個(gè)驅(qū)動器，其中僅從PVDD向PGND汲取電流，而不像現(xiàn)有技術(shù)中那樣從PVDD向LDO汲取電流，也不從LDO向PGND汲取電流。即，在前述示例性實(shí)施例中，LDO電壓用作驅(qū)動器FET的柵極的參考，從而允許在內(nèi)部繞開LD0，并且由此消除了對外部電容器的需求。
[0026]如前所述，現(xiàn)有技術(shù)的解決方案需要外部自舉電容器或LDO電容器(caps)，它們成本高，并且在IC封裝上需要額外的引腳。因此應(yīng)當(dāng)領(lǐng)會，在本文中所公開的示例性實(shí)施例中，消除了在驅(qū)動高電壓器件時(shí)對用于高電壓LDO的外部自舉電容器或LDO電容器(caps)的需求，并且IC封裝上需要較少的引腳。
[0027]圖3是通過示例的方式而非限制的方式闡述的圖2的輸出驅(qū)動器D3’的示意圖。在該非限制性示例中，驅(qū)動器D3’包括P溝道MOSFET (a/k/a PMOS晶體管)MP0、MPl、MP2、MP3 和 MP4 以及 η 溝道 MOSFET (a/k/a NMOS 晶體管)MN0、MNl、MN2、MN3 和 MN4。如本文中所使用的，“第一極性類型”的晶體管是P溝道(P型)和η溝道(η型)晶體管的其中之一，并且“第二極性類型”的晶體管是P溝道(P型)和η溝道(η型)晶體管中的另一個(gè)。
[0028]輸出驅(qū)動器D3’還包括電流源CS2和電流源CS1，其中電流源CS2與參考偏置晶體管MNO和麗I (它們提供兩個(gè)二極管電壓降)一起在NMOS晶體管麗2的柵極處提供偏置Nbias，并且電流源CSl與參考偏置晶體管MPO和MPl (它們提供兩個(gè)二極管電壓降)一起在PMOS晶體管ΜΡ2的柵極處提供偏置Pbias。晶體管MPO、MPl和MP2、以及電流源CSl包括具有第一控制輸出PCl的第一跨導(dǎo)線性回路24，并且晶體管MNOJNl和麗2、以及電流源CS2包括具有第二控制輸出PC2的第二跨導(dǎo)線性回路26。
[0029]應(yīng)當(dāng)領(lǐng)會，在該非限制性示例中，驅(qū)動器D3’包括被操作用于產(chǎn)生第一控制輸出PCl的第一跨導(dǎo)線性回路電路24、被操作用于產(chǎn)生第二控制輸出PC2的第二跨導(dǎo)線性回路電路26、耦合到第一跨導(dǎo)線性回路電路24的第一信號輸入器件MP3、耦合到第二跨導(dǎo)線性回路電路26的第二信號輸入器件MN3、耦合到第一跨導(dǎo)線性回路電路24和第二跨導(dǎo)線性回路電路26兩者的第一控制輸入器件MP4、以及耦合到第二跨導(dǎo)線性回路電路26和第一跨導(dǎo)線性回路電路24兩者的第二控制輸入器件MN4。
[0030]在圖3的非限制性示例中，第一跨導(dǎo)線性回路電路包括第一電流源CS1、第一電壓降器件28以及耦合到第一電流源CSl與第一電壓降器件28之間的節(jié)點(diǎn)Pbias的第一偏置晶體管MP2。同樣在該示例中，第二跨導(dǎo)線性回路電路26包括第二電流源CS2、第二電壓降器件30以及耦合到第二電流源CS2與第二電壓降器件28之間的節(jié)點(diǎn)Nbias的第二偏置晶體管MN2。在該非限制性示例中，電壓降器件28和30均包括被配置為二極管的一對M0SFET，由此每個(gè)電壓降器件提供兩個(gè)二極管電壓降。
[0031]應(yīng)當(dāng)注意，驅(qū)動器D3’并不像現(xiàn)有技術(shù)中的驅(qū)動器那樣從穩(wěn)壓器獲取其功率。相反，穩(wěn)壓器的輸出LD0_HS和LD0_LS分別控制MOSFET MP4和MOSFET MN4的柵極，并且因此從穩(wěn)壓器汲取極少量的電流。像這樣，不需要外部電容器為現(xiàn)有技術(shù)的驅(qū)動器所產(chǎn)生的大瞬變電流存儲電荷。
[0032]盡管已經(jīng)使用具體術(shù)語和器件描述了各種實(shí)施例，但是這種描述僅出于說明的目的。所使用的詞語僅是描述性詞語而非限制性詞語。應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離書面公開內(nèi)容和附圖所支持的各種發(fā)明的精神或范圍的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以做出各種改變和變型。另外，應(yīng)當(dāng)理解，可以對各種其它實(shí)施例的方面進(jìn)行整體或部分的互換。因此，旨在能夠在沒有限制或禁止反言的情況下根據(jù)本發(fā)明的實(shí)際精神和范圍來解釋權(quán)利要求。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種高電壓輸出驅(qū)動器電路，包括: 第一穩(wěn)壓器，其具有第一輸入、第二輸入和親合到所述第二輸入的輸出； 第二穩(wěn)壓器，其具有第一輸入、第二輸入和輸出； 驅(qū)動器，其具有第一信號輸入、第二信號輸入、耦合到所述第一穩(wěn)壓器的所述輸出的第一控制輸入、耦合到所述第二穩(wěn)壓器的所述輸出的第二控制輸入、第一控制輸出和第二控制輸出； 第一功率晶體管，其耦合到所述驅(qū)動器的所述第一控制輸出；以及 第二功率晶體管，其耦合到所述驅(qū)動器的所述第二控制輸出。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電壓輸出驅(qū)動器電路，其中，所述第一穩(wěn)壓器的所述第一輸入耦合到第一參考電壓，并且所述第二穩(wěn)壓器的所述第一輸入耦合到第二參考電壓。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高電壓輸出驅(qū)動器電路，其中，所述第一參考電壓是第一電源電壓(PVDD)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高電壓輸出驅(qū)動器電路，其中，所述第二穩(wěn)壓器的所述第一輸入耦合到第二電源電壓(PGND)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高電壓輸出驅(qū)動器電路，其中，所述第一功率晶體管是具有第一極性的功率場效應(yīng)晶體管(FET)，并且所述第二功率晶體管是具有第二極性的功率FET。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高電壓輸出驅(qū)動器電路，其中，所述第一功率晶體管是P型MOSFET,并且所述第二功率晶體管是η型M0SFET。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高電壓輸出驅(qū)動器電路，其中，所述第一功率晶體管的柵極耦合到所述驅(qū)動器的所述第一控制輸出，并且所述第二功率晶體管的柵極耦合到所述驅(qū)動器的所述第二控制輸出。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高電壓輸出驅(qū)動器電路，其中，所述第一功率晶體管的源極耦合到PVDD，并且所述第二功率晶體管的源極耦合到PGND。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高電壓輸出驅(qū)動器電路，其中，所述第一功率晶體管的漏極和所述第二功率晶體管的漏極在驅(qū)動器電路輸出節(jié)點(diǎn)處耦合在一起。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的高電壓輸出驅(qū)動器電路，其中，所述驅(qū)動器耦合到PVDD和PGND011.根據(jù)權(quán)利要求10所述的高電壓輸出驅(qū)動器電路，其中，所述第一穩(wěn)壓器和所述第二穩(wěn)壓器是低壓降(LDO)穩(wěn)壓器。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電壓輸出驅(qū)動器電路，其中，所述第一穩(wěn)壓器、所述第二穩(wěn)壓器、所述驅(qū)動器、所述第一功率晶體管和所述第二功率晶體管組成具有多個(gè)引腳的集成電路(IC)。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的高電壓輸出驅(qū)動器電路，其中，所述多個(gè)引腳中的任何引腳都沒有電連接到所述第一穩(wěn)壓器，并且所述多個(gè)引腳中的任何引腳都沒有連接到所述第二穩(wěn)壓器。14.一種驅(qū)動器，包括: 被操作用于產(chǎn)生第一控制輸出的第一跨導(dǎo)線性回路電路； 被操作用于產(chǎn)生第二控制輸出的第二跨導(dǎo)線性回路電路； 耦合到所述第一跨導(dǎo)線性回路電路的第一信號輸入器件； 耦合到所述第二跨導(dǎo)線性回路電路的第二信號輸入器件； 將所述第一跨導(dǎo)線性回路電路耦合到所述第二跨導(dǎo)線性回路電路的第一控制輸入器件；以及 將所述第二跨導(dǎo)線性回路電路耦合到所述第一跨導(dǎo)線性回路電路的第二控制輸入器件。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的驅(qū)動器，其中，所述第一跨導(dǎo)線性回路電路包括: 第一電流源； 耦合到所述第一電流源的第一電壓降器件；以及 耦合到所述第一電流源與所述第一電壓降器件之間的節(jié)點(diǎn)的第一偏置晶體管。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的驅(qū)動器，其中，所述第二跨導(dǎo)線性回路電路包括: 第二電流源； 耦合到所述第二電流源的第二電壓降器件；以及 耦合到所述第二電流源與所述第二電壓降器件之間的節(jié)點(diǎn)的第二偏置晶體管。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的驅(qū)動器，其中，所述第一偏置晶體管是第一極性類型的，并且所述第二偏置晶體管是第二極性類型的。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的驅(qū)動器，其中，所述第一電壓降器件和所述第二電壓降器件均具有兩個(gè)二極管電壓降。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的驅(qū)動器，其中，所述第一信號輸入器件和所述第一控制輸入器件包括第一極性類型的MOSFET，并且其中，所述第二信號輸入器件和所述第二控制輸入器件包括第二極性類型的MOSFET。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的驅(qū)動器，其中，所述第一極性類型是P型，并且所述第二極性類型是η型。
【專利摘要】本發(fā)明描述了高電壓輸出驅(qū)動器電路，其包括：具有第一輸入、第二輸入和耦合到第二輸入的輸出的第一穩(wěn)壓器；具有第一輸入、第二輸入和輸出的第二穩(wěn)壓器；具有第一信號輸入、第二信號輸入、耦合到第一穩(wěn)壓器的輸出的第一控制輸入、耦合到第二穩(wěn)壓器的輸出的第二控制輸入、第一控制輸出和第二控制輸出的驅(qū)動器；耦合到驅(qū)動器的第一控制輸出的第一功率晶體管；以及耦合到驅(qū)動器的第二控制輸出的第二功率晶體管。包括所述高電壓輸出驅(qū)動器的集成電路既不需要諸如電容器之類的外部自舉部件，也不需要用于連接到這種外部自舉部件的附帶的額外引腳。
【IPC分類】H03K17/687
【公開號】CN104967433
【申請?zhí)枴緾N201510107975
【發(fā)明人】E·L·C·吳
【申請人】馬克西姆綜合產(chǎn)品公司
【公開日】2015年10月7日
【申請日】2015年3月12日
【公告號】US20150261235