專利名稱：多層光盤及其制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及單面讀取型多層光盤，特別是重放專用的多層光盤及其制作方法的改良。
作為購入音樂軟件時的媒介，唱片曾經是主流，但是進入1980年代，CD一上市，由于其小巧，使用方便，CD迅速取代唱片。進而，在最近，由于其記錄容量大，在信息機器領域很受注意，作為CD-ROM(只讀存儲器)正在市場上普及。另一方面，能記錄、重放信號的打字機光盤也已實用化。
在上述CD-ROM廣泛使用信息記錄于螺旋狀排列的坑點(pit)列上的光盤，由于信息化社會的發(fā)展，希望有能夠記錄更多信息的高密度光盤。作為光盤高密度化的方法，提出了縮小坑點的尺寸，在物理上提高密度，同時具有多層信號記錄層的光盤的方案。該多層光盤的讀取方法，分為從光盤的一面讀取的單面讀取方式和從光盤的兩面讀取的兩面讀取方式，美國專利4450553提出了兩種方式。
但是，多層光盤上的記錄信息的讀出，基本上是這樣進行的聚焦控制重放用的激光使其通過基材中，在信號記錄層聚光，檢測出光受信號記錄層的凹凸或反射率和波面等的變化所調制的情況，從該信號復原出記錄的信號。而為了使各信號記錄層的信號確實得以重放，在各層之間需要將各層隔開的厚度，以便分離來自其他信號記錄層的信號，因此，對各信號記錄層進行重放的情況，和重放厚度等于使重放用的激光入射的基材的厚度與到該層為止的信號記錄層間的厚度之和的光盤相同。
但是，重放的光學系統(tǒng)的結構只對于規(guī)定的光盤厚度有最佳的聚光，而且，為了重放高密度光盤，謀求使重放用的激光短波長化或重放裝置的物鏡的高數值孔徑化，結果是，焦點深度在變短。因此，在各信號記錄層重放用激光的光點大小因上述厚度之和而不同。另一方面，重放波形由重放光學系統(tǒng)的聚光點的大小和制造的光盤的坑點或條紋(mark)的大小所決定。因此，如果同樣地制作各信號記錄層的坑點或條紋，則在各層的重放用的激光的光點大小和坑點或條紋的大小的相對關系在每一層都不同，由于重放波形的變化，就有不能良好地重放所有層中記錄的信號的問題。
又，單面讀取方式時，因采用的信號記錄層的結構和制造方法不同，有在各層坑點的凹與凸反轉的情況。特別是，在各信號層用的具有坑點列的復制品上形成反射膜或半透明膜，使其信號層相向地將復制品貼在一起，形成一枚兩層光盤的方法中，由于形成各層的坑點的凹凸，并在其上形成半透明膜或反射膜，坑點的大小因其形成狀態(tài)而變化。從而，和上面所說的相同，在各層重放波形發(fā)生變化，記錄在所有各層的信號不能很好重放。
這里本發(fā)明的目的在于提供在同一記錄信號的情況下能夠得到實質上相同的重放波形的多層光盤及其制造方法。
亦即，本發(fā)明的目的在于，提供具備考慮信號記錄面對重放用的激光的重放特性、坑點形狀合適從而能夠在相同記錄信號的情況下得到實質上相同的重放波形的多層光盤及其制造方法。
為了在各信號記錄層形成具有最佳寬度和長度的坑點，有必要改變成為其基礎的各信號記錄層的原盤的坑點的形成條件。
本發(fā)明提供，在用迭層的方法將坑點列做成螺旋狀或同心圓狀形成的信號層多層迭層形成，從光盤的基材表面一側將重放用的激光照射于某一信號層，讀取反射光的重放波形的多層光盤的制作方法，其特征在于，具備將根據應記錄信息的信號調制的光脈沖串作為曝光的光，制作形成坑點列的各信號層用的原盤的工序，根據上述原盤對各信號層至少各制造1個具有上述坑點列的復制坑點列的金屬模具的工序，以及根據所述金屬模具制造復制品，將多個復制品多層迭合制造具有多個記錄信息的信號層的光盤的工序，所述原盤，使用具有設定的坑點的寬度或坑點的長度的原盤，該設定使得從各層得到的重放信號相對于同一記錄信號能夠得到實質上相同的重放波形。
在本發(fā)明中，原盤通常是在涂布感光材料的玻璃圓盤上成螺旋狀地照射根據記錄信號調制的記錄光，然后將其顯像形成坑點而制成。
圓盤上形成的坑點的寬度和長度由照射的記錄光的強度和調制的光脈沖的長度及包括感光材料的組成或其顯像條件的全部工藝條件對光的靈敏度決定。其中曝光的光強和光脈沖的長度的改變比較容易，效果也大。
亦即，照射的記錄光的光強越大，形成的坑點越大，光強越弱形成的坑點越小。而光脈沖的長度越長形成的坑點越大，越短形成的坑點越小。
改變這些條件能夠調整各層形成的坑點的大小，即寬度和長度，能夠制造對于各層有大小最合適的坑點的原盤。
作為本發(fā)明的最理想的實施形態(tài)，在上述各信號層用的原盤的制作工序中，用根據應記錄信息的信號調制的光脈沖串曝光時，以某一信號層的光脈沖串為基準考慮重放波形相對于該信號層的相對變化，改變各光脈沖的開始端或終端的時間提早或推遲的量，以此能夠改變坑點的寬度或長度，按照對相同信號得到實質上相同的重放波形的要求制作原盤。
特別是，借助于改變根據應記錄的信號調制的光脈沖串的各光脈沖開始端和終端的時間的提早量或延遲量，在改變坑點的寬度或長度制作各信號層用原盤時，全部所述光脈中的開始端和終端的時間提早量或推遲量取相同。
而作為其他實施形態(tài)，在制作上述各信號層用的原盤的工序中，用根據應記錄的信息的信號調制的光脈沖串曝光時，以某一信號層的光脈沖串為基準考慮重放波形相對于該信號層的相對變化，借助于改變各光脈沖的強度，能夠改變坑點的寬度或長度，按照對于相同的記錄信號得到實質上相同的重放波形的要求制作原盤。
在這種情況下，借助于改變根據應記錄的信號調制的光脈沖串的各光脈沖的強度，改變坑點的寬度或長度制作各信號層用的原盤時，用于上述各信號層曝光的光脈沖串的各脈沖的光強完全取相同。
從而，本發(fā)明提供，上述多層光盤具有多層信號層，從使重放用的激光入射的基材側看最遠的信號記錄層上形成反射膜，除此以外的信號記錄層上形成半透明膜的單側讀出型重放專用多層光盤，其特征在于，以某一信號層的光脈沖串為基準考慮重放波形相對于該信號層的相對變化，按照對于相同信號得到實質上相同的重放波形的要求調整各信號層的坑點的寬度或長度。特別是提供，以從使重放用的激光入射的基材側看最近的信號記錄層的光脈沖串為基準，考慮重放波形相對于該信號層的相對變化，按照對相同記錄信號得到實質上相同的重放波形的要求調整各信號層的坑點的寬度或長度的多層光盤。
采用本發(fā)明使用上述原盤，可以得到能夠將記錄在多層信號記錄層的信息很好地重放的光盤。特別是，在倒置的凹凸坑點列對向形成一對信號記錄層，貼在一起制作成的多層光盤中，坑點的大小因各層的坑點的凹凸上形成的半透明膜或反射膜的形成狀態(tài)而不同，但是由于做得能夠對于相同的記錄信號得到實質上相同的重放波形，各層上記錄的信號能夠很好重放，能夠制作可讀出信息的特性優(yōu)良的多層光盤。
首先，對用于制作本發(fā)明使用的原盤的記錄裝置和多層光盤的制造方法加以說明。
本發(fā)明使用的記錄裝置，大而言之，是由使涂布感光材料的玻璃基板旋轉，使在所要求的位置照射記錄光的記錄頭移動的機械系統(tǒng)和根據應記錄的信號做成調制的記錄光加以照射的光學系統(tǒng)構成。
機械系統(tǒng)由使玻璃基板旋轉的旋轉機構、使記錄頭移動到任意半徑位置的滑移機構、和綜合控制這些機構的運動的控制系統(tǒng)構成。
旋轉機構由吸附玻璃基板的轉臺和使其旋轉的空氣軸承的主軸構成。
滑移機構由空氣懸浮的非接觸式滑塊和使其運動的線性電動機，測量移動量的長度測量系統(tǒng)構成。
滑塊由固定的導軌部和沿著該導軌在1軸上可以移動的空氣懸浮的平臺部構成，附帶有用于在玻璃基板的任意半徑上照射記錄光的記錄頭。
線性電動機安裝在滑塊的下面，將可動部接在滑塊的平臺部，以此驅動平臺部。
在長度測量系統(tǒng)上帶有激光長度測定器(由Hewlet Packard公司制造)能夠以10毫微米的分辨率檢測滑塊的平臺部的移動。
控制系統(tǒng)使上述旋轉機構和滑動機構復合動作，能夠指定轉數和磁道間距以恒定的角速度動作，指定線速度和磁道間距以恒定的線速度動作。而主軸既能順時針轉也能反時針轉，滑塊的傳送方向也是，既能夠從玻璃板的內圓到外圓，也能夠從外圓到內圓在指定的磁道間距傳送。
再者，控制系統(tǒng)也具有開閉記錄光的快門、和設定下述記錄光強度調整裝置的出射強度的電壓設定功能，具有借助于輸入記錄動作的參數，自動進行記錄動作的功能。
下面使用圖7的結構圖對光學系統(tǒng)加以說明。其基本機構是由，記錄用的光源、光強度調整器、光調制器、光束擴大器、記錄光強度監(jiān)控器、包含焦點控制系統(tǒng)的移動照射頭、玻璃基板來的反射光的監(jiān)控器以及把這些零部件連接起來的反光鏡類的東西構成的。
記錄用的光源使用氬離子激光器-701(Coherent公司制造，In-nova307)，以457.9的毫微米的波長振蕩。調整或更換激光反射鏡也可使其在351毫微米或364毫微米的波長振蕩。
光強度調整器使用利用電光效應的噪聲吸收器702(Con Optics制造，LASS-II)，消除氣體激光器的有代表性的輸出變動，同時將透射光的光強調整到所希望的強度。諾依茲伊塔702由配備具有電光效應的結晶的頭、根據波面的方向分離光的偏振光束分離器、反射一部分透射光的傳感器(pick-off)、使用測定反射光光強的硅系光電二極管的探測器、以及控制這些的控制箱和電源構成。而將輸入控制箱的電壓和探測器的輸出電壓加以比較，用加在元件上的電壓調整波面的旋轉量，以改變偏振光束分離器的透射光光強，調整使兩者的電壓相等，以消除激光器的輸出變動，同時調整出射強度。
光調制器也使用利用電光效應的調制器703(Con Optics公司制造，頻帶50MHz)。這是由配備具有電光效應的晶體的頭、根據波面的方向分離光的偏振光束分離器、部分反射透射光的傳感器和測定其強度的探測器、部分反射偏振光束分離器的反射光的傳感器及測定其強度的探測器、在頭上加電壓的電源驅動器、和自動將其偏置點調整到最佳的自動配置控制(ABC)裝置構成的。調制器根據高(HIGH)或低(LOW)兩值的應記錄信號，借助于加在頭上的電壓，進行透射光的通、斷(ON、OFF)控制。除了有調整偏置點使元件的透射強度的平均值為一定的C-ABC和與調制信號同步、接受告知輸入變低的時刻的消隱脈沖，在該脈沖的時刻調整偏置點使透射光或反射光的探測器輸出為最小的B-ABC外，ABC裝置還有判斷調制信號變低，自動調整偏置點，使該時刻的探測器輸出成為最小的功能。
光束擴大器705使用由兩片的平凹透鏡組和針孔構成的開普勒型光束擴大器，對于使用的物鏡，調整倍率，使用擴大器時的透光率為不使用擴大器時的透光率的80％左右。而且用配在入射側的透鏡的焦點上的針孔對光束的波面加以整形。
再者，在擴大器的后面配置三面反射鏡706，用來調整頭的入射光軸。借助于此，可以操縱光束雙軸(dual-axis)的平行移動和雙軸的傾斜，可以對與下述的滑塊的移動的平行度調整和向物鏡入射的位置進行微調。而且，在這些反光鏡反射的波面的紊亂對聚光時的光點大小有影響，因此，最好使用直徑30毫米以上、厚度5毫米以上的基板制造反光鏡。
而且，為了監(jiān)控記錄時的記錄強度，采用對配置在入射調整反光鏡706后面的偏振光束分離器(PBS)707和配置在光調制器的后面近處的半波長板704的旋轉角度進行調整，以此取出一部分光，用透鏡聚焦，用光探測器715接受、測定調制的光的平均強度的結構。
移動照射頭附有上述滑塊的臺面部的，由使用來自氦-氖激光器713的光的焦點控制光學系統(tǒng)712、為了將氦-氖激光和記錄光加以合成，使記錄光457.9毫微米透過，將632.8毫微米加以反射的立方體的二向色鏡709、將反射兩個波長的反光鏡710和安裝在聚焦執(zhí)行裝置的物鏡711構成。
焦點控制光學系統(tǒng)712將光源氦氖激光器713配置在滑塊外，調整光軸與臺階部的移動平行并導向臺階部，作為焦點控制法，可以對應斜入射法和像差法兩種。
又，為了確認在玻璃基板716記錄光的聚光狀態(tài)，在偏振光束分離器707的后面配置反射率約為10％的光束分離器708，反射記錄光在玻璃基板716的反射光當中的約10％，使CCD照相機714的受光面和玻璃基板716的表面成為共焦點地配置，用透鏡使分離的光成象，由該光點的形狀確認聚光狀態(tài)。
下面用圖5說明從用該裝置制造的2個原盤出發(fā)制造具有2個信號層的多層光盤的工序。
首先，用上述記錄裝置制造各層用的兩個原盤1和2。這時，原盤2和原盤1坑點列的螺旋方向反向形成。
其次，制造復制各原盤坑點的金屬模具(stamper)1’和2’。然后使用這些模具用注射模塑成形方法制造分別為0.6毫米的單面復制有坑點的復制品1”和2”。一種復制品1”上用濺射法在有坑點的面上形成金的半透明膜，另一種復制品2”上，在有坑點的一面用濺射方法形成鋁的反射膜。
然后，將兩者以有坑點的面相對，用丙烯酸系的紫外線照射硬化的透明粘接劑貼合，使粘接層的厚度為50±10微米，制造能夠從1”側重放1”的信號層第1層和2”的信號層第2層兩層的信息的光盤。
用上述工序制造的雙層光盤的結構如圖6所示，是由透明基板61、作為其信號層的第1層62、半透明膜63、透明的粘接層64、反射膜65、里面的透明基板67的信號層第2層66、還有里面的透明基板67迭層構成的。各信號層的讀出從透明基板61一側進行。這一光盤的結構，從透明基板61一側看時，第1層62和第2層66凹凸倒置。
下面說明用這些記錄裝置及光盤的制造工序進行的，本發(fā)明的多層光盤的制造方法和多層光盤的實施例。


圖1用于說明本發(fā)明實施例1的原盤記錄時的光脈沖串的修正方法。
圖2使本發(fā)明實施例1的多層光盤的重放波形圖。
圖3用于說明本發(fā)明實施例2的原盤記錄時的光脈沖串的修正方法。
圖4是本發(fā)明實施例2的多層光盤的重放波形圖。
圖5是本發(fā)明實施例的多層光盤的制造方法的工序圖。
圖6本發(fā)明實施例的雙層光盤的結構圖。
圖7是本發(fā)明實施例使用的記錄裝置的光學系統(tǒng)結構圖。
圖8是已有的光盤的結構圖。
圖9是本發(fā)明實施例1的原信號、曝光脈沖串1和2、第1和第2重放波形的對比曲線。
圖10是本發(fā)明實施例2的原信號、曝光脈沖串1和2、第1和第2重放波形的對比曲線。
實施例1作為實施例1，如圖1所示，使第2層用的原盤記錄時的光強比第1層用的原盤還小(以第1層為1，則第2層為0.94)，借助于改變記錄時的光強，使用改變了坑點的寬度和長度的原盤制造具有兩層信號層的多層光盤A。記錄強度的變更借助于改變光強度調整器的輸入電壓進行。
記錄的信號是以基準時間Tw＝150毫微秒的2倍(2T)到9倍(9T)的長度構成的隨機數字信號，以線速度1.5米/秒，磁道間距0.79微米記錄成螺旋狀，以此形成最短坑點為0.45微米，坑點列的磁道間距為0.79微米的螺旋狀。
使用和該光盤A相同的工序，制造以相同的光強形成第2層用的原盤和第1層用的原盤的多層光盤B，使用680毫微米波長，數值孔徑0.6的重放光學系統(tǒng)重放信號時的重放波形示于圖2(通常稱為眼模式)。
(a1)、(b1)為光盤A的、(a2)、(b2)為光盤B的重放波形，(a1)、(a2)為第1層，(b1)、(b2)為第2層。
光盤B中，重放波形中的對應于最短的坑點的波形高度的位置，第2層的(b2)要比第1層的(a2)高。但是，在光盤A，兩層的重放波形大致相等。
本實施例制造的雙層光盤，如圖6所示，在第1層和第2層坑點的凹凸倒置，再者，第2層在凹凸上形成鋁反射膜，從鋁反射膜側重放，因此，第2層坑點的形狀因形成的A1膜的生成形狀等的狀態(tài)而變化，所以，實質上坑點的大小不同。
圖2的(a2)、(b2)的波形意味著在本實施例使用的條件下第2層的坑點實質上比第1層的大。
因此，在光盤A，在第2層的原盤記錄時使光強減小，使其形成比第1層小的坑點，如圖2的(a1)、(b1)所示，可以使兩層的重放波形大致相等。
與原信號對比研究上述作用效果就會更加清楚。
對應于圖9所示的2T凸、3T凹、4T凸、2T凹、3T凸、4T凹、6T凸的原信號，曝光脈沖串1和曝光脈沖串2設定為上述比率(1∶0.94)，一旦用曝光脈沖串1形成第1信號層和第2信號層，即變成重放信號(1)和重放信號(2)那樣不一致。而用曝光脈沖串2形成第1信號層和第2信號層也變成重放信號(1)’和(2)’那樣不一致。但是，將重放信號(1)、(2)、(1)’和(2)’加以比較就可以明白，(1)和(2)’實質上是一致的信號。
基于這些重放波形測定起伏(jitter)的結果示于表一。所謂起伏是重放的信號長度和正規(guī)的信號長度的差，用其標準偏差σ除以Tw所得的值(σ/Tw)表示。表1
從表1可知，使用本發(fā)明的記錄方法，重放時的起伏提高，重放信號的質量得以提高。
而且，光盤A與光盤B相比，可以說是能夠從各層很好地讀出信息的特性優(yōu)異的光盤。
而且，在本實施例，第2層用的原盤記錄時把強度取得小，但是，由于光盤的制造條件和重放光學系統(tǒng)的特性等原因，第2層的重放波形中對應于最短坑點的的波形的位置，在比第1層低的情況下，提高第2層的原盤記錄時的光強可以取得同樣的效果。
實施例2實施例2在曝光的脈沖串的發(fā)生電路上附加調整電路，用來調整各脈沖的前沿和后沿，分別調整長度5毫微秒，如圖3所示，第2層用的原盤記錄時曝光的光脈沖串各脈沖比第1層用原盤記錄時的前沿更為延遲而后沿更為提早，借助于實際照射的脈沖長度縮短(記錄時各脈沖削除量第1層為50毫微秒(相當于光盤上的長度75毫微米)時，第2層取80毫微秒(相當于光盤上的長度120毫微米))，使用在各層改變曝光脈沖串的長度的兩個原盤，制造具有各層坑點的大小不同的兩層信號層的多層光盤C。
光盤的制造工序如上述圖5所示。
該光盤C和實施例1使用的光盤B用和實施例1相同的重放光學系統(tǒng)重放時的波形示于圖4。光盤C記錄的信號也和光盤B相同。(a1)、(b1)是光盤C的重放波形，(a2)、(b2)是光盤B的重放波形，(a1)、(a2)表示第1層，(b1)、(b2)表示第2層。
光盤C，可見各層的重放波形大致相等，縮短曝光脈沖的長度，可以和實施例1一樣縮小第2層的坑點的實際大小，可以使兩層的重放波形大致相等。
與原信號對比研究上述作用效果就會更加清楚。
與圖10所示的2T凸、3T凹、4T凸、2T凹、3T凸、4T凹、6T凸的原信號相對應，將曝光脈沖串1和曝光脈沖串2設定于削除量比例(50毫微秒80毫微秒)，用曝光脈沖串1形成第1信號層和第2信號層，即如重放信號(1)和(2)那樣不一致。而用曝光脈沖串2形成第1信號層和第2信號層也像重放信號(1)’和(2)’那樣不一致。但是比較重放信號(1)、(2)、(1)’和(2)’，就會發(fā)現(1)和(2)’實質上是一致的信號。
更有，基于這些重放波形測定起伏，結果示于表2。
表2
從表2可以了解到，采用本發(fā)明的方法，重放時的起伏提高，重放信號的質量也得以提高。
而且，與光盤B相比，光盤C是能夠從各層很好地讀出信息的性能優(yōu)異的光盤。
本實施例中，通過改變第2層用的原盤記錄時各曝光脈沖的前沿和后沿位置來改變各原盤坑點的大小，但是在所有脈沖都改變相同的長度的情況下，也可以只改變前沿或后沿。
還有，在本實施例中第2層用的原盤的曝光脈沖串比第1層用的短，但是借助于光盤的制造條件和重放光學系統(tǒng)的特性等，第2層的重放波形中對應于最短坑點的波形的位置，在比第1層低的情況下，使第2層在原盤記錄時的曝光脈沖串加長可以得到同樣的效果。
再則，不采用本實施例的雙層光盤的制造工序和結構的雙層光盤或具有更多的信號記錄層的多層光盤，只要是具有各層以某一厚度隔開，各層重放時實質上的基板厚度不同的結構的多層光盤，本發(fā)明的多層光盤的制造方法也是有效的，而且，其結果是，制造的光盤是能夠很好地重放各層的信息的優(yōu)異的多層光盤。
權利要求
1.一種多層光盤的制作方法，用迭層的方法將坑點列做成螺旋狀或同心圓狀形成的信號層多層迭層形成，從光盤的基材表面一側將重放用的激光照射于某一信號層，讀取反射光的重放波形的多層光盤的制作方法，其特征在于，具備將根據應記錄信息的信號調制的光脈沖串作為曝光用的光，制作形成坑點列的各信號層用的原盤的工序，根據上述原盤對各信號層至少各制造1個具有上述坑點列的復制坑點列的金屬模具的工序，以及根據所述金屬模具制造復制品，將多個復制品多層迭合制造具有多個記錄信息的信號層的光盤的工序，所述原盤，使用具有設定的坑點寬度或坑點長度的原盤，該設定使得從各層得到的重放信號的相同信號能夠得到實質上相同的重放波形。
2.根據權利要求1所述的多層光盤的制作方法，其特征在于，在制造上述各信號層用的原盤的制造工序中，根據應記錄的信息的信號調制的光脈沖串曝光時，以某一信號層的光脈沖串為基準考慮重放波形相對于該信號層的相對變化，改變各光脈沖的前沿或后沿的時間提早或延遲的量，以此改變坑點的寬度或長度，按照能夠相對于相同信號得到實質上相同的波形的要求制造原盤。
3.根據權利要求2所述的多層光盤的制作方法，其特征在于，用改變根據應記錄信號調制的光脈沖串的各光脈沖的前沿和后沿的時間的提早或延遲的量的方法改變坑點的寬度或長度，制造各信號層用的原盤時，對全部所述光脈沖，前沿和后沿的時間提早或延遲的量取相同。
4.根據權利要求1所述的多層光盤的制作方法，其特征在于，在制造上述各信號層用的原盤的工序中，在根據應記錄的信息信號調制的光脈沖串曝光時，以某一信號層的光脈沖串為基準考慮重放波形相對于該信號層的相對變化，改變各光脈沖的強度，以此改變坑點的寬度或長度，按照對于相同的記錄信號得到實質上相同的波形的要求制造原盤。
5.根據權利要求4所述的多層光盤的制作方法，其特征在于，改變根據應記錄的信號調制的光脈沖串各光脈沖的強度，以此改變坑點的寬度或長度制造各信號層用的原盤時，各所述信號層曝光的光脈沖串的各光脈沖的光強完全取相同。
6.一種多層光盤，是用權利要求1所述的方法制造的，從重放光入射的基板一側看，最遠的信號記錄層上形成反射膜，在別處，信號記錄層上形成半透明膜的單側讀出型重放專用多層光盤，其特征在于，以某一信號層的光脈沖串為基準考慮重放波形相對于該信號層的相對變化，按照對于相同的信號得到實質上相同的重放波形的要求調整各信號層的坑點的寬度或長度。
7.根據權利要求6所述的多層光盤，其特征在于，以從重放光入射的基板側看最近的信號記錄層上的光脈沖串為基準考慮重放波形相對于該信號層的相對變化，按照對于相同的記錄信號得到實質上相同的重放信號的要求調整各信號層的坑點的寬度或長度。
全文摘要
本發(fā)明提供對于相同記錄信號能夠得到實質上相同的重放波形的單面讀取型重放專用多層光盤及其制造方法。以根據應記錄信息的信號調制的光脈沖串曝光，制造形成坑點列的原盤，以該原盤為基礎分別制造具有該坑點列的復制坑點列的金屬模具，根據金屬模具制造復制品然后制造具有多層記錄信息的信號層的光盤時，在各信號層改變原盤制造時的光脈沖串的強度或各脈沖的長度，從而改變坑點的寬度或長度，以此確保各層的重放波形的質量。
文檔編號G11B7/125GK1145516SQ9610680
公開日1997年3月19日 申請日期1996年6月10日 優(yōu)先權日1995年6月9日
發(fā)明者阿部伸也, 貴志俊法 申請人:松下電器產業(yè)株式會社