個連接至一個或多個另外的 存儲器單元組的局部位線，對于該一個或多個另外的存儲器單元組，每一個中的至少一個 存儲器單元與正被讀取的存儲器單元的存儲器單元組共享字線。
[0054] 針對每個全局位線，邏輯電路可包括將全局位線連接至一個或多個另外的存儲器 單元組的局部位線的第一晶體管和第二晶體管，第一晶體管的柵極連接至存儲器單元組的 局部位線，并且第二晶體管的柵極連接至開關(guān)控制線。第一晶體管可W是PM0S晶體管。
[0055] 存儲器件還可W包括局部位線選擇電路，該局部位線選擇電路被配置為控制哪個 局部位線能夠經(jīng)由邏輯電路連接至全局位線。
[0056] 存儲器單元組和一個或多個另外的存儲器單元組的局部位線中的每一個可W經(jīng) 由開關(guān)操作地連接至共享線路，該開關(guān)由局部位線選擇電路控制，并且共享線路經(jīng)由邏輯 電路操作地連接至全局位線。將存儲器單元組和一個或多個另外的存儲器單元組中的每一 個的局部位線連接至共享線路的每個開關(guān)可被配置為由局部位線選擇電路提供的對應(yīng)的 列選擇信號激活。
[0057] 局部位線選擇電路可被配置為當(dāng)存儲器單元組的存儲器單元正被讀取時，使得存 儲器單元組的一個或多個局部位線不連接至共享線路。局部位線選擇電路可被配置為當(dāng)存 儲器單元組的存儲器單元正被讀取時，使得僅一個或多個另外的存儲器單元組中的每一個 的局部位線連接至共享線路。
[005引存儲器件還可W包括預(yù)先充電電壓控制電路，該預(yù)先充電電壓控制電路包括由控 制信號控制的開關(guān)，該開關(guān)將預(yù)先充電電壓供應(yīng)操作地連接至共享線路。存儲器件還可W 包括電容控制電路，該電容控制電路包括由控制信號控制的開關(guān)，該開關(guān)將另外的電容元 件操作地連接至共享線路。存儲器件還可W包括反饋控制電路，該反饋控制電路被配置為 檢測由感測放大器從存儲器單元讀取的數(shù)據(jù)值中的錯誤，并且針對與該感測放大器關(guān)聯(lián)的 存儲器單元根據(jù)所監(jiān)控的錯誤率改變控制信號。
[0059] 反饋控制電路可包括錯誤檢測電路、監(jiān)控器電路和鎖存器，錯誤檢測電路被配置 為檢測由感測放大器從存儲器單元讀取的數(shù)據(jù)值中的錯誤并且向監(jiān)控器電路報告錯誤，監(jiān) 控器電路被配置為確定所監(jiān)控的感測放大器的錯誤率何時超過闊值并且接著引起鎖存器 的狀態(tài)的改變，鎖存器的輸出作為控制信號被提供。
[0060] 存儲器件可具有連接至邏輯電路的第一和第二全局位線，并且每個存儲器單元組 可具有操作地連接至存儲器單元組中的每個存儲器單元W及作為輸入連接至邏輯電路的 第一和第二局部位線，邏輯電路被配置為根據(jù)存儲器單元組的第一局部位線和第二局部位 線的狀態(tài)使得電容元件連接至第一和第二全局位線中的一個或另一個。
[0061] 根據(jù)第二方面，提供一種用于讀取在作為存儲器件的部分的多個存儲器單元中的 存儲器單元中存儲的數(shù)據(jù)值的方法，該存儲器單元被分組為多個存儲器單元組，其中每個 存儲器單元組與一個或多個局部位線關(guān)聯(lián)，方法包括如下步驟：i)將與存儲器單元關(guān)聯(lián)的 一個或多個局部位線預(yù)先充電至第一電壓水平，ii)將一個或多個局部位線連接至存儲器 單元W使得一個或多個局部位線中的一個的電壓水平隨后取決于在存儲器單元中存儲的 數(shù)據(jù)值，W及iii)將一個或多個局部位線從存儲器單元斷開。方法接著包括如下步驟：iv) 根據(jù)一個或多個局部位線的狀態(tài)使得電容元件連接至一個或多個全局位線中的一個，W及 V)在不將一個或多個局部位線連接至一個或多個全局位線的任何一個的情況下，感測在一 個或多個全局位線上的電壓W確定數(shù)據(jù)值。
[0062] 在將電容元件連接至一個或多個全局位線中的一個之前或者大約同時，局部位線 可從存儲器單元斷開。
[0063] 方法還包括檢測由感測放大器從存儲器單元讀取的數(shù)據(jù)值中的錯誤，針對該感測 放大器確定錯誤率，W及當(dāng)所確定的錯誤率超過闊值時，針對與該感測放大器關(guān)聯(lián)的存儲 器單元改變電容W及預(yù)先充電電壓中的一個或多個。
[0064] 根據(jù)第=方面提供一種存儲器件，其包括多個存儲器單元，每個存儲器單元與字 線關(guān)聯(lián)，多個存儲器單元被分組為多個存儲器單元組，每個存儲器單元組具有一個或多個 局部位線，該一個或多個局部位線操作地連接至存儲器單元組中的每個存儲器單元，對于 該一個或多個局部位線來說，對存儲器單元的訪問由關(guān)聯(lián)字線控制。存儲器件還包括連接 至感測放大器的一個或多個全局位線，感測放大器被配置為根據(jù)一個或多個全局位線的狀 態(tài)確定在存儲器單元中存儲的數(shù)據(jù)值。存儲器單元組的一個或多個局部位線連接至邏輯電 路，并且邏輯電路被配置為根據(jù)存儲器單元組的一個或多個局部位線的狀態(tài)使得電容器連 接至一個或多個全局位線中的一個。
[0065] 邏輯電路可被配置為由開關(guān)控制信號和存儲器單元組的一個或多個局部位線的 狀態(tài)的組合控制。存儲器單元組的一個或多個局部位線中的每一個可經(jīng)由開關(guān)操作地連接 至一個或多個全局位線中的相應(yīng)一個，該開關(guān)被配置為由開關(guān)控制信號激活。
[0066] 根據(jù)第四方面，提供一種用于讀取在作為存儲器件的部分的多個存儲器單元中的 存儲器單元中存儲的數(shù)據(jù)值的方法，該存儲器單元被分組為多個存儲器單元組，其中每個 存儲器單元組與一個或多個局部位線關(guān)聯(lián)。方法包括如下步驟：i)將與存儲器單元關(guān)聯(lián)的 一個或多個局部位線預(yù)先充電至第一電壓水平，ii)將一個或多個局部位線連接至存儲器 單元，W使得一個或多個局部位線中的一個的電壓水平隨后取決于在存儲器單元中存儲的 數(shù)據(jù)值，W及iii)將一個或多個局部位線從存儲器單元斷開。方法接著包括如下步驟：iv) 根據(jù)一個或多個局部位線的狀態(tài)使得電容器連接至一個或多個全局位線中的一個，W及V) 感測在一個或多個全局位線上的電壓，W確定數(shù)據(jù)值。
[0067] 根據(jù)第五方面，提供一種存儲器件，其包括多個存儲器單元，每個存儲器單元與字 線關(guān)聯(lián)，多個存儲器單元被分組為多個存儲器單元組，每個存儲器單元組具有一個或多個 局部位線，該一個或多個局部位線操作地連接至存儲器單元組中的每個存儲器單元，對于 該一個或多個局部位線來說，對存儲器單元的訪問由關(guān)聯(lián)字線控制。存儲器件還包括連接 至感測放大器的一個或多個全局位線，感測放大器被配置為根據(jù)一個或多個全局位線的狀 態(tài)確定在存儲器單元中存儲的數(shù)據(jù)值。存儲器單元組的一個或多個局部位線連接至邏輯電 路，并且邏輯電路被配置為根據(jù)存儲器單元組的一個或多個局部位線的狀態(tài)使得不與該存 儲器單元組共享字線的鄰近存儲器單元組的一個或多個局部位線連接至一個或多個全局 位線中的一個。
[0068] 可在存儲器件的一列或多列中提供多個存儲器單元，在一列或多列的每一列內(nèi)的 存儲器單元被分組為多個存儲器單元組，并且邏輯電路可被配置為根據(jù)存儲器單元組的一 個或多個局部位線的狀態(tài)使得在存儲器件的同一列內(nèi)的鄰近存儲器單元組的一個或多個 局部位線連接至一個或多個全局位線中的一個。
[0069] 存儲器單元組的一個或多個局部位線中的每一個可經(jīng)由開關(guān)操作地連接至一個 或多個全局位線中的相應(yīng)的一個，該開關(guān)被配置為由開關(guān)控制信號激活。邏輯電路可被配 置為由開關(guān)控制信號和存儲器單元組的一個或多個局部位線的狀態(tài)的組合控制。
[0070] 根據(jù)第六方面，提供一種用于讀取在作為存儲器件的部分的多個存儲器單元中的 存儲器單元中存儲的數(shù)據(jù)值的方法，該存儲器單元被分組為多個存儲器單元組，其中每個 存儲器單元組與一個或多個局部位線關(guān)聯(lián)。方法包括如下步驟：i)將與存儲器單元關(guān)聯(lián)的 一個或多個局部位線預(yù)先充電至第一電壓水平，ii)將一個或多個局部位線連接至存儲器 單元，W使得一個或多個局部位線中的一個的電壓水平隨后取決于在存儲器單元中存儲的 數(shù)據(jù)值，W及iii)將一個或多個局部位線從存儲器單元斷開。方法接著還包括如下步驟： iv)根據(jù)一個或多個局部位線的狀態(tài)使得不與存儲器單元組共享字線的鄰近存儲器單元組 的一個或多個局部位線連接至一個或多個全局位線中的一個，W及V)感測在一個或多個 全局位線上的電壓W確定數(shù)據(jù)值。
【附圖說明】
[0071] 現(xiàn)將參考附圖僅W舉例的方式更具體地描述本發(fā)明，其中：
[0072] 圖1示出標(biāo)準(zhǔn)的6晶體管存儲器單元；
[0073] 圖2示出6晶體管存儲器單元的塊；
[0074] 圖3示出具有分層位線布置的存儲器件；
[0075] 圖4是示出針對具有分層位線布置的存儲器件的標(biāo)準(zhǔn)讀操作的時序圖；
[0076] 圖5是示出針對具有分層位線布置的存儲器件的可選讀操作的時序圖；
[0077] 圖6示出具有分層位線布置的改進(jìn)的存儲器件的實(shí)施例；
[0078] 圖7示出具有分層位線布置的改進(jìn)的存儲器件的可選實(shí)施例；
[0079] 圖8是示出對改進(jìn)的存儲器件的存儲器單元的讀操作的實(shí)施例的時序圖；
[0080] 圖9是示出對改進(jìn)的存儲器件的存儲器單元的讀操作的可選實(shí)施例的時序圖；
[0081] 圖10a和1化示出具有分層位線布置的改進(jìn)的存儲器件的另外的實(shí)施例；
[0082] 圖11a和1化示出具有分層位線布置的改進(jìn)的存儲器件的另外的可選實(shí)施例；
[0083] 圖12是示出對改進(jìn)的存儲器件的存儲器單元的讀操作的實(shí)施例的時序圖；
[0084] 圖13示出具有分層位線布置的改進(jìn)的存儲器件的另外的實(shí)施例；
[0085] 圖14是示出針對如圖13所示的存儲器件執(zhí)行的讀操作的時序圖；
[0086] 圖15曰、15b和15c示出包括預(yù)先充電電壓控制電路的改進(jìn)的存儲器件的實(shí)施例；
[0087] 圖16a、16b和16c示出包括電容控制電路的改進(jìn)的存儲器件的實(shí)施例；W及
[0088] 圖17示出包括用于將存儲器件調(diào)至特定感測放大器的屬性的控制電路的改進(jìn)的 存儲器件的實(shí)施例。
【具體實(shí)施方式】
[0089] 如上所述，在對具有分層位線布置的存儲器件的標(biāo)準(zhǔn)讀操作中，連接局部和全局 位線的開關(guān)在字線變高的大約相同時間運(yùn)行，W將存儲器單元連接至局部位線。存儲器單 元接著引起來自局部和全局位線的電流，W產(chǎn)生全局位線上的電壓變化。
[0090] 現(xiàn)參考圖5,示出了描述針對具有分層位線布置的存儲器件的可選讀操作的實(shí)施 例的時序圖，其中，局部和全局位線之間的開關(guān)的激活時間被改變。運(yùn)樣做，該可選讀操作 依賴于局部和全局位線之間的電荷共享。電荷共享是用于在許多電路中生成電壓水平的常 見技術(shù)。其通過如下方式起作用：將兩個電容元件充電至不同的電壓水平，W及接著將兩個 電容元件連接到一起（并聯(lián)）并且允許它們適應(yīng)新的電壓。電荷在該過程中守恒并且在兩 個電容元件之間共享。
[0091] 假定具有各自的電容。和C2的兩個電容元件被分別充電至電壓Vi和V2,則存儲 的電何將是Qi二CiVi和Q2二C2乂2。當(dāng)被連接到一起，將由下式給出廣生的電壓V:
[0092] Qi+Q2= (Ci+C2)V[等式20]
[009引V= (C1V1+C2V2) / (C1+C2) [等式 21]
[0094] 對。和C2的適當(dāng)?shù)倪x擇考慮到在V1和V么間的任何電壓的生成。例如，如果V2 二 0 并且。=C2,則V=l/2Vi。如果。〈〈〔2并且V2二 0,則VA(C1/C2)VI。如果?！础础?并 且Vi= 0,則V> (l-(Ci/C2))V2。
[009引在圖5的時序圖中，局部和全局位線初始都被預(yù)先充電至高電平。在時間ti，字線 被驅(qū)動至高電平。然而，與標(biāo)準(zhǔn)讀操作相反，開關(guān)控制信號（其控制局部至全局開關(guān)）保持 無效，使得局部和全局位線彼此隔離。所選擇的單元因此僅引起來自局部位線而不是還有 全局線的電流。因此，運(yùn)可w單獨(dú)在