專利名稱：磁阻型磁頭和應用該磁阻型磁頭的磁記錄/再生裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種安裝在轉鼓上、用螺旋掃描法(helical scanning)從作為記錄介質的磁帶上讀取信息的磁阻型磁頭，以及應用該磁阻型磁頭的磁記錄/再生裝置。
最常見的用磁帶作記錄介質的磁記錄/再生裝置包括錄像機、錄音機、計算機的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)等。一直希望通過增加記錄密度提高磁記錄/再生裝置的存儲容量。
為了滿足對高記錄密度和大存儲容量的需求，已提出在磁記錄/再生裝置上采用磁阻型磁頭(下文稱作“MR磁頭”)并已經(jīng)為實用化開展了大量研究。
在這種磁頭中磁阻元件(下文稱作“MR元件”)用作磁探測部分。其靈敏性優(yōu)于感應型磁頭，且其再生輸出量大。因此，用MR磁頭作為讀磁頭應該能夠得到高記錄密度和大存儲容量。
典型的應用MR磁頭的磁記錄/再生裝置如用來從/向作為記錄介質的硬盤上讀出/寫入信息的固定磁頭系統(tǒng)。在該固定磁頭系統(tǒng)中，作為磁探測部分的MR元件設置為與磁頭運動方向成90°角，且在記錄磁道的不探測來自相鄰磁道的磁通的任一端設置了無磁化轉變的保護帶。
這種保護帶對MR磁頭獲得高記錄密度和大存儲容量非常地不利。
因此本發(fā)明的目的在于提供一種比傳統(tǒng)磁記錄/再生裝置記錄密度更高、存儲容量更大的MR磁頭，以及應用該MR磁頭的磁記錄/再生裝置。
已經(jīng)存在不具有保護帶的螺旋掃描系統(tǒng)，但還沒有應用MR磁頭的螺旋掃描系統(tǒng)。
本發(fā)明提供一種螺旋掃描系統(tǒng)，該系統(tǒng)用MR磁頭作讀頭且無保護帶，可以獲得高的磁道記錄密度。
根據(jù)本發(fā)明提供一種MR磁頭，該磁頭具有夾在一對軟磁材料屏蔽板之間、通過磁阻效應探測來自磁帶的信號的MR元件；該MR元件具有以與垂直于磁帶進給或移動方向有一預定方位角傾斜地設置的磁探測部分；該磁頭安裝在轉鼓上并用螺旋掃描方法讀取磁帶的信號。
根據(jù)本發(fā)明還提供一種記錄/再生裝置，該裝置用螺旋掃描方法向和/或從磁性金屬薄膜作為磁性層的磁帶上寫入和/或讀出信號，包括在其上安裝的轉鼓；作為讀磁頭的磁阻型磁頭，該磁頭具有夾在一對軟磁材料屏蔽板之間的、通過磁阻效應從磁帶探測信號的磁阻元件，該磁阻元件具有以與磁帶進給或移動方向垂直的方向有一預定方位角的方式傾斜地設置的磁探測部分；以及作為寫磁頭的感應型磁頭。
MR元件夾在一對軟磁材料屏蔽板之間。通過以預定方位角設置的這種屏蔽結構的MR磁頭，可以在不用任何保護帶的情況下進行記錄和再生。該MR磁頭中采用的螺旋掃描系統(tǒng)可獲得比傳統(tǒng)的磁記錄/再生系統(tǒng)高很多的記錄密度和大很多的存儲容量。
在結合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施方案的描述中，本發(fā)明的目的、其它目的、特征和優(yōu)點會更加清晰易見，其中

圖1是根據(jù)本發(fā)明的MR磁頭的一個實施方案的示意立體圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的MR磁頭安裝在其上的轉鼓實例的示意立體圖；圖3是當讀寬度隨方位角變化時，方位角和MR磁頭電阻值之間的關系曲線；圖4是當MR元件寬度隨方位角變化時，方位角和MR磁頭電阻值之間的關系曲線；圖5是在MR磁頭的制造工藝中，在其上形成非磁性、非導電膜的基板的示意平面圖；圖6是在其上形成非磁性、非導電膜的基板的示意截面圖；圖7是在其上形成用于MR元件的薄膜的基板的示意平面圖；圖8是在其上形成MR元件薄膜的基板的示意截面圖9是在其中插入永磁膜的基板的示意平面圖；圖10是示出插入基板的永磁膜形狀的基板的示意平面圖；圖11是插入永磁膜的基板的示意截面圖；圖12是示出形成用于MR元件的薄膜圖形的方法的基板示意平面圖；圖13是示出形成用于MR元件的薄膜圖形的方法的基板示意截面圖；圖14是示出形成導電薄膜圖形的方法的基板的示意平面圖；圖15是示出形成導電薄膜圖形的方法的基板的示意截面圖；圖16是示出形成上層溝的方法的基板的示意平面圖；圖17是示出形成上層溝的方法的基板的示意截面圖；圖18是示出形成外部端子的方法的基板的示意平面圖；圖19是示出形成外部端子的方法的基板的示意截面圖；圖20是在其上形成多個MR元件的基板的示意平面圖；圖21是把基板切割成在其上水平排布MR元件的塊的方法的基板示意平面圖；圖22是示出在圖21所示的基板上層疊第二基板的方法的基板示意立體圖；圖23是示出把滑動面研磨成圓柱形的方法的圖22所示層疊基板的示意立體圖；圖24是示出把基板切成磁頭芯片的方法的圖22所示層疊基板的示意立體圖；圖25是MR磁頭記錄圖形的示意圖；圖26是螺旋掃描型磁記錄/再生設備中使用的轉鼓的實例的示意立體圖；圖27是包括圖26所示轉鼓的磁帶進給機構的實例的示意平面圖；圖28是示出上述轉鼓內(nèi)部結構的轉鼓的截面圖；圖29是示出轉鼓的電路和相關電路的示意框圖；圖30是安裝在圖26所示轉鼓上的MR磁頭的實例的部分立體圖；圖31是示出MR磁頭如何從磁帶讀取信號的示意立體圖32是連續(xù)卷繞蒸鍍機的實例的示意圖。
參看圖1，其中圖示了根據(jù)本發(fā)明的磁阻型磁頭。該磁頭一般都用標號1表示。它包括基板2、用薄膜形成工藝在基板2上形成的磁頭元件3和與磁頭元件3相結合的另一個基板4。正如將從圖2看到的，磁頭1安裝在轉鼓5上并用螺旋掃描法從磁帶6上讀取信號。
如圖1所示，相對于與磁頭1相關聯(lián)的磁帶6的運動或進給方向，磁頭元件3以與磁帶進給方向A不垂直的角度(所謂的方位角)設置。
基板2和4都分別形成為基本為矩形的薄板，它們的頂端面分別用作滑動面2a和4a。沿著磁帶6的進給或運動方向把磁帶滑動面2a和4a加工成圓弧狀使得磁帶6可在它們上面平滑地滑動。
磁頭元件3是通過磁阻效應從磁帶6探測信號的MR元件。
通常，與通過電磁感應從磁帶讀出或向磁帶寫入信號的感應型頭元件相比，MR元件更適合于高密度記錄。因此，通過把MR元件用作磁頭元件3，可以獲得高記錄密度。
注意，為了更容易理解其特征圖中的磁頭元件3都被放大了，實際上磁頭元件3遠比基板2和4小。更具體地說，例如，如果在磁帶進給方向上基板2長為0.8mm，磁頭元件3在其上形成的那部分基板在磁帶進給方向上長僅5μm。因此，磁帶6基本上只在磁頭1的基板2和4各自的上端面2a和4a上滑過。
在磁頭1中，基板2和4由軟磁材料如Ni-Zn鐵氧體或Mn-Zn鐵氧體組成，用來屏蔽磁頭元件3。因此磁頭1就具有磁頭元件3被屏蔽板(基板2和4)夾在中間的屏蔽MR磁頭結構。
磁頭(MR磁頭)1具有方位角，這一點對無保護帶的磁記錄/再生系統(tǒng)是很重要的。方位角在其它一些方面也是有利的。
在高記錄密度的磁記錄/再生裝置中，應用屏蔽的MR讀頭會因磁道寬度下降而減小輸出。因此，為了得到具有高記錄密度的磁記錄/再生裝置，應當盡可能地增加輸出并盡可能地降低輸出的噪聲分量。輸出中的噪聲有三種磁頭的直流電阻造成的噪聲、輸出放大器造成的噪聲、以及記錄介質造成的噪聲。應當把它們減到最小。
下面描述這些噪聲中的磁頭電阻造成的噪聲。磁頭的直流電阻R造成的電阻噪聲的電壓NV由下式(1)表示NV=4KTRΔf-------(1)]]>其中，K是波爾茲曼常數(shù)，T是元件溫度，Δf是單位頻率。
因此，電阻噪聲的相對偏壓NVr可由下式(2)表示。可以看出，應當盡可能降低MR磁頭的電阻。NVr=10log(RR0)----(2)]]>可以把傳統(tǒng)的感應型磁頭的DC電阻設計為非常小。而且當繞圈在磁芯上繞20匝以提供足夠的輸出電壓時，DC電阻可＜1Ω。假設該電阻R0=1Ω，且包括導線電阻的MR磁頭電阻R=30Ω，為比較噪聲電壓把這些值代入公式(2)，NVr=14.8分貝，可見電阻噪聲比較高。如果電阻噪聲之外的其它噪聲如放大器噪聲和介質噪聲足夠低，與磁頭相對于磁帶移動速度為10m/sec的小型螺旋掃描磁帶記錄/再生系統(tǒng)相比MR磁頭的輸出每單位磁道寬度高6-12分貝，但是電阻噪聲可能會使信噪比(S/N)更低?？紤]到目前使用的磁帶系統(tǒng)的放大器噪聲和介質噪聲，對于≥1兆位/平方英寸的記錄密度，電阻應為≤30Ω。
通過增加導線厚度、增加導線寬度、降低MR元件電阻可以減小MR磁頭的電阻，反之亦然。然而，屏蔽板的使用限制了導線厚度的減小而且由于減小導線厚度需要新的技術從而使制造成本增加，而且僅靠MR元件膜的改變磁頭電阻的減小量是很有限的。但是，減小MR磁頭電阻的另一個方法即盡可能地增加導線寬度，不會造成任何生產(chǎn)率的下降且可以采用現(xiàn)有的高精密加工方法。為了減小MR磁頭電阻，希望采用這種方法。
在屏蔽型磁頭中，通過把MR磁頭設置成其溝平面傾斜于磁頭運動方向(增加方位角)可以減小MR磁頭電阻包括連接MR元件的導線電阻。如果磁道寬度窄，必須提高絕對輸出。因此通過增加方位角以增加導線寬度、以及增加MR元件寬度以增加輸出來減小MR磁頭電阻是很重要的。
如果通過增加MR元件來增加方位角，方位角會大大增加，但MR元件的電阻也增加，所以通過增加方位角以減小MR磁頭電阻效果不好。
例如，下面描述的弧形MR磁頭的方位角θ=0°,MR元件寬度為5μm，厚40nm,MR元件比滑動面高1.5μm，導線厚130nm，長900μm。在僅有與方位角大小對應的導線寬度變化而MR元件的其它參數(shù)都不變的情況下測量MR磁頭的電阻，測量結果圖示于圖3?？梢?，方位角≤5°時，MR磁頭電阻的減小很少。隨方位角增加，MR磁頭電阻的減小越多，從而在得到高的倍噪比S/N時降低了電阻噪聲。
為了滿足更大的輸出，MR元件應當相應地加寬。然而，當MR元件寬度增加時，與導線寬度同樣地，相應的方位角也增加，MR磁頭的電阻如圖4所示。當MR元件寬度固定時，隨方位角增加MR磁頭電阻也減小。然而，當MR元件寬度增加時，相應的方位角也增加，MR元件自身的電阻增加。方位角≥45°的MR磁頭電阻大于方位角=0°的磁頭電阻。
基于上述考慮，根據(jù)本發(fā)明的MR磁頭1優(yōu)選地具有5°～45°的方位角。
在上述例子中，如果MR元件寬度進一步減小，MR磁頭的輸出降低使得需要MR電阻的進一步減小，且這種減小更加重要。增加導線寬度同時增加方位角是在不增加制造成本的前提下解決MR磁頭電阻問題的關鍵。
把MR元件以某一方位角設置在MR磁頭上對于MR磁頭的易于制造也非常有利。
然而，例如，為了用3μm的磁道寬度再生高密度記錄圖形，磁溝的寬度必須使得不產(chǎn)生具有相同方位角的磁道間的任何串擾，即，磁道的寬度不能大于9μm。當考慮串擾的影響、磁道的線性度和伺服時，其最大值就應為6μm。
但是，在現(xiàn)在流行的錄像機上采用的讀磁頭使用MnZn鐵氧體、鐵硅鋁磁合金之類的價廉、且可用簡單工藝加工的材料形成的磁芯(所謂的大容積磁頭)。為了形成磁溝寬度為6μm的大容積磁頭，由于磁溝寬度必須由磁溝形成后的機加工確定，使得制造工藝復雜化，制造成本上升。
而且，考慮到僅僅通過在非磁性襯底上形成一軟磁金屬薄膜以形成磁芯的層疊結構磁頭和ETF磁頭，在層疊結構和磁溝形成時通過移動在非磁性襯底上形成的軟磁金屬薄膜就可以減小磁溝寬度。然而，除非磁溝寬度和精確度小于例如±0.5μm，串擾會影響記錄。因此這些磁頭也不能以高的生產(chǎn)率生產(chǎn)。
如上所述，傳統(tǒng)的磁頭得不到所期望的方位角和所需的磁溝寬度，因此在試圖用這些傳統(tǒng)磁頭在更窄的磁道上記錄時，不能在不增加制造成本的前提下制造磁頭。
為了在MR磁頭上用3μm的磁道寬度再生高密度記錄圖形，與磁溝寬度相對應的MR元件的磁探測部分的長度設計為與感應型磁頭中相同。但是，形成MR元件的精度最小為≤0.5μm。而且，MR元件以某一方位角設置在MR磁頭上使得MR元件的寬度可以設計為更大。因此使探測部分容易制造。更具體地，在方位角=0°時，磁探測部分的寬度可以為5μm，方位角=35°時可以是6.1μm。
因此，隨方位角增加，對磁探測部分的寬度的精度要求也相應降低了。磁道寬度設計為更窄只造成制造成本的稍稍增加。更具體地，對于具有有限的厚度作為螺旋掃描型滑過磁頭的磁頭切片來說，MR元件以某一方位角設置可以使圖形寬度更大，這會使磁頭的制造更加容易。
下面，討論根據(jù)本發(fā)明上述磁頭1是如何制造的。注意在下面的描述中引用的附圖中，與圖1一樣為了更好地理解磁頭1的特征而把其放大了。具體地，所有部件不都是用和弧狀磁頭相同的比例表示的。
在下面的描述中，磁頭1的各種部件、它們的材料、尺寸和厚度被詳細論述。但是，必須指出本發(fā)明并不僅僅限于這些。例如，在下文中已在硬盤元件之類上應用的所謂屏蔽的SAL(軟磁性層Soft AdjacentLayer)偏置的MR元件被作為例子，但不言自明地，根據(jù)本發(fā)明的磁頭可以應用任何屏蔽SAL偏置的MR元件之外的其它MR元件。
為了制造磁頭1，首先準備例如直徑3英寸的盤狀基板12?；?2被鏡面拋光，在鏡面拋光的基板12上形成多個磁頭元件13。然后把在其上形成多個磁頭元件的基板12切割成多個磁頭1。
基板12還用來保護引導邊和屏蔽磁頭元件13的下層。它由硬軟磁材料形成，更具體地，基板12應當優(yōu)選地由例如Ni-Zn鐵氧體或Mn-Zn鐵氧體形成。
然后，在基板12上形成一Al2O3層21以提供如圖15和16所示的磁頭元件13的下層溝。由于磁頭元件13的下層應當是非磁性且非導電的，Al2O3層是優(yōu)選的。注意該非磁性、非導電層21的膜厚可被設置為與待記錄的信號的頻率等相一致的合適值，更具體地，如190nm。
接著，如圖7和圖8所示，在非磁性、非導電層21上形成薄膜22，該薄膜22將用來形成SAL-偏置的MR元件(下文稱作“MR元件薄膜”)。更具體地，用濺射法依次形成MR元件薄膜22的Ta層(5nm厚)、NiFeNb(43nm厚)、Ta(5nm厚)、NiFe(40nm厚)、和Ta(1nm厚)。在這種情況下，NiFe層是具有磁阻效應的軟磁膜，并形成磁頭元件13的磁探測部分。NiFeNb層是向NiFe層施加偏置磁場的軟磁層(所謂的SAL)。注意MR元件各部件的材料和厚度不限于上述的情況。根據(jù)應用MR元件的磁記錄/再生系統(tǒng)的要求選用合適的材料和厚度。
然后，為了MR元件的穩(wěn)定工作，如圖9-11所示，在每個磁頭元件的MR元件薄膜22中用平版印刷法插入兩個長方形的永磁層23a和23b。注意圖9中標號B所指的并被圈住的部分對應于磁頭元件13，在描述本發(fā)明的圖10-23中被放大了。永磁層23a和23b的長邊t3例如約為50μm，短邊t4例如為10μm。將成為磁頭元件13的磁道寬度的兩個永磁層23a和23b的間距t5約為5μm。然而，根據(jù)本發(fā)明，磁道寬度不限于約5μm，可以根據(jù)采用MR元件的磁記錄/再生系統(tǒng)的要求合適地設置。為了插入永磁層23a和23b，首先采用光致抗蝕層形成具有兩個針對每個磁頭元件的長形孔的掩膜，然后利用腐蝕去除暴露在開口處的MR元件薄膜22。應當說明可用干蝕法也可用濕蝕法進行腐蝕。然而，考慮到加工容易和其它因素，優(yōu)選采用離子蝕刻。
然后，用濺射之類的方法形成永磁層，永磁層23應當優(yōu)選地用矯頑力≥1000Oe的材料，例如CoNiPt或CoCrPt形成。然后，把掩膜光致抗蝕層和在其上形成的永磁層一起去除。這樣，具有預定圖形的永磁層23a和23b就被插入到圖9-11所示的MR元件薄膜22上。
接著，用平版印刷法腐蝕MR元件薄膜22，其中，最終要作為MR元件的部分22a(下文將被稱作“MR元件22a”)未被腐蝕，如圖12和13所示。
此時，要用作向MR元件22a提供探測電流的端子的部分22b和22c也未被腐蝕。具體地說，光致抗蝕層要先形成針對每個磁頭元件的MR元件22a和部分22b和22c的開孔。如上所述，部分22b和22c將會作為向MR元件22a提供探測電流的端子。
接著，進行腐蝕去除暴露在開孔處的MR元件薄膜22。這種腐蝕可采用干蝕法也可采用濕蝕法。但是考慮到加工的容易性和其它因素，優(yōu)選采用離子蝕刻工藝。
此后，去除掩膜光致抗蝕劑，留下MR元件22a和如圖14和15所示的部分22b和22c，它們將用作向MR元件薄膜的MR元件22a提供探測電流的端子。
MR元件22a的寬度t6為例如4μm。寬度t6對應于從MR元件22a的磁帶滑動面的一端到另一端的長度即深度d。因此，MR元件22a的深度d，例如在本實施方案中為約4μm，然而，深度d并不限于此值，可以根據(jù)采用MR元件的磁記錄/再生系統(tǒng)的要求合適地設置。
而且要成為端子的部分22b和22c的尺寸例如為長t7約1500μm，寬t8約50μm，它們之間的間距t9約為10μm。
然后，如圖14和15所示，用平版印刷法以低電阻的導電薄膜取代部分22b和22c，由此形成向MR元件22a提供探測電流的端子24a和24b。更具體地，用光致抗蝕劑先形成具有針對部分22b和22c的開孔的掩膜，然后腐蝕去除在將成為向MR元件22a提供探測電流的端子的部分22b和22c上保留的MR元件薄膜22。保持掩膜抗蝕劑不動，在其上形成導電層，導電層由例如Ti層(15nm厚)、Cu層(100nm厚)和Ti層(15nm厚)依次在光致抗蝕劑上濺射形成。然后，把掩膜光致抗蝕劑和其上形成的導電層去除。由此，得到了由導電層形成的端子24a和24b，如圖14和15所示。
然后，如圖16和17所示，用濺射之類的方法形成將成為磁頭元件13的上層溝的非磁性、非導電層25?？紤]到絕緣性和耐磨性、非磁性、非導電層25優(yōu)選地由Al2O3形成。非磁性、非導電性25的厚度根據(jù)要被記錄的信號的頻率和其它因素合適地設置，更具體地，例如180nm左右。
接著，在外引導電體24a和24b的一端形成向外電連接的外部端子26a和26b，即，圖18和19所示的上述端子，更具體地，先施加光致抗蝕劑，然后用平版印刷方法形成光致抗蝕劑圖形，其中，只有要成為外部端子26a和26b的部位的光致抗蝕劑被去除。外部端子26a和26b分別形成在外引導電體24a和24b的長度方向的未與永磁層23a和23b相連的一端。而且，從外引導體24a和24b的端部起，外部端子26a和26b的長度tb為例如600μm。接著，用光致抗蝕劑作掩膜用腐蝕去除從掩膜光致抗蝕劑暴露的非磁性、非導電層25。這種腐蝕可以用干蝕法也可以用濕蝕法，但是，考慮到易加工性和其它因素優(yōu)選采用離子蝕刻。
然后，保持光致抗蝕劑圖形不動，形成用于外部端子的導電層。更具體地，用濺射或其它方法依次形成500nm厚的Cu層和500nm厚的Au層以得到用于外部端子的導電層。接著，去除光致抗蝕劑和在其上形成的外部端子導電層，由此在外引導電體24a和24b的端部上形成外部端子26a和26b。
通過上述方法，在第一基板12上形成了MR元件13，可由此在第一基板12上形成多個MR元件13，如圖20所示。
然后，把在其上形成了多個MR元件13的第一基板12切割成矩形塊，在每個矩形塊上有沿其長度方向排列的MR元件13，如圖21所示。矩形塊上的MR元件應當盡可能地多以提高生產(chǎn)率。為了易于說明，在圖中一個矩形塊上只有五個這樣的MR元件，但實際上其數(shù)目可以更大。塊的寬度t17為1500μm。
如圖22所示，把厚度t18為例如約700μm的第二基板16結合在從第一基板12上切下的矩形塊上。第二基板16用作磁帶滑動方向后端的保護部件和MR磁頭的上層屏蔽板。用例如合成膠把第二基板16與矩形塊13相粘合。第二基板16的高度t19小于第一基板12的高度t17，使得MR元件的外部端子21a和21b暴露出來便于與外部電連接。第二基板16由硬軟磁材料如Ni-Zn鐵氧體或Mn-Zn鐵氧體構成。
然后，把MR元件的表面部分，即第一和第二基板12和16的組裝的將成為磁帶滑動面的部分研磨成圖23所示的圓弧狀。更具體地，把每個包括MR元件行的矩形塊研磨成圓柱狀，直到MR元件22a的前端暴露在磁帶滑動面上并具有預定深度d。由此，磁帶滑動面具有了圖23所示的圓弧狀。注意磁帶滑動面的圓柱研磨的形狀可能對磁帶拉引或其它因素合適，但并限于某一特定的形狀。
最后，把矩形塊即其上的MR元件行切成一個一個的MR元件，如圖24所示，每個MR元件上的磁帶途徑為例如長度約1400μm、寬度約200μm、高度約1500μm。從圖24可看出，不是沿垂直于第一和第二基板12和16的結合面切割矩形塊，而是與之成一角度θ。根據(jù)應用MR元件磁記錄/再生系統(tǒng)的不同需要，θ角可不同。由于這個原因，θ角可以為5°～45°。在本實施方案中，θ角設為25°。切角θ是磁頭元件13相對于磁頭運動方向的夾角，即所謂的方位角。
為了應用由此得到的磁頭1，將其結合在芯片基板上，并把上述的外部端子21a和21b和芯片基板上的端子電連接。然后將由此結合在芯片基板上的磁頭1安裝在轉鼓4上，如圖2所示。
當磁頭1的方位角是0°即當MR元件設置為垂直于磁頭運動方向時，在帶形記錄介質上記錄的記錄磁道必須與磁頭運動方向垂直，因為如果讀頭的方向不平行于記錄圖形的方向，就會產(chǎn)生所謂的方位損失，造成再生輸出的極大降低。而且，當方位角為0°時，記錄磁道的磁轉變方向平行于相鄰磁道的磁轉變方向。只要磁頭1沿與記錄磁道完全相同的磁道記錄，就不會發(fā)生任何問題。然而，如果磁頭1沿與記錄磁道稍稍偏離的記錄磁道記錄，它就會讀出相鄰磁道的磁道信號。在用轉鼓進行螺旋掃描記錄/再生時，由于其掃描機制，難以非常精確地在記錄磁道內(nèi)記錄。而且，存在使記錄磁道隔開以避免從相鄰磁道探測信號的方法。然而，這又使記錄介質的面積增加，造成記錄密度減小。
相反地，在根據(jù)本發(fā)明的具有上述方位角的磁頭中，如圖25所示，由于要進行記錄的相鄰的記錄磁道的磁轉變方向之間有一偏角，即使從磁道上偏離，讀磁頭也只能探測到相鄰磁道的因方位損失造成的很小的信號。這一特點可被用來使讀磁頭可靠地沿記錄磁道記錄。因此，磁頭元件3的磁探測部分設計為其寬度Kw大于記錄磁道的有效寬度Tw，并被伺服控制以提供最大輸出。由于記錄磁道不被相鄰磁道影響，記錄磁道可以不被彼此隔開，由此獲得高的記錄和再生密度。
而且，從磁頭運動方向看，在磁道高度方向上的磁頭元件3的寬度Tw’小到為方位角θ的1/cosθ。假設有兩個磁頭一個無方位角，另一個有方位角，二者都有同一有效磁道寬度Tw，則有方位角的磁頭的磁道面積小。因此，有方位角的磁頭有利于提高記錄密度。
如上所述，用與無方位角的磁頭同樣的方式制造的讀磁頭比其更優(yōu)良。因此，它將是未來高密度磁記錄/再生系統(tǒng)的必不可少的手段。
用上述的讀MR磁頭與螺旋掃描磁記錄系統(tǒng)結合，可以得到具有無可比擬的高記錄密度的記錄系統(tǒng)。下面描述這樣的記錄/再生系統(tǒng)。
在下面將討論的應用螺旋掃描磁記錄系統(tǒng)的磁記錄/再生裝置中，使用了在其上設置了作為讀磁頭的上述MR磁頭的轉鼓。
圖26和27示出了在磁記錄/再生裝置中采用的轉鼓單元的形狀的一個實例。圖26是示意表示轉鼓單元41的立體圖，圖27是示意表示應用了轉鼓單元41的磁帶給送機構50。
從圖26可看出，轉鼓單元41包括靜止圓(柱)鼓42、可動圓(柱)鼓43、驅動轉鼓43的馬達44、安裝在轉鼓43上的一對感應型磁頭45a和45b、和也安裝在轉鼓43上的一對MR磁頭46a和和46b。
靜鼓42被固定，不轉動。靜鼓42具有在其側面沿磁帶47的進給方向形成的導引件48。如下面所述，在記錄和再生時磁帶沿導引件48進給。轉鼓43與靜鼓42同心設置。
馬達44以預定速度驅動轉鼓43以從磁帶47讀出或向其寫入信息。轉鼓43是圓柱形且具有與靜鼓42基本相同的直徑。在轉鼓43的與靜鼓42相對的側面上安裝了一對感應型磁頭45a和45b以及一對MR磁頭46a和46b。
每一個感應型磁頭45a和45b都有一對結合在一起的磁芯，在磁芯之間有一磁溝，并有線圈纏繞在磁溝內(nèi)。感應型磁頭用來把信號寫到磁帶47上，感應型磁頭45a和45b安裝在轉鼓43上使得它們相對于轉鼓43中心成180°角，并且磁頭45a和45b的磁溝伸出轉鼓43的外周。注意感應型磁頭45a和45b具有分別設置的方位角，以此方位角向磁帶47寫入信號。
另一方面，MR磁頭46a和46b具有作為從磁帶47探測信號的磁探測部分的MR元件。即，它們是播放磁帶47的只讀型磁頭。這些MR磁頭46a和46b安裝在轉鼓43上，使得它們相對于轉鼓43的中心成180°角，且磁頭46a和46b的磁溝從轉鼓43的外周伸出。注意這些感應型磁頭46a和46b具有分別設置的方位角，以從磁帶47讀出感應型磁頭45a和45b以一定方位角記錄在磁帶47上的信號。
通過這樣的磁記錄/再生裝置，磁帶47在轉鼓單元41上滑動以向磁帶47寫入信號或從磁帶47讀出信號。
更具體地，由供帶卷軸51通過導引軸52和53把磁帶47傳遞到并卷繞在進行讀寫的轉鼓單元41上。由此被轉鼓單元41上讀寫的磁帶47通過導引軸54和55、主導輪56和導引軸57送回到收帶卷軸58。即由主導輪馬達59驅動的主導輪56以一定拉力和速度給送磁帶47，并通過導引軸57卷回到收帶卷軸58上。
圖26中馬達44沿箭頭A方向驅動轉鼓43。另一方面，磁帶47沿相對于靜鼓42和轉鼓43傾斜設置的靜鼓42的導引件48滑動給送。即，磁帶47從磁帶入口沿導引件48和圖26的箭頭B所示的磁帶給送方向在靜鼓42和轉鼓43上滑動給送。
下面描述轉鼓單元41的內(nèi)部結構。
如圖28所示，在靜鼓42和轉鼓43的中心插入轉軸61。注意靜鼓42和動鼓43和轉軸61都由導電材料構成。即，它們是導電的且靜鼓42接地。
在靜鼓42的套筒內(nèi)安裝了兩個軸承62和63用來支撐可相對靜鼓42旋轉的轉軸61。另一方面，在轉鼓43內(nèi)壁形成固定在轉軸61頂端的凸緣64。這樣，轉鼓43就和轉軸61一起旋轉。
而且，在轉鼓單元41內(nèi)部設置了旋轉轉換器65，它是用于靜鼓42和轉鼓43之間信號轉換的非接觸式信號轉換器。旋轉轉換器65具有安裝在靜鼓42上的定子芯66和安裝在轉鼓43上的轉子芯77。
定子芯和轉子芯66和67由磁性材料如鐵氧體構成，并形成為繞轉軸61的環(huán)形。在定子芯66上同心地設置著一對分別與感應型磁頭45a和45b對應的信號傳輸環(huán)66a和66b、與一對MR磁頭46a和46b對應的信號傳輸環(huán)66c、以及提供驅動MR磁頭46a和46b所需的電力的電源傳輸環(huán)66d。同樣地，在轉子芯67上同心地設置著一對分別與感應型磁頭45a和45b對應的信號傳輸環(huán)67a和67b、與一對MR磁頭46a和46b對應的信號傳輸環(huán)67c、以及提供驅動MR磁頭46a和46b所需的電力的電源傳輸環(huán)68d。上述環(huán)66a、66b、66c、66d、67a、67b、67c、67d都分別形成為關于轉軸61的圓環(huán)狀纏繞線圈。定子芯66的環(huán)66a、66b、66c和66d分別與轉子芯67的67a、67b、67c和67d相對地設置，這樣構成的旋轉轉換器65在定子芯66的環(huán)66a、66b、66c和66d與轉子芯67的環(huán)67a、67b、67c和67d之間傳輸信號。
而且，轉鼓單元41與驅動轉鼓43的馬達44相連接。馬達44具有轉子68和定子69，轉子68安裝在轉軸61的下端且在其上有驅動磁鐵70。另一方面，定子69安裝在靜鼓42的下端，且具有安裝在其底部的驅動線圈71，當向驅動線圈71提供電流時，轉子68被驅動旋轉。由此，安裝在轉子68上的轉軸61旋轉，固定在轉軸61上的轉鼓43也被驅動旋轉。
下面，參照圖29描述由上述構造的轉鼓單元41的記錄和再生，圖29示意地示出轉鼓單元41的電路圖和其相關電路。
為了通過轉鼓單元41把信號寫在磁帶47上，先向馬達44的驅動線圈71提供電流，驅動轉鼓43使其旋轉。如圖29所示，當轉鼓43旋轉時，外部電路80把待記錄的信號提供給記錄放大器81。
記錄放大器81把來自外部電路80的要被記錄的信號放大，并在感應型磁頭之一(45a)要進行信號記錄時把放大信號提供給與感應型磁頭45a相對應的定子芯66的信號傳輸環(huán)66a。當感應型磁頭的另一個(45b)要進行信號記錄時記錄放大器81把放大信號提供給與感應型磁頭45b相對應的定子芯66的信號傳輸環(huán)66b。
由于如前所述，一對感應型磁頭45a和45b設置為相對于轉鼓43的中心成180°角，感應型磁頭45a和45b將交替寫入相位差為180°的信號。即，在向感應型磁頭之一(45a)和另一個(45b)提供放大的要被記錄的信號的時刻之間，記錄放大器71要進行交替轉換。
提供到與感應型磁頭之一45a對應的定子芯66的信號傳輸環(huán)66a的放大待記錄信號以非接觸方式傳到轉子芯67的信號傳輸環(huán)67a。這樣地傳輸?shù)睫D子芯67的信號傳輸環(huán)67的信號被提供給感應型磁頭45a，并被它寫入磁帶47。
同樣地，提供到與另一感應型磁頭45b對應的定子芯66的信號傳輸環(huán)66b的放大待記錄信號以非接觸方式傳到轉子芯67的信號傳輸環(huán)67b。這樣地傳輸?shù)睫D子芯67的信號傳輸環(huán)67b的信號被提供給感應型磁頭45b，并被它寫入磁帶47。
為了通過轉鼓單元41再生來自磁帶47的信號，先向馬達44的驅動線圈71提供電源，驅動轉鼓43旋轉。當轉鼓43旋轉時，來自振蕩器82的高頻電流提供電源驅動器83。
來自振蕩器82的高頻電流被電源驅動器83轉換成預定的AC電流，然后提供給定子芯66的電源傳輸環(huán)66d。提供給定子芯66的電源傳輸環(huán)66d的AC電流以非接觸方式傳輸給轉子芯67的電源傳輸環(huán)67d。傳輸給轉子芯67的電源傳輸環(huán)67d的AC電流被整流器84整流成DC電流，并傳輸?shù)秸{(diào)節(jié)器85，把DC電流調(diào)整成預定電壓。
把已被調(diào)節(jié)器85設為預定電壓的電流作為探測電流提供給一對MR磁頭46a和46b。MR磁頭46a和46b已連接到再生放大器86，來自調(diào)節(jié)器85的電流也提供給再生放器大86。
MR磁頭46a和46b分別具有電阻值隨外部磁場變化的MR元件。即，MR磁頭46a和46b的MR元件的電阻隨來自磁帶47的信號磁場變化，使得探測電流可反映出因電阻變化的電壓變化。
再生放大器86提供對應于電壓變化的信號作為再生信號。應當指出，為了在MR磁頭之一(46a)進行信號再生對提供MR磁頭46a探測的再生信號和在另一個MR磁頭46b進行信號再生時提供MR磁頭46b探測的再生信號，采用了再生放大器86。
由于如前所述，一對MR磁頭46a和46b設置為相對于轉鼓43的中心成180°角，MR型磁頭將交替讀出相位差為180°的信號。即，在向MR磁頭之一(46a)和另一個(46b)提供放大的待記錄的信號的時刻之間，再生放大器86要進行交替轉換。
來自再生放大器86的再生信號提供到轉子芯67的信號傳輸環(huán)67c，并以非接觸方式從環(huán)67c傳輸?shù)蕉ㄗ有?6的信號傳輸環(huán)66c。提供給定子芯66的信號傳輸環(huán)66c的再生信號被另一再生放大器87放大，并送給補償電路88，在補償電路88中進行預定補償，然后送至外部電路80。
在圖29所示的電路圖中，一對感應型磁頭45a和45b、一對MR磁頭46a和46b、整流器84、調(diào)節(jié)器85和再生放大器86安裝在轉鼓43上，并隨轉鼓43一起轉動。另外，記錄放大器81、振蕩器82、電源驅動器83、再生放大器87和補償電路88設置在轉鼓單元41的靜止部分上或包含在與轉鼓單元41分離形成的外部電路中。
下面，參照圖30進一步描述安裝在轉鼓43上的MR磁頭46a和46b。注意MR磁頭46a和46b除方位角外結構相同。因此，在下面的描述中把它們統(tǒng)一稱為“MR磁頭46”。
MR磁頭46安裝在轉鼓43上，用螺旋掃描法和磁阻效應只從磁帶47上讀取信號。一般地MR磁頭比在信號記錄和再生時利用電磁感應的感應型磁頭的靈敏度高、再生輸出大。因此，MR磁頭適合用于獲得高密度記錄。用MR磁頭46從磁帶上讀取信號可以獲得磁記錄/再生裝置的高記錄密度。
MR磁頭46具有前述結構。如圖30所示，它與一對由軟磁材料如Ni-Zn多晶鐵氧體之類構成的磁屏蔽板91和92結合，MR元件單元94的形狀基本為矩形且插入夾在一對屏蔽板91和92之間的絕緣體93之間的絕緣體94中。分別從MR元件94的相反的兩端引出一對端子，通過這些端子向MR元件94提供探測電流。
MR元件單元是MR元件層、SAL層、以及夾在MR元件層和SAL層之間的絕緣層的層疊結構。MR元件由因各向異性的磁阻效應(AMR)其電阻值隨外部磁場變化的軟磁材料如Ni-Fe之類構成。SAL層用所謂的SAL偏置方法向MR元件施加偏磁場，且由磁矯頑力小、磁滲透性好的磁性材料如坡莫合金之類構成。絕緣層提供MR層和SAL層之間的絕緣以防止分路電損，且由絕緣材料如Ta之類構成。
MR元件單元94的形狀一般為矩形。它插入絕緣層93并夾在一對屏蔽板91和92中，使得其一個側面暴露在MR磁頭46的磁帶滑動面95上。更具體地，MR元件的側邊方向設置為基本垂直于磁帶滑動面95，其長度方向基本垂直于磁帶滑動方向。
沿磁帶47的滑動方向把MR磁頭46的磁帶滑動面95研磨成圓柱狀，使得MR元件單元94的一側面暴露出來，而且還沿與磁帶47的滑動方向垂直的方向研磨成圓柱狀。這樣，MR磁頭46在MR元件單元94處或靠近MR元件單元94處幾乎為凸圓形，使得MR元件單元94和磁帶47有更好的接觸。
為了使具有這種形狀的MR磁頭46從磁帶47上再生信號，如圖31所示，磁帶47在MR元件單元94上滑動。圖31中的箭頭示意地示出磁帶47如何被磁化。
當磁帶47在MR元件單元94上滑動時，通過與MR元件單元94的兩端相連的端子94a和94b向MR元件單元94提供探測電流，MR元件單元94測出探測電路的電壓變化。更具體地，從與MR元件單元94的一端相連接的端子94a向MR元件單元94提供預定電壓Vc，與MR元件單元94的另一端相連的端子94b連接到轉鼓43上。轉鼓43通過轉軸61與靜鼓42電連接，靜鼓42接地。因此，與MR元件單元94連接的一個端子(94b)通過轉鼓43、轉軸61和靜鼓42接地。
磁帶47在MR元件單元94上滑動時提供探測電流，在MR元件單元94中形成的MR元件的電阻隨來自磁帶47的磁場變化，所以探測電流的電壓也變化。通過探測該探測電流的電壓變化，可探測來自磁帶47的信號磁場以再生記錄在磁帶47的信號。
應當注意MR磁頭46的MR元件單元94中形成的MR元件可以顯示出磁阻效應。也可以是巨磁阻(GMR)元件，例如，由多層層疊而成以保證更大的磁阻效應。可以由除SAL偏置方法之外的方法如永磁鐵偏置、分流偏置、自偏置、交換偏置、標桿(barber pole)偏置、分離元件偏置、伺服偏置等。巨磁阻效應和各種的偏置方法參見例如，《磁阻型磁頭-基本原理及其應用》,John C.Mallinson著(林和彥譯)，Maruzen。
下面描述本發(fā)明的實施方案中所用的磁帶47。
磁帶47包括非磁性支撐物或襯底和作為磁性層在支撐物上形成的磁金屬薄膜。作為磁性層的磁金屬薄膜的厚度和剩余磁化強度比傳統(tǒng)磁帶小，使其適合MR讀磁頭的特點。
通過改變線速度可以控制磁金屬薄膜的厚度，通過在薄膜蒸鍍時改變供氧量控制剩余磁化強度。
通過控制上面的兩個參數(shù)，可以使MR讀磁頭免于飽和，且可使MR磁頭提供最大無畸變輸出。更具體地，磁金屬薄膜的剩余磁化強度Mr和厚度δ的乘積Mr.δ控制為1～5memu/cm2。
如果乘積Mr.δ小于1memu/cm2，不能保證足夠的再生輸出。另一方面，如果乘積Mr.δ大于5memu/cm2，MR磁頭會飽和，造成再生輸出的畸變。
在1～5memu/cm2的范圍內(nèi)可以任意設置厚度δ和剩余磁化強度Mr。然而，如果參數(shù)δ和Mr設為太小，難以保證其乘積Mr.δ大于1memu/cm2。相反地，如果它們太大，就會在再生輸出中發(fā)生不適當?shù)幕儭?br> 因此，磁金屬薄膜的厚度δ應優(yōu)選在30～120nm范圍內(nèi)，且其剩余磁化強度Mr在200～400emu/cm2的范圍內(nèi)。
而且，為了實現(xiàn)小噪聲、高分辨率，磁帶47面內(nèi)矯頑力(intra-planecoercivity)應保持為大于1000Oe。然而，如果矯頑力大于2500Oe，可能不能充分地記錄且再生輸出會減小。因此，優(yōu)選地矯頑力就為1000～2500Oe。
從高分辨率和低噪聲的相容性考慮，優(yōu)選地，磁帶47的面內(nèi)長寬比(intra-plane rectangular ratio)應為0.6～0.9。
下面基于試驗結果對上述限定的參數(shù)作進一步的討論。
首先，制備厚10μm、寬150mm的聚對苯二甲酸乙二酯的薄膜。然后在薄膜表面施加以丙烯酯為基的水溶性乳膠至密度為1000萬個/mm2以形成底層。
然后，以下列條件在底層上形成Co-O磁金屬薄膜。
成膜條件原材料Co入射角45°-90°
磁帶線速度0.17m/sec供氧速率3.3×10-6m3/sec蒸鍍時的真空度7×10-2pa使用圖32所示的連續(xù)卷繞型蒸鍍設備，它包括真空室101、設置在真空室101內(nèi)的冷卻罐102、正對冷卻罐102的蒸鍍室104，供料軸105和卷繞軸106。在真空室101中，由供料軸105給送非磁性支撐物103，繞冷卻罐102移動并由卷繞軸106卷起來。當沿冷卻罐102傳送非磁性支撐物103時，在其上蒸鍍一層磁性金屬薄膜。
用電子束源107發(fā)射電子束B加熱蒸鍍器104以產(chǎn)生被加熱的金屬材料的流體。提供擋板108以限制噴到非磁性支撐物103上的流體的入射角，還在擋板108附近提供了供氧管109以向液體中混入極少量的氧。
在這樣制得的磁記錄介質中，發(fā)現(xiàn)可以不考慮去磁場的容易磁化軸相對于磁金屬薄膜的主表面成20°的傾斜角。
此后，在由此得到的磁層上用濺射或CVD法形成約10nm的碳膜。
然后，在非磁性支撐物103的與磁層相對的一面上形成一層厚為0.6μm的碳和聚氨脂的背底層，并在碳膜表面施加金屬聚酯的潤滑劑。此后，把非磁性支撐物103切割成8mm的寬度以形成磁帶。
測試樣帶的電磁轉換性能，更具體地，使用改造過的的8-mmVTR以0.5μm的記錄波長把信息信號記錄到每一個樣帶上。用屏蔽的MR磁頭讀取每一樣帶的信息，測量其再生輸出的噪音水平和出錯率。
用于再生樣帶的MR磁頭的元件是其飽和磁化強度為800emu/cc和層厚為40nm的FeNi-AMR(各向異性磁阻效應元件)。MR元件被NiZn屏蔽，屏蔽板間距離為0.17μm。磁道寬度為18μm，方位角是25°。測量了二十種類型的實施方案1～20和8種比較例1～8。
磁金屬薄膜乘積Mr.δ(剩余磁化強度Mr×厚度δ)和噪音大小(頻率為1MHz，低于載體信號)及測得的再生輸出(以0.5μm的波長記錄)如表1所示。
表1
在表1中，比較例1的Mr.δ乘積值設為0.5memu/cm2，實施方案1、2、3、4、5的Mr.δ值分別設為1.0、2.0、3.0、4.0、5.0memu/cm2，比較例2的Mr.δ設為6.0memu/cm2，把實施方案1的再生輸出和噪聲大小作為基準，出錯率是信號錯誤率。
從表1明顯可見，當Mr.δ乘積值小于1memu/cm2(見比較例1)時，得不到足夠的再生輸出。而當Mr.δ乘積值大于5memu/cm2(見比較例2)時，MR元件飽和，再生波形畸變，且出錯率大。因此，可以說Mr.δ乘積值應優(yōu)選在1～5memu/cm2范圍內(nèi)。
表1表示對于同一個Mr.δ乘積值可包括無數(shù)個可能的剩余磁化強度Mr和膜厚δ的結合。因此，下面更詳細地研究這些結合。
表2示出磁性金屬薄膜的膜厚δ變化時的再生輸出、噪聲大小和出錯率。表2中，把實施方案6的再生和噪聲大小作為基準。對于所有的實施方案和比較例薄膜的剩余磁化強度都為360emu/cc。
表2
在比較例4中，膜厚＞150nm時，MR元件飽和，造成波形畸變。在比較例4中，膜厚是20nm時，得不到足夠的再生輸出，磁矯頑力也差，造成分辨率下降。如這些結果所表明，優(yōu)選地，膜厚δ為30～120nm。
然后，評價了膜厚δ固定在120nm、剩余磁化強度Mr變化時的再生輸出、噪聲大小和出錯率。結果示于表3。在表3中，把實施方案11的再生輸出和噪聲大小作為基準值。
表3<
在比較例5中，剩余磁化強度Mr小，與各實施方案相比，它得不到足夠的再生輸出。相反地，比較例6的剩余磁化強度Mr太大，矯頑力小，噪聲大且分辨率低。
然后，又評價了磁記錄介質的面內(nèi)矯頑力變化時的再生輸出、噪聲和出錯率。結果示于表4。在表4中，把實施方案16的再生輸出、噪聲大小作為基準。
表4<
從表4可看出在比較例7中，矯頑力小，噪聲大。在比較例8中，矯頑力過大，難以記錄。再生輸出也低。因此，優(yōu)選地，矯頑力為1000～25000Oe之間。
表4示出隨矯頑力變化測量的面內(nèi)長寬比?？煽闯觯紤]到再生輸出和噪聲大小，優(yōu)選地，寬長比為0.6～0.9之間。
磁金屬薄膜的材料應該是從CO、Co-Ni、Co-Cr及其氧化物中選出的Co基材料。
本發(fā)明中采用的磁帶47的磁層可以具有保護層。通常可用作磁金屬薄膜的保護層的材料都可用作該保護層。例如，可以是從CrO2、Al2O3、BN、Co氧化物、MgO、SiO2、Si3O4、SiNx、SiC、SiNx-SiO2、ZrO2、TiO2、TiC等中選出的任何一個。保護層可以是單層，多層或復合層。
當然，磁帶47不僅限于這種構造，可在非磁性支撐物形成一底層，可在非磁性支撐物的與磁金屬薄膜相反的一面上形成背面涂層，或在磁金屬薄膜或保護層上形成一層由潤滑劑、防塵劑之類構成的頂涂層。
從以上描述可見，根據(jù)本發(fā)明的MR磁頭可以在無保護帶的情況下進行記錄。因此，如果與螺旋掃描相結合就能使記錄/再生系統(tǒng)實現(xiàn)比傳統(tǒng)的記錄/再生系統(tǒng)高很多的密度和大很多的存儲容量。
權利要求
1．一種磁阻型磁頭，包括磁阻元件，該磁阻元件夾在一對軟磁材料構成的屏蔽板之間，通過磁阻效應探測磁帶的信號；該磁阻元件具有磁探測部分，該磁探測部分以與垂直于磁帶進給或移動方向的方向成一預定方位角的傾斜方式設置；該磁阻型磁頭安裝在轉鼓上用螺旋掃描方法從磁帶上讀取信號。
2．如權利要求1所述的磁阻型磁頭，其中所述磁阻元件的磁探測部分比磁帶的記錄磁道寬。
3．如權利要求1所述的磁阻型磁頭，其中所述磁阻元件的磁探測部分的寬≤10μm。
4．如權利要求1所述的磁阻型磁頭，其中所述方位角是5°～45°。
5．一種記錄/再生裝置，該裝置用螺旋掃描方法從具有作為磁性層的磁金屬薄膜的磁帶上讀取信號或向該磁帶寫入信號，該裝置包括在其上設置的轉鼓；作為讀磁頭的磁阻型磁頭，該磁阻型磁頭具有夾在一對軟磁材料構成的屏蔽板之間、通過磁阻效應探測磁帶的信號的磁阻元件，該磁阻元件具有以與垂直于磁帶進給或移動方向的方向成一預定方位角的傾斜方式設置的磁探測部分；以及作為寫磁頭的感應型磁頭。
6．如權利要求5所述的記錄/再生裝置，其中所述磁金屬薄膜的剩余磁化強度Mr和膜厚δ的乘積Mr.δ為1-5memu/cm2。
7．如權利要求6所述的記錄/再生裝置，其中所述磁金屬薄膜的剩余磁化強度Mr為200～400emu/cc。
8．如權利要求7所述的記錄/再生裝置，其中所述磁金屬薄膜的膜厚為30～120nm。
9．如權利要求6所述的記錄/再生裝置，其中所述磁帶的面內(nèi)方向的磁矯頑力為1000～2500Oe。
10．如權利要求6所述的記錄/再生裝置，其中在垂直于所述磁帶方向上，寬長比為0.6～0.9。
全文摘要
提供一種磁阻型磁頭,該磁阻型磁頭具有夾在一對軟磁材料屏蔽板之間、通過磁阻效應探測磁帶信號的磁阻元件,該磁阻元件具有與垂直于磁帶進給或移動方向的方向成一預定方位角的傾斜方式設置的磁探測部分,該磁阻型磁頭安裝在轉鼓上用螺旋掃描法從磁帶上讀取信號。還提供一種記錄/再生裝置,在該裝置上裝有轉鼓、作為讀頭的磁阻型磁頭和作為寫頭的感應型磁頭,用螺旋掃描方法從磁帶上讀取信號或向磁帶寫入信號。
文檔編號G11B5/53GK1228577SQ9910091
公開日1999年9月15日 申請日期1999年1月6日 優(yōu)先權日1998年1月6日
發(fā)明者稻雄輝往, 尾上精二, 鹿野博司, 池田義人, 小野寺誠一 申請人:索尼株式會社