專利名稱：讀出架構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及計算機(jī)系統(tǒng)，且更明確地說，涉及存儲器系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
例如快閃存儲器系統(tǒng)等存儲器系統(tǒng)在讀取操作中利用讀出放大器來從存儲器單元 讀取數(shù)據(jù)，其中給定存儲器單元的狀態(tài)由所述存儲器單元在明確界定的偏置條件下所吸 收的電流的量決定。在最簡單的情況下，存儲元件可處于兩種狀態(tài)"0"狀態(tài)或"I" 狀態(tài)。在"0"狀態(tài)下，存儲元件不吸收電流，且在"1"狀態(tài)下，存儲元件吸收電流。 存儲元件可為(例如)單個快閃存儲器單元(如在"或非"快閃存儲器中)或串(如在
"與非"快閃存儲器中)。串通常是具有一連串單個快閃存儲器單元(例如，8個、16個 或更多快閃存儲器單元)的存儲元件。
一些快閃存儲器系統(tǒng)的問題在于它們可能由于讀出放大器處的低電流電平而不允 許快速隨機(jī)存取時間。利用"與非"架構(gòu)的快閃存儲器尤其如此。由于與將存儲元件連 接到讀出放大器的存儲器矩陣位線相關(guān)聯(lián)的瞬變電流而出現(xiàn)另一問題。"與非"架構(gòu)對 于此問題來說再次是尤其嚴(yán)重的，因為"與非"結(jié)構(gòu)通常是以非常大的存儲器矩陣建置 而成，且因此具有非常長的位線。瞬變電流是有問題的，因為瞬變電流被加到用于確定 存儲器單元狀態(tài)的存儲器單元電流和參考電流。錯誤的存儲器單元電流和參考電流讀數(shù) 可因此導(dǎo)致錯誤的讀取操作。
因此，需要一種經(jīng)改進(jìn)的存儲器系統(tǒng)。本發(fā)明解決此需要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明揭示一種存儲器系統(tǒng)。在一個實施例中，所述存儲器系統(tǒng)包含第一位線，其 中所述第一位線產(chǎn)生第一瞬變電流。所述存儲器系統(tǒng)還包含耦合到所述第一位線的讀出 放大器。存儲器系統(tǒng)還包含耦合到讀出放大器的第二位線，其中所述第二位線產(chǎn)生第二 瞬變電流，所述第二瞬變電流等于所述第一瞬變電流。讀出放大器使所述第一和第二瞬 變電流能夠抵消。
根據(jù)本文所揭示的系統(tǒng)，可在不受瞬變電流不利地影響的情況下，確定存儲器單元 的狀態(tài)。


圖1是根據(jù)一個實施例的快閃存儲器電路的示意圖。 圖2是展示根據(jù)一個實施例的存儲器系統(tǒng)的框圖。 圖3是根據(jù)另一實施例的存儲器系統(tǒng)的框圖。 圖4A說明根據(jù)一個實施例的圖3的存儲器系統(tǒng)的操作。 圖4B說明根據(jù)另一實施例的圖3的存儲器系統(tǒng)的操作。 圖5A說明根據(jù)一個實施例的圖3的存儲器系統(tǒng)的操作。 圖5B說明根據(jù)另一實施例的圖3的存儲器系統(tǒng)的操作。
具體實施例方式
本發(fā)明涉及計算機(jī)系統(tǒng)，且更明確地說，涉及存儲器系統(tǒng)。呈現(xiàn)以下描述內(nèi)容以使 所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠制作和使用本發(fā)明，且以下描述內(nèi)容是在專利申請案及其要求 的上下文中提供的。對本文所描述的優(yōu)選實施例以及一般原理和特征的各種修改對所屬 領(lǐng)域的技術(shù)人員來說將是顯而易見的。因此，本發(fā)明無意限于所展示的實施例，而是將 被賦予與本文所描述的原理和特征一致的最寬范圍。
揭示一種存儲器系統(tǒng)。在一個實施例中，所述存儲器系統(tǒng)利用虛擬存儲器位線來產(chǎn) 生瞬變電流，所述瞬變電流抵消與所尋址的存儲器位線相關(guān)聯(lián)的任何瞬變電流。類似地， 存儲器系統(tǒng)利用虛擬參考位線來產(chǎn)生瞬變電流，所述瞬變電流抵消與所尋址的參考位線 相關(guān)聯(lián)的任何瞬變電流。虛擬存儲器位線、所尋址的存儲器位線、虛擬參考位線和所尋 址的參考位線耦合到同一讀出放大器，以使瞬變電流能夠被抵消。因此，可基于存儲器 位線電流與參考位線電流之間的差異確定與所尋址的存儲器位線相關(guān)聯(lián)的給定存儲器 單元的狀態(tài)，而不會受瞬變電流不利地影響。為了更明確地描述本發(fā)明的特征，現(xiàn)在結(jié) 合附圖而參考以下描述。
盡管在"與非"快閃存儲器的上下文中描述本文所揭示的本發(fā)明，但本發(fā)明可應(yīng)用 于其它類型的存儲器，例如"或非"存儲器和存儲器架構(gòu)，且仍在本發(fā)明的精神和范圍 內(nèi)。
圖1是根據(jù)一個實施例的快閃存儲器電路100的示意圖。快閃存儲器電路包含晶體 管102、反相器104和106以及"與非"串108，"與非"串108是--連串快閃存儲器單 元。如圖l展示，在"與非"快閃存儲器中，通常通過將串108鏈接到雙穩(wěn)態(tài)鎖存電路 (即，反相器104和106)的輸入節(jié)點，來執(zhí)行讀取操作。
在讀取操作開始之前，控制信號PRESET一N將快閃存儲器電路IOO的輸出電平OUT 預(yù)設(shè)為兩個穩(wěn)定狀態(tài)中的一者(例如，"0"或"1")。 一旦讀取操作開始，如果串電流
6為零，那么鎖存輸出OUT保持在預(yù)設(shè)值。如果串電流為正，那么串電流將鎖存輸入IN 處的電壓至少放電到反相器104的觸發(fā)電平，使得鎖存輸出可切換到相反狀態(tài)。由于串 所包含的一系列快閃存儲器單元的緣故，串電流可能非常低。因此，鎖存輸入節(jié)點無法 被非常快速地放電。由于此緣故，"與非"架構(gòu)通常不允許快速隨機(jī)存取時間。相反， 單個讀出放大器僅具有簡單的鎖存電路。因此，有可能設(shè)計非常高密度的讀出放大器來 在非常高數(shù)目的串上同時執(zhí)行讀取操作，從而在初始等待時間后獲得非常高的數(shù)據(jù)通過 量。
用于提供較快讀取操作的一種方法是使用更復(fù)雜且因此通常更大的讀出放大器。舉 例來說，在電流比較讀出放大器中，通過將給定存儲元件處的電流(或存儲器單元電流 與參考電流(Uf)進(jìn)行比較，來執(zhí)行讀取操作，所述參考電流具有通常位于邏輯 狀態(tài)"1"下的存儲器單元電流值與邏輯狀態(tài)"0"下的存儲器單元電流值之間的值。讀 出放大器通常讀取所述兩個電流之間的差，且接著將所述差轉(zhuǎn)換成電壓信號。
圖2是展示根據(jù)一個實施例的存儲器系統(tǒng)200的框圖。存儲器系統(tǒng)200包含具有存 儲器位線204的矩陣202、列解碼器206、讀出放大器208和參考產(chǎn)生器210。參考產(chǎn)生 器210產(chǎn)生參考電流?；蛘撸瑓⒖茧娏骺赡苡闪硪豢扉W存儲器單元產(chǎn)生，以便跟蹤存儲 器單元的過程特性。參考產(chǎn)生器210可相對于讀出放大器208位于各種位置中。存儲器 位線204為物理列，其將屬于其的單元的漏極連接在一起。為便于說明，僅展示一個存 儲器位線204。每一位線204耦合到列解碼器206，列解碼器206將所尋址的位線(即， 所尋址的存儲器單元)耦合到讀出放大器208。
一旦讀取操作開始，讀取路徑的節(jié)點處的電壓電平就調(diào)節(jié)到適當(dāng)?shù)钠脳l件，以便 允許給定存儲器單元傳導(dǎo)其合適的電流。舉例來說，讀出放大器可使所尋址的單元偏置， 以使其漏極升高到所要的電壓值。在一個實施例中，將存儲器單元的漏極耦合到讀出放 大器的對應(yīng)位線可被視為RC網(wǎng)絡(luò)，其應(yīng)升高到同一電壓電平。所需的電流可由讀出放 大器供應(yīng)，且電流穿過存儲器單元電流所來自的同一路徑。
在初始瞬變周期期間，讀出放大器讀取存儲器單元處的電流(Icell)，以及被稱為存 儲器位線預(yù)充電電流的瞬變電流。在此瞬變周期期間，存儲器位線預(yù)充電電流通常達(dá)到 峰值(通常大于存儲器單元電流)，且接著一旦存儲器單元被合適地偏置，就降到零。 預(yù)充電電流只是可影響存儲器路徑和參考路徑兩者的可能瞬變電流的一個實例。另一瞬 變行為可(例如)與用以使所尋址的單元的柵極極化的時間等有關(guān)。因此，瞬變電流可 包含來自存儲器單元的任何可能的瞬變電流Itran,eell和/或來自參考位線的瞬變電流
Itran,ref 。在瞬變周期期間，讀出放大器不僅可讀取差(例如，I"H-Iref)，而且可讀取所有電 流貢獻(xiàn)的和(例如，Icdl + Ifeell-Iref-I涵,ref)。所述兩個瞬變分量可大于存儲器單元電 流和參考電流兩者。此外，由于參考電流路徑相對于存儲器電流路徑可非常不同，因此 兩個分量1^U和It^,w相對于彼此可非常不同。這可能使讀取操作的性能顯著惡化， 因為正確地讀取數(shù)據(jù)的唯一方式是等待，直到兩個瞬變電流相對于差(Ieell-Iref)為可忽 略為止。遺憾的是，等待可能花費太多時間，從而危及性能，尤其是在單元電流非常小 且較長的位線將存儲器單元連接到列解碼器的情況下。
另一重要問題與參考電流的靜態(tài)值(即，最終值)有關(guān)。無論參考塊放置在什么地 方，均應(yīng)將參考電流從參考塊供應(yīng)到讀出放大器。這意味著一些電路(例如鏡像連接的 晶體管)需要將參考電流轉(zhuǎn)移到讀出放大器電池。遺憾的是，此操作可能受由鏡像電路 晶體管中的失配和通道長度調(diào)制誤差導(dǎo)致的誤差影響。在存儲器單元電流和參考電流非 常小的情況下，此問題尤其重要。事實上，電流誤差不可相對于絕對參考電流值而忽略， 因而嚴(yán)重地影響供應(yīng)到讀出放大器的參考電流的最終值。因此，合適的數(shù)據(jù)讀取所依賴 的靜態(tài)電流差(IcelI-.Iref)可能非常不同，從而導(dǎo)致錯誤的讀取。
最后，此架構(gòu)具有涉及靜態(tài)(最終參考電流值)和動態(tài)(參考和存儲器瞬變電流) 行為兩者的一些問題。關(guān)于動態(tài)行為，避免瞬變電流的問題的唯--方式是等待，直到它 們相對于電流差(Ieell-Iref)變?yōu)榭珊雎詾橹埂＿z憾的是，這相對于電流目標(biāo)讀取性能可 能花費太多時間。關(guān)于靜態(tài)誤差，其可能改變數(shù)據(jù)獲取所依賴的電流差值(Ieell-Iref)。
在一個實施例中，圖2的存儲器系統(tǒng)200可用于獲得對"與非"存儲器的快速隨機(jī) 存取時間。然而，此架構(gòu)應(yīng)適合于"與非"存儲器情形，其中存儲器串電流包含于讀出 放大器操作中。首先，為了執(zhí)行電流比較，需要用于"與非"情況的參考電流。在一個
實施例中，參考產(chǎn)生器210可用于產(chǎn)生參考電流。然而，通過此途徑，參考電流具有相
對于存儲器串電流完全獨立的一些特性。
存儲器系統(tǒng)200可能具有次最佳的靜態(tài)和動態(tài)行為，且在存儲元件電流為低且其相
關(guān)聯(lián)的存儲器位線較長時可能欠佳地執(zhí)行。"與非"存儲器通常被設(shè)計有非常大的陣列 尺寸，且因此具有非常長的存儲器位線。
優(yōu)選途徑是產(chǎn)生更適合所述實施例的目的的參考電流。首先，具有可跟蹤存儲器串
的過程特性的參考電流是重要的。因此，如下文結(jié)合圖3更詳細(xì)地描述，參考串可用于 產(chǎn)生參考電流。在一個實施例中，特殊參考串可操作以吸收具有在存儲器串處于"1" 狀態(tài)和"0"狀態(tài)時的存儲器串電流的值之間的值的電流。舉例來說，如果存儲器串處 于"0"狀態(tài)，且因此不吸收電流，那么參考串可吸收"l"狀態(tài)下的存儲器串電流值的一半。因此，在一個實施例中，參考串可具有相對于存儲器串中的存儲器單元的數(shù)目為 兩倍的數(shù)目的存儲器單元。或者，參考串可與存儲器串具有相同數(shù)目的存儲器單元，其 中具有一些過編程的單元。
在一個實施例中，參考串可產(chǎn)生參考電流，其中將一個或一個以上存儲器單元的參 數(shù)設(shè)置為使得所述參數(shù)使參考串能夠傳導(dǎo)所要電流。在一個實施例中，可用多個特殊串 的任何組合來建構(gòu)參考串。由此，在一個實施例中，所有所得參考串可包含于一與存儲 器串矩陣分離的特殊"參考矩陣"塊中。
圖3是根據(jù)另一實施例的存儲器系統(tǒng)300的框圖。存儲器系統(tǒng)300包含存儲器矩陣， 所述存儲器矩陣具有分別通過兩個列解碼器310和312鏈接到讀出放大器308的兩個相 同存儲器子陣列304和306。存儲器系統(tǒng)300還包含分別耦合在存儲器矩陣304與306 之間的參考矩陣314和316。在一個實施例中，參考矩陣314和316每一者具有其自己 的列解碼器。參考矩陣314和316可被稱為"局部參考"架構(gòu)，因為其定位于靠近讀出 放大器308處。而且，存儲器系統(tǒng)300可以操作方式耦合到處理器和/或存儲器控制器。
在一個實施例中，存儲器子陣列304包含存儲器位線320，且參考矩陣314包含參 考位線322。類似地，存儲器子陣列306包含存儲器位線324，且參考矩陣316包含參 考位線326。
在一個實施例中，單個參考串(例如， 一連串存儲器單元)可與每一讀出放大器相 關(guān)聯(lián)(或更一般地說，可與每一存儲器位線相關(guān)聯(lián))。在一個實施例中，參考矩陣314 和316可向每一讀出放大器提供參考電流。在一個實施例中，參考矩陣314和316可在 不使用任何轉(zhuǎn)移電路(例如鏡像連接的晶體管)的情況下直接提供參考電流。因此，參 考矩陣314和316避免了由于晶體管失配或通道長度調(diào)制誤差而導(dǎo)致的誤差。參考矩陣 314和316還在無任何靜態(tài)誤差的情況下向每一讀出放大器合適地供應(yīng)參考電流。換句
話說，合適的讀取操作所依賴的靜態(tài)電流差(Istr-Uf)不被可能影響參考電流值的某種
誤差(即，由于晶體管失配或通道長度調(diào)制誤差而導(dǎo)致的誤差)修改。
在一個實施例中，存儲器系統(tǒng)300具有對稱結(jié)構(gòu)，其中存儲器位線320可與存儲器 位線324相同，且其中參考位線322可與參考位線326相同。在一個實施例中，將任何 給定位線連接到讀出放大器的列解碼器310和312的晶體管的數(shù)目、類型和尺寸可與連 接對應(yīng)的對稱位線的晶體管的數(shù)目、類型和尺寸相同。舉例來說，如果三個晶體管將存 儲器位線320連接到給定讀出放大器，那么相同類型和尺寸的三個晶體管也可將存儲器 位線324 (其與存儲器位線320對稱)連接到同一讀出放大器。
在一個實施例中，將給定存儲器串或參考串連接到讀出放大器的每一存儲器路徑(即，位線)對應(yīng)于將相應(yīng)的對稱存儲器串或參考串連接到同一讀出放大器的相同存儲 器路徑。
在一個實施例中，存儲器系統(tǒng)300在讀取操作期間不受存儲器瞬變電流和參考瞬變 電流影響。為便于說明，通過位線關(guān)聯(lián)的子陣列304和參考矩陣314被稱為"上側(cè)" 的元件。類似地，通過位線關(guān)聯(lián)的子陣列306和參考矩陣316被稱為位于"下側(cè)"的元 件。每一讀出放大器308可操作以確定電流差(Iup-Id。wn)，其中Iup是來自上側(cè)的總電 流，且Id。wn是來自下側(cè)的總電流。
圖4A說明根據(jù)一個實施例的圖3的存儲器系統(tǒng)300的操作，且圖4B說明根據(jù)另一 實施例的圖3的存儲器系統(tǒng)300的操作。
參看圖4A，在一種情境下，如果尋址上部存儲器串(例如，存儲器位線320)，那 么參考電流可由鏈接到同一讀出放大器308的下部局部參考串(例如，所尋址的參考位 線326)供應(yīng)。在一個實施例中，參考電流可來自參考位線322。
在一個實施例中，存儲器位線324 (與所尋址的存儲器位線320對稱)可被稱為虛 擬存儲器位線，且參考位線322 (與所尋址的參考位線326對稱)可被稱為虛擬參考位 線。可激活存儲器位線324和參考位線322，從而將它們連接到同一讀出放大器308。 讀出放大器308可耦合虛擬存儲器位線324和虛擬參考位線322，并將它們預(yù)充電到適 當(dāng)?shù)钠秒妷阂赃M(jìn)行讀取操作。因此，每一位線對應(yīng)于一預(yù)充電電流(例如，瞬變電流 Un,"U和Itran，W)。在一個實施例中，位線320、 322、 3 24和326具有相關(guān)聯(lián)的瞬變電流 1320、 1322、 1324禾口1326。在一個實施例中，瞬變電流之間的差按如下出現(xiàn)在讀出放大器308
的輸入處
(I叩-Idown) = (Istr + 1320 +工322) - (W+ 1324 +326)。
在一個實施例中，可將讀出放大器308設(shè)計為使得一旦讀取操作開始，所尋址的存 儲器位線與虛擬存儲器位線的每一耦合均通過相同的控制信號達(dá)到相同的偏置條件。
在一個實施例中，給定位線的瞬變電流可等于其對應(yīng)的對稱(或虛擬)位線的瞬變 電流，如下
1320 = 1324 = Itran,str且！322 = !326 = Itran,ref。 這產(chǎn)生以下情況
(Iup ■ Idown) = (Istr + Itran,str + !tran,ref) (W + Itran，str + Itran，ref)。 這產(chǎn)生以下情況 (I叩- Idown) — Istr - Irefo
因此，存儲器位線324產(chǎn)生瞬變電流，其抵消與存儲器位線320相關(guān)聯(lián)的瞬變電流。 類似地，參考位線322產(chǎn)生瞬變電流，其抵消與參考位線326相關(guān)聯(lián)的瞬變電流。因此， 讀出放大器架構(gòu)不受存儲器瞬變電流和參考瞬變電流分量影響。事實上，當(dāng)確定存儲器
10單元狀態(tài)(其在一個實施例中僅取決于串電流與參考電流之間的差(例如，Istr - Iref)) 時，瞬變電流不出現(xiàn)。此外，即使在電路的瞬變周期期間，讀取正確的數(shù)據(jù)也是合適的， 因為電流差(Iup-Id。wn)從一開始就是正確的。這顯著加快了存儲器的存取時間，因為 將沒有必要等待瞬變周期結(jié)束以讀取數(shù)據(jù)。
參看圖4B,在另一情境(相反的情況)下，所尋址的存儲器位線是存儲器位線324， 且所尋址的參考位線是所尋址的參考位線322。存儲器位線320和參考位線326是對稱 的位線，且因此充當(dāng)虛擬位線，從而僅將其瞬變電流供應(yīng)到讀出放大器308。這產(chǎn)生以 下情況
(I叩-Idown) = (W + 1320 +工322) _ (Istr +乙24 +1326)。
因此，位線的瞬變電流與對稱位線相等，如下
1320 = 1324 = Itran,str且1322 = "26 = Itran,ref。這產(chǎn)生以下情況
(I叩 Idown) = (Iref + Itran,str + Itran,ref) _ (Istr + Itran,str + Itran,ref)。
這產(chǎn)生以下情況 (Iup - IdowtO — Iref -Istr。
因此，存儲器位線320產(chǎn)生瞬變電流，其抵消與存儲器位線324相關(guān)聯(lián)的瞬變電流。 類似地，參考位線326產(chǎn)生瞬變電流，其抵消與參考位線322相關(guān)聯(lián)的瞬變電流。此情 境的最終結(jié)果是與先前情境具有相同的量值，但具有相反的正負(fù)號。而且，所述結(jié)果不 受任何瞬變電流分量影響。
如上文在兩種情境中所示，用作虛擬位線的位線是存儲器陣列和參考陣列/矩陣的實 際存儲器和參考位線。因此，不需要額外位線來利用其瞬變電流，且實施中不需要額外 存儲器芯片面積。
以下結(jié)合圖5A和圖5B的兩種情境說明列解碼器可如何使存儲器電流和參考串電流 能夠單獨地供應(yīng)到每一讀出放大器。
圖5A說明根據(jù)一個實施例的圖3的存儲器系統(tǒng)300的操作，且圖5B說明根據(jù)另一 實施例的圖3的存儲器系統(tǒng)300的操作。
參看圖5A，展示一種情境，其中串電流和參考電流兩者均來自上側(cè)，且由所尋址 的存儲器位線320和所尋址的參考位線322供應(yīng)。在此情況下，存儲器位線324和參考 位線326充當(dāng)虛擬位線以產(chǎn)生瞬變電流，用以抵消與所尋址的存儲器位線320和所尋址 的參考位線322相關(guān)聯(lián)的任何瞬變電流。所述電流可表達(dá)如下
(I叩 Idown) = (Istr + Itran,str + Iref + Itran,ref) ■ (Itran,str + Itran,ref)。
這產(chǎn)生以下個青況 (I叩_ Idown) -Istr - Iref0
因此，存儲器位線324產(chǎn)生瞬變電流，其抵消與存儲器位線320相關(guān)聯(lián)的瞬變電流。類似地，參考位線326產(chǎn)生瞬變電流，其抵消與參考位線322相關(guān)聯(lián)的瞬變電流。
參看圖5B，展示一種情境，其中串電流和參考電流兩者均來自下側(cè)，且分別由所 尋址的存儲器位線324和所尋址的參考位線326供應(yīng)。在一個實施例中，存儲器位線320 和參考位線322充當(dāng)虛擬位線。這產(chǎn)生以下情況
(I叩 Idown) = (Itran，str + Itran'ref) (Istr + Itran'str + W + Itran,ref)。 這產(chǎn)生以下情況 (I叩- IdowrO — Iref - 1st"
因此，存儲器位線320產(chǎn)生瞬變電流，其抵消與存儲器位線324相關(guān)聯(lián)的瞬變電流。 類似地，參考位線322產(chǎn)生瞬變電流，其抵消與參考位線326相關(guān)聯(lián)的瞬變電流。如上 文所示，實施例通過在不必添加任何額外位線的情況下利用實際位線的瞬變電流來改進(jìn) 讀取操作的性能。
根據(jù)本文所揭示的系統(tǒng)和方法，本發(fā)明提供大量益處。舉例來說，實施例顯著加快 了存儲器存取時間，因為實施例可在瞬變周期期間執(zhí)行讀取操作，而無需等待瞬變周期 結(jié)束。這在存儲器矩陣較大且具有較長位線并且預(yù)充電階段可能花費總讀取存取時間的 大部分的存儲器系統(tǒng)中，尤其是個優(yōu)點。實施例也適合于任何存儲器架構(gòu)，例如"與非" 和"或非"快閃存儲器架構(gòu)。
已揭示了一種存儲器系統(tǒng)。在一個實施例中，存儲器系統(tǒng)利用虛擬存儲器位線來產(chǎn) 生瞬變電流，其抵消與所尋址的存儲器位線相關(guān)聯(lián)的任何瞬變電流。類似地，存儲器系 統(tǒng)利用虛擬參考位線來產(chǎn)生瞬變電流，其抵消與所尋址的參考位線相關(guān)聯(lián)的任何瞬變電 流。因此，可在不受瞬變電流不利地影響的情況下，確定給定存儲器單元的狀態(tài)。
已根據(jù)所示的實施例而描述了本發(fā)明。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易認(rèn)識到，可能存 在對實施例的改變，且任何改變都將在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)。因此，所屬領(lǐng)域的技術(shù) 人員可在不脫離所附權(quán)利要求書的精神和范圍的情況下做出許多修改。
權(quán)利要求
1.一種存儲器系統(tǒng)，其包括第一位線，其中所述第一位線產(chǎn)生第一瞬變電流；讀出放大器，其耦合到所述第一位線；以及第二位線，其耦合到所述讀出放大器，其中所述第二位線產(chǎn)生第二瞬變電流，所述第二瞬變電流等于所述第一瞬變電流，所述讀出放大器使所述第一和第二瞬變電流能夠被抵消。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述第一和第二位線是存儲器位線。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述第一位線與所述第二位線相同。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括第三位線，其中所述第三位線產(chǎn)生第三瞬變電流； 讀出放大器，其耦合到所述第三位線；以及第四位線，其耦合到所述讀出放大器，其中所述第四位線產(chǎn)生第四瞬變電流，所 述第四瞬變電流等于所述第三瞬變電流，所述讀出放大器使所述第三和第四瞬變電 流能夠被抵消。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其中所述第三和第四位線是參考位線。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其中所述第三位線與所述第四位線相同。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括第一存儲器陣列，其中所述第一位線是來自所述第一陣列的位線； 第一參考陣列，其耦合到所述第一存儲器陣列；第二參考陣列，其經(jīng)由所述讀出放大器耦合到所述第一參考陣列；以及 第二存儲器陣列，其耦合到所述第二參考陣列，其中所述第二位線是來自所述第 二存儲器陣列的位線。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述存儲器系統(tǒng)使得能夠在瞬變周期期間執(zhí)行讀 取操作而不必等待所述瞬變周期結(jié)束。
9. 一種系統(tǒng)，其包括處理器；以及存儲器系統(tǒng)，其耦合到所述處理器，所述存儲器系統(tǒng)包括 第一位線，其中所述第一位線產(chǎn)生第一瞬變電流； 讀出放大器，其耦合到所述第一位線；以及第二位線，其耦合到所述讀出放大器，其中所述第二位線產(chǎn)生第二瞬變電流， 所述第二瞬變電流等于所述第一瞬變電流，所述讀出放大器使所述第一和第二瞬 變電流能夠被抵消。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中所述第一和第二位線是存儲器位線。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中所述第一位線與所述第二位線相同。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括第三位線，其中所述第三位線產(chǎn)生第三瞬變電流； 讀出放大器，其耦合到所述第三位線；以及第四位線，其耦合到所述讀出放大器，其中所述第四位線產(chǎn)生第四瞬變電流，所 述第四瞬變電流等于所述第三瞬變電流，所述讀出放大器使所述第三和第四瞬變電 流能夠被抵消。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中所述第三和第四位線是參考位線。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中所述第三位線與所述第四位線相同。
15. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括第一存儲器陣列，其中所述第一位線是來自所述第一陣列的位線； 第一參考陣列，其耦合到所述第一存儲器陣列；第二參考陣列，其經(jīng)由所述讀出放大器耦合到所述第一參考陣列；以及 第二存儲器陣列，其耦合到所述第二參考陣列，其中所述第二位線是來自所述第 二存儲器陣列的位線。
16. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中所述存儲器系統(tǒng)使得能夠在瞬變周期期間執(zhí)行讀 取操作而不必等待所述瞬變周期結(jié)束。
17. —種用于處理讀取操作的方法，所述方法包括以參考或存儲元件與讀出放大器之間的任何可能的連接產(chǎn)生第一瞬變電流； 以任何其它可能的連接產(chǎn)生第二瞬變電流，使得所述第二瞬變電流等于所述第一 瞬變電流；以及使用讀出放大器使所述第一和第二瞬變電流能夠被抵消。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其進(jìn)一步包括在瞬變周期期間執(zhí)行讀取操作而不必 等待所述瞬變周期結(jié)束。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其進(jìn)一步包括以參考串來產(chǎn)生所述第一和第二瞬變 電流中的至少一者。
20. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，進(jìn)一步其中所述參考串包括存儲器單元，所述存儲器單元具有使所述參考串能夠產(chǎn)生所要電流的參數(shù)。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，進(jìn)一步其中以多個特殊串的任何組合來建構(gòu)所述參 考串。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種存儲器系統(tǒng)。在一個實施例中，所述存儲器系統(tǒng)包含第一位線，其中所述第一位線產(chǎn)生第一瞬變電流。所述存儲器系統(tǒng)還包含耦合到所述第一位線的讀出放大器。所述存儲器系統(tǒng)還包含耦合到所述讀出放大器的第二位線，其中所述第二位線產(chǎn)生第二瞬變電流，所述第二瞬變電流等于所述第一瞬變電流。所述讀出放大器使所述第一和第二瞬變電流能夠被抵消。根據(jù)本文所揭示的所述系統(tǒng)，可在不受瞬變電流不利影響的情況下確定存儲器單元的狀態(tài)。
文檔編號G11C11/34GK101584002SQ200880002092
公開日2009年11月18日 申請日期2008年1月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月12日
發(fā)明者喬治·博西西奧, 加布里埃萊·佩利, 洛倫佐·貝達(dá)里達(dá), 西莫內(nèi)·巴托里 申請人:愛特梅爾公司