具有信噪比增強(qiáng)的晶粒隔離初始層和交換中斷層的垂直記錄介質(zhì)的制作方法
【專利摘要】一種具有信噪比增強(qiáng)的晶粒隔離初始層和交換中斷層的垂直記錄介質(zhì)。本發(fā)明的各種方面涉及一種垂直磁記錄（PMR）介質(zhì)堆棧及其制造方法。PMR介質(zhì)堆棧具有能夠改善PMR介質(zhì)堆棧的信噪比性能的新穎晶粒隔離初始層（GIIL）和/或新穎交換中斷層（EBL）。PMR介質(zhì)堆棧包括基板，在所述基板上的軟墊層，安置在所述軟墊層上的隔層，以及安置在所述隔層上的晶粒隔離初始層（GIIL），安置在GIIL上的磁性層，和安置在所述磁性層上的交換中斷層（EBL）。GIIL和/或EBL包括CoCrRu氧化物。
【專利說明】具有信噪比增強(qiáng)的晶粒隔離初始層和交換中斷層的垂直記 錄介質(zhì)
[0001] 相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002] 本申請(qǐng)要求 2013 年 4 月 4 日提交的題為 "PERPENDICULARRECORDING MEDIA WITH NEW GRAIN ISOLATION INITIATIONLAYER AND/OR EXCHANGE BREAKING LAYER FOR SIGNAL T0N0ISE RATIO ENHANCEMENT (具有信噪比增強(qiáng)的新的晶粒隔離初始層和/或交換中斷層的 垂直記錄介質(zhì))"的美國臨時(shí)專利申請(qǐng)No. 61/808561的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其全部內(nèi)容通過引用 合并于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003] 本發(fā)明的各種方面涉及磁記錄介質(zhì)，并且更具體地，涉及垂直磁記錄（PMR)介質(zhì)的 晶粒隔離初始層和交換中斷層。

【背景技術(shù)】
[0004] 垂直磁記錄（PMR)介質(zhì)已經(jīng)被用于增加磁存儲(chǔ)介質(zhì)的面記錄密度。PMR介質(zhì)堆棧 通常包括(按順序）基板、反鐵磁性耦合的軟磁墊層（AFC-SUL)、籽晶層、中間層、晶粒隔離初 始層（grain isolation initiation layer,GIIL)和磁性層堆棧。磁性層堆棧包括由若干交 換中斷層（EBL)或交換控制層（ECL)分隔的若干磁性層。GIIL能夠增強(qiáng)磁性層的磁解耦， 并且EBL有助于降低PMR介質(zhì)堆棧整體的矯頑力（He)和飽和場（Hs)。磁性層的晶粒間磁 耦合的降低是可取的，這是因?yàn)槠淠軌蚋纳芇MR介質(zhì)堆棧的信噪比（SNR)。


【發(fā)明內(nèi)容】


【專利附圖】

【附圖說明】
[0005] 圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的具有提供改善的信噪比（SNR)的CoCrRu氧化物 GIIL的垂直磁記錄（PMR)介質(zhì)堆棧的示意圖。
[0006] 圖2是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括具有改善的晶粒隔離的CoCrRu氧化物交換 中斷層（EBL)的PMR介質(zhì)堆棧的示意圖。
[0007] 圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基于作為GIIL厚度的函數(shù)的矯頑力，對(duì)包括 CoCrRu氧化物GIIL的PMR介質(zhì)堆棧和包括CoCr氧化物GIIL的PMR介質(zhì)堆棧進(jìn)行比較的 曲線圖。
[0008] 圖4是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的分別包括CoCr氧化物GIIL和CoCrRu氧化物GIIL 的PMR介質(zhì)堆棧的SNR-2T相對(duì)磁寫入寬度（MWW)的比較的曲線圖。
[0009] 圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的分別包括CoCr氧化物GIIL和CoCrRu氧化物 GIIL的PMR介質(zhì)堆棧的SNR-1T相對(duì)MWW的比較的曲線圖。
[0010] 圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有CoCr氧化物GIIL的PMR介質(zhì)堆棧與具有 CoCrRu氧化物GIIL的PMR介質(zhì)堆棧之間的反向重寫（0W2)相對(duì)MWW的比較的曲線圖。
[0011] 圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有CoCr氧化物GIIL的PMR介質(zhì)堆棧與具有 CoCrRu氧化物GIIL的PMR介質(zhì)堆棧之間的磁道上的加權(quán)總和SNR (wsSNR_init)相對(duì)相鄰 磁道wsSNR (wsSNR_final)的比較的曲線圖。
[0012] 圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有CoCr氧化物EBL的PMR介質(zhì)堆棧與具有 CoCrRu氧化物EBL的PMR介質(zhì)堆棧之間的wsSNR_init相對(duì)MWW的比較的曲線圖。
[0013] 圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有CoCr氧化物EBL的介質(zhì)堆棧和具有 CoCrRu氧化物EBL的PMR介質(zhì)堆棧的wsSNR_f inal相對(duì)MWW的比較的曲線圖。
[0014] 圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有CoCr氧化物EBL的PMR介質(zhì)堆棧與具有 CoCrRu氧化物EBL的PMR介質(zhì)堆棧之間的飽和場相對(duì)矯頑力的比較的曲線圖。
[0015] 圖11是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有CoCr氧化物EBL的PMR介質(zhì)堆棧與具有 CoCrRu氧化物EBL的PMR介質(zhì)堆棧的0W2相對(duì)MWW的比較的曲線圖。
[0016] 圖12是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括PMR介質(zhì)堆棧的硬盤驅(qū)動(dòng)器的概念性視圖。
[0017] 圖13示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造具有CoCrRu氧化物GIIL的垂直磁記錄介 質(zhì)堆棧的方法流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0018] 磁性層的晶粒間磁耦合的降低對(duì)于改善垂直磁記錄（PMR)介質(zhì)的信噪比（SNR)是 關(guān)鍵挑戰(zhàn)。在本發(fā)明的各種方面，提供了具有改善的SNR的交換耦合的復(fù)合介質(zhì)（exchange coupled composite media，ECC)的PMR介質(zhì)堆棧及其制造方法。
[0019] ECC的垂直磁記錄（PMR)介質(zhì)堆棧通常包括若干軟磁墊層（SUL)、中間墊層（IL) 以及若干磁性層。為了實(shí)現(xiàn)PMR介質(zhì)的更高面密度，通常期望改善PMR介質(zhì)的SNR和寫能 力。對(duì)于SNR的改善，期望磁性層的晶粒具有小的晶粒尺寸、窄的尺寸分布以及磁性層的晶 粒被良好磁性解耦也是期望的。另一方面，期望磁性層的磁晶粒具有維持熱穩(wěn)定性的適當(dāng) 高的磁各向異性（Ku)。磁性層可以包括CoPtX氧化物合金(例如，其中X是Cr，Ru，或B，而 氧化物是Ti0 2, Si02, Cr203, B203等)。使用CoPtX氧化物合金，能夠通過減少非磁性元素(例 如Cr、Ru或氧化物）實(shí)現(xiàn)高Ku ;但是在這樣做時(shí)，磁晶粒的磁耦合也增加，這會(huì)導(dǎo)致不期望 的SNR。改善PMR介質(zhì)的SNR的一個(gè)解決方案是使用非磁性CoCr氧化物晶粒隔離初始層 (GIIL)克服或降低高Ku磁性層的磁耦合。CoCr氧化物GIIL通常安置在PMR介質(zhì)堆棧的 磁性層下面并提供具有厚的氧化物晶界的良好隔離的晶粒。因此，PMR介質(zhì)可以包括控制 和改善磁晶粒隔離的CoCr氧化物GIIL，這是因?yàn)楦逰u材料在磁晶粒之間通常具有強(qiáng)的晶 粒間耦合。
[0020] 在本公開的各種方面，CoCrRu氧化物GIIL可被用于代替PMR介質(zhì)堆棧中的CoCr 氧化物GIIL。CoCrRu氧化物GIIL可以有效改善磁性層的晶粒隔離，增加矯頑力（Hc)，并且 還極大降低包括CoCrRu氧化物GIIL的磁介質(zhì)的噪聲。在其他方面，CoCrRu氧化物還能夠 用在交換中斷層（EBL)，這是因?yàn)镃oCrRu氧化物具有期望的交換中斷特性以及隔離增強(qiáng)特 性。
[0021] 在本公開的各個(gè)方面，新穎的GIIL可以包括CoCrRu氧化物合金(例如，其中氧 化物是約10到25原子百分比的Ti02, Ru為約10到40原子百分比)。GIIL中Ru的存 在能夠使得Co大體上是非磁性的，因此，如果元素 （Ru)的量超過磁轉(zhuǎn)變成分（magnetic transitioncomposition)，Co可以被用作非磁性中間層。在一個(gè)實(shí)施例中，元素 Ru在Co 基質(zhì)中是完全固體可溶的，并且是很強(qiáng)的六角密排（HCP)相穩(wěn)定劑。然而，在CoCr氧化物 GIIL中，Cr很容易使第二相超過特定點(diǎn)，這是因?yàn)镃r是體心立方（BCC)相穩(wěn)定劑。
[0022] 圖1示出根據(jù)本公開的實(shí)施例的具有提供改善的信噪比（SNR)的CoCrRu氧化物 GIIL的PMR介質(zhì)堆棧100的示意圖。由CoCrRu氧化物GIIL提供的隔離增強(qiáng)轉(zhuǎn)換為PMR介 質(zhì)堆棧100的更高矯頑力（He)和改善的磁道上的加權(quán)總和SNR (wsSNR_init)和毗鄰磁道 wsSNR (wsSNR_final)性能。PMR介質(zhì)堆棧100包括基板102 (例如，Al-Mg或玻璃)、反鐵磁 性耦合的軟磁墊層（AFC-SUL) 104、籽晶層106 (例如，NiWAlFe籽晶層）、雙Ru中間層（IL) 108、CoCrRu氧化物GIIL110 (例如，氧化物是約10到25原子百分比的Ti02，而Ru為約10 到40原子百分比)、若干磁性層112 (例如，Magl，Mag2,以及Mag3)、覆蓋層（114)以及碳涂 層（C0C)116。磁性層112被若干EBU118)分隔。在各種實(shí)施例中，磁性層可以包括CoPtX 氧化物合金，其中X選自包括Cr、Ru和B的組，而氧化物選自包括Ti02、Si02、Cr20 3和B203 的組。若干示例性材料在本文陳述。不過在其他實(shí)施例中，其他合適的材料也可以使用，包 括，例如，本領(lǐng)域已知的材料。
[0023] 在一個(gè)實(shí)施例中，PMR介質(zhì)堆?？梢允墙粨Q耦合的復(fù)合介質(zhì)。在一個(gè)實(shí)施例中，磁 性層可以包括若干磁性層(例如，磁性層112)，并且EBL可以包括若干EBL (例如，EBL118)。 磁性層和EBL可以交替排列。在一個(gè)實(shí)施例中，EBL可以包括CoCrRu氧化物。在一個(gè)實(shí)施 例中，GIIL可以包括選自包含CoCrRu氧化物和CoCr氧化物的組中的材料。在一個(gè)實(shí)施例 中，EBL可以包括若干EBL，并且所述EBL中的兩個(gè)可以包括不同的材料。在一個(gè)實(shí)施例中， 所述EBL可以包括約10到25原子百分比的Ti0 2和約10到40原子百分比的Ru。
[0024] 在PMR介質(zhì)堆棧100中，Co具有六角密排（HCP)結(jié)構(gòu)，而Ru也具有更大原子直徑 的HCP結(jié)構(gòu)。摻雜在GIIL中的Ru能夠形成具有更大晶格常數(shù)的Co-Cr-Ru置換固溶體。因 此，CoCrRu氧化物GIIL可以充當(dāng)緩沖層的作用，以最小化或降低由晶格常數(shù)不匹配誘發(fā)的 應(yīng)力，這是因?yàn)镽u的原子尺寸大于Co和Cr的原子尺寸，Co和Cr的原子尺寸更接近Ru IL 的原子尺寸。因此，晶格不匹配可以由CoCrRu氧化物GIIL中的Ru的量控制和降低。
[0025] 在圖1中，磁性層112 (例如，Magl，Mag2,以及Mag3)被若干EBL118分隔。通過 大量降低介質(zhì)堆棧的矯頑力（He)和飽和場（Hs)，EBL118有助于改善PMR介質(zhì)堆棧100在 記錄過程期間的寫入能力。EBL118可以包括Co-Ru或Co-Cr氧化物合金。Ku從Magi磁性 層朝向Mag3磁性層漸變，并且Magi磁性層具有最高的Ku。因?yàn)榇判詫?12Magl到Mag3具 有高Ku并被磁耦合，所以隔離仍然是重要的。EBL118可以包括用作隔離助手以及EBL的 CoCr氧化物合金。
[0026] 圖2示出根據(jù)本公開的一個(gè)方面的包括含有改善晶粒隔離的CoCrRu氧化物的EBL 的PMR介質(zhì)堆棧200的示意圖。PMR介質(zhì)堆棧200包括，從基層或底層開始，基板202 (例 如，Al-Mg或玻璃)、反鐵磁性耦合的軟磁墊層（AFC-SUU204、籽晶層206 (例如，NiWAlFe籽 晶層)、雙Ru中間層（IL) 208, CoCrRu氧化物GIIL210 (例如，氧化物是約10到25原子百 分比的Ti02，Ru原子百分比約為10到40)、若干磁性層212 (例如，Magl，Mag2,以及Mag3)、 覆蓋層（214)以及碳涂層（C0C)216。磁性層212被若干EBL218和219分隔。EBL218包括 CoCrRu氧化物，而EBL219可以是不同于EBL218的材料。例如，EBL219可以包括CoRu或本 領(lǐng)域已知的其他合適材料。若干示例性材料在本文陳述。然而，在其他實(shí)施例中，其他合適 材料也可以使用，包括，例如，本領(lǐng)域已知的材料。
[0027] 圖3根據(jù)作為GIIL厚度（nm)的函數(shù)的矯頑力（He),示出包括CoCrRu氧化物GIIL (例如，GIIL110)的PMR介質(zhì)堆棧與包括CoCr氧化物GIIL的PMR介質(zhì)堆棧的比較的曲線 圖。對(duì)于這個(gè)比較,兩種介質(zhì)堆棧均包括7nm的單磁性層(例如，圖1中的Magi)和相同的 IL，以比較隔離效果。在圖3中，水平軸線和GIIL厚度（nm)相對(duì)應(yīng)，而垂直軸線和矯頑力 (〇e)相對(duì)應(yīng)。CoCr氧化物GIIL的曲線300和CoCrRu氧化物GIIL的曲線302均顯示類似 的He趨勢。對(duì)于每個(gè)GIIL，其He隨著厚度初始增加，直到其達(dá)到最大Hc304。這個(gè)初始He 增加是由于借助GIIL的改善的隔離。超出最大Hc304的厚度之后，兩種GIIL的He均開始 減少。He下降能夠被解釋為隔離效果在最大He處飽和，并且子晶粒開始在所述磁性層中形 成。CoCr氧化物GIIL與CoCrRu氧化物GIIL之間的He的差異在圖3中示出。CoCrRu氧 化物GIIL的最大He比CoCr氧化物GIIL的最大He高大約300到4000e，這是因?yàn)镃oCrRu 可以向上述生長的磁性層提供更好的隔離效果。
[0028] 圖4示出分別包括CoCr氧化物GIIL和CoCrRu氧化物GIIL (例如，GIIL110或 210)的PMR介質(zhì)堆棧的SNR-2T相對(duì)磁寫入寬度（MWW)的比較的曲線圖。圖5示出分別包括 CoCr氧化物GIIL和CoCrRu氧化物GIIL(例如，GIIL110或210)的PMR介質(zhì)堆棧的SNR-1T 相對(duì)MWW的比較的曲線圖。磁性層的改善的晶粒隔離可以通過檢查高頻SNR示出，這是因 為更好的晶粒隔離改善2T和1T頻率上的高頻SNR，其中1T是磁介質(zhì)堆棧的最高頻的周期。
[0029] 在圖4中，水平軸線和微英寸的MWW相對(duì)應(yīng)，而垂直軸線和SNR-T2相對(duì)應(yīng)。在圖 5中，水平軸線和微英寸的MWW相對(duì)應(yīng)，而垂直軸線和SNR-T1相對(duì)應(yīng)。在圖4和5中，對(duì)應(yīng) 于CoCrRu氧化物GIIL的數(shù)據(jù)由方形符號(hào)400表示，而對(duì)應(yīng)于CoCr氧化物GIIL的數(shù)據(jù)由 菱形符號(hào)402表不。如圖4和5所不，對(duì)于給定的MWW (例如，在大約2. 65與2. 70微英寸 之間)，具有CoCrRu氧化物GIIL層的介質(zhì)堆棧改善其SNR-2T約0. 2dB，以及改善其SNR-1T 約 0· 4dB。
[0030] 圖6示出具有CoCr氧化物GIIL的PMR介質(zhì)堆棧與具有CoCrRu氧化物GIIL (例 如，GIIL110或210)的PMR介質(zhì)堆棧之間的反向重寫（0W2)相對(duì)磁寫入寬度（MWW)的比較 的曲線圖。在圖6中，水平軸線和MWW (微英寸）相對(duì)應(yīng)，而垂直軸線和0W2 (dB)相對(duì)應(yīng)。 對(duì)應(yīng)于CoCr氧化物GIIL的數(shù)據(jù)由方形符號(hào)500表示，而對(duì)應(yīng)于CoCrRu氧化物GIIL的數(shù) 據(jù)由菱形符號(hào)502表示。通常，更強(qiáng)磁解耦的PMR介質(zhì)堆棧具有相對(duì)差的0W2。然而，圖6 示出具有CoCrRu氧化物GIIL的PMR介質(zhì)堆棧具有與具有CoCr氧化物GIIL的PMR介質(zhì)堆 棧有可比性的0W2。
[0031] 圖7示出具有CoCr氧化物GIIL的PMR介質(zhì)堆棧與具有CoCrRu氧化物GIIL (例 如，GIIL110或210)的PMR介質(zhì)堆棧之間的磁道上加權(quán)總和SNR (wsSNR_init)相對(duì)毗鄰 磁道wsSNR (wsSNR_final)的比較的曲線圖。在圖7中，水平軸線和wsSNR_init (dB)相 對(duì)應(yīng)，而垂直軸線和wsSNR_final (dB)相對(duì)應(yīng)。如圖7所示，具有CoCrRu氧化物GIIL的 PMR介質(zhì)堆棧不出wsSNR_init以及wsSNR_final約0· 2dB的改善。
[0032] 圖8示出具有CoCr氧化物EBL的PMR介質(zhì)堆棧與具有CoCrRu氧化物EBL(例如， EBL218)的PMR介質(zhì)堆棧之間的wsSNR_init相對(duì)MWW的比較的曲線圖。圖9示出具有CoCr 氧化物EBL的介質(zhì)堆棧和具有CoCrRu氧化物EBL(例如，EBL218)的PMR介質(zhì)堆棧的wsSNR_ final相對(duì)MWW的比較的曲線圖。在圖8和圖9中，對(duì)應(yīng)于CoCrRu氧化物EBL的數(shù)據(jù)由菱 形符號(hào)600表不，而對(duì)應(yīng)于CoCr氧化物EBL的數(shù)據(jù)由方形符號(hào)602表不。在圖8和9中， 水平軸線和MWW (微英寸）相對(duì)應(yīng)。在圖8中，垂直軸線和wsSNR_init (dB)相對(duì)應(yīng)。在圖 9中，垂直軸線和wsSNR_final (dB)相對(duì)應(yīng)。與CoCr氧化物EBL相比，具有CoCrRu氧化物 EBL的介質(zhì)堆棧不出wsSNR_init和wsSNR_final均具有約0. ldB的改善。
[0033] 圖10示出具有CoCr氧化物EBL的PMR介質(zhì)堆棧與具有CoCrRu氧化物EBL (例 如，EBL218)的PMR介質(zhì)堆棧之間的Hs相對(duì)He的比較的曲線圖。圖11示出具有CoCr氧 化物EBL的PMR介質(zhì)堆棧和具有CoCrRu氧化物EBL (例如，EBL218)的PMR介質(zhì)堆棧的0W2 相對(duì)MWW的比較的曲線圖。在圖10和11中，對(duì)應(yīng)于CoCrRu氧化物EBL的數(shù)據(jù)由菱形符號(hào) 700表示，而對(duì)應(yīng)于CoCr氧化物EBL的數(shù)據(jù)由方形符號(hào)702表示。在圖10中，水平軸線和 He (0e)相對(duì)應(yīng)，而垂直軸線和Hs (0e)相對(duì)應(yīng)。在圖11中，水平軸線和MWW (微英寸）相 對(duì)應(yīng)，而垂直軸線和0W2 (dB)相對(duì)應(yīng)。如圖10所示，對(duì)于給定的He，具有CoCrRu氧化物 EBL的PMR介質(zhì)堆棧的Hs更高，因?yàn)檫@種介質(zhì)更加磁解耦。由于增加的Hs，如圖11所示， 具有CoCrRu氧化物EBL的PMR介質(zhì)堆棧的0W2受影響(增力卩）約0. 5dB。
[0034] 圖12示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括PMR介質(zhì)堆棧的硬盤驅(qū)動(dòng)器800的概念圖。磁 盤驅(qū)動(dòng)器900可以包括存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的磁盤902。磁盤902可以包括類似于PMR介質(zhì)堆棧200 或300的PMR介質(zhì)堆棧。磁盤902駐留在安裝到磁盤外殼906的主軸組件904上。數(shù)據(jù)可 以沿磁盤902的磁記錄層中的磁道存儲(chǔ)。磁盤驅(qū)動(dòng)器900還包括主軸電機(jī)(未示出），其旋轉(zhuǎn) 主軸組件904,由此，旋轉(zhuǎn)磁盤902從而沿預(yù)期磁盤磁道在具體位置處安置讀/寫磁頭912。 相對(duì)于磁盤902的讀/寫磁頭912的位置可以由位置控制電路914控制。為清楚起見，在 本領(lǐng)域是已知并且對(duì)理解本發(fā)明是不必要的磁盤驅(qū)動(dòng)器900的組件被省略。
[0035] 圖13示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例制造垂直磁記錄介質(zhì)堆棧的方法1000的流程圖。 在步驟1002中，軟墊層(例如，墊層104或204)在基板(例如，基板102或202)上形成。在 步驟1004中，隔層(例如，隔層108或208)在軟墊層上形成和安置。在步驟1006中，晶粒隔 離初始層(例如，GIIL110或210)在隔層上形成和安置。在一個(gè)方面，GIIL包括CoCrRu氧 化物。在步驟1008中，磁性層(例如，Maglll2或212)在GIIL上形成和安置。在步驟1008 中，交換中斷層(例如，EBL118或218)在磁性層上形成和安置。
[0036] 在若干實(shí)施例中，層的沉積能夠通過使用各種沉積子工藝執(zhí)行，該沉積子工藝包 括，但不限于，物理氣相沉積（PVD)、濺射沉積和離子束沉積以及化學(xué)氣相沉積（CVD)，所述 化學(xué)氣相沉積（CVD)包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD)、低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD) 以及原子層化學(xué)氣相沉積（ALCVD)。在其他實(shí)施例中，本領(lǐng)域已知的其他合適沉積技術(shù)也可 以使用。
[0037] 本領(lǐng)域中的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，考慮本發(fā)明，雖然本文參考磁記錄介質(zhì)、磁盤或含 有磁頭的晶片討論了各種示例性制造方法，但是所述方法(有一些修改或沒有修改）可被用 于制造其他類型記錄盤，例如光學(xué)記錄盤，如光盤（CD)和數(shù)字多功能盤（DVD)，或磁光記錄 盤或鐵電數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件。
[0038] 雖然上述【具體實(shí)施方式】包括本發(fā)明的許多具體實(shí)施例，但是，這些不應(yīng)當(dāng)被解釋 為限制本發(fā)明的范圍，而僅僅作為具體實(shí)施例的例子。因此，本發(fā)明的范圍不是由所示實(shí)施 例確定，而是由所附權(quán)利要求及其等同體確定。
[0039] 上述各種特征和過程彼此可以單獨(dú)使用，或可以以各種方式組合。所有可能的組 合和子組合應(yīng)落入本公開的范圍內(nèi)。此外，在一些實(shí)施中，特定方法、事件、狀態(tài)或過程塊可 以被省略。本文所述的方法和過程也不限于任何特定順序，并且與此有關(guān)的塊或狀態(tài)能夠 以其他適當(dāng)?shù)捻樞驁?zhí)行。例如，所述任務(wù)或事件可以以不同于具體公開的次序執(zhí)行，或多個(gè) 任務(wù)或事件可以被合并在單個(gè)塊或狀態(tài)中。示例任務(wù)或事件可以順序執(zhí)行、并行執(zhí)行或以 一些其他合適的方式執(zhí)行。任務(wù)或事件可以添加到所公開的示例性實(shí)施例中或從所公開的 示例性實(shí)施例中移走。本文所述的示例性系統(tǒng)和組件可以不同于所描述的配置而被配置。 例如，與所公開的示例性實(shí)施例相比，可以添力卩、移除或重新排列元素。
【權(quán)利要求】
1. 一種垂直磁記錄介質(zhì)堆棧，即PMR介質(zhì)堆棧，其包括： 基板； 所述基板上的軟墊層； 安置在所述軟墊層上的隔層； 安置在所述隔層上的晶粒隔離初始層，即GIIL，所述GIIL包括CoCrRu氧化物； 安置在所述GIIL上的磁性層；和 安置在所述磁性層上的交換中斷層，即EBL。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMR介質(zhì)堆棧，其中所述PMR介質(zhì)堆棧是交換耦合的復(fù)合介 質(zhì)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMR介質(zhì)堆棧，其中所述GIIL包括約10到25原子百分比的 Ti02和約10到40原子百分比的Ru。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMR介質(zhì)堆棧，其中所述磁性層包括CoPtX氧化物合金，其中 X選自包括Cr、Ru和B的組，而所述氧化物選自包括Ti02、Si02、Cr20 3和B203的組。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMR介質(zhì)堆棧，其中所述隔層包括Ru。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMR介質(zhì)堆棧，其中所述基板包括選自包含Al-Mg和玻璃的 組中的材料。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMR介質(zhì)堆棧，其中所述軟墊層包括反鐵磁性耦合的軟磁墊 層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMR介質(zhì)堆棧，其中所述磁性層包括多個(gè)磁性層，并且所述 EBL包括多個(gè)EBL，所述磁性層和所述EBL交替排列。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMR介質(zhì)堆棧，其中所述EBL包括CoCrRu氧化物。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMR介質(zhì)堆棧，其中所述EBL包括CoCrRu氧化物，并且其中 所述GIIL包括選自包含CoCrRu氧化物和CoCr氧化物的組中的材料。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的PMR介質(zhì)堆棧，其中所述EBL包括多個(gè)EBL，其中所述多個(gè) EBL中的兩個(gè)包括不同的材料。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的PMR介質(zhì)堆棧，其中所述多個(gè)EBL的第一 EBL包括所述 CoCrRu氧化物，而所述多個(gè)EBL的第二EBL包括CoCr氧化物。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的PMR介質(zhì)堆棧，其中所述第一 EBL包括約10到25原子百 分比的Ti02和約10到40原子百分的Ru。
14. 一種包括權(quán)利要求1的PMR介質(zhì)堆棧的硬盤驅(qū)動(dòng)器。
15. -種制造垂直磁記錄介質(zhì)堆棧即PMR介質(zhì)堆棧的方法，所述方法包括： 在基板上形成軟墊層； 形成安置在所述軟墊層上的隔層； 形成安置在所述隔層上的晶粒隔離初始層，即GIIL，所述GIIL包括CoCrRu氧化物； 形成安置在所述GIIL上的磁性層；以及 形成安置在所述磁性層上的交換中斷層，即EBL。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述PMR介質(zhì)堆棧是交換耦合的復(fù)合介質(zhì)。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述GIIL包括約10到25原子百分比的Ti02 和約10到40原子百分比的Ru。
18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述磁性層包括CoPtX氧化物合金，其中X選自 包括Cr、Ru和B的組，而所述氧化物選自包括Ti0 2、Si02、Cr203和B20 3的組。
19. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述隔層包括Ru。
20. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述基板包括選自包含Al-Mg和玻璃的組中的 材料。
21. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述軟墊層包括反鐵磁性耦合的軟磁墊層。
22. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中形成所述磁性層包括形成多個(gè)磁性層；并且其 中形成所述EBL包括形成多個(gè)EBL，所述磁性層和EBL交替排列。
23. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述EBL包括CoCrRu氧化物。
24. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述EBL包括CoCrRu氧化物，并且其中所述 GIIL包括選自包含CoCrRu氧化物和CoCr氧化物的組中的材料。
25. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中形成所述EBL包括形成多個(gè)EBL，其中所述多個(gè) EBL中的兩個(gè)包括不同的材料。
26. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中所述多個(gè)EBL的第一 EBL包括CoCrRu氧化物， 而所述多個(gè)EBL的第二EBL包括CoCr氧化物。
27. 根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中所述第一EBL包括約10到25原子百分比的Ti02 和約10到40原子百分比的Ru。
【文檔編號(hào)】G11B5/66GK104103291SQ201410135751
【公開日】2014年10月15日 申請(qǐng)日期:2014年4月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月4日
【發(fā)明者】D·洪, S·烏, K·康, B·R·阿查亞 申請(qǐng)人:西部數(shù)據(jù)傳媒公司