專利名稱：電平檢測電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電平檢測電路。尤其是涉及用于快速存儲器的寫操作或擦除操作的負(fù)電壓電平檢測電路。
在作為非易失存儲器的快速存儲器的寫操作或擦除操作中，采用負(fù)電壓與正電壓結(jié)合實現(xiàn)低電位的運行已變成了一種趨勢。在用于這種目的的產(chǎn)生負(fù)電壓的變換電路中，重要的是在寬的電源電壓范圍穩(wěn)定地控制其輸出電壓。
在日本專利特開平6-68690中公開了用于這樣一種控制的常規(guī)負(fù)電壓電平檢測電路，下面將參照圖4A和4B對該電路作一簡單描述。
在圖4A中，電平檢測電路10是由電平改變器1和信號放大器部分2構(gòu)成，電平改變器1用于輸入來自負(fù)電壓產(chǎn)生電路的電壓Vn，信號放大器部分2用于基于電平變換器1的輸出在節(jié)點N0切換電壓電平。
圖4A所示的電平改變器1是由一MOS(金屬氧化物)場效應(yīng)晶體管TN2，P型MOS場效應(yīng)晶體管TP2和P型MOS場效應(yīng)晶體管TP3構(gòu)成。
在另一方面，信號放大器部分2由P型MOS場效應(yīng)晶體管TP1和N型MOS場效應(yīng)晶體管TN1所構(gòu)成。信號放大器部分2接收電平改變器1的輸出并檢測被降低到低于所需要的電壓電平Vx的電壓Vn(即，電壓Vn Vx)(時間tx)，以將在節(jié)點N0的電壓從二進(jìn)制信號的高電平(基本上等于電源電壓Vcc)切換成一低電平(幾乎為0伏)。
在節(jié)點N0出現(xiàn)的電壓通常被輸入到一邏輯門，例如反相器INV或類似電路用于波形整形，并且被變換為完整的CMOS(互補金屬氧化物半導(dǎo)體)邏輯信號電平。這個邏輯電平信號如圖4中的信號OUT所示。
在另一方面，在圖4B中，當(dāng)電壓Vn＞Vx時，N型MOS晶體管TN2的漏-源電壓變?yōu)樽銐虻馗咭允筃型MOS晶體管TN1導(dǎo)通，P型MOS晶體管TP1的導(dǎo)通電阻變?yōu)樾∮贜型MOS晶體管TN1的導(dǎo)通電阻。因此，在節(jié)點N0的電壓變成高電平(信號OUT是地(GND)電平)。在另一方面，當(dāng)電壓VnVx建立時，N型MOS晶體管TN2的漏-源電壓變?yōu)樽銐虻馗咭允筃型MOS晶體管TN1導(dǎo)通，N型MOS晶體管TN1的導(dǎo)通電阻變?yōu)樾∮赑型MOS晶體管TP1的導(dǎo)通電阻。因此，在節(jié)點N0的電壓變成低電平(信號OUT是電源電壓Vcc電平)。
在前面所述的電路中，電壓電平檢測(檢測信號生成)是根據(jù)N型MOS晶體管和P型MOS晶體管的導(dǎo)通電阻率進(jìn)行的，而且信號放大器部分2的電壓放大率降低。因此，信號放大部分2的反相轉(zhuǎn)換操作輸出(在節(jié)點N0的電壓)變慢以致降低了運行速度。另一方面，存在的一個問題是轉(zhuǎn)化期(tx)明顯地受電源電壓波動或器件特性的影響。
應(yīng)看到在日本未審查的專利特開平5-175801中也公開了一包括電平改變器和信號放大器部分的電路。然而，其中所公布的電路中，其對存儲器芯片將提供電源電壓(正電壓)。由該變換電路使前述的缺陷導(dǎo)致一個問題，即在存儲器芯片中產(chǎn)生的電壓電平(負(fù)電壓)。相應(yīng)的其也不能解決上述的問題。
本發(fā)明為解決上述已有技術(shù)存在的問題而提出。因此本發(fā)明的目的是提供被用于快速存儲器等器件中產(chǎn)生負(fù)電壓的變換電路的輸出電平檢測的一種電平檢測電路，其能夠不考慮電源電壓波動和器件容差影響而在高速和低電壓情況下穩(wěn)定地操作。
為實現(xiàn)上述的和其他的目的，根據(jù)本發(fā)明一個方面的電平檢測電路包括電平改變裝置，用于通過電阻型的分壓執(zhí)行從負(fù)載電壓產(chǎn)生電路輸入的信號電壓電平的預(yù)定電平改變，該分壓是通過采用獨立于將被提供給電路本身的電源電壓的一參考電源電壓經(jīng)分壓電阻元件得到的，以及差分放大器，其饋送基于來自電平改變器的電平改變信號和預(yù)定參考電壓之間的差別的一輸出，以便導(dǎo)致其輸出作為一檢測輸出。
在最佳結(jié)構(gòu)中，在電平改變裝置中的分壓電阻元件可以串聯(lián)地連接在獨立于將提供到電路本身的電源電壓的參考電源電壓和輸入信號之間，而改變的電位信號可以從串聯(lián)連接的電阻元件的一端引出。電平改變裝置可以進(jìn)行輸入信號的電平改變，致使輸入信號的電壓電平變成在預(yù)定電壓電平的預(yù)定的參考電壓。
在另一方面，差分放大器可以包括一對形成差分對的晶體管和將為該對晶體管的負(fù)載的電流鏡象電路，而檢測輸出可以從晶體管和電流鏡像電路的結(jié)合處引出。在這種情況下，差分放大器還可以包括一恒流源，并可以將晶體管對提供于恒流源和電流鏡像電路之間。
差分電路還可以有一將為恒流源的晶體管，該恒流源將被獨立于提供到電路自身的電源電壓的一恒定電壓控制在導(dǎo)通狀態(tài)，所述的晶體管對可以設(shè)置在該晶體管和電流鏡像電路之間。
電平檢測電路還可以包括與該晶體管并聯(lián)，并根據(jù)該晶體管的輸出導(dǎo)通的另一晶體管。預(yù)定的參考電壓可以等于地電位。
電平檢測電路可以還包括一邏輯電平變換裝置，用于將檢測輸出轉(zhuǎn)換成CMOS邏輯電平信號。該邏輯電平轉(zhuǎn)換裝置可以是由CMOS邏輯電路構(gòu)成的反相器電路。
分壓電阻元件可以是多晶硅構(gòu)成的。另外，分壓電阻元件還可以是由組合的多個MOS晶體管構(gòu)成。
通過下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例的詳細(xì)描述，將對本發(fā)明能夠得到更全面的理解。然而，該描述不是對本發(fā)明的限制，只是用于說明和幫助理解。


圖1A本發(fā)明電平檢測電路的第一實施例的結(jié)構(gòu)方塊圖；圖1B是圖1A電平檢測電路的第一實施例的工作過程的波形圖；圖2A本發(fā)明電平檢測電路的第二實施例的結(jié)構(gòu)方塊圖；圖2B是圖2A電平檢測電路的第二實施例的工作過程的波形圖；圖3A本發(fā)明電平檢測電路的第三實施例的結(jié)構(gòu)方塊圖；圖3B是圖3A電平檢測電路的第三實施例的工作過程的波形圖；圖4A一常規(guī)電平檢測電路的結(jié)構(gòu)方塊圖；圖4B是圖4A所述常規(guī)電平檢測電路的工作過程的波形圖。
下面將結(jié)合附圖通過本發(fā)明的實施例對本發(fā)明作一詳細(xì)描述。在下面的描述中，給出了許多特定的細(xì)節(jié)以便于提供對本發(fā)明的更清楚的理解。然而，顯然對于本領(lǐng)域的熟練者來說，沒有這些具體的細(xì)節(jié)也是能夠?qū)嵤┍景l(fā)明的。另一方面，對于已公知的結(jié)構(gòu)則沒有詳細(xì)地描述，以避免對本發(fā)明造成不必要的混淆。
圖1A是本發(fā)明電平檢測電路的第一實施例的結(jié)構(gòu)方塊圖。在圖1A中，與圖4A中元件相同的元件使用了相同的標(biāo)號。在圖1A中，根據(jù)本發(fā)明第一實施例的電平檢測電路10的構(gòu)成包括電平改變器1和信號放大器電路2，電平改變器1用于通過電阻型的分壓執(zhí)行從負(fù)電壓產(chǎn)生電路輸入的輸入信號電壓電平的預(yù)定電平改變，信號放大電路2饋送有基于電平改變的信號和預(yù)定的參考電壓之間的差值的一輸出。信號放大部分2有一差分放大器，差分放大器具有形成差分對的一對晶體管和將作為該對晶體管的負(fù)載的一電流鏡像電路。差分放大器的輸出被作為檢測輸出。
在電平改變器1中的分壓電阻可以串聯(lián)地連接在獨立于將提供到電路本身的電源電壓的參考電源電壓和輸入信號之間。改變的電位信號可以從電阻的一端引出。在另一方面，電平改變器1可以使輸入信號的電平改變，致使輸入信號的電壓電平變成在預(yù)定電壓電平的預(yù)定的參考電壓。
下面將給出本發(fā)明電平檢測電路的第一至第三實施例的描述。
首先，本發(fā)明電平檢測電路的第一實施例的電路結(jié)構(gòu)如圖1A所示，該電平檢測電路各部分的工作波形如圖1B所示。圖1A所示的電平檢測電路10是由電平改變器1和電流鏡像型差分放大器構(gòu)成。電平改變器1是由電阻R1和R2構(gòu)成，電阻R2用負(fù)電壓產(chǎn)生電路的輸出電壓Vn(＜0伏)作為輸入；該電流鏡像型差分放大器接收電平改變器1的輸出，檢測被降低到低于預(yù)定電壓電平Vx(Vn Vx)(時間tx1)，將節(jié)點N0的二進(jìn)制信號從低電平(近似為0V)切換到高電平(基本等于電源電壓Vcc的值)，并且是由P型MOS晶體管TP11、P型MOS晶體管TP12、N型MOS晶體管TN11、N型MOS晶體管TN12和恒流源CC1構(gòu)成。
也就是，當(dāng)負(fù)的輸入電壓Vn是采用參考電源電壓Vr1時的預(yù)定電壓電平Vx時，電位改變器1輸出將等于參考電壓Vr0的一輸出信號Vs。在另一方面，差分放大器被饋送有到作為輸入端的N型MOS晶體管TN11和N型MOS晶體管TN12的柵極的自電平改變器1輸出的信號Vs和該參考電壓Vr0，以驅(qū)動作為電流鏡像型負(fù)載的兩個MOS晶體管，即，P型MOS晶體管TP11和P型MOS晶體管TP12。輸出信號是從N型MOS晶體管TN11的漏極端在節(jié)點N0獲得的。應(yīng)看到參考電壓Vr0和Vr1與提供到電路自身的電源電壓Vcc無任何關(guān)系。
在前面所述的結(jié)構(gòu)中，輸出信號(節(jié)點N0的輸出電壓)通常被輸入到反相器INV1、INV2等的邏輯門用于波形整形，并被變換成完整的CMOS邏輯電平信號。這個CMOS邏輯電平信號是在圖中的信號OUT。
當(dāng)電壓Vn＞Vx時，形成電壓Vs＞Vr0，電平改變器1的電阻值設(shè)定為R2/R1=(Vr0-Vx)/(Vr1-Vr0)。
在節(jié)點N0的電壓變?yōu)榈碗娖?信號OUT是地電平)。在另一方面，當(dāng)電壓Vn Vx，建立了電壓Vs Vr0。在節(jié)點N0的電壓變?yōu)楦唠娖?信號OUT變成Vcc電平)。應(yīng)看到電壓Vr0和Vr1是與電源電壓Vcc無關(guān)的恒定電壓，而且滿足Vr1＞Vr0＞Vtn的數(shù)值關(guān)系。
在所示的實施例中，電平改變器1的輸出信號Vs的電平檢測是利用采用兩個MOS晶體管的柵極作為差分信號的輸入端的電流鏡像型放大器執(zhí)行的，即，N型MOS晶體管TN11和N型MOS晶體管TN12。因此，信號放電腔2的電壓放大率變高。另一方面，器件特性的波動的影響變小。另外，由于在電平改變器1中使用參考電源Vr1，則消除了電平改變操作對電源電壓的依賴性。
也就是，信號放大器部分2的輸出(節(jié)點N0的電壓)轉(zhuǎn)換操作變快。此外，電源電壓(Vcc)的依賴性或在轉(zhuǎn)換時間(tx1)的器件特性波動變低。
本發(fā)明電平檢測電路的第二實施例的電路結(jié)構(gòu)如圖2A所示，該電平檢測電路各部分的工作波形如圖2B所示。圖2A所示的電平檢測電路10是由電平改變器1和電流鏡像型差分放大器構(gòu)成。電平改變器1是由電阻R1和R2構(gòu)成，電阻R1和R2用負(fù)電壓產(chǎn)生電路的輸出電壓Vn(＜0伏)作為輸入；該電流鏡像型差分放大器接收電平改變器1的輸出，檢測被降低到低于預(yù)定電壓電平Vx(Vn Vx)(時間tx2)，并且是由P型MOS晶體管TP21、P型MOS晶體管TP22、N型MOS晶體管TN21、N型MOS晶體管TN22和用于提供恒流/恒壓的N型MOS晶體管TN23構(gòu)成，以便將節(jié)點N0的二進(jìn)制信號從低電平(近似為0伏)切換到高電平(近似為Vp)。
也就是，當(dāng)負(fù)的輸入電壓Vn是采用參考電源電壓Vr21的預(yù)定電壓電平Vx時，電平改變器1適于輸出等于參考電壓Vr20(也可能為0伏)的一信號Vs。在另一方面，差分放大器被饋送有到P型MOS晶體管TP21和P型MOS晶體管TP22的柵極的來自電平改變器1輸出的信號Vs和該參考電壓Vr20，以驅(qū)動作為電流鏡像型負(fù)載的兩個MOS晶體管，即，N型MOS晶體管TN21和N型MOS晶體管TN22。此外，一參考電壓Vr22被饋送到N型MOS晶體管TN23的柵極。N型MOS晶體管TN23向兩個MOS晶體管的源極，即P型MOS晶體管TP21和P型MOS晶體管TP22的源極提供恒定電壓/電流。然后得到從P型MOS晶體管TP21的漏極到節(jié)點N0的輸出信號。應(yīng)看到參考電壓Vr20、Vr21和Vr22與電源電壓Vcc無依賴關(guān)系。
在前面所述的結(jié)構(gòu)中，輸出信號(節(jié)點N0的輸出電壓)通常被輸入到反相器INV1、INV2等的邏輯門用于波形整形，并被變換成完整的CMOS邏輯電平信號。這個CMOS邏輯電平信號是在圖中的信號OUT。
當(dāng)電壓Vn＞Vx時，形成電壓Vs＞Vr0，電平改變器1的電阻值設(shè)定為R2/R1=(Vr20-Vx)/(Vr21-Vr20)。
在節(jié)點N0的電壓變?yōu)榈碗娖?信號OUT是地電平)。在另一方面，當(dāng)電壓Vn Vx，形成電壓Vs Vr20。在節(jié)點N0的電壓變?yōu)楦唠娖?信號OUT變成Vp電平)。應(yīng)看到電壓Vr20、Vr21和Vr22是與電源電壓Vcc無依賴性的恒定電壓，而且它們的值滿足Vr21＞Vr20，Vr22＞Vr20+Vtn+Vtp。在另一方面，電壓Vtn和Vtp是N型MOS晶體管TP23和P型MOS晶體管TP22的閾值電壓。
應(yīng)注意到，前面的Vr20所需要的0伏(地電位)。這是因為越接近0伏的電源電壓的依賴性越低。
在所示的實施例中，電平改變器1的輸出信號Vs的電平檢測是利用采用兩個MOS晶體管的柵極作為差分信號的輸入端的電流鏡像型放大器執(zhí)行的，即，P型MOS晶體管TP21和P型MOS晶體管TP22。因此，信號放大器2的電壓放大率變高。在另一方面，對器件特性波動的依賴性可以做得很小。參考電壓Vr20可以設(shè)置為0伏。此外，由于在電平改變器1中使用了參考電源Vr21，電平改變操作對電源Vcc的依賴性可以消除。
也就是，信號放大器部分2的輸出(節(jié)點N0的電壓)轉(zhuǎn)換操作變快。此外，電源電壓(Vcc)的依賴性或在轉(zhuǎn)換時間(tx2)的器件特性波動變低。并允許在低電壓工作。另外，由于利用N型MOS晶體管TN23取代第一實施例中的恒流源CC1來提供恒壓/恒流源，電路結(jié)構(gòu)變得簡單利于集成到半導(dǎo)體芯片。
本發(fā)明電平檢測電路的第三實施例的電路結(jié)構(gòu)如圖3A所示，該電平檢測電路各部分的工作波形如圖3B所示。
在此，當(dāng)負(fù)電壓輸入Vn利用參考電源Vr21的所需的電平Vx時，電平改變器1輸出將等于參考電壓Vr20(也可能為0)的信號Vs。在另一方面，差分放大器將從電平改變器1輸出的信號Vs和參考信號Vr20饋送到兩個MOS晶體管(即P型MOS晶體管TP21和P型MOS晶體管TP22)的作為輸入端的柵極，以驅(qū)動作為電流鏡像型負(fù)載的兩個MOS晶體管，即，N型MOS晶體管TN21和N型MOS晶體管TN22。差分放大器還包括柵極被加有參考電壓Vr22并向兩個P型MOS晶體管的源極提供恒定電壓/電流的N型MOS晶體管TN23，和與N型MOS晶體管TN23并聯(lián)設(shè)置用作恒流源的P型MOS晶體管TP33。那么就得到從P型MOS晶體管TP21的漏極到節(jié)點N0的輸出信號。應(yīng)看到參考電壓Vr20、Vr21和Vr22與電源電壓Vcc無任何依賴性。
在前面所述的第二實施例中，電壓Vp是恒定在電壓Vr22-Vtn的電平上。因此，由于在一個區(qū)域電源電壓Vcc為低位的優(yōu)化，所以在電壓為高位的一區(qū)域工作變成不可能的。當(dāng)電源電壓Vcc變?yōu)楦唠娢粫r，反相器INV1、INV2等的邏輯閾值變?yōu)楦咭灾洛e誤地認(rèn)為節(jié)點N0的高電位Vp為低電平。在所示的實施例中，這個問題已被如下面所述的方法解決。
即，增加了與N型MOS晶體管TN23并聯(lián)的作為恒流源的P型MOS晶體管TP33，以便提供確定節(jié)點N0的二進(jìn)制信號的高電平(近似為Vp)的恒流/恒壓。據(jù)此，電壓Vp對電源電壓Vcc有輕微的依賴性，節(jié)點N0的高電平變?yōu)槁愿?。因此，可以提供電平檢測電路的電源電壓Vcc的寬的工作范圍。
在所示的實施例中，電平改變器1的輸出信號Vs的電平檢測是利用采用兩個MOS晶體管的柵極作為差分信號的輸入端的電流鏡像型放大器執(zhí)行的，即，P型MOS晶體管TP21和P型MOS晶體管TP22。因此，信號放大器2的電壓放大率變高。在另一方面，對器件特性波動的依賴性可以做得很小。參考電壓Vr20可以設(shè)置為0伏。此外，由于在電平改變器1中使用了參考電源Vr21，電平改變操作對電源電壓Vcc的依賴性可以消除。由于用于對電源電壓具有輕微依賴性的恒流源的P型MOS晶體管TP33是與N型MOS晶體管TN23并聯(lián)設(shè)置的，所以變成能夠在寬電壓范圍內(nèi)工作。
也就是，信號放大器部分2的輸出(節(jié)點N0的電壓)轉(zhuǎn)換操作變快。此外，轉(zhuǎn)換時間(tx2)對電源電壓(Vcc)或在的器件特性波動的依賴性變低。并允許在低電壓和寬范圍電源電壓下工作。還有，由于采用利用N型MOS晶體管TN23的恒壓/恒流源代替第一實施例中的恒流源CC1，電路結(jié)構(gòu)變得簡單利于集成到半導(dǎo)體芯片。另外，通過增加與N型MOS晶體管TN23并聯(lián)的用于恒流源的P型MOS晶體管TP33，可以設(shè)置寬的電平檢測電路的工作范圍。
應(yīng)看到，當(dāng)電平檢測電路集成在半導(dǎo)體芯片中時，電阻可以用已知的多晶硅構(gòu)成。電阻還可以用多個晶體管的組合構(gòu)成。即，可以用能夠形成在芯片上的在較寬范圍內(nèi)的各種電阻元件。
如上面所述，由于本發(fā)明采用了利用不依賴于電源電壓的參考電壓通過電阻型分壓，進(jìn)行輸入信號的電壓電平的預(yù)定電平的改變，所以信號的輸出轉(zhuǎn)換操作變快。還有，轉(zhuǎn)換時間對電源電壓波動或器件特性波動的依賴性可以變小。此外，由于采用利用晶體管的恒壓/恒流源代替恒流源，所以電路結(jié)構(gòu)變得簡單。另外，通過增加與提供恒壓/恒流的晶體管并聯(lián)的晶體管，此晶體管基于前面的晶體管的輸出導(dǎo)通，所以可以設(shè)置寬的工作范圍。
雖然已經(jīng)與實施例相對應(yīng)的對本發(fā)明進(jìn)行了描述，應(yīng)認(rèn)識到對于本領(lǐng)域的熟練者來說，在沒有脫離本發(fā)明的范圍的情況下是能夠做出各種改變增刪的。所以，不應(yīng)將特定的實施例理解成對本發(fā)明的一種限制，而本發(fā)明是對應(yīng)于包含和等同于在所附權(quán)利要求中的特征范圍內(nèi)的所有可能的實施例。
權(quán)利要求
1.一種電平檢測電路，其中包括電平改變裝置，用于通過電阻型的分壓執(zhí)行從負(fù)載電壓產(chǎn)生電路輸入的信號電壓電平的預(yù)定電平改變，該分壓是其采用獨立于將被提供給電路本身的電源電壓的一參考電源電壓經(jīng)分壓電阻元件得到的，以及差分放大器，其饋送基于電平改變器輸出的電平改變信號和預(yù)定參考電壓之間的差別的一輸出，以便使其輸出作為一檢測輸出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電平檢測裝置，其特征在于在所述電平改變裝置中的所述分壓電阻元件可以串聯(lián)地連接在獨立于將提供到電路本身的電源電壓的參考電源電壓和輸入信號之間，而所述改變的電位信號可以從上述串聯(lián)連接的電阻元件的一端引出。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電平檢測裝置，其特征在于所述電平改變裝置進(jìn)行所述輸入信號的電平改變，致使所述輸入信號的電壓電平變?yōu)樵谝活A(yù)定電壓電平的所述預(yù)定的參考電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電平檢測裝置，其特征在于所述差分放大器包括一對形成差分對的晶體管和將為所述晶體管對的負(fù)載的電流鏡象電路，而所述檢測輸出是從所述晶體管和所述電流鏡像電路的接合處引出。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電平檢測裝置，其特征在于所述差分放大器還包括一恒流源，并且所述晶體管對設(shè)置在所述恒流源和所述電流鏡像電路之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電平檢測裝置，其特征在于所述差分電路有一作為恒流源的晶體管，該恒流源將被獨立于提供到所述電路自身的所述電源電壓的一恒定電壓控制在導(dǎo)通狀態(tài)，所述的晶體管對設(shè)置在所述晶體管和所述電流鏡像電路之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電平檢測裝置，其特征在于所述電平檢測電路還包括與所述晶體管并聯(lián)的并根據(jù)所述晶體管的輸出而導(dǎo)通的另一晶體管。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電平檢測裝置，其特征在于所述的預(yù)定的參考電壓等于地電位。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電平檢測裝置，其特征在于所述電平檢測電路還包括一邏輯電平變換裝置，用于將所述檢測輸出轉(zhuǎn)換成CMOS邏輯電平信號。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電平檢測裝置，其特征在于所述邏輯電平轉(zhuǎn)換裝置是由CMOS邏輯電路構(gòu)成的反相器電路。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電平檢測裝置，其特征在于所述分壓電阻元件是多晶硅構(gòu)成的。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電平檢測裝置，其特征在于所述分壓電阻元件是由組合的多個MOS晶體管構(gòu)成。
全文摘要
一種能消除對電源電壓波動和器件容差的依賴的在低電壓下高速運行的電平檢測器。其通過電阻型的分壓執(zhí)行從負(fù)載電壓產(chǎn)生電路輸入的信號電壓電平的預(yù)定電平改變,分壓是用獨立于提供給電路本身的電源電壓的一參考電源電壓經(jīng)分壓電阻元件得到的。差分放大器饋送電平改變器輸出的電平改變信號和預(yù)定參考電壓之間的差別的一輸出以作為檢測輸出。由于參考電源電壓獨立于電源電壓,所以能夠限制電源電壓波動的影響實現(xiàn)穩(wěn)定的操作。
文檔編號G11C11/408GK1236956SQ99105938
公開日1999年12月1日 申請日期1999年4月26日 優(yōu)先權(quán)日1998年4月28日
發(fā)明者竹島俊夫 申請人:日本電氣株式會社