專利名稱：存儲單元配置方法及其所適用的存儲介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種存儲單元配置方法，尤其涉及一種存儲單元配置方法及其所適用的存儲介質(zhì)。
背景技術(shù)：
隨著閃存工藝技術(shù)越來越成熟，使得以閃存(Flash)為存儲媒介的裝置越來越多，目前閃存被區(qū)分成或非閃存(NORFlash，以下簡稱NOR閃存)及與非閃存(NANDFlash,以下簡稱NAND閃存)兩種，其中以NAND閃存的每一單位尺寸(cell size)較小、生產(chǎn)成本較低，所以被大量應(yīng)用在以USB為接口的存儲卡、隨身盤與MP3播放器上，此外，主要以ATA、 SATA等傳輸接口的固態(tài)硬盤(Solid-State Drive,SSD)，底層也是使用NAND閃存，使得NAND閃存的應(yīng)用層面越來越廣泛。
目前NAND閃存主要分成單階單元(Single Level Cell，SLC)與多階單元(Multi Level Cell, MLC)兩種，兩者主要差別在單元存儲樣，SLC每單元可存儲一位數(shù)據(jù)，MLC每單元可存儲兩位數(shù)據(jù)，在容量上，MLC有著絕對的優(yōu)勢，且MLC的價格較為低廉，不過，每單元存儲多個數(shù)據(jù)的能力，反而造成MLC在可靠性、性能、讀寫速度與壽命上不如SLC，由上述說明可知，MLC和SLC有其不同優(yōu)勢，SLC適合用于存取數(shù)據(jù)量大、對速度要求較高的存儲介質(zhì)，MLC適合用于存取數(shù)據(jù)量小、速度要求較低的存儲介質(zhì)。
目前包含多個閃存的存儲介質(zhì)，例如固態(tài)硬盤，為了配置方便， 一般都是只單獨使用MLC或SLC，再配合平均讀寫演算法(Wear-LevelingAlgorithms),使閃存間的讀寫更平均，然而只單獨使用MLC或SLC，雖然具有某些優(yōu)點，但是并無法達到同時兼顧存儲介質(zhì)的容量、價格、壽命及可靠度。
而且，存儲介質(zhì)所包含的多個閃存中，有一部分的閃存空間的被讀寫次數(shù)會非常頻繁，例如操作系統(tǒng)(OS)所在的區(qū)域，另一部分的閃存空間的被讀寫次數(shù)則較少，例如存儲數(shù)據(jù)的區(qū)域，將會使得被讀寫次數(shù)較頻繁的閃存區(qū)域易損壞。
因此，如何發(fā)展一種可改善上述公知技術(shù)缺點，且能同時使用SLC及
MLC并同時兼顧存儲介質(zhì)的容量、價格、壽命及可靠度的存儲單元配置方法
及其所適用的存儲介質(zhì)，實為目前迫切需要解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種存儲單元配置方法及其所適用的存儲
介質(zhì)，以解決傳統(tǒng)存儲裝置僅單獨使用MLC或SLC，無法達到同時兼顧存儲裝置的容量、價格、壽命及可靠度等缺點。
為了達到上述目的，本發(fā)明的一較廣義實施例為提供一種存儲單元配置方法，其適用于存儲介質(zhì)，該存儲介質(zhì)包含第一存儲單元、第二存儲單元以及地址對應(yīng)表，至少包含下列步驟判斷第一存儲單元及第二存儲單元是否被設(shè)定為啟動磁區(qū)，當結(jié)果為是且啟動磁區(qū)設(shè)定于第二存儲單元時，建立第一存儲單元及第二存儲單元之間的搬移地址對應(yīng)表，根據(jù)搬移地址對應(yīng)表將第一存儲單元及第二存儲單元內(nèi)所存儲的數(shù)據(jù)相互交換進行搬移；
根據(jù)該搬移地址對應(yīng)表修改該地址對應(yīng)表。
根據(jù)本發(fā)明的方案，其中地址對應(yīng)表的取得方式包含下列步驟檢測存
儲介質(zhì)的第一存儲單元及第二存儲單元的型號及數(shù)量；對第一存儲單元及第二存儲單元進行區(qū)域配置；將第一存儲單元及該第二存儲單元分別配置分割為數(shù)據(jù)區(qū)、系統(tǒng)區(qū)及預留區(qū)；建立該地址對應(yīng)表。
根據(jù)本發(fā)明的方案，其中第一存儲單元為單階單元形式的與非閃存。根據(jù)本發(fā)明的方案，其中第二存儲單元為多階單元形式的與非閃存。根據(jù)本發(fā)明的方案，其中判斷第一存儲單元及第二存儲單元是否被設(shè)定為啟動磁區(qū)還包含下列步驟檢査第一存儲單元及第二存儲單元是否被寫入指令；當檢查結(jié)果為是時，則判斷被寫入的指令是否代表設(shè)定第二存儲單元為啟動磁區(qū)；當判斷結(jié)果為是，則檢査是否已建立第一存儲單元與該第二存儲單元之間的搬移地址對應(yīng)表；當檢查結(jié)果為是時，根據(jù)搬移地址對應(yīng)表對第一存儲單元與第二存儲單元進行交互數(shù)據(jù)搬移，當檢查結(jié)果為否時，先建立第一存儲單元與第二存儲單元之間的搬移地址對應(yīng)表，再進行交互數(shù)據(jù)搬移。
根據(jù)本發(fā)明的方案，其中第一存儲單元及第二存儲單元間數(shù)據(jù)搬移還包含下列步驟由搬移地址對應(yīng)表中尋找與第一存儲單元的第一區(qū)域進行數(shù)據(jù)交互搬移的第二存儲單元的第二區(qū)域；判斷數(shù)據(jù)是否己搬運完成；當結(jié)果為否時，則檢査第一存儲單元的第一區(qū)域中是否已經(jīng)有存儲數(shù)據(jù)，當結(jié)果為否時，則直接將數(shù)據(jù)寫入第一存儲單元的第一區(qū)域中，當結(jié)果為是時，需將第一存儲單元的第一區(qū)域中所存儲的數(shù)據(jù)先搬移至第二存儲單元的第二區(qū)域中，再將數(shù)據(jù)寫入第一存儲單元的第一區(qū)域中。
為了達到上述目的，本發(fā)明另提供一種存儲介質(zhì)，其與計算機系統(tǒng)連接，至少包含傳輸接口；第一存儲單元；第二存儲單元；芯片，其通過傳輸接口與計算機系統(tǒng)連接，且與第一存儲單元及第二存儲單元連接，其在第二存儲單元被設(shè)定為啟動磁區(qū)時，建立第一存儲單元及第二存儲單元之間的搬移地址對應(yīng)表，并根據(jù)搬移地址對應(yīng)表將第一存儲單元及第二存儲單元內(nèi)所存儲的數(shù)據(jù)相互交換進行動態(tài)搬移，且根據(jù)搬移地址對應(yīng)表修改地址對應(yīng)表。
根據(jù)本發(fā)明的方案，其中該計算機系統(tǒng)還包含傳輸接口，用以與該存儲介質(zhì)的傳輸接口連接。
根據(jù)本發(fā)明的方案，其中該計算機系統(tǒng)通過芯片來存取第一存儲單元及第二存儲單元的數(shù)據(jù)。
根據(jù)本發(fā)明的方案，其中芯片包含存儲單元，用以存儲存儲單元配置固件的程序碼。
根據(jù)本發(fā)明的方案，其中該地址對應(yīng)表由檢測該存儲介質(zhì)的第一存儲單元及第二存儲單元的型號及數(shù)量、對第一存儲單元及第二存儲單元進行區(qū)域配置，以及將第一存儲單元及第二存儲單元分別配置分割為數(shù)據(jù)區(qū)、系統(tǒng)區(qū)及預留區(qū)后所獲得。
綜上所述，本發(fā)明的存儲單元配置方法及其所適用的存儲介質(zhì)，其通過判斷第一存儲單元及第二存儲單元中是否被設(shè)定為一啟動磁區(qū)，當結(jié)果為是且該啟動磁區(qū)設(shè)定于第二存儲單元時，將該第一存儲單元及該第二存儲單元內(nèi)所存儲的數(shù)據(jù)相互交換進行動態(tài)搬移，并存儲一搬移地址對應(yīng)表，且根據(jù)該搬移地址對應(yīng)表來變更修改該地址對應(yīng)表，借著第一存儲單元存取速度較快、可靠度較高的優(yōu)勢，搭配第二存儲單元價格較低的優(yōu)勢，達成制作成本較低且可靠度佳的存儲介質(zhì)。


圖1為本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的存儲介質(zhì)的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為圖1所示的第一存儲單元SLC0及第二存儲單元MLC1 MLC3的架構(gòu)示意圖。
圖3為圖2所示的數(shù)據(jù)區(qū)的內(nèi)部架構(gòu)示意圖。
圖4為本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的存儲單元配置方法的流程圖。
t±| 3力図4尸丌不tfj歹凝S4)刊斷尼別敝IA定t^及僅疋tfJ細部狐程圖。
圖6為圖5所示的步驟S55的執(zhí)行搬移運行的細部流程圖。
其中，附圖標記說明如下
ll計算機系統(tǒng) lll傳輸接口
12存儲介質(zhì) 121傳輸接口
122芯片 1221存儲單元
SLC0第一存儲單元 MLC1 MLC3第二存儲單元
S41 S46:存儲單元配置方法的流程
S51 S55:判斷啟動磁區(qū)是否被設(shè)定的流程
S61 ~S65 :執(zhí)行搬移運行的流程圖
具體實施例方式
體現(xiàn)本發(fā)明特征與優(yōu)點的一些典型實施例將在后段的說明中詳細敘述。應(yīng)理解的是本發(fā)明能夠在不同的實施例上具有各種的變化，其都不脫離本發(fā)明的范圍，且其中的說明及附圖在本質(zhì)上當作說明之用，而非用以限制本發(fā)明。
本發(fā)明所揭示的存儲單元配置方法及其所適用的存儲介質(zhì)，其是在存儲介質(zhì)內(nèi)同時使用SLC及MLC兩種存儲單元的架構(gòu)，通過SLC的壽命是MLC10倍的特性，將安裝操作系統(tǒng)的磁區(qū)配置在SLC上，數(shù)據(jù)槽則配置在MLC，借著SLC存取速度較快、可靠度較高的優(yōu)勢，搭配MLC價格較低的優(yōu)勢，達成制作成本較低且可靠度佳的存儲介質(zhì)，例如固態(tài)硬盤(SSD)。
請參閱圖l，其為本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的存儲介質(zhì)的電路結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，本發(fā)明的存儲介質(zhì)12通過一傳輸接口 121與計算機系統(tǒng)11的傳輸接口 111連接，使存儲介質(zhì)12與計算機系統(tǒng)11之間可進行連接，而本發(fā)明的存儲介質(zhì)12除了傳輸接口 121夕卜，還包含一芯片(chip) 122、第一存儲單元以及多個第二存儲單元，其中，第一存儲單元可為單階單元(SLC)形式的與非(NAKD)閃存，以下將以第一存儲單元SLCO表示，而第二存儲單元的數(shù)量可依照實際需求配置，在本實施例中將以3個第二存儲單元為例說明，而第二存儲單元可為多階單元(MLC)形式的與非(NAND)閃存，以下將以第二存儲單元MLC1、第二存儲單元MLC2及第二存儲單元MLC3表不。
在本實施例中，芯片(chip) 122主要與傳輸接口 121以及第一存儲單元SLC0、第二存儲單元MLC1 、第二存儲單元MLC2及第二存儲單元MLC3連接，用以使計算機系統(tǒng)11可通過芯片122來讀取及/或存儲數(shù)據(jù)至第一存儲單元SLC0、第二存儲單元MLC1、第二存儲單元MLC2及第二存儲單元MLC3內(nèi)。
請再參閱圖1，芯片122的內(nèi)部具有一存儲單元1221，可包含一閃存(Flash)及一電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)(未示出)，本發(fā)明的第二優(yōu)選實施例所揭示的存儲單元配置方法以固件的形式在存儲介質(zhì)12中執(zhí)行，至于固件所包含的程序碼可放置于存儲單元1221所包含的閃存(Flash)或電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)中，通過本發(fā)明的存儲單元配置方法使數(shù)據(jù)可在第一存儲單元SLC0及第二存儲單元MLC1、第二存儲單元MLC2或第二存儲單元MLC3之間動態(tài)搬移，并根據(jù)搬移的程序建立一搬移地址對應(yīng)表，主要將安裝操作系統(tǒng)的磁區(qū)調(diào)整配置在第一存儲單元SLC0上，數(shù)據(jù)槽則配置在第二存儲單元MLC1、第二存儲單元MLC2及第二存儲單元MLC3，由于第一存儲單元SLC0可存取數(shù)據(jù)量大、存取速度也較快及壽命長的特性，可符合安裝操作系統(tǒng)的存儲器空間被讀寫次數(shù)會非常頻繁的需求，而第二存儲單元MLC1、第二存儲單元MLC2或第二存儲單元MLC3每單元可存儲多個數(shù)據(jù)的特性則可用來存儲數(shù)據(jù)檔案，進而達成制作成本較低且可靠度佳的存儲介質(zhì)12，其中，上述的傳輸接口 lll及傳輸接口121可為但不限為ATA、 SATA接口。
請參閱圖2，其為圖1所示的第一存儲單元SLC0及第二存儲單元MLC1 MLC3的架構(gòu)示意圖，如圖所示，為了處理閃存寫入前必須先做擦除(Emse before write)的特性，因此需將圖1所示的第一存儲單元SLC0及第二存儲單元MLC1 MLC3分別分成數(shù)據(jù)區(qū)(Data block)、預留區(qū)(Reservedblock)與系統(tǒng)區(qū)(system block)三部分，數(shù)據(jù)區(qū)是系統(tǒng)可以看見的區(qū)域，即使用者真正使用的區(qū)域，預留區(qū)是用來處理寫入前必須先做擦除特性的區(qū)域，系統(tǒng)區(qū)是用來存放一些系統(tǒng)信息的地方。舉例而言假設(shè)每一存儲單元具有4096個區(qū)塊(Block)，其中可將3960個block作為數(shù)據(jù)區(qū)，128個區(qū)塊作為預留區(qū)，8個區(qū)塊作為系統(tǒng)區(qū)，當然上述的區(qū)塊數(shù)量并不以此為限，可依需求調(diào)整。
請參閱圖3，其為圖2所示的數(shù)據(jù)區(qū)的內(nèi)部架構(gòu)示意圖，如圖所示，圖2所示的數(shù)據(jù)區(qū)又可在進行切割，每一單元稱為一區(qū)域(Zone)或其他名詞，舉例而言；數(shù)據(jù)區(qū)有3960個區(qū)塊，可切成120個區(qū)域，則每一區(qū)域就有33個區(qū)塊，當然上述的每一區(qū)域所包含的區(qū)塊數(shù)量并不以此為限，可依需求調(diào)整。
請參閱圖4并配合圖1，其中圖4為本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的存儲單元配置方法的流程圖，以下將說明圖1所示的存儲介質(zhì)12內(nèi)部所包含的存儲單元的配置運行方式，且本發(fā)明的存儲單元的配置方法可以固件的方式在存儲介質(zhì)12中執(zhí)行，首先，檢測存儲介質(zhì)12的型號與其所包含的存儲單元數(shù)量，通過存儲介質(zhì)12的型號可得知所包含的存儲單元內(nèi)部的區(qū)塊(Block)數(shù)量，每個存儲單元具有多少個頁(Page)與每一 Page容量大小的信息，舉例而言在本實施例中，固件將檢測到存儲介質(zhì)12內(nèi)部具有第一存儲單元SLC0、第二存儲單元MLC1、第二存儲單元MLC2及第二存儲單元MLC3共4個存儲單元，其中每一存儲單元具有4096個區(qū)塊，每一區(qū)塊具有64個頁(page)，每一個Page容量為4k，則每一存儲單元的大小即是1 G，如此一來就可由所有存儲單元的數(shù)量得知此存儲介質(zhì)12的容量，即存儲介質(zhì)12共有四個1G的存儲單元，容量即為4G，如步驟S41所示。
接著，如步驟S42所示，對所有存儲單元進行區(qū)域(Zone)配置，即第一存儲單元SLC0、第二存儲單元MLC1、第二存儲單元MLC2及第二存儲單元MLC3的區(qū)域(Zone)配置，舉例而言，每一區(qū)域具有33個區(qū)塊，每一存儲單元的數(shù)據(jù)區(qū)共配置3960個區(qū)塊，則第一存儲單元SLC0、第二存儲單元MLC1、第二存儲單元MLC2及第二存儲單元MLC3中分別具有120個區(qū)域，編號為0~119，如圖3所示。
然后，對所有存儲單元進行數(shù)據(jù)區(qū)、系統(tǒng)區(qū)與預留區(qū)的配置，主要配置數(shù)據(jù)區(qū)，系統(tǒng)區(qū)與預留區(qū)大小，舉例而言在第一存儲單元SLC0、第二存儲單元MLC1、第二存儲單元MLC2及第二存儲單元MLC3中分別將3960個區(qū)塊分配給如圖2所示的數(shù)據(jù)區(qū)，128個區(qū)塊分配給如圖2所示的預留區(qū)，8個區(qū)塊則分配給如圖2所示的系統(tǒng)區(qū)，如步驟S43所示。
接著，第一存儲單元SLCO、第二存儲單元MLC1、第二存儲單元MLC2及第二存儲單元MLC3根據(jù)步驟S41 43所配置的區(qū)域、數(shù)據(jù)區(qū)、系統(tǒng)區(qū)與預留區(qū)等數(shù)據(jù)分別建立地址對應(yīng)表，并存儲至每一存儲單元的預留區(qū)或系統(tǒng)區(qū)內(nèi)，如步驟S44所示。
在步驟S44之后將進行如下所述的步驟S45程序，判斷第一存儲單元SLC0、第二存儲單元MLC1、第二存儲單元MLC2及第二存儲單元MLC3中是否有區(qū)域被設(shè)定為啟動磁區(qū)，當啟動磁區(qū)被設(shè)定于多個第二存儲單元MLC1 MLC3其中之一或是設(shè)定于兩個第二存儲單元MLC1 MLC3中時，固件會將第一存儲單元SLC0與原本設(shè)定為啟動磁區(qū)的第二存儲單元MLC1 MLC3的邏輯位置對調(diào)，即將操作系統(tǒng)的安裝路徑由第二存儲單元MLC1 MLC3指向第一存儲單元SLC0，并將原本存儲于第二存儲單元MLC1 MLC3內(nèi)的數(shù)據(jù)與第一存儲單元SLC0內(nèi)的數(shù)據(jù)相互交換進行動態(tài)搬移，建立第一存儲單元SLC0與第二存儲單元MLC1 MLC3之間的搬移地址對應(yīng)表，并進行數(shù)據(jù)搬移及根據(jù)該搬移地址對應(yīng)表來變更修改步驟S44所建立的地址對應(yīng)表，其中，搬移地址對應(yīng)表及地址對應(yīng)表可存儲于存儲單元的預留區(qū)或系統(tǒng)區(qū)內(nèi)，如此一來即可將操作系統(tǒng)安裝于第一存儲單元SLC0的磁區(qū)上，數(shù)據(jù)則存儲在第二存儲單元MLC1 MLC3，借著第一存儲單元SLC0存取速度較快、可靠度較高的優(yōu)勢，搭配第二存儲單元MLC1 MLC3價格較低的優(yōu)勢，達成制作成本較低且可靠度佳的存儲介質(zhì)12。
舉例而言，當啟動磁區(qū)被設(shè)定于如圖1所示的第二存儲單元MLC3中時，固件會將第一存儲單元SLC0與原本設(shè)定為啟動磁區(qū)的第二存儲單元MLC3的邏輯位置對調(diào)，即將操作系統(tǒng)的安裝路徑由第二存儲單元MLC3指向第一存儲單元SLC0，并將原本存儲于第二存儲單元MLC3內(nèi)的數(shù)據(jù)與第一存儲單元SLC0內(nèi)的數(shù)據(jù)相互交換進行動態(tài)搬移，建立第一存儲單元SLCO與第二存儲單元MLC3之間的搬移地址對應(yīng)表，并根據(jù)搬移地址對應(yīng)表將原本存儲于第二存儲單元MLC3的數(shù)據(jù)搬移至第一存儲單元SLCO內(nèi)，而原本存儲于第一存儲單元SLCO的數(shù)據(jù)則搬移至第二存儲單元MLC3內(nèi)，并根據(jù)該搬移地址對應(yīng)表來變更修改步驟S44所建立的地址對應(yīng)表。
請參閱圖5，其為圖4所示的判斷啟動磁區(qū)是否被設(shè)定的細部流程圖，首先，檢查第一存儲單元SLCO、第二存儲單元MLC1、第二存儲單元MLC2及第二存儲單元MLC3中是否被寫入指令，如步驟S51所示，當檢査結(jié)果為是時，則判斷被寫入的指令是否代表設(shè)定所對應(yīng)的存儲單元為一啟動磁區(qū)，如步驟S52所示，接著，當判斷結(jié)果為是且啟動磁區(qū)被設(shè)定于第二存儲單元MLC1 MLC3其中之一時，以下將以啟動磁區(qū)被設(shè)定于第二存儲單元MLC3為例提出說明，但不以此為限，啟動磁區(qū)可被設(shè)定于任何第二存儲單元MLC1 MLC3中，甚至被設(shè)定跨設(shè)于兩個第二存儲單元MLC1 MLC3中后續(xù)則檢查是否已建立第一存儲單元SLC0與第二存儲單元MLC3之間的搬移地址對應(yīng)表，當結(jié)果為是時，根據(jù)該搬移地址對應(yīng)表對第一存儲單元SLC0與第二存儲單元MLC3進行交互數(shù)據(jù)搬移，如步驟S55所示；反之，當結(jié)果為否時，則需先建立第一存儲單元SLC0與第二存儲單元MLC3之間的搬移地址對應(yīng)表，如步驟S54所示，接著，則根據(jù)該搬移地址對應(yīng)表對第一存儲單元SLC0與第二存儲單元MLC3進行交互數(shù)據(jù)搬移，如步驟S55所示。
請參閱圖6，其為圖5所示的步驟S55的執(zhí)行搬移運行的細部流程圖，首先，由搬移地址對應(yīng)表中尋找需進行數(shù)據(jù)搬移的第一存儲單元SLC0的區(qū)域與第二存儲單元MLC1 MLC3其中之一的區(qū)域，如步驟S61所示，舉例而言:第一存儲單元SLC0的區(qū)域0要對應(yīng)到第二存儲單元MLC3的區(qū)域50，以下將以此例提出說明；
接著，判斷步驟S61所述的數(shù)據(jù)是否已搬運完成，如步驟S62所示，當結(jié)果為否時，則檢査第一存儲單元SLC0想要進行數(shù)據(jù)搬移的區(qū)域0中是否已經(jīng)有存儲數(shù)據(jù)，如步驟S63所示，當結(jié)果為否時，則直接將數(shù)據(jù)寫入第一存儲單元SLC0的區(qū)域0中，如步驟S64所示，反之，當結(jié)果為是時，需將第一存儲單元SLC0在區(qū)域0中所存儲的數(shù)據(jù)先搬移至第二存儲單元MLC3的區(qū)域50中，如步驟S64所示，接著，再將數(shù)據(jù)寫入第一存儲單元SLC0的區(qū)域0中，如步驟S64所示。
綜上所述，本發(fā)明的存儲單元配置方法及其所適用的存儲介質(zhì)，其通過判斷第一存儲單元及第二存儲單元中是否被設(shè)定為一啟動磁區(qū)，當結(jié)果為是且該啟動磁區(qū)設(shè)定于第二存儲單元時，將該第一存儲單元及該第二存儲單元內(nèi)所存儲的數(shù)據(jù)相互交換進行動態(tài)搬移，并存儲一搬移地址對應(yīng)表，且根據(jù)該搬移地址對應(yīng)表來變更修改該地址對應(yīng)表，借著第一存儲單元存取速度較快、可靠度較高的優(yōu)勢，搭配第二存儲單元價格較低的優(yōu)勢，達成制作成本較低且可靠度佳的存儲介質(zhì)。
本發(fā)明可以由所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員做出各種修改，然而都不脫離所附的權(quán)利要求書所想要保護的范圍。
權(quán)利要求
1.一種存儲單元配置方法，其適用于一存儲介質(zhì)，該存儲介質(zhì)包含一第一存儲單元、一第二存儲單元以及一地址對應(yīng)表，至少包含下列步驟判斷該第一存儲單元及該第二存儲單元是否被設(shè)定為一啟動磁區(qū)，當結(jié)果為是且該啟動磁區(qū)設(shè)定于該第二存儲單元時，建立該第一存儲單元及該第二存儲單元之間的一搬移地址對應(yīng)表，根據(jù)該搬移地址對應(yīng)表將該第一存儲單元及該第二存儲單元內(nèi)所存儲的數(shù)據(jù)相互交換進行搬移；根據(jù)該搬移地址對應(yīng)表修改該地址對應(yīng)表。
2. 如權(quán)利要求1所述的存儲單元配置方法，其中該地址對應(yīng)表的取得方式包含下列步驟檢測該存儲介質(zhì)的該第一存儲單元及該第二存儲單元的型號及數(shù)量；對該第一存儲單元及該第二存儲單元進行區(qū)域配置；將該第一存儲單元及該第二存儲單元分別配置分割為一數(shù)據(jù)區(qū)、 一系統(tǒng)區(qū)及一預留區(qū)；建立該地址對應(yīng)表。
3. 如權(quán)利要求1所述的存儲單元配置方法，其中該第一存儲單元為一單階單元形式的與非閃存。
4. 如權(quán)利要求1所述的存儲單元配置方法，其中該第二存儲單元為一多階單元形式的與非閃存。
5. 如權(quán)利要求1所述的存儲單元配置方法，其中判斷該第一存儲單元及該第二存儲單元是否被設(shè)定為該啟動磁區(qū)還包含下列步驟檢查該第一存儲單元及該第二存儲單元是否被寫入指令；當檢査結(jié)果為是時，則判斷被寫入的指令是否代表設(shè)定該第二存儲單元為該啟動磁區(qū)；當判斷結(jié)果為是，則檢査是否已建立該第一存儲單元與該第二存儲單元之間的該搬移地址對應(yīng)表；當檢查結(jié)果為是時，根據(jù)該搬移地址對應(yīng)表對該第一存儲單元與該第二存儲單元進行交互數(shù)據(jù)搬移，當檢査結(jié)果為否時，先建立該第一存儲單元與該第二存儲單元之間的該搬移地址對應(yīng)表，再進行交互數(shù)據(jù)搬移。
6. 如權(quán)利要求1所述的存儲單元配置方法，其中該第一存儲單元及該第二存儲單元間數(shù)據(jù)搬移還包含下列步驟由該搬移地址對應(yīng)表中尋找與該第一存儲單元的一第一區(qū)域進行數(shù)據(jù)交互搬移的該第二存儲單元的一第二區(qū)域；判斷數(shù)據(jù)是否已搬運完成；當結(jié)果為否時，則檢查該第一存儲單元的該第一區(qū)域中是否已經(jīng)有存儲數(shù)據(jù)，當結(jié)果為否時，則直接將數(shù)據(jù)寫入該第一存儲單元的該第一區(qū)域中，當結(jié)果為是時，需將該第一存儲單元的該第一區(qū)域中所存儲的數(shù)據(jù)先搬移至該第二存儲單元的該第二區(qū)域中，再將數(shù)據(jù)寫入該第一存儲單元的該第一區(qū)域中。
7. —種存儲介質(zhì)，其與一計算機系統(tǒng)連接，至少包含-一傳輸接口；一第一存儲單元；一第二存儲單元；一芯片，其通過該傳輸接口與該計算機系統(tǒng)連接，且與該第一存儲單元及該第二存儲單元連接，其在該第二存儲單元被設(shè)定為一啟動磁區(qū)時，建立該第一存儲單元及該第二存儲單元之間的一搬移地址對應(yīng)表，并根據(jù)該搬移地址對應(yīng)表將該第一存儲單元及該第二存儲單元內(nèi)所存儲的數(shù)據(jù)相互交換進行動態(tài)搬移，且根據(jù)該搬移地址對應(yīng)表修改一地址對應(yīng)表。
8. 如權(quán)利要求7所述的存儲單元配置方法，其中該計算機系統(tǒng)還包含一傳輸接口，用以與該存儲介質(zhì)的該傳輸接口連接。
9. 如權(quán)利要求7所述的存儲單元配置方法，其中該該計算機系統(tǒng)通過該芯片來存取該第一存儲單元及該第二存儲單元的數(shù)據(jù)。
10. 如權(quán)利要求7所述的存儲單元配置方法，其中該芯片包含一存儲單元，用以存儲一存儲單元配置固件的程序碼。
11. 如權(quán)利要求7所述的存儲單元配置方法，其中該地址對應(yīng)表由檢測該存儲介質(zhì)的該第一存儲單元及該第二存儲單元的型號及數(shù)量、對該第一存儲單元及該第二存儲單元進行區(qū)域配置，以及將該第一存儲單元及該第二存儲單元分別配置分割為該數(shù)據(jù)區(qū)、該系統(tǒng)區(qū)及該預留區(qū)后所獲得。
全文摘要
本發(fā)明為一種存儲單元配置方法及其所適用的存儲介質(zhì)，該存儲介質(zhì)包含一第一存儲單元、一第二存儲單元以及一地址對應(yīng)表，至少包含下列步驟判斷該第一存儲單元及該第二存儲單元是否被設(shè)定為一啟動磁區(qū)，當結(jié)果為是且該啟動磁區(qū)設(shè)定于該第二存儲單元時，建立該第一存儲單元及該第二存儲單元之間的一搬移地址對應(yīng)表，根據(jù)該搬移地址對應(yīng)表將該第一存儲單元及該第二存儲單元內(nèi)所存儲的數(shù)據(jù)相互交換進行搬移；根據(jù)該搬移地址對應(yīng)表修改該地址對應(yīng)表。本發(fā)明的存儲單元配置方法及其所適用的存儲介質(zhì)可制作成本較低且可靠度佳的存儲介質(zhì)。
文檔編號G11C7/10GK101576851SQ20081009623
公開日2009年11月11日 申請日期2008年5月6日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月6日
發(fā)明者許峻維 申請人:宇瞻科技股份有限公司