專利名稱：局部開(kāi)槽工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開(kāi)涉及到半導(dǎo)體制造，更確切地說(shuō)是涉及到利用比較薄的抗蝕劑層開(kāi)出穿過(guò)比較厚的硬掩模的深溝槽的改進(jìn)了的方法。
相關(guān)技術(shù)的描述在半導(dǎo)體工業(yè)中，存在著以越來(lái)越小的元件提供改進(jìn)了的性能的巨大積極性。正如所有的半導(dǎo)體器件那樣，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器被推向了性能極限。為了在一代比一代設(shè)計(jì)更高的水平下工作，常常要求半導(dǎo)體存儲(chǔ)器元件的各種性能。在一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)于提高用于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中的電容器單元的深溝槽的電容數(shù)值，存在著需求。
借助于增大深溝槽中存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的表面積，可以增大深溝槽電容器的電容。但增大單元的長(zhǎng)度或?qū)挾?，由于各個(gè)行或列必須增大，故新尺寸溝槽的增大了的長(zhǎng)度和/或?qū)挾葧?huì)影響半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的布局面積。因此，這種方法是不可取的。
借助于增大溝槽的深度，也可以增大存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的表面積。已經(jīng)證明這是困難的。深溝槽的深度已經(jīng)受到用來(lái)在襯底中腐蝕深溝槽的硬掩模的限制。
參照

圖1，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件10包括襯底12，最好是硅襯底。焊點(diǎn)疊層14被淀積在襯底12上。焊點(diǎn)疊層14可以包括氧化硅層16和氮化物層18。硬掩模層20被制作在焊點(diǎn)疊層14上。硬掩模層20可以包括例如硼硅酸鹽玻璃?？狗瓷渫繉?ARC)21被淀積在硬掩模層20上，以協(xié)助抗蝕劑層22的圖形化?？刮g劑層22被制作在ARC層21上，并在進(jìn)一步工藝步驟中將要被腐蝕深溝槽的位置被圖形化。抗蝕劑層22比較厚，厚度約為600-800nm。為了在稍后的步驟中提供充分的時(shí)間來(lái)腐蝕硬掩模層20和焊點(diǎn)疊層14，要求抗蝕劑層22的厚度至少為600nm。
參照?qǐng)D2，執(zhí)行腐蝕工藝來(lái)形成腐蝕襯底12的掩模，以便制作深溝槽。常規(guī)的工藝腐蝕穿過(guò)ARC層21、硬掩模層20和焊點(diǎn)疊層14。雖然腐蝕相對(duì)于抗蝕劑層22有選擇性，但抗蝕劑層22仍被腐蝕工藝侵蝕，因此，抗蝕劑層22必須保持足夠的厚度。腐蝕延續(xù)直至到達(dá)襯底12。接著，如圖3所示，從疊層頂部表面清除抗蝕劑層22和ARC層21。這就在腐蝕襯底12的頂部表面上提供了硬掩模層20。要理解的是，硬掩模層的厚度為600-800nm。由于腐蝕更厚的硬掩模層20可能需要更厚的抗蝕劑層22，而抗蝕劑層22的厚度受到光刻工藝的限制，故避免更大的厚度。若在腐蝕過(guò)程中抗蝕劑層22變得太薄，則由于腐蝕過(guò)程對(duì)層22的不可避免的損傷，在被腐蝕的窗口中會(huì)出現(xiàn)凹陷。這種凹陷是不可取的，它減小硬掩模層20的厚度，從而減小溝槽的可能深度。
參照?qǐng)D4，硬掩模層20為在襯底12中制作溝槽28提供了選擇性腐蝕掩模。硬掩模20在腐蝕過(guò)程中被侵蝕，因而必須提供厚度足夠的硬掩模層20。不幸的是，如上所述，硬掩模層20的厚度受到光刻工藝和抗蝕劑層22的厚度的限制。比較厚的硬掩模層可能需要更厚的抗蝕劑層22。因此，硬掩模層的厚度被限制，導(dǎo)致溝槽28的深度也受到限制。對(duì)于0.2μm規(guī)則，制作在襯底12中的常規(guī)溝槽的深度通常約為6-7μm。但為了增大溝槽電容數(shù)值以提高器件性能和成品率，希望溝槽深度更大。
因此，對(duì)于擴(kuò)大半導(dǎo)體器件中深溝槽的深度的方法，存在著需求。對(duì)于提供能夠在半導(dǎo)體工藝中給定的抗蝕劑厚度下采用更厚的硬掩模層的方法，也存在著需求。
發(fā)明的概述根據(jù)本發(fā)明，在半導(dǎo)體制造中開(kāi)孔的方法包括下列步驟在襯底上提供焊點(diǎn)疊層；在焊點(diǎn)疊層上制作硬掩模層，此硬掩模層相對(duì)于焊點(diǎn)疊層可選擇性地清除；在硬掩模層上圖形化抗蝕劑層，此抗蝕劑層相對(duì)于硬掩模層可被選擇性地清除并具有足以防止凹陷的厚度；相對(duì)于抗蝕劑層選擇性地腐蝕硬掩模層直至焊點(diǎn)疊層；以及清除抗蝕劑層。在清除抗蝕劑層之后，相對(duì)于硬掩模層選擇性地腐蝕焊點(diǎn)疊層，致使孔被一直開(kāi)到襯底。
在半導(dǎo)體制造中制作深溝槽的方法包括下列步驟在襯底上提供焊點(diǎn)疊層，在焊點(diǎn)疊層上制作硬掩模層，此硬掩模層相對(duì)于焊點(diǎn)疊層可選擇性地清除，且硬掩模層的厚度大于大約700nm；在硬掩模層上圖形化抗蝕劑層，此抗蝕劑層相對(duì)于硬掩模層可被選擇性地清除并具有足以防止凹陷的厚度；相對(duì)于抗蝕劑層選擇性地腐蝕硬掩模層直至焊點(diǎn)疊層；清除抗蝕劑層。在清除抗蝕劑層之后，相對(duì)于硬掩模層選擇性地腐蝕焊點(diǎn)疊層，致使孔被一直開(kāi)到襯底，并用硬掩模層作為掩模，腐蝕襯底以形成深溝槽，致使對(duì)于0.2μm規(guī)則，硬掩模層的厚度使深溝槽能夠被制作成深度大于或等于7μm。
在半導(dǎo)體制造中開(kāi)接觸孔的方法包括下列步驟在目標(biāo)層上提供介電層；在介電層上制作硬掩模層，此硬掩模層相對(duì)于介電層可選擇性地清除；在硬掩模層上圖形化抗蝕劑層，此抗蝕劑層相對(duì)于硬掩模層可被選擇性地清除并具有足以防止凹陷的厚度；相對(duì)于抗蝕劑層選擇性地腐蝕硬掩模層直至介電層；清除抗蝕劑層；在清除抗蝕劑層之后，相對(duì)于硬掩模層選擇性地腐蝕介電層，致使孔被一直開(kāi)到目標(biāo)層，并在孔中淀積導(dǎo)電材料，致使對(duì)目標(biāo)層形成接觸。
在變通方法中，圖形化抗蝕劑層的步驟可以包括淀積厚度約為300-800nm的抗蝕劑層的步驟。制作硬掩模層的步驟可以包括制作厚度約為700-3000nm的硬掩模層的步驟。硬掩模層可以包括約為4∶1-8∶1的相對(duì)于抗蝕劑層的選擇性。焊點(diǎn)疊層可以包括大于大約2∶1的相對(duì)于硬掩模層的選擇性。硬掩模層可以包括氧化物或玻璃，而焊點(diǎn)疊層可以包括氮化物。此方法還可以包括將抗反射涂層涂敷到硬掩模層的步驟。對(duì)于0.2μm規(guī)則，深溝槽可以被制作成深度大于或等于8μm。介電層可以包括大于大約2∶1的相對(duì)于硬掩模層的選擇性。硬掩模層可以包括氧化物或玻璃，而介電層可以包括氮化物或氧化物。
從結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明示例性實(shí)施方案的下列詳細(xì)描述中，本發(fā)明的這些和其它的目的、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見(jiàn)。
附圖的簡(jiǎn)要說(shuō)明本公開(kāi)將參照下列附圖來(lái)詳細(xì)提出優(yōu)選實(shí)施方案的下列描述，其中圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的其上圖形化有抗蝕劑層的半導(dǎo)體器件的剖面圖；圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的圖1的半導(dǎo)體器件在腐蝕直至襯底之后的剖面圖；圖3是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的圖2的半導(dǎo)體器件在清除抗蝕劑層之后的剖面圖；圖4是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的圖3的半導(dǎo)體器件在溝槽腐蝕進(jìn)入襯底之后的剖面圖；
圖5是根據(jù)本發(fā)明的其上圖形化有比較薄的抗蝕劑層的半導(dǎo)體器件的剖面圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明的圖5的半導(dǎo)體器件的剖面圖，其中抗蝕劑層被用來(lái)腐蝕穿過(guò)硬掩模層的孔；圖7是根據(jù)本發(fā)明的圖6的半導(dǎo)體器件的剖面圖，其中抗蝕劑層被清除；圖8是根據(jù)本發(fā)明的圖7的半導(dǎo)體器件的剖面圖，其中比較厚的硬掩模層被用來(lái)腐蝕穿過(guò)焊點(diǎn)疊層的孔；圖9是根據(jù)本發(fā)明的圖8的半導(dǎo)體器件在溝槽腐蝕到襯底中之后的剖面圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明的圖8的半導(dǎo)體器件在清除硬掩模層并淀積導(dǎo)電材料以形成接觸和半導(dǎo)體器件上一層上的導(dǎo)體之后的剖面圖；而圖11是掃描電子顯微鏡圖象的剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明制作在襯底中的更深的溝槽。
優(yōu)選實(shí)施方案的詳細(xì)描述本公開(kāi)涉及到半導(dǎo)體制造，更確切地說(shuō)是涉及到利用比較薄的抗蝕劑層穿過(guò)比較厚的硬掩模來(lái)開(kāi)出深溝槽的改進(jìn)了的方法。雖然通過(guò)深掩模制作來(lái)進(jìn)行了描述，但本發(fā)明的范圍更廣闊，并可應(yīng)用于使用抗蝕劑層下方的硬掩模的任何掩蔽開(kāi)孔工藝。例如，本發(fā)明可應(yīng)用于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的使用硬掩模的淺溝槽隔離/有源區(qū)掩蔽開(kāi)孔。本發(fā)明包括比較厚的硬掩模層，它有助于制作更深的溝槽。用抗蝕劑層來(lái)腐蝕硬掩模層，且硬掩模層被用作掩模來(lái)腐蝕焊點(diǎn)疊層(或其它介質(zhì)掩模層)。借助于有利地利用硬掩模層來(lái)腐蝕焊點(diǎn)疊層以及用抗蝕劑層來(lái)腐蝕硬掩模層，可以使用更厚的硬掩模層?，F(xiàn)有技術(shù)中硬掩模層厚度的限制不再發(fā)生影響，從而根據(jù)本發(fā)明可以更深地腐蝕溝槽。
現(xiàn)參照附圖的具體細(xì)節(jié)，其中相似的參考號(hào)表示全部各個(gè)圖中的相似或完全相同的元件，首先參照?qǐng)D5，示出了根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件100的剖面圖。目標(biāo)層102可以包括含有有源區(qū)的襯底，例如硅襯底、砷化鎵襯底、或其它襯底。目標(biāo)層102也可以包括制作溝槽的位置。在一個(gè)實(shí)施方案中，目標(biāo)層102可以包括金屬層或?qū)Ь€。第一層104被淀積在目標(biāo)層102上。
在一個(gè)實(shí)施方案中，第一層104可以包括含有介電層組成的多層的疊層。例如氧化物層和/或氮化物層。第一層104也可以是單個(gè)介電層，通道孔穿過(guò)它被制作成穿通接觸，以便將目標(biāo)層102的導(dǎo)電層連接到上一層導(dǎo)體。第二層106被制作在第一層104上。第二層106可相對(duì)于第一層104被選擇性地腐蝕。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，第二層106包括硬掩模層，此硬掩模層可以包括諸如硼硅酸鹽玻璃(BSG)、硼磷硅酸鹽玻璃(BSPG)、砷硅酸鹽玻璃(ASG)之類的玻璃、或其它玻璃或氧化物?？刮g劑層108被制作在第二層106上，抗蝕劑層108相對(duì)于第二層106可選擇性地腐蝕。在淀積抗蝕劑層108之前，可以淀積抗反射層(ARC)107。ARC層107可以被提供來(lái)協(xié)助形成和圖形化抗蝕劑層108。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，ARC層107包括有機(jī)ARC和諸如介質(zhì)ARC(DARC)的無(wú)機(jī)層，用來(lái)改善相對(duì)于抗蝕劑層108的選擇性。
根據(jù)本發(fā)明，圖5所示的掩蔽疊層可以包括第二層106相對(duì)于抗蝕劑層108的選擇性，此選擇性大于第一層104與第二層106之間的選擇性。對(duì)于本發(fā)明，第一層104相對(duì)于第二層106的選擇性最好大于1∶1。若第二層106包括玻璃，則第二層106相對(duì)于抗蝕劑層108的選擇性最好為大約4∶1到大約8∶1。若第一層104包括氮化物疊層，則第一層104相對(duì)于第二層106的選擇性可以在大約1∶1到大約6∶1之間。
最好用標(biāo)準(zhǔn)的光刻抗蝕劑，在第二層106上制作抗蝕劑層108。用標(biāo)準(zhǔn)的光刻工藝對(duì)抗蝕劑層108進(jìn)行顯影，以便在半導(dǎo)體器件100上圖形化溝槽或接觸孔位置。抗蝕劑層108的顯影提供了穿過(guò)抗蝕劑層108的孔110，以便暴露其下的第二層106。根據(jù)本發(fā)明，抗蝕劑層108可以包括約為300-800nm的厚度，最好是約為400-700nm。由于抗蝕劑層108與第二層106之間的選擇性是如此之大(4∶1到8∶1)，故如下面將要更詳細(xì)地解釋的那樣，可以使用更薄的抗蝕劑層。
參照?qǐng)D6，被圖形化了孔110的抗蝕劑層108，被用作腐蝕掩蔽層，以便一直腐蝕到第二層106?？刮g劑層108不被用來(lái)腐蝕第一層104。借助于僅僅腐蝕第二層106，腐蝕過(guò)程利用了抗蝕劑層108與第二層106之間的選擇性。以這種方式，抗蝕劑層108可以被淀積得厚度更薄，例如厚度在大約300nm到大約800nm之間，最好是在大約400nm到大約700nm之間。而且，第二層106可以被淀積得更厚，例如厚度在大約700nm到大約3000nm之間，最好是在大約1000nm到大約1500nm之間。
在一個(gè)示例性實(shí)施例中，抗蝕劑層108的厚度可以約為650nm。假設(shè)抗蝕劑層108與第二層106之間的選擇性約為5∶1，則第二層(硬掩模層)106可以被腐蝕穿過(guò)約為2500nm的厚度，而抗蝕劑層108仍然具有足以防止凹陷的保留厚度(約為150nm)。
參照?qǐng)D7，在腐蝕第二層106之后，從器件100清除抗蝕劑層108和ARC層107。這就留下了待要用作第一層104的腐蝕掩模的第二層106的大約整個(gè)厚度。
參照?qǐng)D8，腐蝕工藝現(xiàn)在被用來(lái)腐蝕穿過(guò)第一層104。有利的是，根據(jù)本發(fā)明，第二層106相對(duì)于第一層104的選擇性提供了第一層104的更有效的腐蝕。第二層106相對(duì)于第一層104的選擇性大于抗蝕劑層108相對(duì)于第一層104的選擇性。在常規(guī)方法中，抗蝕劑層被用來(lái)腐蝕疊層(第一層)，由于疊層與抗蝕劑層之間的選擇性可以約為1.5∶1，故會(huì)引起抗蝕劑層的侵蝕。在常規(guī)方法中，由于在第二層106的腐蝕過(guò)程中被嚴(yán)重?fù)p傷了的已經(jīng)被減薄的抗蝕劑層被用來(lái)腐蝕第一層104，故凹陷變得更為嚴(yán)重。根據(jù)本發(fā)明，第二層106被用作第一層104的腐蝕掩模。以這種方式，腐蝕選擇性可以為2∶1或更大。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，第二層106最好更厚。此外，由于選擇性優(yōu)點(diǎn)而被腐蝕得比較少，故保持了第二層106的厚度。孔103被一直制作到目標(biāo)層102(例如襯底)。
參照?qǐng)D9，現(xiàn)在用第二層106作為掩模來(lái)腐蝕目標(biāo)層102。有利的是，本發(fā)明提供了比較厚的第二層(硬掩模層)106。這使得目標(biāo)層102的腐蝕時(shí)間更長(zhǎng)，導(dǎo)致更深的溝槽112。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，目標(biāo)層102包括半導(dǎo)體襯底，第一層104包括焊點(diǎn)疊層，而第二層106包括硬掩模層。溝槽112包括例如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)中存儲(chǔ)器單元中的溝槽電容器的深溝槽。也可以使用其它的存儲(chǔ)器。
參照?qǐng)D10，在一個(gè)變通實(shí)施方案中，目標(biāo)層102可以包括其上的有源區(qū)(擴(kuò)散區(qū))或?qū)щ妳^(qū)114。用第二層106作為掩模(見(jiàn)圖8)，第一層104’被一直圖形化到目標(biāo)層102?？梢栽诳准赐ǖ揽?16中形成接觸115，以便將有源區(qū)(擴(kuò)散區(qū))或?qū)щ妳^(qū)連接到器件100上一層中的金屬線118或其它導(dǎo)體。第一層104’包括介電層，最好是氮化物，但如上所述，可以使用包括相對(duì)于相鄰層的選擇性特性的氧化物或其它介電材料。其它的高形狀比腐蝕工藝也可以采用本發(fā)明。寬度對(duì)深度的形狀比可以包括例如1∶4的比率或更大。
參照?qǐng)D11，示出了基于掃描電子顯微鏡(SEM)圖象的根據(jù)本發(fā)明腐蝕形成在襯底中的深溝槽的剖面圖。根據(jù)本發(fā)明，深溝槽212被制作在襯底210中并得到了意想不到的結(jié)果。對(duì)于0.175μm規(guī)則，深溝槽212的深度比常規(guī)溝槽被延長(zhǎng)50％。這代表了無(wú)凹陷的深溝槽制作工藝的明顯改進(jìn)。而且，溝槽的表面積被相應(yīng)地增大。當(dāng)對(duì)0.175μm規(guī)則采用1200nm的硬掩模層時(shí)，溝槽212的深度超過(guò)8μm。本發(fā)明可以獲得6μm或更大的深度，對(duì)于0.175μm規(guī)則，深度最好是大于8μm。本發(fā)明不僅能夠加深溝槽，還使這些溝槽沒(méi)有凹陷。
已經(jīng)描述了局部開(kāi)槽工藝的優(yōu)選實(shí)施方案(被認(rèn)為是示例性的而不是限制性的)，要指出的是，根據(jù)上述描述，本技術(shù)領(lǐng)域的熟練人員能夠作出各種修正和改變。因此，要理解的是，可以在所公開(kāi)的本發(fā)明的具體實(shí)施方案中作出所附權(quán)利要求指出的本發(fā)明范圍與構(gòu)思之內(nèi)的各種改變。用專利法所要求的細(xì)節(jié)和特殊性這樣描述本發(fā)明之后，在所附權(quán)利要求中提出了要提出權(quán)利要求并希望得到專利證書保護(hù)的內(nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種在半導(dǎo)體制造中開(kāi)孔的方法，它包含下列步驟在襯底上提供焊點(diǎn)疊層；在焊點(diǎn)疊層上制作硬掩模層，此硬掩模層相對(duì)于焊點(diǎn)疊層可選擇性地清除；在硬掩模層上圖形化抗蝕劑層，此抗蝕劑層相對(duì)于硬掩模層可被選擇性地清除并具有防止凹陷的厚度；相對(duì)于抗蝕劑層選擇性地腐蝕硬掩模層直至焊點(diǎn)疊層；清除抗蝕劑層；以及在清除抗蝕劑層之后，相對(duì)于硬掩模層選擇性地腐蝕焊點(diǎn)疊層，致使孔被一直開(kāi)到襯底。
2.權(quán)利要求1所述的方法，其中圖形化抗蝕劑層的步驟包括淀積厚度約為300-800nm的抗蝕劑層的步驟。
3.權(quán)利要求2所述的方法，其中制作硬掩模層的步驟包括制作厚度約為700-3000nm的硬掩模層的步驟。
4.權(quán)利要求1所述的方法，其中的硬掩模層包括相對(duì)于抗蝕劑層約為4∶1到8∶1的選擇性。
5.權(quán)利要求1所述的方法，其中的焊點(diǎn)疊層包括相對(duì)于硬掩模層大于大約2∶1的選擇性。
6.權(quán)利要求1所述的方法，其中的硬掩模層包括氧化物和玻璃之一，而焊點(diǎn)疊層包括氮化物。
7.權(quán)利要求1所述的方法，還包含將抗反射涂層涂敷到硬掩模層的步驟。
8.一種在半導(dǎo)體制造中制作深溝槽的方法，它包含下列步驟在襯底上提供焊點(diǎn)疊層；在焊點(diǎn)疊層上制作硬掩模層，此硬掩模層相對(duì)于焊點(diǎn)疊層可選擇性地清除，且此硬掩模層的厚度大于大約700nm；在硬掩模層上圖形化抗蝕劑層，此抗蝕劑層相對(duì)于硬掩模層可被選擇性地清除，并具有防止凹陷的厚度；相對(duì)于抗蝕劑層選擇性地腐蝕硬掩模層，直至焊點(diǎn)疊層；清除抗蝕劑層；在清除抗蝕劑層之后，相對(duì)于硬掩模層選擇性地腐蝕焊點(diǎn)疊層，致使孔被一直開(kāi)到襯底；以及用硬掩模層作為掩模，腐蝕襯底以形成深溝槽，致使硬掩模層的厚度使深溝槽能夠被制作成深度大于或等于7μm。
9.權(quán)利要求8所述的方法，其中圖形化抗蝕劑層的步驟包括淀積厚度約為300-800nm的抗蝕劑層的步驟。
10.權(quán)利要求9所述的方法，其中制作硬掩模層的步驟包括制作厚度約為700-3000nm的硬掩模層的步驟。
11.權(quán)利要求8所述的方法，其中的硬掩模層包括相對(duì)于抗蝕劑層約為4∶1到8∶1的選擇性。
12.權(quán)利要求8所述的方法，其中的焊點(diǎn)疊層包括相對(duì)于硬掩模層大于大約2∶1的選擇性。
13.權(quán)利要求8所述的方法，其中的硬掩模層包括氧化物和玻璃之一，而焊點(diǎn)疊層包括氮化物。
14.權(quán)利要求8所述的方法，還包含將抗反射涂層涂敷到硬掩模層的步驟。
15.一種在半導(dǎo)體制造中開(kāi)接觸孔的方法，它包含下列步驟在目標(biāo)層上提供介電層；在介電層上制作硬掩模層，此硬掩模層相對(duì)于介電層可選擇性地清除；在硬掩模層上圖形化抗蝕劑層，此抗蝕劑層相對(duì)于硬掩模層可被選擇性地清除，且此抗蝕劑層具有防止凹陷的厚度；相對(duì)于抗蝕劑層選擇性地腐蝕硬掩模層，直至介電層；清除抗蝕劑層；在清除抗蝕劑層之后，相對(duì)于硬掩模層選擇性地腐蝕介電層，致使孔被一直開(kāi)到目標(biāo)層；以及在孔中淀積導(dǎo)電材料，致使形成到目標(biāo)層的接觸。
16.權(quán)利要求15所述的方法，其中圖形化抗蝕劑層的步驟包括淀積厚度約為300-800nm的抗蝕劑層的步驟。
17.權(quán)利要求16所述的方法，其中制作硬掩模層的步驟包括制作厚度約為700-3000nm的硬掩模層的步驟。
18.權(quán)利要求15所述的方法，其中的硬掩模層包括相對(duì)于抗蝕劑層約為4∶1到8∶1的選擇性。
19.權(quán)利要求15所述的方法，其中的介電層包括相對(duì)于硬掩模層大于大約2∶1的選擇性。
20.權(quán)利要求15所述的方法，其中的硬掩模層包括氧化物和玻璃之一，而介電層包括氮化物和氧化物之一。
21.權(quán)利要求15所述的方法，還包含將抗反射涂層涂敷到硬掩模層的步驟。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明,一種在半導(dǎo)體制造中開(kāi)孔的方法包括下列步驟:在襯底(102)上提供焊點(diǎn)疊層(104);在焊點(diǎn)疊層上制作硬掩模層(106),此硬掩模層相對(duì)于焊點(diǎn)疊層可選擇性地清除;在硬掩模層上圖形化抗蝕劑層(108),此抗蝕劑層相對(duì)于硬掩模層可被選擇性地清除并具有足以防止凹陷的厚度;相對(duì)于抗蝕劑層選擇性地腐蝕硬掩模層直至焊點(diǎn)疊層;以及清除抗蝕劑層。在清除抗蝕劑層之后,相對(duì)于硬掩模層選擇性地腐蝕焊點(diǎn)疊層,致使孔被一直開(kāi)到襯底。
文檔編號(hào)H01L21/302GK1351759SQ00807779
公開(kāi)日2002年5月29日 申請(qǐng)日期2000年4月20日 優(yōu)先權(quán)日1999年5月19日
發(fā)明者B·S·李 申請(qǐng)人:因芬尼昂技術(shù)北美公司