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      建立opc模型的方法、光學(xué)鄰近校準(zhǔn)用戶目標(biāo)圖形的方法

      文檔序號(hào):8298371閱讀:1292來(lái)源:國(guó)知局
      建立opc模型的方法、光學(xué)鄰近校準(zhǔn)用戶目標(biāo)圖形的方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種建立OPC模型的方法、光學(xué)鄰近校準(zhǔn)用戶目標(biāo)圖形的方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002]在半導(dǎo)體制造中,隨著設(shè)計(jì)尺寸的不斷縮小,光的衍射效應(yīng)變得越來(lái)越明顯,它的結(jié)果就是最終對(duì)設(shè)計(jì)圖形產(chǎn)生的光學(xué)影像退化,最終在硅片上經(jīng)過(guò)光刻形成的實(shí)際圖形變得和設(shè)計(jì)圖形不同,這種現(xiàn)象被稱為OPE (Optical Proximity Effect,光學(xué)鄰近效應(yīng))。
      [0003]為了修正OPE 現(xiàn)象,便產(chǎn)生了 OPC (Optical Proximity Correct1n,光學(xué)鄰近效應(yīng)修正)。OPC的核心思想就是基于抵消OPE現(xiàn)象的考慮建立OPC模型,根據(jù)OPC模型設(shè)計(jì)光掩模圖形,這樣雖然光刻后的光刻圖形相對(duì)應(yīng)光掩模圖形發(fā)生了 OPC現(xiàn)象,但是由于在根據(jù)OPC模型設(shè)計(jì)光掩模圖形時(shí)已經(jīng)考慮了對(duì)該現(xiàn)象的抵消,因此,光刻后的光刻圖形接近于用戶實(shí)際希望得到的目標(biāo)圖形。
      [0004]然而,實(shí)際制造過(guò)程中,采用現(xiàn)有OPC模型制造出的圖形質(zhì)量仍然有待提高。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種建立OPC模型的方法、光學(xué)鄰近校準(zhǔn)用戶目標(biāo)圖形的方法,以進(jìn)一步提高圖形質(zhì)量。
      [0006]為解決上述問(wèn)題,本發(fā)明提供一種建立OPC模型的方法,包括:提供具有多個(gè)子圖形的測(cè)試圖形和初始的OPC模型,其中,所述子圖形分為多個(gè)片段,所述初始的OPC模型依據(jù)光學(xué)透鏡系統(tǒng)參數(shù)和光刻參數(shù)建立;依據(jù)所述初始的OPC模型對(duì)所述測(cè)試圖形進(jìn)行模擬,得到所述各片段的空間光強(qiáng)參數(shù);依據(jù)所述各片段的空間光強(qiáng)參數(shù)的分布情況對(duì)各片段進(jìn)行分組;根據(jù)各組內(nèi)對(duì)應(yīng)的片段的空間光強(qiáng)參數(shù),分別建立相對(duì)應(yīng)的子空間模型。
      [0007]可選的,得到所述各片段的空間光強(qiáng)參數(shù)的步驟為:以每個(gè)片段的中點(diǎn)為中心,在垂直圖形邊界的直線上取若干個(gè)圖形內(nèi)外區(qū)域的測(cè)試點(diǎn),以上述各測(cè)試點(diǎn)的光強(qiáng)繪制的空間光強(qiáng)分布曲線;獲取光刻膠曝光參考閾值;尋找光刻膠曝光參考閾值與該片段的空間光強(qiáng)分布曲線的交點(diǎn);以所述交點(diǎn)為中心在第一空間范圍內(nèi)搜尋空間光強(qiáng)分布曲線的最大光強(qiáng)、最小光強(qiáng),以及該交點(diǎn)處對(duì)應(yīng)的斜率。
      [0008]可選的,依據(jù)所述各片段的空間光強(qiáng)參數(shù)的分布情況對(duì)各片段進(jìn)行分組的方法為:選取上述空間光強(qiáng)參數(shù)中的至少兩個(gè)建立坐標(biāo)系,根據(jù)各片段中的空間光強(qiáng)參數(shù)在坐標(biāo)系中的位置分布對(duì)其進(jìn)行分組。
      [0009]可選的,所述子圖形各片段的空間光強(qiáng)分布曲線為最佳聚焦平面的空間光強(qiáng)分布。
      [0010]可選的,根據(jù)各組內(nèi)對(duì)應(yīng)的片段的空間光強(qiáng)參數(shù),分別建立相對(duì)應(yīng)的子空間模型的步驟包括:建立初始的子空間模型;采用所述初始的子空間模型對(duì)與之相對(duì)應(yīng)的組內(nèi)的子圖形的片段進(jìn)行模擬校準(zhǔn);根據(jù)校準(zhǔn)結(jié)果修改所述初始的子空間模型直至模擬得到的子圖形與實(shí)際的子圖形一致。
      [0011]可選的,所述測(cè)試圖形至少包含了與用戶目標(biāo)圖形中的微細(xì)圖形相對(duì)應(yīng)的多個(gè)子圖形。
      [0012]可選的,所述子圖形分為多個(gè)片段,每一個(gè)片段的長(zhǎng)度相等。
      [0013]可選的,所述簡(jiǎn)化的光刻膠模型包括光刻膠曝光參考閾值。
      [0014]相應(yīng)的,本發(fā)明的技術(shù)方案還提供了一種光學(xué)鄰近校準(zhǔn)用戶目標(biāo)圖形的方法,包括:提供用戶目標(biāo)圖形、測(cè)試圖形和采用如上述任一項(xiàng)方法建立的多個(gè)子空間模型,其中,所述測(cè)試圖形至少包括與用戶目標(biāo)圖形的微細(xì)圖形相對(duì)應(yīng)的子圖形,所述子圖形具有與其相對(duì)應(yīng)的子空間模型;逐一獲取與用戶目標(biāo)圖形的微細(xì)圖形相對(duì)應(yīng)的子圖形,并根據(jù)所述子圖形獲取各微細(xì)圖形所對(duì)應(yīng)的子空間模型,將該子空間模型作為對(duì)應(yīng)的微細(xì)圖形光學(xué)鄰近校準(zhǔn)時(shí)的模型。
      [0015]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
      [0016]由于本發(fā)明的實(shí)施例中根據(jù)測(cè)試圖形中的子圖形的各個(gè)片段的空間光強(qiáng)參數(shù)的分布情況,對(duì)各片段進(jìn)行了分組,并分別建立了相對(duì)應(yīng)的子空間模型。即可以針對(duì)測(cè)試圖形中的子圖形的空間光強(qiáng)參數(shù)的不同,分別采用不同的子空間模型對(duì)其進(jìn)行光學(xué)鄰近校準(zhǔn),代替了現(xiàn)有技術(shù)中僅采用一個(gè)OPC模型對(duì)測(cè)試圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近校準(zhǔn)的方式,可以有效提高后續(xù)形成在晶圓上的圖形的質(zhì)量。
      [0017]進(jìn)一步的,通過(guò)逐一獲取與用戶目標(biāo)圖形的微細(xì)圖形相對(duì)應(yīng)的子圖形,并根據(jù)所述子圖形獲取各微細(xì)圖形所對(duì)應(yīng)的子空間模型,將該子空間模型作為對(duì)應(yīng)的微細(xì)圖形光學(xué)鄰近校準(zhǔn)時(shí)的模型。有效縮短了光學(xué)鄰近校準(zhǔn)時(shí)間和制造時(shí)間,并且后續(xù)形成在晶圓上的圖形的質(zhì)量較聞,有效提聞了良率。
      【附圖說(shuō)明】
      [0018]圖1是本發(fā)明實(shí)施例建立OPC模型的方法的流程示意圖;
      [0019]圖2是本發(fā)明實(shí)施例對(duì)測(cè)試圖形中的子圖形進(jìn)行劃分片段的示意圖;
      [0020]圖3是本發(fā)明實(shí)施例中一片段的空間光強(qiáng)分布曲線示意圖;
      [0021]圖4是本發(fā)明實(shí)施例中各片段中的空間光強(qiáng)參數(shù)在坐標(biāo)系中的位置分布示意圖;
      [0022]圖5是本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)鄰近校準(zhǔn)用戶目標(biāo)圖形的方法的流程示意圖;
      [0023]圖6是本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)鄰近校準(zhǔn)用戶目標(biāo)圖形時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0024]正如【背景技術(shù)】所述,采用現(xiàn)有技術(shù)的OPC模型制造出的圖形的質(zhì)量有待提高。
      [0025]經(jīng)過(guò)研究得知,隨著工藝尺寸的進(jìn)一步減小,目標(biāo)圖形的最小線寬也逐漸減小。通常,最小線寬與光學(xué)透鏡系統(tǒng)中的數(shù)值孔徑(Numerical Aperture,NA)大小緊密相關(guān),光學(xué)透鏡系統(tǒng)中的數(shù)值孔徑越大,形成的實(shí)際圖形的最小線寬越小。然而,光學(xué)透鏡系統(tǒng)中的數(shù)值孔徑還與實(shí)際的工藝窗口(Process Window)相關(guān)聯(lián),光學(xué)透鏡系統(tǒng)中的數(shù)值孔徑越大,實(shí)際的工藝窗口則會(huì)減小,小的工藝窗口使得光刻工藝條件下降,最終影響形成的實(shí)際圖形的良率?,F(xiàn)有技術(shù)在建立OPC模型時(shí),通常會(huì)折衷考慮數(shù)值孔徑與工藝窗口的影響,選取一個(gè)適中的數(shù)值孔徑的值,并以此為基準(zhǔn)建立OPC模型。采用該OPC模型形成的實(shí)際圖形則會(huì)存在部分圖形質(zhì)量較好,而另一部分圖形質(zhì)量較差的情況。
      [0026]經(jīng)過(guò)進(jìn)一步分析,本申請(qǐng)中根據(jù)各子圖形的關(guān)鍵參數(shù),例如最大光強(qiáng)(Imax)、最小光強(qiáng)(Imin)和斜率(slope)中的至少兩個(gè)參數(shù),將測(cè)試圖形中的各子圖形進(jìn)行分組,針對(duì)各組內(nèi)的子圖形分別建立各子OPC模型,使得每組子圖形經(jīng)各自對(duì)應(yīng)的子OPC模型形成的圖形質(zhì)量較好。
      [0027]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂,下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說(shuō)明。
      [0028]請(qǐng)參考圖1,本發(fā)明實(shí)施例的建立OPC模型的方法包括如下步驟:
      [0029]步驟S101,提供具有多個(gè)子圖形的測(cè)試圖形和初始的OPC模型,其中,所述子圖形分為多個(gè)片段,所述初始的OPC模型依據(jù)光學(xué)透鏡系統(tǒng)參數(shù)和光刻參數(shù)建立;
      [0030]步驟S102,依據(jù)所述初始的OPC模型對(duì)所述測(cè)試圖形進(jìn)行模擬,得到所述各片段的空間光強(qiáng)參數(shù);
      [0031]步驟S103,依據(jù)所述各片段的空間光強(qiáng)參數(shù)的分布情況對(duì)各片段進(jìn)行分組;
      [0032]步驟S104,根據(jù)各組內(nèi)對(duì)應(yīng)的片段的空間光強(qiáng)參數(shù),分別建立相對(duì)應(yīng)的子空間模型。
      [0033]其中,所述測(cè)試圖形至少包含了與用戶目標(biāo)圖形中的微細(xì)圖形相對(duì)應(yīng)的多個(gè)子圖形,也就是說(shuō),用戶目標(biāo)圖形中的每一個(gè)微細(xì)圖形都可以在所述測(cè)試圖形中找到與之相對(duì)應(yīng)的子圖形。在本發(fā)明的實(shí)施例中,所述測(cè)試圖形為掩膜板上設(shè)計(jì)的圖形,且為當(dāng)前制造工藝水平或節(jié)點(diǎn)下所用到的所有類型的設(shè)計(jì)圖形的集合,有利于后續(xù)建立的子空間模型具有更廣泛的適應(yīng)性,能夠適應(yīng)幾乎所有用戶的需求。
      [0034]并且,為提高后續(xù)形成在晶圓上的圖形的質(zhì)量,將測(cè)試圖形中的每一個(gè)子圖形分成多個(gè)片段,后續(xù)分別對(duì)每一片段進(jìn)行研究。在本發(fā)明的實(shí)施例中,為進(jìn)一步提高后續(xù)形成在晶圓上的圖形的質(zhì)量,每一個(gè)子圖形被等分成多個(gè)片段,即每一個(gè)片段的長(zhǎng)度相等。具體地,請(qǐng)參考圖2,圖2示出了測(cè)試圖形中的一子圖形20。在本發(fā)明的實(shí)施例中,先對(duì)圖2中的子圖形20進(jìn)行邊切分,即按照相同的邊切分的參數(shù),例如步長(zhǎng),將修正后掩膜板圖形20進(jìn)行均等劃分為若干片段。
      [0035]所述初始的OPC模型包括初始的光學(xué)模型(Initial Optical Model)和簡(jiǎn)化的光刻膠模型(CTR Model)。其中,所述光學(xué)模型依據(jù)光學(xué)透鏡系統(tǒng)的各個(gè)參數(shù)例如數(shù)值孔徑、曝光波長(zhǎng)、以及光阻疊層的種類、厚度、折射率、消光系數(shù)等建立得到;所述簡(jiǎn)化的光刻膠模型依據(jù)光刻膠曝光參考閾值(即光刻膠曝光時(shí)所需的最小能量)等參數(shù)建立得到,即所述簡(jiǎn)化的光刻膠模型包括光刻膠曝光參考閾值,所述光刻膠曝光參考閾值與光刻膠的材質(zhì)、測(cè)試圖形中的子圖形的分布密度等因素相關(guān)。本發(fā)明的實(shí)施例中,所述初始的OPC模型為前述折衷考慮數(shù)值孔徑與工藝窗口的影響后建立的OPC模型,即所述初始的OPC模型的建立方法與現(xiàn)有技術(shù)相同。并且,在已知光刻膠材質(zhì)的情況下,光刻膠曝光參考閾值固定,即可得知光刻膠曝光時(shí)所需的最小能量。
      [0036]依據(jù)所述初始的OPC模型對(duì)所述測(cè)試圖形進(jìn)行模擬,得到所述各片段的空間光強(qiáng)參數(shù)(Aerial Parameter).本發(fā)明的實(shí)施例中,得到所述各片段的空間光強(qiáng)參數(shù)的具體方法為:以每個(gè)片段的
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