專利名稱：具有新穎的尾返回極的垂直磁寫頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及垂直磁記錄，更特別地，涉及一種具有尾(或上)磁返回極
的》茲寫頭，該尾石茲返回極配置來防止寬區(qū)域道擦除(wide-area-track-erasure )。 背景4支術(shù)
計(jì)算機(jī)長期存儲(chǔ)的核心是稱為磁盤驅(qū)動(dòng)器的組件。磁盤驅(qū)動(dòng)器包括旋轉(zhuǎn) 磁盤、被與旋轉(zhuǎn)磁盤的表面相鄰的懸臂懸吊的寫和讀頭、以及轉(zhuǎn)動(dòng)懸臂從而 將讀和寫頭置于旋轉(zhuǎn)盤上的選定環(huán)形磁道(track)之上的致動(dòng)器。讀和寫頭 直接位于具有氣墊面(ABS)的滑塊上。懸臂偏置滑塊朝向盤的表面，當(dāng)盤 旋轉(zhuǎn)時(shí)，鄰近盤的空氣與盤表面一起移動(dòng)?；瑝K在該移動(dòng)空氣的墊上飛行于 盤表面之上。當(dāng)滑塊騎在氣墊上時(shí)，采用寫和讀頭來寫^茲轉(zhuǎn)變到旋轉(zhuǎn)盤且從 旋轉(zhuǎn)盤讀取磁轉(zhuǎn)變。讀和寫頭連接到根據(jù)計(jì)算機(jī)程序運(yùn)行的處理電路以實(shí)現(xiàn) 寫和讀功能。
寫頭傳統(tǒng)上包括嵌在第一、第二和第三絕緣層(絕緣堆疊)中的線圈層， 絕緣堆疊夾在第一和第二極片層(pole piece layer)之間。在寫頭的氣墊面 (ABS)處間隙(gap)通過間隙層形成在第一和第二極片層之間，極片層 在背間隙(back gap)處連接。傳導(dǎo)到線圈層的電流在極片中感應(yīng)磁通，其 導(dǎo)致磁場在ABS處在寫間隙彌散出來，用于在移動(dòng)介質(zhì)上的磁道中寫上述 》茲轉(zhuǎn)變，例如在上述旋轉(zhuǎn)盤上的環(huán)形,茲道中。
在近來的讀頭設(shè)計(jì)中，GMR或TMR傳感器已經(jīng)被用于檢測來自旋轉(zhuǎn)磁 盤的磁場。所述傳感器包括非磁導(dǎo)電層或勢壘層(稱為間隔層)，其被夾在 稱為被釘扎層和自由層的第一和第二鐵磁層之間。第一和第二引線(lead) 連接到傳感器以傳導(dǎo)通過那里的檢測電流。被釘扎層的磁化被釘扎為垂直于 氣墊面(ABS ),自由層的磁矩設(shè)為平行于ABS但可以響應(yīng)于外磁場而自由 旋轉(zhuǎn)。被釘扎層的磁化通常通過與反鐵磁層的交換耦合來被釘扎。
間隔層的厚度被選擇為小于通過傳感器的傳導(dǎo)電子的平均自由程。采用 此設(shè)置，部分傳導(dǎo)電子被間隔層與被釘扎層和自由層每個(gè)的界面所散射。當(dāng)被釘扎層和自由層的磁化相對(duì)于彼此平行時(shí)，散射最小，當(dāng)被釘扎層和自由
層的磁化反平行時(shí)，散射最大。散射的變化與cose成比例地改變自旋閥傳 感器的電阻，其中e是凈皮釘扎層與自由層的^f茲化之間的角。在讀模式中，自 旋閥傳感器的電阻與來自旋轉(zhuǎn)盤的磁場的大小成比例地改變。當(dāng)檢測電流傳 導(dǎo)通過自旋閥傳感器時(shí)，電阻變化導(dǎo)致電勢變化，其被檢測到并作為重放信
號(hào)(playback signal)處理。
為了滿足日益增長的對(duì)改善的數(shù)據(jù)速率和lt據(jù)容量的需求，研究者近來 已致力于垂直記錄系統(tǒng)的開發(fā)。傳統(tǒng)縱向記錄系統(tǒng)，例如包括上述寫頭的系 統(tǒng)，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)為沿;茲盤表面平面中的道縱向取向的^茲位。該縱向數(shù)據(jù)位通過 形成在由寫間隙分隔開的磁極對(duì)之間的彌散場(fringing field)記錄。
相反，垂直記錄系統(tǒng)記錄數(shù)據(jù)為垂直于磁盤的平面取向的磁化。磁盤具 有由薄的硬磁頂層覆蓋的軟磁襯層。垂直寫頭具有橫截面很小的寫極和大得 多的橫截面的返回極。強(qiáng)的、高度集中的磁場沿垂直于磁盤表面的方向從寫 極發(fā)出，磁化該硬磁頂層。所得磁通然后通過軟》茲襯層行進(jìn)，返回到返回極， 在返回極處其充分展開且是微弱的從而當(dāng)其在回到返回極的途中經(jīng)過硬磁 頂層時(shí)將不擦除由寫極記錄的信號(hào)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種具有磁返回極的磁寫頭，該磁返回極配置為防止寬區(qū)域 道擦除，特別是當(dāng)存在雜散磁場時(shí)。磁返回極具有寬度較窄的喉(throat) 區(qū)域并具有靠近氣墊面形成的內(nèi)和外翼(wing)部分。內(nèi)翼部分具有設(shè)置在
氣墊面處的前邊緣，而外翼部分具有從氣墊面凹進(jìn)的前邊緣。
外翼部分的前邊》彖可形成一凹口 (notch),所述凹口起始于內(nèi)和外翼部
分之間的連接處。所述凹口可以是楔形(tapered)凹口，或者可以是方形凹
口，所述方形凹口具有與氣墊面基本成直角的邊緣。
外翼部分的前邊緣可基本平行于氣墊面，或者可以是楔形的，相對(duì)于氣
墊面形成IO度或更小的角。
磁返回極的該配置有利地防止了磁雜散場導(dǎo)致數(shù)據(jù)擦除，并在防止縱向
雜散場導(dǎo)致的數(shù)據(jù)擦除方面尤其有用。這里使用的術(shù)語縱向指的是與寫極的
對(duì)稱線(line of symmetry )平行并垂直于氣墊面的方向。喉區(qū)J或以及內(nèi)和外
翼結(jié)構(gòu)的配置為這樣的雜散場產(chǎn)生的磁通提供了磁通路徑。內(nèi)翼和外翼結(jié)構(gòu)的配置有利地些微地阻止磁通，同時(shí)還避免了在極的前邊緣處的磁飽和。
本發(fā)明的這些和其它特征和優(yōu)點(diǎn)將通過閱讀結(jié)合附圖的優(yōu)選實(shí)施例的 詳細(xì)說明而明顯，附圖中相似的附圖標(biāo)記始終表示相似的元件。


為了充分理解本發(fā)明的本質(zhì)和優(yōu)點(diǎn)以及應(yīng)用的優(yōu)選方式，應(yīng)當(dāng)參照下面
結(jié)合附圖閱讀的詳細(xì)說明，附圖不是按比例的。附圖中
圖1是其中可實(shí)施本發(fā)明的盤驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的示意圖2是從圖1的線2-2截取的滑塊的ABS視圖，示出了其上磁頭的位置；
圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁寫頭的從圖2的線3-3截取并逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng) 90度的橫截面圖4是垂直磁寫頭的尾磁返回極的從圖3的線4-4截取的視圖5是根據(jù)本發(fā)明供選實(shí)施例的尾;茲返回極的與圖4類似的視圖6是現(xiàn)有技術(shù)磁結(jié)構(gòu)的視圖7是另 一現(xiàn)有技術(shù)磁結(jié)構(gòu)的視圖8是再一現(xiàn)有技術(shù)磁結(jié)構(gòu)的視圖；以及
圖9是根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的》茲返回極的視圖。
具體實(shí)施例方式
下面的說明是目前想到的實(shí)施本發(fā)明的優(yōu)選方式。進(jìn)行該說明是用于說 明本發(fā)明的 一般原理，而不是意圖限制這里提出的發(fā)明性構(gòu)思。
現(xiàn)在參照?qǐng)D1,示出了實(shí)施本發(fā)明的盤驅(qū)動(dòng)器100。如圖1所示，至少 一個(gè)可4t轉(zhuǎn)的》茲盤112支岸義在主軸(spindle) 114上且通過盤驅(qū)動(dòng)馬達(dá)118 旋轉(zhuǎn)。每個(gè)盤上的磁記錄是磁盤112上的同心數(shù)據(jù)道(未示出)的環(huán)形圖案 形式。
至少一個(gè)滑塊113位于磁盤112附近，每個(gè)滑塊113支持一個(gè)或更多磁 頭組件121。當(dāng)》茲盤旋轉(zhuǎn)時(shí)，滑塊113在石茲盤表面122之上徑向進(jìn)出移動(dòng)， 從而磁頭組件121可以存取寫有所需數(shù)據(jù)的磁盤的不同道。每個(gè)滑塊113借 助懸臂(suspension) 115連到致動(dòng)器臂119。懸臂115提供輕微的彈力，其 偏置滑塊113倚著磁盤表面122。每個(gè)致動(dòng)器臂119連到致動(dòng)器裝置127。 如圖1所示的致動(dòng)器裝置127可以是音圈馬達(dá)(VCM)。 VCM包括在固定磁場中可移動(dòng)的線圏，線圈移動(dòng)的方向和速度被控制器129提供的馬達(dá)電流 信號(hào)所控制。
盤存儲(chǔ)系統(tǒng)運(yùn)行期間，磁盤112的旋轉(zhuǎn)在滑塊113和盤表面122之間產(chǎn) 生對(duì)滑塊施加向上的力或舉力的氣墊。于是在正常運(yùn)行期間該氣墊平衡懸臂 115的輕微的彈力，并支持滑塊113離開盤表面且以小的基本恒定的距離稍 微位于磁盤表面之上。
盤存儲(chǔ)系統(tǒng)的各種組元在運(yùn)行中由控制單元129產(chǎn)生的控制信號(hào)來控 制，例如存取控制信號(hào)和內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)。通常，控制單元129包括邏輯控制 電路，存儲(chǔ)裝置和微處理器。控制單元129產(chǎn)生控制信號(hào)從而控制各種系統(tǒng) 操作，例如線123上的驅(qū)動(dòng)馬達(dá)控制信號(hào)以及線128上的頭定位和尋道控制 信號(hào)。線128上的控制信號(hào)提供所需的電流曲線(currentprofile),從而優(yōu)化 地移動(dòng)并定位滑塊113到盤112上的所需數(shù)據(jù)道。寫和讀信號(hào)借助記錄通道 125傳達(dá)到和讀出自寫頭和讀頭121。
參照?qǐng)D2，滑塊113中磁頭121的取向可以更詳細(xì)地被觀察。圖2是滑 塊113的ABS視圖，可以看出包括感應(yīng)寫頭和讀傳感器的磁頭位于滑塊的 尾緣(trailing edge )。常見磁盤存儲(chǔ)系統(tǒng)的上述說明及圖1的圖示僅用于示 例。應(yīng)顯然的是，盤存儲(chǔ)系統(tǒng)可包括多個(gè)盤和致動(dòng)器，每個(gè)致動(dòng)器可支持多 個(gè)滑塊。
現(xiàn)在參照?qǐng)D3，本發(fā)明可在磁頭302中實(shí)施。磁頭302包括讀頭304和 寫頭306。讀頭304包括可以是GMR、 TMR或某些其它類型傳感器的磁致 電阻傳感器308?！酱胖码娮鑲鞲衅?08位于第一和第二磁屏蔽件310、 312 之間。
寫頭306包括磁寫極314和磁返回極316。寫極314可形成在》茲成形層 (shaping layer) 320上，磁背間隙層318將寫極314和成形層320與返回極 316在離開氣墊面(ABS)的區(qū)域中磁連接。寫線圈322 (示于圖3的截面 圖中)在寫極和成形層314、 320與返回極316之間經(jīng)過，并且還可在寫極 314和成形層320之上經(jīng)過。寫線圈可以是螺旋線圈或者可以是一個(gè)或更多 扁平線圈。寫線圈322可以形成在絕緣層324上并且可以嵌在諸如氧化鋁和 /或硬烘焙光致抗蝕劑的線圈絕緣層326中。
在運(yùn)行中，當(dāng)電流流過寫線圈322時(shí)，產(chǎn)生的-茲場引起》茲通流過返回極 316、背間隙318、成形層320和寫極314。這引起^茲寫場從寫極314的尖端(tip)朝向磁介質(zhì)332發(fā)出。寫極314在ABS處具有的橫截面遠(yuǎn)小于返回 極316在ABS處的橫截面。因此，從寫極314發(fā)出的磁場足夠密集且強(qiáng)， 從而能夠?qū)憯?shù)據(jù)位到i茲介質(zhì)332的硬;茲頂層330?！菲澩ㄈ缓罅鹘?jīng)軟^茲襯層 334，并返回到返回極316，在返回極處磁通充分展開且是微弱的從而不擦除 由寫極314記錄的數(shù)據(jù)位?！菲澴?pedestal) 336可設(shè)置在氣墊面ABS處并 連接到返回極316，從而防止來自寫線圈322的底部引線的雜散磁場影響記 錄到介質(zhì)332的磁信號(hào)。
為了增大寫場梯度并因而提高寫頭306能寫入數(shù)據(jù)的速度，可以設(shè)置尾 包繞(wrap-around)磁屏蔽件338。尾包繞磁屏蔽件338通過非磁寫間隙339 與寫極分隔開，并可以通過尾返回極340與成形層320和/或背間隙318連接。 尾屏蔽件338吸引來自寫極314的磁場，這使得從寫極314發(fā)出的磁場的角 度稍微傾斜。磁場的該傾斜通過增大場梯度提高了寫場極性可被轉(zhuǎn)換的速 度。設(shè)置尾磁返回極340并使之能與尾屏蔽件338磁連接。因此，尾返回極 340可使尾磁屏蔽件338與寫頭306的背部分^ 茲連接，例如與成形層320的 后端以及與背間隙層318連接。磁尾屏蔽件也是第二返回極，從而除了磁通 經(jīng)過介質(zhì)332傳導(dǎo)到返回極316以外，磁通還流經(jīng)介質(zhì)332到達(dá)尾返回極 340。
參照?qǐng)D4,示出了從尾方向(或從圖3中的頂部)觀察的尾返回極340 的實(shí)施例。垂直記錄系統(tǒng)遇到的一個(gè)嚴(yán)重問題與雜散場擦除有關(guān)，或更具體 而言，與寬區(qū)域道擦除有關(guān)。雜散場可以來自外部源或者來自寫頭自身，其 可以導(dǎo)致/f茲通集中在返回極的特定部分處并可以朝向^t介質(zhì)332發(fā)出不期望 的磁場(圖3)，導(dǎo)致先前記錄的數(shù)據(jù)的非期望擦除。這些雜散場可以主要沿 箭頭402所示的縱向取向、主要沿箭頭404所示的橫向取向、或者可以沿縱 向和橫向之間的某些方向取向。 一些計(jì)算機(jī)系統(tǒng)諸如移動(dòng)(膝上型)計(jì)算機(jī) 特別易受縱向雜散場影響(即沿箭頭402所示的方向)，因?yàn)橐馔馐┘拥耐?部雜散場傾向于沿垂直于鍵盤平面的方向。例如，把磁裝置置于計(jì)算機(jī)上會(huì) 產(chǎn)生這種情況。
本發(fā)明提供磁返回極340，其具體配置來大大減小雜散場導(dǎo)致的任何道 擦除。該磁返回極在防止縱向雜散場引起有害的寬區(qū)域道擦除方面尤其有 用?？梢钥吹?，磁極340具有喉部分406,該處磁極340的寬度顯著減小。 這有助于阻斷雜散場例如縱向雜散場引起的^茲通407。取決于結(jié)構(gòu)340的總
9體尺寸，喉部分406可以具有4nm或更大的寬度。
》茲極340還具有翼結(jié)構(gòu)408，翼結(jié)構(gòu)408具有內(nèi)翼部分410和外翼部分 412。翼結(jié)構(gòu)408配置有凹口 (notch) 414,使得在內(nèi)翼部分410具有可位于 氣墊面(ABS)處或靠近氣墊面(ABS)的前邊緣416的同時(shí)，外翼部分412 具有從ABS后退或凹進(jìn)的前邊緣418。
還可以看到，內(nèi)翼部分410具有從其前邊緣到其后邊緣測量的深度Dl ， 深度Dl大于外翼部分412的深度D2。內(nèi)和外翼部分410、412的前邊緣416、 418可以都基本平行于ABS。深度D2可以大于或等于0.25(am，然而該尺寸 可以根據(jù)諸如光刻工藝限制、機(jī)械強(qiáng)度因素等因素而改變。
極結(jié)構(gòu)340的形狀包括數(shù)個(gè)特征，其共同作用從而防止雜散場引起的寬 區(qū)域道擦除。如上所述，喉406有助于在雜散場引起的磁通407到達(dá)ABS 附近的區(qū)域之前阻斷該磁通。此外，翼部分408整體上提供了用于傳導(dǎo)來自 ABS的磁通的磁通路徑。如圖所示，當(dāng)磁通407到達(dá)ABS附近的區(qū)域時(shí)， 它向側(cè)部彎曲/人而傳導(dǎo)至翼部分408。如果不存在翼部分408, 〃磁通407將 直接通過ABS泄漏，導(dǎo)致數(shù)據(jù)擦除。
此外，第二翼部分412的存在在防止雜散場引起的寬區(qū)域道擦除方面提 供了很大優(yōu)勢。可以看到，凹口 414使外翼412的前邊緣418從ABS離開。 如圖所示，這有利地使磁通407離開ABS，從而磁通十分不可能泄漏到ABS 或泄漏到附近的磁介質(zhì)332 (圖3)。凹口 414和外翼412提供的另一優(yōu)點(diǎn)是 磁通407在進(jìn)入外翼部分412時(shí)被稍微阻止。稍微阻止磁通407允許磁通的 量在到達(dá)外翼412的端部之前被減少，同時(shí)仍然允許足夠量的磁通行進(jìn)到外 翼部分412中。如果磁通被完全阻止(例如如果沒有外翼部分)，那么磁通 將無處可去并將泄漏到介質(zhì)，導(dǎo)致數(shù)據(jù)擦除。
如圖4所示，凹口是楔形。凹口 414優(yōu)選具有從ABS到外翼部分412 的前邊緣418測量的至少0.1 |im的凹口深度D3,或更優(yōu)選地大約0.75 |im。 外翼部分412也優(yōu)選地具有從凹口 414至翼部分的外端測量的至少2 |im的 長度L1。盡管圖4中凹口 414示出為楔形的，參照?qǐng)D5，極502可配置有階 梯狀凹口 504，其具有更垂直或卩走咱'的的凹口形狀。在圖4所示的實(shí)施例或 圖5所示的實(shí)施例中，內(nèi)翼410優(yōu)選地延伸/人才及340的中心線至凹口 414的 起點(diǎn)測量的大約5.5 (im的距離L2。
參照?qǐng)D6、 7和8，可以更清楚地理解凹口 414和外翼部分412在防止寬區(qū)域道擦除方面的優(yōu)點(diǎn)，圖6、 7和8示出了現(xiàn)有技術(shù)磁形狀的例子。授予 Chang等人的美國專利6122144中描述了類似于圖6、 7和8中描述的磁形 狀。Chang等人在縱向數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)中使用這些形狀的結(jié)構(gòu)。
圖6示出了》茲結(jié)構(gòu)602，其具有喉部分604并具有前邊緣向后漸縮的楔 形翼部分606。沒有外翼部分。模擬顯示，這樣的結(jié)構(gòu)實(shí)際上使寬區(qū)域道擦 除更壞(尤其如源自縱向雜散場那樣)。這示于圖6中，其中來自縱向雜散 場的磁通608朝向ABS行進(jìn)。因?yàn)闆]有用于使磁通轉(zhuǎn)向進(jìn)入的外翼部分， 》茲通在楔形翼的前邊纟彖飽和，并泄漏磁場610到^茲介質(zhì)。盡管翼606可以制 得更大，提供更多的材料來使磁通608轉(zhuǎn)向進(jìn)入，但翼606的向后楔形以及 缺少橫向延伸的外翼，將需要磁通完全反轉(zhuǎn)方向以流入該翼結(jié)構(gòu)的外部分。 然而，這不容易發(fā)生，反而導(dǎo)致翼606的前邊緣處的》茲飽和以及/F茲場泄漏 610,導(dǎo)致數(shù)據(jù)擦除。
圖7和8中描述的其它形狀表現(xiàn)出類似的問題。例如，圖7示出了具有 翼702的磁結(jié)構(gòu)700，翼702具有從ABS向后彎曲的前邊緣。圖8示出具有 翼部分802的^茲結(jié)構(gòu)800,翼部分802具有離開ABS彎曲的作為一系列小平 面的前邊緣，所述一系列小平面具有增大的離開ABS的角度。對(duì)于所有這 些例子，縱向延伸的外翼的缺乏引起磁通泄漏并導(dǎo)致數(shù)據(jù)擦除。
再次參照?qǐng)D4和5，尺寸L2、 D2和D3優(yōu)選具有4吏L2/(D2 + D3)至少為 2的相對(duì)尺寸。另外，L2/ (喉406寬度的一半)優(yōu)選至少為1.2。
現(xiàn)在參照?qǐng)D9,描述本發(fā)明的另一可行實(shí)施例。圖9示出磁極結(jié)構(gòu)902， 具有內(nèi)翼904和外翼908。在該實(shí)施例中，外翼部分906具有以小角(shallow angle ) e離開ABS逐漸回縮的前邊緣908。該石茲才及902基本原理上不同于上 面參照?qǐng)D6描述的磁結(jié)構(gòu)。圖6的結(jié)構(gòu)602具有以較大角度逐漸離開ABS 的翼606,其如上所述導(dǎo)致寬區(qū)域道擦除。
^磁極902具有漸變的、淺的楔形。前邊纟彖908優(yōu)選相對(duì)于ABS形成不 大于約10度的角9。這允許磁通407在被逐漸(不是突然地)阻止的同時(shí)橫 向傳導(dǎo)進(jìn)入翼，從而防止泄漏到ABS。
盡管描述了各種實(shí)施例，但應(yīng)理解它們僅是以舉例的方式給出而不是限 制。落在本發(fā)明范圍內(nèi)的其它實(shí)施例對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員也會(huì)是顯而易見的。 因此，本發(fā)明的廣度和范圍不應(yīng)被任何上述示例性實(shí)施例限制，而應(yīng)僅才艮據(jù) 權(quán)利要求及其等價(jià)物限定。
權(quán)利要求
1. 一種磁寫頭，包括磁寫極，具有朝向氣墊面設(shè)置的末端；磁返回極，該磁返回極還包括喉區(qū)域，具有相對(duì)窄的寬度；所述氣墊面和所述喉區(qū)域之間的翼結(jié)構(gòu)，該翼結(jié)構(gòu)包括內(nèi)翼和外翼，所述內(nèi)翼具有位于所述氣墊面處的前邊緣，所述外翼具有從所述氣墊面后退的前邊緣。
2. 如權(quán)利要求1所述的磁寫頭，其中所述外翼的所述前邊緣平行于所 述氣塾面。
3. 如權(quán)利要求1所述的磁寫頭，其中所述外翼的所述前邊緣相對(duì)于所 述氣墊面形成不大于IO度的角。
4. 如權(quán)利要求1所述的^f茲寫頭，其中所述外翼的所述前邊緣形成楔形 的凹口 。
5. 如權(quán)利要求1所述的磁寫頭，其中所述外翼的所述前邊緣形成方形 凹口，所述方形凹口具有與所述氣墊面成直角的邊緣。
6. 如權(quán)利要求1所述的磁寫頭，其中所述外翼的前邊緣從所述氣墊面 凹進(jìn)至少0.1 (im的距離。
7. 如權(quán)利要求1所述的磁寫頭，其中所述外翼的前邊緣從所述氣墊面 凹進(jìn)0.75(im的距離。
8. 如權(quán)利要求1所述的磁寫頭，其中所述外翼具有至少2pm的長度。
9. 如權(quán)利要求1所述的石茲寫頭，其中所述》茲返回極具有縱向中心線， 且其中所述內(nèi)翼從所述中心線延伸至5.5 (im的距離。
10. —種用于垂直/f茲數(shù)據(jù)記錄的^i寫頭，包括磁寫極，具有朝向氣墊面設(shè)置的末端并具有前導(dǎo)邊緣和拖尾邊緣； 第一磁返回極，具有朝向所述氣墊面設(shè)置的末端，所述第一^茲返回極相對(duì)于所述寫極處于前導(dǎo)方向；尾磁屏蔽件，形成在所述氣墊面處且通過非磁尾間隙與所述寫極的前導(dǎo)邊緣分隔開；尾磁返回極，具有朝向所述氣墊面設(shè)置的末端并與所述尾磁屏蔽件磁連接，所述尾磁返回極、第一磁返回極和磁寫極在離開所述氣墊面的一區(qū)域中開始彼此磁連接；以及非磁且導(dǎo)電的寫線圏，圍繞所述,茲寫極布置從而在電流流經(jīng)所述寫線圏 時(shí)在所述,茲寫極中感應(yīng)》茲通；所述尾》茲返回極還包括喉部分，靠近所述氣墊面設(shè)置但離開所述氣墊面； 第一和第二內(nèi)翼部分，從所述喉部分橫向向外延伸，且每個(gè)具有延伸到所述氣墊面的前邊緣；以及第一和第二外翼部分，每個(gè)從所述第一和第二內(nèi)翼部分之一的末端橫向向外延伸，所述第一和第二外翼部分的每個(gè)具有從所述氣墊面凹進(jìn)的前邊緣。
11. 如權(quán)利要求10所述的磁寫頭，其中所述第一和第二外翼部分的每 個(gè)的所述前邊緣平行于所述氣墊面。
12. 如權(quán)利要求10所述的磁寫頭，其中所述第一和第二外翼部分的每 個(gè)的所述前邊緣相對(duì)于所述氣墊面形成0到10度的角。
13. 如權(quán)利要求10所述的磁寫頭，其中所述第一和第二外翼部分的每 個(gè)的所述前邊緣形成楔形的凹口 。
14. 如權(quán)利要求10所述的磁寫頭，其中所述第一和第二外翼部分的每 個(gè)的所述前邊緣形成方形凹口 ，所述方形凹口具有與所述氣墊面成直角的邊 緣。
15. 如權(quán)利要求10所述的磁寫頭，其中所述第一和第二外翼部分的每 個(gè)的所述前邊緣/人所述氣墊面凹進(jìn)至少0.1 pm的距離。
16. 如權(quán)利要求10所述的磁寫頭，其中所述第一和第二外翼部分的每 個(gè)的所述前邊》彖乂人所述氣墊面凹進(jìn)0.75jum的距離。
17. 如權(quán)利要求10所述的磁寫頭，其中所述第一和第二外翼部分的每 個(gè)具有至少2)im的長度。
18. 如權(quán)利要求10所述的磁寫頭，其中所述尾磁返回極具有縱向中心 線，且其中所述第一和第二內(nèi)翼部分的每個(gè)從所述中心線延伸至5.5 pm的 距離。
19. 一種石茲數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)，包括 外殼；安裝在所述外殼內(nèi)的石茲盤； 安裝在所述外殼內(nèi)的致動(dòng)器；滑塊，與所述致動(dòng)器連接以用于與所述^t盤的表面相鄰地移動(dòng)； 磁寫頭，形成在所述滑塊上，所述磁寫頭進(jìn)一步包括磁寫極，具有朝向氣墊面設(shè)置的末端；石茲返回極，該-茲返回極進(jìn)一步包括 喉區(qū)域，具有相對(duì)窄的寬度；在所述氣墊面和所述喉區(qū)域之間的翼結(jié)構(gòu)，該翼結(jié)構(gòu)包括內(nèi)翼 和外翼，所述內(nèi)翼具有位于所述氣墊面處的前邊緣，所述外翼具有 從所述氣墊面后退的前邊緣。
20. 如權(quán)利要求19所述的磁數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)，其中所述外翼的所述前邊 緣平行于所述氣墊面。
21. 如權(quán)利要求19所述的磁數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)，其中所述外翼的所述前邊 緣相對(duì)于所述氣墊面形成不大于IO度的角。
22. 如權(quán)利要求19所述的磁數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)，還包括起始于所述內(nèi)翼和 外翼的連接處的凹口 。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有新穎尾返回極以減小寬區(qū)域道擦除的垂直磁寫頭。具有磁返回極的磁寫頭配置為防止寬區(qū)域道擦除。該磁返回極具有喉區(qū)域和形成在氣墊面附近的內(nèi)翼和外翼部分，該喉區(qū)域具有相對(duì)窄的寬度。所述內(nèi)翼部分具有位于所述氣墊面處的前邊緣，所述外翼部分具有從所述氣墊面后退的前邊緣。
文檔編號(hào)G11B5/31GK101521017SQ200910006790
公開日2009年9月2日 申請(qǐng)日期2009年2月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月29日
發(fā)明者林炯釗, 羅彥生, 蕭文千 申請(qǐng)人:日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司