用于存儲(chǔ)裝置的自適應(yīng)比特率編程的系統(tǒng)和方法
【專利摘要】提出了一種用于存儲(chǔ)裝置的自適應(yīng)比特率編程的系統(tǒng)和方法。本公開涉及一種電子存儲(chǔ)系統(tǒng)，并且更具體地涉及一種用于存儲(chǔ)裝置的自適應(yīng)比特率編程的系統(tǒng)，以及一種用于存儲(chǔ)裝置的自適應(yīng)比特率編程的方法。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，提供了一個(gè)用于包括多個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)裝置的自適應(yīng)比特率編程的系統(tǒng)，其中，這些存儲(chǔ)單元通過(guò)由電流源供應(yīng)的電流的應(yīng)用被配置成電可編程的，該系統(tǒng)包括選擇裝置，用于基于來(lái)自該電流源的電流的可獲性選擇多個(gè)存儲(chǔ)單元用于編程。
【專利說(shuō)明】用于存儲(chǔ)裝置的自適應(yīng)比特率編程的系統(tǒng)和方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開總體上涉及一種電子存儲(chǔ)系統(tǒng)，并且更具體地涉及一種用于存儲(chǔ)裝置的自適應(yīng)比特率編程的系統(tǒng)，以及一種用于存儲(chǔ)裝置的自適應(yīng)比特率編程的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]電子存儲(chǔ)系統(tǒng)總體上包括多個(gè)用于存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)單元。這些存儲(chǔ)單元中的每一個(gè)被適配成用于存儲(chǔ)特定量的數(shù)據(jù)。在許多常規(guī)的系統(tǒng)中，每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)一比特的信息，即，該存儲(chǔ)單元可以采用兩種狀態(tài)。
[0003]在許多常規(guī)的非易失性存儲(chǔ)系統(tǒng)中(比如EPROM、EEPR0M、或閃存系統(tǒng))，存儲(chǔ)單元包括浮置柵極晶體管，該浮置柵極晶體管包括浮置柵極，該浮置柵極完全被一種高阻性材料包圍并因此被與該浮置柵極晶體管的剩余柵極和輸入電氣地隔離開。因此，如果該浮置柵極被充有一定量的電荷，這個(gè)數(shù)量在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)保持不變。因此，浮置柵極晶體管可以采用兩種狀態(tài)，這兩種狀態(tài)可以在延長(zhǎng)的時(shí)間段內(nèi)維持，不需要連接到電源:第一狀態(tài)，在該狀態(tài)中，該浮置柵極所承載的電荷在給定閾值之上，以及第二狀態(tài)，在該狀態(tài)中，該浮置柵極所承載的電荷低于這個(gè)閾值。因此，浮置柵極晶體管可以用于存儲(chǔ)一個(gè)比特的信息。隨著額外閾值的引入，可以在存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)多于一比特的信息。
[0004]與真實(shí)的只讀存儲(chǔ)系統(tǒng)不同，上述非易失性存儲(chǔ)系統(tǒng)并沒(méi)有被設(shè)計(jì)成永久性地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。相反，這些系統(tǒng)被設(shè)計(jì)成由相應(yīng)的存儲(chǔ)系統(tǒng)的用戶可編程的。一旦被編程，該存儲(chǔ)系統(tǒng)將存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，直到該數(shù)據(jù)被擦除。該數(shù)據(jù)被擦除之后，該存儲(chǔ)系統(tǒng)可以被重新編程以保存新的數(shù)據(jù)。
[0005]上述非易失性存儲(chǔ)系統(tǒng)對(duì)于數(shù)據(jù)的擦除采用了各種機(jī)制。例如，EPROM可以通過(guò)將其暴露以增強(qiáng)紫外光被擦除。相比之下，EEPROM和閃存系統(tǒng)可以被電擦除。
[0006]然而，所有這些系統(tǒng)都被電編程，S卩，通過(guò)將電壓施加到該存儲(chǔ)裝置的特定區(qū)域持續(xù)特定量的時(shí)間，導(dǎo)致電流在該存儲(chǔ)裝置中流動(dòng)。典型地，在EPR0M、EEPR0M和閃存系統(tǒng)中，這些電流用于引入福勒-諾得海姆隧道效應(yīng)，或者它們用于熱載流子注入。
[0007]對(duì)于給定的存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程和寫入所需要的特定量的電流取決于各種因素，t匕如，單元條件、溫度、電源電壓或過(guò)程變化。另外，在大多數(shù)存儲(chǔ)系統(tǒng)中，對(duì)于寫操作，只有一個(gè)有限電流是可用的。在常規(guī)的存儲(chǔ)系統(tǒng)中，恒定數(shù)量的存儲(chǔ)單元被并行編程，由此，這個(gè)數(shù)量被選擇以滿足前述單元條件所限定的最大電流要求的最糟糕的情況。由于這個(gè)最糟糕的情況具有非常低的發(fā)生概率，所以遵循的是在大多數(shù)情況下可用電流并沒(méi)有被充分地利用。從而，在常規(guī)的存儲(chǔ)系統(tǒng)中，對(duì)存儲(chǔ)單元的編程可用的資源并沒(méi)有被最佳地使用。
[0008]對(duì)于這些或其他理由，需要改進(jìn)的用于存儲(chǔ)裝置的自適應(yīng)比特率編程的系統(tǒng)和/或方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]根據(jù)本公開的一個(gè)方面，提供了一種用于包括多個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)裝置的自適應(yīng)比特率編程的系統(tǒng)，這些存儲(chǔ)單元通過(guò)由電流源供應(yīng)的電流的應(yīng)用被配置成電可編程的。該系統(tǒng)包括選擇裝置用于基于來(lái)自該電流源的電流的可獲性選擇存儲(chǔ)單元。通過(guò)使用這些選擇裝置，比特率可以被動(dòng)態(tài)地調(diào)整到針對(duì)該電流源的電流源的能力。與常規(guī)的存儲(chǔ)裝置相比，寫吞吐量可以因此增大。
[0010]根據(jù)本公開的另一方面，提供了一種用于包括多個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)裝置的自適應(yīng)比特率編程的系統(tǒng)，這些存儲(chǔ)單元被配置成是電可編程的。該系統(tǒng)包括取消選擇裝置，用于基于該存儲(chǔ)單元的電狀態(tài)取消選擇該存儲(chǔ)單元被編程。通過(guò)使用這些取消選擇裝置，被充分地寫入的存儲(chǔ)單元可以被取消選擇被編程。在取消選擇之后，該存儲(chǔ)單元將不會(huì)再提取任何寫電流。這導(dǎo)致該存儲(chǔ)裝置的編程期間的較低電流消耗。進(jìn)一步地，通過(guò)取消選擇被充分地寫入的存儲(chǔ)單元所保存的電流可以用于對(duì)額外的存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程。
[0011]根據(jù)參照附圖的本公開的以下詳細(xì)說(shuō)明，本公開的進(jìn)一步特征、方面和優(yōu)勢(shì)將會(huì)變得明顯。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]將附圖包括在內(nèi)以便提供對(duì)本公開的進(jìn)一步理解，并且它們被并入到并且構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分。這些附圖圖示了本公開的實(shí)施例并且與本說(shuō)明書一起用于解釋本公開的原理。本公開的其他實(shí)施例以及本公開的實(shí)施例的很多預(yù)期的優(yōu)點(diǎn)將很容易地得到了解，因?yàn)橥ㄟ^(guò)參考以下的詳細(xì)說(shuō)明它們將更好地得到理解。
[0013]圖1描繪了根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置的示意性圖示，包括選擇裝置，用于選擇用于基于來(lái)自電流源的電流的可獲性進(jìn)行編程的存儲(chǔ)單元，以及用于監(jiān)控該電流源的活動(dòng)的監(jiān)控器；
[0014]圖2描繪了根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置的示意性圖示，包括選擇裝置，用于選擇用于基于來(lái)自電流源的電流的可獲性進(jìn)行編程的存儲(chǔ)單元，以及監(jiān)控器，被配置成用于測(cè)量從該電流源流到單元陣列的電流；
[0015]圖3描繪了根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置的示意性圖示，包括用于取消選擇存儲(chǔ)單元被編程的取消選擇裝置，其中，這些取消選擇裝置被配置成用于低側(cè)感測(cè)；
[0016]圖4描繪了根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置的示意性圖示，包括用于取消選擇存儲(chǔ)單元被編程的取消選擇裝置，其中，這些取消選擇裝置被配置成用于高側(cè)感測(cè)；
[0017]圖5描繪了根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置的示意性圖示，包括選擇裝置，用于選擇用于基于來(lái)自電流源的電流的可獲性進(jìn)行編程的存儲(chǔ)單元，以及取消選擇裝置，用于一旦該存儲(chǔ)單元被充分地寫入就取消選擇存儲(chǔ)單元被編程；
[0018]圖6描繪了根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置的詳細(xì)圖示，包括用于取消選擇存儲(chǔ)單元被編程的取消選擇裝置，其中，這些取消選擇裝置包括開關(guān)和監(jiān)控器，以用于將用于對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程的電流與閾值電流進(jìn)行比較；
[0019]圖7描繪了根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的一種用于存儲(chǔ)裝置的自適應(yīng)比特率編程的方法的示意性圖示，其中，額外的存儲(chǔ)單元被選擇以用于基于來(lái)自電流源的額外電流的可獲性進(jìn)行編程；
[0020]圖8描繪了根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的一種用于存儲(chǔ)裝置的自適應(yīng)比特率編程的方法的示意性圖示，允許被充分地寫入的存儲(chǔ)單元的取消選擇?！揪唧w實(shí)施方式】
[0021]在以下詳細(xì)說(shuō)明中參見了附圖，這些附圖形成了本詳細(xì)說(shuō)明的一部分，并且這些附圖通過(guò)圖示的方式示出了可在其中實(shí)施本公開的具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解的是可以使用其他實(shí)施例并且可以在不背離本公開的范圍的情況下進(jìn)行結(jié)構(gòu)上的或其他的改變。因此，以下詳細(xì)說(shuō)明并非限制性的，并且本公開的保護(hù)范圍由所附權(quán)利要求來(lái)限定。
[0022]圖1所示為根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置I。該存儲(chǔ)裝置I包括被布置在一個(gè)單元陣列2中的η個(gè)存儲(chǔ)單元。在本公開的一個(gè)實(shí)施例中，這些存儲(chǔ)單元是非易失性存儲(chǔ)單元。在另一個(gè)實(shí)施例中，包括該η個(gè)存儲(chǔ)單元的單元陣列2連接到單個(gè)字線并包含所有連接到這條字線的存儲(chǔ)單元。在圖1中用符號(hào)突出顯示了三個(gè)存儲(chǔ)單元:第一存儲(chǔ)單元(<1>)、最后一個(gè)存儲(chǔ)單元(<η>)和位于第一個(gè)和最后一個(gè)存儲(chǔ)單元之間的一個(gè)第三存儲(chǔ)單元(<χ>)。該存儲(chǔ)裝置I還包括η個(gè)開關(guān)。這η個(gè)開關(guān)中的每一個(gè)開關(guān)與這η個(gè)存儲(chǔ)單元中的一個(gè)關(guān)聯(lián)，并且電連接到對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元。圖1示出了三個(gè)開關(guān)11、12和13，其中，開關(guān)11與存儲(chǔ)器〈I〉關(guān)聯(lián)，開關(guān)12與存儲(chǔ)器〈χ>關(guān)聯(lián)，并且開關(guān)13與存儲(chǔ)器〈η>關(guān)聯(lián)。
[0023]該單元陣列2通過(guò)一條供電導(dǎo)線6連接到電流源3。根據(jù)本公開，該電流源3可以通過(guò)任何被適配成用于給該單元陣列2提供電流的組件實(shí)施。在本公開的一個(gè)實(shí)施例中，電流源3是一個(gè)被配置成用于供應(yīng)有限電流的電壓源。該電流源3被配置成供應(yīng)電流用于對(duì)為該單元陣列2中包含的這些存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程。該存儲(chǔ)裝置I還包括監(jiān)控器4和數(shù)字控制5。該監(jiān)控器4通過(guò)監(jiān)控器輸入線7連接到該電流源3，并通過(guò)監(jiān)控器輸出線8連接到該數(shù)字控制5。進(jìn)而，該數(shù)字控制5通過(guò)控制輸出線9連接到這η個(gè)開關(guān)。圖1符號(hào)化地示出了將數(shù)字控制5分別連接到開關(guān)11、12和13中的每一個(gè)的控制輸出線9。
[0024]就常規(guī)的存儲(chǔ)裝置來(lái)說(shuō)，由電流源3通過(guò)供電導(dǎo)線6供應(yīng)給單元陣列2的電流可以用于對(duì)包含在該單元陣列2中的存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程。對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程的過(guò)程通常稱為“寫”。兩個(gè)術(shù)語(yǔ)都是指將存儲(chǔ)單元的狀態(tài)從“被擦除”改變?yōu)椤氨粚憽钡倪^(guò)程，并且在下文中將同義地使用。
[0025]開關(guān)11、12和13被配置成用于允許選擇該單元陣列2的存儲(chǔ)單元用于編程。在一個(gè)實(shí)施例中，這些開關(guān)還被配置成用于允許取消選擇存儲(chǔ)單元被編程。具體地，開關(guān)11被配置成用于選擇/取消選擇存儲(chǔ)單元〈1>，開關(guān)12被配置成用于選擇/取消選擇存儲(chǔ)單元〈X〉，并且開關(guān)13被配置成用于選擇/取消選擇存儲(chǔ)單元<η>。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)且僅當(dāng)存儲(chǔ)單元是與其關(guān)聯(lián)的開關(guān)所選擇時(shí)，單元陣列2中的存儲(chǔ)單元可以被電流源3所提供的電流編程。
[0026]開關(guān)11、12和13被數(shù)字控制5所控制，即，數(shù)字控制5對(duì)與該單元陣列2中所包含的存儲(chǔ)單元所關(guān)聯(lián)的開關(guān)中的每一個(gè)開關(guān)進(jìn)行控制。該數(shù)字控制5基于從監(jiān)控電流源3的活動(dòng)的監(jiān)控器4接收的輸入對(duì)開關(guān)11、12和13進(jìn)行控制。因?yàn)閿?shù)字控制5從監(jiān)控器4接收關(guān)于電流源3的活動(dòng)的信息，數(shù)字控制5可以基于電流源3的活動(dòng)對(duì)開關(guān)11、12和13進(jìn)行控制。
[0027]在本公開的一個(gè)實(shí)施例中，電流源3包括電荷泵。然后，在一個(gè)實(shí)施例中，監(jiān)控器4對(duì)該電荷泵的泵活動(dòng)進(jìn)行監(jiān)控，并為該數(shù)字控制5提供泵活動(dòng)信號(hào)?；趶谋O(jiān)控器4接收的這個(gè)泵活動(dòng)信號(hào)，數(shù)字控制5可以調(diào)整該單元陣列2中的正在被編程的存儲(chǔ)單元的數(shù)量。例如，如果在該單元陣列2的存儲(chǔ)單元的特定子集正在被編程的一個(gè)具體時(shí)刻，將會(huì)從該電流源3提取相應(yīng)的電流。如果這個(gè)電流小于最大電流，電流源3能夠供應(yīng)，即，如果該電流源3可以在這個(gè)具體時(shí)刻供應(yīng)更多電流，由該監(jiān)控器4提供給該數(shù)字控制5的泵活動(dòng)信號(hào)將指示不活動(dòng)。在這種情況下，該單元陣列2的額外的存儲(chǔ)單元將會(huì)被該數(shù)字控制5選定以用于寫入，其中，開關(guān)與這個(gè)存儲(chǔ)單元關(guān)聯(lián)。
[0028]因此，這些開關(guān)允許在給定時(shí)間被編程的存儲(chǔ)單元的數(shù)量與該電流源3的活動(dòng)相適配。具體地，通過(guò)使用監(jiān)控器4和數(shù)字控制5，在給定時(shí)間被編程的存儲(chǔ)單元的數(shù)量可以與從電流源3可獲得的電流的量相適配，從而產(chǎn)生用于存儲(chǔ)裝置的自適應(yīng)比特率編程的系統(tǒng)。
[0029]圖2所示為根據(jù)本公開的另一個(gè)的實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置I。這個(gè)實(shí)施例通過(guò)監(jiān)控器4被設(shè)計(jì)和定位的方式區(qū)別于圖1中所示的實(shí)施例。在這個(gè)實(shí)施例中，監(jiān)控器4用于直接測(cè)量單元陣列2中的所有選定的存儲(chǔ)單元目前從電流源3處提取的寫電流，而不是監(jiān)控電流源3的泵活動(dòng)。因此，監(jiān)控器4被安置在將單元陣列2連接到電流源3的供電導(dǎo)線6中。從而，單元陣列2從電流源3提取的電流可以通過(guò)監(jiān)控器4簡(jiǎn)單地測(cè)量。監(jiān)控器4所測(cè)量的電流的值被通過(guò)監(jiān)控器輸出線8供應(yīng)給數(shù)字控制5。然后，數(shù)字控制5將接收到的值與預(yù)定義閾值進(jìn)行比較。如果接收到的值位于該預(yù)定義閾值之下，數(shù)字控制5將選擇額外的存儲(chǔ)單元用于寫入，其中，該開關(guān)與這個(gè)存儲(chǔ)單元關(guān)聯(lián)。結(jié)果，在從電流源3可獲得的電流比目前單元陣列2中所有選定的存儲(chǔ)單元所提取的電流更多的情形下，額外的存儲(chǔ)單元將會(huì)被選定以用于寫入。
[0030]從而，在圖1和圖2所示的存儲(chǔ)裝置I中，通過(guò)允許可變數(shù)量的存儲(chǔ)單元被并行寫入，寫吞吐量可以在可用電流所給定的限度內(nèi)最大化。
[0031]圖3所示為根據(jù)本公開的另一個(gè)的實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置I。該存儲(chǔ)裝置I再次包括被安排在單元陣列2中的η個(gè)存儲(chǔ)單元。電流源3通過(guò)供電導(dǎo)線6連接到該單元陣列2。該存儲(chǔ)裝置I還包括η個(gè)開關(guān)。這些開關(guān)中的每一個(gè)開關(guān)與這些存儲(chǔ)單元中的一個(gè)存儲(chǔ)單元關(guān)聯(lián)，并通過(guò)單元輸出線與所關(guān)聯(lián)的單元連接。這些開關(guān)中的三個(gè)，即，開關(guān)11、12和13與關(guān)聯(lián)的單元輸出線41、42和43 —起在圖3的示例中示出。該存儲(chǔ)裝置I還包括η個(gè)監(jiān)控器21、22和23。這些監(jiān)控器中的每一個(gè)監(jiān)控器與這些開關(guān)中的一個(gè)開關(guān)并與這些存儲(chǔ)單元中的一個(gè)存儲(chǔ)單元關(guān)聯(lián)。監(jiān)控器21與開關(guān)11和存儲(chǔ)單元〈1>關(guān)聯(lián)，監(jiān)控器22與開關(guān)12和存儲(chǔ)單元<χ>關(guān)聯(lián)，并且監(jiān)控器23與開關(guān)13和存儲(chǔ)單元<η>關(guān)聯(lián)。每一個(gè)監(jiān)控器還被配置成用于控制關(guān)聯(lián)的開關(guān)。因此，每個(gè)監(jiān)控器電連接到其關(guān)聯(lián)開關(guān)。
[0032]當(dāng)單元陣列2中的一個(gè)存儲(chǔ)單元正在被編程時(shí)，也稱為寫電流的電流從該電流源3流經(jīng)供電導(dǎo)線6到這個(gè)存儲(chǔ)單元，并從該存儲(chǔ)單元流經(jīng)關(guān)聯(lián)的單元輸出線到關(guān)聯(lián)的開關(guān)。從存儲(chǔ)單元流經(jīng)單元輸出線到該開關(guān)的電流被與這個(gè)存儲(chǔ)單元和開關(guān)關(guān)聯(lián)的監(jiān)控器監(jiān)控。例如，如果存儲(chǔ)單元〈1>正在被編程，寫電流從電流源3流經(jīng)供電導(dǎo)線6到達(dá)該存儲(chǔ)單元<1>并從該該存儲(chǔ)單元〈1>流經(jīng)單元輸出線41到達(dá)開關(guān)11。這個(gè)寫電流被監(jiān)控器21所監(jiān)控。這些監(jiān)控器被配置成用于基于這些監(jiān)控器所監(jiān)控的寫電流對(duì)這些開關(guān)進(jìn)行控制。因此，監(jiān)控器21被配置成用于基于流經(jīng)單元輸出線41的寫電流對(duì)開關(guān)11進(jìn)行控制。通過(guò)對(duì)正在被編程的每一個(gè)存儲(chǔ)單元監(jiān)控寫電流，可以在編程的過(guò)程期間接收關(guān)于存儲(chǔ)單元的狀態(tài)的信息。具體地，因?yàn)楫?dāng)存儲(chǔ)單元被充分地寫入時(shí)該寫電流通常會(huì)下降，對(duì)寫電流的監(jiān)控允許檢測(cè)被充分地寫入的存儲(chǔ)單元。
[0033]這些監(jiān)控器被配置成用于一旦檢測(cè)到有單元被充分地寫入就取消選擇存儲(chǔ)單元被編程。在一個(gè)實(shí)施例中，這是通過(guò)如下方式實(shí)現(xiàn)的:將每個(gè)監(jiān)控器配置成用于指示關(guān)聯(lián)的開關(guān)用以在該監(jiān)控器一檢測(cè)到這個(gè)監(jiān)控器所監(jiān)控的寫電流降到預(yù)定閾值以下就取消選擇關(guān)聯(lián)的存儲(chǔ)器被編程。在本公開的另一個(gè)實(shí)施例中，這些監(jiān)控器被配置成用于確定寫電流的變化率，并且如果變化率的絕對(duì)值超過(guò)預(yù)定閾值，發(fā)起存儲(chǔ)單元的取消選擇。以此方式，可以實(shí)施一個(gè)非常精確的寫完成指示器。在兩個(gè)實(shí)施例中，已經(jīng)被充分地寫入的存儲(chǔ)單元都將會(huì)被取消選擇，并且將會(huì)因此不再?gòu)碾娏髟刺崛‰娏鳌＿@降低了單元陣列2中的存儲(chǔ)單元的編程期間的電流消耗。
[0034]例如，如果存儲(chǔ)單元〈1>正在被編程，如上所述，寫電流將會(huì)從電流源3流經(jīng)存儲(chǔ)單元〈1>和單元輸出線41。一旦存儲(chǔ)單元〈1>被充分地寫入，這個(gè)寫電流將會(huì)降低。在一個(gè)常規(guī)的存儲(chǔ)裝置中，將繼續(xù)從該電流源3提取這個(gè)降低的寫電流。然而，在根據(jù)本公開的存儲(chǔ)裝置中，存儲(chǔ)單元〈1> 一被充分地寫入，監(jiān)控器21就會(huì)檢測(cè)該寫電流已降到一個(gè)預(yù)定閾值以下，并且將因此指示開關(guān)11取消選擇存儲(chǔ)單元〈1>被編程。其結(jié)果是，存儲(chǔ)單元〈1>將不再?gòu)脑撾娏髟?提取電流。因此，與常規(guī)的存儲(chǔ)裝置相比，編程期間的電流消耗在圖3的存儲(chǔ)裝置I中減少了。
[0035]在圖3的存儲(chǔ)裝置I中，實(shí)現(xiàn)了低側(cè)感測(cè)的概念，即，這些監(jiān)控器被定位于單元陣列2之下以監(jiān)控離開單元陣列2的寫電流。相比之下，在圖4所示的公開的實(shí)施例中，實(shí)現(xiàn)了高側(cè)感測(cè)的概念。在此，監(jiān)控器21、22和23被定位于該單元陣列2之上以監(jiān)控進(jìn)入單元陣列2的寫電流。為了允許監(jiān)控進(jìn)入該單元陣列2的寫電流，離開電流源3的供電導(dǎo)線6被分成η個(gè)單元輸入線，從而將單元陣列2中的η個(gè)存儲(chǔ)單元中的每一個(gè)單獨(dú)地與該電流源3連接。對(duì)于每條單元輸入線，提供了 一個(gè)監(jiān)控器用于監(jiān)控這條單元輸入線。
[0036]在圖4中，三條單元輸入線31、32和33與關(guān)聯(lián)的監(jiān)控器21、22和23作為一個(gè)示例示出。單元輸入線31將電流源3連接到存儲(chǔ)單元〈1>，單元輸入線32將電流源3連接到存儲(chǔ)單元〈X〉，并且單元輸入線33將電流源3連接到存儲(chǔ)單元<η>。單元輸入線31由監(jiān)控器21所監(jiān)控，單元輸入線32由監(jiān)控器22所監(jiān)控，并且單元輸入線33由監(jiān)控器23所監(jiān)控。正如對(duì)圖3中所示的存儲(chǔ)裝置所描述的，每個(gè)監(jiān)控器與開關(guān)關(guān)聯(lián)并被配置成用于控制這個(gè)開關(guān)。這個(gè)開關(guān)反過(guò)來(lái)被配置成用于選擇或取消選擇存儲(chǔ)單元用于編程。其結(jié)果是，用圖4中所示的存儲(chǔ)裝置1，如以上對(duì)圖3中所描述的存儲(chǔ)裝置，可以減少單元陣列2中的存儲(chǔ)單元的編程期間的電流消耗。
[0037]在圖3和圖4中所示的存儲(chǔ)裝置I中，寫電流的監(jiān)控、被充分地寫入的存儲(chǔ)單元的檢測(cè)、以及被充分地寫入的存儲(chǔ)單元的取消選擇是在本地執(zhí)行，即，單獨(dú)地對(duì)該單元陣列2中包含的每個(gè)單個(gè)存儲(chǔ)單元。在本公開的一個(gè)實(shí)施例中，這些被用來(lái)監(jiān)控寫電流的監(jiān)控器是被配置成用于這些寫電流的直接測(cè)量的專用傳感器。在本公開的另一個(gè)實(shí)施例中，用在常規(guī)的存儲(chǔ)系統(tǒng)中用于讀取存儲(chǔ)單元的感測(cè)放大器對(duì)這些寫電流進(jìn)行監(jiān)控。從而，對(duì)于監(jiān)控這些單元寫電流，不需要額外組件。
[0038]圖5所示為根據(jù)本公開的另一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置I。這個(gè)存儲(chǔ)裝置I被配置成用于允許基于來(lái)自電流源3的電流的可獲性選擇多個(gè)額外的存儲(chǔ)單元用于編程，并且允許取消選擇被充分地寫入的存儲(chǔ)單元被編程。這個(gè)存儲(chǔ)裝置I結(jié)合了圖1和圖3的上下文中所描述的概念。該存儲(chǔ)裝置I包括被配置成用于對(duì)電流源3的活動(dòng)進(jìn)行監(jiān)控的電源監(jiān)控器
4。該電源監(jiān)控器4的輸出被饋入至數(shù)字控制5，該數(shù)字控制被配置成用于對(duì)與單元陣列2中的存儲(chǔ)單元關(guān)聯(lián)的開關(guān)進(jìn)行控制。在圖5中，三個(gè)開關(guān)11、12和13在一個(gè)示例中示出。該電源監(jiān)控器4、數(shù)字控制5和開關(guān)11、12和13如對(duì)圖1中描繪的存儲(chǔ)裝置的詳細(xì)描述地工作。其結(jié)果是，如果在特定情形下，從該電流源3可獲得的電流比目前使用的電流更多，則該存儲(chǔ)裝置I的這些組件允許選擇額外的存儲(chǔ)單元用于編程。以此方式，該存儲(chǔ)裝置I的寫吞吐量可以增長(zhǎng)，而不超過(guò)從電流源3可獲得的寫電流。
[0039]圖5的存儲(chǔ)裝置I還包括單元監(jiān)控器。對(duì)于包含在單元陣列2中的這η個(gè)單元中的每一個(gè)，有特定的單元監(jiān)控器與這個(gè)單元關(guān)聯(lián)。在圖5中，這些監(jiān)控器中的三個(gè)21、22、23在一個(gè)示例中示出。每一個(gè)單元監(jiān)控器被配置成用于監(jiān)控其關(guān)聯(lián)的存儲(chǔ)單元的寫電流，以及控制與這個(gè)存儲(chǔ)單元關(guān)聯(lián)的開關(guān)。例如，單元監(jiān)控器21被配置成用于監(jiān)控存儲(chǔ)單元〈1>的寫電流以及對(duì)開關(guān)11進(jìn)行控制。這些單元監(jiān)控器正如對(duì)圖3中所示的存儲(chǔ)裝置的監(jiān)控器詳細(xì)描述地工作。結(jié)果是，每一個(gè)單元監(jiān)控器被配置成用于一檢測(cè)到其關(guān)聯(lián)存儲(chǔ)單元已經(jīng)被充分地編程，就取消選擇這個(gè)存儲(chǔ)單元被編程。從而，通過(guò)使用單元監(jiān)控器21、22、23，可以減少單元陣列2中的存儲(chǔ)單元的編程期間的電流消耗。結(jié)合電源監(jiān)控器4和數(shù)字控制5，單元監(jiān)控器21、22、23允許進(jìn)一步增大存儲(chǔ)裝置I的寫吞吐量。這是通過(guò)取消選擇已經(jīng)被充分地寫入的存儲(chǔ)單元被編程來(lái)實(shí)現(xiàn)的。存儲(chǔ)單元被取消選擇之后，與常規(guī)的存儲(chǔ)系統(tǒng)中被充分地寫入的存儲(chǔ)單元相反，它將不再?gòu)脑撾娏髟刺崛‰娏?。這個(gè)過(guò)程所節(jié)省的電流可以用于對(duì)另一個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程。該電源監(jiān)控器將檢測(cè)該電流源能夠供應(yīng)比目前使用的更多的電流，并且將發(fā)起選擇額外的存儲(chǔ)單元用于編程。
[0040]在本公開的另一個(gè)實(shí)施例中，如對(duì)于圖2中所示的存儲(chǔ)裝置I描述的，該電源監(jiān)控器4被配置成用于直接測(cè)量從電流源3流到單元陣列2的電流。在本公開的另一個(gè)實(shí)施例中，如對(duì)于圖4中的存儲(chǔ)裝置I所描述的，這些單元監(jiān)控器被配置成用于進(jìn)行高側(cè)感測(cè)。
[0041]圖6所示為根據(jù)本公開的另一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置I。這個(gè)存儲(chǔ)裝置I與圖3中的相似處在于:它也包括用于取消選擇被充分地寫入的存儲(chǔ)單元被編程的監(jiān)控器和開關(guān)。這些監(jiān)控器被配置成用于低側(cè)感測(cè)。然而，在圖6的實(shí)施例中，更詳細(xì)地示出了存儲(chǔ)裝置I的組件。該存儲(chǔ)裝置I是非易失性存儲(chǔ)裝置并包括若干個(gè)單元陣列。這些單元陣列中的兩個(gè)，即第一單元陣列2和第二單元陣列2’，在圖6中作為一個(gè)示例示出。這些單元陣列中的每一個(gè)包括若干個(gè)存儲(chǔ)單元。在圖6中，對(duì)于這兩個(gè)單元陣列2和2’中的每一個(gè)，示出了分別包括浮置柵極晶體管和存取晶體管的兩個(gè)存儲(chǔ)單元。存儲(chǔ)單元的浮置柵極晶體管的漏極端子通過(guò)比特線55連接到電流源3。存儲(chǔ)單元的存取晶體管的源極端子連接到電源線56。這些存儲(chǔ)單元的浮置柵極晶體管的控制柵極連接到字線57。這些存儲(chǔ)單元的存取晶體管的柵極連接到選擇線60。
[0042]該存儲(chǔ)裝置I的存儲(chǔ)單元被安排在具有行和列的規(guī)則網(wǎng)格中。在每一行中，這些存儲(chǔ)單元稱合到單個(gè)字線和單個(gè)選擇線。在每一列中，這些存儲(chǔ)單元稱合到單個(gè)比特線和單個(gè)電源線。圖6示出了對(duì)應(yīng)于第一 2和第二 2’單元陣列的兩行存儲(chǔ)單元，和兩列，即第一列51和第二列52。開關(guān)和監(jiān)控器與每一列存儲(chǔ)單元關(guān)聯(lián)。在圖6的存儲(chǔ)裝置I中，開關(guān)11和監(jiān)控器21與第二列52存儲(chǔ)單元關(guān)聯(lián)。開關(guān)11和監(jiān)控器21耦合到該電源線56。該存儲(chǔ)裝置I還包括閾值限定電路50。這個(gè)閾值限定電路50被配置成用于為整個(gè)存儲(chǔ)裝置I限定中央閾值電流。該閾值限定電路50被設(shè)計(jì)成使用電流鏡限定閾值電流。
[0043]現(xiàn)在將更詳細(xì)地描述開關(guān)11、監(jiān)控器21、和閾值限定電路50的操作。當(dāng)?shù)诙?2中的存儲(chǔ)單元正在被編程時(shí)，較高的寫電流從該電流源3流經(jīng)比特線55到這個(gè)正在被編程的存儲(chǔ)單元，并從這個(gè)存儲(chǔ)單元流經(jīng)電源線56到開關(guān)11。在節(jié)點(diǎn)58處，寫電流與由閾值限定電路50的電流鏡所限定的閾值電流相比較。其結(jié)果是，節(jié)點(diǎn)58的電勢(shì)為高。所以，節(jié)點(diǎn)59的電勢(shì)也為高。因?yàn)殚_關(guān)11的轉(zhuǎn)移晶體管53和第二晶體管54的柵極耦合到節(jié)點(diǎn)59，所以該轉(zhuǎn)移晶體管53將導(dǎo)通，然而該第二晶體管54將不會(huì)導(dǎo)通。該寫電流因此可以從正在被編程的存儲(chǔ)單元流經(jīng)開關(guān)11。一旦該存儲(chǔ)單元被充分地寫入，該寫電流將開始下降。該寫電流一降到由閾值限定電路所限定的閾值電流以下，節(jié)點(diǎn)58就將會(huì)被拉到VSS，并且，結(jié)果是節(jié)點(diǎn)59也將會(huì)被拉到VSS。該轉(zhuǎn)移晶體管53將不再導(dǎo)通，同時(shí)該第二晶體管54將會(huì)導(dǎo)通。現(xiàn)在電源線56將通過(guò)第二晶體管54連接到VDD。其結(jié)果是，不會(huì)有電流流過(guò)該存儲(chǔ)單元。因此，該存儲(chǔ)單元被充分地寫入之后，該寫電流將會(huì)被完全地切斷。
[0044]圖7描繪了根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的一種用于存儲(chǔ)裝置的自適應(yīng)比特率編程的示例方法。該存儲(chǔ)裝置包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，這些存儲(chǔ)單元通過(guò)由電流源供應(yīng)的電流的應(yīng)用被配置為電可編程的。該方法包括，在101處通過(guò)將寫電流施加到存儲(chǔ)單元對(duì)該存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程，以及在103處確定該電流源是否能夠供應(yīng)比目前從電流源提取的更多的電流。如果該電流源不能夠供應(yīng)更多的電流，動(dòng)作103將會(huì)被重復(fù)；如果電流源能夠供應(yīng)更多的電流，在105處將執(zhí)行選擇額外的存儲(chǔ)單元用于編程。然后在101處這個(gè)存儲(chǔ)單元將會(huì)被編程。
[0045]結(jié)果是，在圖7所代表的方法中，在該存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)單元的編程期間，基于來(lái)自該電流源的額外電流的可獲性選擇了額外的存儲(chǔ)單元用于編程。這與常規(guī)的寫方案中存儲(chǔ)單元用于編程的選擇或取消選擇是時(shí)序驅(qū)動(dòng)的(即，在預(yù)定和固定時(shí)間處或在預(yù)定和固定時(shí)間之后)是相反的。因此，用根據(jù)本公開的方法，通過(guò)連續(xù)地將需要的寫電流與可用電流進(jìn)行匹配，可以在不超過(guò)該可用電流的情況下增大寫吞吐量。
[0046]圖8描繪了根據(jù)本公開的另一個(gè)實(shí)施例的一種用于存儲(chǔ)裝置的自適應(yīng)比特率編程的示例方法。該存儲(chǔ)裝置包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，這些存儲(chǔ)單元通過(guò)電流的應(yīng)用被配置為電可編程的。該方法包括，在111處通過(guò)將寫電流施加到存儲(chǔ)單元對(duì)該存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程，以及在113處對(duì)該寫電流進(jìn)行監(jiān)控。該方法進(jìn)一步包括在115處檢測(cè)該寫電流的屬性，以及在117處取消選擇該存儲(chǔ)單元被編程。有利的是，在115處檢測(cè)到的寫電流的屬性指示該存儲(chǔ)單元已經(jīng)被充分地編程。在本公開的一個(gè)實(shí)施例中，該寫電流的特性涉及該寫電流的值。在本公開的另一個(gè)實(shí)施例中，該寫電流的屬性涉及該寫電流的變化率。從而，在圖8代表的方法中，取消選擇被充分地寫入的存儲(chǔ)單元被編程。然后，該存儲(chǔ)單元將不會(huì)再提取任何寫電流。其結(jié)果是，對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程所需要的電流可以被最小化。
[0047]在本公開的另一個(gè)實(shí)施例中，圖7和圖8的上下文中所描述的兩種方法被結(jié)合并且都被在存儲(chǔ)裝置的編程期間并行使用。從而，通過(guò)取消選擇被充分地寫入的存儲(chǔ)單元所節(jié)省的電流可以被有利地用于對(duì)額外的存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程。結(jié)果，能夠?qū)υ搶懲掏铝窟M(jìn)行優(yōu)化。
[0048]雖然在此已展示并描述了多個(gè)具體的實(shí)施例，但本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到可以用多種替代方案和/或等效實(shí)現(xiàn)方式替代所示出并描述的具體實(shí)施例，而不背離本公開的范圍。本申請(qǐng)旨在覆蓋在此所討論的具體實(shí)施例的任何改編或變體。因此，本公開旨在僅由權(quán)利要求以及其等效物所限定。
【權(quán)利要求】
1.一種用于包括多個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)裝置的自適應(yīng)比特率編程的系統(tǒng)，其中，所述存儲(chǔ)單元通過(guò)由電流源供應(yīng)的電流的應(yīng)用被配置為是電可編程的， 所述系統(tǒng)包括選擇裝置，所述選擇裝置被配置成用于基于來(lái)自所述電流源的電流的可獲性選擇多個(gè)存儲(chǔ)單元用于編程。
2.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括被配置成用于監(jiān)控所述電流源的監(jiān)控器。
3.如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中，所述監(jiān)控器被配置成用于產(chǎn)生電源活動(dòng)信號(hào)，所述電源活動(dòng)信號(hào)指示所述電流源的能力以提供比目前從所述電流源提取的更多的電流。
4.如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中，所述監(jiān)控器被配置成用于測(cè)量從所述電流源提取的所述電流。
5.如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括被配置成用于從所述監(jiān)控器接收信號(hào)的數(shù)字控制，所述信號(hào)使所述數(shù)字控制能夠確定所述電流源是否能夠提供比目前從所述電流源提取的更多的電流，其中，無(wú)論所述數(shù)字控制什么時(shí)候確定所述電流源能夠供應(yīng)比目前從所述電流源提取的更多的電流，所述數(shù)字控制被配置成用于通過(guò)選擇裝置發(fā)起選擇額外的存儲(chǔ)單元用于編程。
6.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括取消選擇裝置，用于基于所述存儲(chǔ)單元的電狀態(tài)取消選擇存儲(chǔ)單元被編程。
7.一種用于包括多個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)裝置的自適應(yīng)比特率編程的系統(tǒng)，其中，所述存儲(chǔ)單元被配置成是電 可編程的， 所述系統(tǒng)包括取消選擇裝置，所述取消選擇裝置被配置成用于基于所述存儲(chǔ)單元的電狀態(tài)取消選擇存儲(chǔ)單元被編程。
8.如權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括多個(gè)單元監(jiān)控器，其中每個(gè)單元監(jiān)控器與對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元關(guān)聯(lián)，并被配置成用于監(jiān)控所述對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元的所述電狀態(tài)。
9.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中，所述單元監(jiān)控器被配置成用于從被用來(lái)對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程的寫電流進(jìn)行監(jiān)控來(lái)導(dǎo)出與其關(guān)聯(lián)的它們的對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元的所述電狀態(tài)。
10.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中，無(wú)論所述存儲(chǔ)單元的所述電狀態(tài)什么時(shí)候指示所述存儲(chǔ)單元已經(jīng)被充分地編程，所述單元監(jiān)控器被配置成用于發(fā)起取消選擇與其關(guān)聯(lián)的它們的對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元被編程。
11.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括單元監(jiān)控器，所述單元監(jiān)控器被配置成用于對(duì)從電流源流到存儲(chǔ)單元的寫電流進(jìn)行測(cè)量。
12.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括單元監(jiān)控器，所述單元監(jiān)控器被配置成用于對(duì)從存儲(chǔ)單元流到取消選擇裝置的寫電流進(jìn)行測(cè)量。
13.一種用于包括多個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)裝置的自適應(yīng)比特率編程的系統(tǒng)，其中，所述存儲(chǔ)單元通過(guò)由電流源供應(yīng)的電流的應(yīng)用被配置成是電可編程的，所述系統(tǒng)包括: 選擇裝置，用于選擇用于編程的存儲(chǔ)單元； 取消選擇裝置，用于取消選擇存儲(chǔ)單元被編程； 源監(jiān)控器，被配置成用于對(duì)所述電流源進(jìn)行監(jiān)控； 數(shù)字控制，耦合到所述源監(jiān)控器；以及 多個(gè)單元監(jiān)控器，其中: 所述源監(jiān)控器被配置成用于為所述數(shù)字控制提供信號(hào)，所述信號(hào)使所述數(shù)字控制能夠確定所述電流源是否能夠供應(yīng)比目前從所述電流源提取的更多的電流， 所述數(shù)字控制被配置成用于基于從所述源監(jiān)控器接收到的所述信號(hào)對(duì)所述選擇裝置進(jìn)行控制；以及 每個(gè)單元監(jiān)控器與對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元關(guān)聯(lián)，并被配置成用于監(jiān)控所述對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元的電狀態(tài)，并且被配置成用于通過(guò)與所述存儲(chǔ)單元關(guān)聯(lián)的取消選擇裝置基于所述存儲(chǔ)單元的所述電狀態(tài)對(duì)所述對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元的取消選擇進(jìn)行控制。
14.如權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中，無(wú)論所述數(shù)字控制什么時(shí)候確定所述電流源能夠供應(yīng)比目前從所述電流源提取的更多的電流，所述數(shù)字控制被配置成用于發(fā)起選擇額外的存儲(chǔ)單元用于編程。
15.如權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中，無(wú)論所述存儲(chǔ)單元的所述電狀態(tài)什么時(shí)候指示所述存儲(chǔ)單元已經(jīng)被充分地編程，每個(gè)單元監(jiān)控器被配置成用于通過(guò)與所述存儲(chǔ)單元關(guān)聯(lián)的所述取消選擇裝置發(fā)起取消選擇與其關(guān)聯(lián)的所述存儲(chǔ)單元被編程。
16.如權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中，通過(guò)監(jiān)控被用來(lái)對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程的寫電流導(dǎo)出所述存儲(chǔ)單元的所述電狀態(tài)。
17.一種用于存儲(chǔ)裝置的自適應(yīng)比特率編程的方法，所述存儲(chǔ)裝置包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元通過(guò)由電流源供應(yīng)的電流的應(yīng)用被配置成是電可編程的，包括: 通過(guò)將寫電流施加到存儲(chǔ)單元對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程； 確定所述電流源是否能夠供應(yīng)比目前從所述電流源提取的更多的電流； 如果所述電流源能夠供應(yīng)比目前從所述電流源提取的更多的電流，選擇額外的存儲(chǔ)單元用于編程。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，確定所述電流源是否能夠供應(yīng)比目前從所述電流源提取的更多的電流包括監(jiān)控所述電流源的狀態(tài)。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，監(jiān)控所述電流源的所述狀態(tài)包括產(chǎn)生電源活動(dòng)信號(hào)，所述電源活動(dòng)信號(hào)指示所述電流源的能力以提供比目前從所述電流源提取的更多的電流。
20.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，監(jiān)控所述電流源的所述狀態(tài)包括測(cè)量從所述電流源提取的所述電流。
21.如權(quán)利要求17所述的方法，進(jìn)一步包括: 對(duì)施加到存儲(chǔ)單元的所述寫電流進(jìn)行監(jiān)控； 檢測(cè)所述寫電流的屬性 ；以及 基于檢測(cè)的所述屬性選擇性地取消選擇所述存儲(chǔ)單元被編程。
22.一種用于存儲(chǔ)裝置的自適應(yīng)比特率編程的方法，所述存儲(chǔ)裝置包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元通過(guò)電流的應(yīng)用被配置成是電可編程的，所述方法包括: 通過(guò)將寫電流施加到存儲(chǔ)單元對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程； 對(duì)所述寫電流進(jìn)行監(jiān)控； 檢測(cè)所述寫電流的屬性；以及 基于檢測(cè)的所述屬性選擇性地取消選擇所述存儲(chǔ)單元被編程。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述寫電流的所述屬性指示所述存儲(chǔ)單元已經(jīng)被充分地編程。
24.如權(quán)利要求22所述的方法，其中，檢測(cè)所述寫電流的屬性包括檢測(cè)所述寫電流已經(jīng)降到預(yù)定義閾值以下。
25.如權(quán)利要求22所述的方法，其中，檢測(cè)所述寫電流的屬性包括檢測(cè)所述寫電流的變化率的絕對(duì)值已經(jīng)超過(guò) 預(yù)定義閾值。
26.如權(quán)利要求22所述的方法，其中，取消選擇所述存儲(chǔ)單元被編程包括切斷所述寫電流。
【文檔編號(hào)】G11C16/06GK103971738SQ201410041145
【公開日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2014年1月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月28日
【發(fā)明者】W·阿勒斯, J·奧特斯泰特, M·杰弗瑞茂, E·帕帕里斯托, L·卡斯特羅 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份有限公司