專利名稱：用于改進(jìn)響應(yīng)的具有離軸基準(zhǔn)層取向的磁存儲(chǔ)器單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于磁存儲(chǔ)器領(lǐng)域。更具體地說，本發(fā)明涉及帶有具有離軸取向的基準(zhǔn)層的磁存儲(chǔ)器單元。
磁存貯器，例如磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)一般包括一簇磁存儲(chǔ)器單元。每一磁存儲(chǔ)器單元通常包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層和基準(zhǔn)層。典型地，磁存貯器單元的邏輯狀態(tài)依賴于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層和基準(zhǔn)層中的磁化相對(duì)取向。
磁存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層通常是存儲(chǔ)可變磁化狀態(tài)的磁性材料層或薄膜。這些可變磁化狀態(tài)一般包括與通常被稱為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層易軸平行的方向上形成的磁化。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層通常在其邊緣附近形成磁化，該邊緣也包括垂直易軸的邊緣。在垂直邊緣附近形成的磁化通常被稱為邊緣區(qū)域。在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層中最后所得到的磁化取向是在邊緣區(qū)域沿其易軸磁化的效應(yīng)和垂直磁化的效應(yīng)造成的結(jié)果。
磁存貯器單元的基準(zhǔn)層通常是其磁化是在特定方向固定或釘住的磁性材料層。在典型的已有技術(shù)的磁存貯器單元內(nèi)，基準(zhǔn)層的形成使得其磁化固定在平行于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層易軸的方向上。結(jié)果，在已有技術(shù)磁存儲(chǔ)器單元的基準(zhǔn)層中的磁化取向一般平行于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層的易軸。
如果其數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層的磁化取向平行于其基準(zhǔn)層中的磁化取向，那么磁存貯器單元一般處于低阻狀態(tài)。作為對(duì)照，如果其數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層的磁化取向反向平行于其基準(zhǔn)層中的磁化取向，那么磁存貯器單元一般處于高阻狀態(tài)。
已有技術(shù)的磁存儲(chǔ)器單元的寫入通常是通過在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層施加從一個(gè)方向到另一方向沿其易軸轉(zhuǎn)動(dòng)磁化取向的外磁場實(shí)現(xiàn)的。這就引起了磁存儲(chǔ)器單元在高和低阻狀態(tài)之間切換。磁存儲(chǔ)器單元的邏輯狀態(tài)可在讀取操作中通過測量其阻抗而確定。
可惜，在這種磁存貯器單元中的邊緣區(qū)域效應(yīng)引起了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層中最后所得到的磁化取向從其易軸的移走。這通常減少了磁存儲(chǔ)器單元高低阻狀態(tài)間的差異并且衰減了在讀取操作中可得到的信號(hào)。這種信號(hào)的衰減通常增加了磁隨機(jī)存儲(chǔ)器單元的誤碼率。
用于最小化邊緣區(qū)域的這些負(fù)面效應(yīng)的一個(gè)已有的方法是形成矩形數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層，其長邊沿易軸。這種結(jié)構(gòu)與來自邊緣區(qū)的貢獻(xiàn)相比，通常增加了易軸對(duì)最終的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層中磁化的貢獻(xiàn)。然而，這種矩形輪廓在寫入操作中通常需要更多的能量來倒轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層中的磁化取向，因而引起了使用這種結(jié)構(gòu)的磁隨機(jī)存儲(chǔ)器單元中能量消耗的增加。除此之外，這種矩形磁存儲(chǔ)器單元通常限制了在磁隨機(jī)存儲(chǔ)器單元中所能得到的總體存儲(chǔ)器單元密度。
公開一種磁存儲(chǔ)器單元，它包括具有易軸的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層和具有相對(duì)易軸的離軸方向上固定的磁化取向的基準(zhǔn)層。盡管有數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層邊緣區(qū)域效應(yīng)，但這種結(jié)構(gòu)仍然增加了在磁存儲(chǔ)器單元的讀取操作中信號(hào)的可獲得性。此外，利用方形結(jié)構(gòu)可得到較高M(jìn)RAM密度的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將由下面的詳細(xì)描述而變得清楚。
參照特定典型實(shí)施例描述本發(fā)明且附圖相應(yīng)為

圖1示出了具有基準(zhǔn)層的磁存儲(chǔ)器單元的基本結(jié)構(gòu)，該基準(zhǔn)層帶有相對(duì)其數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層的易軸的離軸磁化取向。
圖2為表示具有離軸取向的磁存儲(chǔ)器單元的基準(zhǔn)層的頂視圖。
圖3a-3b表示了在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層中用于磁存儲(chǔ)器單元的雙邏輯狀態(tài)的磁化狀態(tài)。
圖4a-4b表示了用于磁存儲(chǔ)器單元的雙邏輯狀態(tài)最終所得到的M1矢量。
圖5a-5b表示了相對(duì)于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層易軸的M2離軸取向效應(yīng)。
圖6為表示包括一簇磁存儲(chǔ)器單元的磁存儲(chǔ)器頂視圖。
圖1表示了具有基準(zhǔn)層54磁存儲(chǔ)器單元40的基本結(jié)構(gòu)，該基準(zhǔn)層帶有相對(duì)其數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層50易軸的離軸磁化取向。相對(duì)于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層50的易軸的基準(zhǔn)層54的離軸取向角度的選擇，增強(qiáng)了在磁存儲(chǔ)器單元40上進(jìn)行讀取操作時(shí)信號(hào)的可獲得性。
在實(shí)施例中，磁存儲(chǔ)器單元40包括了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層50和基準(zhǔn)層54之間的隧道(tunnel)阻擋層52。這種磁存儲(chǔ)器單元40的結(jié)構(gòu)可被稱為旋轉(zhuǎn)隧道器件，因?yàn)樵谧x取操作中電荷遷移通過隧道阻擋層52。這種通過隧道阻擋層52的電荷遷移是因?yàn)橐阎男D(zhuǎn)隧道現(xiàn)象并且它發(fā)生在讀取電壓施加到磁存儲(chǔ)器單元40上之時(shí)。在另一實(shí)施例中，巨磁阻(GMR)結(jié)構(gòu)可用于磁存儲(chǔ)器單元40中。
磁存儲(chǔ)器單元40的邏輯狀態(tài)對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層50和基準(zhǔn)層54的磁化相對(duì)取向。在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層50中的總體或最后所得到的磁化取向由矢量M1所代表。矢量M1包括來自于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層50沿易軸和在邊緣區(qū)域的磁化的貢獻(xiàn)。在基準(zhǔn)層54中的磁化取向由相對(duì)于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層易軸的離軸的特定方向上固定的矢量M2來代表。
最后所得到的M1矢量依賴于磁存儲(chǔ)器單元40的邏輯狀態(tài)而改變。最后所得到的M1矢量由使用與磁存儲(chǔ)器單元40有關(guān)的導(dǎo)體的外磁場施加所控制。這些外磁場的施加用于在包括易軸磁化和邊緣區(qū)域的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層50中翻轉(zhuǎn)或轉(zhuǎn)動(dòng)磁化方向。
磁存儲(chǔ)器單元40的邏輯狀態(tài)取決于其根據(jù)M1和M2的相對(duì)取向不同所測得的阻抗。磁存儲(chǔ)器單元40的阻抗可通過施加讀取電壓并且測量最后所得到的傳感電流測得。
圖2為表示磁存儲(chǔ)器單元40的基準(zhǔn)層54的頂視圖。圖2還表示了代表基準(zhǔn)層54的磁化固定取向的M2矢量。M2矢量相對(duì)于x軸形成了角度θ0。M2矢量為離軸，其中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層50的易軸平行于x軸。
根據(jù)角度θ0的磁化離軸取向M2可通過使用許多已知技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。例如，基準(zhǔn)層54可以是與抗鐵磁層結(jié)合的坡莫合金層(NiFe)，它耦合到抗鐵磁層中，在該層中將角度為θ0所限定的方向上的坡莫合金層中的磁化取向固定?？硅F磁材料可以是鐵錳(FeMn)或鎳錳(NiMn)材料。用于抗鐵磁的另類材料包括NiO，TbCo，PtMn和IrMn。
M2的角度θ0可以通過在平行于理想M2矢量的方向上施加例如1000奧斯特的強(qiáng)磁場并加熱磁存儲(chǔ)器單元40至例如攝氏200度的高溫來實(shí)現(xiàn)。然后磁存儲(chǔ)器單元40在這種磁場存在時(shí)冷卻，以在平行于理想角度θ0的方向上固定抗鐵磁材料中的磁化取向。在退過火的抗鐵磁材料和基準(zhǔn)層54的坡莫合金材料間的磁交換耦合將M2固定在理想角度θ0。
另外，基準(zhǔn)層54可以是具有高矯頑力的材料，例如鈷鉑合金。足夠強(qiáng)度的磁場可被施加到基準(zhǔn)層54上以把磁化取向M2固定到理想角度θ0?；鶞?zhǔn)層54的相對(duì)高矯頑力在對(duì)磁存儲(chǔ)器單元40寫操作時(shí)所加的外磁場存在的條件下將阻止M2的切換。
圖3a-3b表示了在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層50中用于磁存儲(chǔ)器單元40的雙邏輯狀態(tài)的磁化。圖3a表示了第一邏輯狀態(tài)而圖3b表示了磁存儲(chǔ)器單元40的第二邏輯狀態(tài)。矢量60代表著沿平行于x軸的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層50的易軸的磁化。一對(duì)矢量62和64代表在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層50的垂直邊緣區(qū)域的磁化。矢量62和64垂直于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層50的易軸并且平行于y軸。
在第一邏輯狀態(tài)，由矢量62和64所代表的邊緣區(qū)域磁場處于y軸正方向，而在第二邏輯狀態(tài)，邊緣區(qū)域磁場處于y軸負(fù)方向。與其說如在已有技術(shù)中通過沿長數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層試圖最小化邊緣區(qū)域的磁場效應(yīng)，不如使磁存儲(chǔ)器單元40考慮用于角度θ0選擇以在讀取操作中增加信號(hào)的可獲得性的邊緣區(qū)域磁場。
圖4a-4b表示了用于磁存儲(chǔ)器單元40的雙邏輯狀態(tài)最終所得到的M1矢量。最終所得到的M1矢量考慮到對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層50中的矢量60-64的磁化的貢獻(xiàn)。圖4a表示了用于第一邏輯狀態(tài)的M1矢量，而圖4b表示了用于磁存儲(chǔ)器單元40的第二邏輯狀態(tài)最終所得到的M1矢量。
最終所得到的M1矢量在外加磁場的影響下在兩個(gè)邏輯狀態(tài)之間翻轉(zhuǎn)。如果角度θ0和θ1基本相等，在讀取操作中從磁存儲(chǔ)器單元40所獲得的信號(hào)就被最大化。這就造成M1繞離軸轉(zhuǎn)動(dòng)角度θ0，并且或者平行或者反向平行于M2。
磁存儲(chǔ)器單元40通過施加使邊緣區(qū)域矢量62和64翻轉(zhuǎn)至y軸正方向的外磁場和通過施加使易軸矢量60翻轉(zhuǎn)至x軸正方向的外磁場而寫入第一邏輯狀態(tài)。這在M1矢量中導(dǎo)致了x軸正方向和y軸正方向相對(duì)于所示x軸有θ1角度。
磁存儲(chǔ)器單元40通過施加使邊緣區(qū)域矢量62和64翻轉(zhuǎn)至y軸負(fù)方向的外磁場和通過施加使易軸矢量60翻轉(zhuǎn)至x軸負(fù)方向的外磁場而寫入第二邏輯狀態(tài)。這在M1矢量中導(dǎo)致了x軸負(fù)方向和y軸負(fù)方向相對(duì)于所示x軸有θ1角度。
圖5a-5b表示了相對(duì)于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層50易軸的M2離軸取向效應(yīng)。這些效應(yīng)根據(jù)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層50的晶狀體各向異性值(HK)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層50厚度的不同而不同。
圖5a表示了用于區(qū)分HK值的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層50的角度θ0和厚度之間的關(guān)系。系列曲線80-82描繪了分別在5、20和100奧斯特的HK值時(shí)的最佳固定角度θ0。曲線80-82可用于在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層50于給定厚度和給定HK值時(shí)選擇最佳的固定角度θ0。
圖5b表示了從磁存儲(chǔ)器單元40獲取的讀取信號(hào)與在用曲線80-82所選擇的最佳固定角θ0處不同的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層50HK值時(shí)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層50厚度的關(guān)系。系列曲線90-92分別代表100、20和5奧斯特的HK值。
方向dx和dy的選擇基本相等并且構(gòu)成了用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層50的方形。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層50的方形與當(dāng)使用矩形存儲(chǔ)器單元時(shí)可獲得密度相比，增加了可在磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中獲得的密度。之所以如此是因?yàn)椋瑢?duì)于給定的最小化特征尺寸，方形磁存儲(chǔ)器單元在給定的基板面積上可比矩形磁存儲(chǔ)器單元形成更多。
圖6為表示包括一簇包含磁存儲(chǔ)器單元40和另外的磁存儲(chǔ)器單元41-43的磁存儲(chǔ)器單元的磁存儲(chǔ)器10的頂視圖。磁存儲(chǔ)器10也包括一簇導(dǎo)體20-21和30-31，它們控制對(duì)磁存儲(chǔ)器單元40-43讀和寫。導(dǎo)體30-31是上部導(dǎo)體而導(dǎo)體20-21是正下面的導(dǎo)體。每一磁存儲(chǔ)器單元40-43具有dx和dy軸向。
磁存儲(chǔ)器單元40-43的邏輯狀態(tài)是通過將電流到導(dǎo)體20-21和30-32上來控制的。例如，加到導(dǎo)體30的x軸正向的電流根據(jù)右手規(guī)則引起數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層50的y軸正向的磁場(Hy+)。加到導(dǎo)體30的x軸負(fù)向的電流引起數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層50的y軸負(fù)向的磁場(Hy-)。類似地，加到導(dǎo)體20的y軸正向的電流引起了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層50的x軸正向的磁場(Hx+)，而加到導(dǎo)體20的y軸負(fù)向的電流引起了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層50的x軸負(fù)向的磁場(Hx-)。這些感生的磁場Hx+，Hx-，Hy+和Hy-可被用來改變矢量60-64的方向，因而改變了磁存儲(chǔ)器單元40的邏輯狀態(tài)。
本發(fā)明上述的詳細(xì)描述目的是為了說明，并不意味著窮舉或限制本發(fā)明公開的特定實(shí)施例。因而，本發(fā)明的范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求書來限定。
權(quán)利要求
1.一種磁存儲(chǔ)器單元，包括具有一個(gè)易軸的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層；具有一固定在相對(duì)易軸的離軸方向上的磁化取向的基準(zhǔn)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的磁存儲(chǔ)器單元，其中的方向是基本平行于在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層中沿易軸磁化的矢量和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層中垂直于易軸的一組磁化產(chǎn)生的矢量的。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的磁存儲(chǔ)器單元，其中磁存儲(chǔ)器單元的邏輯狀態(tài)的寫入是通過施加一系列沿著易軸轉(zhuǎn)動(dòng)磁化方向的和垂直于易軸轉(zhuǎn)動(dòng)磁化方向的外磁場來實(shí)現(xiàn)的。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的磁存儲(chǔ)器單元，其中第一邏輯狀態(tài)的寫入是通過施加一系列外磁場實(shí)現(xiàn)的，該外加磁場沿易軸轉(zhuǎn)動(dòng)磁化方向直至基本上平行于基準(zhǔn)層的磁化取向的x軸，并且垂直于易軸轉(zhuǎn)動(dòng)磁化方向直至基本上平行于基準(zhǔn)層的磁化取向的Y軸。
5.根據(jù)權(quán)利要求2的磁存儲(chǔ)器單元，其中第二邏輯狀態(tài)的寫入是通過施加一系列外磁場實(shí)現(xiàn)的，該外磁場沿易軸轉(zhuǎn)動(dòng)磁化方向直至基本上反向平行于基準(zhǔn)層的磁化取向的x軸，并且垂直于易軸轉(zhuǎn)動(dòng)磁化方向直至基本上反向平行于基準(zhǔn)層的磁化取向的Y軸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的磁存儲(chǔ)器單元，其中它的方向的預(yù)選是根據(jù)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層的厚度進(jìn)行的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的磁存儲(chǔ)器單元，其中它的方向的預(yù)選是根據(jù)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層晶狀體的各向異性進(jìn)行的。
8.一種磁存儲(chǔ)器，包括一系列磁存儲(chǔ)器單元，每個(gè)具有帶易軸的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層和帶有固定在相對(duì)于易軸的離軸的方向上的基準(zhǔn)層；一組能使讀取和寫入到磁存儲(chǔ)器單元上的導(dǎo)體。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的磁存儲(chǔ)器，其中它的方向基本上平行于由數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層中沿易軸的磁化和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層中垂直于易軸的一套磁化產(chǎn)生的矢量。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的磁存儲(chǔ)器，其中磁存儲(chǔ)器單元的一個(gè)特定邏輯狀態(tài)的寫入是通過施加一系列使用導(dǎo)體的外磁場來實(shí)現(xiàn)的，以轉(zhuǎn)動(dòng)沿易軸的磁存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層的一個(gè)特定磁化方向，并且轉(zhuǎn)動(dòng)垂直于易軸磁存儲(chǔ)器單元的一個(gè)特定數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層的磁化方向。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的磁存儲(chǔ)器，其中特定一個(gè)磁存儲(chǔ)器單元的第一邏輯狀態(tài)的寫入是通過施加一系列使用導(dǎo)體的外磁場來實(shí)現(xiàn)的，以轉(zhuǎn)動(dòng)沿易軸磁存儲(chǔ)器單元的一個(gè)特定數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層的磁化方向直至基本上平行于在磁存儲(chǔ)器單元的一個(gè)特定基準(zhǔn)層中的磁化取向的x軸，并且轉(zhuǎn)動(dòng)垂直于易軸的磁存儲(chǔ)器單元的一個(gè)特定數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層的磁化方向直至基本上平行于在磁存儲(chǔ)器單元的一個(gè)特定基準(zhǔn)層中的磁化取向的Y軸。
12.根據(jù)權(quán)利要求9的磁存儲(chǔ)器單元，其中特定一個(gè)磁存儲(chǔ)器單元的第二邏輯狀態(tài)的寫入是通過施加一系列使用導(dǎo)體的外磁場來實(shí)現(xiàn)的，以轉(zhuǎn)動(dòng)沿易軸磁存儲(chǔ)器單元的一個(gè)特定數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層的磁化方向直至基本上反向平行于在磁存儲(chǔ)器單元的一個(gè)特定基準(zhǔn)層中的磁化取向的x軸，并且轉(zhuǎn)動(dòng)垂直于易軸的磁存儲(chǔ)器單元的一個(gè)特定數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層的磁化方向直至基本上反向平行于在磁存儲(chǔ)器單元的一個(gè)特定基準(zhǔn)層中的磁化取向的Y軸。
13.根據(jù)權(quán)利要求8的磁存儲(chǔ)器，其中的方向的預(yù)選是根據(jù)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層的厚度來進(jìn)行的。
14.根據(jù)權(quán)利要求8的磁存儲(chǔ)器，其中的方向的預(yù)選是根據(jù)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層的晶狀體的各向異性來進(jìn)行的。
15.一種用于給磁存儲(chǔ)器單元提供改進(jìn)響應(yīng)的方法，其包括構(gòu)成磁存儲(chǔ)器單元的基準(zhǔn)層的步驟，它采取了相對(duì)于磁存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層的易軸的離軸方向固定的磁化取向。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中形成基準(zhǔn)層的步驟包括以固定在基本平行于矢量的方向上形成基準(zhǔn)層，該矢量是由數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層中沿易軸方向的磁化和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層中垂直于易軸方向的一組磁化產(chǎn)生的。
17.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中形成基準(zhǔn)層的步驟包括根據(jù)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層的厚度選取方向的步驟。
18.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中形成基準(zhǔn)層的步驟包括根據(jù)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層晶狀體的各向異性選取方向的步驟。
19.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中形成基準(zhǔn)層的步驟包括在平行于離軸的方向上將一強(qiáng)磁場加到基準(zhǔn)層上；將基準(zhǔn)層加熱到高溫；在強(qiáng)磁場中冷卻基準(zhǔn)層，以固定基準(zhǔn)層的磁化取向。
20.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中形成基準(zhǔn)層的步驟包括用具有高矯頑力的材料形成基準(zhǔn)層；將一磁場加到基準(zhǔn)層，以將基準(zhǔn)面的磁化取向固定到離軸方向。
全文摘要
一種磁存儲(chǔ)器單元,包括具有易軸的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層和具有固定于相對(duì)易軸的離軸方向的磁化取向的基準(zhǔn)層。盡管有在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層的邊緣區(qū)域的磁化效應(yīng),但是這種結(jié)構(gòu)在磁存儲(chǔ)器單元的讀取操作中增強(qiáng)了信號(hào)可獲性。此外,采用這種結(jié)構(gòu),就可以通過使用方形存儲(chǔ)器單元結(jié)構(gòu)獲得高磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器密度。
文檔編號(hào)G11C11/16GK1246708SQ9911832
公開日2000年3月8日 申請(qǐng)日期1999年8月27日 優(yōu)先權(quán)日1998年8月27日
發(fā)明者M·K·巴塔查賴亞, J·A·布魯格 申請(qǐng)人:惠普公司