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      資料存儲型閃存中寫操作控制方法與裝置的制造方法

      文檔序號:9275439閱讀:395來源:國知局
      資料存儲型閃存中寫操作控制方法與裝置的制造方法
      【技術領域】
      [0001]本發(fā)明涉及存儲器寫操作技術領域,具體的說,涉及一種資料存儲型閃存中寫操作控制方法與裝置。
      【背景技術】
      [0002]隨著電子產(chǎn)品的不斷發(fā)展,芯片技術也在發(fā)生著巨大的變化。資料存儲型閃存作為閃存的一種,由于其內(nèi)部非線性宏單元模式為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。資料存儲型閃存存儲器具有容量較大,改寫速度快等優(yōu)點,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
      [0003]但資料存儲型閃存在其應用領域也存在一定的不足。傳統(tǒng)資料存儲型閃存的寫操作控制,需要利用讀取數(shù)據(jù)的周期時間進行替換存儲單元的復位和地址比對,進而影響了資料存儲型閃存寫操作的效率。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]針對以上不足,本發(fā)明提出了一種資料存儲型閃存中寫操作控制方法與裝置。通過改變復位地址比對結果及存儲單元地址與替換存儲單元比對所占用的時間周期,進而克服了資料存儲型閃存寫操作效率低下的問題。
      [0005]為了實現(xiàn)以上技術方案,本發(fā)明提出了一種資料存儲型閃存中寫操作控制方法,包括以下步驟:
      [0006]S1、接收外部寫入信號,通過內(nèi)部電路處理得到寫使能信號;
      [0007]S2、通過觸發(fā)所述寫使能信號,得到寫操作信號;
      [0008]S3、通過觸發(fā)所述寫操作信號得到地址鎖存信號,并由所述地址鎖存信號鎖住本存儲單元地址;
      [0009]S4、根據(jù)所述本存儲單元地址,通過所述寫操作信號將數(shù)據(jù)由芯片外部存儲模塊轉存到本存儲單元地址對應的鎖存器;
      [0010]S5、寫操作信號結束后,釋放本存儲單元地址,復位本存儲單元地址與對應替換存儲單元比對結果,比對下一存儲單元地址與對應替換存儲單元地址;
      [0011]其中,比對下一存儲單元地址與對應替換存儲單元地址占用本次寫使能信號的時鐘周期。
      [0012]進一步的,對于資料存儲型閃存的首存儲單元,其步驟還包括:比對本存儲單元地址與替換存儲單元地址,若比對結果匹配則將本存儲單元替換為替換存儲單元。
      [0013]進一步的,所述寫操作信號是由所述寫使能信號上升沿觸發(fā)得到的。
      [0014]進一步的,所述地址鎖存信號來自所述資料存儲型閃存芯片內(nèi)部電路。
      [0015]進一步的,比對下一存儲單元地址與對應替換存儲單元地址,比對結果匹配則將所述下一存儲單元替換為對應替換存儲單元。
      [0016]此外,本發(fā)明還提出了一種資料存儲型閃存中寫操作控制裝置,包括,信號使能模塊、信號轉換模塊、地址鎖存模塊、數(shù)據(jù)存儲模塊及復位比對模塊;
      [0017]其中,信號使能模塊用于接收外部寫入信號,通過內(nèi)部電路處理得到寫使能信號;
      [0018]信號轉換模塊用于通過觸發(fā)所述寫使能信號,得到寫操作信號;
      [0019]地址鎖存模塊用于通過觸發(fā)所述寫操作信號得到地址鎖存信號,并由于所述地址鎖存信號鎖住本存儲單元地址;
      [0020]數(shù)據(jù)轉存模塊用于根據(jù)所述本存儲單元地址,通過所述寫操作信號將數(shù)據(jù)由芯片外部存儲模塊轉存到本存儲單元地址對應的鎖存器;
      [0021]復位比對模塊用于寫操作信號結束后,釋放本存儲單元地址,復位本存儲單元地址與對應替換存儲單元比對結果,比對下一存儲單元地址與對應替換存儲單元地址;
      [0022]其中,所述復位比對模塊中比對下一存儲單元地址與對應替換存儲單元地址占用本次寫使能信號的時鐘周期。
      [0023]進一步的,對于資料存儲型閃存的首存儲單元,還包括附加比對模塊;
      [0024]其中,所述附加比對模塊用于比對本存儲單元地址與替換存儲單元地址,若比對結果匹配則將本存儲單元替換為替換存儲單元。
      [0025]進一步的,所述信號轉換模塊根據(jù)所述寫使能信號上升沿觸發(fā),得到所述寫操作信號。
      [0026]進一步的,所述地址鎖存信號來自所述資料存儲型閃存芯片內(nèi)部電路。
      [0027]進一步的,所述復位比對模塊比對下一存儲單元地址與對應替換存儲單元地址,比對結果匹配則將所述下一存儲單元替換為對應替換存儲單元。
      [0028]本發(fā)明通過將比對下一存儲單元地址與對應替換存儲單元地址占用本次讀使能信號的時鐘周期,進而縮短了替換存儲單元寫入數(shù)據(jù)所需的周期時間,進而提高了時間的利用效率。
      【附圖說明】
      [0029]圖1是現(xiàn)有技術中一種資料存儲型閃存寫操作時序圖。
      [0030]圖2是本發(fā)明實施例提供的一種資料存儲型閃存中寫操作控制方法的時序圖。
      [0031]圖3是本發(fā)明實施例提供的一種資料存儲型閃存中寫操作控制方法的流程圖。
      [0032]圖4是本發(fā)明實施例提供的一種資料存儲型閃存中寫操作控制裝置的結構示意圖。
      【具體實施方式】
      [0033]下面結合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步的詳細說明??梢岳斫獾氖?,此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發(fā)明,而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是,為了便于描述,附圖中僅示出了與本發(fā)明相關的部分而非全部內(nèi)容。
      [0034]圖1是現(xiàn)有技術中一種資料存儲型閃存寫操作時序圖。
      [0035]由圖1所示,WEB為寫使能信號,此寫使能信號WEB由外部處理器產(chǎn)生,并經(jīng)過資料存儲型閃存內(nèi)部電路進行處理后得到的。
      [0036]QBUF_EN為寫操作信號,上升沿觸發(fā)。它產(chǎn)生于資料存儲型閃存內(nèi)部電路,并根據(jù)寫操作信號WEB的時鐘上升沿觸發(fā)產(chǎn)生,也就是說,當寫使能信號WEB產(chǎn)生一個時鐘上升沿便觸發(fā)寫操作信號QBUF_EN產(chǎn)生一個上升的時鐘信號。當寫操作信號QBUF_EN處于上升沿時開始對芯片外部存儲模塊中數(shù)據(jù)進行寫入存儲單元。
      [0037]值得一提的是,CA為存儲單元地址,當寫使能信號WEB上升沿觸發(fā)后,首先需要對本存儲單元地址與替換存儲單元RDN地址比對結果,若比對結果匹配則采用替換存儲單元RDN代替本存儲單元,如不匹配則寫入本存儲單元中。
      [0038]實施例一
      [0039]圖2是本發(fā)明實施例提供的一種資料存儲型閃存中寫操作控制方法的時序圖。由圖2所示,WEB為寫使能信號、QBUF_EN為寫操作信號、CA為本存儲單元地址,三者的作用于現(xiàn)有技術中的寫使能信號WEB及寫操作信號QBUF_EN相同,這里不再重復。
      [0040]LD為鎖存信號,它產(chǎn)生于資料存儲型閃存內(nèi)部電路,用于對鎖住存儲單元的地址,低電平有效。
      [0041]值得注意的是,LD鎖存信號與WEB寫使能信號均是來自于資料存儲型閃存內(nèi)部電路,但兩者分別來自資料存儲型閃存內(nèi)部電路的不同部分,并不是通過相同內(nèi)部電路產(chǎn)生。
      [0042]RDN為替換的存儲單元,也就是說它與本存儲單元進行地址進行比對。CAD為本存儲單元的下一存儲單元地址。
      [0043]進而,圖3是本發(fā)明實施例提供的一種資料存儲型閃存中寫操作控制方法的流程圖。
      [0044]如圖3所示,一種資料存儲型閃存中寫操作的控制方法包括:
      [0045]301、接收外部寫入信號,通過內(nèi)部電路處理得到寫使能信號WEB。該外部寫入信號來自于資料存儲型閃存外部處理器。
      [0046]302、通過觸發(fā)所述寫使能信號WEB,得到寫操作信號QBUF_EN。這里值得注意的是,寫使能信號WEB為上升沿觸發(fā),也就是說當寫使能信號WEB處于上升沿時,寫操作信號QBUF_EN產(chǎn)生向上的翻轉。
      [0047]303、通過觸發(fā)所述寫操作信號QBUF_EN得到地址鎖存信號LD,并由所述地址鎖存信號LD鎖住本存儲單元地址。其中,地址鎖存信號LD來自于資料存儲型閃存的內(nèi)部電路,它的作用在于將存儲單元的地址鎖存在鎖存器中。值得注意的是,LD為低電平有效,當LD由高電平翻轉至低電平時,鎖存信號LD將數(shù)據(jù)存儲器CA的地址進行鎖存,當LD電平由低電平返回至高電平,鎖存信號LD將對鎖存的數(shù)據(jù)存儲單元的地址進行釋放。
      [0048]304、根據(jù)所述本存儲單元地址,通過所述寫操作信號QBUF_EN將數(shù)據(jù)由芯片外部存儲模塊轉存到本存儲單元地址對應的鎖存器。當鎖存信號LD低電平,即將本數(shù)據(jù)存儲單元的地址鎖存之后,寫操作信號QBUF_EN處于上升沿時會將芯片外部存儲模塊的數(shù)據(jù)寫入到與本存儲單元地址對應的鎖存器中。
      [0049]305、寫操作信號QBUF_EN結束后,釋放本存儲單元地址,復位本存儲單元地址與對應替換存儲單元RDN比對結果,比對下一存儲單元地址CAD與對應替換存儲單元RDN地址。
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