專利名稱：存儲器裝置及將數(shù)據(jù)存儲于存儲器裝置上的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施例涉及存儲器裝置，且更明確地說，在一個或一個以上實施例中涉 及快閃存儲器裝置。
背景技術(shù)：
快閃存儲器裝置為非易失性存儲器裝置，其以不需要電力來維持其中所存儲信息 的方式將信息存儲于半導(dǎo)體上?？扉W存儲器裝置由于其高存儲密度及低成本而已被廣泛用 作大容量存儲裝置。參考圖1，常規(guī)NAND快閃存儲器裝置布置為多個存儲器塊。多個存儲器塊10包含 第一到第N存儲器塊100。存儲器塊100中的每一者包含通常布置為矩陣形式的多個存儲 器單元。圖2A圖解說明存儲器塊100。所圖解說明的存儲器塊100包含第一到第m位線 BLO到BLm及第一到第η字線WLO到WLn。在一些布置中，m可為32，767或65，535，且η可 為32或64。位線BLO到BLm沿列方向彼此平行延伸。字線Wi)到WLn沿垂直于所述列方 向的行方向彼此平行延伸。存儲器塊100還包含用于選擇存儲器塊100中的一個或一個以 上位線的上部及下部位線選擇晶體管120a、120b。每一位線包含存儲器單元110串。舉例來說，第二位線BLl包含串聯(lián)連接的存儲 器單元110。存儲器單元110中的每一者包含浮動?xùn)艠O晶體管。位線的浮動?xùn)艠O晶體管從 源極到漏極彼此串聯(lián)耦合。共同行的存儲器單元110的浮動?xùn)艠O晶體管的控制柵極耦合到 相同字線。存儲器單元110中的每一者存儲電荷(或無電荷)。所存儲電荷的量可用于表 示(例如)可表示一個或一個以上數(shù)據(jù)數(shù)字(例如，位)的一種或一種以上狀態(tài)。存儲于 浮動?xùn)艠O晶體管中的電荷設(shè)定所述浮動?xùn)艠O晶體管的閾值電壓。存儲器單元110可以是單 電平單元(SLC)或多電平單元(MLC)。在一個布置中，可通過感測流過存儲器單元110的浮 動?xùn)艠O晶體管的電流來檢測存儲于存儲器單元110中的電荷的量。在另一布置中，可通過 感測存儲器單元110的浮動?xùn)艠O晶體管的閾值電壓值來檢測存儲于存儲器單元110中的電 荷的量。圖2B圖解說明第二位線BLl中的存儲器單元110的浮動?xùn)艠O晶體管的橫截面。 所述浮動?xùn)艠O晶體管形成于襯底201上。所述浮動?xùn)艠O晶體管中的每一者包含源極區(qū)域 210(其可以是相同位線的相鄰晶體管的漏極區(qū)域)、漏極區(qū)域212(其可以是相同位線的相 鄰晶體管的源極區(qū)域)、經(jīng)摻雜溝道區(qū)域214、第一電介質(zhì)216 (例如，隧道氧化物)、浮動?xùn)?極218、第二電介質(zhì)220(例如，柵極氧化物，其中所述隧道及柵極氧化物可由相同或不同材 料形成)及控制柵極222。第一電介質(zhì)216形成于溝道區(qū)域214上以使浮動?xùn)艠O218與溝 道區(qū)域214絕緣。第二電介質(zhì)220使浮動?xùn)艠O218與控制柵極222物理及電分離?？刂茤?極222耦合到適當(dāng)字線，例如，字線WLl。電子可被捕獲于浮動?xùn)艠O218上且可用于存儲數(shù) 據(jù)。現(xiàn)在參考圖2C，將描述將數(shù)據(jù)寫入于存儲器塊上的常規(guī)方法。圖2C示意性地圖解說明圖2A的存儲器塊100，且僅展示存儲器單元110、位線BLO到BLm及字線Wi)到WLn。 然而，應(yīng)了解，存儲器塊100可包含如先前結(jié)合圖2A及2B所描述的其它組件。在寫入操作期間，通常將數(shù)據(jù)寫入于耦合到單個字線的一組存儲器單元上?？蓪?此一組存儲器單元稱為“頁”。在一個布置中，頁可包含共享字線的所有存儲器單元。在其 它布置中，可由耦合到單個字線的每兩個存儲器單元形成頁。在某些布置中，可由耦合到單 個字線的每四個存儲器單元形成頁。應(yīng)了解，可由耦合到字線的任何適合的選定數(shù)目的存 儲器單元形成頁。


根據(jù)具體實施方式
且根據(jù)意在圖解說明而非限定所述實施例的附圖，將更好地了 解所述實施例，且圖式中圖1是包含多個存儲器塊的常規(guī)NAND快閃存儲器裝置的示意圖；圖2A是常規(guī)NAND快閃存儲器裝置的存儲器塊的示意圖；圖2B是圖2A的存儲器塊的示意性橫截面；圖2C是圖解說明將數(shù)據(jù)存儲于NAND快閃存儲器裝置的塊上的常規(guī)方法的示意 圖；圖3A是圖解說明單電平存儲器單元的示范性閾值電平的圖示；圖;3B是圖解說明可導(dǎo)致存儲器單元的錯誤的示范性數(shù)據(jù)模式的示意圖；圖4A是圖解說明多電平存儲器單元的示范性閾值電平的圖示；圖4B到圖4D是圖解說明可導(dǎo)致存儲器單元的錯誤的另一示范性數(shù)據(jù)模式的示意 圖；圖5是包含根據(jù)一個實施例的數(shù)據(jù)隨機化器的NAND快閃存儲器裝置的示意性框 圖；圖6A是圖5的數(shù)據(jù)隨機化器的一個實施例的示意性框圖；且圖6B圖解說明圖6A的數(shù)據(jù)隨機化器的操作。
具體實施例方式隨著快閃存儲器裝置的幾何形狀的減小，所述存儲器裝置中的單元之間的距離也 減小。在此快閃存儲器裝置中，存儲于相鄰存儲器單元中的電荷可導(dǎo)致存儲器單元之間的 干擾。舉例來說，耦合可發(fā)生于相鄰存儲器單元的浮動?xùn)艠O之間，在本文檔的上下文中可將 此耦合稱為浮動?xùn)艠O耦合。某些重復(fù)數(shù)據(jù)模式可在相鄰存儲器單元之間產(chǎn)生比隨機數(shù)據(jù)模式更嚴(yán)重的浮動 柵極耦合。現(xiàn)在將結(jié)合圖3A及圖;3B來描述存儲于單電平單元(SLC)快閃存儲器裝置中的 重復(fù)數(shù)據(jù)模式的實例。如圖3A中所展示，單電平單元快閃存儲器裝置將兩種狀態(tài)中的一者存儲于每一 存儲器單元中以表示數(shù)據(jù)位。舉例來說，數(shù)據(jù)位“0”由低于參考電壓Vk的第一閾值電壓Vtl 表示，且數(shù)據(jù)位“1”由高于參考電壓Vk的第二閾值電壓Vt2表示。存儲器塊的所有存儲器 單元具有所述兩種狀態(tài)中的一者，例如，表示處于經(jīng)擦除狀態(tài)中的數(shù)據(jù)位“ 1 ”。當(dāng)將數(shù)據(jù)位 寫入于存儲器塊的存儲器單元上時，存儲器單元的閾值電壓保持不變或改變，借此取決于數(shù)據(jù)位的值而具有第一或第二閾值電壓Vtl或Vt2。當(dāng)從存儲器單元中讀取數(shù)據(jù)位時，確定 存儲器單元的閾值電壓是高于還是低于參考電壓\。圖;3B圖解說明用于單電平單元快閃存儲器裝置的重復(fù)數(shù)據(jù)模式的實例。圓圈表 示存儲器單元，且圓圈中的數(shù)字指示存儲于存儲器單元中的數(shù)據(jù)位的值。存儲器單元布置 為矩陣形式?！靶小钡拇鎯ζ鲉卧獮轳詈系酱嫒【€(例如，字線Wi)到WLn)的那些存儲器單 元，且“列”的存儲器單元為耦合到數(shù)據(jù)線(例如，位線BLO到BLm)的那些存儲器單元。圖:3B中所展示的數(shù)據(jù)模式沿字線方向與位線方向兩者具有0、1、0、1、0.....1的
重復(fù)模式?？蓪⒋藬?shù)據(jù)模式稱為棋盤模式?？蓪⑵灞P模式寫入于存儲器塊的至少一部分上。 具有棋盤模式的數(shù)據(jù)的存儲器單元更可能經(jīng)受浮動?xùn)艠O耦合。舉例來說，存儲器單元Cll存儲數(shù)據(jù)數(shù)字“0”，同時與存儲器單元Cll相鄰的存儲 器單元COl、C12、C21、ClO存儲數(shù)據(jù)數(shù)字“1”。存儲于相鄰存儲器單元COl、C12、C21、ClO 中的電荷可與存儲于存儲器單元Cll中的電荷耦合。由于所有相鄰存儲器單元C01、C12、 C21、ClO具有彼此相同但與存儲于存儲器單元Cl 1中的電荷不同的電荷，因此相鄰存儲器 單元C01、C12、C21、ClO可以協(xié)同方式影響存儲器單元Cll的閾值電壓，借此改變存儲于存 儲器單元Cll中的數(shù)據(jù)位。因此，存儲器單元在將棋盤模式寫入于其上時比在將隨機模式 寫入于其上時更可能失敗。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，存在可導(dǎo)致存儲器單元之間的此 干擾的各種其它數(shù)據(jù)模式。參考圖4A到圖4D，下文將描述多電平單元(MLC)快閃存儲器裝置中的重復(fù)數(shù)據(jù) 模式的實例。如圖4A中所展示，所圖解說明的多電平單元(MLC)快閃存儲器裝置將四種數(shù) 據(jù)狀態(tài)中的一者存儲于每一存儲器單元中以表示兩個位Kb115舉例來說，位“11”由低于最 低參考電壓Vki的第一閾值電壓Vtl表示。數(shù)據(jù)位“10”由高于最低參考電壓Vki且低于中間 參考電壓Vk2的第二閾值電壓Vt2表示。數(shù)據(jù)位“00”由高于中間參考電壓Vk2且低于最高參 考電壓Vk3的第三閾值電壓Vt3表示。數(shù)據(jù)位“01”由高于最高參考電壓Vk3的第四閾值電壓 Vt4表示。當(dāng)將兩個數(shù)據(jù)位寫入于存儲器單元上時，取決于數(shù)據(jù)位的值而將存儲器單元的閾 值電壓編程為具有四個閾值電壓Vtl到Vt4中的一者。當(dāng)從存儲器單元中讀取數(shù)據(jù)時，可參 考參考電壓Vki到Vk3來確定存儲器單元的閾值電壓。在圖4A中，兩個位“11”、“10”、“00” 及“01”可分別表示數(shù)字0、1、2、3。圖4B到圖4D圖解說明寫入用于多電平單元(MLC)快閃存儲器裝置的示范性重復(fù) 數(shù)據(jù)模式的過程。圓圈表示存儲器單元，且圓圈中的數(shù)字指示存儲于存儲器單元中的數(shù)據(jù) 數(shù)字(圖4A中，由兩個位Ivb1表示0、1、2或3中的一者)。存儲器單元布置為矩陣形式。 一行存儲器單元為耦合到字線Wi)到WLn的那些存儲器單元，且一列存儲器單元為耦合到 位線BLO到BLm的那些存儲器單元。在所圖解說明的實例中，逐頁寫入數(shù)據(jù)模式，其中每一頁包含字線上的每隔一個 存儲器單元。如圖4B中所展示，可將包含1、1、1、…、1模式的頁寫入于位于偶數(shù)編號位線 BL0、BL2、…及第一字線Wi)處的存儲器單元COO、C20、…上。可將包含相同1、1、1、…、 1模式的另一頁寫入于位于奇數(shù)編號位線BL1、BL3、…、BLm及第一字線mi)處的存儲器單 元C10、C30、…、CmO上。如圖4C中所展示，以相同方式，還可將包含相同模式的頁寫入于 直接在第一字線Wi)上方的第二字線WLl上的存儲器單元上。在此實例中，將數(shù)據(jù)數(shù)字“1”寫入于存儲器單元C20上，且接著隨后將相同數(shù)據(jù)數(shù)
6字寫入于相鄰存儲器單元C10、Cl 1、C21、C31及C30上。在此實例中，存儲器單元C20可經(jīng) 歷來自相鄰存儲器單元(10、(11、021、031及030的干擾(例如，浮動?xùn)艠O耦合)。彼此具 有相同數(shù)據(jù)數(shù)字的相鄰存儲器單元CIO、ClU C21、C31及C30可以協(xié)同方式影響存儲器單 元C20的閾值電壓，從而導(dǎo)致存儲于存儲器單元C20中的數(shù)據(jù)數(shù)字的錯誤。以此方式，圖4D 中所展示的1的重復(fù)模式可導(dǎo)致存儲于所述存儲器單元中的數(shù)據(jù)數(shù)字的錯誤。在存儲器塊 中的一些相鄰存儲器單元中具有相同數(shù)據(jù)數(shù)字的此數(shù)據(jù)模式可稱為整體模式。除上文所描述的數(shù)據(jù)模式以外，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，存在可導(dǎo)致存儲器 單元之間的干擾的各種其它重復(fù)數(shù)據(jù)模式，所述干擾可導(dǎo)致存儲于存儲器單元中的數(shù)據(jù)數(shù) 字的錯誤。在某些實例中，當(dāng)(例如)測試存儲器裝置時，可有意地將此等重復(fù)數(shù)據(jù)模式提 供到存儲器單元。因此，需要一種用以減少或消除此數(shù)據(jù)模式相依干擾的方案。在一個實施例中，NAND快閃存儲器裝置包含存儲器塊，存儲器塊包含多個字線、多 個位線及位于字線與位線的交叉處的多個存儲器單元?？梢佬?qū)⒋龑懭胗诖鎯ζ鲏K中的存 儲器單元中的至少一些存儲器單元上的數(shù)據(jù)(本文中稱為“原始”數(shù)據(jù))提供到NAND快閃 存儲器裝置。使用數(shù)據(jù)隨機化器改變所述原始數(shù)據(jù)以使得存儲于所述存儲器塊中的所述數(shù) 據(jù)的模式是不同的。將經(jīng)改變數(shù)據(jù)存儲于存儲器塊中。將關(guān)于所述數(shù)據(jù)的改變的信息存儲 于NAND快閃存儲器裝置中，且當(dāng)從存儲器塊中讀取數(shù)據(jù)時使用所述信息。參考圖5，下文將描述包含數(shù)據(jù)隨機化器的NAND快閃存儲器的一個實施例。所圖 解說明的NAND快閃存儲器500包含存儲器塊510、位線解碼器520、字線解碼器530、數(shù)據(jù)隨 機化器540及用于隨機化信息的存儲裝置550。雖然未圖解說明，但NAND快閃存儲器500 可包含其它存儲器塊及用于其操作的其它組件。存儲器塊510包含布置為矩陣形式的多個存儲器單元。存儲器塊510還包含字線 及位線。存儲器單元、字線及位線的細(xì)節(jié)可如上文結(jié)合圖2A到圖2C所描述的一樣。在一 個實施例中，存儲器單元可以是單電平單元(SLC)。在其它實施例中，存儲器單元可以是多 電平單元(MLC)。位線解碼器520經(jīng)配置以根據(jù)由外部裝置(未展示)提供的地址來選擇位線。外 部裝置可以是需要將數(shù)據(jù)存儲于NAND快閃存儲器裝置中的任何類型的電子裝置。位線解 碼器520接收來自外部裝置的地址及來自數(shù)據(jù)隨機化器MO的經(jīng)改變數(shù)據(jù)。位線解碼器 520根據(jù)地址將經(jīng)改變數(shù)據(jù)提供到存儲器塊。字線解碼器530經(jīng)配置以根據(jù)由外部裝置提供的地址來選擇字線。字線解碼器 530接收來自外部裝置的地址且根據(jù)所述地址來選擇字線。數(shù)據(jù)隨機化器540經(jīng)配置以在寫入操作期間將原始數(shù)據(jù)改變?yōu)榻?jīng)改變數(shù)據(jù)以使 得所述數(shù)據(jù)以不同于原始數(shù)據(jù)原本以其存儲的模式的模式被存儲，且在讀取操作期間將經(jīng) 改變數(shù)據(jù)恢復(fù)為原始數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)隨機化器540在寫入操作期間接收來自外部裝置的原始數(shù) 據(jù)及存儲器單元的地址。數(shù)據(jù)隨機化器540以隨機方式或以偽隨機方式將原始數(shù)據(jù)改變?yōu)?經(jīng)改變數(shù)據(jù)，且存儲與寫入操作期間存儲裝置550的改變(后文稱“隨機化信息”)相關(guān)聯(lián) 的信息。在某些實施例中，數(shù)據(jù)隨機化器540可使用先前存儲于存儲裝置550中的信息來 改變數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)隨機化器540在讀取操作期間接收來自外部裝置的存儲器單元的地址及來 自存儲器塊510的經(jīng)改變數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)隨機化器540在讀取操作期間使用隨機化信息來將經(jīng)改變數(shù)據(jù)恢復(fù)為原始數(shù)據(jù)。用于隨機化信息的存儲裝置550用于存儲針對存儲于存儲器塊510中的數(shù)據(jù)的隨 機化信息。在一個實施例中，存儲裝置550可以是NAND快閃存儲器裝置500或其部分中的 其它存儲器塊中的一者或一者以上。在其它實施例中，存儲裝置550可以是NAND快閃存儲 器裝置500中的一個或一個以上可重寫非易失性存儲器。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，各 種類型的存儲裝置可用于存儲裝置陽0。參考圖5及圖6A，下文將詳細(xì)描述圖5的數(shù)據(jù)隨機化器的一個實施例。所圖解說 明的圖6A的數(shù)據(jù)隨機化器600包含偽隨機位(PRB)產(chǎn)生器610、第一 XOR門620及第二 M)R 門630。在所圖解說明的實施例中，僅展示用于處理數(shù)據(jù)的一對M)R門620、630。然而，所 屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，數(shù)據(jù)隨機化器600可包含更多對的M)R門。在其中將數(shù)據(jù)作為 字節(jié)(即，8個位)同時提供的一個實施例中，數(shù)據(jù)隨機化器600可包含用于8個位中的每 一者的一對XOR門(即，8對XOR門)。在寫入操作期間，偽隨機位產(chǎn)生器610接收指示其中待存儲數(shù)據(jù)的存儲器單元的 地址，且針對所述地址中的每一者產(chǎn)生隨機位。偽隨機位產(chǎn)生器610對其輸出具有確定性， 即，偽隨機位產(chǎn)生器610針對所述地址中的每一者產(chǎn)生“0”或“1”的唯一輸出。舉例來說， 每當(dāng)偽隨機位產(chǎn)生器610接收特定地址“X”時，其總產(chǎn)生“1”。同樣，每當(dāng)偽隨機位產(chǎn)生器 610接收另一特定地址“y”時，其總產(chǎn)生“0”。將數(shù)據(jù)連同唯一地址一起提供到NAND快閃存儲器裝置500。因此，每一唯一地址 在通過偽隨機位產(chǎn)生器610時產(chǎn)生“0”或“1”的唯一值。如下文將描述，此唯一值可用于 改變原始數(shù)據(jù)。偽隨機位產(chǎn)生器610將隨機位提供到第一 M)R門620的輸入中的一者。偽隨機位 產(chǎn)生器610還將隨機位存儲于存儲裝置550中(圖5)。在讀取操作期間，偽隨機位產(chǎn)生器610接收指示待自其讀取數(shù)據(jù)的存儲器單元的 地址，且針對所述地址中的每一者從存儲裝置550檢索隨機位。偽隨機位產(chǎn)生器610將隨 機位提供到第二 M)R門630的輸入中的一者。在寫入操作期間，第一 M)R門620接收來自偽隨機位產(chǎn)生器610的隨機位及待寫 入于存儲器塊510(圖幻中的存儲器單元上的原始數(shù)據(jù)DW。存儲器單元由偽隨機位產(chǎn)生器 610已接收的地址指示。第一 M)R門620對隨機位及數(shù)據(jù)DW執(zhí)行XOR運算，且提供所得輸 出DIN作為待實際上寫入于存儲器塊510中的存儲器單元上的經(jīng)改變數(shù)據(jù)。在使用多電平 單元快閃存儲器裝置的某些實施例中，可進(jìn)一步處理所得輸出DIN以使得將兩個數(shù)據(jù)位存 儲于單個存儲器單元中。在讀取操作期間，第二 M)R門630接收來自偽隨機位產(chǎn)生器610的隨機位及從存 儲器塊510中的存儲器單元讀取的經(jīng)改變數(shù)據(jù)D0UT。存儲器單元由偽隨機位產(chǎn)生器610已 接收的地址指示。第二 XOR門630對數(shù)據(jù)DOUT及隨機位執(zhí)行XOR運算，且提供所得輸出DR 作為待實際上讀出到外部裝置(未展示)的原始數(shù)據(jù)。雖然未圖解說明，但所得輸出DIN在被寫入于存儲器塊510上之前可臨時地存儲 于緩存器(未展示)中。同樣，從存儲器塊510讀取的數(shù)據(jù)DOUT在其從存儲器塊510被讀 取之后可存儲于緩存器中，且可隨后被提供到數(shù)據(jù)隨機化器600。參考圖5、圖6A及圖6B，下文將描述圖6A的數(shù)據(jù)隨機化器600的操作。在寫入操作期間，可將地址序列從外部裝置提供到NAND快閃存儲器裝置500。舉例來說，在圖6B中， 所述地址順次為指示字線上的存儲器單元的0000、0001、0010、0011、0100、. . . .、xxxx。還將原始數(shù)據(jù)從所述外部裝置提供到NAND快閃存儲器裝置500。待寫入于由地址 所指示的存儲器單元上的數(shù)據(jù)位DW可具有重復(fù)模式。舉例來說，所述數(shù)據(jù)位可順次為(例 如)1、1、1、1、1.....1。偽隨機位產(chǎn)生器610所產(chǎn)生的隨機位RB可順次為(例如)0、1、1、
0 > 0 > · · · > 1 ο第一 M)R門620對數(shù)據(jù)DW及隨機位RB執(zhí)行XOR運算(參見下表1)。表 權(quán)利要求
1.一種存儲器裝置，其包括 存儲器塊，其包含多個存儲器單元；及數(shù)據(jù)隨機化器，其經(jīng)配置以隨機地或偽隨機地將待存儲于所述存儲器塊中的原始數(shù)據(jù) 改變?yōu)榻?jīng)改變數(shù)據(jù)，其中改變所述原始數(shù)據(jù)以使得數(shù)據(jù)模式在存儲于所述存儲器塊中時不同于假如所述 原始數(shù)據(jù)已在寫入操作期間被存儲于所述存儲器塊中其將原本會有的模式。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述數(shù)據(jù)隨機化器進(jìn)一步經(jīng)配置以在讀取操作期 間將所述經(jīng)改變數(shù)據(jù)恢復(fù)為所述原始數(shù)據(jù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述數(shù)據(jù)隨機化器包括隨機位產(chǎn)生器，所述隨機 位產(chǎn)生器經(jīng)配置以接收指示所述存儲器單元中的至少一些存儲器單元的地址，且針對所述 地址中的相應(yīng)一者產(chǎn)生隨機位。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述數(shù)據(jù)隨機化器進(jìn)一步包括第一邏輯門，所述 第一邏輯門經(jīng)配置以對針對所述地址中的一者所產(chǎn)生的隨機位及待在所述寫入操作期間 存儲于所述地址中的所述一者所指示的存儲器單元中的所述原始數(shù)據(jù)執(zhí)行XOR運算。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述數(shù)據(jù)隨機化器進(jìn)一步包括第二邏輯門，所述 第二邏輯門經(jīng)配置以對針對所述地址中的一者所產(chǎn)生的隨機位及在所述讀取操作期間從 所述地址中的所述一者所指示的存儲器單元中讀取的所述經(jīng)改變數(shù)據(jù)執(zhí)行XOR運算。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其進(jìn)一步包括用于存儲關(guān)于所述數(shù)據(jù)的所述改變的信 息的存儲裝置。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中所述信息包括針對所述地址所產(chǎn)生的所述隨機位。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其進(jìn)一步包括另一存儲器塊，其中所述存儲裝置為所 述另一存儲器塊。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其進(jìn)一步包括只讀存儲器(ROM)，其中所述存儲裝置為 所述ROM。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述數(shù)據(jù)隨機化器經(jīng)配置以在擦除操作期間被停用。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述存儲器單元為單電平單元(SLC)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述存儲器單元為多電平單元(MLC)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述存儲器裝置包括NAND或NOR快閃存儲器裝置。
14.一種設(shè)備，其包括存儲器塊，其包含多個存儲器單元；及數(shù)據(jù)隨機化器，其經(jīng)配置以接收表示第一模式中的第一組數(shù)字的原始數(shù)據(jù)，且隨機地 或偽隨機地改變所述原始數(shù)據(jù)所表示的所述數(shù)字中的一些數(shù)字但并非所有數(shù)字，借此在寫 入操作期間產(chǎn)生表示不同于所述第一模式的第二模式中的第二組數(shù)字的經(jīng)改變數(shù)據(jù)， 其中所述設(shè)備經(jīng)配置以將所述經(jīng)改變數(shù)據(jù)存儲于所述存儲器塊中。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的設(shè)備，其中所述數(shù)據(jù)隨機化器進(jìn)一步經(jīng)配置以在讀取操作 期間將所述經(jīng)改變數(shù)據(jù)恢復(fù)為所述原始數(shù)據(jù)。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的設(shè)備，其中所述數(shù)據(jù)隨機化器進(jìn)一步經(jīng)配置以接收指示所 述第一組數(shù)字待存儲于其上的所述存儲器單元中的至少一些存儲器單元的地址。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中所述數(shù)據(jù)隨機化器進(jìn)一步經(jīng)配置以針對所述地 址中的相應(yīng)一者產(chǎn)生隨機位，其中所述數(shù)據(jù)隨機化器進(jìn)一步經(jīng)配置以對針對所述地址中的 一者所產(chǎn)生的隨機位及所述原始數(shù)據(jù)所表示的所述數(shù)字中的相應(yīng)一者執(zhí)行XOR運算，且其 中所述數(shù)字中的所述相應(yīng)一者將在所述寫入操作期間被存儲于所述地址中的所述一者所 指示的存儲器單元中。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的設(shè)備，其中所述設(shè)備包括固態(tài)存儲器裝置。
19.一種操作存儲器裝置的方法，所述方法包括 接收原始數(shù)據(jù)；將所述原始數(shù)據(jù)隨機地或偽隨機地改變?yōu)榻?jīng)改變數(shù)據(jù)；及存儲所述經(jīng)改變數(shù)據(jù)，其中改變所述原始數(shù)據(jù)以使得數(shù)據(jù)模式在存儲于所述存儲器塊 中時不同于假如所述原始數(shù)據(jù)已被存儲于所述存儲器塊中其將原本會有的模式。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中改變所述原始數(shù)據(jù)包括 接收指示所述存儲器單元中的至少一些存儲器單元的地址；及 針對所述地址中的相應(yīng)一者產(chǎn)生隨機位。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中改變所述數(shù)據(jù)進(jìn)一步包括對針對所述地址中的 一者所產(chǎn)生的隨機位及待存儲于所述地址中的所述一者所指示的存儲器單元中的數(shù)據(jù)執(zhí) 行XOR運算，借此產(chǎn)生所述經(jīng)改變數(shù)據(jù)。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其進(jìn)一步包括在存儲所述經(jīng)改變數(shù)據(jù)之后 從所述地址中的所述一者所指示的所述存儲器單元中讀取所述經(jīng)改變數(shù)據(jù)； 對針對所述地址中的所述一者所產(chǎn)生的所述隨機位及從所述存儲器單元中讀取的所述經(jīng)改變數(shù)據(jù)執(zhí)行XOR運算，借此恢復(fù)所述原始數(shù)據(jù)；及 輸出所述經(jīng)恢復(fù)的原始數(shù)據(jù)。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其進(jìn)一步包括將關(guān)于所述改變的信息存儲于存儲裝置中。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中所述信息包括針對所述地址所產(chǎn)生的所述隨機位。
25.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其進(jìn)一步包括在擦除操作期間停用所述改變。
全文摘要
本發(fā)明揭示多種設(shè)備及方法，例如那些涉及快閃存儲器裝置的設(shè)備及方法。一種此類設(shè)備包含存儲器塊(510)，其包含多個存儲器單元；及數(shù)據(jù)隨機化器(540)，其經(jīng)配置以隨機地或偽隨機地將待存儲于所述存儲器塊(510)中的原始數(shù)據(jù)改變?yōu)榻?jīng)改變數(shù)據(jù)。改變所述原始數(shù)據(jù)以使得數(shù)據(jù)模式在存儲于所述存儲器塊(510)中時不同于假如所述原始數(shù)據(jù)已在寫入操作期間被存儲于所述存儲器塊(510)中其將原本會有的模式。此配置可減少或消除存儲于存儲器單元中的數(shù)據(jù)數(shù)字的數(shù)據(jù)模式相依錯誤。
文檔編號G11C16/08GK102119425SQ200980131347
公開日2011年7月6日 申請日期2009年7月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月12日
發(fā)明者保羅·魯比, 尼爾·米爾克 申請人:美光科技公司