疊瓦式寫入的方法、設(shè)備和產(chǎn)品的制作方法
【專利摘要】根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的方法包括收集在疊瓦式記錄期間有關(guān)寫入器陣列如何寫入到磁介質(zhì)和/或希望寫入器陣列如何寫入到磁介質(zhì)的信息，并且利用收集的信息計(jì)算描述在寫入期間使用的橫向?qū)懭胛恢玫臄?shù)據(jù)，從而根據(jù)格式對齊疊瓦式軌道的邊緣。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的方法包括獲得距標(biāo)稱寫入位置的橫向偏移，并且應(yīng)用橫向偏移，用于在第一方向上的寫入期間相對于標(biāo)稱寫入位置重新定位寫入器陣列的寫入位置。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的產(chǎn)品包括磁記錄介質(zhì)；以及表示在寫入時(shí)是否采用橫向?qū)懭胛恢玫臄?shù)據(jù)。
【專利說明】
疊瓦式寫入的方法、設(shè)備和產(chǎn)品
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)，特別是，本發(fā)明涉及寫入數(shù)據(jù)的邊緣設(shè)置，以實(shí)現(xiàn)對齊的疊瓦式寫入(shingled writing)。
【背景技術(shù)】
[0002]在磁存儲系統(tǒng)中，磁變換器從磁記錄介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)并在其上寫入數(shù)據(jù)。通過將磁記錄變換器移動到介質(zhì)之上的要存儲該數(shù)據(jù)的位置，來將數(shù)據(jù)寫在磁記錄介質(zhì)上。磁記錄變換器然后產(chǎn)生磁場，該磁場將數(shù)據(jù)編碼在磁介質(zhì)中。通過類似地定位磁讀取變換器，然后感應(yīng)磁介質(zhì)的磁場，從介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)。讀取和寫入操作可獨(dú)立地與介質(zhì)的運(yùn)動同步，以保證數(shù)據(jù)能從介質(zhì)上的所希望位置讀取且寫入到所希望的位置。
[0003]數(shù)據(jù)存儲行業(yè)上重要且連續(xù)的目標(biāo)是提高介質(zhì)上存儲數(shù)據(jù)的密度。對于磁帶存儲系統(tǒng)(tape storage system)，該目標(biāo)已經(jīng)導(dǎo)致記錄帶上軌道(track)和線位密度的增加，以及磁帶介質(zhì)厚度的減小。然而，小足印(footprint )、高性能磁帶驅(qū)動器系統(tǒng)的發(fā)展已經(jīng)造成用于這樣系統(tǒng)中的磁帶頭組件設(shè)計(jì)上的各種問題。
[0004]在磁帶驅(qū)動器系統(tǒng)中，驅(qū)動器以高速度在磁帶頭的表面上移動磁帶。通常，磁帶頭設(shè)計(jì)為使磁頭和磁帶之間的間隔最小化。磁頭和磁帶之間的間隔是至關(guān)重要的，因此這些系統(tǒng)中的目標(biāo)是使作為磁記錄通量之源的變換器的記錄間隙與磁帶近距離接觸，以實(shí)現(xiàn)寫入精準(zhǔn)變換(writing sharp transit1n)，并使讀取元件與磁帶近距離接觸，以提供從磁帶到讀取元件的磁場有效耦合。
[0005]磁帶上的存儲數(shù)據(jù)量可通過增加磁帶上的數(shù)據(jù)軌道數(shù)而擴(kuò)大。而且，通過重疊數(shù)據(jù)軌道的部分(例如，疊瓦式數(shù)據(jù)軌道)，實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)存儲量的改善。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的方法包括收集有關(guān)在疊瓦式記錄期間寫入器陣列如何寫入磁介質(zhì)的信息和/或期望寫入器陣列如何寫入磁介質(zhì)的信息，并且采用收集的信息計(jì)算在寫入期間使用的表示橫向?qū)懭胛恢玫臄?shù)據(jù)，從而根據(jù)格式對齊疊瓦式軌道邊緣。
[0007]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的方法包括獲得距標(biāo)稱寫入位置的橫向偏移，以及應(yīng)用該橫向偏移，以相對于標(biāo)稱寫入位置，重新定位在第一方向上寫入時(shí)的寫入器陣列。
[0008]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的產(chǎn)品包括磁記錄介質(zhì)；以及指示在寫入時(shí)是否采用橫向?qū)懭胛恢闷频臄?shù)據(jù)。
[0009]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品包括其中實(shí)施的具有程序指令的計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，該程序指令由控制器可執(zhí)行，以使控制器執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)前述方法。
[0010]這些實(shí)施例的任何一個(gè)可實(shí)施在諸如磁帶驅(qū)動器系統(tǒng)的磁數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)中，磁帶驅(qū)動器系統(tǒng)可包括磁頭、用于在磁頭之上傳遞磁介質(zhì)(例如，記錄磁帶)的驅(qū)動機(jī)構(gòu)、以及電耦接至該磁頭的控制器。
[0011]本發(fā)明的其它方面和實(shí)施例通過下文結(jié)合【附圖說明】了本發(fā)明的原理的具體描述而變得明顯易懂。
【附圖說明】
[0012]圖1A是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的簡化磁帶驅(qū)動器系統(tǒng)的示意圖。
[0013]圖1B是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的磁帶盒的示意圖。
[0014]圖2示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的平面重疊、雙向、兩模塊磁帶頭的側(cè)視圖。
[0015]圖2A是沿著圖2的線2A剖取的磁帶支承表面圖。
[0016]圖2B是沿著圖2A的圓2B剖取的詳圖。
[0017]圖2C是一對模塊的局部磁帶支承表面的詳圖。
[0018]圖3是具有寫入-讀取-寫入配置的磁頭的局部磁帶支承表面圖。
[0019]圖4是具有讀取-寫入-讀取配置的磁頭的局部磁帶支承表面圖。
[0020]圖5是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的具有三模塊的磁帶頭的側(cè)視圖，這些模塊沿大致平行的平面設(shè)置。
[0021]圖6是具有切線(有角)配置的三模塊的磁帶頭的側(cè)視圖。
[0022]圖7是具有外包裝(overwrap)配置的三模塊的磁帶頭的側(cè)視圖。
[0023]圖8A-8F是根據(jù)不同實(shí)施例的疊瓦式數(shù)據(jù)軌道的局部代表性視圖。
[0024]圖9是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的方法的流程圖。
[0025]圖10A-10B是在應(yīng)用橫向?qū)懭胛恢闷浦昂椭笞止?jié)/C2回讀誤碼率與橫向讀取偏移的曲線圖。
[0026]圖11是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的方法的流程圖。
[0027]圖12A是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的具有以非層層卷繞方式(non-serpentinefash1n)寫入的疊瓦式軌道的磁帶的示意圖。
[0028]圖12B是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的具有以層層卷繞方式(serpentinefash1n)寫入的疊瓦式軌道的磁帶的示意圖。
[0029]圖12C是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的具有以層層卷繞方式寫入的疊瓦式軌道且顯示方向緩沖的磁帶的示意圖。
[0030]圖13是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的方法的流程圖。
[0031]圖14是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例具有疊瓦式數(shù)據(jù)軌道的磁帶的代表性示意圖。
[0032]圖15A是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的疊瓦式數(shù)據(jù)軌道的代表性示意圖。
[0033]圖15B是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的回讀誤差與讀取器偏移的曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]為了說明本發(fā)明普遍原理的目的而進(jìn)行下文描述，而不意味著限制這里要求的本發(fā)明構(gòu)思。此外，本文描述的詳細(xì)特征可以以各種可能的結(jié)合和置換方式中的每一個(gè)與描述的其它特征相結(jié)合。
[0035]除非這里另有特別限定，賦予所有術(shù)語可能的最寬泛解釋，包括由說明書暗示的意思以及本領(lǐng)域技術(shù)人員理解的含義和/或字典、協(xié)議等中定義的意思。
[0036]還必須注意，如說明書和所附權(quán)利要求書中所用，單數(shù)形式“一個(gè)”、“一種”和“該”包括復(fù)數(shù)的意義，除非另有規(guī)定。
[0037]下面的描述公開了磁存儲系統(tǒng)及其操作和/或構(gòu)成部件的幾個(gè)優(yōu)選實(shí)施例。
[0038]在一個(gè)概括性實(shí)施例中，一種方法包括收集有關(guān)在疊瓦式記錄期間寫入器陣列如何寫入到磁介質(zhì)的信息和/或期望所述寫入器陣列如何寫入到磁介質(zhì)的信息，以及采用收集的信息計(jì)算描述在寫入期間應(yīng)用的橫向?qū)懭胛恢玫臄?shù)據(jù)，從而根據(jù)格式對齊疊瓦式軌道邊緣。
[0039]在另一個(gè)概括性實(shí)施例中，一種方法包括獲得距標(biāo)稱寫入位置的橫向偏移，以及應(yīng)用該橫向偏移，以在相對于標(biāo)稱寫入位置，重新定位第一方向上的寫入時(shí)的寫入器陣列。
[0040]在另一個(gè)概括性實(shí)施例中，一種產(chǎn)品包括磁記錄介質(zhì)；以及表示在寫入時(shí)是否采用橫向?qū)懭胛恢闷频臄?shù)據(jù)。
[0041 ]在再一個(gè)概括性實(shí)施例中，一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品包括具有在其中實(shí)施的程序指令的計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)、該程序指令可由控制器執(zhí)行，以使控制器執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)前述方法。
[0042]圖1A示出了基于磁帶的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的簡化磁帶驅(qū)動器100，可用在本發(fā)明的環(huán)境中。盡管圖1A中示出了磁帶驅(qū)動器的一個(gè)【具體實(shí)施方式】，但是應(yīng)注意，本文描述的實(shí)施例可實(shí)施在任何類型磁帶驅(qū)動器系統(tǒng)的環(huán)境中。
[0043]如圖所示，磁帶提供盒120和收帶盤121提供為支撐磁帶122。一個(gè)或多個(gè)盤可形成可移除盒的一部分，而不必是驅(qū)動器100的一部分。磁帶驅(qū)動器，例如如圖1A所示，還可包括驅(qū)動電動機(jī)以驅(qū)動磁帶提供盒120和收帶盤121，以在任何類型的磁頭126之上移動磁帶122。這樣的磁頭可包括讀取器陣列、寫入器陣列或二者都包括。
[0044]導(dǎo)軌125引導(dǎo)磁帶122通過磁帶頭126。這樣的磁頭126進(jìn)而通過電纜130耦接至控制器128。控制器128可為或包括處理器和/或用于控制驅(qū)動器100的任何子系統(tǒng)的任何邏輯裝置。例如，控制器128通?？刂拼蓬^功能，例如伺服跟蹤(servo following)、數(shù)據(jù)寫入、數(shù)據(jù)讀取等?？刂破?28可包括至少一個(gè)伺服通道和至少一個(gè)數(shù)據(jù)通道，其每一個(gè)包括數(shù)據(jù)流處理邏輯裝置，該數(shù)據(jù)流處理邏輯裝置配置為處理和/或存儲要寫入到磁帶122和/或從其讀取的信息?？刂破?28可以在本領(lǐng)域已知的邏輯裝置下操作，也可以在本文公開的任何邏輯裝置下操作，并且因此可看作用于本文中的各個(gè)實(shí)施例中包括的磁帶驅(qū)動器描述的處理器?？刂破?28可耦接至任何已知類型的存儲器136，存儲器136可存儲可由控制器128執(zhí)行的指令。此外，控制器128可配置為和/或可編程為執(zhí)行或控制這里給出的某些或全部方法?？刂破?28可看作配置為通過編程在一個(gè)或多個(gè)芯片、模塊和/或組塊中的邏輯裝置;適合于一個(gè)或多個(gè)處理器的軟件、固件和/或其它指令等及其結(jié)合而執(zhí)行各種操作。
[0045]電纜130可包括讀/寫電路，以將要寫入磁帶122上的數(shù)據(jù)傳輸?shù)酱蓬^126，并且接收由磁頭126從磁帶122讀取的數(shù)據(jù)。執(zhí)行機(jī)構(gòu)132控制磁頭126相對于磁帶122的位置。
[0046]也可提供接口134，用于磁帶驅(qū)動器100和主機(jī)(內(nèi)部或外部)之間的發(fā)送和接收數(shù)據(jù)的通訊、控制磁帶驅(qū)動器100的操作、并將磁帶驅(qū)動器100的狀態(tài)通訊至主機(jī)，如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解。
[0047]圖1B示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的示范性磁帶盒150。這樣的磁帶盒150可與如圖1A所示的系統(tǒng)一起使用。如圖所示，磁帶盒150包括殼體152、在殼體152中的磁帶122、以及耦接至殼體152的非易失性存儲器156。在某些方式中，非易失性存儲器156可嵌入在殼體152內(nèi)，如圖1B所示。在某些方式中，非易失性存儲器156可貼附到殼體152之內(nèi)或之外而不改變殼體152。例如，非易失性存儲器可嵌入在不干膠標(biāo)簽154中。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，非易失性存儲器156可為閃存裝置、ROM裝置等，其嵌入在或耦接至磁帶盒150之內(nèi)或之外。非易失性存儲器可由磁帶驅(qū)動器和磁帶操作軟件(驅(qū)動器軟件)和/或其它裝置存取。
[0048]例如，圖2示出了平邊、雙向、兩模塊磁帶頭200的側(cè)視圖，磁帶頭200可實(shí)施在本發(fā)明的環(huán)境中。如圖所示，磁帶頭包括一對底座202，其每一配備有模塊204，并且相對彼此以較小的角度α固定。底座可為粘性耦合在一起的“U型梁”。每個(gè)模塊204包括基板204Α和具有薄膜部分的圍墻204Β，通常稱為“間隙”，其中形成讀取器和/或?qū)懭肫?06。在使用中，磁帶208以所示的方式沿著介質(zhì)(磁帶)支承表面209在模塊204之上運(yùn)動，以采用讀取器和寫入器在磁帶208上讀取和寫入數(shù)據(jù)。磁帶208在邊緣處進(jìn)出平面介質(zhì)支撐表面209的包角Θ通常為約0.1度和約3度之間。
[0049]基板204Α通常由耐磨材料構(gòu)成，例如陶瓷。圍墻204Β由與基板204Α相同或類似的陶瓷制造。
[0050]讀取器和寫入器可以以背負(fù)式(piggyback)或融合式(merged)配置方式設(shè)置。示例性的背負(fù)式配置包括在(磁屏蔽)讀取器變換器(例如磁阻讀取器等)的頂部上(或之下)的(磁感應(yīng))寫入器變換器，其中寫入器的磁極和讀取器的屏蔽通常分隔開。示例性的融合式配置包括與一個(gè)寫入器磁極位于同一物理層的讀取器屏蔽(因此稱為“融合”)。讀取器和寫入器也可設(shè)置成交錯(cuò)配置。可替代的，每個(gè)通道陣列可僅為讀取器或?qū)懭肫鳌＿@些陣列的任何一個(gè)可包含一個(gè)或多個(gè)伺服軌道讀取器以在介質(zhì)上讀取伺服數(shù)據(jù)。
[0051 ]圖2A示出了沿著圖2的線2A剖取的模塊204之一的磁帶支承表面209。代表性的磁帶208以虛線示出。模塊204優(yōu)選足夠長，以能夠在磁頭在數(shù)據(jù)帶之間步進(jìn)時(shí)支撐磁帶。
[0052]在該示例中，磁帶208包括4至32個(gè)數(shù)據(jù)帶，例如，在半英寸寬的磁帶208上具有16個(gè)數(shù)據(jù)帶和17個(gè)伺服軌道210，如圖2A所示。數(shù)據(jù)帶限定在伺服軌道210之間。每個(gè)數(shù)據(jù)帶可包括大量的數(shù)據(jù)軌道，例如1024個(gè)數(shù)據(jù)軌道(未示出)。在讀/寫操作中，讀取器和/或?qū)懭肫?06設(shè)置到數(shù)據(jù)帶之一內(nèi)的具體軌道位置。外部讀取器，有時(shí)稱為伺服讀取器，讀取伺服軌道210。伺服信號進(jìn)而用于保持讀取器和/或?qū)懭肫?06在讀/寫操作期間與特定的軌道組對齊。
[0053]圖2B示出了在圖2A的圓圈2B中的多個(gè)讀取器和/或?qū)懭肫?06，其形成于模塊204上的間隙218中。如圖所示，讀取器和寫入器206的陣列包括例如16個(gè)寫入器214、16個(gè)讀取器216和兩個(gè)伺服讀取器212，但元件的數(shù)量是可變化的。示例性的實(shí)施例包括每個(gè)陣列中的8、16、32、40和64個(gè)活動的讀取器和/或?qū)懭肫?06，而可替代的交錯(cuò)設(shè)計(jì)具有奇數(shù)個(gè)讀取器或?qū)懭肫?，例?7、25、33等。示例性的實(shí)施例包括在每個(gè)陣列中的32個(gè)讀取器和/或每個(gè)陣列中的32個(gè)寫入器，在每個(gè)陣列中變換器元件的實(shí)際數(shù)量可能較大，例如33、34等。這允許磁帶更加緩慢地行進(jìn)，因此降低了速度引起的跟蹤和機(jī)械難度和/或執(zhí)行較少的(wraps)”來填充或讀取磁帶。盡管讀取器和寫入器可設(shè)置成背負(fù)式配置，如圖2B所示，但是讀取器216和寫入器214也可設(shè)置成交錯(cuò)配置?？商娲?，讀取器和/或?qū)懭肫?06的每個(gè)陣列可僅為讀取器或?qū)懭肫鳎⑶以撽嚵锌砂粋€(gè)或多個(gè)伺服讀取器212。如一起考慮圖2和2A-B可注意到的，每個(gè)模塊204可包括一套互補(bǔ)的讀取器和/或?qū)懭肫?06用于諸如雙向讀取和寫入、同時(shí)讀寫能力、向后兼容等情況。
[0054]圖2C示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的磁帶頭200的互補(bǔ)模塊的局部磁帶支承表面圖。在該實(shí)施例中，每個(gè)模塊具有多個(gè)讀/寫(R/W)對，成背負(fù)式配置，形成在公共基板204A和可選的電絕緣層236上。例如寫變換器214的寫入器和例如讀變換器216的讀取器對齊，其平行于磁帶介質(zhì)在其上行進(jìn)的所希望的方向，以形成例如R/W對222的R/W對。應(yīng)注意，本文中磁帶行進(jìn)的所希望方向有時(shí)稱為磁帶行進(jìn)方向，并且這樣的術(shù)語可交換地使用。這樣的磁帶行進(jìn)方向可從系統(tǒng)的設(shè)計(jì)推斷，例如，通過檢查導(dǎo)軌;觀察磁帶相對于基準(zhǔn)點(diǎn)的行進(jìn)方向等等。此外，在可操作于雙向讀取和/或?qū)懭氲南到y(tǒng)中，磁帶在兩個(gè)方向上的行進(jìn)方向通常平行，并且因此兩個(gè)方向看作彼此等同。
[0055]可存在多個(gè)R/W對222，例如8、16、32個(gè)對等。如圖所示的1?/￥對222在大體垂直于磁帶行進(jìn)方向的方向線性對齊。然而，這些對也可對角對齊等。伺服讀取器212設(shè)置在R/W對陣列的外面，其功能是已知的。
[0056]通常，磁帶介質(zhì)在向前或向后的任何一個(gè)方向上運(yùn)動，如箭頭220所示。磁帶介質(zhì)和磁頭組件200以本領(lǐng)域已知的方式中的轉(zhuǎn)換關(guān)系運(yùn)行。背負(fù)式MR磁頭組件200包括兩個(gè)大致相同結(jié)構(gòu)的薄膜模塊224和226。
[0057]模塊224和226以其圍墻204B(部分示出)之間具有一定的間隔結(jié)合在一起，以形成單個(gè)物理單元，通過在平行于磁帶行進(jìn)方向的方向上激活在前模塊(leading module)的寫入器以及與在前模塊的寫入器對齊的在后模塊(trailing module)的讀取器而提供同時(shí)讀寫能力。在構(gòu)成背負(fù)式磁頭200的模塊224、226時(shí)，各層形成在例如AlTiC的導(dǎo)電基板204A(部分示出)之上產(chǎn)生的間隙218中，對于R/W對222通常為下面的順序:絕緣層236、通常為鐵合金諸如NiFe( -)、CZT或Al-Fe-Si (鐵硅鋁合金)的第一屏蔽232、用于在磁介質(zhì)上感應(yīng)數(shù)據(jù)軌道的傳感器234、通常為鎳鐵合金(例如?80/20NiFe%，也稱為坡莫合金)的第二屏蔽238、第一和第二寫入器磁極尖端(pole tips)228、230、以及線圈(未示出)。傳感器可為任何已知類型的，包括基于MR、GMR、AMR、隧道磁阻效應(yīng)(TMR)等的那些。
[0058]第一和第二寫入器磁極228、230可由高磁矩材料制造，例如?45/55的NiFe。應(yīng)注意，這些材料僅通過示例的方法提供，并且也可采用其它材料?？纱嬖谄渌鼘?，例如在屏蔽和/或磁極尖端與圍繞傳感器的絕緣層之間的絕緣。絕緣的說明性材料包括氧化鋁和其它氧化物、絕緣聚合物等。
[0059]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的磁帶頭126的配置包括多個(gè)模塊，優(yōu)選三個(gè)或更多個(gè)。在寫-讀-寫(W-R-W)頭中，用于寫入的外部模塊側(cè)部包圍(flank)用于讀取的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部模塊。參考圖3，示出了 W-R-W配置，外部模塊252、256的每一個(gè)包括寫入器260的一個(gè)或多個(gè)陣列。圖3的內(nèi)部模塊254包括類似配置的讀取器258的一個(gè)或多個(gè)陣列。多模塊頭的變化包括R-W-R頭(圖4)、R-R-W頭、W-W-R頭等。在另外的變化中，一個(gè)或多個(gè)模塊可具有變換器的讀/寫對。而且，可存在多于三個(gè)的模塊。在進(jìn)一步的方式中，兩個(gè)外部模塊可側(cè)面包圍兩個(gè)或更多個(gè)內(nèi)部模塊，例如在W-R-R-W、R-W-W-R設(shè)置等中。為了簡單起見，頭在本文中主要采用W-R-W來示例本發(fā)明的實(shí)施例。得知這里教導(dǎo)的本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解本發(fā)明的排列如何應(yīng)用于W-R-W配置之外的配置。
[0060]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的磁頭126，其包括第一、第二和第三模塊302、304、306，其每一個(gè)分別具有磁帶支承表面308、310、312，該些磁帶支承表面可為平坦的、波狀的(contoured)等。應(yīng)注意，盡管術(shù)語“磁帶支承表面”似乎表示面對磁帶315的表面與磁帶支承表面物理接觸的意思，但是這不是必須的情況。相反，僅磁帶的一部分可與磁帶支承表面連續(xù)地或斷續(xù)地接觸，磁帶的其它部分騎(riding)在(或“懸浮(flying)”)在空氣層上的磁帶支承表面之上，有時(shí)稱為“空氣支撐” ο第一模塊302稱為“在前”模塊，因?yàn)樵谠谒镜姆较蛏弦苿拥拇艓У娜K設(shè)計(jì)中，它是磁帶所遇到的第一模塊。第三模塊306稱為“在后”模塊。在后模塊在中間模塊之后，是在三模塊設(shè)計(jì)中由磁帶看到的最后一個(gè)模塊。在前模塊和在后模塊302、306統(tǒng)稱為外部模塊。還應(yīng)注意的是，外部模塊302、306根據(jù)磁帶315的行進(jìn)方向輪流成為在前模塊。
[0061 ] 在一個(gè)實(shí)施例中，第一、第二和第三模塊302、304、306的磁帶支承表面308、310、312設(shè)置在大約平行的平面(這意味著包括平行和接近平行的平面，例如，在如圖6所示的介于平行和相切之間的平面)之上，并且第二模塊304的磁帶支承表面310在第一和第三模塊302、306的磁帶支承表面308、312之上。如下所述，這具有產(chǎn)生磁帶相對于第二模塊304的磁帶支承表面310的所希望包角α2的效果。
[0062]在磁帶支承表面308、310、312設(shè)置為沿著平行平面或接近平行但偏離平面的情況下，則直覺上磁帶應(yīng)脫離在前模塊302的磁帶支承表面308。然而，通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)由在前模塊302的切削邊緣318產(chǎn)生的真空足以保持磁帶粘合到在前模塊302的磁帶支承表面308。在前模塊302的在后邊緣320(磁帶從在前模塊302離開的端部)為限定在第二模塊304的磁帶支承表面310之上的包角02的大致的基準(zhǔn)點(diǎn)。磁帶停留在磁帶支承表面附近，直至靠近在前模塊302的在后邊緣320。因此，讀取和/或?qū)懭朐?22可設(shè)置為靠近外部模塊302、306的在后邊緣。這些實(shí)施例特別適合于寫-讀-寫應(yīng)用。
[0063]這里描述的這個(gè)或其它實(shí)施例的益處是，因?yàn)橥獠磕K302、306以距第二模塊304的確定偏移來固定，所以當(dāng)模塊302、304、306耦合在一起，或者以其他方式固定在磁頭中時(shí)，內(nèi)部包角α2是固定的。內(nèi)部包角α2近似為tan—M/W)，其中δ是磁帶支承表面308、310的平面高度差，并且W是磁帶支承表面308、310的相對端之間的寬度。示例性的內(nèi)包角α2的范圍為約0.3°至約1.1°，盡管可為根據(jù)設(shè)計(jì)所需的任何角度。
[0064]有利地，模塊304接收磁帶(在前邊緣)一側(cè)上的內(nèi)部包角α2大于在后邊緣上的內(nèi)部包角α3，因?yàn)榇艓?15騎在在后模塊306之上。該差值通常是有利的，因?yàn)檩^小的α3傾向于克服現(xiàn)有的急劇升降的有效包封角。
[0065]應(yīng)注意，外部模塊302、306的磁帶支承表面308、312設(shè)置為在在前模塊302的在后邊緣320實(shí)現(xiàn)負(fù)包角。這通常有利于幫助減小由于與在后邊緣320接觸引起的摩擦，假如對形成在磁帶中的脫離磁頭的撬杠區(qū)域(crowbar reg1n)的位置進(jìn)行適當(dāng)?shù)目紤]。該負(fù)包角還減小了對在前模塊302上的元件的抖動(flutter)和摩擦損壞。此外，在在后模塊306，磁帶315懸浮在磁帶支承表面312之上，因此，當(dāng)磁帶在該方向上運(yùn)動時(shí)，實(shí)質(zhì)上在元件上沒有磨損。特別是，磁帶315夾帶著(entrain)空氣，并且因此不是實(shí)質(zhì)性地騎在第三模塊306的磁帶支承表面312上(可能出現(xiàn)某種接觸)。這是允許的，因?yàn)樵谇澳K302寫入而在后模塊306空置。
[0066]在任何給定的時(shí)間，由不同的模塊執(zhí)行讀取和寫入功能。在一個(gè)實(shí)施例中，第二模塊304包括多個(gè)數(shù)據(jù)和可選的伺服讀取器331而沒有寫入器。第一和第三模塊302、306包括多個(gè)寫入器322而沒有數(shù)據(jù)讀取器，除非外部模塊302、306可包括可選的伺服讀取器。伺服讀取器可用于在讀和/或?qū)懖僮髌陂g定位磁頭。每個(gè)模塊上的伺服讀取器通常設(shè)置為朝著讀取器或?qū)懭肫麝嚵械亩瞬俊?br>[0067]通過在基板和圍墻之間的間隙中僅有讀取器或并排的寫入器和伺服讀取器，可實(shí)質(zhì)上減小間隙長度。通常的磁頭具有背負(fù)式讀取器和寫入器，在這種情況下寫入器形成在每個(gè)讀取器之上。通常的間隙為20-35微米。然而，磁帶上的不規(guī)則可能傾向于下垂進(jìn)入(droop into)間隙且產(chǎn)生間隙侵蝕。因此，間隙越小越好。間隙越小，這里能顯示與磨損相關(guān)的問題越少。
[0068]在某些實(shí)施例中，第二模塊304具有圍墻，而第一和第三模塊302、306沒有圍墻。如果有圍墻，優(yōu)選將硬覆層加到模塊上。一個(gè)優(yōu)選的覆層是類金剛石碳(Diamond-LikeCarbon,DLC)。
[0069]在圖5所示的實(shí)施例中，第一、第二和第三模塊302、304、306的每一個(gè)具有圍墻332、334、336，其延伸相關(guān)模塊的磁帶支承表面，因此有效地將讀/寫元件定位為遠(yuǎn)離磁帶支承表面的邊緣。第二模塊304上的圍墻332可為通常在磁帶頭上發(fā)現(xiàn)的陶瓷類型的圍墻。然而，在平行于各個(gè)模塊上的磁帶行進(jìn)方向的方向上測量時(shí)，第一和第三模塊302、306的圍墻334、336可短于第二模塊304的圍墻332。這使得可以將模塊更靠近地定位在一起。產(chǎn)生較短圍墻334、336的一種方法是向第二模塊304的標(biāo)準(zhǔn)陶瓷圍墻疊加附加量。另一種方法是在薄膜工藝期間在元件上鍍或沉積薄膜圍墻。例如，諸如鐵硅鋁磁合金或鎳-鐵合金(例如45/55)的硬材料的薄膜圍墻可形成在模塊上。
[0070]在外部模塊302、306上具有減小厚度的陶瓷或薄膜圍墻334、336或者在外部模塊302、306上沒有圍墻的情況下，寫-讀間隙間隔可減小為小于約Imm，例如約0.75mm，或者小于常規(guī)使用的LTO磁帶頭間隔的50%。模塊302、304、306之間的敞開間距仍可設(shè)定為近似0.5至0.6mm，這在某些實(shí)施例中是理想的，用于穩(wěn)定磁帶在第二模塊304之上的運(yùn)動。
[0071]根據(jù)磁帶張力和剛度，可能希望外部模塊的磁帶支承表面相對于第二模塊的磁帶支承表面成一角度。圖6示出了一個(gè)實(shí)施例，其中模塊302、304、306處于切線或接近切線(有角)配置。特別是，外部模塊302、306的磁帶支承表面以第二模塊304的所希望的包角<^大致平行于磁帶。換言之，外部模塊302、306的磁帶支承表面308、312的平面以磁帶315相對于第二模塊304的大致所希望包角α2定向。在該實(shí)施例中磁帶還突然離開(pop 0ff)在后模塊306，因此減少在后模塊306中元件上的磨損。這些實(shí)施例對于寫-讀-寫應(yīng)用特別有用。這些實(shí)施例的其它方面與上面給出的那些類似。
[0072]通常，磁帶包角可設(shè)定在圖5和6所示實(shí)施例之間的中途(midway)。
[0073]圖7示出了一個(gè)實(shí)施例，其中模塊302、304、306為外包覆構(gòu)造。特別是，在相對于第二模塊304以所希望包角α2設(shè)定時(shí)，外部模塊302、306的磁帶支承表面308、312的成角略微大于磁帶315。在該實(shí)施例中，磁帶沒有突然離開在后模塊，允許其用于寫入或讀取。因此，在前模塊和中間模塊都可執(zhí)行讀取和/或?qū)懭牍δ?，而在后模塊可讀取任何剛寫入的數(shù)據(jù)。因此，這些實(shí)施例對于寫-讀-寫、讀-寫-讀、以及寫-寫-讀應(yīng)用是優(yōu)選的。在后面的實(shí)施例中，圍墻應(yīng)寬于磁帶覆蓋物(canopies)以保證讀取能力。較寬的圍墻可能要求較寬的間隙到間隙的分隔。因此，優(yōu)選實(shí)施例具有寫-讀-寫配置，這可采用縮短的圍墻，因此允許緊密的間隙到間隙的分隔。
[0074]圖6和7所示實(shí)施例的其它方面與上面給出的那些類似。
[0075]32通道版本的多模塊磁頭126可采用電纜350，電纜350具有引線，其間距與當(dāng)前16通道背負(fù)式LTO模塊中的引線間距相同或類似，或者可替代的，模塊上的連接可為風(fēng)琴鍵盤排列(organ-keyboarded)，從而減少電纜跨度50%。上下寫入對非屏蔽電纜可用于寫入器，可具有集成的伺服讀取器。
[0076]外包角Ct1可設(shè)定在驅(qū)動器中，例如通過本領(lǐng)域已知的任何類型的導(dǎo)軌，例如可調(diào)整滾筒、滑道等，或者可替代的通過可集成到磁頭上的外伸架。例如，具有偏移軸線的滾筒可用于設(shè)定包角。偏移軸線產(chǎn)生轉(zhuǎn)動的軌道弧線，其允許包角CU的精確對齊。
[0077]為了組合上述的任何實(shí)施例，可采用傳統(tǒng)的u型梁組件。因此，可保持最終的磁頭質(zhì)量，或者甚至相對于前幾代的磁頭有所減輕。在其它方法中，模塊可構(gòu)造為單元體。掌握本教導(dǎo)的本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，制造這樣磁頭的其它已知方法可適合于在構(gòu)造這樣的磁頭中使用。而且，由于本領(lǐng)域的技術(shù)人員在閱讀本公開時(shí)會明顯易懂，除非另有規(guī)定，本領(lǐng)域已知類型的工藝和材料可適合于在與本文教導(dǎo)一致的各種實(shí)施例中使用。
[0078]如前所述，磁帶上存儲的數(shù)據(jù)數(shù)通過重疊部分?jǐn)?shù)據(jù)軌道(例如，疊瓦式數(shù)據(jù)軌道)而擴(kuò)大，并且因此增加了磁帶上的數(shù)據(jù)軌道量。疊瓦式可用于調(diào)整寫入軌道寬度，采用較寬的傳統(tǒng)寫入器寫入較窄的軌道，較寬的傳統(tǒng)寫入器能變得具有向后兼容性。結(jié)果，實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)存儲量的改進(jìn)。然而，這些數(shù)據(jù)存儲量的改善可能以傳統(tǒng)產(chǎn)品上回讀性能為代價(jià)。具體而言，傳統(tǒng)產(chǎn)品可能受到回讀性能上的衰減，源自有關(guān)寫入器特性的不確定程度，并且因此，源自寫入器寫入的軌道特性。例如，磁頭中一個(gè)或多個(gè)寫入器的實(shí)際尺寸和/或位置可能該與一個(gè)或多個(gè)寫入器的標(biāo)稱設(shè)計(jì)尺寸和/或位置不同。寫入器的實(shí)際特性和標(biāo)稱設(shè)計(jì)特性之間的該差異可能導(dǎo)致寫入到介質(zhì)時(shí)疊瓦式軌道邊緣的位移。驅(qū)動器試圖在標(biāo)稱設(shè)計(jì)的讀取位置回讀疊瓦式軌道，但是根據(jù)疊瓦式軌道與標(biāo)稱設(shè)計(jì)位置的位移程度，疊瓦式軌道可能導(dǎo)致回讀誤差的增加和/或根本不能讀取。
[0079]圖8A-8C分別示出了疊瓦式軌道的標(biāo)稱設(shè)計(jì)特性和實(shí)際特性(例如，尺寸、位置等)之間可能存在的差別。圖8A示出了疊瓦式軌道的標(biāo)稱設(shè)計(jì)特性，以根據(jù)用于寫入疊瓦式軌道的寫入器的標(biāo)稱設(shè)計(jì)特性寫入到磁帶。在構(gòu)思上，這是在使用中所期待發(fā)生的。如圖所示，讀取器802設(shè)計(jì)為隨著磁帶在磁帶相對于讀取器802行進(jìn)的方向上運(yùn)動時(shí)，而定向在期望與磁帶上寫入軌道804對齊的位置。虛線803示出了疊瓦式軌道804的希望邊緣，例如根據(jù)格式。
[0080]然而，由于薄膜晶片處理的變化，寫入器的實(shí)際尺寸可能與設(shè)計(jì)規(guī)格不同，即使寫入器尺寸落入在公差之內(nèi)。這伴隨著疊瓦式軌道的邊緣位置可能與標(biāo)稱設(shè)計(jì)不同，因此潛在地導(dǎo)致讀取器與軌道錯(cuò)位，甚至跨到相鄰的軌道。
[0081]例如，如圖8A和SB所示，當(dāng)實(shí)際寫入器寬度小于標(biāo)稱設(shè)計(jì)寫入器寬度時(shí)，物理軌道的實(shí)際寬度Wa窄于設(shè)計(jì)寬度WD，這導(dǎo)致圖SB中磁帶上的寫入軌道804與圖8A所示的軌道的標(biāo)稱設(shè)計(jì)特性不同。特別是，盡管寫入(預(yù)疊瓦式)軌道的中線805保持相同，并且疊瓦式軌道的寬度Ws與圖8A和8B中的相同，但是由于較窄的實(shí)際寫入器寬度，圖8B中的疊瓦式軌道804的上邊緣在相交軌道(cross-track)方向806上沿著線803從期望的位置偏移(Offset)。驅(qū)動器代碼將讀取器802定位在如圖8A所示的標(biāo)稱疊瓦式軌道位置的中心。因此，主要部分的讀取器802在疊瓦式軌道804之外，盡管定向在所期盼的位置以與寫入軌道804的標(biāo)稱設(shè)計(jì)特性一致。
[0082]如下面更加詳細(xì)的討論，各種實(shí)施例橫向糾正寫入位置以最小化錯(cuò)配，因此能在標(biāo)稱設(shè)計(jì)位置寫入疊瓦式軌道的可讀部分。于是，當(dāng)驅(qū)動器執(zhí)行回讀操作時(shí)，讀取器適當(dāng)?shù)囟ㄎ辉诏B瓦式軌道之上。圖SC示出了應(yīng)用了糾正的橫向?qū)懭胛恢脤懭氲寞B瓦式軌道804，以最小化讀取器錯(cuò)位。
[0083]結(jié)果，希望減小疊瓦式軌道的標(biāo)稱設(shè)計(jì)特性和疊瓦式軌道的實(shí)際特性之間的差異。應(yīng)注意，盡管圖8A-8C中示出的偏移是采用數(shù)據(jù)軌道的外部邊緣測量的，但根據(jù)其他方法，可以采用數(shù)據(jù)軌道的中心點(diǎn)或者任何其它希望的基準(zhǔn)點(diǎn)對偏差進(jìn)行測量。
[0084]類似地，圖8D-8F，對于類似的部件與圖8A-8C具有相同的編號，示出了實(shí)際寫入器寬度大于設(shè)計(jì)寬度的情形。圖8D示出了寫入的(預(yù)疊瓦式)軌道的設(shè)計(jì)寬度WD。圖SE示出了實(shí)際寫入器寬度大于設(shè)計(jì)寫入器寬度時(shí)發(fā)生的效果，因此導(dǎo)致疊瓦式軌道804的邊緣從標(biāo)稱設(shè)計(jì)位置沿著線803位移。各種實(shí)施例糾正寫入位置以最小化位移，因此能使在標(biāo)稱設(shè)計(jì)規(guī)定的期望位置對疊瓦式軌道寫入。于是，當(dāng)驅(qū)動器執(zhí)行回讀操作時(shí)，讀取器適當(dāng)?shù)匚挥诏B瓦式軌道之上。圖8F示出了應(yīng)用了糾正的寫入位置寫入疊瓦式軌道804以最小化讀取器錯(cuò)位。
[0085]為了減小回讀誤碼率，設(shè)想讀取器的重新定位，但對于可能具有由多個(gè)驅(qū)動器附加的數(shù)據(jù)的可移動介質(zhì)來說，每一個(gè)驅(qū)動器具有不同的疊瓦式軌道位移誤差，并且因此需要不同的讀取頭重新定位要求，這被認(rèn)為是不實(shí)際的。類似地，預(yù)先考慮且因此補(bǔ)償疊瓦式軌道不理想定位的嘗試被發(fā)現(xiàn)會導(dǎo)致降低可實(shí)現(xiàn)的分布密度。最后，減小讀取器寬度被認(rèn)為是不合需要的，因?yàn)閷?dǎo)致降低回讀幅度帶寬信噪比(readback amplitude broadbandsignal to noise rat1)。
[0086]因此，這里描述的各種實(shí)施例使得在磁介質(zhì)上實(shí)施疊瓦式寫入的精確和優(yōu)化實(shí)施。通過考慮寫入器的標(biāo)稱設(shè)計(jì)特性和實(shí)際特性，可實(shí)現(xiàn)寫入到介質(zhì)的疊瓦式軌道的精確的、可預(yù)見的和最優(yōu)的特性。因此，在某些實(shí)施例中，給定的介質(zhì)可精確地讀取多個(gè)驅(qū)動器的任何一個(gè)，而不在驅(qū)動器之間對讀取頭位置進(jìn)行重大調(diào)整，如下面進(jìn)一步詳細(xì)的描述。
[0087]現(xiàn)在參見圖9，示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的方法900的流程圖。方法900可執(zhí)行在圖1-7所示的任何環(huán)境中以及各種實(shí)施例的其它環(huán)境中。當(dāng)然，圖9中具體描述之外的或多或少操作可包括在方法900中，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在閱讀本描述時(shí)可予以理解。
[0088]方法900的每個(gè)步驟可由操作環(huán)境的任何適當(dāng)部件執(zhí)行。例如，在各種實(shí)施例中，方法900可由控制器(例如見圖1A的128)、處理器等或者某些其中具有一個(gè)或多個(gè)處理器的其它裝置部分地或全部執(zhí)行。諸如以硬件和/或軟件方式實(shí)施且優(yōu)選具有至少一個(gè)硬件部件的處理電路、芯片和/或模塊的處理器可用在任何裝置中以執(zhí)行方法900的一個(gè)或多個(gè)步驟。圖示的處理器包括但不限于中央處理單元(CPU)、特定用途集成電路(ASIC)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)等、其結(jié)合、或本領(lǐng)域已知的任何其它合適的計(jì)算裝置。
[0089]如圖9所示，方法900包括操作902，其中收集了在疊瓦式記錄期間有關(guān)寫入器陣列如何實(shí)際寫入和/或期望寫入器陣列如何寫入到磁介質(zhì)的寫入器陣列的信息。再者，寫入器如何意圖寫入磁介質(zhì)和寫入器如何實(shí)際寫入和/或期待寫入器如何寫入到磁介質(zhì)之差導(dǎo)致回讀性能降低。因此，如操作902所見，通過收集有關(guān)寫入器陣列如何實(shí)際寫入和/或期待寫入器陣列如何寫入到磁介質(zhì)的信息，這樣的信息可用于改善回讀性能，例如通過應(yīng)用橫向?qū)懭胛恢茫鋸臉?biāo)稱實(shí)際寫入位置橫向偏移，以補(bǔ)償實(shí)際寫入器特性與標(biāo)稱設(shè)計(jì)寫入器特性之間的任何差異，這將很快變得明顯易懂。
[0090]在某些實(shí)施例中，操作902中收集的信息可表示寫入器的標(biāo)稱設(shè)計(jì)和實(shí)際特性匹配，例如寫入器的標(biāo)稱設(shè)計(jì)和實(shí)際特性之差在公差之內(nèi)。因此，在某些實(shí)施例中，寫入器陣列可寫入特性足以匹配其標(biāo)稱設(shè)計(jì)特性的數(shù)據(jù)軌道。繼續(xù)參見方法900，可選的決定904包括確定實(shí)際寫入器性能與標(biāo)稱設(shè)計(jì)寫入器性能之差是否可接受，例如在可接受的范圍內(nèi)，小于某些預(yù)定值而從不可接受的性能描繪可接受的性能等。響應(yīng)于差值是可接受的決定，方法900可結(jié)束或者進(jìn)行操作902，從而可收集有關(guān)寫入器另一個(gè)陣列寫入的信息，例如在相對模塊上的寫入器。因此，數(shù)據(jù)可寫入和有效讀取而沒有實(shí)施橫向?qū)懭胛恢?。接下來，在某些方法中，對?biāo)稱橫向?qū)懭胛恢脩?yīng)用偏移量可通過這樣的確定解決，使用者忽略(override)，在檢測預(yù)定條件時(shí)放棄等。
[0091]然而，在確定實(shí)際寫入器性能和標(biāo)稱設(shè)計(jì)寫入器性能之差是不可接受時(shí)，方法900跳轉(zhuǎn)至操作906，其包括采用收集的信息計(jì)算描述橫向?qū)懭胛恢闷频臄?shù)據(jù)以在寫入期間使用，從而根據(jù)格式對齊疊瓦式軌道邊緣。例如，描述橫向?qū)懭胛恢玫臄?shù)據(jù)可表示在寫入操作期間施加到標(biāo)稱寫入位置的橫向偏移，例如，導(dǎo)致寫入位置從圖SB至SC和SE至8F變化。至少在部分上橫向?qū)懭胛恢没趯懭肫鞯臉?biāo)稱設(shè)計(jì)與實(shí)際特性和/或由寫入器寫入的數(shù)據(jù)軌道之間的橫向偏移。換言之，在寫入期間實(shí)施計(jì)算的橫向?qū)懭胛恢美硐氲目朔藢懭肫鞯臉?biāo)稱設(shè)計(jì)和實(shí)際特性之間的任何差異(例如，橫向錯(cuò)位)。結(jié)果，在操作908中，數(shù)據(jù)可通過采用描述橫向?qū)懭胛恢玫臄?shù)據(jù)寫入到磁介質(zhì)(例如磁帶)，例如通過給標(biāo)稱寫入位置施加偏移量。該解決方案可使不同的驅(qū)動器精確地讀取數(shù)據(jù)，而無需試圖通過重新定位遠(yuǎn)離標(biāo)稱的讀取位置而補(bǔ)償疊瓦式軌道邊緣偏移，因?yàn)閿?shù)據(jù)從開始就在正確的位置寫入。
[0092]另外，根據(jù)某些方法，橫向?qū)懭胛恢眠€可調(diào)整為補(bǔ)償附加的軌道特性，例如，避免和/或補(bǔ)償磁變換(magnetic transit1n)的沿著數(shù)據(jù)軌道的邊緣形成的彎曲邊緣。根據(jù)一個(gè)示例，橫向?qū)懭胛恢每赏ㄟ^朝著正被讀取的軌道的磁變換彎曲邊緣偏移疊瓦式軌道寬度的附加約2-10%而橫向重新定位，或者反之亦然。因此，在某些實(shí)施例中，寫入軌道的可讀部分可被彎曲部分的程度減小。在此情況下，疊瓦式軌道的“邊緣”可指適當(dāng)寫入部分的邊緣。
[0093]根據(jù)某些實(shí)施例，描述橫向?qū)懭胛恢玫臄?shù)據(jù)可為每個(gè)驅(qū)動器一次性計(jì)算，例如在制造時(shí)。例如，驅(qū)動器基座(例如，沒有磁頭)可容納且耦合到給定的磁頭上，其后，可執(zhí)行本文描述的一個(gè)或多個(gè)過程，以決定在未來的寫操作中要實(shí)施的偏移橫向?qū)懭胛恢谩Ｔ谄渌鼘?shí)施例中，描述橫向?qū)懭胛恢玫臄?shù)據(jù)在接收執(zhí)行計(jì)算的指令(例如在需要時(shí))、在驅(qū)動器維修時(shí)、在驅(qū)動器使用預(yù)定量后等可響應(yīng)于標(biāo)準(zhǔn)而計(jì)算，例如響應(yīng)于高誤碼率。
[0094]根據(jù)某些實(shí)施例，操作902收集的信息可基于寫入器自身的物理結(jié)構(gòu)。在一個(gè)方法中，操作902在其上收集的信息可通過確定陣列中的寫入器的磁極的物理特性而收集。根據(jù)所希望的實(shí)施例，磁極的物理特性可包括陣列的寫入器等之間的線條高度、厚度、跨過軌道的寬度和間距(例如中心到中心)。而且，寫入器的物理特性可采用原子力顯微鏡(AFM)或本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任何其它精細(xì)分析裝置來確定，例如檢測每個(gè)磁極的邊緣位置。
[0095]如前所述，寫入器的特性可因制造缺陷、材料特性、操作者錯(cuò)誤等而變化。例如，疊瓦式軌道的不希望和/或不預(yù)定位置可能由寫入軌道寬度距標(biāo)稱設(shè)計(jì)值的偏差引起。因此，兩個(gè)寫入器可能具有顯著不同的物理特性，盡管希望它們的物理特性基本上相同。結(jié)果，由寫入器之一寫入的數(shù)據(jù)軌道可能顯著地與由第二寫入器(例如圖SB和SE所見)寫入的數(shù)據(jù)軌道不同。這些差別在實(shí)施方法900的操作時(shí)希望予以考慮。
[0096]寫入器的標(biāo)稱設(shè)計(jì)和實(shí)際特性之間的差異可能導(dǎo)致寫入到介質(zhì)時(shí)數(shù)據(jù)軌道的標(biāo)稱設(shè)計(jì)和實(shí)際位置之間的橫向位移，例如，如圖8A-8F所示。例如，由寫入器陣列寫入到磁帶的數(shù)據(jù)軌道可能在磁帶上的數(shù)據(jù)軌道標(biāo)稱設(shè)計(jì)位置的基準(zhǔn)點(diǎn)和在磁帶上的數(shù)據(jù)軌道的實(shí)際位置的基準(zhǔn)點(diǎn)之間的橫向偏移。通過確定對應(yīng)于給定寫入器陣列的橫向偏移，可計(jì)算在寫入期間采用的描述橫向?qū)懭胛恢玫臄?shù)據(jù)，從而按照格式對齊疊瓦式軌道邊緣。因此，在給磁介質(zhì)寫入數(shù)據(jù)時(shí)實(shí)施計(jì)算的橫向?qū)懭胛恢每蓪?dǎo)致改進(jìn)磁軌道設(shè)置且減少回讀誤碼率。
[0097]而且，如前所述，有關(guān)寫入器陣列如何實(shí)際寫入和/或期待寫入器陣列如何寫入數(shù)據(jù)到介質(zhì)的信息可從各種源和/或采用各種處理收集。根據(jù)其它實(shí)施例，有關(guān)在疊瓦式記錄期間寫入器陣列如何實(shí)際寫入和/或期待寫入器陣列如何寫入到磁介質(zhì)的信息可通過評估每個(gè)驅(qū)動器中寫入器陣列的寫入性能而收集。應(yīng)注意的是，本文描述的各種實(shí)施例可實(shí)施為多個(gè)寫入器能同時(shí)寫入多個(gè)軌道的實(shí)施例。因此，在給定實(shí)施例中的多個(gè)寫入器的每一個(gè)之間可能存在空間，因此能同時(shí)疊瓦式寫入到多個(gè)軌道，如本領(lǐng)域的技術(shù)人員閱讀本描述時(shí)所理解。
[0098]在一種方法中，有關(guān)在疊瓦式記錄期間寫入器陣列如何實(shí)際寫入和/或期待寫入器陣列如何寫入到磁介質(zhì)的信息可以在數(shù)據(jù)軌道已經(jīng)由寫入器陣列寫入到磁介質(zhì)后通過映像數(shù)據(jù)軌道的磁疇而收集。因此，由寫入器陣列寫入的數(shù)據(jù)可自身檢測以決定有關(guān)寫入器陣列實(shí)際寫入和/或期待寫入到磁介質(zhì)的信息。根據(jù)所希望的方法，映像寫入數(shù)據(jù)軌道的磁疇可采用磁力顯微鏡(MFM)、磁流顯影等執(zhí)行。通過映像寫入數(shù)據(jù)軌道的磁疇，可從中取得與寫入器陣列對應(yīng)的特性，并且希望將其用于計(jì)算在寫入期間所用的描述偏離橫向?qū)懭胛恢玫臄?shù)據(jù)(例如見上面的操作906)，例如可通過確定具有直線(而不是曲線)變換的寫入軌道部分的寬度而部分地推斷。而且，在寫入數(shù)據(jù)到磁介質(zhì)時(shí)實(shí)施計(jì)算的橫向?qū)懭胛恢脤?dǎo)致改善磁軌道設(shè)置和降低回讀誤碼率。
[0099]根據(jù)示范性實(shí)施例，寫入器陣列可在具有寫入器的磁頭放置在驅(qū)動器中的標(biāo)稱寫入位置時(shí)用于將數(shù)據(jù)寫入到磁帶。標(biāo)稱寫入位置可采用任意的傳統(tǒng)方法選擇。例如，取決于所希望的方法，標(biāo)稱寫入位置可為根據(jù)格式的預(yù)定寫入位置、驅(qū)動器的默認(rèn)寫入位置、計(jì)算的位置等。因此，標(biāo)稱寫入位置可對應(yīng)于寫入器的標(biāo)稱設(shè)計(jì)特性(例如，尺寸、位置等)。
[0100]一旦數(shù)據(jù)已經(jīng)由定向在標(biāo)稱寫入位置的寫入器寫入到軌道，則隔離數(shù)據(jù)軌道的標(biāo)稱設(shè)計(jì)位置和實(shí)際位置的橫向偏移可在試圖從軌道讀取數(shù)據(jù)時(shí)通過掃描磁頭在跨越軌道方向上的位置而決定。根據(jù)示范性的方法，讀取器相對于對應(yīng)的數(shù)據(jù)軌道設(shè)置在最外位置，因此讀取器可開始從數(shù)據(jù)軌道讀取或試圖讀取數(shù)據(jù)。在一定的事件后，例如在已經(jīng)過去一定的時(shí)間，磁帶已經(jīng)運(yùn)轉(zhuǎn)一定的長度，已經(jīng)讀取了一定數(shù)據(jù)量等后，可重新定位讀取器的位置。讀取器相對于數(shù)據(jù)軌道的位置可通過遞增讀取器在軌道橫向方向上步進(jìn)某個(gè)預(yù)定距離而逐漸變化，預(yù)定距離例如為每個(gè)步進(jìn)約1nm至約10nm，進(jìn)行約十個(gè)或更多的數(shù)據(jù)集，遠(yuǎn)離最外位置。因此，隨著讀取器位置不斷地重新定位，讀取器相對于具有寫入數(shù)據(jù)的軌道在數(shù)據(jù)軌道的橫向軌道寬度上遞增式重新定位至各個(gè)橫向讀取位置。
[0101]在各個(gè)橫向讀取位置讀取的數(shù)據(jù)可被分析以確定在后續(xù)寫入期間應(yīng)用的合適寫入偏移。例如，在隨著讀取器掃描數(shù)據(jù)軌道評估由讀取器收集的回讀信息時(shí)，可確定讀取器的優(yōu)選橫向讀取位置。根據(jù)一種方法，該方法絕不意味著限制本發(fā)明，橫向讀取位置之一可選擇為至少部分地基于讀取期間經(jīng)受誤碼率的優(yōu)選橫向讀取位置。例如，在數(shù)據(jù)軌道的讀取期間經(jīng)受的對應(yīng)于最低誤碼率的橫向讀取位置可選擇為優(yōu)選橫向讀取位置。誤碼率可為C2誤碼率，或者可為任何的誤碼率度量，例如Cl誤碼率、原始位誤碼率(raw bit errorrate)、中間位誤碼率(median bit error rate)、平均位誤碼率(average bit errorrate)、均方誤差率等，取決于本領(lǐng)域技術(shù)人員讀取本說明時(shí)領(lǐng)會到的理想實(shí)施例。而且，所選的橫向讀取位置可用于計(jì)算在寫入期間實(shí)施的描述橫向?qū)懭胛恢玫臄?shù)據(jù)，從而根據(jù)格式對齊疊瓦式軌道邊緣。例如，所選的橫向讀取位置距標(biāo)稱位置的偏移量可表示疊瓦式軌道邊緣的偏移量，例如如圖SB和SE所示，并且因此用于確定如何重新定位橫向?qū)懭胛恢??？梢酝茢?，對于給定的寫入器陣列的橫向偏移相關(guān)的信息可通過在相對于具有已寫入數(shù)據(jù)的軌道的不同橫向間隔讀取位置讀取數(shù)據(jù)，從在標(biāo)稱寫入位置寫入到磁記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)而搜集。
[0102]根據(jù)某些方法，數(shù)據(jù)可采用與具有寫入數(shù)據(jù)軌道的寫入器陣列的驅(qū)動器相同的驅(qū)動器從數(shù)據(jù)軌道讀取。因此，所選的橫向讀取位置可對應(yīng)于該驅(qū)動器特定的偏移橫向?qū)懭胛恢谩?br>[0103]然而，在其它方法中，數(shù)據(jù)可采用與具有寫入數(shù)據(jù)軌道的寫入器陣列的驅(qū)動器不同的驅(qū)動器從數(shù)據(jù)軌道讀取。具體而言，對應(yīng)于各種實(shí)施方式的數(shù)據(jù)軌道可采用共同的驅(qū)動器讀取，該驅(qū)動器與具有寫入數(shù)據(jù)軌道的寫入器陣列的每一個(gè)驅(qū)動器不同。共同驅(qū)動器可包括具有讀取器設(shè)計(jì)公差的校準(zhǔn)讀取頭。描述橫向?qū)懭胛恢玫臄?shù)據(jù)可根據(jù)從共同驅(qū)動器回讀的信號進(jìn)行計(jì)算。應(yīng)注意，計(jì)算出的描述橫向?qū)懭胛恢玫臄?shù)據(jù)應(yīng)用到寫入數(shù)據(jù)軌道的驅(qū)動器以糾正隨后被寫入的疊瓦式軌道。選擇性地，共同驅(qū)動器可具有由非常窄讀取器組成的頭，這可在決定最佳偏移量中改善精度。
[0104]根據(jù)另一個(gè)示范性實(shí)施例，寫入器陣列可用于寫入數(shù)據(jù)到磁帶，同時(shí)具有寫入器的磁頭位置相對于磁帶在驅(qū)動器中重新定位。寫入器陣列可在寫入期間相對于磁介質(zhì)在各種橫向?qū)懭胛恢弥g重新定位，因此導(dǎo)致寫入軌道的邊緣每一步橫向地重新定位到隨后的橫向?qū)懭胛恢?。根?jù)一個(gè)示范性方法，寫入器可定位在相對于對應(yīng)的數(shù)據(jù)軌道的最外位置。在一個(gè)事件后，例如通過一定的時(shí)間量，磁帶已經(jīng)運(yùn)轉(zhuǎn)一定的長度，已經(jīng)寫入一定的數(shù)據(jù)量等，寫入器的位置可橫向地重新定位。寫入器遠(yuǎn)離最外位置相對于數(shù)據(jù)軌道的位置可通過在跨過軌道方向上遞增步進(jìn)寫入器一個(gè)預(yù)定距離而逐漸變化，例如對于約十個(gè)或更多個(gè)的數(shù)據(jù)集該距離為約1nm至約lOOnm。因此，隨著寫入器的位置繼續(xù)橫向移動，寫入器遞增掃過數(shù)據(jù)軌道的跨越軌道寬度，同時(shí)在其上寫入數(shù)據(jù)。
[0105]寫入到軌道的數(shù)據(jù)由讀取器讀取，讀取器定向在預(yù)定的讀取位置，例如標(biāo)稱讀取位置。標(biāo)稱讀取位置可為根據(jù)格式的預(yù)定讀取位置、驅(qū)動器的默認(rèn)讀取位置、計(jì)算出的位置等。因此，標(biāo)稱讀取位置可對應(yīng)于寫入器的標(biāo)稱設(shè)計(jì)特性(例如，尺寸、位置等)。
[0106]隨著讀取器在橫向位移的疊瓦式數(shù)據(jù)軌道之上通過且從其讀取數(shù)據(jù)，可收集和評估回讀的信息。而且在評估回讀信息時(shí)，基于讀取過程中獲得的讀取信息可計(jì)算在后續(xù)寫入中使用的描述橫向?qū)懭胛恢玫臄?shù)據(jù)。例如，可決定優(yōu)選的偏移橫向?qū)懭胛恢?。根?jù)一種方法，絕不意味著限制本發(fā)明，橫向?qū)懭胛恢弥豢芍辽俨糠值馗鶕?jù)在寫入器處于特定的橫向位置時(shí)讀取寫入數(shù)據(jù)的同時(shí)經(jīng)受的誤碼率選擇為優(yōu)選橫向?qū)懭胛恢?。例如，對?yīng)于讀取數(shù)據(jù)軌道時(shí)經(jīng)受的最低誤碼率的橫向?qū)懭胛恢每蛇x擇為優(yōu)選橫向?qū)懭胛恢?。在另一個(gè)方法中，算法可處理從在不同橫向位置寫入的軌道回讀的信息，并且輸出所用的描述寫入位置的數(shù)據(jù)，可能基于中間比特誤碼率、C2誤碼率、均方誤碼率等。
[0107]因此，與在特定位置寫入且通過其掃描讀取器以決定優(yōu)選橫向讀取位置相反，寫入器可在跨越軌道方向上步進(jìn)通過磁帶，同時(shí)將數(shù)據(jù)寫入到磁帶，從而讀取器可從一組標(biāo)稱讀取位置讀取數(shù)據(jù)以決定優(yōu)選橫向?qū)懭胛恢谩?br>[0108]如上所述，數(shù)據(jù)可由與具有寫入數(shù)據(jù)軌道的寫入器陣列的驅(qū)動器相同的驅(qū)動器讀取，從而具體地關(guān)聯(lián)偏移橫向?qū)懭胛恢煤徒o定的驅(qū)動器。然而，在其它方法中，數(shù)據(jù)可采用與具有寫入數(shù)據(jù)軌道的寫入器陣列的驅(qū)動器不同的驅(qū)動器從數(shù)據(jù)軌道讀取。共同驅(qū)動器可包括具有小讀取器設(shè)計(jì)公差的校準(zhǔn)讀取頭。因此，計(jì)算出的描述橫向?qū)懭胛恢玫臄?shù)據(jù)可基于讀取器和寫入器校準(zhǔn)數(shù)據(jù)二者。應(yīng)注意，計(jì)算出的描述橫向?qū)懭胛恢玫臄?shù)據(jù)應(yīng)用到寫入數(shù)據(jù)軌道的驅(qū)動器以糾正后續(xù)寫入的疊瓦式軌道。
[0109]在采用本文描述和/或建議的任何流程確定偏移橫向?qū)懭胛恢煤?，后續(xù)的疊瓦式寫入期間優(yōu)選應(yīng)用偏移橫向?qū)懭胛恢?。如上所述，偏移橫向?qū)懭胛恢每捎糜诟鶕?jù)標(biāo)稱寫入位置重新定位寫入器陣列的寫入位置，以更好地反映(mirror)給定驅(qū)動器的寫入器和/或讀取器的實(shí)際特性。通過在后續(xù)疊瓦式寫入期間應(yīng)用偏移橫向?qū)懭胛恢?，有望?shí)現(xiàn)改善磁軌道位置和減小回讀誤碼率，這樣寫入的磁帶的互換改善可得以實(shí)現(xiàn)。
[0110]參見圖10A，圖線1000示出了字節(jié)/C2回讀誤碼率對比采用傳統(tǒng)過程讀取磁帶時(shí)經(jīng)受的橫向讀取偏移(橫向讀取位置)。具體而言，圖線1000中繪制的結(jié)果源自依賴寫入器和讀取器的標(biāo)稱設(shè)計(jì)特性時(shí)給磁帶寫入數(shù)據(jù)軌道且從磁帶讀取數(shù)據(jù)軌道。然而，如前所述，寫入器的標(biāo)稱設(shè)計(jì)特性和實(shí)際特性之間可能存在著差別，因此導(dǎo)致希望的和實(shí)際的數(shù)據(jù)軌道之間的差別，例如如圖8A-8F可見。因此，讀取器可定向在期望的位置以根據(jù)寫入器陣列的標(biāo)稱設(shè)計(jì)特性與數(shù)據(jù)軌道對齊，而寫入軌道的實(shí)際特性可能不同，因此導(dǎo)致讀取器與軌道錯(cuò)位，甚至可能跨到相鄰的軌道。
[0111]仍參見圖10A，沿著圖線1000的X軸的“O”表示根據(jù)標(biāo)稱設(shè)計(jì)在從給定的磁帶讀取軌道時(shí)的最佳讀取位置。然而，圖線1000所示曲線的峰值表示由各步中從軌道一側(cè)到另一側(cè)橫向強(qiáng)行跨過的讀取器實(shí)現(xiàn)的最高字節(jié)/C2回讀誤碼率。因此，該曲線的峰值表示在從磁帶讀取時(shí)為讀取器確定的實(shí)際最佳讀取位置。因此，假定疊瓦式軌道的標(biāo)稱設(shè)計(jì)特性反映了磁帶向前和向后兩個(gè)行進(jìn)方向上疊瓦式軌道的實(shí)際特性都產(chǎn)生了錯(cuò)誤結(jié)果。
[0112]形成鮮明對比，圖1OB的圖線1050示出了采用本文描述的方法實(shí)施偏移橫向?qū)懭胛恢煤髮?shí)現(xiàn)的結(jié)果。采用這里的任何方法可期待類似的結(jié)果。如圖線1050所示，沿著X軸的“O”(根據(jù)標(biāo)稱設(shè)計(jì)的最佳讀取位置)對于磁帶向前和向后行進(jìn)方向明顯與該曲線(實(shí)際最佳讀取位置)對齊。因此，通過實(shí)施最佳橫向?qū)懭胛恢脕碛?jì)算寫入器的標(biāo)稱設(shè)計(jì)和實(shí)際特性之間的任何差別，有望實(shí)現(xiàn)改進(jìn)回讀性能。
[0113]然而，如前所述，絕不意味著要求實(shí)施偏移橫向?qū)懭胛恢猛瑫r(shí)寫入磁介質(zhì)。在某些實(shí)施例中，寫入器的標(biāo)稱設(shè)計(jì)和實(shí)際特性可為匹配的，寫入器的標(biāo)稱設(shè)計(jì)和實(shí)際特性之間的差異可能在設(shè)計(jì)公差等范圍內(nèi)。因此，在某些實(shí)施例中，寫入器陣列可寫入特性與其標(biāo)稱設(shè)計(jì)特性匹配的數(shù)據(jù)。因此，可以寫入且有效地讀取數(shù)據(jù)而不應(yīng)用偏移橫向?qū)懭胛恢?。因此推斷，在某些方法中，偏移橫向?qū)懭胛恢玫膽?yīng)用可為自由的，在檢測預(yù)定條件等(例如見上面的決定904)時(shí)使用者可忽略、放棄。
[0114]現(xiàn)在參見圖11，根據(jù)圖示實(shí)施例示出了方法1100的流程。除了別的以外，在圖1-7所示的任何環(huán)境中，在各種實(shí)施例中可根據(jù)本發(fā)明執(zhí)行方法1100。當(dāng)然，圖11中具體描述之外的或多或少的操作可包括在方法1100中，如本領(lǐng)域的技術(shù)人員在閱讀本說明書時(shí)所理解。
[0115]方法1100的每個(gè)步驟可通過操作環(huán)境的任何適當(dāng)成分執(zhí)行。例如，在各種實(shí)施例中，方法1100可部分地或全部由控制器(例如見圖1A的128)、處理器等或某些其中具有一個(gè)或多個(gè)處理器的其它裝置實(shí)現(xiàn)。處理器，例如處理單元、芯片和/或模塊，實(shí)施在硬件和/或軟件中，并且優(yōu)選具有至少一個(gè)硬件部件，可用在任何裝置中以執(zhí)行方法1100的一個(gè)或多個(gè)步驟。圖示的處理器包括但不限于CPU、ASIC、FPGA等、其結(jié)合或本領(lǐng)域已知的任何其它適當(dāng)?shù)挠?jì)算裝置。
[0116]如圖11所示，方法1100包括操作1102，在操作1102中，對第一寫入方向，獲得距標(biāo)稱寫入位置的橫向偏移。根據(jù)某些實(shí)施例，橫向偏移可采用上面參考圖9的方法900描述的任何一個(gè)或多個(gè)操作獲得。
[0117]仍參考方法1100，操作1104包括應(yīng)用橫向偏移以在第一方向上寫入期間根據(jù)標(biāo)稱寫入位置重新定位寫入器陣列的寫入位置。如上所述，橫向偏移可用于確定偏移橫向?qū)懭胛恢?，其重新定位遠(yuǎn)離標(biāo)稱寫入位置的寫入器陣列的寫入位置以更好地反映給定驅(qū)動器的寫入器和/或讀取器的實(shí)際特性。通過在后續(xù)疊瓦式寫入期間應(yīng)用偏移橫向?qū)懭胛恢茫邢Ｍ麑?shí)現(xiàn)改進(jìn)的磁軌道位置和減少回讀誤碼率。
[0118]實(shí)施雙向?qū)懭氲膶?shí)施例可包括在與第一方向相反的第二方向上寫入時(shí)獲得要應(yīng)用的第二橫向偏移。因此，方法1100還包括選擇性操作1106，其中獲得第二橫向偏移以在與第一方向相反的第二方向上寫入。而且，可選操作1108包括在第二方向上寫入期間應(yīng)用第二橫向偏移，第二橫向偏移與在操作1102中獲得的橫向偏移不同。
[0119]雙向疊瓦式記錄可采用層層卷繞或非層層卷繞寫入實(shí)現(xiàn)。而且，根據(jù)給定模塊中轉(zhuǎn)換器的配置，寫入疊瓦式數(shù)據(jù)軌道方法的多種方法是可能的。例如，磁頭中具有讀取器_寫入器-讀取器(RWR)轉(zhuǎn)換配置的模塊可引導(dǎo)非層層卷繞寫入。這首先是因?yàn)镽WR轉(zhuǎn)換配置允許同一寫入器陣列寫入每個(gè)相鄰的數(shù)據(jù)軌道，盡管在寫入時(shí)磁帶方向和/或轉(zhuǎn)換器的定向反轉(zhuǎn)，因?yàn)橥ǔＲ詫訉泳砝@寫入方式實(shí)現(xiàn)。這可減少寫入誤差、回讀誤差、數(shù)據(jù)損失等，以及減少錯(cuò)位的預(yù)定要求，因?yàn)閮H一組軌道公差起作用。而且，采用同一寫入器陣列寫入相鄰數(shù)據(jù)軌道保證了寫入時(shí)的一致性，例如，通過精確的橫向偏移、橫向?qū)懭胛恢?、對稱的伺服圖案讀取、整體更高面密度等。
[0120]盡管同一寫入器陣列可用于在第一和第二方向二者上寫入相鄰的數(shù)據(jù)軌道，但是對于每個(gè)方向，不同的偏移橫向?qū)懭胛恢每蓱?yīng)用到寫入器陣列。如前在方法1100中所述，在第一方向上寫入時(shí)，第一橫向偏移可獲得和/或應(yīng)用以將寫入器陣列的寫入位置從標(biāo)稱寫入位置重新定位到偏移橫向?qū)懭胛恢?，同時(shí)，在與第一方向相反的第二方向上寫入時(shí)，第二橫向偏移可獲得和/或應(yīng)用以將寫入器陣列的寫入位置從標(biāo)稱寫入位置重新定位到不同的偏移橫向?qū)懭胛恢?，例如可能希望的?dāng)采用單一寫入頭時(shí)的層層卷繞寫入，其中對相反方向米用相對與入邊緣。
[0121]此外，應(yīng)當(dāng)理解的是，在某些實(shí)施例中，橫向偏移可預(yù)定(例如，通過特定驅(qū)動器寫入時(shí)在磁帶寫入點(diǎn))且存儲在存儲器中。因此，根據(jù)某些方法，橫向偏移可從諸如盒式存儲器的介質(zhì)列項(xiàng)、磁介質(zhì)自身編碼的數(shù)據(jù)等獲得，如下面進(jìn)一步詳細(xì)的說明。然而，在其它方法中，橫向偏移也可和/或作為選擇從執(zhí)行該方法的設(shè)備的存儲器獲得，例如磁帶驅(qū)動器存儲器。在進(jìn)一步方法中，偏移可從數(shù)據(jù)庫、主機(jī)、庫控制器等獲得。
[0122]在一個(gè)實(shí)施例中，在操作期間，表明在寫入時(shí)使用了橫向偏移的標(biāo)示可以被附加到介質(zhì)上的數(shù)據(jù)集。同樣，描述某些軌道采用寫入偏移寫入的元數(shù)據(jù)可存儲到諸如盒式存儲器的存儲器。
[0123]現(xiàn)在參見圖12A-12C，示出了根據(jù)不同實(shí)施例的疊瓦式記錄的代表性示意圖。疊瓦式軌道1204可通過在前述寫入軌道的一部分上寫入軌道1206而形成在磁帶1202上，因此限定疊瓦式軌道1204為之前寫入軌道的其余部分。在不同的實(shí)施例中，疊瓦式軌道1204可采用層層卷繞或非層層卷繞寫入形成，這將很快變得明顯易懂。
[0124]如圖12A的代表性示意圖所示，這絕不意味著限制本發(fā)明，軌道中的每一個(gè)箭頭的方向旨在表示對應(yīng)軌道寫入到磁帶1202時(shí)磁帶行進(jìn)的方向，優(yōu)選由單一的寫入器陣列寫入，該寫入器配置為在兩個(gè)寫入方向上寫入。因此，第一偏移橫向?qū)懭胛恢每稍诘谝环较蛏蠈?shù)據(jù)寫入軌道時(shí)應(yīng)用于寫入器陣列，并且第二偏移橫向?qū)懭胛恢每稍谂c第一方向相反的第二方向上將數(shù)據(jù)寫入到軌道時(shí)應(yīng)用于寫入器陣列，但是這在用給定寫入圖進(jìn)行如圖所示的疊瓦式時(shí)可能不是必須的。
[0125]應(yīng)注意，盡管不是很理想，但是磁頭中寫入器-讀取器-寫入器(WRW)轉(zhuǎn)換器配置可在某些實(shí)施例中用于非層層卷繞寫入。在這樣的實(shí)施例中，優(yōu)選在將數(shù)據(jù)寫入到相鄰數(shù)據(jù)軌道時(shí)，尤其是疊瓦式數(shù)據(jù)軌道，同一寫入器陣列用于相鄰的數(shù)據(jù)軌道。而且，與上面的描述類似，不同的寫入器陣列由于制造的變化不可能完美地一致，并且因此可具有不同的對準(zhǔn)特性，并且因此寫入與希望不同的數(shù)據(jù)。例如，一個(gè)寫入器陣列的寫入變換器與另一個(gè)寫入器陣列的寫入變換器可能不具有相同的間距、間隔等，盡管希望二者具有一致性。因此，采用多個(gè)寫入器陣列將數(shù)據(jù)寫入到相鄰數(shù)據(jù)軌道可能導(dǎo)致很小的軌道位置誤差，因?yàn)閷懭氲皆撥壍赖臄?shù)據(jù)可能在每次通過時(shí)為不同的對齊。根據(jù)另一個(gè)示例，采用不同的寫入器陣列可導(dǎo)致在相鄰軌道上的覆寫(overwriting)數(shù)據(jù)，因此如果沒有進(jìn)行該公差的適當(dāng)預(yù)留則導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。
[0126]然而，根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例，一種模塊可具有WRW轉(zhuǎn)換配置，這是進(jìn)行層層卷繞寫入的優(yōu)選配置。盡管采用WRW配置寫入數(shù)據(jù)，但是在前寫入器和讀取器優(yōu)選激活，而在后寫入器沒有激活，取決于磁帶行進(jìn)的方向。結(jié)果，在前寫入器陣列可用于磁帶行進(jìn)第一方向上寫入相鄰數(shù)據(jù)軌道，而在后寫入器陣列可用于與第一方向相反的第二磁帶行進(jìn)方向?qū)懭胂噜彽臄?shù)據(jù)軌道。再者，第一橫向偏移可獲得和/或應(yīng)用以在第一方向上的寫入期間將寫入器陣列的寫入位置從標(biāo)稱寫入位置重新定位到偏移橫向?qū)懭胛恢?，而第二橫向偏移可獲得和/或應(yīng)用以在與第一方向相反的第二方向?qū)懭肫陂g將寫入器陣列的寫入位置從標(biāo)稱位置重新定位到不同的偏移橫向?qū)懭胛恢谩?br>[0127]現(xiàn)在參見圖12B的代表性示意圖，這絕不意味著限制本發(fā)明，每個(gè)軌道中的箭頭的方向旨在表示對應(yīng)軌道寫入到磁帶1202時(shí)磁帶行進(jìn)的方向。與圖12A的示意圖相反，這里與磁帶行進(jìn)的第一方向?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)軌道寫入到數(shù)據(jù)拆分的頂部，而與磁帶行進(jìn)的第二方向?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)軌道寫入到數(shù)據(jù)拆分的底部。這優(yōu)選地減少了寫入誤差、回讀誤差、數(shù)據(jù)損失等，并且保證了寫入時(shí)的一致性，例如使伺服圖案讀取對稱。
[0128]此外，圖12C示出了另一種層層卷繞寫入圖案。緩沖器1210，有時(shí)也稱為方向緩沖器，在相反方向上寫入的最近軌道之間提供間隔。在一種方法中，橫向重新定位量可從理想量略微減小，以保證不出現(xiàn)后續(xù)的寫入誤差，例如從而方向性緩沖器得到充分保持。
[0129]與所有其它的疊瓦式軌道一樣，相鄰于方向緩沖器寫入的第一軌道和數(shù)據(jù)帶完全填充時(shí)由最后寫入操作覆寫的軌道希望具有相同的軌道公差余量(tracking tolerancemargin)。
[0130]在一種方法中，算法用于選擇方向緩沖器的最佳寫入位置量，并且保證重新定位的寫入位置不對方向緩沖器產(chǎn)生負(fù)面影響，例如，通過覆寫方向緩沖器以及可能進(jìn)入方向緩沖器相對側(cè)上的數(shù)據(jù)軌道。
[0131]在軌道從外向內(nèi)以層層卷繞方式在相對方向上寫入的實(shí)施例中，格式可規(guī)定寫入在數(shù)據(jù)帶中的最后軌道疊瓦式相反方向上寫入的最后軌道以最大化使用面積。用于選擇最佳寫入位置的運(yùn)算法則可考慮這些且保證任何重新定位的寫入位置不產(chǎn)生誤差，例如，通過在相反的方向上覆寫寫入的最后軌道的一部分。
[0132]因此可推定，這里描述的各種實(shí)施例可用包括磁記錄介質(zhì)和描述在寫入期間使用的偏移橫向?qū)懭胛恢玫臄?shù)據(jù)使得按照格式對齊疊瓦式軌道邊緣的產(chǎn)品實(shí)施。如上所述，描述橫向?qū)懭胛恢玫臄?shù)據(jù)可表示距標(biāo)稱寫入位置的橫向偏移。換言之，描述橫向?qū)懭胛恢玫臄?shù)據(jù)可表示空間量，寫入器陣列應(yīng)從向磁帶寫入數(shù)據(jù)時(shí)的標(biāo)稱寫入位置偏移，以匹配數(shù)據(jù)軌道的實(shí)際設(shè)計(jì)位置和標(biāo)稱設(shè)計(jì)位置。
[0133]根據(jù)示例性方法，描述橫向?qū)懭胛恢玫臄?shù)據(jù)可包括具有計(jì)算橫向?qū)懭胛恢盟惴ǖ尿?qū)動器(例如見圖1A的100)可使用的信息。該數(shù)據(jù)可包括輸入在算法中的數(shù)值以確定哪里和/或如何定位優(yōu)選具有寫入器陣列的磁頭，從而根據(jù)格式對齊疊瓦式軌道邊緣。
[0134]而且，根據(jù)某些方法，數(shù)據(jù)可存儲在耦合至磁記錄介質(zhì)的存儲器中。然而，根據(jù)其它方法，數(shù)據(jù)可在磁記錄介質(zhì)自身上編碼。例如，數(shù)據(jù)可寫入到磁帶的指定區(qū)域。
[0135]此外，具有數(shù)據(jù)寫入其上的某些產(chǎn)品可表示是否在寫入數(shù)據(jù)的同時(shí)采用了橫向?qū)懭胛恢闷?。例如，具有在橫向?qū)懭胛恢闷频耐瑫r(shí)由寫入器陣列寫入疊瓦式數(shù)據(jù)軌道的磁帶可包括標(biāo)示，其表示其上被寫入了數(shù)據(jù)的疊瓦式軌道由于實(shí)施了偏移橫向?qū)懭胛恢枚鴮R。該標(biāo)示可存儲在盒式存儲器中，寫入到磁帶的給定區(qū)域(例如，頭部)，存儲在庫控制器中的軌道表(例如查找表)上而不是介質(zhì)或盒式存儲器上的軌道表中。而且，可以形成表示是否用一個(gè)或多個(gè)偏移橫向?qū)懭胛恢脤懭虢o定磁帶的某些匝。因此，標(biāo)示可包括例如由驅(qū)動器可用的信息以決定如何從磁記錄介質(zhì)讀出數(shù)據(jù)和/或執(zhí)行進(jìn)一步的疊瓦式寫入。例如，驅(qū)動器可執(zhí)行橫向讀取器偏差(例如，軌道跟隨)，同時(shí)從沒有采用偏移橫向?qū)懭胛恢脤懭氲拇艓ёx取數(shù)據(jù)，同時(shí)還采用偏移橫向?qū)懭胛恢脤懭氲牧硪粋€(gè)磁帶讀取數(shù)據(jù)，該驅(qū)動器可采用標(biāo)稱讀取位置從其上讀取數(shù)據(jù)。結(jié)果，驅(qū)動器、存取機(jī)構(gòu)、控制器等能在庫和/或匝中存儲的具有對齊的疊瓦式軌道的磁帶與庫中和/或匝中存儲的可能具有錯(cuò)位疊瓦式軌道的磁帶之間鑒別。
[0136]因此可推斷，采用本文描述和/或建議的任何過程寫入的磁帶具有很高的可互換性，并且由于改進(jìn)的軌道對齊而可以有效地與任何驅(qū)動器一起使用。這是因?yàn)橐呀?jīng)根據(jù)本文的方法糾正的軌道邊緣更加接近于標(biāo)稱設(shè)計(jì)軌道邊緣位置，這是各種驅(qū)動器根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)期望的默認(rèn)結(jié)果。
[0137]而且，通過比較磁頭的實(shí)際寫入器特性與采用這些寫入器寫入的數(shù)據(jù)軌道的特性，可區(qū)別實(shí)施偏移橫向?qū)懭胛恢玫膶?shí)施例。在確定磁頭的實(shí)際寫入器特性與采用這些寫入器寫入的數(shù)據(jù)軌道的特性有偏移(例如，不匹配)時(shí)，可確定已經(jīng)采用橫向?qū)懭胛恢枚鴮?shù)據(jù)寫入到數(shù)據(jù)軌道。
[0138]示范性實(shí)施例
[0139]圖13包括示出根據(jù)所用實(shí)施例的方法1300的流程圖。方法1300可根據(jù)本發(fā)明執(zhí)行在本文所示的和/或所描述的任何環(huán)境中。當(dāng)然，圖13中具體描述的或多或少的操作可包括在方法1300中，如本領(lǐng)域的技術(shù)人員在閱讀本說明書時(shí)所理解的。
[0140]方法1300的每一個(gè)步驟可通過操作環(huán)境的適當(dāng)部件執(zhí)行。例如，在各種實(shí)施例中，方法1300可部分地或全部由控制器(例如見圖1A的128)、處理器等或具有一個(gè)或多個(gè)其中的處理器的某些其它裝置執(zhí)行。處理器，例如以硬件和/或元件實(shí)施的處理電路、芯片和/或模塊，且優(yōu)選具有至少一個(gè)硬件組件，可用在任何裝置中以執(zhí)行方法1300的一個(gè)或多個(gè)步驟。圖示的處理器包括但不限于CPU、ASIC、FPGA等、其結(jié)合或本領(lǐng)域已知的任何其它適當(dāng)?shù)挠?jì)算裝置。
[0141]參見圖13，方法1300包括采用例如具有耦接至其上的寫入器變換器的磁頭寫入疊瓦式軌道，見操作1302。為了寫入疊瓦式軌道，優(yōu)選清除所有與磁頭相關(guān)的寫入偏移。通過清除與磁頭相關(guān)的任何寫入偏移，可寫入疊瓦式軌道，從而可確定任何寫入器錯(cuò)位，下面將很快變得明顯易懂。
[0142]而且，通過寫入三個(gè)重疊的軌道而優(yōu)選形成疊瓦式軌道?，F(xiàn)在參見圖14，磁帶1400描述了第一寫入軌道WT1、第二寫入軌道WT2和第三寫入軌道WT3 ο如圖所示，軌道WTI和WT2是疊瓦式的(例如，部分地覆寫)，從而WT2夾設(shè)在WTl和WT3之間，因此限定了疊瓦式軌道WT2的外部范圍(軌道邊緣)。優(yōu)選第二寫入軌道WT2采用已知的數(shù)據(jù)寫入，而第一和第三寫入軌道WT1、WT3以不同于WT2的方式寫入。這允許驅(qū)動器決定讀取寫入到WT2的數(shù)據(jù)時(shí)何時(shí)靠近或在WT2的軌道邊緣。
[0143]根據(jù)優(yōu)選方法，WT2可包括來自任何源的格式化數(shù)據(jù)，例如用戶數(shù)據(jù)，如本領(lǐng)域的技術(shù)人員閱讀本說明書時(shí)所理解的。例如，格式化數(shù)據(jù)可包括已經(jīng)并行化為多個(gè)通道、用誤碼糾正信息編碼、時(shí)間交錯(cuò)存取和/或壓縮的數(shù)據(jù)。相反，第一和/或第三寫入軌道WT1、WT3可包括擦除數(shù)據(jù)、音調(diào)數(shù)據(jù)(tone data)等，或者與寫入到WT2的數(shù)據(jù)不同類型的其他數(shù)據(jù)圖案。然而，應(yīng)注意，在某些方法中，絕不意味著限制本發(fā)明，WT2可以具有與寫入到WTl和/或WT3的寫入數(shù)據(jù)類似和/或相同的寫入數(shù)據(jù)，但是線性偏移以允許識別WT2的軌道邊緣。
[0144]再一次參見圖13，操作1304包括測量讀取偏移，例如在讀取諸如WT2的疊瓦式軌道時(shí)。讀取偏移可通過選擇性地將讀取器定位在疊瓦式數(shù)據(jù)軌道之上且試圖從該軌道讀取數(shù)據(jù)而測量。具體而言，讀取器可定位在相對于疊瓦式軌道的最外橫向位置，并且開始讀取或試圖讀取來自疊瓦式軌道的數(shù)據(jù)。最外橫向位置優(yōu)選在要讀取的疊瓦式軌道的軌道邊緣之一之上或之外。在一個(gè)事件后，例如，通過一定的時(shí)間量，磁帶已經(jīng)運(yùn)轉(zhuǎn)一定的長度，已經(jīng)讀取一定的數(shù)據(jù)量等，讀取器可重新定位。讀取器相對于數(shù)據(jù)軌道的位置可通過在跨過軌道方向上遠(yuǎn)離最外位置遞增式步進(jìn)讀取器一預(yù)定量而逐漸變化，例如對于約十個(gè)或更多個(gè)數(shù)據(jù)集而言該預(yù)定量為約1nm至約lOOnm。因此，隨著讀取器的位置連續(xù)重新定位，讀取器遞增掃過數(shù)據(jù)軌道的跨過軌道寬度以相對于具有寫入數(shù)據(jù)的疊瓦式軌道覆蓋各種橫向讀取位置。
[0145]參見圖15A，所示的讀取器1502在約相對于疊瓦式軌道1504的最外位置。隨著時(shí)間的推移，讀取器1502可在跨過軌道方向1506上連續(xù)地或遞增地掃過軌道1504，例如直至達(dá)到相對于疊瓦式軌道1504(以陰影線示出)的相對最外位置。因此可推定，隨著讀取器1502相對于軌道1504的位置變化，由于軌道1504行進(jìn)在磁帶運(yùn)動1508的希望方向上，回讀性能將變化，同時(shí)數(shù)據(jù)從軌道1504讀出。
[0146]圖15B包括圖線1550，其給出了可隨著讀取器1502掃過疊瓦式數(shù)據(jù)軌道1504而計(jì)算出的示范性回讀性能。如圖所示，回讀性能較差，因?yàn)樽x取器1502定位在相對于疊瓦式軌道1504的最外位置時(shí)發(fā)生的讀取誤差量最高。然而，隨著讀取器1502朝著疊瓦式數(shù)據(jù)軌道1504的中心移動，讀取器1502經(jīng)受的讀出誤差量降低，直至在再一次升高前達(dá)到最小值。讀取器1502相對于圖線1550上給出的最小值相關(guān)的數(shù)據(jù)軌道1504的定向?qū)?yīng)于所述的最佳讀取器位置。而且，最佳讀取器位置和與零偏移相關(guān)的位置(即圖線1550上的原點(diǎn))之間的差別表不最佳讀取偏移。
[0147]再一次參見圖13，一旦測得讀取偏移，其可以用于確定寫入偏移，這可應(yīng)用于具有耦接其上的寫入器轉(zhuǎn)換器的磁頭。見操作1306。
[0148]在一種方法中，來自單一讀取器的數(shù)據(jù)可用于確定寫入位置偏移。在另一個(gè)方法中，來自多個(gè)讀取器的數(shù)據(jù)可用于確定寫入位置偏移，例如通過采用相關(guān)值的平均值、中間值、最壞情況等。采用來自多個(gè)讀取器的數(shù)據(jù)可通過平均陣列內(nèi)的物理寫入器變化而導(dǎo)致補(bǔ)償寫入位置的更優(yōu)化選擇。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，中間值的預(yù)定間隔內(nèi)的回讀數(shù)據(jù)可包括在補(bǔ)償寫入位置偏移的計(jì)算中。
[0149]選擇性操作1308包括采用磁頭寫入另一個(gè)疊瓦式軌道，該磁頭具有應(yīng)用到其寫入位置的寫入偏移。如上所述，疊瓦式軌道通過寫入三個(gè)重疊軌道而形成，例如見圖14。
[0150]此外，操作1310包括驗(yàn)證讀取偏移現(xiàn)在接近于零，例如，以類似于操作1304中測量讀取偏移的方式。例如，驗(yàn)證讀取偏移可通過定位讀取器到相對于其上應(yīng)用寫入偏移的疊瓦式軌道大致最外位置而實(shí)現(xiàn)，并且在相交軌道方向上，例如圖15A和15B的方向上移動通過疊瓦式軌道。因此，驗(yàn)證操作1310可包括確定更新過的最佳讀取偏移為零或接近于零。
[0151]本發(fā)明可以是系統(tǒng)、方法和/或計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品可以包括計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其上載有用于使處理器實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的各個(gè)方面的計(jì)算機(jī)可讀程序指令。
[0152]計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)可以是可以保持和存儲由指令執(zhí)行設(shè)備使用的指令的有形設(shè)備。計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)例如可以是一一但不限于一一電存儲設(shè)備、磁存儲設(shè)備、光存儲設(shè)備、電磁存儲設(shè)備、半導(dǎo)體存儲設(shè)備或者上述的任意合適的組合。計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)的更具體的例子(非窮舉的列表)包括:便攜式計(jì)算機(jī)盤、硬盤、隨機(jī)存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、可擦式可編程只讀存儲器(EPROM或閃存)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)、便攜式壓縮盤只讀存儲器(CD-ROM)、數(shù)字多功能盤(DVD)、記憶棒、軟盤、機(jī)械編碼設(shè)備、例如其上存儲有指令的打孔卡或凹槽內(nèi)凸起結(jié)構(gòu)、以及上述的任意合適的組合。這里所使用的計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)不被解釋為瞬時(shí)信號本身，諸如無線電波或者其他自由傳播的電磁波、通過波導(dǎo)或其他傳輸媒介傳播的電磁波(例如，通過光纖電纜的光脈沖)、或者通過電線傳輸?shù)碾娦盘枴?br>[0153]這里所描述的計(jì)算機(jī)可讀程序指令可以從計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)下載到各個(gè)計(jì)算/處理設(shè)備，或者通過網(wǎng)絡(luò)、例如因特網(wǎng)、局域網(wǎng)、廣域網(wǎng)和/或無線網(wǎng)下載到外部計(jì)算機(jī)或外部存儲設(shè)備。網(wǎng)絡(luò)可以包括銅傳輸電纜、光纖傳輸、無線傳輸、路由器、防火墻、交換機(jī)、網(wǎng)關(guān)計(jì)算機(jī)和/或邊緣服務(wù)器。每個(gè)計(jì)算/處理設(shè)備中的網(wǎng)絡(luò)適配卡或者網(wǎng)絡(luò)接口從網(wǎng)絡(luò)接收計(jì)算機(jī)可讀程序指令，并轉(zhuǎn)發(fā)該計(jì)算機(jī)可讀程序指令，以供存儲在各個(gè)計(jì)算/處理設(shè)備中的計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)中。
[0154]用于執(zhí)行本發(fā)明操作的計(jì)算機(jī)程序指令可以是匯編指令、指令集架構(gòu)(ISA)指令、機(jī)器指令、機(jī)器相關(guān)指令、微代碼、固件指令、狀態(tài)設(shè)置數(shù)據(jù)、或者以一種或多種編程語言的任意組合編寫的源代碼或目標(biāo)代碼，所述編程語言包括面向?qū)ο蟮木幊陶Z言一諸如Smalltalk、C++等，以及常規(guī)的過程式編程語言一諸如“C”語言或類似的編程語言。計(jì)算機(jī)可讀程序指令可以完全地在用戶計(jì)算機(jī)上執(zhí)行、部分地在用戶計(jì)算機(jī)上執(zhí)行、作為一個(gè)獨(dú)立的軟件包執(zhí)行、部分在用戶計(jì)算機(jī)上部分在遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)上執(zhí)行、或者完全在遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)或服務(wù)器上執(zhí)行。在涉及遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)的情形中，遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)可以通過任意種類的網(wǎng)絡(luò)一包括局域網(wǎng)(LAN)或廣域網(wǎng)(WAN)—連接到用戶計(jì)算機(jī)，或者，可以連接到外部計(jì)算機(jī)(例如利用因特網(wǎng)服務(wù)提供商來通過因特網(wǎng)連接)。在一些實(shí)施例中，通過利用計(jì)算機(jī)可讀程序指令的狀態(tài)信息來個(gè)性化定制電子電路，例如可編程邏輯電路、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)或可編程邏輯陣列(PLA)，該電子電路可以執(zhí)行計(jì)算機(jī)可讀程序指令，從而實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的各個(gè)方面。
[0155]這里參照根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法、裝置(系統(tǒng))和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的流程圖和/或框圖描述了本發(fā)明的各個(gè)方面。應(yīng)當(dāng)理解，流程圖和/或框圖的每個(gè)方框以及流程圖和/或框圖中各方框的組合，都可以由計(jì)算機(jī)可讀程序指令實(shí)現(xiàn)。
[0156]這些計(jì)算機(jī)可讀程序指令可以提供給通用計(jì)算機(jī)、專用計(jì)算機(jī)或其它可編程數(shù)據(jù)處理裝置的處理器，從而生產(chǎn)出一種機(jī)器，使得這些指令在通過計(jì)算機(jī)或其它可編程數(shù)據(jù)處理裝置的處理器執(zhí)行時(shí)，產(chǎn)生了實(shí)現(xiàn)流程圖和/或框圖中的一個(gè)或多個(gè)方框中規(guī)定的功能/動作的裝置。也可以把這些計(jì)算機(jī)可讀程序指令存儲在計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)中，這些指令使得計(jì)算機(jī)、可編程數(shù)據(jù)處理裝置和/或其他設(shè)備以特定方式工作，從而，存儲有指令的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)則包括一個(gè)制造品，其包括實(shí)現(xiàn)流程圖和/或框圖中的一個(gè)或多個(gè)方框中規(guī)定的功能/動作的各個(gè)方面的指令。
[0157]也可以把計(jì)算機(jī)可讀程序指令加載到計(jì)算機(jī)、其它可編程數(shù)據(jù)處理裝置、或其它設(shè)備上，使得在計(jì)算機(jī)、其它可編程數(shù)據(jù)處理裝置或其它設(shè)備上執(zhí)行一系列操作步驟，以產(chǎn)生計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的過程，從而使得在計(jì)算機(jī)、其它可編程數(shù)據(jù)處理裝置、或其它設(shè)備上執(zhí)行的指令實(shí)現(xiàn)流程圖和/或框圖中的一個(gè)或多個(gè)方框中規(guī)定的功能/動作。
[0158]附圖中的流程圖和框圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例的系統(tǒng)、方法和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的可能實(shí)現(xiàn)的體系架構(gòu)、功能和操作。在這點(diǎn)上，流程圖或框圖中的每個(gè)方框可以代表一個(gè)模塊、程序段或指令的一部分，所述模塊、程序段或指令的一部分包含一個(gè)或多個(gè)用于實(shí)現(xiàn)規(guī)定的邏輯功能的可執(zhí)行指令。在有些作為替換的實(shí)現(xiàn)中，方框中所標(biāo)注的功能也可以以不同于附圖中所標(biāo)注的順序發(fā)生。例如，兩個(gè)連續(xù)的方框?qū)嶋H上可以基本并行地執(zhí)行，它們有時(shí)也可以按相反的順序執(zhí)行，這依所涉及的功能而定。也要注意的是，框圖和/或流程圖中的每個(gè)方框、以及框圖和/或流程圖中的方框的組合，可以用執(zhí)行規(guī)定的功能或動作的專用的基于硬件的系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)，或者可以用專用硬件與計(jì)算機(jī)指令的組合來實(shí)現(xiàn)
[0159]而且，根據(jù)各種實(shí)施例的系統(tǒng)可包括處理器和與處理器集成和/或由處理器可執(zhí)行的邏輯裝置，該邏輯裝置配置為執(zhí)行本文引述的處理步驟的一個(gè)或多個(gè)。集成意思是處理器具有嵌入其中的邏輯裝置，作為硬件邏輯裝置，例如，特定用途的集成電路(ASIC)JI場可編程門陣列(FPGA)等。由處理器可執(zhí)行意思是該邏輯裝置是硬件邏輯裝置;諸如固件、操作系統(tǒng)一部分、應(yīng)用程序一部分等的軟件邏輯裝置;或者可由處理器存取的且配置為使處理器在處理器執(zhí)行時(shí)執(zhí)行某些功能的某些硬件邏輯裝置和軟件邏輯裝置的結(jié)合。軟件邏輯裝置可存儲在任何存儲器類型的本地和/或遠(yuǎn)程存儲器中，如本領(lǐng)域所知?？刹捎帽绢I(lǐng)域已知的任何處理器，例如軟件處理器模塊和/或諸如ASIC、FPGA、中央處理單元(CPU)、集成電路(IC)等硬件處理器。
[0160]應(yīng)清楚的是前述系統(tǒng)和/或方法的各種特征可以任何方式組合，根據(jù)上述描述產(chǎn)生多個(gè)組合。
[0161]還應(yīng)理解的是，本發(fā)明的實(shí)施例可以代表用戶采用的服務(wù)方式提供。
[0162]本文公開的本發(fā)明構(gòu)思以示例的方式進(jìn)行了描述，以圖示說明多個(gè)示例性的情況、實(shí)施例和/或?qū)嵤┓绞较碌母鞣N特征。應(yīng)理解，所公開的總體構(gòu)思是看作模塊化的，并且可以其任何的組合、排列或合成實(shí)施。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀本說明書時(shí)應(yīng)理解的本公開的特征、功能和構(gòu)思的任何修改、替換或等同物也應(yīng)看作在本公開的范圍內(nèi)。
[0163]雖然上面已經(jīng)描述各種實(shí)施例，但是應(yīng)理解的是它們僅通過示例的方式進(jìn)行了呈現(xiàn)，而不是對本發(fā)明的限制。因此，本發(fā)明實(shí)施例的寬度和范圍不受上述示范性實(shí)施例任何一個(gè)的限制，而是應(yīng)僅根據(jù)所附的權(quán)利要求及其等同物的限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種方法，包括: 在疊瓦式記錄期間收集有關(guān)寫入器陣列如何寫入磁介質(zhì)和/或希望寫入器陣列如何寫入到磁介質(zhì)的信息；以及 采用該收集的信息計(jì)算描述在寫入時(shí)使用的橫向?qū)懭胛恢玫臄?shù)據(jù)，從而根據(jù)格式對齊疊瓦式軌道邊緣。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中收集有關(guān)寫入器陣列如何在標(biāo)稱寫入位置寫入的信息，其中該數(shù)據(jù)包括距該標(biāo)稱寫入位置的橫向偏移量。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該信息通過采用該陣列的寫入器將數(shù)據(jù)寫入到磁記錄介質(zhì)、相對于具有該寫入數(shù)據(jù)的軌道在各個(gè)橫向讀取位置讀取數(shù)據(jù)以及分析在該各個(gè)橫向讀取位置讀取的數(shù)據(jù)。4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中該數(shù)據(jù)通過驅(qū)動器讀取，該驅(qū)動器也具有寫入器陣列。5.如權(quán)利要求3所述的方法，其中該數(shù)據(jù)由與具有該寫入器陣列的驅(qū)動器不同的驅(qū)動器讀取。6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中該不同的驅(qū)動器是校準(zhǔn)驅(qū)動器。7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中通過采用該陣列的寫入器將數(shù)據(jù)寫入到磁記錄介質(zhì)；在該寫入期間相對于該磁介質(zhì)在各個(gè)橫向?qū)懭胛恢弥g重新定位該陣列;在預(yù)定的讀取位置讀取數(shù)據(jù)；以及基于所述讀取期間獲得的回讀信息，計(jì)算描述在后續(xù)寫入時(shí)使用的橫向?qū)懭胛恢玫臄?shù)據(jù)，收集該信息。8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中該數(shù)據(jù)由驅(qū)動器讀取，該驅(qū)動器也具有寫入器的陣列。9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中該數(shù)據(jù)由與具有寫入器陣列的驅(qū)動器不同的驅(qū)動器讀取。10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該信息通過映像該寫入器陣列寫入的數(shù)據(jù)軌道的磁疇而收集。11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該信息通過確定在該陣列中寫入器磁極的物理特性而收集。12.如權(quán)利要求1所述的方法，包括在后續(xù)疊瓦式寫入時(shí)使用該描述該橫向?qū)懭胛恢玫臄?shù)據(jù)。13.—種設(shè)備，包括: 驅(qū)動機(jī)構(gòu)，用于在寫入器陣列之上傳遞磁介質(zhì)； 控制器，電耦接至該寫入器陣列；以及 邏輯裝置，與該控制器集成和/或由該控制器可執(zhí)行，以執(zhí)行權(quán)利要求1所述的方法。14.如權(quán)利要求13所述的設(shè)備，包括邏輯裝置，該邏輯裝置配置為應(yīng)用該橫向?qū)懭胛恢?，用于從?biāo)稱寫入位置重新定位寫入器陣列的寫入位置。15.—種方法，包括: 獲得距標(biāo)稱寫入位置的橫向偏移；以及 應(yīng)用該橫向偏移，相對于該標(biāo)稱寫入位置，重新定位在第一方向上的寫入時(shí)的寫入器陣列的寫入位置。16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中該橫向偏移是從執(zhí)行該方法的設(shè)備的存儲器獲得。17.如權(quán)利要求15所述的方法，包括獲得用于在與該第一方向相對的第二方向上寫入的第二橫向偏移;并且應(yīng)用在該第二方向上的寫入時(shí)的該第二橫向偏移，該第二橫向偏移與該橫向偏移不同。18.如權(quán)利要求15所述的方法，包括附加標(biāo)示，其指示在寫入時(shí)采用了該橫向偏移。19.一種設(shè)備，包括: 驅(qū)動機(jī)構(gòu)，用于在寫入器陣列之上傳遞磁介質(zhì)； 控制器，電耦接至該寫入器陣列；以及 邏輯裝置，與該控制器集成和/或由該控制器可執(zhí)行，以執(zhí)行權(quán)利要求15所述的方法。20.—種產(chǎn)品，包括: 磁記錄介質(zhì)；以及 數(shù)據(jù)，指示在寫入時(shí)是否應(yīng)用了橫向?qū)懭胛恢闷啤?1.如權(quán)利要求20所述的產(chǎn)品，其中該數(shù)據(jù)存儲在耦接至該磁記錄介質(zhì)的存儲器中。22.如權(quán)利要求20所述的產(chǎn)品，其中該數(shù)據(jù)編碼在該磁記錄介質(zhì)上。23.如權(quán)利要求20所述的產(chǎn)品，其中該數(shù)據(jù)包括驅(qū)動器可用的信息，以確定如何從該磁記錄介質(zhì)回讀數(shù)據(jù)。24.如權(quán)利要求20所述的產(chǎn)品，其中指示在寫入時(shí)是否應(yīng)用橫向?qū)懭胛恢闷频脑摂?shù)據(jù)包括使用該橫向?qū)懭胛恢闷茖懭肽男┸壍赖臉?biāo)識。
【文檔編號】G11B5/008GK105931652SQ201610107994
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年2月26日
【發(fā)明人】R.G.比斯克伯恩, W.S.查爾內(nèi)基, E.S.蓋爾, J.梁
【申請人】國際商業(yè)機(jī)器公司