專利名稱：改進(jìn)的接觸和深溝槽構(gòu)圖的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別是涉及形成接觸的改進(jìn)方法和設(shè)備。
隨著基礎(chǔ)規(guī)則的降低接觸構(gòu)圖變得越來(lái)越難以光刻印刷。對(duì)于存儲(chǔ)器和/或邏輯芯片，例如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)芯片和嵌入DRAM芯片，例如使用亞微米基礎(chǔ)規(guī)則。采用相當(dāng)簡(jiǎn)單的圖象增強(qiáng)技術(shù)(例如離軸光照)，能夠相當(dāng)好地印制亞微米線間隔圖形。
但是印制亞微米接觸要困難地多。因?yàn)榻佑|孔一般是形成分離的孔，構(gòu)圖時(shí)產(chǎn)生的象差和干涉圖形，使得即使采用先進(jìn)的技術(shù)如相移掩模，也難以可靠地形成接觸孔。
接觸與導(dǎo)體例如金屬線的對(duì)準(zhǔn)是重要的。當(dāng)接觸和金屬線尺寸很小時(shí)，對(duì)準(zhǔn)相當(dāng)困難，非常容易發(fā)生金屬線和接觸之間失去連接以及接觸與相鄰線短路。
因此，需要對(duì)半導(dǎo)體器件的接觸進(jìn)行改進(jìn)，使得能夠形成降低到基礎(chǔ)規(guī)則尺寸的接觸。還需要改進(jìn)接觸的形成方法，降低與金屬線不重合的風(fēng)險(xiǎn)。
半導(dǎo)體器件的一種構(gòu)圖方法，包括以下步驟，提供襯底層，襯底層上形成有絕緣層并且掩模層形成在絕緣層上，掩模層可相對(duì)于絕緣層被選擇地腐蝕，對(duì)掩模層構(gòu)圖，在掩模層中形成第一組基本平行的線，對(duì)絕緣層構(gòu)圖，形成向下通到襯底層的矩形孔。
半導(dǎo)體器件的另一種構(gòu)圖方法，根據(jù)本發(fā)明，包括以下步驟，提供襯底層，襯底層上形成有絕緣層，第一掩模層形成在絕緣層上并且第二掩模層形成在第一掩模層上，第二掩模層和絕緣層可相對(duì)于第一掩模層被選擇地腐蝕，對(duì)第二掩模層構(gòu)圖，在第二掩模層中形成第一組基本平行的線，對(duì)第一掩模層構(gòu)圖在其中形成矩形孔，依據(jù)矩形孔對(duì)絕緣層蝕刻，在絕緣層中形成矩形孔，去除第一掩模層和第二掩模層的剩余部分。
半導(dǎo)體器件的又一種構(gòu)圖方法，包括以下步驟，提供襯底層，襯底層上形成有絕緣層，并且第一掩模層形成在絕緣層上，第一掩模層和絕緣層可彼此相對(duì)地被選擇腐蝕，通過(guò)形成基本平行的線，對(duì)第一掩模層上的保護(hù)層構(gòu)圖，依據(jù)經(jīng)過(guò)構(gòu)圖的保護(hù)層腐蝕穿通第一掩模層，在第一掩模層中形成第一組基本平行的線，去除保護(hù)層，通過(guò)形成基本垂直于第一組基本平行的線而設(shè)置的第二組基本平行的線，對(duì)第一掩模層上的第二保護(hù)層構(gòu)圖，依據(jù)經(jīng)過(guò)構(gòu)圖的第二保護(hù)層和第一組基本平行的線，腐蝕穿通絕緣層，在絕緣層中形成矩形孔，去除第二保護(hù)層并且去除第一掩模層的剩余部分。
根據(jù)本發(fā)明的另一方法，可以包括在孔中淀積導(dǎo)體材料形成與襯底層的接觸的步驟。襯底層可以包括半導(dǎo)體襯底，該方法包括腐蝕半導(dǎo)體襯底形成深溝槽的步驟。該方法還可以包括把孔形成為矩形和正方形之一的形狀的步驟。形成孔的步驟可以包括將孔形成為矩形和正方形之一的形狀的步驟，其中至少在一側(cè)矩形和正方形包括給定技術(shù)的最小特征尺寸。該方法還可以包括獨(dú)立調(diào)節(jié)矩形孔長(zhǎng)度和/或獨(dú)立調(diào)節(jié)矩形孔寬度的步驟。該方法還可以包括在絕緣層中對(duì)應(yīng)于孔位置蝕刻線的步驟和在孔和線中淀積導(dǎo)體材料用于雙鑲嵌處理的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括含接觸區(qū)的襯底，位于襯底上的絕緣層，具有根據(jù)預(yù)定圖形位于其中的矩形孔，和位于矩形孔中的多個(gè)矩形接觸，用于使襯底的接觸區(qū)與位于絕緣層上的導(dǎo)體層連接。
在另一實(shí)施例中，矩形接觸至少一側(cè)具有基本等于給定技術(shù)的至少最小特征尺寸。矩形接觸可以是側(cè)邊基本等于給定技術(shù)的至少最小特征尺寸的正方形。接觸區(qū)可以包括擴(kuò)散區(qū)和包含位線的導(dǎo)體層。絕緣層可以包括雙鑲嵌金屬線，用于與接觸的電連接。
通過(guò)以下結(jié)合附圖對(duì)其示例性實(shí)施例的詳細(xì)介紹，將可了解本發(fā)明的這些和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。
本說(shuō)明書(shū)以下將結(jié)合附圖詳細(xì)介紹優(yōu)選實(shí)施例。


圖1是根據(jù)本發(fā)明其上形成有柵格的半導(dǎo)體器件的頂視平面圖。
圖2是在半導(dǎo)體器件處理過(guò)程中沿圖1的剖切線a-a剖切的剖面圖，該剖面圖展示了根據(jù)本發(fā)明的掩模層、絕緣層和用于構(gòu)圖柵格的保護(hù)層層。
圖3是在半導(dǎo)體器件處理過(guò)程中沿圖1的剖切線a-a剖切的剖面圖，該剖面圖展示了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)圖的掩模層。
圖4是在半導(dǎo)體器件處理過(guò)程中沿圖1的剖切線b-b剖切的剖面圖，該剖面圖展示了根據(jù)本發(fā)明對(duì)柵格構(gòu)圖的保護(hù)層層。
圖5是在半導(dǎo)體器件處理過(guò)程中沿圖1的剖切線b-b剖切的剖面圖，該剖面圖展示了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)圖的掩模層。
圖6是在半導(dǎo)體器件處理過(guò)程中沿圖1的剖切線b-b剖切的剖面圖，該剖面圖展示了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)圖從而形成圖1柵格的絕緣層。
圖7是在半導(dǎo)體器件處理過(guò)程中沿圖1的剖切線b-b剖切的剖面圖，該剖面圖展示了根據(jù)本發(fā)明對(duì)襯底層遮掩從而形成深溝槽的柵格。
圖8是根據(jù)本發(fā)明其上形成有柵格的半導(dǎo)體器件的頂視平面圖。
圖9是在半導(dǎo)體器件處理過(guò)程中沿圖8的剖切線c-c剖切的剖面圖，該剖面圖展示了根據(jù)本發(fā)明的掩模層和用于構(gòu)圖柵格的保護(hù)層層。
圖10是在半導(dǎo)體器件處理過(guò)程中沿圖8的剖切線c-c剖切的剖面圖，該剖面圖展示了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)圖的掩模層。
圖11是在半導(dǎo)體器件處理過(guò)程中沿圖8的剖切線d-d剖切的剖面圖，該剖面圖展示了根據(jù)本發(fā)明用于形成雙鑲嵌處理的導(dǎo)體線的蝕刻間隔。
圖12是在半導(dǎo)體器件處理過(guò)程中沿圖8的剖切線d-d剖切的剖面圖，該剖面圖展示了根據(jù)本發(fā)明用于構(gòu)圖柵格的第二保護(hù)層層。
圖13是在半導(dǎo)體器件處理過(guò)程中沿圖8的剖切線d-d剖切的剖面圖，該剖面圖展示了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)圖的掩模層。
圖14是在半導(dǎo)體器件處理過(guò)程中沿圖8的剖切線d-d剖切的剖面圖，該剖面圖展示了根據(jù)本發(fā)明用于形成深溝槽而構(gòu)圖的襯底層。
圖15是在半導(dǎo)體器件處理過(guò)程中沿圖8的剖切線d-d剖切的剖面圖，該剖面圖展示了根據(jù)本發(fā)明形成的接觸和導(dǎo)體線。
圖16是根據(jù)本發(fā)明的具有按給定技術(shù)的最小特征尺寸的三倍的距離隔開(kāi)的孔的柵格平面圖。
圖17是根據(jù)本發(fā)明的具有按給定技術(shù)的最小特征尺寸的七倍的距離隔開(kāi)的孔的柵格平面圖。
圖18是根據(jù)本發(fā)明的具有按給定技術(shù)的最小特征尺寸的八倍的距離隔開(kāi)的孔的柵格平面圖。
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別是涉及形成接觸的改進(jìn)方法和設(shè)備。本發(fā)明提供深溝槽掩模和/或接觸，是在柵格形成中采用不同掩模材料形成的。柵格可以包括減小到所用技術(shù)的最小特征尺寸F的線。在不同層形成的掩模材料之間的空間中形成接觸。按矩形或正方形的形狀形成接觸是有利的，可使接觸減小到基礎(chǔ)規(guī)則或最小特征尺寸。矩形或正方形的接觸形狀提供沒(méi)有倒角增大的接觸面積。另外，采用本發(fā)明可以使深溝槽腐蝕進(jìn)半導(dǎo)體器件的襯底。
以下詳細(xì)參見(jiàn)附圖，其中在幾幅圖中同樣的參考標(biāo)記代表相同或類似的元件，從圖1開(kāi)始，展示了根據(jù)本發(fā)明施加有柵格12的半導(dǎo)體器件的平面圖。半導(dǎo)體器件10具有被去除用于呈現(xiàn)柵格12的包括絕緣層和導(dǎo)體層的上層。柵格12最好包括其間形成矩形或正方形的垂直線14和水平線16。雖然柵格12包括矩形或正方形，根據(jù)本發(fā)明也可以形成其他構(gòu)形和形狀，例如細(xì)長(zhǎng)槽、平行四邊形等。垂直線14和水平線16之間的間隔18可以是接觸孔，用于在半導(dǎo)體器件10上的各層之間形成接觸，或者柵格12可以是形成矩形或正方形深溝槽的掩模。
可知圖2和3是沿剖切線a-a的剖面圖，而圖4-7是沿剖切線b-b的剖面圖。圖2-7展示了基于圖1器件的取向的本發(fā)明處理步驟。圖1中未顯示各個(gè)處理步驟。
參見(jiàn)圖2，形成或提供襯底層20。襯底層20例如可以包括為根據(jù)本發(fā)明在其中形成深溝槽而制備的半導(dǎo)體襯底。絕緣層22淀積在襯底層20上。絕緣層22最好包括如氮化物的硬掩模，例如氮化硅。也可以考慮其他材料，如氧化物，例如氧化硅，或者玻璃，例如硼硅酸磷玻璃(BSPG)。可以采用低壓化學(xué)汽相淀積(LPCVD)工藝施加絕緣層22。如果采用氮化硅，絕緣層厚度可以約是10-10000nm，雖然可以根據(jù)半導(dǎo)體器件10的設(shè)計(jì)采用任何厚度的絕緣層。
掩模絕緣層或掩模層24淀積在絕緣層22上。掩模層24最好相對(duì)于絕緣層22可選擇地腐蝕。對(duì)掩模層按如下進(jìn)行構(gòu)圖，對(duì)絕緣層22構(gòu)圖。如果絕緣層22采用氮化硅，掩模層24最好是氧化物，例如氧化硅。另一掩模層26淀積在掩模層24上。掩模層26最好是與絕緣層22相同的材料，但是也可以采用相對(duì)于掩模層24可選擇地腐蝕的其他材料。在第二掩模層26上施加保護(hù)層層28，最好通過(guò)光刻印刷工藝曝光和顯影。保護(hù)層層28形成為預(yù)定圖形。在優(yōu)選實(shí)施例中，預(yù)定圖形包括平行線，其厚度從約為最小特征尺寸(F)(即減小到基礎(chǔ)規(guī)則)到設(shè)計(jì)的適當(dāng)邊界上限。圖形包括所示的保護(hù)層線30。參見(jiàn)圖3，依據(jù)保護(hù)層層28的圖形，掩模層26腐蝕下到掩模層24。這樣形成用于腐蝕掩模層24的圖形。在優(yōu)選實(shí)施例中，在第二掩模層26中形成一組基本平行的線27。這些線的形狀可以根據(jù)保護(hù)層28的保護(hù)層圖形變化。
接著參見(jiàn)圖4-7，這是沿垂直于圖2和3的剖切線的剖切線的剖面圖。參見(jiàn)圖4，施加保護(hù)層層32，按預(yù)定圖形曝光和顯影。在優(yōu)選實(shí)施例中，預(yù)定圖形包括平行線34，其厚度從約為最小特征尺寸(F)(即減小到基礎(chǔ)規(guī)則)到設(shè)計(jì)的適當(dāng)邊界上限。在所示實(shí)施例中，線34垂直于線27，其中之一如圖4所示。
參見(jiàn)圖5，進(jìn)行選擇性腐蝕，腐蝕掩模層24下到絕緣層22。選擇性腐蝕工藝最好是使用線27(第二掩模層26的(圖4))和線34的各向同性腐蝕工藝，形成所示的矩形或正方形孔36。依據(jù)保護(hù)層層32的圖形，相對(duì)于絕緣層26選擇地去除掩模層24的部分。
參見(jiàn)圖6，從掩模層24剝離保護(hù)層層32。進(jìn)行選擇性腐蝕工藝，把在前期步驟形成的柵格圖形轉(zhuǎn)移到絕緣層22。在此選擇性腐蝕中，如果掩模層26和絕緣層22采用相同的材料，則掩模層26的剩余部分與絕緣層22的選擇性腐蝕同時(shí)地去除。
參見(jiàn)圖7，從絕緣層22去除掩模層24?，F(xiàn)在對(duì)絕緣層22構(gòu)圖，以便采用柵格12(圖1)用于在襯底20形成深溝槽。由絕緣層22提供的柵格圖形最好用做對(duì)半導(dǎo)體襯底(襯底層20)構(gòu)圖的掩模，例如在DRAM芯片中形成深溝槽，或者提供用于待形成任何其他的特征或元件的圖形或掩模。絕緣層22最好是氮化物，為把深溝槽21腐蝕進(jìn)襯底20提供更高的選擇性。另外，所述的柵格圖形包括矩形或正方形孔18(也參見(jiàn)圖1)，用于腐蝕矩形或正方形深溝槽21。深溝槽21可以形成為具有基本是矩形或正方形的形狀，其側(cè)邊可以小到最小特征尺寸。形成沒(méi)有倒角的矩形或正方形形狀，有利于提供體積增大的溝槽和對(duì)溝槽長(zhǎng)度和寬度的獨(dú)立控制。
參見(jiàn)圖8，所示半導(dǎo)體器件110具有的上絕緣層和導(dǎo)體層被去除，展示柵格112。柵格112最好包括其間形成矩形或正方形的垂直線114和水平線116。雖然柵格112包括矩形或正方形，根據(jù)本發(fā)明也可以形成其他構(gòu)形和形狀，例如細(xì)長(zhǎng)槽、平行四邊形等。垂直線114和水平線116之間的間隔118可以是接觸孔，用于在半導(dǎo)體器件110上的各層之間形成接觸，或者柵格112可以是形成矩形或正方形深溝槽的掩模。
可知圖9-11是沿剖切線c-c的剖面圖，而圖12-15是沿剖切線d-d的剖面圖。圖9-15展示了基于圖8的器件取向的本發(fā)明的處理步驟。圖8中未顯示各個(gè)處理步驟。
參見(jiàn)圖9，形成或提供襯底層120。襯底層120可以包括例如其中形成有擴(kuò)散區(qū)的半導(dǎo)體襯底，并通過(guò)根據(jù)本發(fā)明形成的接觸與金屬線連接。
絕緣層124淀積在襯底120上。絕緣層124最好是氧化物，例如氧化硅。掩模層126淀積在絕緣層124上。掩模層126應(yīng)相對(duì)于絕緣層124可選擇腐蝕。在掩模層126上施加保護(hù)層層128，最好通過(guò)光刻印刷工藝進(jìn)行曝光和顯影。按預(yù)定圖形形成保護(hù)層層128。在優(yōu)選實(shí)施例中，預(yù)定圖形包括平行線130，其厚度從約為最小特征尺寸(F)(即減小到基礎(chǔ)規(guī)則)到設(shè)計(jì)的適當(dāng)邊界上限。參見(jiàn)圖10，依據(jù)保護(hù)層層128的圖形，掩模層126被腐蝕下到掩模層124。這樣形成用于腐蝕掩模層124的圖形。在優(yōu)選實(shí)施例中，在掩模層126中形成一組基本平行的線127。這些線的形狀可以根據(jù)保護(hù)層128的保護(hù)層圖形變化。參見(jiàn)圖11，在一個(gè)實(shí)施例中，去除保護(hù)層128，蝕刻絕緣層124形成間隔131，用于在后續(xù)步驟中淀積鑲嵌金屬線。
接著參見(jiàn)圖12-15，這些是沿垂直于圖9、10和11的剖切線的剖切線的剖面圖。參見(jiàn)圖12，按預(yù)定圖形施加保護(hù)層層132，曝光和顯影。在優(yōu)選實(shí)施例中，預(yù)定圖形包括平行線134，其厚度從約為最小特征尺寸(F)(即減小到基礎(chǔ)規(guī)則)到設(shè)計(jì)的適當(dāng)邊界上限。在所示實(shí)施例中，線134垂直于127，其中之一如圖12所示。
參見(jiàn)圖13，進(jìn)行選擇腐蝕工藝，腐蝕絕緣層124下到襯底120。選擇腐蝕工藝最好是各向同性腐蝕工藝，以使(掩模層126(圖10)的)線127和線134形成所示的矩形或正方形孔。在層132中形成保護(hù)層線，保護(hù)其下的絕緣層124的部分避免腐蝕。
參見(jiàn)圖14，從絕緣層124和掩模層126剝離保護(hù)層層132。也可以剝離掩模層126。在一個(gè)實(shí)施例中，可以腐蝕襯底層120形成深溝槽121，而不使用額外掩模層(即絕緣層22)。
參見(jiàn)圖15，形成導(dǎo)體線140，例如位線或其他導(dǎo)體，以及接觸142，例如位線接觸，在雙鑲嵌工藝中可以同時(shí)形成表面條接觸或電容器接觸，或者可以使用不同工藝步驟形成接觸142和導(dǎo)體線140。襯底層120可以包括下層的導(dǎo)體線或金屬線，并通過(guò)根據(jù)本發(fā)明形成的接觸142與上層的金屬線連接。正如已有技術(shù)所示還可以繼續(xù)進(jìn)行進(jìn)一步處理形成半導(dǎo)體器件的其余部分。在單個(gè)半導(dǎo)體器件的制造中可以多次采用本發(fā)明，例如可以使用包含圖14的絕緣層124的柵格圖形，直接在襯底120形成深溝槽121，如圖15所示。也可以采用本發(fā)明形成位線接觸，也可以在后用于形成金屬線之間的互連。
參見(jiàn)圖16-18，示例性地展示了用于接觸和深溝槽的其他構(gòu)形。圖16中，絕緣層(或掩模層)222具有第一方向的線224。按線段施加保護(hù)層226形成柵格212，用于形成接觸孔(或腐蝕位置)228。按其間距離約為最小特征尺寸的3倍(3F)對(duì)半導(dǎo)體器件提供接觸孔228。按此方式，在其中形成接觸時(shí)，在接觸之間提供更大的距離。這可以根據(jù)半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)通過(guò)改變保護(hù)層圖形等來(lái)調(diào)節(jié)。另外，接觸孔和/或腐蝕位置可以是矩形的。并且，由于槽230可以覆蓋絕緣層222的線，所以接觸孔或腐蝕位置可以承受在垂直方向?qū)?zhǔn)保護(hù)層226的較大公差。預(yù)定的保護(hù)層圖形226中的變化可以在接觸孔/腐蝕位置228之間提供較大距離或者提供較大形狀。圖17中，柵格312具有的圖形包括絕緣層322和保護(hù)層326，其中接觸孔(或腐蝕位置)328相距是7F。這種布置類似于用于單元面積為8·F2的DRAM芯片的構(gòu)形的位線接觸。如圖所示，可以在接觸孔/腐蝕位置228和328之間提供其他距離。這種設(shè)計(jì)并不限于特征尺寸的整數(shù)，而是可以根據(jù)本發(fā)明代之以最小特征尺寸F以上的任何尺寸的柵格間距。
在其他構(gòu)形中，如圖18所示，可以使用柵格412作為溝槽腐蝕工藝的掩模，例如對(duì)DRAM芯片的深溝槽404，形成單元面積為8·F2的深溝槽構(gòu)形。根據(jù)本發(fā)明通過(guò)調(diào)節(jié)保護(hù)層426和掩模層422，并且使用上述工藝，形成溝槽404。圖16-18展示了在柵格層之前(之下)形成的平行線，但是也可以在平行線之前(之下)形成柵格層。
以上介紹了用于半導(dǎo)體器件的改進(jìn)的接觸和深溝槽形成的優(yōu)選實(shí)施例(僅是示例性的并無(wú)限制)，應(yīng)注意在上述技術(shù)指教下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以做出改進(jìn)和變化。因此可知在由權(quán)利要求書(shū)概括的本發(fā)明范圍和精神內(nèi)，可以對(duì)公開(kāi)發(fā)明的特定實(shí)施例做出改變。按專利法的要求具體地介紹了本發(fā)明，要求期望由專利證書(shū)保護(hù)的范圍由權(quán)利要求書(shū)確立。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的構(gòu)圖方法，其特征在于包括以下步驟提供襯底層，襯底層上形成有絕緣層并且掩模層形成在絕緣層上，掩模層可相對(duì)于絕緣層被選擇地腐蝕；對(duì)掩模層構(gòu)圖，在掩模層中形成第一組基本平行的線；對(duì)絕緣層構(gòu)圖，形成向下通到襯底層的矩形孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于還包括在孔中淀積導(dǎo)體材料形成與襯底層的接觸的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于襯底層包括半導(dǎo)體襯底，該方法還包括腐蝕半導(dǎo)體襯底在其中形成深溝槽的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于還包括把孔形成為正方形的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其特征在于形成孔的步驟包括把孔形成為矩形和正方形之一的步驟，其中矩形和正方形的至少一側(cè)邊包括給定技術(shù)的最小特征尺寸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于還包括調(diào)節(jié)構(gòu)圖形成不同尺寸的孔的步驟。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于還包括調(diào)節(jié)構(gòu)圖提供不同孔圖形的步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于還包括以下步驟在絕緣層中腐蝕對(duì)應(yīng)于孔位置的線；在孔和線中淀積導(dǎo)體材料。
9.一種半導(dǎo)體器件的構(gòu)圖方法，包括以下步驟提供襯底層，襯底層上形成有絕緣層，第一掩模層形成在絕緣層上并且第二掩模層形成在第一掩模層上，第二掩模層和絕緣層可相對(duì)于第一掩模層被選擇地腐蝕；對(duì)第二掩模層構(gòu)圖，在第二掩模層中形成第一組基本平行的線；對(duì)第一掩模層構(gòu)圖在其中形成矩形孔；依據(jù)矩形孔對(duì)絕緣層蝕刻，在絕緣層中形成矩形孔；去除第一掩模層和第二掩模層的剩余部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其特征在于襯底層包括半導(dǎo)體襯底，該方法還包括依據(jù)在絕緣層形成的矩形孔腐蝕半導(dǎo)體襯底，在其中形成深溝槽的步驟。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其特征在于還包括把矩形孔形成為正方形的步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其特征在于依據(jù)矩形孔腐蝕絕緣層，在絕緣層形成矩形孔的步驟包括，把孔形成為矩形和正方形之一的步驟，其中矩形和正方形的至少一側(cè)邊包括給定技術(shù)的最小特征尺寸。
13.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其特征在于還包括獨(dú)立調(diào)節(jié)矩形孔長(zhǎng)度的步驟。
14.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其特征在于還包括獨(dú)立調(diào)節(jié)矩形孔寬度的步驟。
15.一種半導(dǎo)體器件的構(gòu)圖方法，其特征在于包括以下步驟提供襯底層，襯底層上形成有絕緣層，并且第一掩模層形成在絕緣層上，第一掩模層和絕緣層可彼此相對(duì)地被選擇腐蝕；通過(guò)形成基本平行的線，對(duì)第一掩模層上的保護(hù)層構(gòu)圖；依據(jù)保護(hù)層圖形腐蝕穿通第一掩模層，在第一掩模層中形成第一組基本平行的線；去除保護(hù)層；通過(guò)形成基本垂直于第一組基本平行的線而設(shè)置的第二組基本平行的線，對(duì)第一掩模層上的第二保護(hù)層構(gòu)圖；依據(jù)第二保護(hù)層圖形和第一組基本平行的線，腐蝕穿通絕緣層，在絕緣層中形成矩形孔；去除第二保護(hù)層；去除第一掩模層的剩余部分。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其特征在于還包括在矩形孔中淀積導(dǎo)體材料形成與襯底層的接觸的步驟。
17.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其特征在于襯底層包括半導(dǎo)體襯底，該方法還包括依據(jù)在絕緣層形成的矩形孔腐蝕半導(dǎo)體襯底，在其中形成深溝槽的步驟。
18.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其特征在于還包括把矩形孔形成為正方形的步驟。
19.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其特征在于矩形孔形成為矩形和正方形之一，其中矩形和正方形的至少一側(cè)邊包括給定技術(shù)的最小特征尺寸。
20.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其特征在于還包括獨(dú)立調(diào)節(jié)矩形孔長(zhǎng)度的步驟。
21.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其特征在于還包括獨(dú)立調(diào)節(jié)矩形孔寬度的步驟。
22.一種半導(dǎo)體器件，包括包括含接觸區(qū)的襯底；位于襯底上的絕緣層，具有根據(jù)預(yù)定圖形位于其中的矩形孔；位于矩形孔中的多個(gè)矩形接觸，用于使襯底的接觸區(qū)與位于絕緣層上的導(dǎo)體層連接。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件的構(gòu)圖方法,包括以下步驟,提供襯底層,襯底層上形成有絕緣層并且掩模層形成在絕緣層上,掩模層可相對(duì)于絕緣層被選擇地腐蝕,對(duì)掩模層構(gòu)圖,在掩模層中形成第一組基本平行的線,對(duì)絕緣層構(gòu)圖,形成向下通到襯底層的矩形孔。還包括一種根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件。
文檔編號(hào)H01L21/768GK1259759SQ00102120
公開(kāi)日2000年7月12日 申請(qǐng)日期2000年1月6日 優(yōu)先權(quán)日1999年1月6日
發(fā)明者T·S·魯普, A·托馬斯, F·扎克 申請(qǐng)人:因芬尼昂技術(shù)北美公司, 國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司