專利名稱：Dram中非均勻分布冗余的修復方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種冗余的修復方法，尤其涉及一種DRAM中非均勻分布冗余的修復方法。
背景技術：
隨著DRAM (Dynamic Random Access Memory動態(tài)隨機存儲器)制作工藝的不斷縮小以及存儲容量的不斷增加，量產出的DRAM芯片中必然存在失效的存儲單元。為了使DRAM能夠正常使用，芯片設計中包含了冗余單元，冗余單元用于失效單元的修復，以達到量產合格DRAM的目的。傳統DRAM設計中，冗余單元在芯片中均勻分布，因此用于分析DRAM修復的軟件僅能夠對冗余均勻分布的DRAM進行修復分析。但隨著降低生產成本的需求，芯片面積不斷減小，設計人員不再采用均勻分布冗余的設計理念，取而代之的是在芯片任意剩余面積上加入冗余，因此修復軟件失效，從而影響了正常的使用。
發(fā)明內容
為了解決背景技術中存在的技術問題，本發(fā)明提供了一種DRAM中非均勻分布冗余的修復方法。本發(fā)明的技術解決方案是:1.一種DRAM中非均勻分布冗余的修復方法，其特征在于:包括以下步驟:I制作非均勻分布冗余的DRAM修復文件1.1]在無真實字線冗余分布的區(qū)域中加入虛擬字線冗余使該區(qū)域內的冗余呈均勻分布態(tài)，1.2]再將步驟1.1中加入虛擬字線冗余的區(qū)域與真實冗余區(qū)域內的真實字線冗余結合，制作DRAM修復文件；2虛擬冗余強制失效處理DRAM修復文件制作完成后，對步驟1.1中加入的虛擬字線冗余進行處理，使虛擬冗余失效；3完成DRAM中非均勻分布冗余的修復。上述步驟2中使虛擬冗余失效的處理具體是對擬字線冗余進行寫0讀I的數據比較或寫I讀0的數據比較。本發(fā)明的優(yōu)點是:1.簡潔，不用升級DRAM修復軟件；由于現有的DRAM修復分析軟件只能對均勻分布冗余的DRAM進行修復分析，因此為了使之能夠用于非均勻分布冗余的DRAM，軟件必須升級。軟件的升級不但需要額外支付軟件公司費用，而且將導致DRAM量產的推后，并且直接將升級軟件用于量產有高風險的特性，因此，軟件的升級具有嚴重不足。而新的修復方法能夠繼續(xù)使用現有的軟件，避免了上述不足。
2.提高準確度，能夠反映晶圓真實的良率；如果不采用上述修復方法，為了使現有的DRAM修復分析軟件正常工作，設計人員所提供的由RA12:9定義的位線冗余的16個獨立分區(qū)將不能被修復采用，以達到使字線冗余均勻分布為目的。由于人為取消了位線冗余的獨立分區(qū)，芯片設計人員提供的修復靈活性將不能得到保證，DRAM的修復能力下降，晶圓的真實良率不能被體現，進一步導致生產成本的提升。而該方法的采用使位線冗余的16個獨立分區(qū)得以保存，真實的反映了 DRAM芯片的修復方案，保證了晶圓的良率。3.提高了設計靈活性；該方法不僅能用于字線冗余非均勻分布的芯片，它對冗余任意分布(例如非均勻分布位線冗余、非均勻分布輸入輸出等)的芯片均適用。由于DRAM修復分析軟件對虛擬冗余的加入沒有限制，因此可以在DRAM的任意區(qū)域加入虛擬冗余以保證軟件的正常工作，再針對不同種類的虛擬冗余開發(fā)相應的強制失效測試項以保證DRAM的真實修復。因此，設計人員可以在DRAM的任意區(qū)域加入冗余，芯片設計的靈活性得到了大幅提升。
圖1是本發(fā)明工作流程圖；圖2是本發(fā)明IG DRAM涉及和測試地址映射關系不意圖；圖3是本發(fā)明IG DRAM bankO冗余分布及其在AFM中的映射示意圖；圖4是本發(fā)明AFM中IG DRAM bankO的失效虛擬字線地址示意圖。
具體實施例方式1.1制作非均勻分布冗余的DRAM修復文件以IG DRAM芯片為例，IG DRAM有13位行地址、10位列地址、3位bank地址以及行和列的冗余地址。圖2給出了 IG DRAM設計和愛德萬測試機臺AFM (Address FailureMemory地址失效記憶體)地址的映射關系。對于IG DRAM bankO，設計人員給出的冗余分布為位線冗余由RA12:9分為16個獨立區(qū)域且均勻分布，但字線冗余僅分布在RA12:9為0001、0010、0011和0100的區(qū)域，該冗余分布在AFM中的映射如圖3所示，Y13等于I的第一區(qū)域為位線冗余區(qū)域，有真實冗余的區(qū)域為第二區(qū)域，X13等于I為字線冗余區(qū)域，字線冗余在X13等于I的區(qū)域呈非均勻分布，即字線冗余僅分布在第二區(qū)域且每一個RA12:9的不同組合有4個字線冗余(4個字線冗余的RA8:0為000000000、000000100、000001000和000001100)，第三區(qū)域為無真實字線冗余，第四區(qū)域為主存儲區(qū)。由于字線冗余的非均勻分布，軟件無法對DRAM進行修復分析。為了使冗余修復軟件能夠繼續(xù)工作，一種新的修復方法將被采用，該方法為在RA12:9不等于0001、0010、0011和0100的區(qū)域即第三區(qū)域內加入虛擬字線冗余，并且每一個RA12:9的不同組合內加入4個虛擬冗余使字線冗余呈均勻分布，并將這些虛擬字線冗余與真實字線冗余同時用于IG DRAM bankO修復文件的制作，以達到使DRAM修復分析軟件工作為目的。1.2虛擬字線冗余的強制失效處理通過加入虛擬字線冗余能夠使DRAM修復分析軟件正常工作，但是由于它們并不存在于真實的DRAM芯片中，一旦被使用，將導致DRAM的失效單元無法修復，因此在DRAM的測試中應避免虛擬冗余的使用。針對該現象，在測試流程中將開發(fā)一個新的測試項，該測試項的功能為強制虛擬冗余在AFM中失效，并且該測試項位于測試流程的頂端，以保證芯片的功能測試不受虛擬冗余的影響。1.3測試驗證結合冗余修復文件以及強制虛擬冗余失效的測試項，可以得到如圖4所示的地址，該地址存儲于AFM中，F，0，0，0，為8代表整個字線的失效，0，0，0，X13,為I代表該失效位于冗余字線，0八12八11八10，為0代表是bankO的失效，X12, XII, X10, X9,分別為0，5，6，7，8，9，A, B，C，D, E, F代表失效位于第三區(qū)域，結合每一個X12, XII，X10, X9，分別有X3，X2，X1，X0，的0，4，8，C四種組合，意味著第三區(qū)域的每一個X12:9的組合均引入了 4個字線冗余以達到字線冗余均勻分布的目的。48個記錄在AFM的字線冗余失效地址確保了虛擬字線冗余不會用于IG DRAM bankO的修復,進一步驗證了 DRAM中非分均勻分布冗余修復方法的可行性。
權利要求
1.一種DRAM中非均勻分布冗余的修復方法，其特征在于:包括以下步驟: I制作非均勻分布冗余的DRAM修復文件 1.1]在無真實字線冗余分布的區(qū)域中加入虛擬字線冗余使該區(qū)域內的冗余呈均勻分布態(tài)； 1.2]再將步驟1.1中加入虛擬字線冗余的區(qū)域與真實冗余區(qū)域內的真實字線冗余結合，制作DRAM修復文件； 2虛擬冗余強制失效處理 DRAM修復文件制作完成后，對步驟1.1中加入的虛擬字線冗余進行處理，使虛擬冗余失效；3完成DRAM中非均勻分布冗余的修復。
2.根據權利要求1所述的一種DRAM中非均勻分布冗余的修復方法，其特征在于:所述步驟2中使虛擬冗余失效的處理具體是對擬字線冗余進行寫O讀I的數據比較或寫I讀O的數據比 較。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種DRAM中非均勻分布冗余的修復方法。包括步驟1.制作非均勻分布冗余的DRAM修復文件；2.虛擬冗余強制失效處理；3完成DRAM中非均勻分布冗余的修復。本發(fā)明提供了一種簡潔、提高準確度、提高設計靈活性的DRAM中非均勻分布冗余的修復方法。
文檔編號G11C29/44GK103198870SQ20131008867
公開日2013年7月10日 申請日期2013年3月19日 優(yōu)先權日2013年3月19日
發(fā)明者王帆 申請人:西安華芯半導體有限公司