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      波導熒光數(shù)據(jù)存儲器、制作方法與數(shù)據(jù)讀取方法

      文檔序號:6766876閱讀:214來源:國知局
      波導熒光數(shù)據(jù)存儲器、制作方法與數(shù)據(jù)讀取方法
      【專利摘要】本發(fā)明屬于光信息存儲技術,具體涉及利用多層平面熒光光波導結(jié)構(gòu)實現(xiàn)數(shù)據(jù)信息的三維記錄和讀取。多層波導熒光數(shù)據(jù)存儲器的制作是首先通過在芯層表面上刻印凹坑、將熒光材料填充到刻印好的凹坑內(nèi);然后將各個包層和芯層依次交錯疊合,組合成一個整體,并保證最外兩層是包層。該存儲器通過芯層上的有凹坑并填充有熒光材料處與沒有凹坑處區(qū)分開來,從而記錄上“0”或“1”的信號。將尋址光束從波導的側(cè)面耦合到要讀取的存儲單元并在芯層的上下兩個交界面上發(fā)生全反射,激發(fā)作為信息符的熒光材料發(fā)出熒光,這樣就會在黑暗的背景上顯示出發(fā)光的數(shù)據(jù)點,該層數(shù)據(jù)通過光學系統(tǒng)呈像,且進一步轉(zhuǎn)換為數(shù)字量,從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)讀取。
      【專利說明】[0001] 波導熒光數(shù)據(jù)存儲器、制作方法與數(shù)據(jù)讀取方法

      【技術領域】
      [0002] 本發(fā)明屬于光信息存儲技術,具體涉及利用多層平面熒光光波導結(jié)構(gòu)實現(xiàn)數(shù)據(jù)信 息的三維記錄和讀取。
      [0003]

      【背景技術】
      [0004] 將信息存儲下來的技術。其基本物理原理是:存儲介質(zhì)受到激光照射后,介質(zhì)的某 種性質(zhì)(如反射率、反射光極化方向等)發(fā)生改變,介質(zhì)性質(zhì)的不同狀態(tài)映射為不同的存儲 數(shù)據(jù),存儲數(shù)據(jù)的讀出則通過識別存儲單元性質(zhì)的變化來實現(xiàn)。
      [0005] 目前得到廣泛應用的CD光盤、DVD光盤等光存儲介質(zhì)以二進制數(shù)據(jù)的形式來存儲 信息。信息寫入過程中,將編碼后的數(shù)據(jù)送入光調(diào)制器,使激光源輸出強度不同的光束。調(diào) 制后的激光束通過光路系統(tǒng),經(jīng)物鏡聚焦照射到介質(zhì)上。存儲介質(zhì)經(jīng)激光照射后被燒蝕出 小凹坑,所以在存儲介質(zhì)上存在被燒蝕和未燒蝕兩種不同的狀態(tài),分別對應兩種不同的二 進制狀態(tài)〇或1。讀取信息時,激光掃描介質(zhì),在凹坑處入射光不返回,無凹坑處入射光大部 分返回。根據(jù)光束反射能力的不同,將存儲介質(zhì)上的二進制信息讀出,再將這些二進制代碼 解碼為原始信息。

      【權(quán)利要求】
      1. 波導熒光數(shù)據(jù)存儲器,其特征在于,包括有至少一層波導,所述的波導的結(jié)構(gòu)是:中 間層為芯層,在芯層的兩側(cè)為包層,芯層上設置有凹坑,凹坑內(nèi)填充有熒光材料;芯層的材 料的折射率大于包層的材料的折射率。
      2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的波導熒光數(shù)據(jù)存儲器,其特征在于:所述的波導為兩層以上, 每層波導層疊排列。
      3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的波導熒光數(shù)據(jù)存儲器,其特征在于:所述的熒光材料是 [Eu3 (MFDA) 4 (N03) (DMF)3]n〇
      4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的波導熒光數(shù)據(jù)存儲器,其特征在于:所述的芯層的材料是聚 甲基丙烯酸甲酯。
      5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的波導熒光數(shù)據(jù)存儲器,其特征在于:所述的包層的材料是聚 二甲基硅氧烷。
      6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的波導熒光數(shù)據(jù)存儲器,其特征在于:所述的凹坑在芯層上呈 點陣狀排布。
      7. 權(quán)利要求1所述的波導熒光數(shù)據(jù)存儲器的制造方法,包括如下步驟:第一步,通過激 光光刻在芯層材料上刻印上凹坑;第二步,將熒光材料填充到刻印好的凹坑內(nèi);第三步,將 包層材料疊合于芯層的兩側(cè),并固定;第四步,采用膠水粘合的方法使多個波導疊合組成完 整的多層波導熒光數(shù)據(jù)存儲器。
      8. 基于權(quán)利要求1所述的波導熒光數(shù)據(jù)存儲器的數(shù)據(jù)讀取方法,其特征在于,包括如 下步驟:將光束從波導的側(cè)面射入芯層,光束在芯層上的入射角小于芯層與包層界面處的 最大入射角,使熒光材料激發(fā)出熒光;通過獲取熒光材料的發(fā)光點陣,得到存儲的信息。
      9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的波導熒光數(shù)據(jù)存儲器的數(shù)據(jù)讀取方法,其特征在于:光束對 一層波層進行照射并獲取到發(fā)光點陣信息之后,光束移動至另外一層,重復上述步驟。
      【文檔編號】G11B7/26GK104091604SQ201410295733
      【公開日】2014年10月8日 申請日期:2014年6月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月26日
      【發(fā)明者】周馨慧, 儀明東, 辛菊盛, 李奧, 楊濤, 黃維 申請人:南京郵電大學
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