專利名稱:可重寫光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)及使用這種介質(zhì)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種通過聚焦的激光束而可重寫地記錄數(shù)據(jù)的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，該介質(zhì)具有一個(gè)襯底，在其一側(cè)沉積有一個(gè)記錄疊，該記錄疊包括至少一個(gè)透明層，一相變型記錄層，另一個(gè)透明層，在與上述透明層所在的一側(cè)相對(duì)的記錄層的另一側(cè)上位于記錄疊中，一金屬反射層。
本發(fā)明還涉及這種光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)在高數(shù)據(jù)率記錄技術(shù)中的使用方法。
背景技術(shù)：
在開始段落中所提到的這種類型的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的一個(gè)實(shí)施例見于歐洲專利申請(qǐng)書EP 0849729A2中。該專利申請(qǐng)書中所述的實(shí)施例具有一用于可重寫地進(jìn)行相變記錄的I+IPIM 結(jié)構(gòu)，其中M為具有高光學(xué)反射能力的金屬反射層，I表示電介質(zhì)層，I+表示透明高硬度層，P表示相變型記錄層。在這種結(jié)構(gòu)中，激光束首先通過I+層進(jìn)入。I+層設(shè)法提高介質(zhì)關(guān)于寫入特征的穩(wěn)定性，例如不穩(wěn)定性。所提到的可用作高硬度I+層的材料有大量化合物，包括Si、Ge、Al、Ti、Zr、Ta、Nb、In、Sn、Pb、Mg等等的氧化物和氮化物，以及銦錫氧化物。
在歐洲專利申請(qǐng)EP 1058249A1中，公開了一種相變光學(xué)記錄介質(zhì)，其包括支承襯底和以所述順序形成在支承襯底中的以下連續(xù)層，例如第一電介質(zhì)層、記錄層、第二電介質(zhì)層、金屬/合金層和紫外光固化樹脂層。用于形成第一和第二電介質(zhì)層的適用材料的例子包括金屬氧化物，例如SiO、SiO2、ZnO、SnO2、Al2O3、TiO2、In2O3、MgO和ZrO2；氮化物，例如Si3N4、AlN、TiN、BN和ZrN；硫化物，例如ZnS、In2S3和TaS4；碳化物，例如SiC、TaC、B4C、WC、TiC和ZrC；金剛石狀的碳，及其混合物。這些材料可以單獨(dú)或者組合使用。另外，在相關(guān)情況下它們還可以包括雜質(zhì)。
在歐洲專利申請(qǐng)EP 0810590A2中，公開了一種光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，其包括(a)第一光傳輸襯底，具有形成接收入射激光的外面的第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面；(b)可反寫類型的可逆式相變材料的第一記錄層，形成在第一襯底的第二表面上并且與襯底外面隔開第一襯底的厚度；(c)與第一記錄層接觸并且傳輸光的光學(xué)干涉膜。
基于相變?cè)淼墓鈱W(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)很有吸引力，因?yàn)樗瓤梢灾苯又貙?DOW)且具有高存儲(chǔ)密度，又結(jié)合了只讀光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的易兼容性。在這里，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)包括數(shù)字視頻、數(shù)字聲頻和軟件數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。相變光學(xué)記錄技術(shù)包括使用聚焦的能量較高的激光束在結(jié)晶體記錄層中形成微米級(jí)以下的的無定形記錄標(biāo)記。在信息記錄過程中，介質(zhì)相對(duì)于根據(jù)待記錄信息而調(diào)制的聚焦激光束進(jìn)行移動(dòng)。當(dāng)高能激光束使得結(jié)晶體記錄層熔化時(shí)，標(biāo)記就會(huì)形成。當(dāng)激光束切斷并且/或者隨后相對(duì)于記錄層移動(dòng)時(shí)，已熔化的標(biāo)記就在記錄層中發(fā)生淬硬，從而在記錄層的暴露區(qū)域中留下一個(gè)無定形信息標(biāo)記，而記錄層的未暴露區(qū)域中保持結(jié)晶態(tài)。已寫入的無定形標(biāo)記的擦除通過利用低能量水平的相同激光加熱而進(jìn)行再結(jié)晶來實(shí)現(xiàn)，而不需熔化記錄層。這些無定形標(biāo)記代表那些可利用能量較低的聚焦激光束而經(jīng)過襯底讀取的數(shù)據(jù)位。這些無定形標(biāo)記相對(duì)于結(jié)晶體記錄層的反射差異就產(chǎn)生了一個(gè)經(jīng)過調(diào)制的的激光束，該激光束隨后根據(jù)記錄的信息由探測(cè)器轉(zhuǎn)換成經(jīng)過調(diào)制的光電流。
在相變光學(xué)記錄技術(shù)中一個(gè)最重要的要求就是高數(shù)據(jù)率，這指的是數(shù)據(jù)可以在此介質(zhì)中以至少30Mbits/s的用戶數(shù)據(jù)率寫入和重寫。這樣的高數(shù)據(jù)率要求記錄層在DOW過程中具有高結(jié)晶速度，也就是短結(jié)晶時(shí)間。為保證先前記錄的無定形標(biāo)記可在DOW過程中再結(jié)晶，記錄層必須有適當(dāng)?shù)慕Y(jié)晶速度來與介質(zhì)相對(duì)于激光束的速度相匹配。如果結(jié)晶速度不夠高，先前記錄的表示舊數(shù)據(jù)的無定形標(biāo)記在DOW過程中就不能完全擦除，也就是不能完全再結(jié)晶。這就導(dǎo)致高噪聲級(jí)。高結(jié)晶速度是在高密度記錄和高數(shù)據(jù)率光學(xué)記錄介質(zhì)中，例如在圓盤形高速度CD-RW，DVD-RW，DVD+RW，DVD-RAM，紅色和藍(lán)色DVR中特別要求的，它們分別為致密盤和新一代高密度數(shù)字通用盤+RW和-RAM的縮寫，其中RW和RAM指這些盤的可重寫性，還有數(shù)字視頻記錄光學(xué)存儲(chǔ)盤，其中紅色和藍(lán)色是指所使用的激光波長(zhǎng)。對(duì)這些盤，完全擦除時(shí)間(CET)必須低于30ns。CET定義為在結(jié)晶環(huán)境中使已寫入的無定形標(biāo)記完全結(jié)晶所用的擦除脈沖的最小持續(xù)時(shí)間。CET利用靜電測(cè)定器測(cè)量。對(duì)于DVD+RW，每120mm盤具有4.7GB記錄密度，需要26Mbits/s的用戶數(shù)據(jù)位率，而對(duì)于藍(lán)色DVR，該速率為35Mbits/s。對(duì)于高速度版本的DVD+RW和藍(lán)色DVR，要求數(shù)據(jù)率為50Mbits/s或更高。這些數(shù)據(jù)位率中每一個(gè)都可以轉(zhuǎn)化成最大CET，該最大CET受若干參數(shù)的影響，例如記錄疊的熱學(xué)設(shè)計(jì)和所用的記錄層材料。
因此，一個(gè)目的是提高光學(xué)記錄介質(zhì)如可重寫DVD和DVR(數(shù)字視頻記錄器)的數(shù)據(jù)率。如上文中所述，這可通過提高相變材料的結(jié)晶速度從而又進(jìn)一步減小CET來實(shí)現(xiàn)。然而，當(dāng)結(jié)晶速度變高時(shí)，由于在數(shù)據(jù)寫入過程中由晶體基底開始的結(jié)晶生長(zhǎng)不可避免地會(huì)發(fā)生，因此無定形化過程難以進(jìn)行。這就會(huì)產(chǎn)生比較小、并且難以讀取的帶有不規(guī)則邊緣的無定形標(biāo)記，從而導(dǎo)致不穩(wěn)定性較高。晶體生長(zhǎng)可以通過提高記錄層的冷卻速度而消除。為保證記錄過程中正確形成無定形標(biāo)記，要求鄰近記錄層的各層具有足夠的散熱片作用。這些鄰近層利如電介質(zhì)層的導(dǎo)熱率看起來好像太低，因此它們迅速降低記錄層溫度的能力有限。甚至不可能以足夠高的數(shù)據(jù)率成功寫入具有較低冷卻行為的層。換句話說，由于P層冷卻速度很慢而使得發(fā)生豐富的再結(jié)晶現(xiàn)象，就造成無定形標(biāo)記的形成被大大抵消。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種開始段中所述的類型的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，該介質(zhì)的散熱片作用得以改進(jìn)以保證在記錄疊的記錄層上正確形成無定形標(biāo)記。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，透明層和另一個(gè)透明層包括銦錫氧化物材料。
本發(fā)明基于以下觀點(diǎn)，與已知透明層，例如現(xiàn)有光學(xué)記錄技術(shù)中已知的常規(guī)型電介質(zhì)層相比，銦錫氧化物層(ITO)的導(dǎo)熱率比較高。由于具有低熱阻力的ITO作為透明層，所以在記錄疊中，熱就能易于流向金屬反射層中。ITO是一種通常因其具有較高電傳導(dǎo)率而得到應(yīng)用的材料，例如在液晶顯示器(LCD’s)中用作透明電極。ITO在光學(xué)記錄疊中用作具有高熱傳導(dǎo)率的材料還不為人所知。因此，通過本發(fā)明可以具有高于50Mbits/s的數(shù)據(jù)率。通過降低電介質(zhì)層的厚度也可以得到較高的冷卻速度，但由于光學(xué)要求通常不想這樣做。另一個(gè)透明層包括銦錫氧化物材料，在與上述透明層所在的一側(cè)相對(duì)的記錄層的另一側(cè)上位于記錄疊中。以這種方式，熱學(xué)對(duì)稱的疊形成有透明層，在記錄層的兩側(cè)上具有散熱片作用。這具有改善冷卻性能的優(yōu)點(diǎn)，從而在記錄層中更好地寫入和擦除無定形標(biāo)記。
在本發(fā)明的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的一個(gè)實(shí)施例中，透明層介于記錄層和金屬反射層之間。與使用非ITO透明層相比，使用ITO作為透明層時(shí)，金屬反射層和記錄層之間的熱阻比較低。
在另一個(gè)實(shí)施例中，存在的透明層與記錄層相接觸。通過直接接觸，在記錄過程中記錄層的熱量以最佳方式傳遞至透明ITO層并且CET進(jìn)一步縮短高達(dá)大約10％。
在另外一個(gè)實(shí)施例中，至少一個(gè)電介質(zhì)層位于記錄疊中與記錄層接觸。這一電介質(zhì)層可用于將ITO層與記錄層遮蔽。在一些情況下，可能需要使ITO層與記錄層隔離，以防記錄層的材料可能與ITO層的材料互相作用。另外，它可用于調(diào)整疊的光學(xué)設(shè)計(jì)和/或調(diào)整記錄層與ITO層間的熱阻。電介質(zhì)層I優(yōu)選地由sense和SiO2的混合物制成，例如(ZnS)80(SiO2)20。這些層也可以由SiO2、Ta2O5、TiO2、ZnS，包括它們的非化學(xué)計(jì)量組合物制成。
在另一個(gè)有利的實(shí)施例中，電介質(zhì)層包括選自Al2O3、SiC、Si3N4、MgO、ZnO和AlN包括其非化學(xué)計(jì)量組合物在內(nèi)的化合物。這些層提高了無定形標(biāo)記在DOW過程中的結(jié)晶速度，直接導(dǎo)致可能具有較高的數(shù)據(jù)率。對(duì)無定形標(biāo)記的結(jié)晶過程來說，介于這些層和記錄層之間的界面起晶核形成源的作用。
在另外一個(gè)有利的實(shí)施例中，金屬反射層包括金屬Ag。已知Ag具有非常高的導(dǎo)熱率，可與ITO層結(jié)合使用而產(chǎn)生更高的冷卻速度。
優(yōu)選地，當(dāng)透明層位于金屬反射層與記錄層之間時(shí)，其厚度范圍是從10至50nm。太厚的層可能對(duì)金屬反射層具有較低的傳熱能力。而且，太厚的層會(huì)破壞記錄疊的光學(xué)對(duì)比度，及無定形標(biāo)記與結(jié)晶基底之間的反射差。
優(yōu)選地，當(dāng)還有一個(gè)透明層位于記錄層的遠(yuǎn)離金屬反射層的一側(cè)時(shí)，其厚度范圍是從50至250nm。這一范圍內(nèi)的層厚度能產(chǎn)生較好的記錄疊光學(xué)對(duì)比度。
優(yōu)選地，記錄層包括Ge和Te元素。更有用的是Ge-Sb-Te、Ge-In-Sb-Te或Ag-In-Sb-Te的化合物。在同是申請(qǐng)人提交的國(guó)際專利申請(qǐng)WO 01/13370和WO 97/50084中所述的化合物尤其有用。在WO97/50084中所述的化合物的原子百分比組成通過下式定義Ge50xSb40-40xTe60-10x，其中0.166≤x≤0.444。這些成分位于三角形Ge-Sb-Te成分圖中連接化合物GeTe和Sb2Te3的線上，并且包括化學(xué)計(jì)量的化合物Ge2Sb2Te5(x＝0.444)、GeSb2Te4(x＝0.286)和GeSb4Te7(x＝0.166)。這些化合物顯示出較短的結(jié)晶(擦除)時(shí)間。
在WO 01/13370中所述的化合物，其原子百分比組成通過下式定義QaInbSbcTed(原子百分率)，其中Q選自Ag和Ge，2＜a＜80＜b＜655＜c＜8015＜d＜30并且a+b+c+d＝100數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的襯底至少能透過激光波長(zhǎng)，并且由這些材料制成，例如聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，無定形聚烯烴或玻璃。只有在激光束經(jīng)襯底入口面進(jìn)入記錄疊時(shí)，才要求襯底具有透過能力。在一個(gè)典型實(shí)例中，襯底是圓盤形的，直徑為120mm而厚度為0.6或1.2mm。當(dāng)激光束由與襯底一側(cè)相對(duì)的一側(cè)進(jìn)入疊時(shí)，襯底可以不透明。
優(yōu)選地，在記錄疊一側(cè)的圓盤形襯底的表面提供有伺服道，它可進(jìn)行光學(xué)掃描。該伺服道通常由螺旋型槽構(gòu)成，并且在注?；驂褐七^程中通過模子形成于襯底上。另一方面，這些槽可以在復(fù)制過程中形成于隔離層的合成樹脂上，例如一種UV固化的丙烯酸酯。
任選地，疊的最外層通過一個(gè)保護(hù)層而同環(huán)境屏蔽開，例如，通過UV固化的聚甲基丙烯酸甲酯保護(hù)層。保護(hù)層必須有良好的光學(xué)性能，也就是說當(dāng)激光由保護(hù)層進(jìn)入記錄疊時(shí)，保護(hù)層基本上沒有光學(xué)象差且基本上厚度一致。這樣，保護(hù)層就能透過激光。
通過使用短波長(zhǎng)激光，如660nm或更短的波長(zhǎng)(紅光到藍(lán)光)，就可以實(shí)現(xiàn)在記錄疊的記錄層上讀取和擦除數(shù)據(jù)。
金屬反射層和電介質(zhì)層都可以通過蒸發(fā)或?yàn)R射方法提供。
ITO層可通過濺射或濕化學(xué)法提供。
相變型記錄層可通過真空沉積法施加于襯底上。已知的真空沉積法有蒸發(fā)(E束蒸發(fā)，從熔爐中抗熱蒸發(fā))、濺射、低壓力化學(xué)氣相沉積(CVD)、離子涂敷、離子束輔助蒸發(fā)、等離子增強(qiáng)CVD。由于反應(yīng)溫度太高，因而不可應(yīng)用正常熱CVD方法。



通過典型實(shí)施例和參照附圖，可以對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。其中圖1至5分別示出了根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的示意性剖面圖。
圖6示出了不是根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的示意性剖面圖。
圖7示出了記錄層的熔化閾值能量Pt的兩條曲線，該熔化閾值能量為位于記錄層與金屬反射層之間的各層的總厚度dp-m的函數(shù)。
具體實(shí)施方式
圖1所示為根據(jù)本發(fā)明通過聚焦的激光束10可重寫地記錄數(shù)據(jù)的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)20的一個(gè)實(shí)施例。該介質(zhì)20具有襯底1，襯底由聚碳酸酯(PC)制成，在其一側(cè)沉積有記錄疊2。記錄疊2包括一透明層4，一相變型記錄層6，一金屬反射層3。
透明層4包括銦錫氧化物(ITO)材料。透明層4被放入記錄層6與金屬反射層3之間且與記錄層6相接觸。透明層4的厚度為25nm。在激光波長(zhǎng)為670nm時(shí)，該ITO材料的復(fù)折射率為n＝2.00-i0.02，這表明它對(duì)所述激光具有低吸收能力。
另一個(gè)透明層8，包括銦錫氧化物(ITO)材料，位于記錄疊2中記錄層6的一側(cè)，該側(cè)與透明層4所在的側(cè)相反。另一透明ITO層8的厚度為130nm。金屬反射層3包括金屬Ag，厚度為100nm。記錄層6包括原子組成為Ge5.0In5.5Sb65.0Te24.5的化合物，厚度為10nm。記錄疊2的光學(xué)反射在波長(zhǎng)為670nm而記錄層6處于無定形相時(shí)定義為Ra，其值為1.7％。記錄疊2的光學(xué)反射在波長(zhǎng)為670nm而記錄層6處于結(jié)晶相時(shí)，定義為Rc，其值為29.6％。光學(xué)對(duì)比度為94.3％。光學(xué)對(duì)比度定義為Rc-Ra/Rmax，該公式中Rmax是Ra與Rc二者中的最大值。
保護(hù)層9由諸如能透過激光的UV可固化樹脂制成，厚度為100μm，與另一個(gè)ITO層8相鄰。通過旋涂及隨后的UV固化處理可提供保護(hù)層9。保護(hù)層9也可通過利用壓敏膠粘劑(PSA)層涂敷聚碳酸酯(PC)片而提供。
圖2所示為光學(xué)信息介質(zhì)20的另一個(gè)實(shí)施例，其中至少有一個(gè)電介質(zhì)層5、7位于記錄疊中與記錄層6相接觸。特別地，兩個(gè)電介質(zhì)層都存在，分別位于記錄層6的一側(cè)。在所有實(shí)施例中，電介質(zhì)層均包括化合物(ZnS)80(SiO2)20。每一個(gè)電介質(zhì)層的厚度均為5nm。ITO層4和8厚度分別為20nm和140nm。襯底1，記錄層6，金屬反射層3和保護(hù)層9與圖1實(shí)施例中的描述相同。Ra值為1.9％，Rc值為29.9％。光學(xué)對(duì)比度為93.6％。
圖3所示為介質(zhì)20的一個(gè)實(shí)施例，其中存在一個(gè)ITO層4，位于記錄層6與金屬反射層3之間。ITO層厚度為20nm。電介質(zhì)層7位于保護(hù)層與記錄層之間，厚度為130nm。電介質(zhì)層5位于ITO層與記錄層之間，厚度為5nm。襯底1，記錄層6，金屬反射層3和保護(hù)層9與圖1實(shí)施例中的描述相同。Ra值為2.3％，Rc值為31.4％。光學(xué)對(duì)比度為92.9％。
圖4所示為介質(zhì)20的又一實(shí)施例。它去掉了圖3實(shí)施例中位于金屬反射層3和記錄層6之間的電介質(zhì)層5，且ITO層4的厚度為25nm。Ra值為2.4％，Rc值為31.7％。光學(xué)對(duì)比度為92.5％。
圖5所示為介質(zhì)20的又一實(shí)施例。ITO層8與記錄層6接觸，位于記錄層6的遠(yuǎn)離金屬反射層3的一側(cè)。電介質(zhì)層5位于記錄疊2中與記錄層6接觸，在記錄層6距金屬反射層3最近的一側(cè)。電介質(zhì)層5的厚度為25nm，ITO層8的厚度為130nm。襯底1，記錄層6，金屬反射層3和保護(hù)層9與圖1實(shí)施例中的描述相同。Ra值為1.4％，Rc值為28.7％。光學(xué)對(duì)比度為95.2％。
圖6中，為進(jìn)行比較，示出了一個(gè)不是根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的典型實(shí)施例。所述介質(zhì)20具有一襯底，在其一側(cè)沉積著記錄疊2。疊2包括至少一個(gè)透明層5和/或7、一相變型記錄層6、及一金屬反射層3。透明電介質(zhì)層5、7位于記錄層的兩側(cè)。透明電介質(zhì)層5、7包括(ZnS)80(SiO2)20。電介質(zhì)層7厚度為130nm，電介質(zhì)層5厚度為25nm。該實(shí)施例不具有ITO層。襯底1，記錄層6，金屬反射層3和保護(hù)層9與圖1實(shí)施例中的描述相同。Ra值為2.0％，Rc值為30.8％。光學(xué)對(duì)比度為93.5％。
圖7中，兩曲線圖71和72所示為熔化閾值能量Pt(單位mW)，分別代表圖6中的不是根據(jù)本發(fā)明的介質(zhì)，其中電介質(zhì)層5的厚度進(jìn)行了改變，和根據(jù)圖3即根據(jù)本發(fā)明的介質(zhì)，其中位于ITO層4與金屬反射層3之間的電介質(zhì)層5厚度為10nm，而非5nm，且ITO層的厚度進(jìn)行了改變。如圖所示，熔化閾值能量為位于金屬反射層3與記錄層6之間的各層的總厚度dp-m(單位nm)的函數(shù)。在圖6中的情況下，這僅是(ZnS)80(SiO2)20電介質(zhì)層5的厚度。在圖3中的情況下，這是電介質(zhì)層5和I TO層4的厚度之和。實(shí)際上，因?yàn)殡娊橘|(zhì)層5的厚度保持不變，只有ITO層4的厚度發(fā)生改變。通過比較曲線71和72，可以清楚地看到ITO層4大大提高了金屬閾值能量。這表明由于具有ITO層4，在記錄層6與金屬反射層3之間的導(dǎo)熱率變得更好。由于具有更好的導(dǎo)熱率，記錄層的冷卻速度就得到提高。
應(yīng)當(dāng)指出，以上提到的實(shí)施例只是對(duì)本發(fā)明進(jìn)行舉例說明，而非對(duì)其做出限制，并且本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在不背離附加權(quán)利要求
的范圍的情況下，可以設(shè)計(jì)多種替代實(shí)施例。在權(quán)利要求
中，圓括號(hào)中的參考標(biāo)記不應(yīng)被理解為是對(duì)權(quán)利要求
的限制。“包括”一詞并不排除除了權(quán)利要求
所列以外的元素或步驟存在。在一種元素之前的詞“一個(gè)”并不排除多個(gè)這種元素的存在。特定的方法在互不相同的從屬權(quán)利要求
中進(jìn)行了敘述，但這并不表示這些方法不能組合使用以更有利。
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種可重寫相變型光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，其記錄層冷卻行為得到改進(jìn)，從而可以產(chǎn)生更高的數(shù)據(jù)率以便進(jìn)行高速度記錄，并且它適用于直接重寫例如高速CD-RW、DVD+RW、DVD-RW、DVD-RAM、紅色和藍(lán)色DVD。
權(quán)利要求
1.一種用于通過聚焦的激光束(10)可重寫地記錄數(shù)據(jù)的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(20)，所述介質(zhì)(20)具有一襯底(1)，在其一側(cè)沉積有記錄疊(2)，記錄疊(2)包括至少一個(gè)透明層(4)，一相變型記錄層(6)，另一個(gè)透明層(8)，在與上述透明層(4)所在的一側(cè)相對(duì)的記錄層(6)的另一側(cè)上位于記錄疊(2)中，一金屬反射層(3)，其特征在于，透明層(4)和另一個(gè)透明層(8)包括銦錫氧化物材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(20)，其特征在于，透明層(4)介于記錄層(6)和金屬反射層(3)之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求
1或2所述的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(20)，其特征在于，存在的透明層(4)與記錄層(6)相接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求
1或2所述的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于，至少一個(gè)電介質(zhì)層(5、7)位于記錄疊(2)中，與記錄層(6)接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求
4所述的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(20)，其特征在于，電介質(zhì)層(5、7)包括選自Al2O3、SiC、Si3N4、MgO、ZnO和AlN的化合物，包括其非化學(xué)計(jì)量的組合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求
1或2所述的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(20)，其特征在于，金屬反射層(3)包括金屬Ag。
7.根據(jù)權(quán)利要求
2所述的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(20)，其特征在于，透明層(4)厚度范圍是從10至50nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求
1或2所述的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(20)，其特征在于，另一個(gè)透明層(8)厚度范圍是從50至250nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求
1或2所述的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(20)，其特征在于，記錄層(6)包括Ge和Te元素。
專利摘要
描述了一種相變型光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(20)，具有一記錄疊(2)，記錄疊(2)具有一記錄層(6)和一金屬反射層(3)，還包括由銦錫氧化物材料(ITO)構(gòu)成的透明層(4、8)。在記錄疊(2)中利用ITO層(4、8)來改進(jìn)記錄層(6)的冷卻行為并提供良好的光學(xué)對(duì)比度。因此，就可以實(shí)現(xiàn)較高的數(shù)據(jù)率。
文檔編號(hào)G11B7/2403GKCN1278324SQ02811063
公開日2006年10月4日 申請(qǐng)日期2002年5月27日
發(fā)明者G·-F·周, J·C·N·里佩爾斯, E·R·梅恩德爾斯, H·J·博格 申請(qǐng)人:皇家菲利浦電子有限公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan