專利名稱：磁盤表面劃痕等所致讀取錯誤發(fā)生概率較低的磁盤設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種可減小磁盤表面劃痕等所引起的讀取錯誤的發(fā)生概率的磁盤設(shè)備，該磁盤設(shè)備在根據(jù)常規(guī)再現(xiàn)所用標(biāo)準(zhǔn)檢查磁盤的過程中，在登記缺陷扇區(qū)時使用不同的標(biāo)準(zhǔn)確定缺陷。
相關(guān)技術(shù)在一些適于高密度記錄的軟磁盤中，其記錄磁道區(qū)中的扇區(qū)設(shè)有伺服字段。當(dāng)使磁頭尋找目標(biāo)磁道時以及在跟蹤期間，伺服字段中的信號用于伺服控制。
另外，在一個扇區(qū)中的伺服字段后面提供數(shù)據(jù)字段。SYNC、伺服地址標(biāo)記(SAM)和伺服信息、即A字符組和B字符組記錄在伺服字段中。用SYNC進(jìn)行同步，利用SAM讀取有關(guān)扇區(qū)的位置信息，并利用A字符組和B字符組進(jìn)行磁頭的位置修正。
數(shù)據(jù)字段還具有SYNC區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)(“數(shù)據(jù)”)。在SYNC完成同步之后，數(shù)據(jù)體從該數(shù)據(jù)區(qū)中讀出。在這種情況下，進(jìn)行設(shè)置以便根據(jù)SAM開始時或在SAM中對參考信號(STM)的檢測、在預(yù)定時間打開讀取電路的讀出門。當(dāng)磁頭位于數(shù)據(jù)字段的SYNC區(qū)中時，讀出門打開。結(jié)果，隨著讀出門的打開，數(shù)據(jù)體的信號在SYNC之后從數(shù)據(jù)區(qū)中讀出。
這種用于高密度記錄的磁盤在制作過程之后的質(zhì)量檢驗中要進(jìn)行檢驗所需的寫數(shù)據(jù)和讀數(shù)據(jù)。在質(zhì)量檢驗中，不能正常讀出數(shù)據(jù)的扇區(qū)被確定為缺陷扇區(qū)，該扇區(qū)號作為缺陷扇區(qū)號登記在磁盤維護(hù)區(qū)中。當(dāng)磁盤裝入通常的磁盤設(shè)備時，維護(hù)區(qū)首先被讀取，缺陷扇區(qū)號被識別，并且進(jìn)行控制以使缺陷扇區(qū)不被用于記錄。
但是，當(dāng)用于高密度記錄的軟磁頭裝入磁盤設(shè)備以進(jìn)行記錄和再現(xiàn)時，在質(zhì)量檢驗時未被確定為有缺陷的扇區(qū)中也會產(chǎn)生記錄錯誤或再現(xiàn)錯誤。導(dǎo)致這些錯誤的原因包括將磁盤反復(fù)裝入磁盤設(shè)備而重復(fù)使用磁盤時在磁盤表面產(chǎn)生的劃痕，記錄或再現(xiàn)設(shè)備的質(zhì)量變動，或磁盤操作環(huán)境的可變因素、例如溫度和濕度。
因此，有時會出現(xiàn)這種情況、即在質(zhì)量檢驗時扇區(qū)中未出現(xiàn)ECC錯誤，該扇區(qū)被判定為無缺陷；而在實際再現(xiàn)時，沒有被登記為缺陷扇區(qū)的區(qū)域中的上述劃痕會導(dǎo)致讀取錯誤。例如，如果伺服字段中的標(biāo)準(zhǔn)信號(STM)因劃痕等缺陷而不能讀取，則讀出門就不能基于該參考信號在預(yù)定時間打開。這將使ECC錯誤發(fā)生概率低的正常數(shù)據(jù)不能被讀出。
本發(fā)明的方案因此，提出本發(fā)明是為了解決上述的問題，本發(fā)明的目的是要提供一種磁盤設(shè)備，該磁盤設(shè)備在例如伺服字段中因磁盤表面劃痕等缺陷導(dǎo)致產(chǎn)生參考信號的讀取錯誤后仍能讀出正常數(shù)據(jù)。
本發(fā)明的另一個目的是提供一個磁盤設(shè)備，該磁盤設(shè)備設(shè)置了磁盤在裝運之前的質(zhì)量檢驗中關(guān)于STM讀取錯誤的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)，因此它可以將產(chǎn)生讀取錯誤的扇區(qū)識別為缺陷扇區(qū)。
為了實現(xiàn)這些目的，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種磁盤設(shè)備，該磁盤設(shè)備具有一個從設(shè)置有伺服字段、SYNC區(qū)、和該伺服字段之后的數(shù)據(jù)區(qū)的磁盤中讀出記錄信息的磁頭，一個把該磁頭讀出的信號施加到信號處理單元的門，和一個控制該門的控制單元；其中，控制單元進(jìn)行控制，使得根據(jù)已從磁頭所讀出信號中檢測到伺服字段中的參考信號(STM)的時刻，在一設(shè)定的期間(T1)之后打開該門、或者如果在前一參考信號(STM)的檢測之后在預(yù)定時間周期(T)之后參考信號(STM)不能被檢測、則在與從參考信號(STM)假定被檢測時刻起的設(shè)定期間(T1)對應(yīng)的時間過去之后打開該門。
例如，控制單元確定從預(yù)定期間(T)進(jìn)一步通過的期間(Tw)與設(shè)定的期間(T1)之間的差值(T1-Tw＝T2)，并在確定的T2中控制打開該門。
本發(fā)明可用于這樣的情況，即當(dāng)用正常的磁盤設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)讀出時，由于磁盤表面的劃痕等缺陷在伺服字段中產(chǎn)生STM讀出錯誤，該數(shù)據(jù)來自在磁盤質(zhì)量檢驗期間未產(chǎn)生ECC錯誤、并表現(xiàn)出低的ECC錯誤率的區(qū)域，因此該區(qū)域沒有被登記為磁盤維護(hù)區(qū)中的缺陷扇區(qū)。
如果產(chǎn)生參考信號的讀出錯誤，則控制單元確定在自前一個參考信號起的預(yù)定期間(T)經(jīng)過之后還要經(jīng)過多少時間(Tw)。而后，控制單元從設(shè)定的期間(T1)減去經(jīng)過的時間(Tw)、即(T1-Tw)＝T2計算得到的期間。如果產(chǎn)生參考信號讀出錯誤，則控制單元進(jìn)行處理以便在期間(T2)經(jīng)過之后打開讀出門。這樣可使該數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù)體被讀出。
另一方面，如果自前一參考信號起的預(yù)定期間(T)經(jīng)過之后產(chǎn)生STM讀出錯誤，則控制單元可在預(yù)定期間(T)經(jīng)過之后繼續(xù)計量時間，在預(yù)定期間(T)經(jīng)過之后增加設(shè)定的期間(T1)，并在由(T+T1)得到的時間經(jīng)過后打開該門。
在本發(fā)明的優(yōu)選實例中，磁盤設(shè)有維護(hù)區(qū)，在該維護(hù)區(qū)中登記了磁盤檢驗時的缺陷扇區(qū)，如果在磁盤檢驗時在預(yù)定期間(T)內(nèi)STM沒有被檢測到，則STM未被檢測到的扇區(qū)登記為維護(hù)區(qū)中的缺陷扇區(qū)。
在另外的優(yōu)選實施例中，通過設(shè)定時間差(T1-Tw＝T2)所進(jìn)行的打開讀出門的處理、只在裝運后安裝有磁盤的正常磁盤設(shè)備中執(zhí)行，在磁盤裝運之前的質(zhì)量檢驗中不設(shè)置該時間差。在裝運之前的質(zhì)量檢驗中，發(fā)生參考信號讀出錯誤的扇區(qū)被記錄為維護(hù)區(qū)中的缺陷扇區(qū)。
于是，通過給裝運前質(zhì)量檢驗中的參考信號讀出錯誤提供比常規(guī)磁盤設(shè)備中的控制處理更嚴(yán)格的處理，能使常規(guī)磁盤設(shè)備內(nèi)所裝磁盤的讀出錯誤的發(fā)生概率變得較低。


圖1是表示磁盤設(shè)備電路結(jié)構(gòu)概況的框圖。
圖2是表示常規(guī)再現(xiàn)處理的示意圖。
圖3是表示再現(xiàn)期間校正讀出門時刻的處理的示意圖。
圖4是表示用于打開門的處理控制的流程圖。
優(yōu)選實施例的說明下面結(jié)合附圖1-4說明本發(fā)明的磁盤設(shè)備。圖1是表示磁盤設(shè)備電路結(jié)構(gòu)概況的框圖圖2是表示裝運之后，用于從磁盤進(jìn)行再現(xiàn)的常規(guī)再現(xiàn)處理的示意圖；圖3是表示裝運之后，從磁盤再現(xiàn)時如果產(chǎn)生讀取錯誤，校正讀出門時刻的處理的示意圖；圖4是表示利用磁盤設(shè)備的控制單元進(jìn)行控制的流程圖。
圖1所示的磁盤設(shè)備主要包括控制單元10，信號處理單元11，讀出門12，伺服信號處理單元13，放大器14，VCM 15，和再現(xiàn)磁盤D中記錄信息的磁頭16。VCM表示音圈電機(jī)，它是用于沿磁盤D的徑向驅(qū)動磁頭16的線性電機(jī)驅(qū)動單元。
圖2表示設(shè)置在磁盤D每個扇區(qū)的伺服字段和數(shù)據(jù)字段。
磁盤D的數(shù)據(jù)扇區(qū)具有格式化的伺服字段SF和格式化的數(shù)據(jù)字段DF。SYNC1，伺服地址標(biāo)記(SAM)2，和A字符組3a和B字符組3b作為伺服信息記錄在伺服字段SF中。數(shù)據(jù)字段DF具有格式化SYNC區(qū)4和格式化SYNC區(qū)4之后的格式化數(shù)據(jù)區(qū)5，“數(shù)據(jù)”被記錄在數(shù)據(jù)區(qū)5中。
為了再現(xiàn)磁盤D上記錄的信息，利用磁頭16讀取磁盤D上所記錄的信號，并用放大器14放大該信號。伺服字段SF中的SYNC 1、SAM 2、以及A字符組3a和B字符組3b的讀取輸出施加到伺服信號處理單元13。伺服信號處理單元13根據(jù)SYNC 1的輸出設(shè)定讀出時刻，讀取SAM 2以識別地址，檢測A字符組3a和B字符組3b的輸出強(qiáng)度電平、并將它們提供給控制單元10?？刂茊卧?0計算A字符組3a的輸出強(qiáng)度電平與B字符組3b的輸出強(qiáng)度電平之間的差值。根據(jù)計算結(jié)果，伺服驅(qū)動VCM 15進(jìn)行跟蹤校正，以使磁頭16跟蹤磁盤D的磁道中心。
另外，控制單元10執(zhí)行用于在預(yù)定時刻打開讀出門12的處理。當(dāng)讀出門12打開時，記錄在SYNC區(qū)4和數(shù)據(jù)字段DF的“數(shù)據(jù)”區(qū)5中的信號提供給信號處理單元11、以便進(jìn)行“數(shù)據(jù)”的解碼處理。
現(xiàn)在參閱圖4的流程圖，說明用于打開讀出門12的控制操作。在圖4中，利用控制單元10進(jìn)行控制操作的每個步驟表示為ST。
在裝運前的質(zhì)量檢驗期間，對裝在磁盤設(shè)備中的磁盤D已進(jìn)行了檢驗信號的記錄和再現(xiàn)。根據(jù)再現(xiàn)輸出進(jìn)行了數(shù)據(jù)檢查，并把具有高ECC錯誤率的扇區(qū)作為缺陷扇區(qū)記錄在磁盤的維護(hù)區(qū)中。
當(dāng)裝運之后、磁盤被裝入用戶使用的常規(guī)磁盤設(shè)備中時，維護(hù)區(qū)被圖1所示的磁頭16讀取，記錄在維護(hù)區(qū)中的缺陷扇區(qū)被識別，缺陷扇區(qū)的號被儲存在控制單元10的RAM中。
在圖4的ST1中，確定磁盤D上被讀取的扇區(qū)是否是儲存在RAM中的缺陷扇區(qū)。如果確定該扇區(qū)是缺陷扇區(qū)，則處理程序到達(dá)ST2，在ST2中讀出門12不對該扇區(qū)打開，因此，數(shù)據(jù)字段DF不被讀取。
在ST1中，如果發(fā)現(xiàn)所讀取的扇區(qū)沒有被識別為缺陷扇區(qū)，則從伺服信號處理單元13提供到控制單元10的伺服字段SF的再現(xiàn)信號中檢測參考信號(STM)。STM是一個伺服地址標(biāo)記(SAM)的上升信號或類似信號。如圖2所示，當(dāng)磁頭16連續(xù)地從旋轉(zhuǎn)的磁盤讀取時，根據(jù)預(yù)定期間(T)、間隔地檢測STM。
在圖4的ST3中，當(dāng)從前一個STM起已經(jīng)過預(yù)定期間(T)時，監(jiān)視STM是否被檢測到。
在檢測到STM時，在一設(shè)定期間(T1)內(nèi)，如圖2所示從該檢測開始進(jìn)行計數(shù)。根據(jù)基于伺服字段SF的SYNC 1的再現(xiàn)信號的時鐘進(jìn)行該計數(shù)。在ST4中，當(dāng)計數(shù)結(jié)果表明在STM檢測到后經(jīng)過了設(shè)定的期間(T1)時，在ST5中，讀出門12被控制單元10打開預(yù)定的時間。
于是，來自放大器14的輸出施加到信號處理單元11。在該設(shè)定的期間(T1)之后，用于打開讀出門12的時間被設(shè)定，以便在從數(shù)據(jù)字段DF的SYNC區(qū)4再現(xiàn)期間或之前立即打開讀出門12。于是，首先將SYNC區(qū)4的輸出提供給信號處理單元11，而后信號處理單元11根據(jù)由SYNC輸出所設(shè)定的時刻讀取后續(xù)的“數(shù)據(jù)”區(qū)5的“數(shù)據(jù)”體并進(jìn)行解碼處理。
如果在上述ST3中，在預(yù)定期間(T)內(nèi)STM未被檢測到，即如果STM在圖3的時間P不能被檢測到，則從時間P到時間Q中磁頭移動所經(jīng)過的時間Tw被計算，并在ST7中進(jìn)行T1-Tw＝T2的計算。當(dāng)在ST8中確定時間T2已經(jīng)過時，在ST9中打開讀出門12，從數(shù)據(jù)字段DF讀取的輸出提供給信號處理單元11。
另一方面，可預(yù)先固定時間Tw，如果STM不能被讀取，則在時間Tw經(jīng)過之后、可計量時間T2，并可打開讀出門12。又一方面，如果STM不能被讀取，在設(shè)定的期間(T)經(jīng)過之后可繼續(xù)進(jìn)行時間計量，并在經(jīng)過預(yù)定時間(T+T1)后可打開讀出門12。
因此，即使在經(jīng)過預(yù)定期間(T)后產(chǎn)生STM讀取錯誤，讀出門12也能正確地打開、以便讀取記錄在SYNC區(qū)4和數(shù)據(jù)字段DF的“數(shù)據(jù)”區(qū)5中的正常數(shù)據(jù)。
另外，在這種磁盤D裝運之前的質(zhì)量檢驗中，用于檢驗的數(shù)據(jù)被記錄和再現(xiàn)，并且具有高的讀取數(shù)據(jù)錯誤率的扇區(qū)記錄在磁盤的維護(hù)區(qū)中。在質(zhì)量檢驗中，如果在圖2和3所示的預(yù)定期間(T)經(jīng)過之后、參考信號(STM)未被檢測到，則不進(jìn)行圖4所示的校正處理、而將該扇區(qū)作為缺陷扇區(qū)登記在維護(hù)區(qū)中。因此，當(dāng)裝運后該磁盤被裝入用戶的磁盤設(shè)備時，通過從維護(hù)區(qū)讀出信號在圖4的ST1中識別登記為缺陷扇區(qū)的扇區(qū)，以使讀出門12在ST2中不對該扇區(qū)打開。
換言之，圖3和4所示的校正處理只在裝運之后因盤上劃痕等缺陷導(dǎo)致參考信號不能讀出時才能進(jìn)行。磁盤在裝運之前所進(jìn)行的質(zhì)量檢驗不包括圖4中的處理，它執(zhí)行較嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)以便發(fā)現(xiàn)缺陷扇區(qū)。
如上所述，本發(fā)明即使在為打開讀出門提供參考的信號因磁盤上的劃痕等缺陷而產(chǎn)生讀取錯誤時，也能正確地打開讀出門。
在裝運之前的磁盤檢驗中，如果參考信號的讀取錯誤在一個扇區(qū)發(fā)生，則該扇區(qū)登記為該磁盤的缺陷扇區(qū)。因此，當(dāng)該磁盤裝入用戶的磁盤設(shè)備時，該扇區(qū)被作為缺陷扇區(qū)處理，于是可以降低讀取錯誤的發(fā)生概率。
權(quán)利要求
1.一種磁盤設(shè)備，包括一個磁頭，用于從磁盤中讀取所記錄的信息，該磁盤設(shè)有伺服字段、和位于所述伺服字段之后的SYNC區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)；一個門，用于把所述磁頭讀出的信號提供給信號處理單元；和一個控制單元，用于控制所述門；其中，所述控制單元這樣地進(jìn)行控制基于已從所述磁頭讀取的信號中檢測出所述伺服字段中參考信號(STM)的時刻，在一設(shè)定的期間(T1)之后，打開所述門，或者如果在繼檢測到前一個參考信號(STM)后的預(yù)定期間(T)之后、所述參考信號(STM)未能被檢測到，則從所述參考信號(STM)應(yīng)該被檢測的時刻起、在與所述設(shè)定的期間(T1)相對應(yīng)的期間經(jīng)過之后，所述門被打開。
2.一種如權(quán)利要求1所述磁盤設(shè)備，其中，所述控制單元確定在所述預(yù)定期間(T)之后經(jīng)過的時間(Tw)與所述設(shè)定的期間(T1)之間的差值(T1-Tw＝T2)，并進(jìn)行控制使得在所述時間T2后打開所述門。
3.一種如權(quán)利要求1所述磁盤設(shè)備，其中，磁盤設(shè)有維護(hù)區(qū)，在磁盤檢驗期間、缺陷扇區(qū)登記在所述維護(hù)區(qū)中；如果所述參考信號(STM)在所述預(yù)定期間(T)內(nèi)未被檢測到，則在所述磁盤檢驗期間、未檢測到所述參考信號(STM)的扇區(qū)作為缺陷扇區(qū)被登記在所述維護(hù)區(qū)中。
全文摘要
一種磁盤設(shè)備,包括:一個磁頭,一個把磁頭讀出的信號提供給信號處理單元的門,和一控制所述門的控制單元,該磁盤設(shè)備能在產(chǎn)生由于磁盤表面劃痕等所導(dǎo)致的參考信號讀取錯誤之后讀取正常數(shù)據(jù)。在該磁盤設(shè)備中,若不能在點P讀出參考信號(STM),則計量經(jīng)過的時間(Tw),并確定表示應(yīng)該打開讀出門的時間T1與時間Tw之間差值的時間T2。在時間T2經(jīng)過后,該讀出門被打開,因此可正確地讀出數(shù)據(jù)、并用該讀出數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼處理。
文檔編號G11B20/10GK1254920SQ9912501
公開日2000年5月31日 申請日期1999年10月14日 優(yōu)先權(quán)日1998年10月14日
發(fā)明者菅原孝幸, 河內(nèi)隆宏, 天白昌宏, 久保田芳恭 申請人:索尼公司