專利名稱：一種電子產(chǎn)品中eMMC的上電電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于電子產(chǎn)品的電路領(lǐng)域，具體是指一種是電子產(chǎn)品中eMMC的上電電路。背景技術(shù)：
eMMC (Embedded MultiMediaCard)為MMC協(xié)會(huì)所訂立的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。eMMC的一個(gè)明顯優(yōu)勢(shì)是在封裝中集成了一個(gè)控制器，它提供標(biāo)準(zhǔn)接口并管理閃存，使得廠商能專注于產(chǎn)品開發(fā)的其他部分，并縮短向市場(chǎng)推出產(chǎn)品的時(shí)間。Nand Flash內(nèi)存是Flash內(nèi)存的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand Flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤、平板電腦等。但由于Nand Flash芯片的不同品牌包括三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、海力士(Hynix)或美光(Micron)等，而且 Nand Flash 制程技術(shù)更新?lián)Q代快，平均每年都會(huì)推陳出新，所以在使用時(shí)都需要根據(jù)每家公司的產(chǎn)品和技術(shù)特性來重新設(shè)計(jì)。這對(duì)于需要快速推出產(chǎn)品的消費(fèi)類電子來說，無疑是浪費(fèi)了時(shí)間，延誤了開發(fā)周期。因此，像eMMC這種把所有存儲(chǔ)器和管理Nand Flash的控制芯片都包在一顆MCP上的概念，逐漸風(fēng)行起來。舊設(shè)計(jì)的eMMC沒有專門的復(fù)位信號(hào)，芯片的復(fù)位是通過上電后，軟件寫入Reset指令來實(shí)現(xiàn)的。該技術(shù)在存儲(chǔ)設(shè)備燒寫程序后需要重啟的情況下，或是數(shù)碼產(chǎn)品快速上下電的情況下，會(huì)出現(xiàn)上電不完全，或是電荷泄放不完全的情況，影響到電子產(chǎn)品的正常使用。新設(shè)計(jì)的eMMC設(shè)計(jì)中已經(jīng)增加了專門的復(fù)位信號(hào)。但是現(xiàn)在市面上新舊兩種設(shè)計(jì)的eMMC都還在流通，這對(duì)電子產(chǎn)品的物料替換產(chǎn)生了很大的困難，有可能出現(xiàn)上一批產(chǎn)品正常，第二批產(chǎn)品不正常的問題。有鑒于此，本發(fā)明人針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷深入研究，并有本案產(chǎn)生。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種電子產(chǎn)品中eMMC的上電電路，使得eMMC Flash得到可靠的復(fù)位上電，并且在系統(tǒng)下電后快速放電，提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。本發(fā)明采用以下技術(shù)方案解決上述技術(shù)問題一種是電子產(chǎn)品中eMMC的上電電路，包括電源控制電路和放電電路兩部分；其中電源控制電路包括電阻R1、電阻R2、電阻R5，三極管Q3、PMOS管Q1、電容C344 ;其中電阻R5 —端連接到SYS_RESET，另一端連接到三極管Q3的基極，三極管Q3的發(fā)射極接地，三極管Q3的集電極連接電阻R2，電阻R2的另一端分別連接電阻Rl、PMOS管Ql的柵極、電容C344、放電電路中的NMOS管Q2的柵級(jí)；PM0S管Ql的漏極分別連接電阻R1、電容C344、以及VCC30 ；PM0S管Ql的源極連接放電電路的電阻R3、以及VCC_FLASH ；其中放電電路包括電阻R3和NMOS管Q2 ;電阻R3 —端連接VCC_FLASH，另一端連接NMOS管Q2的漏極，NMOS管Q2的源極接地；其中三極管Q3型號(hào)為3904，PMOS管Ql型號(hào)為WPM2341，NMOS管Q2的型號(hào)為WNM2016 ；其中電容C344型號(hào)為C0603。所述電阻R1、R2、R3、R5的型號(hào)均為R0603。所述三極管Q3、PMOS管Ql、NMOS管Q2的封裝尺寸為S0T23。所述電容C344容量為0. IuF0本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于本發(fā)明使得eMMC的上電復(fù)位可控，并且讓eMMC能在快速上下電的情況下，泄放內(nèi)部電荷，保證它的上電可靠，提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性，解決了量產(chǎn)中遇到的物料替換問題。

下面參照附圖結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。圖I是本發(fā)明電路結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式如圖I所示，一種是電子產(chǎn)品中eMMC的上電電路，包括電源控制電路和放電電路兩部分；其中電源控制電路包括電阻Rl (阻值100K)、電阻R2 (阻值10K)、電阻R5 (阻值10K)，三極管Q3、PM0S管Q1、電容C344 (容量0. IuF);其中電阻R5—端連接到SYS_RESET，另一端連接到三極管Q3的基極，三極管Q3的發(fā)射極接地，三極管Q3的集電極連接電阻R2，電阻R2的另一端分別連接電阻RUPMOS管Ql的柵極、電容C344、放電電路中的NMOS管Q2的柵級(jí)；PM0S管Ql的漏極分別連接電阻R1、電容C344、以及VCC30 ；PM0S管Ql的源極連接放電電路的電阻R3、以及VCC_FLASH ；其中放電電路包括電阻R3(阻值33R)和NMOS管Q2 ；電阻R3 —端連接VCC_FLASH，另一端連接NMOS管Q2的漏極，NMOS管Q2的源極接地；其中三極管Q3型號(hào)為3904，PMOS管Ql型號(hào)為WPM2341，NMOS管Q2的型號(hào)為WNM2016 ；其中電容C344型號(hào)為C0603。所述電阻Rl、R2、R3、R5的型號(hào)均為R0603。電阻R5的阻值只要能保證三極管Q3完全導(dǎo)通時(shí)的基極電流就行了，一般常用4. 7K-47K的電阻；電阻R3的阻值可以在100R以內(nèi)，阻值越小放電越快；電阻Rl、R2的阻值可變，但要保證在三極管Q3導(dǎo)通時(shí)，電阻Rl兩端的電壓要大于PMOS管Ql的導(dǎo)通闕值電壓，即Vgs>2. 5V。又因?yàn)閂gs越大，匪OS管Q2導(dǎo)通電阻電阻越小，損耗也越小，且考慮到功耗，所以電阻Rl可以在10K-100K選取，電阻R2對(duì)應(yīng)在1K-10K選取 所述三極管Q3、PMOS管Ql、NMOS管Q2的封裝尺寸為S0T23。電源控制電路由PMOS管Ql控制電源電路導(dǎo)通，由電阻R5、三極管Q3產(chǎn)生控制信號(hào)，由電阻Rl、R2分壓電路設(shè)置控制PMOS管Ql導(dǎo)通的Vgs電平。放電電路NMOS管Q2控制電荷放電電路導(dǎo)通，電阻R3做為放電電路的負(fù)載電阻。
在系統(tǒng)上電前，SYS_RESET引腳為低電平，三極管Q3截止，此時(shí)PMOS管Ql的柵極因?yàn)殡娮鑂l的上拉所以為高電平，PMOS管Ql的Vgs=Ov,所以PMOS管Ql截止，eMMC不上電。又因?yàn)榇藭r(shí)NMOS管Q2的柵極為高電平，Vgs=3V，所以NMOS管Q2導(dǎo)通，通過電阻Rl組成放電回路，泄放eMMC內(nèi)部電荷。當(dāng)電路上電并開始穩(wěn)定工作時(shí)，SYS_RESET輸出高電平，控制三極管Q3導(dǎo)通，電阻RU R2 形成分壓，PMOS 管 Ql 的 Vgs=-3V，所以 PMOS 管 Ql 導(dǎo)通，VCC_FLASH=VCC30, NMOS 管Q2的柵極為低電平，Vgs=O. 3V，NMOS管Q2截止，eMMC開始上電。采用本發(fā)明的方案后，eMMC Flash可以得到可靠的復(fù)位上電，并且能在系統(tǒng)下電后快速放電，提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性，解決了量產(chǎn)中遇到的物料替換問題。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施用例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圖。凡 在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換以及改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種是電子產(chǎn)品中e麗C的上電電路，其特征在于包括電源控制電路和放電電路兩部分； 其中電源控制電路包括電阻R1、電阻R2、電阻R5，三極管Q3、PM0S管Ql、電容C344 ;其中電阻R5 —端連接到SYS_RESET，另一端連接到三極管Q3的基極，三極管Q3的發(fā)射極接地，三極管Q3的集電極連接電阻R2，電阻R2的另一端分別連接電阻RUPMOS管Ql的柵極、電容C344、放電電路中的NMOS管Q2的柵級(jí)；PM0S管Ql的漏極分別連接電阻R1、電容C344、以及VCC30 ；PM0S管Ql的源極連接放電電路的電阻R3、以及VCC_FLASH ； 其中放電電路包括電阻R3和NMOS管Q2 ;電阻R3 —端連接VCC_FLASH，另一端連接NMOS管Q2的漏極，NMOS管Q2的源極接地； 其中三極管Q3型號(hào)為3904，PMOS管Ql型號(hào)為WPM2341，NM0S管Q2的型號(hào)為WNM2016 ； 其中電容C344型號(hào)為C0603。
2.如權(quán)利要求I所述的一種是電子產(chǎn)品中eMMC的上電電路，其特征在于所述電阻R1、R2、R3、R5 的型號(hào)均為 R0603。
3.如權(quán)利要求I所述的一種是電子產(chǎn)品中eMMC的上電電路，其特征在于所述三極管Q3、PM0S管Q1、NM0S管Q2的封裝尺寸為S0T23。
4.如權(quán)利要求I所述的一種是電子產(chǎn)品中eMMC的上電電路，其特征在于所述電容C344 容量為 O. IuF0
全文摘要
一種是電子產(chǎn)品中eMMC的上電電路，包括電源控制電路和放電電路兩部分；其中電源控制電路包括電阻R1、電阻R2、電阻R5，三極管Q3、PMOS管Q1、電容C344；其中放電電路包括電阻R3和NMOS管Q2；其中電阻R5一端連接到SYS_RESET，另一端連接到三極管Q3的基極，三極管Q3的發(fā)射極接地，三極管Q3的集電極連接電阻R2，電阻R2的另一端分別連接電阻R1、PMOS管Q1的柵極、電容C344、放電電路中的NMOS管Q2的柵級(jí)。本發(fā)明使得eMMC Flash得到可靠的復(fù)位上電，并且在系統(tǒng)下電后快速放電，提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
文檔編號(hào)G11C16/20GK102969023SQ20121045778
公開日2013年3月13日 申請(qǐng)日期2012年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月14日
發(fā)明者林旭 申請(qǐng)人:福州瑞芯微電子有限公司