專利名稱：陶瓷電容器分段式點(diǎn)焊技術(shù)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于電子元件制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及到陶瓷電容器的生產(chǎn)工藝。
陶瓷電容器是很常用的基礎(chǔ)性電子元件，其制造分前后兩段工序，前段為配粉，燒結(jié)，印銀；后段為組合，錫焊，包封固化，標(biāo)識(shí)，測(cè)試等工序。而后段工序又分為兩種生產(chǎn)方式編帶式和分段式。前者要求有高的機(jī)械化程度，成本高、效率低。后者難以保證產(chǎn)品質(zhì)量；其過(guò)程是先將引線成型為交叉，再將雙面絲印有銀面的陶瓷片插入并夾在該交叉中，然后浸入錫爐中焊接，再行封裝。在這一過(guò)程中，難以保證銀面不被熔錫部分吃掉，或瓷片產(chǎn)生暗裂或炸片，降低成品率，或致電容器參數(shù)不準(zhǔn)。另外，即使經(jīng)質(zhì)檢合格的電容器，由于其內(nèi)部有兩個(gè)因浸錫而形成的錫包，在裝配到電路時(shí)，如果焊接的溫度高，時(shí)間長(zhǎng)，尤其在采用波峰焊時(shí)，該兩錫包就易產(chǎn)生流錫，形成短路。
本發(fā)明的目的是提供一種陶瓷電容器分段式點(diǎn)焊技術(shù)，以提高生產(chǎn)的成品率和產(chǎn)品質(zhì)量。
該目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種陶瓷電容器分段式點(diǎn)焊技術(shù)，包括使引線與銀面相接觸和錫焊等過(guò)程，其特征是先對(duì)引線上錫，再使引線的上錫部分與銀面相接觸而形成插片，再在焊錫的熔點(diǎn)溫度之下對(duì)插片進(jìn)行預(yù)熱到接近焊錫的熔點(diǎn)溫度，再在一個(gè)短時(shí)間內(nèi)、在焊錫的熔點(diǎn)之上、在助焊環(huán)境下使焊錫熔化在引線和銀面之間進(jìn)行錫焊，再冷卻。
上述工藝中的“對(duì)引線上錫”，可以是在助焊環(huán)境之下向橫置位的引線上淋一次熔化的流錫。
由上可知，插片未曾浸入熔錫，并且是經(jīng)預(yù)熱后在短時(shí)間經(jīng)過(guò)較高溫度，瓷片不至于產(chǎn)生暗裂或炸片；同一原因，也使銀面不會(huì)被熔錫吃掉；這就提高了成品率和產(chǎn)品質(zhì)量。另外，由于上述的“對(duì)引線上錫”的工藝，引線上是被覆蓋上一層薄錫而不會(huì)形成錫團(tuán)，在將其裝配到電路時(shí)，就不會(huì)產(chǎn)生流錫而形成短路。
下面


本工藝的詳細(xì)過(guò)程圖1是本工藝的流程圖。
圖2是成型后的引線示意圖。
圖3是絲印有銀面的瓷片的示意圖。
圖4是插片的示意圖。
圖5是對(duì)引線上錫的示意圖。
圖中，10是引線，20是絲印有銀面的瓷片，其中201是瓷片，202是銀面，30是(將絲印有銀面的瓷片20插在引線10的交叉之間而形成的)插片，虛線Tsn是焊錫的熔點(diǎn)溫度，11是引線成型，13是對(duì)引線上錫，300是使引線的上錫部分與銀面相接觸(即將絲印有銀面的瓷片20插在引線10的交叉之間)，32是對(duì)插片涂助焊劑，實(shí)線箭頭表示工藝順序，點(diǎn)劃線箭頭表示“(施行箭頭起端的行為)因而形成(箭頭所指的物品)”，71、72、73、74是對(duì)插片30進(jìn)行溫度逐步上升的預(yù)熱，81是(在焊錫的熔點(diǎn)溫度Tsn之上)使焊錫熔化在引線和銀面之間進(jìn)行錫焊，99是冷卻。
如圖1-圖4所示本發(fā)明一種陶瓷電容器分段式點(diǎn)焊技術(shù)，包括使引線10與銀面202相接觸和錫焊等過(guò)程，其特征是先進(jìn)行“對(duì)引線上錫”13，再進(jìn)行“使引線的上錫部分與銀面相接觸”300而形成插片30，再在焊錫的熔點(diǎn)溫度之下對(duì)插片30進(jìn)行預(yù)熱到接近焊錫的熔點(diǎn)溫度Tsn，再在一個(gè)短時(shí)間內(nèi)、在焊錫的熔點(diǎn)Tsn之上、在助焊環(huán)境下、使焊錫熔化在引線和銀面之間進(jìn)行錫焊81，再進(jìn)行冷卻99。
上述工藝中的“對(duì)引線上錫”13，可以是在助焊環(huán)境之下向(一般是取橫置位的)引線上淋一次熔化的流錫。
如圖1所示，在對(duì)插片30進(jìn)行預(yù)熱之前，先對(duì)引線10依次進(jìn)行引線成型11，即將引線折成“其上端相向曲折形成交叉的U字型”并且將引線的端部錘扁；再進(jìn)行“對(duì)引線上錫”13；再進(jìn)行“使引線的上錫部分與銀面相接觸”300而形成插片30；再進(jìn)行“對(duì)插片涂助焊劑”32。
如圖1所示，所述的預(yù)熱分為溫度(等差式)逐步上升的71、72、73、74四步。其溫度控制在焊錫的熔點(diǎn)溫度Tsn(一般為205度左右)以下。
上述的“在一個(gè)短時(shí)間內(nèi)、在焊錫的熔點(diǎn)Tsn之上、在助焊環(huán)境下、使焊錫熔化在引線和銀面之間進(jìn)行錫焊81”，其溫度比焊錫的熔點(diǎn)溫度Tsn高10-80度，其時(shí)間是10秒左右。
如圖5所示，對(duì)引線上錫13，是將已成型的引線10以膠帶131等間距地粘在載體紙帶130上并在傳動(dòng)機(jī)構(gòu)的作用下(向圖示的右方)運(yùn)動(dòng)，經(jīng)過(guò)一條有熔化的流錫自上向下流動(dòng)的狹逢132，使之被流錫淋一次。
如圖1之對(duì)插片涂助焊劑32所用到的助焊劑，要求其具有如下的理化性能能夠耐183度高溫，在3分鐘內(nèi)不會(huì)揮發(fā)完，外觀為清澈、無(wú)色溶液，比重(溫度在25度時(shí))為0.784-0.794，固態(tài)含量為1.8％，鹵素NONE，閃點(diǎn)14,PH值4.8-5.2。
文中所述的“涂助焊劑”，是獲得“助焊環(huán)境”的一種通常手段。
文中所說(shuō)的具體溫度，其單位是攝氏度。
權(quán)利要求
1．一種陶瓷電容器分段式點(diǎn)焊技術(shù)，包括使引線與銀面相接觸和錫焊等過(guò)程，其特征是先對(duì)引線上錫，再使引線的上錫部分與銀面相接觸而形成插片，再在焊錫的熔點(diǎn)溫度之下對(duì)插片進(jìn)行預(yù)熱到接近焊錫的熔點(diǎn)溫度，再在一個(gè)短時(shí)間內(nèi)、在焊錫的熔點(diǎn)之上、在助焊環(huán)境下使焊錫熔化在引線和銀面之間進(jìn)行錫焊，再冷卻。
2．根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電容器分段式點(diǎn)焊技術(shù)，其特征是所述的預(yù)熱分為溫度等差式逐步上升的四步。
3．根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電容器分段式點(diǎn)焊技術(shù)，其特征是所述的“對(duì)引線上錫”，是在助焊環(huán)境之下向引線上淋一次熔化的流錫。
4．根據(jù)權(quán)利要求3所述的陶瓷電容器分段式點(diǎn)焊技術(shù)，其特征是將已成型的引線以膠帶均勻地粘在載體紙帶上并在傳動(dòng)機(jī)構(gòu)的作用下運(yùn)動(dòng)，經(jīng)過(guò)一條有熔化的流錫自上向下流動(dòng)的狹逢(132)，使之被流錫淋一次。
5．根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電容器分段式點(diǎn)焊技術(shù)，其特征是所述的“在一個(gè)短時(shí)間內(nèi)、在焊錫的熔點(diǎn)之上、在助焊環(huán)境下使焊錫熔化在引線和銀面之間進(jìn)行錫焊”，其溫度比焊錫的熔點(diǎn)溫度高10-80度，其時(shí)間是10秒左右。
全文摘要
一種陶瓷電容器分段式點(diǎn)焊技術(shù),屬于電子元件技術(shù)領(lǐng)域,為提高產(chǎn)品質(zhì)量而設(shè)計(jì)。包括使引線與銀面相接觸和錫焊等過(guò)程,其特征是:先對(duì)引線上錫,再使引線的上錫部分與銀面相接觸而形成插片,再在焊錫的熔點(diǎn)溫度之下對(duì)插片進(jìn)行預(yù)熱到接近焊錫的熔點(diǎn)溫度,再在一個(gè)短時(shí)間內(nèi)、在焊錫的熔點(diǎn)之上、在助焊環(huán)境下使焊錫熔化在引線和銀面之間進(jìn)行錫焊,再冷卻。提高了成品率和產(chǎn)品質(zhì)量,能經(jīng)過(guò)波峰焊而不會(huì)產(chǎn)生流錫、形成短路。
文檔編號(hào)H01G13/00GK1312566SQ00102169
公開(kāi)日2001年9月12日 申請(qǐng)日期2000年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2000年3月5日
發(fā)明者邵立群 申請(qǐng)人:邵立群