光學(xué)校準(zhǔn)盤的制作方法
【專利摘要】一種用于光學(xué)校準(zhǔn)盤的系統(tǒng)和方法包括在襯底的一部分上分配抗蝕劑層。襯底的表面和模板的預(yù)定對(duì)象的形貌圖案化表面接觸到一起，其中接觸使得襯底部分和模板之間的抗蝕劑層與形貌圖案化表面共形，并且抗蝕劑層包括納米尺度孔隙。納米尺度孔隙通過更長的擴(kuò)散時(shí)間、更薄的抗蝕劑以及通過使用去渣步驟對(duì)殘留抗蝕劑層連同孔隙的去除而減少。抗蝕劑層被硬化成形貌圖案化表面的負(fù)像，其中所述負(fù)像包括可用于被光學(xué)讀取器單獨(dú)測(cè)量的表面。襯底和模板被分離，其中抗蝕劑層附著于襯底的表面。
【專利說明】光學(xué)校準(zhǔn)盤
[0001] 本申請(qǐng)要求由Kurataka等人于2011年12月5日提交的美國專利申請(qǐng) No. 13/311，302的權(quán)益和優(yōu)先權(quán)，前述專利申請(qǐng)被轉(zhuǎn)讓給同一受讓人。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例總地涉及包括位規(guī)則介質(zhì)技術(shù)的校準(zhǔn)設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0003] 在磁記錄介質(zhì)中，信息被寫至記錄介質(zhì)和從記錄介質(zhì)被讀取。例如,盤驅(qū)動(dòng)器可包 括一個(gè)或多個(gè)硬盤，它們可在多個(gè)生產(chǎn)線上制造。
[0004] 硬盤是包括建立在襯底上的多個(gè)層的裝置。例如，可在襯底之上建立籽晶層?；?層可建立在籽晶層之上。垂直磁記錄島是可建立在基層內(nèi)和籽晶層上的記錄區(qū)域。
[0005] 光學(xué)檢查工具被用于介質(zhì)制造。例如，光學(xué)識(shí)別和測(cè)量工具可監(jiān)視硬盤制造的工 藝和缺陷控制。光學(xué)檢查工具在每個(gè)工藝步驟之后光學(xué)地檢查表面，例如硬盤的表面。然 而，在監(jiān)視硬盤制造之前，光學(xué)檢查工具可能需要被可靠地和準(zhǔn)確地校準(zhǔn)。
[0006] 附圖簡述
[0007] 本發(fā)明的各實(shí)施例在各附圖中是作為示例而非作為限制而示出的。
[0008] 圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的校準(zhǔn)盤的一部分的制造的簡化橫截面圖。
[0009] 圖2是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例在模板已與抗蝕劑滴形成接觸之后校準(zhǔn)盤的一部分 的制造的簡化橫截面圖。
[0010] 圖3是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例在抗蝕劑層已固化之后校準(zhǔn)盤的一部分的制造的簡 化橫截面圖。
[0011] 圖4是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例在去除工藝之后校準(zhǔn)盤的一部分的制造的簡化橫截 面圖。
[0012] 圖5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的包括保護(hù)覆層的校準(zhǔn)盤的一部分的制造的簡化橫 截面圖。
[0013] 圖6是包括孔隙圖案的校準(zhǔn)盤的表面的放大部分的簡化示圖。
[0014] 圖7是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的抗蝕劑凸起圖案的一部分的簡化示圖。
[0015] 圖8是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的校準(zhǔn)盤的表面的簡化示圖。
[0016] 圖9是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的校準(zhǔn)盤和光學(xué)測(cè)量設(shè)備的簡化橫截面圖。
[0017] 圖10示出根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例形成校準(zhǔn)盤的工藝的流程圖。
[0018] 圖11示出根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例形成校準(zhǔn)工具的工藝的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0019] 現(xiàn)在將詳細(xì)參照實(shí)施例，在附圖中示出了這些實(shí)施例的示例。盡管這些實(shí)施例將 結(jié)合附圖予以描述，然而要理解，這些附圖不旨在對(duì)實(shí)施例構(gòu)成限制。相反，這些實(shí)施例旨 在覆蓋多種替代、修正和等效物。此外，在以下詳細(xì)描述中，闡述了許多具體細(xì)節(jié)以提供透 徹的理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，沒有這些具體細(xì)節(jié)也可實(shí)現(xiàn)這些實(shí)施例。在其 它實(shí)例中，并未對(duì)公知方法、程序、組件以及電路進(jìn)行詳細(xì)描述以免不必要地使實(shí)施例的一 些方面變得模糊。
[0020] 為了說明目的，術(shù)語"水平"在本文中用來表示與襯底的平面或表面平行的平面， 而不管其取向如何。術(shù)語"垂直"指與如剛才定義的水平垂直的方向。諸如"上"、"下"、"底"、 "頂"、"側(cè)"、"較高"、"較低"、"高于"、"之上"和"之下"的術(shù)語是相對(duì)于水平平面指示的。
[0021] 本發(fā)明的實(shí)施例提供用于校準(zhǔn)光學(xué)測(cè)量設(shè)備的方法和系統(tǒng)，所述光學(xué)測(cè)量設(shè)備例 如是在記錄介質(zhì)制造中使用的坎德拉（Candela)工具。然而，本發(fā)明的實(shí)施例可應(yīng)用于需 要校準(zhǔn)的任何光學(xué)檢查工具。在一個(gè)實(shí)施例中，可使用位規(guī)則介質(zhì)（BPM)制造技術(shù)和壓印 光刻來產(chǎn)生校準(zhǔn)裝置，例如校準(zhǔn)盤。BPM校準(zhǔn)盤可用來校準(zhǔn)許多坎德拉工具。例如，坎德拉 工具可光學(xué)地讀出已知的預(yù)定可預(yù)測(cè)圖案，該圖案形成在BPM校準(zhǔn)盤上。讀出的結(jié)果則被 用來校準(zhǔn)坎德拉設(shè)備。
[0022] 圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的校準(zhǔn)盤100的一部分的制造的簡化橫截面圖。校準(zhǔn) 盤100包括襯底102。在一實(shí)施例中，襯底102可以是例如鋁或玻璃盤、Si晶片或其它晶片 材料（例如包括20mm孔的65mm直徑的玻璃盤）。模板104被定位在襯底102之上。該模 板104包括預(yù)定圖案106。在一些實(shí)施例中，預(yù)定圖案106包括多種尺寸的孔帶108。
[0023] 抗蝕劑滴110可沉積在襯底102上，例如通過滴落和分配方法來沉積。在一些實(shí)施 例中，抗蝕劑滴110可沉積以大約4-6pL的液滴體積并且在液滴之間具有大約100-500 μ m 的間距。與襯底102和模板104 -起，抗蝕劑滴110基于滴落和分配UV固化納米壓印光刻 (見下文）被用于圖案化步驟。
[0024] 圖2是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例在進(jìn)一步加工之后校準(zhǔn)盤100的一部分的制造的簡化 橫截面圖。模板104已與抗蝕劑滴110 (圖1)形成接觸。模板104使抗蝕劑滴110 (圖1) 擴(kuò)散，由此形成抗蝕劑層212。在壓印擴(kuò)散時(shí)間（其被定義為當(dāng)模板開始接觸抗蝕劑層和當(dāng) 施加 UV照射以固化抗蝕劑層之間的時(shí)間），抗蝕劑層212跨模板104和襯底102擴(kuò)散。抗 蝕劑層212填滿孔帶108,由此形成抗蝕劑圖案214。在一個(gè)實(shí)施例中，抗蝕劑圖案214是 預(yù)定圖案106 (圖1)的負(fù)像。
[0025] 在一些實(shí)施例中，在擴(kuò)散后，一系列孔隙216(例如納米尺度孔隙）在抗蝕劑滴110 之間的邊界被形成在抗蝕劑層212內(nèi)。例如，孔隙216的尺寸可以是大約50-5000nm，并因 此可形成被陷入的氣泡，這是由于抗蝕劑層212和襯底102對(duì)氣體分子的不完全吸收造成 的。要理解，為了減少孔隙216的數(shù)目和尺寸并增加孔隙216的消除，可超過傳統(tǒng)擴(kuò)散時(shí)間 地顯著增加壓印擴(kuò)散時(shí)間并可使用顯著更薄的抗蝕劑。
[0026] 例如，在UV光照射之前，壓印擴(kuò)散時(shí)間可增加至大約2-10分鐘。另外，抗蝕劑層 212可具有大約10nm的等效厚度，例如抗蝕劑層212的平均厚度。另外，該工藝可使抗蝕 劑圖案214具有相比抗蝕劑凸起320(見圖3)非常薄的（例如小于10nm)殘留抗蝕劑層 318 (見圖3)。由此，由于增加的擴(kuò)散時(shí)間和非常薄的殘留抗蝕劑層318,孔隙216顯著減少 和/或被消除。
[0027] 圖3是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例在進(jìn)一步加工之后校準(zhǔn)盤100的一部分的制造的簡化 橫截面圖。抗蝕劑層212(圖2)已例如通過UV光照射被加固（例如固化），并已硬化和凝 固成剛性抗蝕劑層322。剛性抗蝕劑層322包括非常薄的殘留抗蝕劑層318、孔隙216和抗 蝕劑凸起320。模板104(圖2)已與剛性抗蝕劑層322和襯底102分離，留下包括附連至襯 底102的抗蝕劑圖案214的剛性抗蝕劑層322。
[0028] 圖4是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例在進(jìn)一步加工之后校準(zhǔn)盤100的一部分的制造的簡化 橫截面圖。去除工藝（例如基于蝕刻的去渣）可去除非常薄的殘留抗蝕劑層318和孔隙 216。由此，襯底102和抗蝕劑凸起320保留下來。在一實(shí)施例中，抗蝕劑凸起320絕大多 數(shù)不受去除工藝影響。由此，抗蝕劑凸起320的預(yù)定可預(yù)測(cè)圖案可基本上沒有孔隙216。
[0029] 例如，可使用基于02反應(yīng)離子蝕刻的去渣步驟以去除非常薄的殘留抗蝕劑層318。 結(jié)果，非常薄的殘留抗蝕劑層318內(nèi)的孔隙216也被去除。在一些實(shí)施例中，抗蝕劑凸起 320稀疏地間隔并遠(yuǎn)比非常薄的殘留抗蝕劑層318更厚。因此，抗蝕劑凸起320可僅受到基 于〇 2反應(yīng)離子蝕刻的去渣步驟的輕微影響。
[0030] 在一些實(shí)施例中，非常薄的殘留抗蝕劑層318可能是不均一的。例如，非常薄的殘 留抗蝕劑層318可跨襯底102具有在大約l-20nm之間變動(dòng)的厚度。因此，通過去除非常薄 的殘留抗蝕劑層318內(nèi)的不均勻部，該去除工藝可在抗蝕劑凸起320之間形成均一的層。
[0031] 圖5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例在進(jìn)一步加工之后校準(zhǔn)盤100的一部分的制造的簡化 橫截面圖。在一些實(shí)施例中，保護(hù)性覆蓋層524可被沉積在襯底102和抗蝕劑凸起320上。 例如，大約5nm厚的保護(hù)性碳覆蓋層可被濺射沉積到襯底和抗蝕劑凸起320上。
[0032] 圖6是包括孔隙642的圖案640的校準(zhǔn)盤638的表面的放大部分636的簡化示圖。 如前所述，當(dāng)抗蝕劑滴在壓印過程中一起擴(kuò)散時(shí)，孔隙642可形成在抗蝕劑滴的邊界?？紫?642由此在校準(zhǔn)盤638的表面上形成圖案640,有時(shí)被稱為"魚網(wǎng)"圖案。在一些實(shí)施例中， 圖案640可與光學(xué)測(cè)量設(shè)備900的校準(zhǔn)形成干擾（見圖9)。由此，用于減少和或去除孔隙 642的前述工藝也可能導(dǎo)致圖案640的去除。
[0033] 圖7是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的電抗蝕劑凸起圖案700的一部分的簡化示圖。在一 個(gè)實(shí)施例中，稀疏間隔的凸起746的排744可被布置在校準(zhǔn)盤800 (見圖8)上。凸起746 可通過凸起746之間的已知間隔748以已知圖案配置。另外，凸起746的尺寸可以是已知 的，并可形成基本連續(xù)的預(yù)定可預(yù)測(cè)圖案。
[0034] 例如，凸起746的第一組750可包括八排lOOOnm凸起，其具有100 μ m的凸起至凸 起間隔。凸起746的第二組752可包括五排700nm凸起，其具有100 μ m的凸起至凸起間 隔。凸起746的第三組754可包括五排400nm凸起，其具有100 μ m的凸起至凸起間隔。凸 起746的第四組756可包括五排200nm凸起，其具有100 μ m的凸起至凸起間隔。另外，在 第三組754和第四組756之間可以存在150 μ m的間隔。凸起746的第五組758可包括五 排80nm凸起，其具有100 μ m的凸起至凸起間隔。凸起746的第六組760可包括八排50nm 凸起，其具有100 μ m的凸起至凸起間隔。
[0035] 在各實(shí)施例中，任何數(shù)量的已知組、凸起和/或排可被使用并由任何已知的間隔 尺寸隔開，由此在校準(zhǔn)盤上形成已知的圖案。光學(xué)測(cè)量設(shè)備可測(cè)量該已知圖案并將這些測(cè) 量值與已知值比較。結(jié)果，可校準(zhǔn)光學(xué)測(cè)量設(shè)備以正確地測(cè)量已知圖案。此外，單個(gè)校準(zhǔn)盤 上的不同尺寸的凸起的組減少了校準(zhǔn)光學(xué)測(cè)量設(shè)備所需的時(shí)間。
[0036] 例如，在襯底的一部分上包括第一凸起（例如第一組750)的第一預(yù)定可預(yù)測(cè)圖案 以及在同一襯底的不同部分上的第二抗蝕劑層凸起（例如第二組752)的第二預(yù)定可預(yù)測(cè) 圖案可用于被例如光學(xué)測(cè)量設(shè)備（見圖9)的記錄表面光學(xué)讀取器測(cè)量。此外，第一和第二 預(yù)定可預(yù)測(cè)圖案在它們相應(yīng)的凸起之間可包括基本連續(xù)的區(qū)域。例如，凸起可具有100 μ m 凸起至凸起間隔、組之間的100 μ m間隔或組之間的150 μ m間隔。
[0037] 圖8是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的校準(zhǔn)盤800表面的簡化示圖。在一實(shí)施例中，凸起 746 (圖7)的組和排可跨校準(zhǔn)盤800以已知半徑布置。因此，第一組750可以處于校準(zhǔn)盤 800的內(nèi)半徑上。第二組752可處于相對(duì)于第一組750的外半徑上。第三組754可以處于 相對(duì)于第二組752的外半徑上。第四組756可以處于相對(duì)于第三組754的外半徑上。第五 組758可以處于相對(duì)于第四組756的外半徑上。第六組760可以處于相對(duì)于第五組758的 外半徑上。在各實(shí)施例中，任何數(shù)量的組可跨校準(zhǔn)盤800以任何已知配置定位。
[0038] 圖9是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的校準(zhǔn)盤100和光學(xué)測(cè)量設(shè)備900的簡化橫截面圖。 在一實(shí)施例中，光學(xué)測(cè)量設(shè)備900可以是記錄表面光學(xué)讀取器，例如坎德拉工具，其光學(xué)地 讀出校準(zhǔn)盤100上的抗蝕劑圖案214。例如，坎德拉工具可將多個(gè)（例如一個(gè)、兩個(gè)、三個(gè) 等）激光束引導(dǎo)到盤表面上，并且多個(gè)檢測(cè)器進(jìn)行數(shù)次信號(hào)讀出。由此，校準(zhǔn)盤100可用來 將分散的通道靈敏性校準(zhǔn)至不同的"微粒"尺寸。
[0039] 由于抗蝕劑圖案214在光學(xué)測(cè)量設(shè)備900對(duì)校準(zhǔn)盤100成像之前就是已知的，因 此可將由光學(xué)測(cè)量設(shè)備900獲得的讀出結(jié)果與抗蝕劑圖案214進(jìn)行比較。然后可對(duì)光學(xué)測(cè) 量設(shè)備900作出調(diào)整以供校準(zhǔn)。在一些實(shí)施例中，來自多個(gè)坎德拉工具的讀出結(jié)果可用來 相對(duì)彼此地校準(zhǔn)坎德拉工具。
[0040] 圖10示出根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例形成校準(zhǔn)盤的示例性工藝的流程圖1000。在方 框1002,抗蝕劑層被分布在襯底的一部分上。在一些實(shí)施例中，分布抗蝕劑層包括滴落分配 抗蝕劑層。例如，在圖1中，抗蝕劑滴可沉積在襯底上，例如通過滴落和分配方法?？砂凑?大約4-6pL的液滴體積并且在液滴之間具有大約100-500 μ m的間隔來沉積抗蝕劑滴。
[0041] 在圖10的方框1004中，襯底的表面和模板的預(yù)定可預(yù)測(cè)對(duì)象的形貌圖案化表面 彼此接觸，其中接觸使得襯底部分和模板之間的抗蝕劑層與形貌圖案化的表面共形，并且 其中，抗蝕劑層包括納米尺度孔隙。例如，在圖2中，模板已與抗蝕劑滴形成接觸。模板使 抗蝕劑滴擴(kuò)散，由此形成抗蝕劑層?？刮g劑層在模板和襯底上擴(kuò)散，填滿孔帶并形成抗蝕劑 圖案。在擴(kuò)散后，一系列孔隙（例如納米尺度孔隙）在抗蝕劑滴之間的邊界被形成在抗蝕 劑層內(nèi)?？紫兜某叽缈梢允谴蠹s100-300nm，并因此可形成陷入其中的氣泡，這是由于抗蝕 劑層和襯底對(duì)氣體分子的不完全吸收造成的。
[0042] 在一些實(shí)施例中，抗蝕劑層包括殘留抗蝕劑層，而殘留抗蝕劑層包括納米尺度孔 隙。例如，在圖3中，剛性抗蝕劑層包括非常薄的殘留抗蝕劑層、孔隙和抗蝕劑凸起。在又 一些實(shí)施例中，工藝可包括去除殘留抗蝕劑層。例如，在圖4中，例如基于蝕刻的去渣的去 除工藝可去除非常薄的殘留抗蝕劑層和孔隙。
[0043] 在圖10的方框1006中，納米尺度的孔隙被減少。在一些實(shí)施例中，所述減少包括 基本去除納米尺度的孔隙。例如，在圖2中，可增加壓印擴(kuò)散時(shí)間。在另一例子中，在圖4 中，去除工藝可去除非常薄的殘留抗蝕劑層和孔隙。
[0044] 在各實(shí)施例中，所述減少包括基于反應(yīng)離子蝕刻的去渣操作。例如，在圖4中，例 如基于蝕刻的去渣的去除工藝可去除非常薄的殘留抗蝕劑層和孔隙。由此，襯底和抗蝕劑 凸起保留下來。抗蝕劑凸起絕大多數(shù)不受去除工藝影響。
[0045] 在又一些實(shí)施例中，所述減少包括等待一段壓印擴(kuò)散時(shí)間以在加固抗蝕劑層之前 基本上去除納米尺度孔隙。例如，在圖2中，可相比傳統(tǒng)擴(kuò)散時(shí)間顯著地增加壓印擴(kuò)散時(shí) 間。例如，在UV光照射之前，壓印擴(kuò)散時(shí)間可增加至大約2-10分鐘。
[0046] 在圖10的方框1008中，抗蝕劑層被硬化成形貌圖案化表面的負(fù)像，其中負(fù)像包括 可用于被光學(xué)讀取器單獨(dú)測(cè)量的表面。在一些實(shí)施例中，所述加固包括用UV光照射來固化 抗蝕劑層。例如，在圖3中，抗蝕劑層已例如通過UV光照射被固化，并已凝固成剛性抗蝕劑 層。此外，在圖9中，光學(xué)測(cè)量設(shè)備可以是坎德拉設(shè)備，它光學(xué)地讀取在校準(zhǔn)盤上的抗蝕劑 圖案。
[0047] 在圖10的方框1010中，襯底和模板被分離，其中抗蝕劑層附著于襯底的表面。例 如，在圖3中，模板已從剛性抗蝕劑層和襯底分離，由此留下包括附著于襯底的抗蝕劑圖案 的剛性抗蝕劑層。在又一些實(shí)施例中，保護(hù)性覆蓋層被沉積在抗蝕劑層上。例如，在圖5中， 保護(hù)性覆蓋層可被沉積在襯底和抗蝕劑凸起上。例如，大約5nm厚的保護(hù)性碳覆蓋層可被 濺射沉積在襯底和抗蝕劑凸起上。
[0048] 圖11示出根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例形成校準(zhǔn)工具的示例性工藝的流程圖1100。在 方框1102,多個(gè)抗蝕劑滴被分配到襯底的一部分上。在一些實(shí)施例中，分配包括滴落分配抗 蝕劑滴。例如，在圖1中，抗蝕劑滴可沉積在襯底上，例如通過滴落和分配方法。可按照大 約4-6pL的液滴體積并且在液滴之間具有大約100-500 μ m的間隔來沉積抗蝕劑滴。
[0049] 在圖11的方框1104中，模板的預(yù)定可預(yù)測(cè)對(duì)象的形貌圖案化表面被擠壓到多個(gè) 抗蝕劑滴上，其中所述擠壓使得多個(gè)抗蝕劑滴形成包括多個(gè)抗蝕劑凸起和殘留抗蝕劑層的 抗蝕劑層，并且其中所述擠壓使得抗蝕劑層與形貌圖案化表面共形。例如，在圖2中，模板 已與抗蝕劑滴形成接觸。模板使抗蝕劑滴擴(kuò)散，由此形成抗蝕劑層?？刮g劑層在模板和襯 底上擴(kuò)散，填滿孔帶并形成抗蝕劑圖案。
[0050] 在各實(shí)施例中，殘留抗蝕劑層小于10nm厚。例如，在圖2中，抗蝕劑層可以是大約 10nm等效厚度，例如抗蝕劑層的平均厚度。另外，抗蝕劑圖案相比抗蝕劑凸起（圖3)可具 有非常?。ɡ缧∮趌〇nm)的殘留抗蝕劑層（圖3)。
[0051] 在一些實(shí)施例中，抗蝕劑凸起的尺寸為大約50nm至大約lOOOnm。例如，在圖7中， 第一組凸起可包括八排l〇〇〇nm凸起。第二組凸起可包括五排700nm凸起。第三組凸起可 包括五排400nm凸起。第四組凸起可包括五排200nm凸起。第五組凸起可包括五排80nm 凸起。第六組凸起可包括八排50nm凸起。
[0052] 在圖11的方框1106中，多個(gè)納米尺度孔隙被形成在抗蝕劑層內(nèi)。例如，在圖2中， 在擴(kuò)散后，一系列孔隙（例如納米尺度孔隙）在抗蝕劑滴之間的邊界被形成在抗蝕劑層內(nèi)。 孔隙的尺寸可以是大約100_300nm，并因此可形成陷入其中的氣泡，這是由于抗蝕劑層和襯 底對(duì)氣體分子的不完全吸收造成的。
[0053] 在圖11的方框1008中，等待一段抗蝕劑擴(kuò)散時(shí)間，其中所述等待基本去除了多個(gè) 納米尺度孔隙。在各實(shí)施例中，抗蝕劑擴(kuò)散時(shí)間可以在2分鐘和10分鐘長度之間。例如， 在圖2中，可相比傳統(tǒng)擴(kuò)散時(shí)間顯著地增加壓印擴(kuò)散時(shí)間。例如，在UV光照射之前，壓印擴(kuò) 散時(shí)間可增加至大約2-10分鐘。由此，由于增加的擴(kuò)散時(shí)間，孔隙顯著地減少和/或被消 除。
[0054] 在如11的方框1110中，抗蝕劑層被硬化成形貌圖案化表面的負(fù)像。在一些實(shí)施 例中，硬化包括使用光照射來凝固抗蝕劑層。例如，在圖3中，抗蝕劑層已例如通過UV光照 射被固化，并已凝固成剛性抗蝕劑層。抗蝕劑圖案可以是預(yù)定圖案（圖1)的負(fù)像。
[0055] 在圖11的方框1112中，殘留抗蝕劑層被去除，其中所述去除進(jìn)一步基本去除了多 個(gè)納米尺度孔隙。在又一些實(shí)施例中，所述去除包括基于〇 2反應(yīng)離子蝕刻的去渣操作。例 如，在圖4中，例如基于蝕刻的去渣的去除工藝可去除非常薄的殘留抗蝕劑層和孔隙。由 此，襯底和抗蝕劑凸起保留下來。抗蝕劑凸起絕大多數(shù)不受去除工藝影響。
[0056] 進(jìn)一步的實(shí)施例，碳覆蓋層的保護(hù)層被沉積到負(fù)像之上。例如，在圖5中，保護(hù)性 覆蓋層可被沉積在襯底和抗蝕劑凸起上。例如，大約5nm厚的保護(hù)性碳覆蓋層可被濺射沉 積在襯底和抗蝕劑凸起上。
[0057] 根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，抗蝕劑層被分配在襯底的一部分上。所述襯底的表面和模板的 預(yù)定對(duì)象的形貌圖案化表面接觸在一起。在一個(gè)實(shí)施例中，所述接觸使所述襯底的所述部 分和所述模板之間的所述抗蝕劑層順應(yīng)所述形貌圖案化表面。在一個(gè)實(shí)施例中，所述抗蝕 劑層包括納米尺度孔隙。在一個(gè)離子中，所述納米尺度孔隙減小。抗蝕劑層被加固成所述形 貌圖案化表面的負(fù)像，其中所述負(fù)像包括可用于被光學(xué)讀取器單獨(dú)測(cè)量的多個(gè)表面。根據(jù) 一個(gè)實(shí)施例，所述襯底和所述模板被分離，其中所述抗蝕劑層附著于所述襯底的所述表面。
[0058] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述抗蝕劑層包括殘留抗蝕劑層，而所述殘留抗蝕劑層包括所 述納米尺度孔隙。在一個(gè)示例中，所述殘留抗蝕劑層被去除。
[0059] 要理解，在一個(gè)實(shí)施例中，所述減少包括基本去除所述納米尺度孔隙。根據(jù)一個(gè)實(shí) 施例，所述減少包括基于反應(yīng)離子蝕刻的去漁操作。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，所述減少包括 等待一段壓印擴(kuò)散時(shí)間以在所述加固之前基本去除所述納米尺度孔隙。
[0060] 要理解，在一個(gè)實(shí)施例中，所述分配所述抗蝕劑層包括滴落分配所述抗蝕劑層。所 述加固包括用UV光照射來固化所述抗蝕劑層。在一個(gè)實(shí)施例中，保護(hù)性覆蓋層被沉積在抗 蝕劑層上。
[0061] 根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，一種方法包括：在襯底的一部分上分配多個(gè)抗蝕劑滴；將模板 的可預(yù)測(cè)對(duì)象的形貌圖案化表面在所述多個(gè)抗蝕劑滴上進(jìn)行擠壓，其中所述擠壓使得所述 多個(gè)抗蝕劑滴形成包括多個(gè)抗蝕劑凸起和殘留抗蝕劑層的抗蝕劑層，并且所述擠壓使得所 述抗蝕劑層與所述形貌圖案化表面共形；在所述抗蝕劑層內(nèi)形成多個(gè)納米尺度孔隙；等待 一段抗蝕劑擴(kuò)散時(shí)間，其中所述等待基本地去除了所述多個(gè)納米尺度孔隙；將所述抗蝕劑 層硬化成所述形貌圖案化表面的負(fù)像；以及去除所述殘留抗蝕劑層，其中所述去除進(jìn)一步 基本地去除了所述多個(gè)納米尺度孔隙。
[0062] 根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述去除包括基于02反應(yīng)離子蝕刻的去渣操作?？刮g劑凸起的 尺寸是大約50nm至大約lOOOnm，所述分配包括滴落分配所述抗蝕劑滴，并且在一個(gè)實(shí)例中 所述抗蝕劑擴(kuò)散時(shí)間長度在2分鐘和10分鐘之間。在一個(gè)實(shí)施例中，殘留抗蝕劑層小于 10nm 厚。
[0063] 所述硬化包括使用光照射來加固所述抗蝕劑層。該方法可進(jìn)一步包括將碳覆蓋層 的保護(hù)層沉積在所述負(fù)像上。
[0064] 在一個(gè)實(shí)施例中，一種裝置包括：襯底；第一預(yù)定可預(yù)測(cè)圖案，其包括在所述襯底 的一部分上的第一抗蝕劑凸起，其中所述第一預(yù)定可預(yù)測(cè)圖案在所述第一抗蝕劑凸起之間 基本連續(xù)，并且所述第一預(yù)定可預(yù)測(cè)圖案可用于被記錄表面光學(xué)讀取器測(cè)量；以及在所述 第一抗蝕劑凸起和所述襯底上的保護(hù)性覆蓋層。
[0065] 根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，第一預(yù)定可預(yù)測(cè)圖案基本沒有納米孔隙。在一個(gè)實(shí)例中，記錄表 面光學(xué)讀取器是坎德拉工具。
[0066] 在一個(gè)實(shí)施例中，保護(hù)性覆蓋層是碳覆蓋層。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，第一預(yù)定圖案進(jìn)一 步包括在所述第一抗蝕劑凸起之間的區(qū)域；并且所述區(qū)域的厚度是基本連續(xù)的。裝置可包 括在所述襯底的不同部分上的第二抗蝕劑凸起的第二預(yù)定可預(yù)測(cè)圖案，其中所述第二預(yù)定 可預(yù)測(cè)圖案可用于被所述記錄表面光學(xué)讀取器測(cè)量。
[0067] 為解說目的的之前描述已參照特定實(shí)施例進(jìn)行了描述。然而，前面的解說性討論 不旨在窮舉或?qū)⒈景l(fā)明限制為所公開的精確形式。根據(jù)上述示教，許多修改和變化是可能 的。
【權(quán)利要求】
1. 一種方法，包括： 在襯底的一部分上分配抗蝕劑層； 使所述襯底的表面和模板的預(yù)定對(duì)象的形貌圖案化表面接觸在一起，其中 所述接觸使得所述襯底的所述部分和所述模板之間的所述抗蝕劑層與所述形貌圖案 化表面共形，并且 所述抗蝕劑層包括納米尺度孔隙； 減少所述納米尺度孔隙； 將所述抗蝕劑層加固成所述形貌圖案化表面的負(fù)像，其中所述負(fù)像包括能用于被光學(xué) 讀取器單獨(dú)測(cè)量的表面；以及 分離所述襯底和所述模板，其中所述抗蝕劑層附著于所述襯底的所述表面。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于： 所述抗蝕劑層包括殘留抗蝕劑層；以及 所述殘留抗蝕劑層包括所述納米尺度孔隙；以及 所述方法進(jìn)一步包括去除所述殘留抗蝕劑層。
3. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述減少包括基本去除所述納米尺度孔隙。
4. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述減少包括基于反應(yīng)離子蝕刻的去渣操 作。
5. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述減少包括等待一段壓印擴(kuò)散時(shí)間以在 所述加固之前基本去除所述納米尺度孔隙。
6. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述分配所述抗蝕劑層包括滴落分配所述 抗蝕劑層。
7. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述加固包括用UV光照射來固化所述抗蝕 劑層。
8. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括將保護(hù)性覆蓋層沉積到所述抗蝕劑 層上。
9. 一種方法，包括： 在襯底的一部分上分配多個(gè)抗蝕劑滴； 將模板的可預(yù)測(cè)對(duì)象的形貌圖案化表面在所述多個(gè)抗蝕劑滴上擠壓，其中， 所述擠壓使得所述多個(gè)抗蝕劑滴形成包括多個(gè)抗蝕劑凸起和殘留抗蝕劑層的抗蝕劑 層，以及 所述擠壓使得所述抗蝕劑層與所述形貌圖案化表面共形； 在所述抗蝕劑層中形成多個(gè)納米尺度孔隙； 等待一段抗蝕劑擴(kuò)散時(shí)間，其中所述等待基本地去除了所述多個(gè)納米尺度孔隙； 將所述抗蝕劑層硬化成所述形貌圖案化表面的負(fù)像；以及 去除所述殘留抗蝕劑層，其中所述去除進(jìn)一步基本去除所述多個(gè)納米尺度孔隙。
10. 如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述去除包括基于02反應(yīng)離子蝕刻的去渣 操作。
11. 如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于： 所述抗蝕劑凸起的尺寸為大約50nm至大約lOOOnm, 所述分配包括滴落分配所述抗蝕劑滴，以及 所述抗蝕劑擴(kuò)散時(shí)間的長度在2分鐘和10分鐘之間。
12. 如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述殘留抗蝕劑層小于10nm厚。
13. 如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述硬化包括使用光照射來加固所述抗蝕 劑層。
14. 如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，還包括將碳覆蓋層的保護(hù)層沉積在所述負(fù) 像上。
15. -種裝置，包括： 襯底； 第一預(yù)定可預(yù)測(cè)圖案，其包括在所述襯底的一部分上的第一抗蝕劑凸起，其中 所述第一預(yù)定可預(yù)測(cè)圖案在所述第一抗蝕劑凸起之間是基本連續(xù)的，以及 所述第一預(yù)定可預(yù)測(cè)圖案能用于被記錄表面光學(xué)讀取器測(cè)量；以及 在所述第一抗蝕劑凸起和所述襯底上的保護(hù)覆蓋層。
16. 如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，所述第一預(yù)定可預(yù)測(cè)圖案基本沒有納米 孔隙。
17. 如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，所述記錄表面光學(xué)讀取器是坎德拉工具。
18. 如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，所述保護(hù)性覆蓋層是碳覆蓋層。
19. 如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于： 所述第一預(yù)定圖案進(jìn)一步包括在所述第一抗蝕劑凸起之間的區(qū)域；以及 所述區(qū)域的厚度基本是連續(xù)的。
20. 如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于： 還包括在所述襯底的不同部分上的第二抗蝕劑凸起的第二預(yù)定可預(yù)測(cè)圖案， 其中所述第二預(yù)定可預(yù)測(cè)圖案能用于被所述記錄表面光學(xué)讀取器測(cè)量。
【文檔編號(hào)】G11B5/855GK104126202SQ201280068846
【公開日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2012年12月4日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月5日
【發(fā)明者】N·倉高, G·高茲納, Z·于 申請(qǐng)人:希捷科技有限公司