用于存儲器的自適應(yīng)寫入輔助的設(shè)備的制造方法
【專利摘要】描述了一種設(shè)備，其包括：存儲器；第一功率供應(yīng)節(jié)點(diǎn)，其接收第一功率供應(yīng)；第二功率供應(yīng)節(jié)點(diǎn)，其耦合至所述存儲器，以為所述存儲器提供第二功率供應(yīng)；電路，其耦合至所述第一功率供應(yīng)節(jié)點(diǎn)和所述第二功率供應(yīng)節(jié)點(diǎn)，所述電路能夠操作用于通過自適應(yīng)地調(diào)整寫入輔助脈沖的信號特性而對所述第二功率供應(yīng)的下垂進(jìn)行動態(tài)調(diào)制。
【專利說明】用于存儲器的自適應(yīng)寫入輔助的設(shè)備
【背景技術(shù)】
[0001] SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)位單元的縮放是深度亞納米工藝技術(shù)中的難題，其原 因在于(例如）隨機(jī)摻雜劑波動的增大、柵極功函數(shù)變化、器件量子化和偏置溫度不穩(wěn)定性 (NBTI)的影響。為了緩解上述影響，將輔助電路用于SRAM陣列。輔助電路的示例包括寫入輔 助(WA)電路和讀取輔助(RA)電路。寫入輔助(WA)電路與讀取輔助(RA)電路相結(jié)合可以擴(kuò)展 設(shè)計(jì)窗口。這一結(jié)合使得SRAM位單元能夠滿足功率/性能以及工藝縮放要求。然而，已知的 WA和RA電路實(shí)質(zhì)上是靜態(tài)的，并且未考慮變化的操作條件(例如，電壓、溫度和頻率）。靜態(tài) WA電路可能導(dǎo)致寫入功耗的總體增大、寫入時間的增大、較大的SRAM位單元尺寸（即，面積 增大)等。
【附圖說明】
[0002] 通過下文給出的【具體實(shí)施方式】以及本公開內(nèi)容的各種實(shí)施例的附圖，本公開內(nèi)容 的實(shí)施例將得到更加充分的理解，然而不應(yīng)將【具體實(shí)施方式】和附圖看作使本公開內(nèi)容局限 于具體的實(shí)施例，它們只是用于解釋和理解。
[0003] 圖1示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)施例的用于向存儲器提供動態(tài)或自適應(yīng)寫入 輔助(WA)的高層級電路。
[0004] 圖2示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)施例的用于根據(jù)變化的電壓供應(yīng)電平而向存 儲器提供動態(tài)或自適應(yīng)功率供應(yīng)崩潰WA的電路。
[0005] 圖3示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)施例的用于根據(jù)變化的溫度而向存儲器提供 動態(tài)或自適應(yīng)功率供應(yīng)崩潰WA的電路。
[0006] 圖4示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)施例的用于根據(jù)變化的電壓供應(yīng)電平和溫度 而向存儲器提供動態(tài)或自適應(yīng)功率供應(yīng)崩潰WA的電路。
[0007] 圖5示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)施例的用于根據(jù)變化的電壓供應(yīng)電平而向存 儲器提供動態(tài)或自適應(yīng)負(fù)位線(NBL)WA的電路。
[0008] 圖6示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)施例的用于根據(jù)變化的溫度而向存儲器提供 動態(tài)或自適應(yīng)NBL WA的電路。
[0009] 圖7示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)施例的用于根據(jù)變化的電壓供應(yīng)電平和溫度 而向存儲器提供動態(tài)或自適應(yīng)NBL WA的電路。
[0010] 圖8示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)施例的顯示根據(jù)變化的功率供應(yīng)和溫度而使 用自適應(yīng)NBL WA技術(shù)和自適應(yīng)功率供應(yīng)崩潰WA技術(shù)的方法的流程圖。
[0011]圖9A-9B示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)施例的顯示NBL WA技術(shù)和具有功率供應(yīng) 崩潰WA技術(shù)的NBL的效果的曲線圖。
[0012] 圖9C示出了6T SRAM位單元。
[0013] 圖10示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)施例的顯示使用WA技術(shù)的方法和設(shè)備的流 程圖。
[0014] 圖11是根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)施例的具有用于向存儲器提供動態(tài)或自適應(yīng)WA 的設(shè)備的智能裝置或計(jì)算機(jī)系統(tǒng)或SoC(片上系統(tǒng)）。
【具體實(shí)施方式】
[0015] 在WA過程中，使去往SRAM陣列的功率供應(yīng)（即，VCC_SRAM)以預(yù)定的下垂下降（即， 崩潰)預(yù)定的持續(xù)時間。使去往SRAM陣列的功率供應(yīng)崩潰可以減少對SRAM位單元中的p型晶 體管的柵極過驅(qū)動(over-drive)，這允許成功地將新數(shù)據(jù)寫入到位單元中。為了解釋問題 和解決方案，將使用6T SRAM位單元。然而，實(shí)施例還適用于4T、8T、10T等存儲器位單元。
[0016] 基于已知的功率供應(yīng)崩潰的WA電路本質(zhì)上是靜態(tài)的，即，WA偏置電壓(其確定功率 供應(yīng)上的電壓下垂的深度)不會基于具有SRAM的處理器的操作電壓和溫度而變化。這暗示 了處理器必須確定單一的WA偏置和WA脈沖寬度的組合，從而跨越整個操作電壓、頻率、溫度 (V、F和T)范圍確保所有SRAM位單元的寫入能力。
[0017]跨越整個V、F和T范圍使用相同的（即，靜態(tài)的)WA偏置和WA脈沖寬度設(shè)置可能導(dǎo)致 寫入功耗的總體增大、寫入時間的增大、較大的SRAM位單元尺寸（即，面積增大)等等。例如， 在高壓(例如，750mV)下確保位單元寫入能力的WA脈沖寬度和偏置的組合可能導(dǎo)致寫入操 作在低壓（例如，600mV)下因 WA脈沖寬度不夠而失敗?？缭絍、F和T范圍的寬WA脈沖寬度(例 如，在最小電壓操作(VMIN)下設(shè)置的WA脈沖寬度)在功率供應(yīng)電平增大到VMIN電平以上時 可能造成不必要的耗電。
[0018]例如，在基于存儲器的VMIN操作電平確定WA脈沖寬度時，與WA電路相關(guān)聯(lián)的功率 可以增大30%。使用大的WA脈沖寬度還可能增大寫入時間，這可能成為頻率限制因素。另一 種已知的緩解存儲器中的寫入能力風(fēng)險的技術(shù)是使位單元覆蓋區(qū)域（即面積)變大。但是， 這樣的技術(shù)對于尺寸較小的低功率處理器是不可行的。
[0019] 在使用靜態(tài)位線欠驅(qū)動(under-drive)設(shè)置時，諸如負(fù)位線(NBL)WA技術(shù)等替代的 WA技術(shù)具有與上文討論的類似的問題。在基于NBL的WA技術(shù)中，在寫入操作期間將位線電壓 驅(qū)動為負(fù)（相對于地）。結(jié)果，由于柵極過驅(qū)動的增大而增強(qiáng)了位單元的存取晶體管的驅(qū)動 強(qiáng)度。該柵極過驅(qū)動的增大對P型上拉器件過度供電，并且?guī)椭鷮⑿聰?shù)據(jù)寫入到位單元中。 通過存儲在耦合至位線的電容器上的電荷的量來控制位線欠驅(qū)動的幅度。針對電容器極板 中的任一者具有靜態(tài)電容器尺寸或者靜態(tài)偏置條件呈現(xiàn)了與關(guān)于功率供應(yīng)崩潰WA電路的 靜態(tài)WA脈沖及偏置條件所討論的問題相似的問題。此外，為低VMIN操作設(shè)計(jì)的靜態(tài)電容器 尺寸或靜態(tài)偏置條件通常可能在高操作電壓下造成比所需要的更強(qiáng)的負(fù)位線欠驅(qū)動，并帶 來可靠性問題。
[0020]為了緩解上述問題（以及其它問題），實(shí)施例描述了根據(jù)操作條件(例如，V、F、T)而 向存儲器自適應(yīng)地(或者動態(tài)地)提供WA的設(shè)備和方法。在一個實(shí)施例中，在寫入操作期間 取決于具有存儲器的處理器的操作電壓和/或溫度而對去往存儲器的功率供應(yīng)崩潰的持續(xù) 時間和/或幅度進(jìn)行動態(tài)調(diào)制。在一個實(shí)施例中，取決于處理器的操作條件，可以僅啟用基 于NBL的WA電路。在一些實(shí)施例中，除了基于功率供應(yīng)崩潰的WA電路之外，還可以取決于具 有存儲器的處理器的操作條件而啟用基于NBL的WA電路。
[0021 ]術(shù)語"動態(tài)地"一般是指自動活動。例如，隨著處理器的電壓、溫度和/或頻率改變， 可以自動修改WA電路的特性，以實(shí)現(xiàn)較高的處理器性能。盡管實(shí)施例是參考SRAM描述的，但 是可以將自適應(yīng)WA的實(shí)施例用于任何已知的存儲器(例如，內(nèi)容可尋址存儲器(CAM)、寄存 器堆等）。
[0022] 實(shí)施例具有很多技術(shù)效果。一些非限制性技術(shù)效果包括:降低了功率無效性和向 下合并(down binning)風(fēng)險，降低了寫入功率，降低了NBL電容器尺寸，降低了功耗，降低了 存儲器可靠性風(fēng)險，緩解了由于老化帶來的寫入故障風(fēng)險等等。
[0023] 在下文的描述中，將討論很多細(xì)節(jié)以提供對本公開內(nèi)容的實(shí)施例的更透徹的解 釋。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，能夠在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐 本公開內(nèi)容的實(shí)施例。在其它實(shí)例中，用框圖的形式而非具體細(xì)節(jié)示出了公知的結(jié)構(gòu)和器 件，以避免使本公開內(nèi)容的實(shí)施例難以理解。
[0024] 注意，在實(shí)施例的對應(yīng)附圖中，用線表示信號。某些線較粗以表示較為主要的構(gòu)成 信號通路，和/或某些線可以在一個或更多末端上具有箭頭以指示原始信息流向。這種指示 并非旨在構(gòu)成限制。相反，聯(lián)系一個或更多示例性實(shí)施例使用所述線能夠促進(jìn)對電路或邏 輯單元的更容易的理解。任何所代表的根據(jù)設(shè)計(jì)需要或偏好決定的信號都可以實(shí)際包括可 以沿任一方向傳播并且可以用任何類型的信號方案實(shí)施的一個或更多信號。
[0025] 在整個說明書中并且在權(quán)利要求中，術(shù)語"連接"是指連接的事物之間的直接電連 接，而沒有任何中間裝置。術(shù)語"親合"是指連接的事物之間的直接電連接，或是指通過一個 或多個無源或有源中間裝置的間接連接。術(shù)語"電路"是指被布置為相互協(xié)作以提供預(yù)期功 能的一個或多個無源和/或有源部件。術(shù)語"信號"是指至少一個電流信號、電壓信號或數(shù) 據(jù)/時鐘信號。單數(shù)冠詞的含義包括復(fù)數(shù)個引用。"在……中"的含義包括"在……中"和 "在……上"。
[0026]術(shù)語"縮放"一般是指將設(shè)計(jì)（原理圖和布局）從一種工藝技術(shù)轉(zhuǎn)換到另一種工藝 技術(shù)。術(shù)語"縮放"一般還指在相同的技術(shù)節(jié)點(diǎn)內(nèi)縮小布局和器件尺寸。術(shù)語"縮放"可以指 相對于另一參數(shù)(例如，電源電平）來調(diào)整（例如，放慢)信號頻率。術(shù)語"基本上"、"接近"、 "大約"、"近于"以及"左右"一般是指處于目標(biāo)值的+/-20%內(nèi)。
[0027]除非另作說明，否則使用序數(shù)形容詞"第一"、"第二"和"第三"等描述共同的對象 僅指示正在提及類似對象的不同實(shí)例，其并非意在暗示如此描述的對象必須采用時間上或 空間上的給定序列、排序或者任何其它方式。
[0028]出于實(shí)施例的目的，晶體管是金屬氧化物半導(dǎo)體(M0S)晶體管，其包括漏極、源極、 柵極和體(bulk)端子。晶體管還包括三柵極和FinFet晶體管、柵極全包圍圓柱形晶體管或 者實(shí)施晶體管功能的其它器件，例如碳納米管或電子自旋器件。源極和漏極端子可以是等 同的端子，在文中可互換使用。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到可以使用其它晶體管，例如雙極結(jié) 型晶體管--BJT PNP/NPN、BiCMOS、CMOS、eFET等，而不脫離本公開內(nèi)容的范圍。術(shù)語"MN" 指示η型晶體管（例如，NM0S、NPN、BJT等），術(shù)語"MP"指示p型晶體管（例如，PM0S、PNP、BJT 等)。
[0029] 圖1示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)施例的具有用于向存儲器提供動態(tài)或自適應(yīng) WA的設(shè)備的高層級電路100。在一個實(shí)施例中，電路100包括自適應(yīng)調(diào)制器電路101、存儲器 102、功率控制單元(Ρ⑶）103、溫度傳感器104、電壓傳感器105和頻率傳感器106。用于向存 儲器102提供動態(tài)WA的電路包括自適應(yīng)調(diào)制器電路101、溫度傳感器104和/或電壓傳感器 105和/或頻率傳感器106。在一個實(shí)施例中，Ρ⑶103是任選的。
[0030] 在一個實(shí)施例中，自適應(yīng)調(diào)制器電路101從PCU 103和/或從溫度傳感器104和/或 電壓傳感器105和/或頻率傳感器106接收第一功率供應(yīng)節(jié)點(diǎn)處的第一功率供應(yīng)、寫入輔助 信號和數(shù)字控制信號。在一個實(shí)施例中，自適應(yīng)調(diào)制器電路101根據(jù)具有存儲器102的處理 器的WA信號和操作條件（電壓、溫度和/或頻率)而在第二功率供應(yīng)節(jié)點(diǎn)上向存儲器102提供 第二功率供應(yīng)。在一個實(shí)施例中，PCU 103向自適應(yīng)調(diào)制器電路101提供數(shù)字控制，以提供具 有存儲器102的處理器的更新的電壓、溫度和/或頻率。
[0031] 在一個實(shí)施例中，溫度傳感器104是任何已知的熱傳感器。在一個實(shí)施例中，電壓 傳感器105包括比較器，其將第一功率供應(yīng)與可編程電壓閾值進(jìn)行比較，以確定第一功率供 應(yīng)是高于還是低于可編程電壓閾值。在一個實(shí)施例中，頻率傳感器106包括用于確定處理器 的操作時鐘頻率的計(jì)數(shù)器。在一個實(shí)施例中，頻率傳感器106可以讀取鎖相環(huán)的分頻器 (divider)比率，以確定處理器的頻率。
[0032] 在一個實(shí)施例中，自適應(yīng)調(diào)制器電路101根據(jù)處理器的WA信號和操作條件而動態(tài) 地調(diào)制第二功率供應(yīng)中的下垂的脈沖寬度(Tw)和幅度(Td)。例如，在第一功率供應(yīng)降至低 于閾值(例如，750mV)時，自適應(yīng)調(diào)制器電路101可以選擇較強(qiáng)WA偏置設(shè)置以防止AC滯留故 障（即，較強(qiáng)WA偏置設(shè)置對防止AC滯留故障沒有幫助，除非與弱脈沖設(shè)置結(jié)合;在較低電壓 處使用的較強(qiáng)WA偏置設(shè)置一般將確保單元寫入能力），和/或選擇較長WA脈沖寬度設(shè)置以確 保單元寫入能力。在另一個示例中，在第一功率供應(yīng)升高到高于閾值時，自適應(yīng)調(diào)制器電路 101可以選擇較弱WA偏置設(shè)置以消除或者減少AC滯留故障的風(fēng)險，和/或選擇較短WA脈沖寬 度設(shè)置。
[0033]在一個實(shí)施例中，在啟用WA技術(shù)時并且根據(jù)處理器的操作條件，自適應(yīng)調(diào)制器電 路101動態(tài)地確定NBL WA控制信號，以調(diào)制NBL脈沖和/或電容器尺寸和/或?qū)︸詈现廖痪€的 電容器的任一極板的偏置。例如，在第一功率供應(yīng)降至低于閾值(例如，750mV)時，自適應(yīng)調(diào) 制器電路101可以選擇較大電容器尺寸，以確保單元寫入能力。在另一個示例中，在第一功 率供應(yīng)升高到高于閾值時，自適應(yīng)調(diào)制器電路101可以選擇較小電容器尺寸，以緩解可靠性 風(fēng)險并降低功耗。
[0034] 在一個實(shí)施例中，自適應(yīng)調(diào)制器電路101能夠基于電壓、溫度和頻率條件來有選擇 地啟用或禁用NBL WA電路和/或第二功率供應(yīng)崩潰WA技術(shù)。例如，在溫度降至低于溫度閾值 時（即，低溫，例如，l〇°C )，自適應(yīng)調(diào)制器電路101啟用NBL WA電路和第二功率供應(yīng)崩潰WA技 術(shù)。在另一個示例中，在溫度上升到高于溫度閾值時（即，高溫，例如，100°C)，自適應(yīng)調(diào)制器 電路101僅啟用NBL WA技術(shù)。
[0035] 在一個實(shí)施例中，自適應(yīng)調(diào)制器電路101耦合至存儲器102的位線。在一個實(shí)施例 中，自適應(yīng)調(diào)制器電路101可操作用于通過自適應(yīng)地調(diào)整與位線相關(guān)聯(lián)的電容而動態(tài)地調(diào) 制存儲器102的位線中的電壓下垂。
[0036]圖2示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)施例的用于根據(jù)變化的電壓供應(yīng)電平而向存 儲器提供動態(tài)或自適應(yīng)WA的電路200。要指出，圖2的那些與任何其它附圖中的元件具有相 同附圖標(biāo)記(或名稱)的元件可以按照任何與所描述的方式類似的方式操作或起作用，但不 限于此。
[0037]電路200是使用圖1的電壓傳感器(例如，105)的自適應(yīng)調(diào)制器電路101的一個示例 性實(shí)施例。返回參照圖2,在一個實(shí)施例中，電路200包括脈沖發(fā)生器201、脈沖發(fā)生器202、多 路復(fù)用器(Mux)203、比較器204、逆變器205、p型器件]\0 31、]\032、]\033、以及11型器件麗1、麗2、 麗3。在一個實(shí)施例中，比較器204和逆變器205是電壓傳感器105的部分。在一個實(shí)施例中， 脈沖發(fā)生器201、脈沖發(fā)生器202、多路復(fù)用器(Mux)203、p型器件1^1、1^2、1^3、以及11型器件 麗1、麗2、麗3是自適應(yīng)調(diào)制器電路101的部分。
[0038]在一個實(shí)施例中，脈沖發(fā)生器201接收寫入時鐘(或?qū)懭胄盘?作為輸入，并生成具 有第一脈沖寬度的Pulsel信號。在一個實(shí)施例中，脈沖發(fā)生器202接收寫入時鐘（或?qū)懭胄?號)作為輸入，并生成具有第二脈沖寬度的Pulse2信號，其中，Pulse2信號具有比Pulsel信 號的脈沖寬度短的脈沖寬度。在一個實(shí)施例中，通過調(diào)整脈沖發(fā)生器中的延遲線的延遲來 調(diào)整脈沖寬度。這里，脈沖寬度是指脈沖信號的邏輯高的持續(xù)時間。然而，在使用由脈沖信 號的邏輯低的持續(xù)時間來定義的脈沖寬度時，實(shí)施例的構(gòu)思也是適用的。盡管實(shí)施例示出 了兩個不同脈沖寬度的信號Pulsel和Pulse2,但是可以使用任何數(shù)量的脈沖寬度信號來提 供更細(xì)的粒度和/或更大的脈沖寬度范圍，以改變第二功率供應(yīng)的功率供應(yīng)崩潰持續(xù)時間 Td〇
[0039] 在一個實(shí)施例中，Mux 203接收Pulsel和Pulse2信號作為輸入，并根據(jù)選擇信 號一一動態(tài)WA啟用和動態(tài)WA啟用_13而有選擇地提供WA脈沖作為輸出，其中，"啟用_1/'是"啟 用"信號的反向信號。在本示例中，Mux 203是2:1多路復(fù)用器。對于具有兩個以上的脈沖信 號作為Mux 203的輸入的實(shí)施例而言，可以使用大型多路復(fù)用器，例如，4:1、5:1等。
[0040] 在一個實(shí)施例中，選擇信號--動態(tài)WA啟用和動態(tài)WA啟用_b--是由PCU 103、電 壓傳感器105和/或溫度傳感器106生成的。在該示例性實(shí)施例中，選擇信號一一動態(tài)WA啟用 和動態(tài)WA啟用_b--是由包括比較器204和逆變器205的電壓傳感器105生成的。在一個實(shí) 施例中，比較器204將可調(diào)整閾值與第一功率供應(yīng)進(jìn)行比較，以生成動態(tài)WA啟用。在一個實(shí) 施例中，可調(diào)整閾值是由基于帶隙電路(未示出）和電阻器(或者連接了二極管的晶體管）的 分壓器(未示出）生成的。例如，帶隙電路能夠生成帶隙基準(zhǔn)(例如，IV)，之后可以通過耦合 至多路復(fù)用器的電阻分壓器網(wǎng)絡(luò)對所述帶隙基準(zhǔn)進(jìn)行分割，使得多路復(fù)用器的輸出為可調(diào) 整閾值，而多路復(fù)用器選擇信號是可編程的。在其它實(shí)施例中，可以使用其它類型的電路來 提供用于比較器204的可調(diào)整閾值。
[0041 ] 在一個實(shí)施例中，可調(diào)整閾值耦合至比較器204的正端子，而第一功率供應(yīng)耦合至 比較器204的負(fù)端子。在一個實(shí)施例中，比較器的輸出（即，動態(tài)WA啟用)是邏輯"?；蚴沁壿?"〇"，取決于第一功率供應(yīng)的操作電壓。在一個實(shí)施例中，基于動態(tài)WA啟用的邏輯電平，啟用 或禁用WA晶體管MP1-MP3以及麗1-MN3中的一者或多者。在一個實(shí)施例中，將多路復(fù)用器(未 示出）插入在比較器204與電阻分壓器網(wǎng)絡(luò)之間，以補(bǔ)償比較器204中的任何固有偏移量，或 者基于材料類型(例如，典型材料類型、慢材料類型、快材料類型)來選擇后期硅中的不同閾 值電壓。在一個實(shí)施例中，將比較器204的單個副本用于存儲器102而不受存儲器102的尺寸 的影響。
[0042]在一個實(shí)施例中，通過脈沖發(fā)生器201和202控制第二功率供應(yīng)中的崩潰的持續(xù)時 間（g卩，下垂的持續(xù)時間）。在一個實(shí)施例中，MP1、MN1和MN2串聯(lián)耦合到一起。在一個實(shí)施例 中，MN3經(jīng)由節(jié)點(diǎn)nl而并聯(lián)耦合至MN2,并且通過熔斷器信號(或者可由軟件控制的信號)對 MN3加以控制。在一個實(shí)施例中，通過啟用MN3(即，將其柵極端子耦合至邏輯高），能夠調(diào)整 (即，提高)MN2的總寬度。在一個實(shí)施例中，通過MP2和MP3調(diào)整第二功率供應(yīng)中的下垂的深 度。盡管參考某一數(shù)量的晶體管解釋了用于控制第二功率供應(yīng)中的崩潰的持續(xù)時間Td和深 度Tw的實(shí)施例，但是可以使用任何數(shù)量的晶體管來引起用于的存儲器102的動態(tài)/自適應(yīng) WA。在一個實(shí)施例中，可以通過提高M(jìn)P2和MP3的WA偏置強(qiáng)度來降低第二功率供應(yīng)崩潰幅度 (即，下垂的深度）。
[0043]例如，可以通過從MP2切換至MP3來降低第二功率供應(yīng)中的下垂的深度，其中，MP3 在尺寸（即，W/L)上小于MP2。在另一個示例中，能夠通過降低WA脈沖寬度，即，通過從脈沖發(fā) 生器201切換至脈沖發(fā)生器202來縮短第二功率供應(yīng)中的下垂的持續(xù)時間，其中，脈沖發(fā)生 器201的形成Pulsel的延遲鏈比脈沖發(fā)生器202的延遲鏈長。
[0044]在一個實(shí)施例中，為了自適應(yīng)地調(diào)整第二功率供應(yīng)中的下垂的幅度和持續(xù)時間， 比較器204感測第一功率供應(yīng)的操作電壓的變化。在一個實(shí)施例中，比較器的輸出指示第一 功率供應(yīng)是高于還是低于可調(diào)整閾值。在該示例中，為了對實(shí)施例加以解釋，在第一功率供 應(yīng)超過可調(diào)整閾值時比較器204的輸出為邏輯高輸出，并且在第一功率供應(yīng)降至低于可調(diào) 整閾值時比較器204的輸出為邏輯低輸出。
[0045]可以借助于下述示例來描述自適應(yīng)WA方案。假設(shè)第一功率供應(yīng)處于750mV的范圍 內(nèi)，以實(shí)現(xiàn)2.5GHz頻率操作。在本示例中，將可調(diào)整閾值設(shè)為750mV。在第一功率供應(yīng)降至低 于750mV時，動態(tài)WA啟用從邏輯低轉(zhuǎn)變至邏輯高，而動態(tài)WA啟用_b從邏輯高轉(zhuǎn)變至邏輯低。 在該實(shí)施例中，啟用（即導(dǎo)通)MP3，而禁用（即，截止)MP2。由于MP3在尺寸上大于MP2，因而WA 偏置強(qiáng)度增大。繼續(xù)所述示例，Mux 203選擇Pulsel作為由MP1、MN1和MN2接收的WA脈沖。這 里，較強(qiáng)的WA偏置設(shè)置防止AC(交流）滯留故障，而較長的WA脈沖寬度設(shè)置（通過選擇 Pulsel)確保單元寫入能力。
[0046] 在第一功率供應(yīng)升高到高于750mV的可調(diào)整閾值時，動態(tài)WA啟用從邏輯低轉(zhuǎn)變至 邏輯高，而動態(tài)WA啟用」3從邏輯高轉(zhuǎn)變至邏輯低。在這種實(shí)施例中，啟用MP2，同時禁用MP3。 繼續(xù)所述示例，Mux 203選擇Pulse2作為由MP1、MN1和MN2接收的WA脈沖。Pulse2在脈沖寬度 上比Pulsel短。較弱的WA偏置設(shè)置降低了功耗，因?yàn)闇p小了第二功率供應(yīng)的崩潰的深度。較 短的WA脈沖寬度設(shè)置在允許處理器以較高電壓和/或頻率操作的同時通過輔助寫入的完成 而允許單元寫入能力。
[0047] 表1對來自各種實(shí)施例的相對于靜態(tài)WA技術(shù)的定時和功率效益進(jìn)行了定量表示。 [0048]表1:由自適應(yīng)WA得到的寫入性能的歸一化改善
[0049]
[0050] 在靜態(tài)WA技術(shù)中，在處理器的整個壽命(例如，七年）內(nèi)，WA偏置晶體管（例如，MP2 和MP3)總是導(dǎo)通的，使晶體管（即，MP2和MP3)對老化敏感。由于與持續(xù)老化相關(guān)的壓力的原 因，偏置晶體管（即，MP2和MP3)的閾值(Vt)朝較高值偏移。結(jié)果，第一功率供應(yīng)崩潰的幅度 增大，這增大了AC滯留故障的概率。實(shí)施例的自適應(yīng)WA方案緩解了這種由于老化而導(dǎo)致的 寫入故障風(fēng)險。
[0051]圖3示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)施例的用于根據(jù)變化的溫度向存儲器提供動 態(tài)或自適應(yīng)WA的電路300。要指出，圖3的那些與任何其它附圖中的元件具有相同附圖標(biāo)記 (或名稱)的元件可以按照任何與所描述的方式類似的方式操作或起作用，但不限于此。 [0052]為了不使圖3的實(shí)施例難以理解，討論圖2與圖3之間的差異，并且不再對先前描述 的特征進(jìn)行詳細(xì)討論。在一個實(shí)施例中，比較器204接收溫度閾值和感測溫度(TS)，以生成 動態(tài)WA啟用信號和動態(tài)WA啟用_b信號。這里，信號名稱和節(jié)點(diǎn)的附圖標(biāo)記可互換使用。例 如，動態(tài)WA啟用可以指動態(tài)WA啟用信號或節(jié)點(diǎn)動態(tài)WA啟用，這取決于句子的語境。與圖2的 實(shí)施例相比，圖3的實(shí)施例使用變化的溫度作為用于存儲器102的自適應(yīng)或動態(tài)WA的源。 [0053] 在一個實(shí)施例中，電路300包括熱傳感器301和查詢表(LUT)302連同參考圖2描述 的其它邏輯單元和晶體管。在一個實(shí)施例中，比較器204是模擬比較器(例如，單級運(yùn)算放大 器）。在一個實(shí)施例中，TS是由熱傳感器301提供的。在一個實(shí)施例中，TS是指示具有存儲器 10 2的處理器的溫度的模擬信號。在一個實(shí)施例中，閾值是指不溫度閾值的模擬信號。在一 個實(shí)施例中，可以通過從LUT 302中選擇很多閾值中的一個閾值來調(diào)整閾值。在一個實(shí)施例 中，可以使用熔斷器或軟件為LUT 302選擇閾值。
[0054] 在一個實(shí)施例中，比較器204、熱傳感器301、LUT 302和逆變器205形成了溫度傳感 器104。然而，熱傳感器301、LUT 302和逆變器205可以是自適應(yīng)調(diào)制器電路101的部分，或者 可以分布于其它邏輯單元之間。
[0055]在一個實(shí)施例中，為了自適應(yīng)地調(diào)整第二功率供應(yīng)中的下垂的幅度和持續(xù)時間， 比較器204感測具有存儲器102的處理器的操作溫度（即，當(dāng)前溫度）的變化。在一個實(shí)施例 中，比較器的輸出指示當(dāng)前溫度TS是高于還是低于閾值。在該示例中，為了對實(shí)施例加以解 釋的目的，在當(dāng)前溫度超過閾值時比較器204的輸出為邏輯高輸出，在當(dāng)前溫度降至低于閾 值時比較器204的輸出為邏輯低輸出。
[0056] 可以借助于下述示例描述電路300的自適應(yīng)WA方案。假設(shè)用以實(shí)現(xiàn)2.5GHz頻率操 作的溫度處于75°C的范圍內(nèi)。在該示例中，將閾值設(shè)為750mV，其指示75°C。在操作溫度降至 低于75°C時，動態(tài)WA啟用從邏輯低轉(zhuǎn)變?yōu)檫壿嫺?，而動態(tài)WA啟用_b從邏輯高轉(zhuǎn)變?yōu)檫壿嫷汀?在該實(shí)施例中，啟用（即導(dǎo)通)MP3，同時禁用（即，截止)MP2。由于MP3的尺寸大于MP2，因而WA 偏置強(qiáng)度增大。繼續(xù)所述示例，Mux 203選擇Pulsel作為由MP1、MN1和MN2接收的WA脈沖。這 里，較強(qiáng)的WA偏置設(shè)置防止AC(交流）滯留故障，而較長的WA脈沖寬度設(shè)置（通過選擇 Pulsel)確保了單元寫入能力。
[0057]在當(dāng)前溫度升高到高于75°C的可調(diào)整閾值時，動態(tài)WA啟用從邏輯低轉(zhuǎn)變?yōu)檫壿?高，而動態(tài)WA啟用_13從邏輯高轉(zhuǎn)變?yōu)檫壿嫷?。在這樣的實(shí)施例中，啟用MP2，同時禁用MP3。繼 續(xù)所述示例，Mux 203選擇Pulse2作為由MP1、MN1和MN2接收的WA脈沖。Pulse2的脈沖寬度短 于Pulsel。較弱的WA偏置設(shè)置降低了功耗，因?yàn)闇p小了第二功率供應(yīng)的崩潰的深度。較短的 WA脈沖寬度設(shè)置能夠在允許處理器以較高電壓和/或頻率操作的同時實(shí)現(xiàn)單元寫入能力。 [0058] 在一個實(shí)施例中，比較器204是數(shù)字比較器。例如，使用異或(X0R)邏輯門來實(shí)施比 較器204。在這樣的實(shí)施例中，來自LUT 302的閾值是數(shù)字閾值，并且來自熱傳感器301的TS 是指示當(dāng)前溫度的數(shù)字信號。在一個實(shí)施例中，在TS超過閾值時，挑選一組不同的WA脈沖寬 度和偏置設(shè)置。例如，可以將較深的崩潰用于低溫(例如，l〇°C)來改善位單元寫入能力。
[0059] 圖4示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)施例的用于根據(jù)變化的電壓供應(yīng)電平和溫度 向存儲器提供動態(tài)或自適應(yīng)WA的電路400。要指出，圖4的那些與任何其它附圖中的元件具 有相同附圖標(biāo)記(或名稱)的元件可以按照任何與所描述的方式類似的方式操作或起作用， 但不限于此。
[0060] 為了不使實(shí)施例難以理解，將討論圖2-3與圖4之間的差異，并且不再對先前描述 的特征進(jìn)行詳細(xì)討論。在一個實(shí)施例中，自適應(yīng)調(diào)制器電路1〇1(其為電路400的部分)是根 據(jù)具有存儲器102的處理器的變化的溫度、電壓和/或頻率而動態(tài)地調(diào)適WA的全數(shù)字化實(shí)施 方式。
[0061 ] 在一個實(shí)施例中，電路400包括數(shù)字比較器401 (例如，X0R邏輯門）。在一個實(shí)施例 中，數(shù)字比較器401從PCU 103接收作為數(shù)字信號的電壓閾值，如虛線數(shù)字控制所示。在一些 實(shí)施例中，數(shù)字比較器401從另一邏輯電路接收作為數(shù)字信號的電壓閾值。在一個實(shí)施例 中，電壓閾值指示第一功率供應(yīng)的閾值。例如，電壓閾值可以是指示750mV閾值的一系列位 (例如，001111)。在一個實(shí)施例中，第一功率供應(yīng)是由電壓調(diào)節(jié)器(VR)402生成的，該電壓調(diào) 節(jié)器接收輸入功率供應(yīng)并生成經(jīng)調(diào)節(jié)的第一功率供應(yīng)。在一個實(shí)施例中，VR 402是任何電 壓調(diào)節(jié)器。例如，VR 402是基于開關(guān)電容器的降壓VR或者DC-DC變換器。
[0062]在一個實(shí)施例中，數(shù)字比較器401從PCU 103接收作為數(shù)字信號的溫度閾值。在一 個實(shí)施例中，溫度閾值指示采用一系列位的形式的參考溫度。例如，溫度閾值可以是 000011，其指示75°C的溫度閾值。在一個實(shí)施例中，熱傳感器104生成指示當(dāng)前溫度的模擬 信號。在一個實(shí)施例中，PCU 103接收該模擬信號并生成表示當(dāng)前溫度的數(shù)字字。在一些實(shí) 施例中，熱傳感器104可以提供表示當(dāng)前溫度的數(shù)字字，由PCU 103將該數(shù)字字傳送至數(shù)字 比較器401(如虛線數(shù)字控制所示），或者由熱傳感器104將該數(shù)字字直接提供給數(shù)字比較器 401。使用全數(shù)字化自適應(yīng)調(diào)制器電路101及相關(guān)聯(lián)的電路的一個技術(shù)效果在于，消除了模 擬比較器(例如，運(yùn)算放大器）、電阻器堆、帶隙基準(zhǔn)等，這減小了功耗和面積。
[0063] 可以借助于下述示例描述電路400的自適應(yīng)WA方案。假設(shè)實(shí)現(xiàn)2.5GHz頻率操作的 溫度和第一功率供應(yīng)分別處于75°C和750mV的范圍內(nèi)。在本示例中，將電壓閾值設(shè)為750mV (即，例如，位代碼00011 )，同時將溫度閾值設(shè)置在75°C (即，例如，位代碼10001)。
[0064] 在操作溫度（即，TS)降至低于75°C時，動態(tài)WA啟用從邏輯低轉(zhuǎn)變?yōu)檫壿嫺?，而動態(tài) Μ啟用_13從邏輯高轉(zhuǎn)變?yōu)檫壿嫷?。在一個實(shí)施例中，在第一功率供應(yīng)降至低于750mV時，動 態(tài)WA啟用也可以從邏輯低轉(zhuǎn)變?yōu)檫壿嫺?，而動態(tài)WA啟用_13從邏輯高轉(zhuǎn)變?yōu)檫壿嫷?。在該?shí) 施例中，啟用（即導(dǎo)通)MP3，同時禁用（即，截止)MP2。由于MP3的尺寸大于MP2，因而WA偏置強(qiáng) 度增大。繼續(xù)所述示例，Mux 203選擇Pulse 1作為由MP1、MN1和麗2接收的WA脈沖。這里，較強(qiáng) 的WA偏置設(shè)置防止AC(交流)滯留故障，而較長的WA脈沖寬度設(shè)置(通過選擇Pulsel)確保了 單元寫入能力。
[0065] 在TS升高到高于75 °C的閾值時，動態(tài)WA啟用從邏輯低轉(zhuǎn)變?yōu)檫壿嫺?，而動態(tài)WA啟 用」3從邏輯高轉(zhuǎn)變?yōu)檫壿嫷?。在這種實(shí)施例中，啟用MP2，同時禁用MP3。繼續(xù)所述示例，Mux 203選擇Pulse2作為由MP1、MN1和MN2接收的WA脈沖。Pulse2的脈沖寬度短于Pulsel。較弱的 WA偏置設(shè)置降低了功耗，因?yàn)闆]有發(fā)生AC滯留故障的風(fēng)險。較短的WA脈沖寬度設(shè)置能夠在 允許處理器以較高電壓和/或頻率操作的同時實(shí)現(xiàn)單元寫入能力。
[0066] 實(shí)施例適用于很多不同類型的存儲器。例如，實(shí)施例適用于雙端口 SRAM、寄存器堆 和CAM存儲器。傳統(tǒng)的雙端口 SRAM不能依賴于常規(guī)功率供應(yīng)崩潰WA機(jī)制，其原因在于有可能 同時對沿正在經(jīng)歷功率供應(yīng)崩潰的列的不同行進(jìn)行讀取和寫入訪問。如果對另一字線發(fā)生 了讀取訪問，那么崩潰的功率供應(yīng)可能招致穩(wěn)定性故障。在一個實(shí)施例中，使用NBL WA技術(shù) 來提供VMIN減小。在一個實(shí)施例中，NBL連同使第二功率供應(yīng)崩潰一起改善了雙端口 SRAM位 單元的寫入能力。
[0067]圖5示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)施例的用于根據(jù)變化的電壓供應(yīng)電平向存儲 器提供動態(tài)或自適應(yīng)NBL WA的電路500。要指出，圖5的那些與任何其它附圖中的元件具有 相同附圖標(biāo)記(或名稱)的元件可以按照任何與所描述的方式類似的方式操作或起作用，但 不限于此。參考圖2解釋圖5的實(shí)施例。為了不使實(shí)施例難以理解，不再詳細(xì)討論在圖2中討 論過的部件。
[0068]電路500包括圖2的部件、緩沖器(任選的）、n型晶體管MN1、邏輯單元501和502以及 電容器CAPO和CAP1。在一個實(shí)施例中，脈沖發(fā)生器201和202由寫入時鐘信號生成NBLPULSE# 信號（即，NBL脈沖信號的反相形式）。在一個實(shí)施例中，比較器204和Mux 203基于第一功率 供應(yīng)電壓而確定脈沖和電容器尺寸的NBL控制設(shè)置。例如，在第一功率供應(yīng)電壓超過可調(diào)整 閾值時，使用較弱的NBL控制設(shè)置(即，較小電容器尺寸）。
[0069] 圖6示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)施例的用于根據(jù)變化的溫度向存儲器提供動 態(tài)或自適應(yīng)NBL WA的電路600。參考圖3和圖5解釋圖6的實(shí)施例。為了不使實(shí)施例難以理解， 不再詳細(xì)討論在圖3和圖5中討論過的部件。電路600示出了可以如何使用熱傳感器301動態(tài) 地確定NBL控制設(shè)置。
[0070] 在一個實(shí)施例中，脈沖發(fā)生器201和202來由寫入時鐘信號生成NBLPULSE#信號 (即，NBL脈沖信號的反相形式）。在一個實(shí)施例中，比較器204和Mux 203基于熱傳感器301提 供的操作溫度TS而確定脈沖和電容器尺寸的NBL控制設(shè)置。例如，在操作溫度超過來自LUT 302的可調(diào)整閾值時，使用較弱的NBL控制設(shè)置(即，較小的電容器尺寸）。
[0071] 圖7示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)施例的用于根據(jù)變化的電壓供應(yīng)電平和溫度 向存儲器提供動態(tài)或自適應(yīng)NBL WA的電路700。參考圖4和圖5解釋圖7的實(shí)施例。為了不使 實(shí)施例難以理解，不再詳細(xì)討論在圖4和圖5中討論過的部件。圖7示出了可以如何使用電壓 調(diào)節(jié)器402和熱傳感器104來動態(tài)地確定NBL控制設(shè)置。
[0072] 在一個實(shí)施例中，脈沖發(fā)生器201和302由寫入時鐘信號生成NBLPULSE#信號（即， NBL脈沖信號的反相形式）。在一個實(shí)施例中，比較器401和Mux 203基于熱傳感器104提供的 操作溫度TS以及電壓調(diào)節(jié)器402提供的操作電壓而確定脈沖和電容器尺寸的NBL控制設(shè)置。 例如，在操作溫度超過溫度閾值和/或操作電壓超過電壓閾值時，使用較弱的NBL控制設(shè)置 (即，較小的電容器尺寸）。
[0073] 實(shí)施例適用于很多不同類型的存儲器。例如，實(shí)施例適用于雙端口 SRAM、寄存器堆 和CAM存儲器。傳統(tǒng)的雙端口 SRAM不能依賴于常規(guī)功率供應(yīng)崩潰WA機(jī)制，其原因在于有可能 同時對沿正在經(jīng)歷功率供應(yīng)崩潰的列的不同行進(jìn)行讀取和偽讀取訪問。如果對另一字線發(fā) 生了讀取或偽讀取訪問，那么崩潰的功率供應(yīng)可能導(dǎo)致穩(wěn)定性故障。
[0074] 在雙端口 SRAM設(shè)計(jì)中，當(dāng)存在行沖突，即，在同一行上發(fā)生兩項(xiàng)操作(例如，讀取和 寫入的任何組合)時，可能發(fā)生最壞情況的讀取穩(wěn)定性壓力。由于雙端口 SRAM位單元被設(shè)計(jì) 為在行沖突期間是讀取穩(wěn)定的，因而在不發(fā)生行沖突時位單元的讀取穩(wěn)定性裕量較高。因 此，存在邊際機(jī)會以使用淺功率供應(yīng)崩潰連同NBL WA-起來擴(kuò)展雙端口 SRAM位單元的讀 取/寫入處理裕量。在一個實(shí)施例中，僅使用NBL WA技術(shù)來增強(qiáng)較高操作電壓下的寫入能 力。在另一實(shí)施例中，可以同時應(yīng)用NBL以及使第二功率供應(yīng)崩潰來擴(kuò)展雙端口 SRAM位單元 的寫入能力窗口，以實(shí)現(xiàn)較低的操作VMIN。
[0075] 圖8示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)施例的顯示根據(jù)變化的功率供應(yīng)和溫度而使 用NBL WA技術(shù)和功率供應(yīng)WA技術(shù)的方法的流程圖500。
[0076] 盡管按照特定順序示出了參考圖8的流程圖中的各個框，但是可以對動作的順序 進(jìn)行修改。因而，可以按照不同的順序執(zhí)行所示的實(shí)施例，并且可以并行執(zhí)行一些動作/框。 根據(jù)某些實(shí)施例，圖8中列舉的框和/或操作中的一些是任選的。所呈現(xiàn)的框的編號是為了 清晰起見，并非旨在規(guī)定各個框必須照其發(fā)生的操作的順序。此外，可以按照各種各樣的組 合來利用來自各個流程的操作。
[0077] 在框801，將第一功率供應(yīng)的電壓電平與電壓閾值進(jìn)行比較。在一個實(shí)施例中，電 壓閾值可以是模擬電壓。在這樣的實(shí)施例中，比較器204是模擬比較器(例如，放大器）。在一 個實(shí)施例中，在框801，將第一功率供應(yīng)的數(shù)字形式(例如，代碼10001)與數(shù)字電壓閾值(例 如，代碼10011)進(jìn)行比較。在這樣的實(shí)施例中，比較器204是數(shù)字比較器(例如，多個X0R邏輯 門）。
[0078] 在框802,確定第一功率供應(yīng)的電壓電平是否低于第一閾值Thresholdl (例如，第 一電壓閾值）。如果第一功率供應(yīng)的電壓電平低于電壓閾值，那么該過程進(jìn)行至框803,否則 該過程進(jìn)行至框804。在框804,不使用任何WA技術(shù)，即，自適應(yīng)調(diào)制器電路101禁用所有的WA 技術(shù)。在這樣的實(shí)施例中，不使第二功率供應(yīng)的電壓電平崩潰，也不對位線上的負(fù)下垂的幅 度進(jìn)行調(diào)制，從而獲得最小的寫入功耗。
[0079]在框803,確定第一功率供應(yīng)的電壓電平是否低于第二閾值Thresh〇ld2(例如，第 二電壓閾值）。如果第一功率供應(yīng)的電壓電平低于第二電壓閾值，那么該過程進(jìn)行至框805， 否則該過程進(jìn)行至框806。在框805,自適應(yīng)調(diào)制器電路101啟用NBL WA技術(shù)和第二功率供應(yīng) 崩潰WA技術(shù)二者。在這樣的實(shí)施例中，對第二功率供應(yīng)的電壓崩潰進(jìn)行調(diào)制，并且還對位線 上的負(fù)下垂的幅度進(jìn)行調(diào)制。在框806,自適應(yīng)調(diào)制器電路101僅啟用NBL WA技術(shù)。在這樣的 實(shí)施例中，不使第二功率供應(yīng)的電壓電平崩潰，但仍對位線上的負(fù)下垂的幅度進(jìn)行調(diào)制。 [0080] 在一個實(shí)施例中，WA技術(shù)是NBL WA技術(shù)，其中，自適應(yīng)調(diào)制器101對電容器尺寸和/ 或針對電容器極板中的任一者的偏置條件進(jìn)行調(diào)制，以調(diào)整寫入操作期間的位線上的負(fù)電 荷。
[0081 ]圖9A-B示出了根據(jù)一個實(shí)施例的分別說明NBL WA技術(shù)和具有功率供應(yīng)崩潰WA技 術(shù)的NBL的效果的曲線圖900和920。這里，X軸為時間，y軸為電壓。在每一曲線圖中，顯示了 節(jié)點(diǎn)nl、WL(字線）、BL(位線)和n0上的電壓。節(jié)點(diǎn)n0和nl對應(yīng)于存儲器位單元內(nèi)部節(jié)點(diǎn)。
[0082] 圖9C顯示了一個這樣的6T-SRAM位單元930。位單元930是傳統(tǒng)SRAM單元，其具有如 圖所示的耦合至BL、nO、BL#和nl的η型存取晶體管ΜΝΧ0和MNX1。位單元930還包括如圖所示 的具有Ρ型晶體管ΜΡ0和ΜΡ1以及η型晶體管ΜΝ0和ΜΝ1的交叉耦合逆變器。第二功率供應(yīng)耦合 至Ρ型晶體管ΜΡ0和ΜΡ1。通過耦合至BL的電容器(未示出）上的負(fù)電荷提供BL上的負(fù)下垂。通 過調(diào)整去往電容器的極板中的任一個的偏置電壓和/或改變電容器的尺寸來控制BL上的負(fù) 下垂(即，欠驅(qū)動）的幅度。
[0083] 返回參考圖9A，曲線圖900示出了由僅NBL WA技術(shù)引起的寫入操作故障，其中，第 二功率供應(yīng)的電壓電平（g卩，SRAMVCC)保持恒定，而在WL高時將BL動態(tài)拉低，但是BL并未低 到足以使所述位翻轉(zhuǎn)，即，足以向位單元寫入數(shù)據(jù)。圖9B中的曲線圖920示出了成功的寫入 操作，其中，部署了NBL和第二功率供應(yīng)崩潰（即，VCC崩潰)WA技術(shù)二者，從而使節(jié)點(diǎn)n0和nl 上的電壓翻轉(zhuǎn)，這使得新數(shù)據(jù)被寫入到位單元。
[0084] 圖10示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)施例的說明使用WA技術(shù)的方法和設(shè)備的流 程圖1000。要指出，圖10的那些與任何其它附圖中的元件具有相同附圖標(biāo)記(或名稱）的元 件可以按照任何與所描述的方式類似的方式操作或起作用，但不限于此。盡管按照特定順 序示出了參考圖10流程圖中的框，但是可以對動作的順序進(jìn)行修改。因而，可以按照不同的 順序執(zhí)行所示的實(shí)施例，并且可以并行執(zhí)行一些動作/框。根據(jù)某些實(shí)施例，圖10列舉的框 和/或操作中的一些是任選的。所呈現(xiàn)的框的編號是為了清晰起見，并非旨在規(guī)定各個框必 須照其發(fā)生的操作的順序。此外，可以按照各種各樣的組合來利用來自各個流程的操作。 [0085]框1001、1002和1003示出了對具有存儲器102的處理器或系統(tǒng)進(jìn)行操作的各種模 式?？?001是以高的第一功率供應(yīng)(例如，1.2V)和高頻進(jìn)行操作的加速模式。一般而言，在 加速模式下處理器的溫度也會提高?？?002是以標(biāo)稱第一功率供應(yīng)(例如，1.0V)和標(biāo)稱頻 率(低于加速模式的高頻)進(jìn)行操作的性能模式?？?003是以低的第一功率供應(yīng)(例如，0.7V 的VMIN電平)和低頻(低于標(biāo)稱頻率)進(jìn)行操作的低功率模式。在一個實(shí)施例中，PCU 103通 過控制VR 402調(diào)整第一功率供應(yīng)。在一個這種實(shí)施例中，P⑶103向VR 402發(fā)送提供第一功 率供應(yīng)的電壓識別(VID)代碼表示的控制信號。
[0086] 在一個實(shí)施例中，電壓比較器204是數(shù)字比較器，并將第一功率供應(yīng)VID代碼（例 如，32位代碼)與來自熔斷器陣列或LUT 302的32位參考代碼（即，閾值)進(jìn)行比較。在一個實(shí) 施例中，如果第一功率供應(yīng)的電壓電平大于閾值，則禁用自適應(yīng)調(diào)制器電路101，即，禁用WA 電路。在這樣的實(shí)施例中，使去往存儲器陣列102的第二功率供應(yīng)的電壓電平保持恒定（即， 不被調(diào)制）。在一個實(shí)施例中，如果第一功率供應(yīng)的電壓電平低于閾值，則啟用自適應(yīng)調(diào)制 器電路101，即，啟用WA電路。在這樣的實(shí)施例中，對去往存儲器陣列102的第二功率供應(yīng)的 電壓電平進(jìn)行調(diào)制。
[0087] 圖11是根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)施例的具有用于向存儲器提供動態(tài)或自適應(yīng)WA 的設(shè)備的智能裝置或者計(jì)算機(jī)系統(tǒng)或SoC(片上系統(tǒng)）。要指出，圖11的那些與任何其它附圖 中的元件具有相同附圖標(biāo)記(或名稱）的元件可以按照任何與所描述的方式類似的方式操 作或起作用，但不限于此。
[0088] 圖11示出了能夠使用平面接口連接器的移動裝置的實(shí)施例的框圖。在一個實(shí)施例 中，計(jì)算裝置1600表示移動計(jì)算裝置，例如，計(jì)算平板電腦、移動電話或智能電話、能夠進(jìn)行 無線操作的電子閱讀器或者其它無線移動裝置。應(yīng)當(dāng)理解，只是大致示出了某些部件，并未 在計(jì)算裝置1600中示出這樣的裝置的所有部件。
[0089] 在一個實(shí)施例中，計(jì)算裝置1600包括具有參考實(shí)施例描述的用于向存儲器提供動 態(tài)或自適應(yīng)WA的設(shè)備的第一處理器1610。計(jì)算裝置1600的其它框也可以包括參考實(shí)施例描 述的用于向存儲器提供動態(tài)或自適應(yīng)WA的設(shè)備。本公開內(nèi)容的各實(shí)施例還可以在1670內(nèi)包 括諸如無線接口的網(wǎng)絡(luò)接口，使得可以將系統(tǒng)實(shí)施例結(jié)合到諸如蜂窩電話或個人數(shù)字助理 的無線裝置中。
[0090] 在一個實(shí)施例中，處理器1610(以及處理器1690)可以包括一個或多個物理裝置， 例如微處理器、應(yīng)用處理器、微控制器、可編程邏輯器件或者其它處理模塊。處理器1690可 以是任選的。處理器1610執(zhí)行的處理操作包括操作平臺或操作系統(tǒng)的運(yùn)行，可以在所述操 作平臺或操作系統(tǒng)上運(yùn)行應(yīng)用程序和/或裝置功能。處理操作包括與和人類用戶或者和其 它裝置的1/〇(輸入/輸出）相關(guān)的操作、與功率管理相關(guān)的操作和/或與將計(jì)算裝置1600連 接至另一裝置相關(guān)的操作。處理操作還可以包括與音頻I/O和/或與顯示I/O相關(guān)的操作。
[0091] 在一個實(shí)施例中，計(jì)算裝置1600包括音頻子系統(tǒng)1620,其表示與向計(jì)算裝置提供 音頻功能相關(guān)聯(lián)的硬件(例如，音頻硬件和音頻電路)和軟件(例如，驅(qū)動程序、編解碼器)部 件。音頻功能可以包括揚(yáng)聲器和/或耳機(jī)輸出以及麥克風(fēng)輸入?？梢詫⒂糜谶@樣的功能的裝 置集成到計(jì)算裝置1600內(nèi)，或者將其連接至計(jì)算裝置1600。在一個實(shí)施例中，用戶通過提供 由處理器1610接收并處理的音頻命令而與計(jì)算裝置1600相互作用。
[0092]顯示子系統(tǒng)1630表示為用戶提供視覺和/或觸感顯示以與計(jì)算裝置1600交互的硬 件(例如，顯示裝置)和軟件(例如，驅(qū)動程序)部件。顯示子系統(tǒng)1630包括顯示接口 1632,其 包括用于向用戶提供顯示的特定屏幕或硬件裝置。在一個實(shí)施例中，顯示接口 1632包括與 處理器1610分離的邏輯，其用于執(zhí)行至少一些與顯示相關(guān)的處理。在一個實(shí)施例中，顯示子 系統(tǒng)1630包括為用戶提供輸出和輸入二者的觸摸屏(或者觸控板)裝置。
[0093] I/O控制器1640表示與和用戶交互相關(guān)的硬件裝置和軟件部件。I/O控制器1640可 操作用于管理作為音頻子系統(tǒng)1620和/或顯示子系統(tǒng)1630的部分的硬件。此外，I/O控制器 1640示出了面向連接至計(jì)算裝置1600的額外裝置的連接點(diǎn)，用戶可以通過該連接點(diǎn)與系統(tǒng) 交互。例如，能夠附接至計(jì)算裝置1600的裝置可以包括麥克風(fēng)裝置、揚(yáng)聲器或者立體聲系 統(tǒng)、視頻系統(tǒng)或者其它顯示裝置、鍵盤或小鍵盤裝置或者其它供諸如讀卡機(jī)或其它裝置等 特定應(yīng)用使用的I/O裝置。
[0094] 如上文所提及的，I/O控制器1640可以與音頻子系統(tǒng)1620和/或顯示子系統(tǒng)1630交 互。例如，通過麥克風(fēng)或其它音頻裝置的輸入能夠?yàn)橛?jì)算裝置1600的一個或多個應(yīng)用或功 能提供輸入或命令。此外，能夠代替顯示輸出或者除顯示輸出之外提供音頻輸出。在另一個 示例中，如果顯示子系統(tǒng)1630包括觸摸屏，那么顯示裝置還充當(dāng)輸入裝置，該裝置可以至少 部分受到I/O控制器1640管理。在計(jì)算裝置1600上還可以有額外的按鈕或開關(guān)，以提供受到 I/O控制器1640管理的I/O功能。
[0095] 在一個實(shí)施例中，I/O控制器1640管理諸如加速度計(jì)、照相機(jī)、光傳感器或其它環(huán) 境傳感器或者其它能夠包含到計(jì)算裝置1600中的硬件的裝置。輸入可以是直接用戶交互的 部分，也可以是向系統(tǒng)提供環(huán)境輸入，以影響其操作(例如，對噪聲的過濾、針對亮度檢測調(diào) 整顯示器、為照相機(jī)應(yīng)用閃光燈或者其它特征）。
[0096] 在一個實(shí)施例中，計(jì)算裝置1600包括功率管理1650,其管理電池功率使用量、電池 充電以及與節(jié)能操作相關(guān)的特征。存儲器子系統(tǒng)1660包括用于在計(jì)算裝置1600內(nèi)存儲信息 的存儲裝置。存儲器可以包括非易失性(如果對存儲裝置的供電中斷那么狀態(tài)不發(fā)生變化） 和/或易失性(如果對存儲裝置的供電中斷那么狀態(tài)不確定)存儲裝置。存儲器子系統(tǒng)1660 可以存儲應(yīng)用數(shù)據(jù)、用戶數(shù)據(jù)、音樂、照片、文檔或其它數(shù)據(jù)以及與計(jì)算裝置1600的應(yīng)用和 功能的運(yùn)行相關(guān)的系統(tǒng)數(shù)據(jù)(不管是長期的還是暫時的）。
[0097]也可以將實(shí)施例的元件提供為用于存儲計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令(例如，實(shí)施文中討論 的任何其它過程的指令)的機(jī)器可讀介質(zhì)(例如，存儲器1660)。機(jī)器可讀介質(zhì)(例如，存儲器 1660)可以包括但不限于閃速存儲器、光盤、CD-ROM、DVD ROM、RAM、EPROM、EEPROM、磁或光 卡、相變存儲器(PCM)或者其它類型的適于存儲電子或計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令的機(jī)器可讀介質(zhì)。 例如，可以將本公開的實(shí)施例作為計(jì)算機(jī)程序（例如，BIOS)進(jìn)行下載，可以經(jīng)由通信鏈路 (例如，調(diào)制調(diào)解器或網(wǎng)絡(luò)連接)通過數(shù)據(jù)信號將其從遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)(例如，服務(wù)器)轉(zhuǎn)移至請 求計(jì)算機(jī)(例如，客戶端）。
[0098]連接1670包括能夠使計(jì)算裝置1600與外部裝置通信的硬件裝置(例如，無線和/或 有線連接器和通信硬件)和軟件部件(例如，驅(qū)動程序、協(xié)議組）。計(jì)算裝置1600可以是單獨(dú) 的裝置，例如，其它計(jì)算裝置、無線接入點(diǎn)或基站以及外圍裝置，例如，耳機(jī)、打印機(jī)或其它 裝置。
[0099]連接1670可以包括多種不同類型的連接。概括地講，將計(jì)算裝置1600示為具有蜂 窩連接1672和無線連接1674。蜂窩連接1672大體是指通過無線載波提供的蜂窩網(wǎng)絡(luò)連接， 例如經(jīng)由GSM(全球移動通信系統(tǒng))或其變型或衍生品、CDMA(碼分多址)或其變型或衍生品、 TDM(時分多路復(fù)用)或其變型或衍生品、或者其它蜂窩服務(wù)標(biāo)準(zhǔn)提供的蜂窩網(wǎng)絡(luò)連接。無線 連接(或無線接口）1674是指非蜂窩的無線連接，其可以包括個人區(qū)域網(wǎng)（例如，藍(lán)牙、近場 等）、局域網(wǎng)（例如，Wi-Fi)和/或廣域網(wǎng)（例如WiMax)或者其它無線通信。
[0100]外圍連接1680包括用于實(shí)施外圍連接的硬件接口和連接器以及軟件部件（例如， 驅(qū)動程序、協(xié)議組）。應(yīng)當(dāng)理解，計(jì)算裝置1600既可以是到其它計(jì)算裝置的外圍設(shè)備（"到" 1682)，也可以具有與之連接的外圍裝置（"來自"1684)。計(jì)算裝置1600通常具有連接至其它 計(jì)算裝置的"對接"連接器，從而實(shí)現(xiàn)諸如對計(jì)算機(jī)裝置1600上的內(nèi)容進(jìn)行管理(例如，下載 和/或上載、改變、同步）的目的。此外，對接連接器能夠允許計(jì)算裝置1600連接至某些外圍 裝置，從而允許計(jì)算裝置1600控制輸出至例如視聽系統(tǒng)或其它系統(tǒng)的內(nèi)容。
[0101] 除了專有對接連接器或其它專有連接硬件之外，計(jì)算裝置1600還能夠經(jīng)由常見的 或者基于標(biāo)準(zhǔn)的連接器實(shí)施外圍連接1680。常見類型可以包括通用串行總線(USB)連接器 (其可以包括很多不同硬件接口中的任何一種）、包括迷你顯示端口（MDP)的顯示端口、高清 晰度多媒體接口（HDMI)、火線或其它類型。
[0102] 在說明書中提到"實(shí)施例"、"一個實(shí)施例"、"一些實(shí)施例"或者"其它實(shí)施例"是指 在至少一些實(shí)施例中但是未必在所有實(shí)施例中包括聯(lián)系所述實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu) 或特性。"實(shí)施例"、"一個實(shí)施例"或者"一些實(shí)施例"的各種形式的出現(xiàn)未必全部是指相同 的實(shí)施例。如果說明書陳述"可以"、"或許"或者"可能"包括部件、特征、結(jié)構(gòu)或特性，那么就 是說不要求包含該特定部件、特征、結(jié)構(gòu)或特性。如果說明書或者權(quán)利要求以單數(shù)冠詞提及 元件，那么其不表示只有一個所述元件。如果說明書或權(quán)利要求提到"額外的"元件，那么其 不排除有不只一個額外元件。
[0103] 此外，可以在一個或更多實(shí)施例中通過任何適當(dāng)?shù)姆绞浇Y(jié)合特定特征、結(jié)構(gòu)、功能 或特性。例如，只要是在與第一和第二實(shí)施例相關(guān)的特定特征、結(jié)構(gòu)、功能或特性不相互排 斥的地方，就可以使這兩個實(shí)施例相結(jié)合。
[0104] 盡管已經(jīng)結(jié)合本公開內(nèi)容的具體實(shí)施例描述了本公開內(nèi)容，但是考慮到上述說 明，這樣的實(shí)施例的很多替代方案、修改和變化對本領(lǐng)域技術(shù)人員是顯而易見的。例如，其 它存儲器架構(gòu)，例如，動態(tài)RAM(DRAM)可以使用所討論的實(shí)施例。本公開內(nèi)容的實(shí)施例旨在 涵蓋所有這樣的替代方案、修改和變化，以使之落在所附權(quán)利要求的廣延范圍內(nèi)。
[0105] 此外，出于簡化圖示和討論的目的，并且為了不使本公開內(nèi)容難以理解，在所給出 的附圖中可以或可以不示出公知的與集成電路（1C)芯片和其它部件的電源/接地連接。此 外，布置可能是按照框圖的形式示出的，以避免使本公開內(nèi)容難以理解，而且還鑒于這樣的 事實(shí)，即，關(guān)于這樣的框圖布置的實(shí)施方式的細(xì)節(jié)高度依賴于要實(shí)施本公開內(nèi)容的平臺 (即，這樣的細(xì)節(jié)應(yīng)當(dāng)充分地處于本領(lǐng)域的技術(shù)人員的權(quán)限內(nèi)）。在為了描述本公開內(nèi)容的 示例性實(shí)施例而闡述了細(xì)節(jié)(例如，電路)的地方，對本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯而易見的是，可以 在無需這些細(xì)節(jié)的情況下或者可以采用這些細(xì)節(jié)的變型來實(shí)踐本公開內(nèi)容。因而，應(yīng)當(dāng)將 說明書視為是說明性的，而非限制性的。
[0106] 下面的示例屬于其它實(shí)施例?？梢栽谝粋€或多個實(shí)施例中的任何地方使用示例中 的細(xì)節(jié)。也可以針對方法或過程來實(shí)施文中描述的設(shè)備的所有任選特征。
[0107] 例如，提供了一種設(shè)備，其包括:存儲器；用以接收第一功率供應(yīng)的第一功率供應(yīng) 節(jié)點(diǎn)；耦合至存儲器的用以為存儲器提供第二功率供應(yīng)的第二功率供應(yīng)節(jié)點(diǎn)；耦合至第一 和第二功率供應(yīng)節(jié)點(diǎn)的電路，所述電路可操作用于通過自適應(yīng)地調(diào)整寫入輔助脈沖的信號 特性而對第二功率供應(yīng)的下垂進(jìn)行動態(tài)調(diào)制。
[0108] 在一個實(shí)施例中，所述電路可操作用于通過調(diào)整寫入輔助脈沖的脈沖寬度而動態(tài) 地調(diào)整第二功率供應(yīng)的下垂。在一個實(shí)施例中，所述電路可操作用于通過調(diào)整耦合至第一 和第二功率供應(yīng)節(jié)點(diǎn)的一個或多個晶體管的驅(qū)動強(qiáng)度而對第二功率供應(yīng)的下垂進(jìn)行動態(tài) 調(diào)制。在一個實(shí)施例中，所述電路包括用以感測相對于閾值參考電壓的第一功率供應(yīng)的電 壓傳感器。在一個實(shí)施例中，所述電路包括用以感測溫度的熱傳感器。
[0109] 在一個實(shí)施例中，所述電路可操作用于在第一功率供應(yīng)降至低于溫度閾值時啟用 基于負(fù)位線的寫入輔助并對第二功率供應(yīng)進(jìn)行調(diào)制。在一個實(shí)施例中，所述電路可操作用 于在第一功率供應(yīng)高于溫度閾值時僅啟用基于負(fù)位線的寫入輔助。在一個實(shí)施例中，所述 電路包括用以將來自功率控制單元的數(shù)字信號與電壓閾值和溫度閾值中的一者或多者進(jìn) 行比較的數(shù)字比較器。在一個實(shí)施例中，所述存儲器是SRAM、寄存器堆或CAM之一。
[011 0]在另一個示例中，提供了一種設(shè)備，其包括:存儲器;耦合至第一功率供應(yīng)節(jié)點(diǎn)以 接收第一功率供應(yīng)并且耦合至第二功率供應(yīng)節(jié)點(diǎn)從而向存儲器提供第二功率供應(yīng)的一個 或多個功率門晶體管；以及用以動態(tài)地控制一個或多個功率門晶體管的柵極端子以調(diào)制第 二功率供應(yīng)的下垂的電路。在一個實(shí)施例中，所述電路可操作用于通過自適應(yīng)地調(diào)整寫入 輔助信號的脈沖寬度而動態(tài)地調(diào)制第二功率供應(yīng)的下垂的持續(xù)時間。
[0111] 在一個實(shí)施例中，所述電路包括用以感測相對于閾值參考電壓的第一功率供應(yīng)的 電壓傳感器。在一個實(shí)施例中，所述電路包括用以感測溫度的熱傳感器。在一個實(shí)施例中， 所述電路包括用以將來自功率控制單元的數(shù)字信號與電壓閾值和溫度閾值中的一者或多 者進(jìn)行比較的數(shù)字比較器。
[0112] 在另一個示例中，提供了一種系統(tǒng)，其包括:存儲器;耦合至存儲器的處理器，所述 處理器包括:用以接收第一功率供應(yīng)的第一功率供應(yīng)節(jié)點(diǎn)；耦合至高速緩存從而為所述高 速緩存提供第二功率供應(yīng)的第二功率供應(yīng)節(jié)點(diǎn)；耦合至第一和第二功率供應(yīng)節(jié)點(diǎn)的電路， 所述電路可操作用于通過自適應(yīng)地調(diào)整寫入輔助信號的信號特性而對第二功率供應(yīng)的下 垂進(jìn)行動態(tài)調(diào)制；以及用于允許處理器通信耦合至另一裝置的無線接口。
[0113]在一個實(shí)施例中，所述系統(tǒng)還包括顯示單元。在一個實(shí)施例中，所述顯示單元是觸 摸屏。在一個實(shí)施例中，所述電路包括根據(jù)上文討論的設(shè)備的設(shè)備。在一個實(shí)施例中，所述 高速緩存是SRAM、寄存器堆或CAM之一。
[0114] 在另一個示例中，提供了一種設(shè)備，其包括:存儲器陣列；以及耦合至存儲器陣列 的位線的電路，所述電路可操作用于通過自適應(yīng)地調(diào)整與位線相關(guān)聯(lián)的電容而對存儲器陣 列的位線的電壓下垂進(jìn)行動態(tài)調(diào)制。在一個實(shí)施例中，所述電路包括用以感測操作溫度的 熱傳感器。
[0115] 在一個實(shí)施例中，所述電路包括用以感測輸入功率供應(yīng)的電壓傳感器，所述輸入 功率供應(yīng)用于生成用于存儲器陣列的功率供應(yīng)。在一個實(shí)施例中，所述存儲器陣列是SRAM、 寄存器堆或CAM之一。
[0116] 在一個實(shí)施例中，提供了一種系統(tǒng)，其包括:存儲器、耦合至存儲器的處理器以及 允許處理器與另一裝置通信的無線接口，其中，處理器包括根據(jù)上文討論的設(shè)備的設(shè)備。 [0117]提供了摘要以允許讀者確定本技術(shù)公開內(nèi)容的本質(zhì)和主旨。在理解不可將摘要用 于限制權(quán)利要求的范圍或含義的情況下提交摘要。據(jù)此將所附權(quán)利要求并入【具體實(shí)施方式】 中，其中每個權(quán)利要求自身代表獨(dú)立的實(shí)施例。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種設(shè)備，包括： 存儲器； 第一功率供應(yīng)節(jié)點(diǎn)，其接收第一功率供應(yīng)； 第二功率供應(yīng)節(jié)點(diǎn)，其耦合至所述存儲器，以為所述存儲器提供第二功率供應(yīng)；以及 電路，其耦合至所述第一功率供應(yīng)節(jié)點(diǎn)和所述第二功率供應(yīng)節(jié)點(diǎn)，所述電路能夠操作 用于通過自適應(yīng)地調(diào)整寫入輔助脈沖的信號特性而對所述第二功率供應(yīng)的下垂進(jìn)行動態(tài) 調(diào)制。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述電路能夠操作用于通過調(diào)整所述寫入輔助脈 沖的脈沖寬度而對所述第二功率供應(yīng)的下垂進(jìn)行動態(tài)調(diào)制。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述電路能夠操作用于通過調(diào)整耦合至所述第一 功率供應(yīng)節(jié)點(diǎn)和所述第二功率供應(yīng)節(jié)點(diǎn)的一個或多個晶體管的驅(qū)動強(qiáng)度而對所述第二功 率供應(yīng)的下垂進(jìn)行動態(tài)調(diào)制。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述電路包括電壓傳感器，所述電壓傳感器感測 相對于閾值參考電壓的所述第一功率供應(yīng)。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述電路包括熱傳感器，所述熱傳感器感測溫度。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述電路能夠操作用于在所述第一功率供應(yīng)降至 低于溫度閾值時啟用基于負(fù)位線的寫入輔助并對所述第二功率供應(yīng)進(jìn)行調(diào)制。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中，所述電路能夠操作用于在所述第一功率供應(yīng)高于 所述溫度閾值時僅啟用所述基于負(fù)位線的寫入輔助。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述電路包括數(shù)字比較器，所述數(shù)字比較器將來 自功率控制單元的數(shù)字信號與電壓閾值和溫度閾值中的一者或多者進(jìn)行比較。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述存儲器是下述選項(xiàng)之一： SRAM； 寄存器堆;或者 CAM〇10. -種設(shè)備，包括： 存儲器； 一個或多個功率門晶體管，其耦合至第一功率供應(yīng)節(jié)點(diǎn)以接收第一功率供應(yīng)，并且耦 合至第二功率供應(yīng)節(jié)點(diǎn)以向所述存儲器提供第二功率供應(yīng);以及 電路，其動態(tài)地控制所述一個或多個功率門晶體管的柵極端子，以對所述第二功率供 應(yīng)的下垂進(jìn)行調(diào)制。11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中，所述電路能夠操作用于通過自適應(yīng)地調(diào)整寫入 輔助信號的脈沖寬度而對所述第二功率供應(yīng)的下垂的持續(xù)時間進(jìn)行動態(tài)調(diào)制。12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中，所述電路包括電壓傳感器，所述電壓傳感器感 測相對于閾值參考電壓的所述第一功率供應(yīng)。13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中，所述電路包括熱傳感器，所述熱傳感器感測溫 度。14. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中，所述電路包括數(shù)字比較器，所述數(shù)字比較器將 來自功率控制單元的數(shù)字信號與電壓閾值和溫度閾值中的一者或多者進(jìn)行比較。15. -種系統(tǒng)，包括： 存儲器； 處理器，其耦合至所述存儲器，所述處理器包括： 第一功率供應(yīng)節(jié)點(diǎn)，其接收第一功率供應(yīng)； 第二功率供應(yīng)節(jié)點(diǎn)，其耦合至高速緩存，以為所述高速緩存提供第二功率供應(yīng)； 電路，其耦合至所述第一功率供應(yīng)節(jié)點(diǎn)和所述第二功率供應(yīng)節(jié)點(diǎn)，所述電路能夠操作 用于通過自適應(yīng)地調(diào)整寫入輔助信號的信號特性而對所述第二功率供應(yīng)的下垂進(jìn)行動態(tài) 調(diào)制；以及 無線接口，其允許所述處理器通信耦合至另一個裝置。16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，還包括顯示單元。17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中，所述顯示單元是觸摸屏。18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中，所述電路包括根據(jù)權(quán)利要求2到8中的任一項(xiàng)所 述的設(shè)備。19. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中，所述高速緩存是下述選項(xiàng)之一： SRAM； 寄存器堆;或者 CAM〇20. -種設(shè)備，包括： 存儲器陣列；以及 電路，其耦合至所述存儲器陣列的位線，所述電路能夠操作用于通過自適應(yīng)地調(diào)整與 所述位線相關(guān)聯(lián)的電容而對所述存儲器陣列的所述位線的電壓下垂進(jìn)行動態(tài)調(diào)制。21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的設(shè)備，其中，所述電路包括熱傳感器，所述熱傳感器感測操 作溫度。22. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的設(shè)備，其中，所述電路包括電壓傳感器，所述電壓傳感器感 測輸入功率供應(yīng)，所述輸入功率供應(yīng)用于生成用于所述存儲器陣列的功率供應(yīng)。23. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的設(shè)備，其中，所述存儲器陣列是下述選項(xiàng)之一： SRAM； 寄存器堆;或者 CAM〇
【文檔編號】G11C11/419GK105981104SQ201480074871
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2014年3月5日
【發(fā)明人】G·K·沙曼納, S·魯蘇, E·A·卡爾, Z·郭
【申請人】英特爾公司