裝置，所述存儲介質(zhì)驅(qū)動裝置在進行磁信 息的寫入和讀出時，使熱量作用于存儲介質(zhì)的磁記錄層。
背景技術(shù)：
例如，在硬盤驅(qū)動裝置(HDD)中采用所謂的熱輔助(assist)方式， 以避免熱波動。例如，如專利文獻4的圖11和圖12公開的那樣，在規(guī) 定于介質(zhì)相對面的背面?zhèn)鹊拇蓬^滑動器的支撐面上安裝有棱鏡。棱鏡接 住光纖。在磁頭滑動器的空氣流出側(cè)端面上安裝有透鏡。在棱鏡上劃分 出將光引導(dǎo)到透鏡上的反射面。光從光纖入射到棱鏡上。反射面通過反射將光引導(dǎo)到透鏡上。光被 透鏡會聚。從透鏡向磁盤提供光。磁記錄層的溫度上升。磁記錄層的頑 磁力減小。此時，磁頭滑動器的電磁轉(zhuǎn)換元件將磁信息寫入磁記錄層。在磁記錄層的溫度返回室溫時，頑磁力增大。磁信息被可靠地保持。專利文獻l:日本特開2001--34982號公報專利文獻2:曰本特開平ll--213436號公報專利文獻3:日本特開2006--196140號公報專利文獻4:日本特開2003 --67901號公報專利文獻5:日本特開2005--18895號公報專利文獻6:日本特幵2005--216405號公報專利文獻7:日本特開2000--113499號公報專利文獻8:日本特開2004--30840號公報專利文獻9:美國專利第5986978號說明書專利文獻10:日本特開2002-—298302號公報在磁頭滑動器上安裝有棱鏡和透鏡。在調(diào)整提供給磁記錄層的光的焦點時，必須相對磁頭滑動器準確地定位棱鏡和透鏡。此時，必須同時 微調(diào)整棱鏡和透鏡的相對位置。導(dǎo)致裝配作業(yè)花費時間。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明正是鑒于上述實際情況而提出的，其目的在于，提供一種容 易進行裝配的磁頭懸浮組件和滑架組件。本發(fā)明的目的還在于，提供一 種非常有助于實現(xiàn)這種磁頭懸浮組件和滑架組件的磁頭滑動器組件的制 造方法。為了達到上述目的，根據(jù)第一發(fā)明提供一種磁頭懸浮組件，其特征 在于，所述磁頭懸浮組件具有磁頭懸浮器；磁頭滑動器，其在介質(zhì)相 對面上面對存儲介質(zhì)，在介質(zhì)相對面的背面?zhèn)鹊闹蚊嫔媳淮蓬^懸浮器 接?。浑姶呸D(zhuǎn)換元件，其被埋入磁頭滑動器的介質(zhì)相對面中；光波導(dǎo)， 其被裝配在磁頭滑動器上，從支撐面朝向介質(zhì)相對面延伸；以及光學(xué)元 件，其被夾在支撐面和磁頭懸浮器之間，在光學(xué)元件上劃分出聚光面和 反射面，所述聚光面會聚與支撐面平行地入射的光，所述反射面使與支 撐面平行地入射的光以預(yù)定的角度反射，并引導(dǎo)到光波導(dǎo)上。在這種磁頭懸浮組件中，光學(xué)元件被夾在磁頭滑動器的支撐面和磁 頭懸浮器之間。在光學(xué)元件上劃分出聚光面和反射面。由聚光面會聚后 的光由反射面反射。由此，光被引導(dǎo)到磁頭滑動器的光波導(dǎo)上。在制造 磁頭懸浮組件時，調(diào)整磁頭滑動器的光波導(dǎo)和光學(xué)元件的相對位置。磁 頭滑動器和光學(xué)元件相比以前更容易定位。容易實施磁頭懸浮組件的裝 配。在磁頭懸浮組件中，也可以是，電磁轉(zhuǎn)換元件具有與光波導(dǎo)相比配 置在空氣流出側(cè)的寫入磁頭元件。此時，也可以是，光波導(dǎo)被埋入利用 正面接住所述寫入磁頭元件的第1折射率的非磁性絕緣層中，并利用大 于第1折射率的第2折射率的材料構(gòu)成。根據(jù)第二發(fā)明提供一種滑架組件，其特征在于，所述滑架組件具有 滑架臂，其由支撐軸支撐著自由旋轉(zhuǎn)； 一對磁頭懸浮器，其安裝在滑架 臂的前端；磁頭滑動器，其在介質(zhì)相對面上面對存儲介質(zhì)，在介質(zhì)相對面的背面?zhèn)鹊闹蚊嫔媳桓鱾€磁頭懸浮器接??；電磁轉(zhuǎn)換元件，其被埋 入磁頭滑動器的介質(zhì)相對面中；光波導(dǎo)，其被裝配在磁頭滑動器上，從 支撐面朝向介質(zhì)相對面延伸；光學(xué)元件，其被夾在支撐面和磁頭懸浮器 之間，將從聚光面入射的光引導(dǎo)到光波導(dǎo)上；形成于滑架臂上的開口； 配置在開口內(nèi)的單個支撐體；以及一對光源，其支撐在支撐體上，向各 個光學(xué)元件的聚光面獨立地提供光。在這種滑架組件中，與前述相同，光學(xué)元件被夾在磁頭滑動器的支 撐面和磁頭懸浮器之間。在光學(xué)元件上劃分出聚光面和反射面。由光源 提供的光由聚光面會聚。會聚后的光由反射面反射。由此，光被引導(dǎo)到 磁頭滑動器的光波導(dǎo)上。在制造滑架組件時，調(diào)整磁頭滑動器的光波導(dǎo) 和光學(xué)元件的相對位置。磁頭滑動器和光學(xué)元件相比以前更容易定位。 容易實施滑架組件的裝配。而且，在滑架臂的開口內(nèi)配置有單個的支撐體。支撐體支撐光源。 能夠盡量避免滑架臂的重量增大。此外，支撐體配置在開口內(nèi)。與支撐 體配置在滑架臂的正面上時相比，能夠避免滑架臂的厚度增大。在滑架組件中，也可以是，電磁轉(zhuǎn)換元件具有與光波導(dǎo)相比配置在 空氣流出側(cè)的寫入磁頭元件。此時，也可以是，光波導(dǎo)被埋入利用正面 接住所述寫入磁頭元件的第1折射率的非磁性絕緣層中，并利用大于第1 折射率的第2折射率的材料構(gòu)成。根據(jù)第三發(fā)明提供一種存儲介質(zhì)驅(qū)動裝置，其特征在于，所述存儲 介質(zhì)驅(qū)動裝置具有框體；滑架臂，其被裝配在框體內(nèi)，由支撐軸支撐 著自由旋轉(zhuǎn)； 一對磁頭懸浮器，其安裝在滑架臂的前端；磁頭滑動器， 其在介質(zhì)相對面上面對存儲介質(zhì)，在介質(zhì)相對面的背面?zhèn)鹊闹蚊嫔媳?各個磁頭懸浮器接??；電磁轉(zhuǎn)換元件，其被埋入磁頭滑動器的介質(zhì)相對 面中；光波導(dǎo)，其被裝配在磁頭滑動器上，從支撐面朝向介質(zhì)相對面延 伸；光學(xué)元件，其被夾在支撐面和磁頭懸浮器之間，將從聚光面入射的 光引導(dǎo)到光波導(dǎo)上；形成于滑架臂上的開口；配置在開口內(nèi)的單個支撐 體；以及一對光源，其支撐在支撐體上，向各個光學(xué)元件的聚光面獨立 地提供光。根據(jù)這種存儲介質(zhì)驅(qū)動裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)與前述相同的作用效9果。根據(jù)第四發(fā)明提供一種磁頭滑動器組件的制造方法，其特征在于， 所述制造方法包括利用模具成型橫向尺寸較長的成型品，在成型品上 沿橫向擴展的基準面的一端，沿著棱線以預(yù)定的間隔將多個聚光面橫向 排列成一列的步驟；在所述棱線的相反側(cè)對成型品的棱線實施研磨處理， 形成以預(yù)定的傾斜角與基準面交叉并橫向延伸的反射面的步驟；在成型 品的基準面上粘貼尺寸較長的晶片型材，所述尺寸較長的晶片型材被以 所述預(yù)定的間隔橫向一列地劃分出多個磁頭滑動器的步驟；以及從基準 面的背面?zhèn)妊心コ尚推?，切削出與基準面平行的面的步驟。在這種制造方法中，在成型品的基準面上粘貼有晶片型材，在晶片 型材上劃分出多個磁頭滑動器。在成型品上形成有聚光面和反射面。這 樣可以一次制造多個磁頭滑動器組件。這種制造方法能夠非常有助于實 現(xiàn)前述的磁頭懸浮組件和滑架組件。也可以是，磁頭滑動器組件的制造方法還包括在粘貼晶片型材時， 在基準面的預(yù)定位置測定通過聚光面并由反射面反射的光的光量的步 驟；根據(jù)光量的大小相對成型品定位晶片型材的步驟。這樣，能夠容易 地根據(jù)光量的大小相對成型品定位晶片型材。磁頭滑動器組件的制造容 易實施。根據(jù)第五發(fā)明提供一種磁頭懸浮組件，其特征在于，所述磁頭懸浮 組件具有磁頭懸浮器；磁頭滑動器，其在介質(zhì)相對面上面對存儲介質(zhì)， 在介質(zhì)相對面的背面?zhèn)鹊闹蚊嫔媳淮蓬^懸浮器接?。浑姶呸D(zhuǎn)換元件， 其被埋入磁頭滑動器的介質(zhì)相對面中；光波導(dǎo)，其被裝配在磁頭滑動器 上，從支撐面朝向介質(zhì)相對面延伸；以及光學(xué)元件，其被夾在支撐面和 磁頭懸浮器之間，在光學(xué)元件上劃分出聚光面和反射面，所述聚光面會 聚與支撐面平行地入射的光，所述反射面使從聚光面入射到光學(xué)元件上 的光以預(yù)定的角度反射，并引導(dǎo)到光波導(dǎo)上。在這種磁頭懸浮組件中，與前述相同，光學(xué)元件被夾在磁頭滑動器 的支撐面和磁頭懸浮器之間。在光學(xué)元件上劃分出聚光面和反射面。從 光源提供的光由聚光面會聚。會聚后的光由反射面反射。.由此，光被引導(dǎo)到磁頭滑動器的光波導(dǎo)上。在制造磁頭懸浮組件時，調(diào)整磁頭滑動器 的光波導(dǎo)和光學(xué)元件的相對位置。磁頭滑動器和光學(xué)元件相比以前更容 易定位。容易實施磁頭懸浮組件的裝配。在磁頭懸浮組件中，所述光學(xué)元件規(guī)定有被所述磁頭滑動器的支 撐面接住的第1平坦面；與第1平坦面平行地擴展的第2平坦面；包含 所述聚光面，并將第1平坦面和第2平坦面連接的第1側(cè)面；以及包含 所述反射面，將第1平坦面和第2平坦面連接，面對第1側(cè)面的第2側(cè) 面，所述第1側(cè)面隨著遠離與所述第1平坦面平行地擴展的第1基準面， 遠離相對所述光學(xué)元件的輪廓線直立的第1虛擬壁面，所述第2側(cè)面隨 著遠離與所述第1平坦面平行地擴展的第2基準面，遠離相對所述光學(xué) 元件的輪廓線直立的第2虛擬壁面。在這種磁頭懸浮組件中，在形成光學(xué)元件時使用模具。光學(xué)元件的 第1側(cè)面和第2側(cè)面隨著分別遠離第1基準面和第2基準面而分別遠離 第1虛擬壁面和第2虛擬壁面。第1和第2虛擬壁面相對光學(xué)元件的輪 廓線直立，所以光學(xué)元件能夠容易地從模具中取出。例如，能夠容易地 利用2個模具制造光學(xué)元件，能夠一次生產(chǎn)大量的光學(xué)元件。在所述光學(xué)元件中，在所述聚光面和所述反射面之間，所述光連接 焦點。根據(jù)這種光學(xué)元件，在形成焦點時，能夠?qū)拇蓬^滑動器的支撐 面到反射面的距離設(shè)定得比較長。結(jié)果，不需變更最佳的NA，反射面即 可在更大的范圍內(nèi)進行會聚。光被有效利用。另外，在這種光學(xué)元件中， 聚光面和反射面的距離增大。結(jié)果，光學(xué)元件能夠以較大的面積接觸磁 頭滑動器。光學(xué)元件和磁頭滑動器的接合強度提高。在所述光學(xué)元件上還劃分出配置于所述聚光面和所述反射面之間的 第2反射面。根據(jù)這種光學(xué)元件，由于劃分出反射面，所以能夠?qū)拇?頭滑動器的支撐面到反射面的距離設(shè)定得比較長。結(jié)果，不需變更最佳 的NA，反射面即可在更大的范圍內(nèi)進行會聚。光被有效利用。另外，在 這種光學(xué)元件中，聚光面和反射面的距離增大。結(jié)果，光學(xué)元件能夠以 較大的面積接觸磁頭滑動器。光學(xué)元件和磁頭滑動器的接合強度提高。根據(jù)第六發(fā)明提供一種磁頭懸浮組件，其特征在于，所述磁頭懸浮組件具有磁頭懸浮器；磁頭滑動器，其在介質(zhì)相對面上面對存儲介質(zhì)， 在介質(zhì)相對面的背面?zhèn)鹊闹蚊嫔媳淮蓬^懸浮器接??；電磁轉(zhuǎn)換元件， 其被埋入磁頭滑動器的介質(zhì)相對面中；光波導(dǎo)，其被裝配在磁頭滑動器 上，從支撐面朝向介質(zhì)相對面延伸；光學(xué)元件，其被夾在支撐面和磁頭 懸浮器之間；反射面，其是在光學(xué)元件上劃分形成的，使與支撐面平行 地入射的光以預(yù)定的角度反射，并引導(dǎo)到光波導(dǎo)上；以及折射率分布透 鏡，其使入射到光學(xué)元件上的光透射。
根據(jù)這種磁頭懸浮組件，能夠?qū)崿F(xiàn)與前述相同的作用效果。而且， 借助折射率分布透鏡的作用使光聚焦。聚焦后的光入射到光學(xué)元件上。 入射的光由反射面以預(yù)定的角度反射。由此光被引導(dǎo)到光波導(dǎo)上。這種 光學(xué)元件例如通過切割加工形成。對通過切割加工切取的成型品實施研 磨加工。由此規(guī)定入射面和反射面，能夠一次生產(chǎn)大量的光學(xué)元件。
根據(jù)第七發(fā)明提供一種磁頭懸浮組件，其特征在于，所述磁頭懸浮 組件具有磁頭懸浮器；磁頭滑動器，其在介質(zhì)相對面上面對存儲介質(zhì)， 在介質(zhì)相對面的背面?zhèn)鹊闹蚊嫔媳淮蓬^懸浮器接?。浑姶呸D(zhuǎn)換元件， 其被埋入磁頭滑動器的介質(zhì)相對面中；光波導(dǎo)，其被裝配在磁頭滑動器 上，從支撐面朝向介質(zhì)相對面延伸；被磁頭懸浮器接住的片狀包層；以 及芯體，其被埋入包層內(nèi)并延伸到磁頭滑動器的支撐面上，將光引導(dǎo)到 磁頭滑動器的光波導(dǎo)上。
在這種磁頭懸浮組件中，片狀包層被磁頭懸浮器接住。芯體被埋入 包層內(nèi)。在形成這種磁頭懸浮組件時，將預(yù)先形成的包層和芯體粘貼在 磁頭懸浮器上。容易實施磁頭懸浮組件的裝配。也可以是，所述芯體通 過彎曲從所述磁頭滑動器的空氣流出端一側(cè)向所述光波導(dǎo)提供光。同樣， 也可以是，所述芯體劃分出反射面，所述反射面使與所述支撐面平行地 傳播的光朝向所述光波導(dǎo)反射。
也可以是，所述芯體劃分出細頭部，所述細頭部從所述芯體的入射 面朝向所述芯體的出射面在預(yù)定的長度內(nèi)逐漸縮小開口。在細頭部上， 開口從入射面朝向出射面逐漸縮小。結(jié)果，芯體的入射面可以規(guī)定得比 較大。由此，在入射面上可以確立多模光。另一方面，在細頭部的前端
12上可以確立單模光。借助這種細頭部的作用，在入射面上芯體的開口增 大。結(jié)果，針對入射到芯體的光的位置而允許的誤差增大。能夠比較容 易地定位芯體的位置和入射光的位置。磁頭懸浮組件還具有折射率分布 透鏡，所述折射率分布透鏡從所述芯體的入射面朝向所述芯體的出射面 在預(yù)定的長度內(nèi)被埋入所述包層內(nèi)，并與所述芯體相鄰，隨著接近所述 芯體而增大折射率。在這種磁頭懸浮組件中，折射率分布透鏡按照預(yù)定 的長度構(gòu)成芯體。借助折射率分布透鏡的作用使光聚焦。結(jié)果，針對入 射到芯體的光的位置而允許的誤差增大，能夠比較容易地定位芯體的位 置和入射光的位置。
根據(jù)第八發(fā)明提供一種磁頭懸浮組件，其特征在于，所述磁頭懸浮 組件具有磁頭懸浮器；磁頭滑動器，其在介質(zhì)相對面上面對存儲介質(zhì)， 在介質(zhì)相對面的背面?zhèn)鹊闹蚊嫔媳淮蓬^懸浮器接??；電磁轉(zhuǎn)換元件， 其被埋入磁頭滑動器的介質(zhì)相對面中；光波導(dǎo)，其被裝配在磁頭滑動器 上，從支撐面朝向介質(zhì)相對面延伸；光學(xué)元件，其被夾在支撐面和磁頭 懸浮器之間，將光引導(dǎo)到光波導(dǎo)上；被磁頭懸浮器接住的片狀包層；以 及芯體，其被埋入包層內(nèi)，將光引導(dǎo)到光學(xué)元件上。根據(jù)這種磁頭懸浮 組件，能夠?qū)崿F(xiàn)與前述相同的作用效果。
也可以是，所述芯體通過彎曲從所述磁頭滑動器的空氣流出端一側(cè) 向所述光波導(dǎo)提供光。此外，與前述相同，也可以是，所述芯體劃分出 細頭部，所述細頭部從所述芯體的入射面朝向所述芯體的出射面在預(yù)定 的長度內(nèi)逐漸縮小開口。并且，也可以是，磁頭懸浮組件還具有折射率 分布透鏡，所述折射率分布透鏡從所述芯體的入射面朝向所述芯體的出 射面在預(yù)定的長度內(nèi)被埋入所述包層內(nèi)，并與所述芯體相鄰，隨著接近 所述芯體而增大折射率。
根據(jù)第九發(fā)明提供一種磁頭懸浮組件，其特征在于，所述磁頭懸浮 組件具有磁頭懸浮器；被磁頭懸浮器接住的撓性體；磁頭滑動器，其 在介質(zhì)相對面上面對存儲介質(zhì)，在介質(zhì)相對面的背面?zhèn)鹊闹蚊嫔媳恢?撐在撓性體的支撐板上；電磁轉(zhuǎn)換元件，其被埋入磁頭滑動器的介質(zhì)相 對面中；光波導(dǎo)，其被裝配在磁頭滑動器上，從支撐面朝向介質(zhì)相對面延伸；光學(xué)元件，其被夾在支撐面和撓性體的支撐板之間，將光引導(dǎo)到 光波導(dǎo)上；以及光源，其被撓性體的支撐板接住，向光學(xué)元件提供光。 根據(jù)這種磁頭懸浮組件，能夠?qū)崿F(xiàn)與前述相同的作用效果。
根據(jù)第十發(fā)明提供一種滑架組件，其特征在于，所述滑架組件具有: 滑架塊，其由支撐軸支撐著自由旋轉(zhuǎn)；滑架臂，其是在滑架塊上劃分形 成的； 一對磁頭懸浮器，其安裝在滑架臂的前端；磁頭滑動器，其在介 質(zhì)相對面上面對存儲介質(zhì)，在介質(zhì)相對面的背面?zhèn)鹊闹蚊嫔媳桓鱾€磁 頭懸浮器接??；電磁轉(zhuǎn)換元件，其被埋入磁頭滑動器的介質(zhì)相對面中； 光波導(dǎo)，其被裝配在磁頭滑動器上，從支撐面朝向介質(zhì)相對面延伸；被 磁頭懸浮器接住的片狀包層；芯體，其被埋入包層內(nèi)，將光獨立地引導(dǎo) 到磁頭滑動器的光波導(dǎo)上；以及光源，其被安裝在滑架塊上，向各個芯 體的入射面提供光。
根據(jù)這種滑架組件，能夠?qū)崿F(xiàn)與前述相同的作用效果。在滑架組件 中，也可以是由一對所述光源向一對所述芯體獨立地提供光。另一方面， 也可以是，滑架組件還具有切換機構(gòu)，所述切換機構(gòu)配置在所述光源和 所述芯體的入射面之間，向一對所述芯體的任意一方提供光。


圖1是簡要表示本發(fā)明涉及的存儲介質(zhì)驅(qū)動裝置的一個具體示例、 即硬盤驅(qū)動裝置的內(nèi)部構(gòu)造的俯視圖。
圖2是簡要表示本發(fā)明的第1實施方式涉及的滑架組件的構(gòu)造的部 分放大俯視圖。
圖3是簡要表示光源和支撐體的構(gòu)造的部分放大立體圖。
圖4是簡要表示磁頭滑動器組件的構(gòu)造的部分放大立體圖。
圖5是簡要表示一個具體示例涉及的磁頭滑動器的構(gòu)造的立體圖。
圖6是電磁轉(zhuǎn)換元件的放大主視圖。
圖7是沿圖6中的7—7線的剖視圖。
圖8是簡要表示光波導(dǎo)和光學(xué)元件的構(gòu)造的部分分解立體圖。 圖9是簡要表示一個具體示例涉及的光學(xué)元件的構(gòu)造的俯視圖。圖10是簡要表示一個具體示例涉及的光學(xué)元件的構(gòu)造的側(cè)視圖。 圖11是簡要表示滑架組件面對存儲介質(zhì)的狀態(tài)的部分剖視圖。
圖12是簡要表示成型品的構(gòu)造的立體圖。
圖13是簡要表示在成型品上形成有反射面的狀態(tài)的立體圖。
圖14是簡要表示在成型品的基準面上粘貼有晶片型材(waferbar)
的狀態(tài)的部分透視立體圖。
圖15是簡要表示將成型品和晶片型材定位的狀態(tài)的立體圖。
圖16是簡要表示在成型品上形成平行面的狀態(tài)的立體圖。
圖17是簡要表示從成型品和晶片型材切取磁頭滑動器組件的狀態(tài)
的立體圖。
圖18是簡要表示一個變形示例涉及的光學(xué)元件的構(gòu)造的俯視圖。 圖19是簡要表示一個變形示例涉及的光學(xué)元件的構(gòu)造的側(cè)視圖。 圖20是簡要表示本發(fā)明的第2實施方式涉及的滑架組件的構(gòu)造的剖 視圖。
圖21是簡要表示光源和耦合透鏡的相對位置的剖視圖。 圖22是簡要表示本發(fā)明的第3實施方式涉及的滑架組件的構(gòu)造的剖 視圖。
圖23是簡要表示耦合器元件上形成反射面的狀態(tài)的立體圖。 圖24是簡要表示本發(fā)明的第4實施方式涉及的滑架組件的構(gòu)造的剖 視圖。
圖25是簡要表示本發(fā)明的第5實施方式涉及的滑架組件的構(gòu)造的剖 視圖。
圖26是簡要表示光纖和光學(xué)元件的構(gòu)造的立體圖。 圖27是簡要表示本發(fā)明的第6實施方式涉及的滑架組件的構(gòu)造的剖 視圖。
圖28是簡要表示本發(fā)明的第7實施方式涉及的滑架組件的構(gòu)造的剖 視圖。
圖29是簡要表示本發(fā)明的第8實施方式涉及的滑架組件的構(gòu)造的剖 視圖。圖30是簡要表示本發(fā)明的第9實施方式涉及的滑架組件的構(gòu)造的剖視圖。
圖31是簡要表示一個具體示例涉及的光學(xué)元件的構(gòu)造的立體圖。
圖32是簡要表示光學(xué)元件的構(gòu)造的俯視圖。
圖33是簡要表示光學(xué)元件的構(gòu)造的側(cè)視圖。
圖34是簡要表示模具的構(gòu)造的部分透視立體圖。
圖35是簡要表示模具的構(gòu)造的垂直剖視圖。
圖36是簡要表示一個變形示例涉及的光學(xué)元件的構(gòu)造的部分剖視圖。
圖37是簡要表示一個變形示例涉及的光學(xué)元件的構(gòu)造的立體圖。
圖38是表示NA與耦合效率的關(guān)系的曲線圖。
圖39是簡要表示其他變形示例涉及的光學(xué)元件的構(gòu)造的部分剖視圖。
圖40是簡要表示其他變形示例涉及的光學(xué)元件的構(gòu)造的立體圖。圖41是簡要表示其他變形示例涉及的光學(xué)元件的構(gòu)造的部分剖視圖。
圖42是簡要表示其他變形示例涉及的光學(xué)元件的構(gòu)造的立體圖。圖43是簡要表示其他變形示例涉及的光學(xué)元件的構(gòu)造的部分剖視圖。
圖44是簡要表示其他變形示例涉及的光學(xué)元件的構(gòu)造的立體圖。圖45是簡要表示模具的構(gòu)造的垂直剖視圖。圖46是簡要表示其他變形示例涉及的光學(xué)元件的構(gòu)造的立體圖。圖47是簡要表示其他變形示例涉及的光學(xué)元件的構(gòu)造的部分剖視圖。
圖48是簡要表示本發(fā)明的第10實施方式涉及的滑架組件的構(gòu)造的俯視圖。
圖49是沿圖48中的49一49線的放大部分剖視圖。
圖50是簡要表示光源和光波導(dǎo)的構(gòu)造的部分放大剖視圖。
圖51是簡要表示光波導(dǎo)和光學(xué)元件的構(gòu)造的部分放大剖視圖。
16圖52是簡要表示其他具體示例涉及的光波導(dǎo)的構(gòu)造的部分放大剖視圖。
圖53是簡要表示本發(fā)明的第11實施方式涉及的滑架組件的構(gòu)造的俯視圖。
圖54是簡要表示光波導(dǎo)和光學(xué)元件的構(gòu)造的部分放大剖視圖。
圖55是簡要表示光波導(dǎo)和光學(xué)元件的構(gòu)造的部分放大分解立體圖。
圖56是簡要表示光波導(dǎo)的構(gòu)造的部分放大剖視圖。
圖57是表示形成光波導(dǎo)的步驟的部分放大剖視圖。
圖58是表示形成光波導(dǎo)的步驟的部分放大剖視圖。
圖59是表示形成光波導(dǎo)的步驟的部分放大剖視圖。
圖60是簡要表示本發(fā)明的第12實施方式涉及的滑架組件的構(gòu)造的
圖61是簡要表示另一個具體示例涉及的光波導(dǎo)的構(gòu)造的部分放大俯視圖。
圖62是簡要表示光源和光波導(dǎo)的構(gòu)造的部分放大剖視圖。圖63是簡要表示本發(fā)明的第13實施方式涉及的滑架組件的構(gòu)造的俯視圖。
圖64是簡要表示一個具體示例涉及的光學(xué)模塊的構(gòu)造的圖。圖65是簡要表示其他具體示例涉及的光學(xué)模塊的構(gòu)造的圖。圖66是簡要表示另一個具體示例涉及的光學(xué)模塊的構(gòu)造的圖。圖67是簡要表示一個變形示例涉及的光波導(dǎo)的構(gòu)造的部分放大立體圖。
圖68是簡要表示一個變形示例涉及的光波導(dǎo)的構(gòu)造的部分放大剖視圖。
圖69是簡要表示其他變形示例涉及的光波導(dǎo)的構(gòu)造的部分放大剖視圖。
圖70是簡要表示另一個變形示例涉及的光波導(dǎo)的構(gòu)造的部分放大剖視圖。
圖71是簡要表示本發(fā)明的第14實施方式涉及的滑架組件的構(gòu)造的
17部分放大分解立體圖。
具體實施例方式
以下，參照

本發(fā)明的實施方式。
圖1簡要表示本發(fā)明的一個實施方式涉及的存儲介質(zhì)驅(qū)動裝置即硬
盤驅(qū)動裝置(HDD) ll的內(nèi)部構(gòu)造。該HDDll具有框體即殼體12。殼體12由箱形的基座13和蓋(未圖示)構(gòu)成?；?3劃分例如平坦長方體的內(nèi)部空間即收容空間?；?3例如可以利用鋁這樣的金屬材料通過鑄造成形。蓋接合在基座13的開口上。在蓋和基座13之間密封著收容空間。蓋例如利用一塊板材通過沖壓加工成形。
在收容空間中收容有作為存儲介質(zhì)的兩個以上的磁盤14。磁盤14被安裝在主軸電機15的旋轉(zhuǎn)軸上。主軸電機15能夠使磁盤14例如以5400rpm或7200rpm、 10000rpm、 15000rpm的高速度旋轉(zhuǎn)。磁盤14使用所謂的垂直磁盤。
在收容空間中還收容有滑架組件16。該滑架組件16具有滑架塊17?；軌K17與沿垂直方向延伸的支撐軸18連接并可自由旋轉(zhuǎn)。在滑架塊17上劃分出從支撐軸18沿水平方向延伸的剛體的滑架臂19。滑架塊17例如可以利用鋁通過鑄造成型。眾所周知，在相鄰的各個磁盤14之間配置有一個滑架臂19。
在滑架臂19的前端安裝有磁頭懸浮組件21。磁頭懸浮組件21具有磁頭懸浮器22。磁頭懸浮器22從滑架臂19的前端朝向前方延伸。在磁頭懸浮器22的前端支撐著浮起磁頭滑動器23。浮起磁頭滑動器23面對磁盤14的正面。眾所周知，在相鄰的各個磁盤14之間的滑架臂19上支撐著兩個磁頭懸浮器22。
在浮起磁頭滑動器23上搭載有電磁轉(zhuǎn)換元件。關(guān)于電磁轉(zhuǎn)換元件的具體情況將在后面說明。按壓力從磁頭懸浮器22朝向磁盤14的正面作用于浮起磁頭滑動器23。在磁盤14旋轉(zhuǎn)時，沿著磁盤14的正面形成氣流。借助該氣流的作用，浮力作用于浮起磁頭滑動器23。通過使磁頭懸浮器22的按壓力和浮力均衡，浮起磁頭滑動器23能夠在磁盤14旋轉(zhuǎn)時以比較高的剛性持續(xù)浮起。
在滑架塊17上連接有動力源即音圈電機(VCM) 24。借助該VCM24的作用，滑架塊17能夠圍繞支撐軸18旋轉(zhuǎn)。這樣，通過滑架塊17的旋轉(zhuǎn)，實現(xiàn)滑架臂19和磁頭懸浮器22的搖動。如果滑架臂19在浮起磁頭滑動器23浮起時圍繞支撐軸18搖動，則浮起磁頭滑動器23能夠沿半徑方向橫穿磁盤14的正面。這樣，通過浮起磁頭滑動器23沿半徑方向移動，電磁轉(zhuǎn)換元件被定位于目標的記錄磁道。
圖2簡要表示本發(fā)明的第1實施方式涉及的滑架組件16的構(gòu)造。在各個滑架臂19上形成有開口 25。在開口 25上配置有單個的支撐部件26。如圖3所示，在配置于相鄰的各個磁盤14之間的滑架臂19中，在支撐部件26上安裝有一對光源即LD (激光二極管)芯片27。 LD芯片27朝向滑架臂19的前端輸出光。LD芯片27可以通過從晶片上切取制得。在支撐部件26上支撐著光檢測元件28，其位于LD芯片27的后方。光檢測元件28根據(jù)HDD11內(nèi)的溫度，將從LD芯片27輸出的光的強度保持固定。通過布線(未圖示)向LD芯片27和光檢測元件28提供電力。布線例如可以安裝在滑架臂29上。
在支撐部件26上支撐有一對耦合透鏡29。各個耦合透鏡29配置在LD芯片27的前方。在耦合透鏡29上劃分出預(yù)定曲率的聚光面31。 LD芯片27的前端對聚光面31。 LD芯片27的光通過聚光面31被轉(zhuǎn)換為平行光或聚焦光的任意一種光。另外，在最上段和最下段的滑架臂19上支撐有一個磁頭懸浮器22。在最上段和最下段的滑架臂19中，在支撐部件26上支撐有一個LD芯片27和一個耦合透鏡29。
在此，從LD芯片27輸出的光的波長被設(shè)定為約660nm。 LD芯片27的光的擴散角度被設(shè)定為18度。在形成平行光時，將耦合透鏡29的焦距設(shè)定為0.75mm即可。在形成聚焦光時，將耦合透鏡29的焦距設(shè)定為2.00mm即可。這樣，可以將通過耦合透鏡29形成的平行光和聚焦光的直徑設(shè)定為約400^im。
如圖4所示，浮起磁頭滑動器23被支撐在撓性體32上。撓性體32具有被固定在磁頭懸浮器22上的固定板33。在固定板33上連接有支撐板34，支撐板34在其正面上接住浮起磁頭滑動器23的支撐面23a。在支撐面23a的背面?zhèn)纫?guī)定有介質(zhì)相對面23b。固定板33和支撐板34可以利用一個板簧部件形成。板簧部件例如可以利用板厚均勻的不銹鋼構(gòu)成。支撐板34即浮起磁頭滑動器23能夠相對固定板33改變狀態(tài)。
光學(xué)元件即耦合器元件36被夾在浮起磁頭滑動器23的支撐面23a和支撐板34之間。耦合器元件36可以粘接在支撐面23a和支撐板34上。耦合器元件36可以利用透明的玻璃材料或透明的塑料材料通過成型形成。玻璃材料例如可以使用SF6。 SF6具有1.7956的折射率。塑料材料的成型例如可以采用注射模塑成形法。耦合器元件36的大小例如被設(shè)定為長0.80mm、寬0.60mm、厚0.23mm左右。另外，浮起磁頭滑動器23和耦合器元件36構(gòu)成本發(fā)明的磁頭滑動器組件。
圖5表示一個具體示例涉及的浮起磁頭滑動器23。該浮起磁頭滑動器23具有例如形成為平坦長方體的滑動器主體41。在滑動器主體41的空氣流出側(cè)端面上層疊有非磁性絕緣層即元件內(nèi)置膜42。在該元件內(nèi)置膜42上裝配有前述的電磁轉(zhuǎn)換元件43。關(guān)于電磁轉(zhuǎn)換元件43的具體情況將在后面說明。
滑動器主體41例如可以利用Al203—TiC這樣的硬質(zhì)非磁性材料形成。元件內(nèi)置膜42例如可以利用A1203 (氧化鋁)這樣的比較軟質(zhì)的絕緣非磁性材料形成?；瑒悠髦黧w41在介質(zhì)相對面23b上面對磁盤14。在介質(zhì)相對面23b上規(guī)定有平坦的基礎(chǔ)面45即基準面。在磁盤14旋轉(zhuǎn)時，氣流46從滑動器主體41的前端朝向后端作用于介質(zhì)相對面23b。
在介質(zhì)相對面23b上形成有一道前軌道47，其在前述氣流46的上游側(cè)即空氣流入側(cè)從基礎(chǔ)面45立起來。前軌道47沿著基礎(chǔ)面45的空氣流入端向滑動器寬度方向延伸。同樣，在介質(zhì)相對面23b上形成有后軌道48，其在氣流的下游側(cè)即空氣流出側(cè)從基礎(chǔ)面45立起來。后軌道48配置在滑動器寬度方向的中央位置。
在介質(zhì)相對面23b上還形成有左右一對的輔助后軌道49、 49，其在空氣流出側(cè)從基礎(chǔ)面45立起來。輔助后軌道49、 49分別沿著基礎(chǔ)面45的左右緣部配置。結(jié)果，各個輔助后軌道49、 49沿滑動器寬度方向隔開
20間隔配置。在各個輔助后軌道49、 49之間配置有后軌道48。
在前軌道47、后軌道48和輔助后軌道49、 49的頂面上規(guī)定有所謂的空氣軸承面(ABS) 51、 52、 53。空氣軸承面51、 52、 53的空氣流入端通過階梯54、 55、 56與軌道47、 48、 49的頂面連接。通過磁盤14旋轉(zhuǎn)而形成的氣流46被介質(zhì)相對面23b接住。此時，借助階梯54、 55、 56的作用，在空氣軸承面51、 52、 53上形成比較大的正壓即浮力。而且，在前軌道47的后方即背后形成較大的負壓。根據(jù)這些浮力和負壓的平衡，確立浮起磁頭滑動器23的浮起狀態(tài)。另外，浮起磁頭滑動器23的形式不限于這種形式。
圖6具體表示電磁轉(zhuǎn)換元件43的情況。電磁轉(zhuǎn)換元件43具有寫入磁頭元件即單磁極磁頭61和讀出磁頭元件62。在元件內(nèi)置膜42內(nèi)，單磁極磁頭61與讀出磁頭元件62相比配置在空氣流出側(cè)。眾所周知，單磁極磁頭61能夠利用例如由磁性線圈產(chǎn)生的磁場，向磁盤14寫入2值信息。讀出磁頭元件62可以使用磁阻抗效應(yīng)(MR)元件，例如巨大磁阻抗效應(yīng)(GMR)元件和溝道耦合磁阻抗效應(yīng)(TMR)元件。眾所周知，讀出磁頭元件62能夠從磁盤14根據(jù)隨著作用磁場而變化的電阻來檢測2值信息。
單磁極磁頭61和讀出磁頭元件62被埋入元件內(nèi)置膜42內(nèi)。在讀出磁頭元件62中，溝道耦合膜這樣的磁阻抗效應(yīng)膜63夾在上下一對的導(dǎo)電層即下部屏蔽層64和上部屏蔽層65之間。下部屏蔽層64和上部屏蔽層65可以利用例如FeN和NiFe這樣的磁性材料構(gòu)成。下部屏蔽層64和上部屏蔽層65彼此的間隔決定磁盤14上的記錄磁道的線方向的磁記錄的分辨率。
單磁極磁頭61具有在空氣軸承面53上露出的主磁極66和輔助磁極67。主磁極66和輔助磁極67可以利用例如FeN和NiFe這樣的磁性材料構(gòu)成。 一并參照圖7，在主磁極66和輔助磁極67之間形成有磁性線圈即薄膜線圈68。主磁極66的后端在薄膜線圈68的中心位置通過連接片69與輔助磁極67磁連接。這樣，主磁極66、輔助磁極67和連接片69形成貫穿薄膜線圈68的中心位置的磁性芯體。光波導(dǎo)即芯體71被埋入單磁極磁頭61和讀出磁頭元件62之間的元件內(nèi)置膜42中。單磁極磁頭61、讀出磁頭元件62和芯體71的芯體寬度方向的中心線一致。芯體71可以使用例如2.4折射率的Ti02。芯體71從浮起磁頭滑動器23的支撐面23a朝向介質(zhì)相對面23b即空氣軸承面52延伸。芯體71的前端在空氣軸承面52上露出。芯體71隨著從支撐面23a朝向空氣軸承面52而縮小寬度。元件內(nèi)置膜42具有小于芯體71的折射率，所以元件內(nèi)置膜42作為包層發(fā)揮作用。
如圖8所示，耦合器元件36在從支撐板34的正面立起來的端面上規(guī)定聚光面72。聚光面72面對前述的LD芯片27。聚光面72會聚與浮起磁頭滑動器23的支撐面23a平行地入射的光。在此，聚光面72構(gòu)成各向同性透鏡即可。聚光面72的曲率例如被設(shè)定為0.56mm。另一方面，在聚光面72的相反側(cè)，在耦合器元件36上形成有反射面73。反射面73面對聚光面72。反射面73沿著例如以45度傾斜角與支撐板34的正面交叉的虛擬平面規(guī)定。反射面73使光在耦合器元件36內(nèi)反射。
如圖9所示，聚光面72構(gòu)成各向同性透鏡，所以入射到聚光面72的光在耦合器元件36的厚度方向和寬度方向聚焦。如圖IO所示，聚焦后的光由反射面73反射。反射面73使光以預(yù)定的角度反射。這樣，光朝向芯體71聚焦。結(jié)果，光從耦合器元件36的上端面入射到芯體71上。入射到芯體71上的光從空氣軸承面52朝向磁盤14照射。在此，在耦合器元件36的上端面，數(shù)值孔徑(NA)被設(shè)定為0.33左右。光的直徑被設(shè)定為2fim左右。
現(xiàn)在，假設(shè)向磁盤14寫入2值信息的場景。首先，浮起磁頭滑動器23被定位在目標的記錄磁道上。如圖11所示，LD芯片27向耦合器元件36獨立地提供光。耦合器元件36的聚光面72使光聚焦。反射面73通過反射將光引導(dǎo)到芯體71上。結(jié)果，從芯體71的前端照射磁盤14的磁記錄層(未圖示)。光的能量在磁記錄層被轉(zhuǎn)換為熱的能量。磁記錄層被加熱。磁記錄層的溫度上升。在磁記錄層中頑磁力下降。
此時，向薄膜線圈68提供寫入電流。在薄膜線圈68產(chǎn)生磁場。磁通在主磁極66、輔助磁極67和連接片69內(nèi)流通。磁通從介質(zhì)相對面23b泄露出去。泄露出去的磁通形成記錄磁場。由此，向磁盤14寫入2值信息。在電磁轉(zhuǎn)換元件43通過后，磁記錄層的溫度返回為室溫。磁記錄層的頑磁力增大。結(jié)果，能夠在磁記錄層中可靠地保持2值信息。
在以上所述的HDDll中，耦合器元件36被夾在浮起磁頭滑動器23和支撐板34之間。在耦合器元件36上劃分出聚光面72和反射面73。由聚光面72會聚后的光由反射面73反射。由此，光被引導(dǎo)到浮起磁頭滑動器23的芯體71上。如后面所述，在制造磁頭滑動器組件時，調(diào)整浮起磁頭滑動器23和耦合器元件36的相對位置。浮起磁頭滑動器23和耦合器元件36相比以前更容易定位。容易實施磁頭懸浮組件21的裝配。
而且，在配置于相鄰的各個磁盤14之間的滑架臂19中， 一對LD芯片27支撐在單個支撐部件26上。能夠盡可能避免滑架臂19的重量增大。此外，支撐部件26被配置在滑架臂19的開口 25內(nèi)。與支撐部件26被配置在滑架臂19的正面上時相比，能夠避免滑架臂19的厚度增大。
另外，單磁極磁頭61與芯體71相比配置在空氣流出側(cè)。借助從芯體71照射的光的作用，在磁記錄層被加熱后，單磁極磁頭61能夠馬上通過磁記錄層。在實現(xiàn)了頑磁力下降后，能夠馬上寫入2值信息。光能夠被有效利用。在寫入2值信息時，確立強度較小的記錄磁場即可。
下面，簡單說明磁頭滑動器組件的制造方法。首先，如圖12所示，利用模具成型橫向尺寸較長的成型品75。成型品75例如具有約2 5mm的厚度。在成型品75上沿橫向擴展的基準面76的一端，沿著棱線77以預(yù)定的間隔橫向排列一列前述聚光面72。在此，例如排列有3個聚光面72。然后，在棱線77的相反側(cè)對棱線78實施研磨處理。結(jié)果，如圖13所示，形成以預(yù)定的傾斜角與基準面76交叉的反射面73。反射面73沿橫方向延伸。傾斜角例如被設(shè)定為45度。
如圖14所示，在成型品75的基準面76上粘貼尺寸較長的晶片型材79。在晶片型材79上以與聚光面72相同的間隔劃分一列橫向的多個磁頭滑動器。即，在晶片型材79上劃分出3個磁頭滑動器。在晶片型材79的正面預(yù)先確立介質(zhì)相對面23b。電磁轉(zhuǎn)換元件43和芯體71被預(yù)先埋入晶片型材79中。眾所周知，晶片型材79是從晶片中切取出來的。利用眾所周知的光刻技術(shù)，預(yù)先在晶片上層疊形成讀出磁頭元件62、芯體71和單磁極磁頭61。
如圖15所示，在晶片型材79的正面配置例如2個顯微鏡81。在顯微鏡81上連接有例如視頻攝像機。顯微鏡81被定位在晶片型材79兩端的芯體71上。通過聚光面72的光由反射面73反射。利用顯微鏡81測定光量。結(jié)果，能夠根據(jù)光量的大小，相對成型品75來定位晶片型材79。此時，預(yù)先在成型品75和晶片型材79之間涂敷例如紫外線固化型的粘接劑。在定位之后，向成型品75照射紫外線，使粘接劑固化。
在粘接成型品75和晶片型材79之后，從基準面76的背面?zhèn)妊心コ尚推?5。結(jié)果，如圖16所示，在成型品75上切削出與基準面76平行的面75a。成型品75的厚度被設(shè)定為0.23mm左右。然后，如圖17所示，從成型品75和晶片型材79切取各個磁頭滑動器組件。然后，將各個磁頭滑動器組件粘貼在撓性體32的支撐板34上。
另外，如圖18所示，也可以在磁頭懸浮組件21上裝配取代耦合器元件36的耦合器元件36a。在該耦合器元件36a中，聚光面72a規(guī)定為圓筒面。圓筒面的中心軸沿與耦合器元件36a的正面正交的方向延伸。圓筒面的曲率可以設(shè)定為0.56mm。 一并參照圖19，反射面73a規(guī)定為拋物面。結(jié)果，入射到聚光面72a的光只沿耦合器元件36a的寬度方向聚焦。聚焦后的光由反射面73a反射。與前述方式相同，反射面73a使光以預(yù)定的角度反射。由此，光從耦合器元件36a的上端面入射到芯體71上。
圖20簡要表示本發(fā)明的第2實施方式涉及的滑架組件16a的構(gòu)造。在該滑架組件16a中，光傾斜地入射到耦合器元件36上。在此，光的入射角度被設(shè)定為相對與基座13的底面平行的水平面為0.2度 3.0度的范圍。光隨著遠離LD芯片27而遠離滑架臂19的正面。此外，對與前面敘述的滑架組件16相同的結(jié)構(gòu)和構(gòu)造標注相同的參照標號。
如圖21所示，在調(diào)整入射角度時，使LD芯片27的光軸與耦合透鏡29的中心軸錯開即可。入射角度e和LD芯片27的光軸與耦合透鏡29的中心軸的偏移量AX之間的關(guān)系，被定義為AX二fxsine。其中，f表示耦合透鏡29的焦距。根據(jù)這種滑架組件16a，在LD芯片27的光軸距滑架臂19的正面的高度和耦合器元件36距滑架臂19的正面的高度不同時，也能夠可靠地從LD芯片27向耦合器元件36提供光。
圖22簡要表示本發(fā)明的第3實施方式涉及的滑架組件16b的構(gòu)造。在該滑架組件16b中，在支撐部件26上支撐有取代耦合透鏡29的耦合器元件82。耦合器元件82具有與LD芯片27的前端面對的聚光面83、和將從聚光面83入射的光提供給耦合器元件36的2個反射面84、 85。反射面84、 85沿與基座13的底面正交的垂直方向排列。反射面84規(guī)定為平面。反射面85規(guī)定為拋物面。此外，對與前面敘述的滑架組件16相同的結(jié)構(gòu)和構(gòu)造標注相同的參照標號。
在這種滑架組件16b中，在LD芯片27的光軸距滑架臂19的正面的高度和耦合器元件36距滑架臂19的正面的高度不同時，也能夠借助耦合器元件82的作用，可靠地從LD芯片27向耦合器元件36提供光。在制造這種耦合器元件82時，成型如圖23所示的成型品86。然后，對成型品86的棱線87實施研磨處理。
圖24簡要表示本發(fā)明的第4實施方式涉及的滑架組件16c的構(gòu)造。在該滑架組件16c中，LD芯片27采用面發(fā)光激光器的芯片。在LD芯片27的正面安裝有耦合器元件88。耦合器元件88規(guī)定反射面89。借助反射面89的作用，入射到耦合器元件88上的來自LD芯片27的光以預(yù)定的角度反射。結(jié)果，能夠可靠地向耦合器元件36提供光。此外，對與前面敘述的滑架組件16相同的結(jié)構(gòu)和構(gòu)造標注相同的參照標號。這樣，通過在LD芯片27上確立面發(fā)光，能夠避免滑架臂19的厚度增大。
圖25簡要表示本發(fā)明的第5實施方式涉及的滑架組件16d的構(gòu)造。在該滑架組件16d中，耦合透鏡29和耦合器元件36通過光纖91連接。聚焦光從耦合透鏡29入射到光纖91的一端。從光纖91的另一端向耦合器元件36提供聚焦光。光纖91的NA被設(shè)定為0.2左右。光纖91具有例如約4(xm的芯徑和例如約125|im的包層徑。
如圖26所示，在耦合器元件36上形成有用于支撐光纖91的另一端的槽92。在槽92的內(nèi)端規(guī)定有聚光面72。光纖91的另一端和聚光面72的距離被設(shè)定為0.2mm左右。聚光面72的曲率被設(shè)定為0.12mm左右。聚光面72和浮起磁頭滑動器23的芯體71的距離被設(shè)定為例如0.5mm左右。此時，在聚光面72確立0.28的NA。入射到芯體71的光的直徑被設(shè)定為2.4)Lim。此外，對與前面敘述的滑架組件16相同的結(jié)構(gòu)和構(gòu)造標注相同的參照標號。
在這種滑架組件16d中，借助光纖91的作用，能夠可靠地從LD芯片27向耦合器元件36提供光。而且，光纖91從LD芯片27直直地延伸到耦合器元件36。在光纖91即所謂的單模光纖中，能夠可靠地保存偏振光。光纖91例如不需要使用保存偏振光的光纖。此外，根據(jù)光纖91，例如允許LD芯片27和耦合器元件36的位置偏移。
圖27簡要表示本發(fā)明的第6實施方式涉及的滑架組件16e的構(gòu)造。在該滑架組件16e中，在支撐部件26上支撐有一個LD芯片27和一個耦合透鏡29。在耦合透鏡29上連接有光束分離器93。光束分離器93被支撐在支撐部件26上。借助耦合透鏡29的作用，向光束分離器93提供平行光。此外，對與前面敘述的滑架組件16相同的結(jié)構(gòu)和構(gòu)造標注相同的參照標號。
在光束分離器93上劃分出透射面94和反射面95。透射面94使從耦合透鏡29入射的光透射，同時使從耦合透鏡29入射的光反射。透射與反射的比率被設(shè)定為例如約50%。在透射面94透射的光被提供給一方耦合器元件36。另一方面，在透射面94反射的光以預(yù)定的角度由反射面95反射。反射率大致規(guī)定為100%。反射后的光被提供給另一方耦合器元件36。這樣，能夠從一個LD芯片27向2個耦合器元件36獨立地提供光。
圖28簡要表示本發(fā)明的第7實施方式涉及的滑架組件16f的構(gòu)造。該滑架組件16f使用了耦合器元件36b。在耦合器元件36b上沿與前述相反的方向接住浮起磁頭滑動器23。即，空氣流入端被規(guī)定在滑架組件16f的前端側(cè)?？諝饬鞒龆吮灰?guī)定在滑架組件16f的基部端側(cè)。元件內(nèi)置模42配置在滑架組件16f的基部端側(cè)。在HDDll中，磁盤14沿與前述方向相反的方向旋轉(zhuǎn)。電磁轉(zhuǎn)換元件43和芯體71與前述相同地制造。
26耦合器元件36b在面對LD芯片27的端面上劃分反射面73b。反射 面73b使由LD芯片27提供的光在空氣中反射。也可以在反射面73b上 形成保護膜(未圖示)。向芯體71提供光。在此，反射面73b兼做聚光 面。提供給反射面73b的光會聚于芯體71。此外，對與前面敘述的滑架 組件16相同的結(jié)構(gòu)和構(gòu)造標注相同的參照標號。在這種滑架組件16f中， 與元件內(nèi)置膜42配置在滑架組件16f的前端時相比，能夠縮短與LD芯 片27之間的距離。光能夠被有效利用。
圖29簡要表示本發(fā)明的第8實施方式涉及的滑架組件16g的構(gòu)造。 在該滑架組件16g中省略了耦合器元件36、 36a、 36b。浮起磁頭滑動器 23被支撐在撓性體32的支撐板34的正面上。與滑架組件16f相同，浮 起磁頭滑動器23將空氣流入端規(guī)定在滑架組件16g的前端側(cè)，將空氣流 出端規(guī)定在滑架組件16g的基部端側(cè)。在HDD11中，磁盤14沿與前述 方向相反的方向旋轉(zhuǎn)。
在該浮起磁頭滑動器23中，芯體71部分地露出于空氣流出側(cè)端面。 在露出部分中，在芯體71上形成有光柵(grating) 97。從LD芯片27直 接向該露出部分提供光。借助光柵97的作用使光散射。由此，光入射到 芯體71上。此外，對與前述相同的結(jié)構(gòu)和構(gòu)造標注相同的參照標號。
圖30簡要表示本發(fā)明的第9實施方式涉及的滑架組件16h的構(gòu)造。 該滑架組件16h使用了耦合器元件36c。耦合器元件36c具有聚光面72c 和反射面73c。前述光纖91的另一端與聚光面72c面對。光纖91的一端 與LD芯片27面對。由此，光纖91朝向聚光面72c提供聚焦光。聚焦光 在聚光面72c上會聚。會聚后的光以預(yù)定的角度由反射面73c反射。結(jié) 果，光被引導(dǎo)到芯體71上。在此，光纖91的另一端和聚光面72c的距 離被設(shè)定為約0.3mm。從聚光面72c到光的焦點的距離被設(shè)定為約 0.3mm。此外，對與前述相同的結(jié)構(gòu)和構(gòu)造標注相同的參照標號。
耦合器元件36c規(guī)定接住浮起磁頭滑動器23的支撐面23a的第1平 坦面98、和與第1平坦面98平行地擴展的第2平坦面99。耦合器元件 36c在第2平坦面99上被支撐板34接住。第1平坦面98和第2平坦面 99通過包含聚光面72c的第1側(cè)面101和包含反射面73c的第2側(cè)面102相互連接。第1側(cè)面101與第2側(cè)面102面對。如圖31所示，第1平坦 面98和第2平坦面99通過相互平行地擴展的第3側(cè)面103和第4側(cè)面 104連接。在此，聚光面72c規(guī)定為彎曲面即變形非球面。另一方面，反 射面73c規(guī)定為平面。
如圖32所示，第1 第4虛擬壁面相對在俯視時確立的耦合器元件 36c的輪廓線C直立起來。第1虛擬壁面105a和第2虛擬壁面105b規(guī)定 為相互平行。第3虛擬壁面105c和第4虛擬壁面105d規(guī)定為相互平行。 耦合器元件36c的第3側(cè)面103沿著第3虛擬壁面105c擴展。第4側(cè)面 103沿著第4虛擬壁面105d擴展。另一方面，如圖33所示，第1側(cè)面 101即聚光面72c隨著遠離與第1平坦面98平行地擴展的第1基準面Pl 而遠離第1虛擬壁面105a。另一方面，第2側(cè)面102從第1平坦面98開 始一部分沿著第2虛擬壁面105b擴展。第1側(cè)面102即反射面73c隨著 遠離與第1平坦面98平行地擴展的第2基準面P2而遠離第2虛擬壁面 105b。
下面，說明耦合器元件36c的制造方法。圖34表示在制造耦合器元 件36c時使用的模具106的構(gòu)造。模具106具有例如圓盤形的下模具107、 和與下模具107的正面重合的例如圓盤形的上模具108。下模具107的軸 芯和上模具108的軸芯一致。在下模具107上劃分出腔室109。腔室109 模仿例如橫向排列的3個耦合器元件36c的輪廓。在上模具108上劃分 出從上模具108的背面突出的突片111。在上模具108的背面與下模具 107的正面重合時，突片111被收納在腔室109內(nèi)。從而腔室109被密封。
在腔室109內(nèi)，在下模具107上規(guī)定有互相面對的第1側(cè)壁109a和 第2側(cè)壁109b、以及互相面對的第3側(cè)壁109c和第4側(cè)壁109d。第1 側(cè)壁109a規(guī)定耦合器元件36c的第1側(cè)面101 。同樣，第3側(cè)壁109c規(guī) 定第3側(cè)面103。第4側(cè)壁109d規(guī)定第4側(cè)面104。腔室109的底面規(guī) 定第1平坦面98。另一方面， 一并參照圖35，在上模具108的突片111 上規(guī)定有側(cè)面llla。側(cè)面llla規(guī)定耦合器元件36c的第2側(cè)面102。在 上模具108的背面與下模具107的正面重合時，腔室109劃分耦合器元 件36c的輪廓。在突壁111的外側(cè)，上模具108的背面規(guī)定第2平坦面99。
在制造耦合器元件36c時，在腔室109內(nèi)配置有預(yù)塑形坯(preform)。 預(yù)塑形坯例如采用玻璃材料。玻璃材料被加熱。玻璃材料熔融。熔融后 的玻璃材料擴散到腔室109內(nèi)。下模具107和上模具108沿著軸心相互 接近。結(jié)果，上模具108的背面與下模具107的正面重合。下模具107 和上模具108以預(yù)定的按壓力相互按壓。玻璃材料在腔室109內(nèi)均勻擴 散。然后，玻璃材料被冷卻。玻璃材料通過冷卻而固化。結(jié)果，玻璃材 料被成型為預(yù)定的形狀。從腔室109取出成型后的成型品。然后，從成 型品切取各個耦合器元件36c。由此制造耦合器元件36c。
在以上所述的制造方法中，耦合器元件36c的第1側(cè)面101和第2 側(cè)面102隨著分別遠離第1基準面Pl和第2基準面P2而分別遠離第1 虛擬壁面105a和第2虛擬壁面105b。第3側(cè)面103和第4側(cè)面104沿著 第3虛擬壁面105c和第4虛擬壁面105d規(guī)定。第l 第4虛擬壁面105a 105d相對輪廓線C直立，所以能夠容易地從模具106上取下成型品即耦 合器元件36c。耦合器元件36c能夠容易地利用2個模具即下模具107和 上模具108制得。能夠一次生產(chǎn)大量的耦合器元件36c。
如圖36所示，也可以在滑架組件16h上裝配取代前述耦合器元件 36c的耦合器元件36d。在該耦合器元件36d中，如圖37所示，聚光面 72c規(guī)定為圓筒面。圓筒面的母線例如以預(yù)定的傾斜角與第1平坦面98 交叉。另一方面，反射面73c規(guī)定為圓筒面。圓筒面的母線沿與第1虛 擬壁面105a平行的方向延伸。由此，反射面73c可以作為聚光面發(fā)揮作 用。此外，對與前述耦合器元件36c相同的結(jié)構(gòu)和構(gòu)造標注相同的參照 標號。
這種耦合器元件36d與前述耦合器元件36c相同地制造。因此，能 夠一次生產(chǎn)大量的耦合器元件36c。而且，聚光面72c是按照預(yù)定的母線 描畫形成的，所以在磨削制造耦合器元件36c時使用的模具時，只要能 夠?qū)崿F(xiàn)磨削刀具的平行移動即可。不需要包括磨削刀具的方向控制在內(nèi) 的三維的復(fù)雜加工。由此能夠容易地制造模具。
反射面73c作為聚光面發(fā)揮作用。結(jié)果，在距支撐面23a和反射面73c的距離比較短時，如果光在較大的范圍內(nèi)會聚，將導(dǎo)致NA增大。NA 的增大使得耦合效率下降。圖38表示入射到單模光纖的光的NA與耦合 效率的關(guān)系。根據(jù)該曲線圖可知，在NA被設(shè)定為0.10時，耦合效率最 高。因此，只要根據(jù)耦合器元件36d的設(shè)計來設(shè)定最佳的NA即可。而 且，在耦合器元件36d中，從浮起磁頭滑動器23的支撐面23a到反射面 73c的距離被設(shè)定得比較長。結(jié)果，不需變更最佳的NA，反射面73c即 可在更大的范圍內(nèi)進行會聚。光能夠被有效利用。
如圖39所示，也可以在滑架組件16h上裝配取代前述耦合器元件 36c、 36d的耦合器元件36e。在該耦合器元件36e中，聚光面72c規(guī)定為 圓筒面。圓筒面的母線沿與第l虛擬壁面105a平行的方向延伸。另一方 面，反射面73c同樣規(guī)定為圓筒面。根據(jù)圖40可知，圓筒面的母線例如 以預(yù)定的傾斜角與第2平坦面99交叉。由此，反射面73c可以作為聚光 面發(fā)揮作用。此外，對與前述耦合器元件36c、 36d相同的結(jié)構(gòu)和構(gòu)造標 注相同的參照標號。
這種耦合器元件36e與前述耦合器元件36c相同地制造。因此，能 夠一次生產(chǎn)大量的耦合器元件36c。而且，聚光面72c是按照預(yù)定的母線 描畫形成的，所以能夠容易地制造模具。此外，在耦合器元件36e中， 從浮起磁頭滑動器23的支撐面23a到反射面73c的距離被設(shè)定得比較長。 結(jié)果，不需變更最佳的NA，反射面73c即可在更大的范圍內(nèi)進行會聚。 光能夠被有效利用。
如圖41所示，也可以在滑架組件16h上裝配取代前述耦合器元件 36c 36e的耦合器元件36f。在該耦合器元件36f中，聚光面72c與前述 耦合器元件36c相同地規(guī)定為變形非球面。另一方面，如圖42所示，反 射面72c規(guī)定為例如橢圓面這樣的旋轉(zhuǎn)對稱非球面即可。結(jié)果，反射面 73c可以作為聚光面發(fā)揮作用。此外，反射面73c也可以規(guī)定為雙曲面。
在該耦合器元件36f中，與前述相比，聚光面72c和反射面73c的距 離增大。光路長度相比前述增大。結(jié)果，在聚光面73c和反射面73c之 間，光連接焦點。從焦點到聚光面72c的距離和從焦點到反射面73c的 距離被設(shè)定為相等。由此，會聚于芯體71的光的NA被設(shè)定為與入射到
30聚光面72c的光的NA相等。此外，對與前述耦合器元件36c 36e相同 的結(jié)構(gòu)和構(gòu)造標注相同的參照標號。
這種耦合器元件36f與前述耦合器元件36c相同地制造。因此，能 夠一次生產(chǎn)大量的耦合器元件36f。而且，聚光面72c是按照預(yù)定的母線 描畫形成的，所以能夠容易地制造模具。此外，在耦合器元件36e中， 從浮起磁頭滑動器23的支撐面23a到反射面73c的距離被設(shè)定得比較長。 結(jié)果，不需變更最佳的NA，反射面73c即可在更大的范圍內(nèi)進行會聚。 光能夠被有效利用。另外，伴隨聚光面72c和反射面73c的距離的增大， 第1平坦面98的面積增大。耦合器元件36f與浮起磁頭滑動器23的接合 強度提高。
如圖43所示，也可以在滑架組件16h上裝配取代前述耦合器元件 36c 36f的耦合器元件36g。在該耦合器元件36g中，聚光面72c規(guī)定為 圓筒面。圓筒面的母線與第l虛擬壁面105a平行地延伸。在此，聚光面 72c隨著遠離前述第2基準面P2而遠離第1虛擬壁面105a。另一方面， 反射面73c可以規(guī)定為平面。
在該耦合器元件36g中，與前述耦合器元件36f相同，聚光面72c 和反射面73c的距離比較大。結(jié)果，從聚光面72c入射的光由第1平坦 面98反射。即，第1平坦面98構(gòu)成第2反射面。反射后的光被引導(dǎo)到 反射面73c。此外，對與前述耦合器元件36c 36f相同的結(jié)構(gòu)和構(gòu)造標 注相同的參照標號。
在制造這種耦合器元件36g時，例如使用如圖45所示的模具113。 模具113具有下模具114和上模具115。在下模具114上劃分出腔室116。 在上模具115的背面與下模具114的正面重合時，腔室116被密封。根 據(jù)圖45可知，耦合器元件36g的聚光面72c和反射面73c均規(guī)定于下模 具114的腔室116上。因此，例如與反射面73c規(guī)定于上模具115的背面 上時相比，能夠以更高的精度形成聚光面72c和反射面73c。
與前述相同地，能夠一次生產(chǎn)大量這種耦合器元件36g。而且，聚 光面72c是按照預(yù)定的母線描畫形成的，所以能夠容易地制造模具。此 外，伴隨聚光面73c和反射面72c的距離的增大，第1平坦面98的面積增大。耦合器元件36f與浮起磁頭滑動器23的接合強度提高。
如圖46所示，也可以在滑架組件16h上裝配取代前述耦合器元件 36c 36g的耦合器元件36h。在該耦合器元件36h上形成有接住光纖91 的另一端的槽118。在槽118的內(nèi)端規(guī)定有入射面119。入射面119規(guī)定 為平面。入射面119面對光纖91的另一端。另一方面，在耦合器元件36h 上形成有反射面121。反射面121規(guī)定為平面。反射面121面對入射面 119。
在光纖91的另一端和入射面119之間配置有例如圓柱形的折射率分 布透鏡122。折射率分布透鏡122與光纖91的另一端接合。折射率分布 透鏡122被設(shè)定成為隨著遠離其中心軸而朝向外圍，其折射率變小。如 圖47所示，在光從光纖91的另一端入射到折射率分布透鏡122時，光 由折射率分布透鏡122聚焦。聚焦后的光從入射面121入射到耦合器元 件36h。入射后的光以預(yù)定的角度由反射面121反射。由此，光被引導(dǎo)到 芯體71。此外，對與前述耦合器元件36c 36g相同的結(jié)構(gòu)和構(gòu)造標注相 同的參照標號。
在這種耦合器元件36h中，入射面119和反射面121規(guī)定為平面。 結(jié)果，耦合器元件36h例如可以通過切割加工形成。對通過切割加工切 取的成型品實施研磨加工。由此，規(guī)定入射面119和反射面121。這種耦 合器元件36h能夠一次大量生產(chǎn)。
圖48簡要表示本發(fā)明的第10實施方式涉及的滑架組件16i的構(gòu)造。 在該滑架組件16i中，在滑架臂19上安裝有LD芯片27。 LD芯片27能 夠向滑架臂19的前方照射光。在LD芯片27和浮起磁頭滑動器23之間 配置有光波導(dǎo)124。光波導(dǎo)124形成于滑架臂19和磁頭懸浮器22上。在 此，光波導(dǎo)124從LD芯片27直直地延伸到浮起磁頭滑動器23。在浮起 磁頭滑動器23的空氣流入側(cè)，光波導(dǎo)124從撓性體32的固定板33跨越 到支撐板34。
如圖49所示，光波導(dǎo)124具有例如聚酰亞胺樹脂制的支撐板125。 在支撐板125上形成有片狀的包層126。芯體127被埋入包層126內(nèi)。包 層126和芯體127利用例如光聚合物這樣的紫外線固化型樹脂材料形成。此時，只要包層126的折射率和芯體127的折射率存在差異即可。在芯 體127中，偏振的方向被設(shè)定為預(yù)定的方向。在撓性體32上，可以在光 波導(dǎo)124上配置導(dǎo)電圖案(未圖示)。另外，光波導(dǎo)124也可以配置在導(dǎo) 電圖案上。并且，導(dǎo)電圖案也可以與光波導(dǎo)124—體化。
如圖50所示，光波導(dǎo)124的一端即入射面124a面對LD芯片27的 前方。在此，LD芯片27可以使用例如Fabry-Perot型。LD芯片27朝向 入射面124a提供光。另一方面，如圖51所示，前述的耦合器元件36被 夾在浮起磁頭滑動器23的支撐面23a和支撐板34之間。光波導(dǎo)124的 另一端即出射面124b面對耦合器元件36的聚光面72。此外，對與前述 相同的結(jié)構(gòu)和構(gòu)造標注相同的參照標號。
在這種滑架組件16i中，從LD芯片27照射的光提供給光波導(dǎo)124 的芯體127。光從入射面124a入射到芯體127。光在芯體127內(nèi)傳播。 由此，光從芯體127的出射面124b出射。出射的光被引導(dǎo)到耦合器元件 36上。結(jié)果，光被引導(dǎo)到浮起磁頭滑動器23的芯體71上。另外，在制 造滑架組件16i時，只要將預(yù)先制造的光波導(dǎo)124粘貼在滑架臂19和磁 頭懸浮器22上即可。根據(jù)這種滑架組件16i，能夠?qū)崿F(xiàn)與前述相同的作 用效果。
在以上所述的滑架組件16i中，預(yù)先制造的光波導(dǎo)124被粘貼在滑 架臂19和磁頭懸浮器22上。在預(yù)先制造的光波導(dǎo)124中，偏振的方向 被設(shè)定為預(yù)定的方向。因此，光波導(dǎo)124能夠容易地被定位在滑架臂19 和磁頭懸浮器22上。能夠避免實施偏振方向的微調(diào)整這樣的煩雜作業(yè)。 結(jié)果，能夠容易地生產(chǎn)大量的滑架組件16i，抑制滑架組件16i的生產(chǎn)成 本。
此外，也可以取代前述的粘貼方式，使光波導(dǎo)124形成在滑架臂19 和磁頭懸浮器22上。在形成光波導(dǎo)124時，例如利用旋轉(zhuǎn)涂敷法在滑架 臂19和磁頭懸浮器22上涂敷紫外線固化型的樹脂材料。然后，通過照 射紫外線，形成包層126和芯體127。
如圖52所示，也可以在滑架組件16i上裝配取代光波導(dǎo)124的光波 導(dǎo)128。該光波導(dǎo)128具有利用玻璃材料形成的包層129和芯體131。包層129具有支撐層129a和在支撐層129a的正面覆蓋芯體131的被覆層 129b。光波導(dǎo)124通過支撐層129a粘貼在滑架臂119和磁頭懸浮器22 上。支撐層129a例如利用硼硅酸鹽玻璃形成。支撐層129a具有例如約 30 50jxm的厚度。硼硅酸鹽玻璃具有1.473的折射率。被覆層129b例如 利用BK7形成。BK7具有例如約0.02mm的厚度。BK7具有1.53的折射 率。
芯體131被埋入支撐層129a和被覆層129b即包層129內(nèi)。芯體131 例如利用硅玻璃(BPSG)形成。芯體131具有例如約5pm的厚度。硅玻 璃具有2.0的折射率。這種光波導(dǎo)128利用玻璃材料形成時，具有例如 400nm波長的光的透射率提高。此外，由于玻璃材料的耐熱溫度比較高， 所以在滑架組件16i中能夠使用高能量的光。
在形成這種光波導(dǎo)128時，首先準備硼硅酸鹽玻璃片。玻璃片構(gòu)成 支撐層129a。在支撐層129a的正面上，利用例如等離子化學(xué)氣相生長法 (PECVD)形成硅玻璃層。利用例如Cr掩模對硅玻璃層實施蝕刻。由此， 在支撐層129a的正面上切削形成芯體131。然后，在支撐層129a的正面 上利用RF濺射法形成BK7的被覆層129b。然后，例如通過激光加工切 削形成光波導(dǎo)128的輪廓。另外，也可以取代前述的粘貼方式，使光波 導(dǎo)128形成在滑架臂19和磁頭懸浮器22上。
圖53簡要表示本發(fā)明的第11實施方式涉及的滑架組件16j的構(gòu)造。 在該滑架組件16j中，前述的光波導(dǎo)124也可以通過彎曲延伸到浮起磁頭 滑動器23的空氣流出側(cè)。在光波導(dǎo)124的彎曲區(qū)域中，在芯體127上規(guī) 定反射面133、 134。反射面133、 134例如規(guī)定為平面。反射面133、 134 與撓性體32的正面正交。從LD芯片27入射到光波導(dǎo)124的芯體127 上的光由反射面133、 134全反射。結(jié)果，光能夠被引導(dǎo)到光波導(dǎo)124的 出射面124b上。另外，也可以使用取代光波導(dǎo)124的光波導(dǎo)128。
如圖54所示，前述的耦合器元件36b被夾在浮起磁頭滑動器23的 支撐面23a和支撐板34之間。光波導(dǎo)124的出射面124b面對耦合器元 件36b的反射面73b。反射面73b例如規(guī)定為圓筒面。如前面所述，反射 面73b兼做聚光面。反射面73b面對浮起磁頭滑動器23的芯體71 。結(jié)果，從光波導(dǎo)124的出射面124b出射的光被引導(dǎo)到浮起磁頭滑動器23的芯 體71上。此外，對與前述相同的結(jié)構(gòu)和構(gòu)造標注相同的參照標號。在這 種滑架組件16j中，能夠?qū)崿F(xiàn)與前述相同的作用效果。
圖55簡要表示本發(fā)明的第12實施方式涉及的滑架組件16k的構(gòu)造。 在該滑架組件16k中，光波導(dǎo)124也可以延伸到浮起磁頭滑動器23的支 撐面23a。由此，光波導(dǎo)124的另一端被夾在支撐面23a和支撐板34之 間。光波導(dǎo)124的另一端在支撐面23a和支撐板34之間以均勻的厚度擴 展。在此，光波導(dǎo)124的另一端可以具有與浮起磁頭滑動器23相同的輪 廓。在光波導(dǎo)124中，芯體127延伸到支撐面23a和支撐板34之間。
一并參照圖56，在包層126上劃分出開口 135。芯體127在開口 135 內(nèi)被分割。在一方芯體127的端面形成有出射面124b。另一方面，在另 一方芯體127的端面規(guī)定有反射面136。反射面136與出射面124b面對。 反射面136規(guī)定為例如以45度的傾斜角與支撐板34的正面交叉的傾斜 面即可。在芯體127內(nèi)傳播的光從出射面124b出射。光由反射面136反 射。反射后的光入射到芯體71。此外，對與前述滑架組件16j相同的結(jié) 構(gòu)和構(gòu)造標注相同的參照標號。
在形成這種光波導(dǎo)124時，如圖57所示，例如利用旋轉(zhuǎn)涂敷法在支 撐板125上涂敷厚度均勻的包層用的光聚合物材料137。光聚合物材料 137通過照射紫外線而固化。例如利用旋轉(zhuǎn)涂敷法在光聚合物材料137上 涂敷厚度均勻的芯體用的光聚合物材料138。然后，利用掩模向光聚合物 材料138照射紫外線。由此，光聚合物材料138固化成為芯體127的輪 廓。然后，在光聚合物材料137上涂敷光聚合物材料139。光聚合物材料 139通過照射紫外線而固化。
然后，如圖58所示，向光聚合物材料139照射加工用激光。通過照 射加工用激光，在預(yù)定的范圍內(nèi)去除光聚合物材料139。結(jié)果，在光聚合 物材料139上形成開口 135。光聚合物材料138的正面露出于開口 135內(nèi)。 在開口 135內(nèi)，向光聚合物材料138的正面照射加工用激光。結(jié)果，如 圖59所示，在光聚合物材料139上形成傾斜面即反射面136。同時，在 光聚合物材料139上形成出射面124b。在使反射面136變平坦時，再次向反射面136照射加工用激光。由此形成光波導(dǎo)124。
圖60簡要表示本發(fā)明的第13實施方式涉及的滑架組件16m的構(gòu)造。 在該滑架組件16m中，在滑架臂19上配置有光波導(dǎo)124，在磁頭懸浮器 22上配置有光波導(dǎo)128。光波導(dǎo)124被粘貼在滑架臂19上。另一方面， 光波導(dǎo)128可以通過圖案加工形成在磁頭懸浮器22上。光波導(dǎo)124的端 面面對光波導(dǎo)128的端面。在各個端面之間可以夾入例如粘接劑。由此 將各個端面粘接。此外，對與前述相同的結(jié)構(gòu)和構(gòu)造標注相同的參照標 號。
另外，如圖61所示，在光波導(dǎo)128中，包層129也可以在磁頭懸浮 器22的正面的整個面上擴散。這種光波導(dǎo)128例如可以通過激光加工切 取形成。此外，如圖62所示，LD芯片27也可以使用面發(fā)光激光器 (VCSEL)的芯片。此時，可以在光波導(dǎo)124的芯體127上形成反射面 127a。 LD芯片27朝向反射面127a照射光。
圖63簡要表示本發(fā)明的第14實施方式涉及的滑架組件16n的構(gòu)造。 在該滑架組件16n中，在提供光時，在滑架塊17的側(cè)面安裝有光學(xué)模塊 141。從光學(xué)模塊141向光波導(dǎo)124的入射面124a提供光。在此，光波 導(dǎo)124通過彎曲延伸到滑架臂19的外緣。在彎曲區(qū)域中，在芯體127上 形成有反射面142。光波導(dǎo)124的入射面124a面對光學(xué)模塊141的反射 鏡143。反射鏡143面對光學(xué)模塊141的光學(xué)單元144。從光學(xué)單元144 照射的光由反射鏡143反射。反射后的光被引導(dǎo)到入射面124a上。
如圖64所示，光學(xué)單元144具有第1封裝LD145和第2封裝LD146。 第1封裝LD145和第2封裝LD146配置在相互正交的直線上。在第1封 裝LD145上裝配有彼此相鄰的第1LD芯片147a和第2LD芯片147b。在 第2封裝LD146上裝配有彼此相鄰的第3LD芯片147c和第4LD芯片 147d。在本實施方式中使用第1LD芯片147a 第4LD芯片147d這4個 LD芯片，所以本實施方式能夠應(yīng)對例如2個磁盤14。
光束分離器148面對第1封裝LD145和第2封裝LD146。第1封裝 LD145面對光束分離器148的第1入射面148a。第2封裝LD146面對第 2入射面148b。第1入射面148a和第2入射面148b相互正交。光束分離器148具有反射面149。反射面149使所謂的P偏振光透射，使所謂的 S偏振光反射。在光束分離器148和反射鏡143之間配置有一對物鏡151 。 借助物鏡151的作用，從LD芯片147a 147d輸出的光擴大。光束分離 器148和物鏡151構(gòu)成本發(fā)明的切換機構(gòu)。
在這種滑架組件16n中，各個第1 第4LD芯片147a 147d對應(yīng)于 各個磁盤14的正面和背面。在此，從第1LD芯片147a和第2LD芯片147b 輸出的光在反射面149透射。另一方面，從第3LD芯片147c和第4LD 芯片147d輸出的光由反射面149反射。例如，從第2LD芯片147b輸出 的光在反射面149透射后，借助物鏡151的作用而折射。結(jié)果，光被引 導(dǎo)到與上側(cè)磁盤14的正面?zhèn)葘?yīng)的光波導(dǎo)124—1的入射面124a。同樣， 從第1LD芯片147a輸出的光被引導(dǎo)到與下側(cè)磁盤14的正面?zhèn)葘?yīng)的光 波導(dǎo)124—3的入射面124a。
另一方面，從第3LD芯片147c輸出的光由反射面149反射后，借 助物鏡151的作用而折射。結(jié)果，光被引導(dǎo)到與上側(cè)磁盤14的背面?zhèn)葘?應(yīng)的光波導(dǎo)124 — 2的入射面124a。同樣，從第4LD芯片147d輸出的光 被引導(dǎo)到與下側(cè)磁盤14的背面?zhèn)葘?yīng)的光波導(dǎo)124—4的入射面124a。 這樣，各個第1 第4LD芯片147a 147d分別對應(yīng)光波導(dǎo)124。因此， 在寫入磁信息時，只要第1 第4LD芯片147a 147d中的任意一方輸出 光即可。結(jié)果，在各個第1 第4LD芯片147a 147d之間抑制熱量的相 互干涉的影響。此外，對與前述相同的結(jié)構(gòu)和構(gòu)造標注相同的參照標號。
如圖65所示，也可以在滑架組件16n上裝配光學(xué)模塊141a。在該光 學(xué)模塊141a上裝配光學(xué)單元144a。光學(xué)單元144a具有一個LD芯片153。 在LD芯片153和反射鏡143之間配置有第1物鏡154和第2物鏡155。 第2物鏡155例如能夠沿與支撐軸18的軸心平行的方向上下移動。為了 實現(xiàn)上下移動，可以將第2物鏡155安裝在例如壓電元件上。通過第2 物鏡155的這種上下移動，從LD芯片153輸出的光被獨立地引導(dǎo)到各個 光波導(dǎo)124—1 124—4的入射面124a上。在此，第2物鏡155構(gòu)成本 發(fā)明的切換機構(gòu)。此外，對與前述相同的結(jié)構(gòu)和構(gòu)造標注相同的參照標 號。如圖66所示，也可以在滑架組件16n上裝配取代光學(xué)模塊141、 141a 的光學(xué)模塊141b。在該光學(xué)模塊141b上裝配光學(xué)單元144b。光學(xué)單元 144b具有一個LD芯片156。在LD芯片156和反射鏡143之間裝配有切 換機構(gòu)即偏振光機構(gòu)157。偏振光機構(gòu)157具有例如沿與支撐軸18的軸 心平^^的上下方向疊放的5段的第1 第5光束分離器158a 158e。各 個光束分離器158a 158e規(guī)定反射面159。各個反射面159相互平行地 擴展。反射面159使P偏振光透射，使S偏振光反射。并且，最下段的 第1光束分離器158a的透射率被設(shè)定為約5%。最上段的第5光束分離 器158e的透射率被設(shè)定為0%。在此，第4和第5光束分離器158d、 158e 分別對應(yīng)于上側(cè)磁盤14的背面和正面。同樣，第2和第3光束分離器158b、 158c分別對應(yīng)于下側(cè)磁盤14的背面和正面。
偏振光機構(gòu)157具有被夾在相鄰的各個光束分離器158a 158e之間 的第1 第4液晶(LC)面板161a 161d。各個LC面板161a 161d能 夠把入射到LC面板161的P偏振光轉(zhuǎn)換為S偏振光。偏振光機構(gòu)157 具有配置在光束分離器158a 158e和反射鏡143之間的半波長板162。 半波長板162例如能夠把S偏振光轉(zhuǎn)換為P偏振光。例如，在光波導(dǎo)124 的芯體127最適合采用P偏振光時，可以配置半波長板162。在芯體127 最適合采用S偏振光時，可以省略配置半波長板162。偏振光機構(gòu)157 具有配置在半波長板162和反射鏡143之間的透鏡組163。透鏡組163具 有面對各個光束分離器158a 158e的出射面的多個透鏡164。透鏡164 使光會聚。
偏振光機構(gòu)157具有配置在最下段的第1光束分離器158a的入射面 和LD芯片156之間的準直透鏡165。準直透鏡165能夠把從LD芯片156 輸出的光轉(zhuǎn)換為平行光的P偏振光。另一方面，偏振光機構(gòu)157具有面 對第1光束分離器158a的出射面的光電二極管(PD) 166。 PD166在進 行光的自動光量控制(Auto Power Control)時使用。如前面所述，在第1 光束分離器158a中設(shè)定約5X的透射率，所以光被輸出給PD166。根據(jù) 這種光，將LD芯片156的光的輸出控制為固定狀態(tài)。此外，對與前述相 同的結(jié)構(gòu)和構(gòu)造標注相同的參照標號?，F(xiàn)在，例如假設(shè)朝向配置于下側(cè)磁盤14的正面?zhèn)鹊墓獠▽?dǎo)124提供
光的場景。首先，從LD芯片156輸出的光通過準直透鏡165被轉(zhuǎn)換為平 行光的P偏振光。P偏振光入射到第1光束分離器158a上。由于反射面 159的透射率被設(shè)定為約5%，所以P偏振光的大部分由反射面159反射。 結(jié)果，P偏振光入射到第1LC面板161a上。第1LC面板161a使P偏振 光透射。P偏振光入射到第2光束分離器158b上。第2光束分離器158b 的反射面159使P偏振光透射。這樣，P偏振光入射到第2LC面板161b 上。第2LC面板161b把P偏振光轉(zhuǎn)換為S偏振光。S偏振光入射到第3 光束分離器158c上。S偏振光由第3光束分離器158c的反射面159反射。 結(jié)果，S偏振光通過透鏡164聚焦。聚焦后的S偏振光通過反射鏡143 被引導(dǎo)到光波導(dǎo)124的入射面124a上。這樣，從一個LD芯片156輸出 的光能夠被獨立地引導(dǎo)到各個光波導(dǎo)124的入射面124a上。
在以上所述的滑架組件16i 16n中，如圖67所示，光波導(dǎo)124的 芯體127從入射面124a朝向出射面124b沿著預(yù)定的長度劃分形成細頭 部171。細頭部171隨著從基端朝向前端而縮小開口。細頭部171沿芯體 127的厚度方向和寬度方向逐漸縮小。在此，芯體127具有例如矩形的斷 面。一并參照圖68，在芯體127的上端面沿厚度方向形成有多個階梯172。 借助階梯172，使芯體127的厚度逐漸減小。另一方面，芯體127的寬度 隨著遠離入射面124a而逐漸減小。g卩，芯體127的兩側(cè)面隨著遠離入射 面124a而逐漸接近。細頭部171的長度被規(guī)定為距入射面124a例如約 為10|um。
在此，由入射面124a規(guī)定的細頭部171的大小例如被設(shè)定為光的10 個波長以上、即約5,。這樣，在入射面124a上確立多模光。另一方面， 在細頭部171的前端確立單模光。借助細頭部171的這種作用，芯體127 的開口在入射面124a上增大。結(jié)果，針對入射到芯體127的光的位置而 允許的誤差增大，能夠比較容易地定位芯體127的位置和入射光的位置。 此外，對與前述相同的結(jié)構(gòu)和構(gòu)造標注相同的參照標號。
在形成這種光波導(dǎo)124時，例如在硼硅酸鹽玻璃片上形成厚度均勻 的硅玻璃層。在玻璃片上，從硅玻璃層切削形成芯體127的輪廓。然后，利用抗蝕劑材料對硅玻璃層實施蝕刻。通過反復(fù)形成抗蝕劑材料和進行
蝕刻而形成階梯172。由此形成芯體127。然后，與前述相同地在玻璃片 上利用BK7實施RF濺射法即可。由此形成包層126。結(jié)果，形成光波導(dǎo) 124。
另外，如圖69所示，在前述的光波導(dǎo)124中，在形成細頭部171時， 也可以在芯體127的下端面形成階梯172。芯體127的上端面可以規(guī)定為 平坦面。此外，對與前述相同的結(jié)構(gòu)和構(gòu)造標注相同的參照標號。在這 種光波導(dǎo)124中，能夠?qū)崿F(xiàn)與前述相同的作用效果。在形成這種光波導(dǎo) 124時，通過蝕刻在玻璃片的正面形成多個階梯172。然后，在玻璃片上 形成芯體127。對芯體127的上端面實施研磨處理。與前述相同地在芯體 127上利用BK7實施RF濺射法即可。由此形成包層126。結(jié)果，形成光 波導(dǎo)124。
另夕卜，如圖70所示，在前述的光波導(dǎo)124中，也可以在芯體127的 上端面形成取代細頭部171的折射率分布透鏡173。折射率分布透鏡173 的一端在芯體127的入射面124a露出。折射率分布透鏡173從芯體127 的入射面124a朝向出射面124b按照預(yù)定的長度與芯體127相鄰。在這 種折射率分布透鏡173中，折射率隨著接近芯體127而增大。折射率分 布透鏡173的光行進方向的長度被設(shè)定為約10pm。此外，對與前述相同 的結(jié)構(gòu)和構(gòu)造標注相同的參照標號。
在這種光波導(dǎo)124中，折射率分布透鏡173的折射率隨著接近芯體 127而增大，所以入射到折射率分布透鏡173的光朝向芯體127聚焦。結(jié) 果，針對入射到芯體127的光的位置而允許的誤差增大。能夠比較容易 地定位芯體127的位置和入射光的位置。
在形成這種光波導(dǎo)124時，通過PFCVD在芯體127上層疊硅玻璃。 此時，調(diào)整硅玻璃的生長速率即可。通過調(diào)整生長速率，折射率隨著硅 玻璃的層疊而減小。這樣，在芯體127上形成折射率分布透鏡173。然后， 在折射率分布透鏡173上形成包層126。此外，生長速率的調(diào)整也可以分 階段地實施。并且，也可以在芯體127上層疊隨著遠離芯體127而減小 折射率的多層層疊體。圖71簡要表示本發(fā)明的第15實施方式涉及的滑架組件16p的構(gòu)造。 在該滑架組件16p中，LD芯片27被安裝在撓性體32的支撐板34上， 并且相比浮起磁頭滑動器23更靠近空氣流入側(cè)。LD芯片27例如錫焊焊 接在支撐板34上即可。此外，也可以在LD芯片27和支撐板34之間夾 入散熱片(未圖示)。前述的耦合器元件36a被夾在浮起磁頭滑動器23 的支撐面23a和支撐板34之間。LD芯片27朝向聚光面72a提供光。此 外，對與前述相同的結(jié)構(gòu)和構(gòu)造標注相同的參照標號。
在這種滑架組件16p中，能夠?qū)崿F(xiàn)與前述相同的作用效果。而且， LD芯片27的熱量傳遞給撓性體32的支撐板34。另一方面，耦合器元件 36a被夾在浮起磁頭滑動器23和支撐板34之間。耦合器元件36a利用玻 璃材料或塑料材料形成，所以能夠盡量避免從支撐板34向浮起磁頭滑動 器23的熱量傳遞。因此，能夠防止浮起磁頭滑動器23的溫度上升。
權(quán)利要求
1.一種磁頭懸浮組件，其特征在于，所述磁頭懸浮組件具有磁頭懸浮器；磁頭滑動器，其在介質(zhì)相對面上面對存儲介質(zhì)，在介質(zhì)相對面的背面?zhèn)鹊闹蚊嫔媳淮蓬^懸浮器接住；電磁轉(zhuǎn)換元件，其被埋入磁頭滑動器的介質(zhì)相對面中；光波導(dǎo)，其被裝配在磁頭滑動器上，從支撐面朝向介質(zhì)相對面延伸；以及光學(xué)元件，其被夾在支撐面和磁頭懸浮器之間，在光學(xué)元件上劃分出聚光面和反射面，所述聚光面會聚與支撐面平行地入射的光，所述反射面使與支撐面平行地入射的光以預(yù)定的角度反射，并引導(dǎo)到光波導(dǎo)上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭懸浮組件，其特征在于，所述電磁轉(zhuǎn) 換元件具有與光波導(dǎo)相比配置在空氣流出側(cè)的寫入磁頭元件。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁頭懸浮組件，其特征在于，所述光波導(dǎo) 被埋入利用正面接住所述寫入磁頭元件的第1折射率的非磁性絕緣層中， 并利用大于第1折射率的第2折射率的材料構(gòu)成。
4. 一種滑架組件，其特征在于，所述滑架組件具有滑架臂，其由 支撐軸支撐著自由旋轉(zhuǎn)； 一對磁頭懸浮器，其安裝在滑架臂的前端；磁 頭滑動器，其在介質(zhì)相對面上面對存儲介質(zhì)，在介質(zhì)相對面的背面?zhèn)鹊?支撐面上被各個磁頭懸浮器接??；電磁轉(zhuǎn)換元件，其被埋入磁頭滑動器 的介質(zhì)相對面中；光波導(dǎo)，其被裝配在磁頭滑動器上，從支撐面朝向介 質(zhì)相對面延伸；光學(xué)元件，其被夾在支撐面和磁頭懸浮器之間，將從聚 光面入射的光引導(dǎo)到光波導(dǎo)上；形成于滑架臂上的開口；配置在開口內(nèi) 的單個支撐體；以及一對光源，其支撐在支撐體上，向各個光學(xué)元件的 聚光面獨立地提供光。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的滑架組件，其特征在于，所述電磁轉(zhuǎn)換元 件具有與光波導(dǎo)相比配置在空氣流出側(cè)的寫入磁頭元件。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的滑架組件，其特征在于，所述光波導(dǎo)被埋 入利用正面接住所述寫入磁頭元件的第1折射率的非磁性絕緣層中，并 利用大于第1折射率的第2折射率的材料構(gòu)成。
7. —種存儲介質(zhì)驅(qū)動裝置，其特征在于，所述存儲介質(zhì)驅(qū)動裝置具 有框體；滑架臂，其被裝配在框體內(nèi)，由支撐軸支撐著自由旋轉(zhuǎn)；一 對磁頭懸浮器，其安裝在滑架臂的前端；磁頭滑動器，其在介質(zhì)相對面 上面對存儲介質(zhì)，在介質(zhì)相對面的背面?zhèn)鹊闹蚊嫔媳桓鱾€磁頭懸浮器 接??；電磁轉(zhuǎn)換元件，其被埋入磁頭滑動器的介質(zhì)相對面中；光波導(dǎo)， 其被裝配在磁頭滑動器上，從支撐面朝向介質(zhì)相對面延伸；光學(xué)元件， 其被夾在支撐面和磁頭懸浮器之間，將從聚光面入射的光引導(dǎo)到光波導(dǎo) 上；形成于滑架臂上的開口；配置在開口內(nèi)的單個支撐體；以及一對光 源，其支撐在支撐體上，向各個光學(xué)元件的聚光面獨立地提供光。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲介質(zhì)驅(qū)動裝置，其特征在于，所述電 磁轉(zhuǎn)換元件具有與光波導(dǎo)相比配置在空氣流出側(cè)的寫入磁頭元件。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲介質(zhì)驅(qū)動裝置，其特征在于，所述光 波導(dǎo)被埋入利用正面接住所述寫入磁頭元件的第1折射率的非磁性絕緣 層中，并利用大于第1折射率的第2折射率的材料構(gòu)成。
10. —種磁頭滑動器組件的制造方法，其特征在于，所述制造方法 包括利用模具成型橫向尺寸較長的成型品，在成型品上沿橫向擴展的 基準面的一端，沿著棱線以預(yù)定的間隔將多個聚光面橫向排列成一列的 步驟；在所述棱線的相反側(cè)對成型品的棱線實施研磨處理，形成以預(yù)定 的傾斜角與基準面交叉并橫向延伸的反射面的步驟；在成型品的基準面 上粘貼尺寸較長的晶片型材，所述尺寸較長的晶片型材被以所述預(yù)定的 間隔橫向一列地劃分出多個磁頭滑動器的步驟；以及從基準面的背面?zhèn)?研磨成型品，切削出與基準面平行的面的步驟。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁頭滑動器組件的制造方法，其特征在 于，所述制造方法還包括在粘貼所述晶片型材時，在基準面的預(yù)定位 置測定通過所述聚光面并由反射面反射的光的光量的步驟；根據(jù)光量的 大小相對成型品定位晶片型材的步驟。
12. —種磁頭懸浮組件，其特征在于，所述磁頭懸浮組件具有磁 頭懸浮器；磁頭滑動器，其在介質(zhì)相對面上面對存儲介質(zhì)，在介質(zhì)相對 面的背面?zhèn)鹊闹蚊嫔媳淮蓬^懸浮器接住；電磁轉(zhuǎn)換元件，其被埋入磁頭滑動器的介質(zhì)相對面中；光波導(dǎo)，其被裝配在磁頭滑動器上，從支撐 面朝向介質(zhì)相對面延伸；以及光學(xué)元件，其被夾在支撐面和磁頭懸浮器 之間，在光學(xué)元件上劃分出聚光面和反射面，所述聚光面會聚與支撐面 平行地入射的光，所述反射面使從聚光面入射到光學(xué)元件上的光以預(yù)定 的角度反射，并引導(dǎo)到光波導(dǎo)上。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的磁頭懸浮組件，其特征在于，所述光學(xué) 元件規(guī)定有被所述磁頭滑動器的支撐面接住的第1平坦面；與第1平 坦面平行地擴展的第2平坦面；包含所述聚光面，并將第1平坦面和第2 平坦面連接的第1側(cè)面；以及包含所述反射面，將第1平坦面和第2平 坦面連接，面對第1側(cè)面的第2側(cè)面，所述第1側(cè)面隨著遠離與所述第1 平坦面平行地擴展的第1基準面，遠離相對所述光學(xué)元件的輪廓線直立 的第1虛擬壁面，所述第2側(cè)面隨著遠離與所述第1平坦面平行地擴展 的第2基準面，遠離相對所述光學(xué)元件的輪廓線直立的第2虛擬壁面。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的磁頭懸浮組件，其特征在于，在所述光 學(xué)元件中，在所述聚光面和所述反射面之間，所述光連接焦點。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的磁頭懸浮組件，其特征在于，在所述光 學(xué)元件上還劃分出配置于所述聚光面和所述反射面之間的第2反射面。
16. —種磁頭懸浮組件，其特征在于，所述磁頭懸浮組件具有磁 頭懸浮器；磁頭滑動器，其在介質(zhì)相對面上面對存儲介質(zhì)，在介質(zhì)相對 面的背面?zhèn)鹊闹蚊嫔媳淮蓬^懸浮器接?。浑姶呸D(zhuǎn)換元件，其被埋入磁 頭滑動器的介質(zhì)相對面中；光波導(dǎo)，其被裝配在磁頭滑動器上，從支撐 面朝向介質(zhì)相對面延伸；光學(xué)元件，其被夾在支撐面和磁頭懸浮器之間； 反射面，其是在光學(xué)元件上劃分形成的，使與支撐面平行地入射的光以 預(yù)定的角度反射，并引導(dǎo)到光波導(dǎo)上；以及折射率分布透鏡，其使入射 到光學(xué)元件上的光透射。
17. —種磁頭懸浮組件，其特征在于，所述磁頭懸浮組件具有磁 頭懸浮器；磁頭滑動器，其在介質(zhì)相對面上面對存儲介質(zhì)，在介質(zhì)相對 面的背面?zhèn)鹊闹蚊嫔媳淮蓬^懸浮器接住；電磁轉(zhuǎn)換元件，其被埋入磁 頭滑動器的介質(zhì)相對面中；光波導(dǎo)，其被裝配在磁頭滑動器上，從支撐面朝向介質(zhì)相對面延伸；被磁頭懸浮器接住的片狀包層；以及芯體，其 被埋入包層內(nèi)并延伸到磁頭滑動器的支撐面上，將光引導(dǎo)到磁頭滑動器 的光波導(dǎo)上。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的磁頭懸浮組件，其特征在于，所述芯體 通過彎曲從所述磁頭滑動器的空氣流出端一側(cè)向所述光波導(dǎo)提供光。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的磁頭懸浮組件，其特征在于，所述芯體 劃分出反射面，所述反射面使與所述支撐面平行地傳播的光朝向所述光 波導(dǎo)反射。
20. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的磁頭懸浮組件，其特征在于，所述芯體 劃分出細頭部，所述細頭部從所述芯體的入射面朝向所述芯體的出射面 在預(yù)定的長度內(nèi)逐漸縮小開口。
21. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的磁頭懸浮組件，其特征在于，所述磁頭 懸浮組件還具有折射率分布透鏡，所述折射率分布透鏡從所述芯體的入 射面朝向所述芯體的出射面在預(yù)定的長度內(nèi)被埋入所述包層內(nèi)，并與所 述芯體相鄰，隨著接近所述芯體而增大折射率。
22. —種磁頭懸浮組件，其特征在于，所述磁頭懸浮組件具有磁 頭懸浮器；磁頭滑動器，其在介質(zhì)相對面上面對存儲介質(zhì)，在介質(zhì)相對 面的背面?zhèn)鹊闹蚊嫔媳淮蓬^懸浮器接住；電磁轉(zhuǎn)換元件，其被埋入磁 頭滑動器的介質(zhì)相對面中；光波導(dǎo)，其被裝配在磁頭滑動器上，從支撐 面朝向介質(zhì)相對面延伸；光學(xué)元件，其被夾在支撐面和磁頭懸浮器之間， 將光引導(dǎo)到光波導(dǎo)上；被磁頭懸浮器接住的片狀包層；以及芯體，其被 埋入包層內(nèi)，將光引導(dǎo)到光學(xué)元件上。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的磁頭懸浮組件，其特征在于，所述芯體 通過彎曲從所述磁頭滑動器的空氣流出端一側(cè)向所述光學(xué)元件提供光。
24. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的磁頭懸浮組件，其特征在于，所述芯體 劃分出細頭部，所述細頭部從所述芯體的入射面朝向所述芯體的出射面 在預(yù)定的長度內(nèi)逐漸縮小開口 。
25. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的磁頭懸浮組件，其特征在于，所述磁頭 懸浮組件還具有折射率分布透鏡，所述折射率分布透鏡從所述芯體的入射面朝向所述芯體的出射面在預(yù)定的長度內(nèi)被埋入所述包層內(nèi)，并與所 述芯體相鄰，隨著接近所述芯體而增大折射率。
26. —種磁頭懸浮組件，其特征在于，所述磁頭懸浮組件具有磁 頭懸浮器；被磁頭懸浮器接住的撓性體；磁頭滑動器，其在介質(zhì)相對面 上面對存儲介質(zhì)，在介質(zhì)相對面的背面?zhèn)鹊闹蚊嫔媳恢卧趽闲泽w的 支撐板上；電磁轉(zhuǎn)換元件，其被埋入磁頭滑動器的介質(zhì)相對面中；光波 導(dǎo)，其被裝配在磁頭滑動器上，從支撐面朝向介質(zhì)相對面延伸；光學(xué)元 件，其被夾在支撐面和撓性體的支撐板之間，將光引導(dǎo)到光波導(dǎo)上；以 及光源，其被撓性體的支撐板接住，向光學(xué)元件提供光。
27. —種滑架組件，其特征在于，所述滑架組件具有滑架塊，其 由支撐軸支撐著自由旋轉(zhuǎn)；滑架臂，其是在滑架塊上劃分形成的； 一對 磁頭懸浮器，其安裝在滑架臂的前端；磁頭滑動器，其在介質(zhì)相對面上 面對存儲介質(zhì)，在介質(zhì)相對面的背面?zhèn)鹊闹蚊嫔媳桓鱾€磁頭懸浮器接 住；電磁轉(zhuǎn)換元件，其被埋入磁頭滑動器的介質(zhì)相對面中；光波導(dǎo)，其 被裝配在磁頭滑動器上，從支撐面朝向介質(zhì)相對面延伸；被磁頭懸浮器 接住的片狀包層；芯體，其被埋入包層內(nèi)，將光獨立地引導(dǎo)到磁頭滑動 器的光波導(dǎo)上；以及光源，其被安裝在滑架塊上，向各個芯體的入射面 提供光。
28. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的滑架組件，其特征在于， 一對所述光源 向 一對所述芯體獨立地提供光。
29. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的滑架組件，其特征在于，所述滑架組件 還具有切換機構(gòu)，所述切換機構(gòu)配置在所述光源和所述芯體的入射面之 間，向一對所述芯體的任意一方提供光。
全文摘要
本發(fā)明提供一種磁頭懸浮組件、滑架組件以及磁頭滑動器組件的制造方法。光學(xué)元件(36)被夾在磁頭滑動器(23)的支撐面(23a)和磁頭懸浮器(22)之間。在光學(xué)元件(36)上劃分出聚光面(72)和反射面(73)。由聚光面(72)會聚后的光由反射面(73)反射。由此，光被引導(dǎo)到磁頭滑動器(23)的光波導(dǎo)(71)上。在制造這種磁頭懸浮組件(21)時，調(diào)整磁頭滑動器(23)的光波導(dǎo)(71)和光學(xué)元件(36)的相對位置。磁頭滑動器(23)和光學(xué)元件(36)相比以前更容易定位。容易實施磁頭懸浮組件(21)的裝配。
文檔編號G11B5/31GK101578660SQ20078004827
公開日2009年11月11日 申請日期2007年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月27日
發(fā)明者小田島涉, 溝下義文, 田和文博, 長谷川信也 申請人:富士通株式會社