本發(fā)明的領(lǐng)域總體上涉及電子領(lǐng)域，并且更具體地涉及具有基于存儲單元線路電阻的位線驅(qū)動強(qiáng)度的磁存儲器寫入電路系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

圖1示出了用于在半導(dǎo)體芯片上實(shí)現(xiàn)的隨機(jī)存取存儲器的體系結(jié)構(gòu)100的圖示。如在圖1a中所觀察到的，存儲器體系結(jié)構(gòu)100包括各個存儲單元102的多個“切片”101，所述切片中的每一個存儲特定位線103的位信息。存儲器包括多個(n個)這種切片，所述切片等于從存儲器中讀取/寫入存儲器中的字的位寬度。在讀取或?qū)懭氩僮髌陂g，每個切片中的一個相同位置的存儲單元被激活。在讀取情況下，被激活的存儲單元提供其相應(yīng)位線上的位信息。在寫入情況下，被激活的存儲單元接收其相應(yīng)位線上的位信息。

由地址解碼器104來確定：將由任何特定存儲器存取在所述切片中的每個切片中激活哪個特定相同位置存儲單元。這里，地址解碼器104接收輸入地址，并且作為響應(yīng)而激活多個字線105中的一個字線。由于每個字線跨切片中的所有切片耦合至相同位置存儲單元，因此響應(yīng)于地址而對一個字線進(jìn)行的激活針對每位進(jìn)入/流出數(shù)據(jù)字有效地使能一個存儲單元。單個存儲器芯片可以包括圖1中所觀察到的體系結(jié)構(gòu)的僅一個或多個實(shí)例。在后者的情況下，地址解碼過程可以包括激活和/或去激活存儲器的符合圖1的體系結(jié)構(gòu)的整個部分。典型地，字線維度被稱為“行(row)”，并且位線維度被稱為“列(column)”。

附圖說明

本發(fā)明是通過示例說明的，而不僅局限于各個附圖的圖示，在附圖中，相同的參考標(biāo)號表示類似的元件，其中：

圖1示出了用于隨機(jī)存取存儲器的體系結(jié)構(gòu)；

圖2a示出了存儲單元體(storagecellbank)切片；

圖2b示出了存儲單元體切片；

圖3圖解示出了圖2a和圖2b的存儲單元體切片的操作；

圖4示出了改進(jìn)的存儲單元體切片；

圖5圖解示出了圖4的改進(jìn)的存儲單元體切片的操作；

圖6示出了用于選擇圖4的改進(jìn)的存儲單元體切片的驅(qū)動晶體管的電路系統(tǒng)；

圖7示出了由圖4的改進(jìn)的存儲單元體切片執(zhí)行的方法；

圖8示出了計算系統(tǒng)。

具體實(shí)施方式

圖2a示出了用于切片201的實(shí)施例，所述切片的存儲單元202包括非易失性存儲單元，如自旋轉(zhuǎn)移力矩隨機(jī)存取存儲器(stt-mram)單元或磁隧道結(jié)(mtj)隨機(jī)存取存儲器單元。如本領(lǐng)域已知的，磁存儲單元基于保持在存儲單元內(nèi)的磁化方向(例如，與1相對應(yīng)的第一磁化方向和與0相對應(yīng)的第二磁化方向)來存儲位信息。在一般方法中，單元的電阻根據(jù)其磁化方向變化。由此，可以通過向單元兩端施加電壓并且感測流過所述單元的電流量(或者驅(qū)動通過所述單元的電流并感測其兩端的電壓)來判定存儲單元保持為0還是1。

圖2a的實(shí)施例示出了切片的寫入電路系統(tǒng)(也就是說，為簡單起見，數(shù)據(jù)讀取感測電路系統(tǒng)未示出)。如圖2a中所觀察到的，切片包括m個存儲單元202_0到202_m-1。由于存在攜帶具有相反極性的數(shù)據(jù)值的一對位線203_1、203_2，因此位線是差分的。如將從以下描述中清楚，將“1”還是“0”寫入存儲單元取決于驅(qū)動通過存儲單元的電流的方向。

在將1寫入特定存儲單元中的情況下，首先，激活所述存儲單元的字線，所述字線接通存儲單元的相應(yīng)存取晶體管206(相應(yīng)字線在圖2a中被標(biāo)記為wl_0到wl_m-1)。沒有激活其他存儲單元的字線，這使它們相應(yīng)的存取晶體管206斷開。兩個傳輸門組213、214也被使能。然后將對應(yīng)于“1”的電壓電平施加到寫入數(shù)據(jù)(wrdata)輸入端207，并且寫入數(shù)據(jù)使能線路208被激活。作為響應(yīng)，drvr_1和q2晶體管接通，并且drvr_2和q1晶體管斷開。四個晶體管組的這種接通/斷開狀態(tài)使“1”電壓電平呈現(xiàn)在寫入數(shù)據(jù)位線203_1上，并且“0”電壓電平呈現(xiàn)在/寫入數(shù)據(jù)位線203_2上。通過這些電壓設(shè)置，如圖2a中所觀察到的，電流被垂直地驅(qū)動“向上”通過被使能的存儲單元。

相比而言，在將0寫入特定存儲單元中的情況下，首先，激活所述存儲單元的字線，所述字線接通存儲單元的相應(yīng)存取晶體管。然后將對應(yīng)于“0”的電壓電平施加到寫入數(shù)據(jù)(wrdata)輸入端207，并且寫入數(shù)據(jù)使能線路208被激活。作為響應(yīng)，drvr_2和q1晶體管接通，并且drvr_1和q2晶體管斷開，這反過來將“1”電壓電平呈現(xiàn)在/寫入數(shù)據(jù)位線203_2上并且將“0”電壓電平呈現(xiàn)在寫入數(shù)據(jù)位線203_1上。通過這些電壓設(shè)置，如圖2a中所觀察到的，電流被垂直地驅(qū)動“向下”通過使能的存儲單元。

當(dāng)將0寫入單元中時，圖2a的切片的操作問題是存儲單元之間的位線跡線的電阻的影響。參照圖2b，存儲單元之間的電阻被示出為集總元件特征215_b、215_t。在將0寫入單元中的情況下，注意存儲單元體的相反端的存儲單元的存取晶體管之外的電阻路徑的差異。具體地，耦合至字線wl-m-1的存儲單元不具有跟隨其存取晶體管的集總元件電阻，而耦合至字線wl-0的存儲單元具有跟隨其存取晶體管的m-1個集總元件電阻。后一種情況通過沿著電流路徑216容易看到。

由此，在通過wl-m-1存儲單元寫入0期間，相應(yīng)存取晶體管具有非常小的電阻來進(jìn)行驅(qū)動。相比而言，在通過wl-0存儲單元寫入0期間，相應(yīng)存取晶體管具有大量電阻來進(jìn)行驅(qū)動。由于所述大量電阻，因此wl-0存取晶體管的接通電壓可以被減小(因?yàn)榭绺蟮呢?fù)載電阻存在的更大的電壓)，所述接通電壓反過來減小其跨導(dǎo)。存取晶體管跨導(dǎo)的降低與當(dāng)寫入到wl_0存儲單元時在寫入0期間提供沿著/數(shù)據(jù)位線203_2的更多的電壓的需要相對應(yīng)。

圖3示出了當(dāng)存儲單元被寫入0時根據(jù)它們沿存儲單元體的位置的驅(qū)動通過的電流和施加到存儲單元兩端的電壓的曲線圖。所述曲線圖是針對具有512個存儲單元(即m＝512)的切片。實(shí)心方框與在已存在的0上寫入0相對應(yīng)?！翱招摹狈娇蚺c在已存在的1上寫入0相對應(yīng)。在需要向如以上剛討論的圖3中的wl-0位置(wl位置＝0)處的存儲單元施加更大的電壓的情況下，其存取晶體管必須驅(qū)動的大負(fù)載電阻兩端消耗大量的這種電壓。這使得，相比于切片中的其他存儲單元，最小施加電流301_c和電壓301_v通過/跨此存儲單元。然而，所述最小施加電流301_c和電壓301_v是單元進(jìn)行成功操作所需要的最小電流和電壓。

當(dāng)將同一個較大的電壓施加到在存儲單元體的另一端的wl-m-1位置(在圖3中wl位置＝511)處的存儲單元時，由于存在非常小的電阻供其存取晶體管進(jìn)行驅(qū)動，因此在所述存儲單元自身兩端大量消耗了所述電壓。如此，更高的驅(qū)動電流302_c被驅(qū)動通過存儲單元，并且更大的電壓302_v被施加到存儲單元兩端。如圖3中所標(biāo)記的，存儲單元511接收比存儲單元0多25ua的電流以及多220mv的電壓。

由此，簡而言之，當(dāng)寫入0時，施加到存儲單元的電壓和電流是存儲單元沿存儲單元體的位置的強(qiáng)函數(shù)。因?yàn)樵趯懭?的情況下，跟隨源極的電阻由mtj存儲設(shè)備控制，所以寫入1不展現(xiàn)幾乎一樣強(qiáng)的關(guān)系。施加到m-1位置的更高的電壓和電流導(dǎo)致m-1位置處的存儲單元的可靠性問題和/或更早的失敗時間。

解決方案是根據(jù)所述體內(nèi)的驅(qū)動器嘗試將0寫入其中的存儲單元的位置來“微調(diào)”驅(qū)動/寫入數(shù)據(jù)位線403_2的驅(qū)動器的強(qiáng)度。圖4示出了根據(jù)將0寫入其中的存儲單元的位置來有效地選擇驅(qū)動晶體管420_1到420_4中不同驅(qū)動晶體管的改進(jìn)的切片設(shè)計的實(shí)施例401。

如圖4的實(shí)施例中所觀察到的，當(dāng)提供足夠用來將0寫入存儲單元中的電流量時，不同驅(qū)動晶體管420_1到420_4具有不同大小以便產(chǎn)生/寫入數(shù)據(jù)位線403_2上的不同電壓電平。具體地，驅(qū)動晶體管420_1具有4x的大小，驅(qū)動晶體管420_2具有8x的大小，驅(qū)動晶體管420_3具有16x的大小并且驅(qū)動晶體管420_4具有32x的大小(其中，x是大小的基本單位，如柵極數(shù)量和/或柵極寬度)。除了大小之外，通過設(shè)計具有不同跨導(dǎo)的不同驅(qū)動晶體管(例如，通過不同摻雜密度和/或輪廓)也可以影響驅(qū)動強(qiáng)度。如本領(lǐng)域已知的，由于驅(qū)動晶體管強(qiáng)度按比例縮放大小，因此驅(qū)動晶體管420_4具有驅(qū)動晶體管420_1的驅(qū)動強(qiáng)度的大約4倍的驅(qū)動強(qiáng)度。

如此，當(dāng)驅(qū)動晶體管420_4供應(yīng)足夠用來將0寫入存儲單元中的電流量時，其兩端將存在僅可以忽略或很小的電壓降。在實(shí)施例中，當(dāng)驅(qū)動晶體管420_4向存儲單元寫入時，將向/寫入數(shù)據(jù)位線403_2提供幾乎全部電源電壓。因此，當(dāng)向具有最大線路電阻的存儲單元(例如，圖2a，b中耦合至字線wl_0的存儲單元)寫入時，使用驅(qū)動晶體管420_4。更大的電源電壓提供足夠的電壓余量以便吸收線路電阻兩端的電壓降，并且當(dāng)將0寫入存儲單元中時，還繼續(xù)維持其兩端的適當(dāng)?shù)碾妷浩谩?/p>

相比而言，當(dāng)最小驅(qū)動晶體管420-1供應(yīng)足夠用來將0寫入存儲單元中的電流量時，其兩端將存在更大的電壓降。在此，應(yīng)理解的是，更小的驅(qū)動晶體管在其被激活時基本上具有更大的漏極到源極電阻。如此，更小的驅(qū)動晶體管將比針對相同電流量和柵極電壓的更大的晶體管展現(xiàn)跨其源節(jié)點(diǎn)和端節(jié)點(diǎn)的更大的電壓降。

如此，當(dāng)晶體管420_1驅(qū)動/寫入數(shù)據(jù)位線403_2時，當(dāng)將0寫入存儲單元時，將向/寫入數(shù)據(jù)位線403_2提供明顯小于全部電源電壓的電壓電平。因此，當(dāng)向具有最小負(fù)載電阻的存儲單元(例如，圖2a，b中耦合至字線wl-m-1的存儲單元)寫入時，使用最小驅(qū)動晶體管420_1。在此，因?yàn)榇嬖诤苄?不存在線路電阻，所以不需要提供附加電壓余量。如此，當(dāng)將0寫入存儲單元中時，提供的更少的電壓足夠適當(dāng)?shù)仄么鎯卧?/p>

在實(shí)施例中，驅(qū)動晶體管drvr_1和drvr_2比驅(qū)動晶體管420_1到420_4中的任一個都大得多，從而使得其電壓降相比于晶體管420_1到420_4中的任一個兩端的電壓降而言可以忽略。在圖4的特定實(shí)施例中，驅(qū)動晶體管drvr_1和drvr_2是晶體管420_4的大小的兩倍(64xvs.32x)。

在一個實(shí)施例中，選擇晶體管420_1到420_4中單獨(dú)的一個晶體管來驅(qū)動落入沿切片的存儲單元體的存儲單元的范圍內(nèi)的存儲單元。例如，最小驅(qū)動晶體管420_1用于驅(qū)動位于具有最小線路電阻的第一位置范圍內(nèi)的存儲單元(例如，如圖2a，b中所觀察到的，位于最右邊的單元)，第二最小驅(qū)動晶體管420_2用于驅(qū)動位于具有第二最小線路電阻的第二范圍內(nèi)的存儲單元(例如，如圖2a，b中所觀察到的，位于中右邊的單元)，第二最大驅(qū)動晶體管420_3用于驅(qū)動位于具有第二最大線路電阻的第三范圍內(nèi)的存儲單元(例如，如圖2a，b中所觀察到的，位于中左邊的單元)，并且最大驅(qū)動晶體管420_4用于驅(qū)動位于具有最大線路電阻的第四范圍內(nèi)的存儲單元(例如，如圖2a，b中所觀察到的，位于最左邊的單元)。

圖5示出了改變驅(qū)動器驅(qū)動強(qiáng)度可能對施加到跨存儲單元位置的切片范圍的不同存儲單元的電壓和電流的影響的示例。在此，使用在圖3的原始數(shù)據(jù)的單數(shù)數(shù)據(jù)點(diǎn)上施加的實(shí)線503、504來描繪改進(jìn)的電路的操作。重要的是，當(dāng)寫入到具有最小線路電阻的存儲單元(圖5中的存儲單元位置511)時，僅使能最小驅(qū)動晶體管。如以上最后描述的，最小驅(qū)動晶體管僅能夠應(yīng)用降低的電源電壓502_v和相應(yīng)的降低的電源電流502_c。

如此，避免了與圖2a和圖2b的電路相關(guān)聯(lián)的可靠性問題。也就是說，由于在改進(jìn)的電路中使用更小的驅(qū)動晶體管，因此施加到具有最小線路電阻的存儲單元(圖5中的存儲單元位置511)的電壓和電流相比于針對圖2a和圖2b的原始電路系統(tǒng)中的相同位置存儲單元的原始數(shù)據(jù)點(diǎn)明顯地降低。由于最小驅(qū)動晶體管驅(qū)動遠(yuǎn)離具有最小線路電阻的存儲單元的存儲單元(即，從點(diǎn)502_c和502v沿曲線503，504移動到左邊)，因此施加到存儲單元的電壓和電流將由于越來越多的電源電壓專用于線路電阻兩端的電壓降而顯著下降。

最后，在點(diǎn)505處，將激活下一個更大驅(qū)動晶體管，所述晶體管將能夠向具有甚至更大增量的線路電阻的下一個存儲單元提供名義上更大的電源電壓。再次，由于下一個更大驅(qū)動晶體管驅(qū)動具有遞增地增加的線路電阻的存儲單元，因此施加到存儲單元的電壓和電流將下降(從點(diǎn)505沿曲線503，504向左移動)。在點(diǎn)506處，將激活下一個更大驅(qū)動晶體管，并且電路類似于以上所描述的操作直到在點(diǎn)507處激活最大驅(qū)動晶體管。在各種實(shí)施例中，由相同驅(qū)動晶體管寫入到的存儲單元的地址范圍是連續(xù)的地址范圍。

如圖5中所觀察到的，每個驅(qū)動晶體管被設(shè)計成用于至少供應(yīng)足夠用于將0寫入具有最大線路電阻量的存儲單元中的最小電壓和電流，所述存儲單元在驅(qū)動晶體管被配置成用于驅(qū)動的存儲單元的范圍內(nèi)。

每切片的驅(qū)動晶體管的數(shù)量可以根據(jù)每切片的存儲單元的數(shù)量以及假設(shè)特定驅(qū)動晶體管進(jìn)行驅(qū)動的存儲單元范圍的粒度在實(shí)施例間變化。圖6示出了選擇特定驅(qū)動晶體管的解碼電路系統(tǒng)610可以與使能不同字線的地址解碼電路系統(tǒng)604隔離開。在此，地址解碼電路系統(tǒng)604被設(shè)計成用于將特定地址減小到單數(shù)字線(每地址存在一個使能的字線)。

相比而言，基于輸入地址而使能特定驅(qū)動晶體管的解碼電路系統(tǒng)610沒有將地址減小到細(xì)小的粒度。也就是說，因?yàn)槊總€驅(qū)動晶體管被配置成用于驅(qū)動存儲單元的范圍，所以任何驅(qū)動晶體管實(shí)質(zhì)上被配置成用于針對存儲器地址范圍而被激活。如此，使能驅(qū)動晶體管的電路系統(tǒng)610激活相同輸出，以便當(dāng)存儲器地址在特定范圍內(nèi)時選擇相同驅(qū)動晶體管(存在針對多個存儲器地址的一個使能的輸出線)。

參照圖4的電路，注意的是，在各種實(shí)施例中，當(dāng)將“1”寫入存儲單元中時，僅可以使用驅(qū)動晶體管中的特定驅(qū)動晶體管(例如，最小驅(qū)動晶體管420_1)。

圖7示出了可以由如本文中所描述的存儲單元體切片執(zhí)行的方法。如圖7中所觀察到的，所述方法包括：在701處確定多個位線驅(qū)動器中的用于在對第一存儲單元進(jìn)行的第一寫入操作期間驅(qū)動位線的第一位線驅(qū)動器。所述方法還包括：在702處確定多個位線驅(qū)動器中的用于在對第二存儲單元進(jìn)行的第二寫入操作期間驅(qū)動位線的第二位線驅(qū)動器。第一存儲單元的存取晶體管在第一寫入操作期間驅(qū)動的線路電阻小于第二存儲單元的存取晶體管在第二寫入操作期間驅(qū)動的線路電阻。第二位線驅(qū)動器也強(qiáng)于第一位線驅(qū)動器。

還指出關(guān)于本文中所討論的可編程驅(qū)動器可以用于實(shí)施其他可編程驅(qū)動方案，如數(shù)據(jù)相關(guān)驅(qū)動(驅(qū)動強(qiáng)度是被寫入的數(shù)據(jù)模式的函數(shù))和/或進(jìn)程相關(guān)驅(qū)動(驅(qū)動強(qiáng)度是晶片/裸片測量參數(shù)的函數(shù))。前者可以通過在驅(qū)動器與數(shù)據(jù)總線之間耦合數(shù)據(jù)解碼器來實(shí)施(解碼器基于觀察到的輸入數(shù)據(jù)設(shè)置指定驅(qū)動強(qiáng)度)。后者可以通過將只讀電路系統(tǒng)(例如，熔絲)耦合至驅(qū)動器來實(shí)施(吹制熔絲來建立驅(qū)動器的標(biāo)稱驅(qū)動強(qiáng)度)。可以在2013年6月28日提交的題為“l(fā)owpowerwriteandreaddesigntechniquesforresistivememory(電阻式存儲器的低功率寫入和讀取設(shè)計技術(shù))”的專利合作條約申請pct/us2013/048753中發(fā)現(xiàn)附加細(xì)節(jié)。

如在本文中所描述的存儲器可以用于計算系統(tǒng)中以便實(shí)施例如高速緩存、系統(tǒng)存儲器、非易失性“磁盤”存儲設(shè)備(獲取數(shù)據(jù)/將數(shù)據(jù)寫入到例如大于存儲在系統(tǒng)存儲器中的“扇區(qū)”中的存儲設(shè)備)、bios非易失性存儲設(shè)備等中的任一個。

圖8示出了示例性計算系統(tǒng)800的描述，如個人計算系統(tǒng)(例如，臺式機(jī)或膝上型計算機(jī))或者移動或手持式計算系統(tǒng)(如平板設(shè)備或智能電話)。如圖8中所觀察到的，基本計算系統(tǒng)可以包括中央處理單元801(所述中央處理單元可以包括例如多個通用處理核以及布置在應(yīng)用處理器或多核處理器上的主存儲器控制器)、系統(tǒng)存儲器802、顯示器803(例如，觸摸屏、平板)、本地有線點(diǎn)到點(diǎn)鏈路(例如，usb)接口804、各種網(wǎng)絡(luò)i/o功能805(如以太網(wǎng)接口和/或蜂窩調(diào)制解調(diào)器子系統(tǒng))、無線局域網(wǎng)(例如，wifi)接口806、無線點(diǎn)到點(diǎn)鏈路(例如，藍(lán)牙)接口807和全球定位系統(tǒng)接口808、各種傳感器809_1到809_n(例如，陀螺儀、加速度計、磁力計、溫度傳感器、壓力傳感器、濕度傳感器等中的一個或多個)、相機(jī)810、電池811、功率管理控制單元812、揚(yáng)聲器和麥克風(fēng)813以及音頻編碼器/解碼器814。

應(yīng)用處理器或多核處理器850可以包括在其cpu801內(nèi)的一個或多個通用處理核815、一個或多個圖形處理單元816、存儲器管理功能817(例如，存儲器控制器)以及i/o控制功能818。通用處理核815通常執(zhí)行操作系統(tǒng)以及計算系統(tǒng)的應(yīng)用軟件。圖形處理單元816通常執(zhí)行圖形密集功能以便例如生成呈現(xiàn)在顯示器803上的圖形信息。存儲器控制功能817與系統(tǒng)存儲器802接口連接。在操作期間，數(shù)據(jù)和/或指令通常在更深的非易失性(例如，磁盤)存儲設(shè)備820與系統(tǒng)存儲器802之間傳遞。功率管理控制單元812通?？刂葡到y(tǒng)800的功耗。

觸摸屏顯示器803、通信接口804至807、gps接口808、傳感器809、相機(jī)810和揚(yáng)聲器/麥克風(fēng)編解碼器813、814中的每一個全都可以被視為相對于整個計算系統(tǒng)的各種形式的i/o(輸入端和/或輸出端)，所述整個計算系統(tǒng)在適當(dāng)?shù)那闆r下也包括集成外圍設(shè)備(例如，相機(jī)810)。根據(jù)實(shí)施方式，這些i/o部件中的各種部件可以集成到應(yīng)用處理器/多核處理器850上，或者可以被定位成遠(yuǎn)離裸片或被定位在應(yīng)用處理器/多核處理器850的封裝體之外。

本發(fā)明的實(shí)施例可包括如上所述的各個過程。過程可以被實(shí)施為機(jī)器可執(zhí)行指令。所述指令可以用于使通用或?qū)Ｓ锰幚砥鲌?zhí)行某些過程。可替代地，這些過程可以由包含用于執(zhí)行所述過程的硬連線邏輯的特定硬件部件來執(zhí)行，或者由編程計算機(jī)部件和定制硬件部件的任意組合來執(zhí)行。

本發(fā)明的元件還可以被提供為用于存儲機(jī)器可執(zhí)行指令的機(jī)器可讀介質(zhì)。機(jī)器可讀介質(zhì)可以包括但不限于軟盤、光盤、cd-rom和磁-光盤、閃存、rom、ram、eprom、eeprom、磁卡或光卡、傳播介質(zhì)或適用于存儲電子指令的其他類型的介質(zhì)/機(jī)器可讀介質(zhì)。例如，本發(fā)明可以被下載為計算機(jī)程序，所述計算機(jī)程序可以經(jīng)由通信鏈路(例如，調(diào)制解調(diào)器或網(wǎng)絡(luò)連接)以實(shí)現(xiàn)在載波或其他傳播介質(zhì)中的數(shù)據(jù)信號的方式從遠(yuǎn)程計算機(jī)(例如，服務(wù)器)被傳送到請求計算機(jī)(例如，客戶端)。

在前述說明書中，已經(jīng)參考其特定示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明。然而，將明顯的是，可以在不脫離于如隨附權(quán)利要求中闡述的本發(fā)明的更寬的精神和范圍的情況下對其做出各種修改和改變。因此，說明書和附圖要以說明性而非限制性的含義來看待。