專利名稱：半導(dǎo)體組件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在雙面鍍銅底板上將多個半導(dǎo)體組件的布線圖案排成行列狀、在規(guī)定位置上安裝半導(dǎo)體芯片后將整個底板用樹脂密封、然后切分制造半導(dǎo)體組件的技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及在雙面鍍銅底板上在半導(dǎo)體組件的端部配置將兩面之間導(dǎo)通用的通路孔(ビアホ-ル)、并沿對半切開通路孔的線切分后制造出的半導(dǎo)體組件及其制造方法。
背景技術(shù)：
以往的一并用樹脂密封成形后制造的半導(dǎo)體組件(以下稱“組件”)是在雙面鍍銅底板(以下稱“底板”)上設(shè)置不貫通底板的通路孔或貫通底板的通路孔，以便將和配置在上面的半導(dǎo)體芯片等作線連接的內(nèi)部端子與為了表面安裝而配設(shè)在底板下面的外部端子進行電氣連接。
而上述的通路孔是用于將多層底板內(nèi)特定的2層之間進行連接的非貫通開孔，如果是4層以上的多層底板，則也稱為內(nèi)通路孔(インナ-ビア)。另外，與貫通孔相比，其機械強度高，且在樹脂密封工序中可省略防止樹脂材料進入貫通孔的工序。
而且將上述通路孔等配置在組件的外周端部，以使相鄰的組件之間能夠共用該通路孔，且在切分樹脂密封體時沿對半切開通路孔等的線來進行切分，以減少底板對組件的占有比例。
關(guān)于上述通路孔的形成方法，如特開平10-294400所公開的，有的是用電鍍層等導(dǎo)體將在底板上配置形成的貫通孔堵塞，還有的是將單面的鍍銅層用腐蝕法腐蝕成圓形后，以保留反面鍍銅層的形式照射激光，以除去底板材料(環(huán)氧樹脂、玻璃環(huán)氧樹脂等)，然后對經(jīng)過加工的內(nèi)周面進行導(dǎo)通處理。
然而，上述特開平10-294400公開的封閉貫通孔的方法需要特殊技術(shù)來保證封閉過程中的機械強度等，導(dǎo)致制造成本上升。
近年來，在4、6、8層以上的所謂多層底板在采用在底板疊層時形成內(nèi)通路孔的所謂裝配法。
另外，采用從鍍銅層的一面形成通路孔的方法時，首先要通過腐蝕處理將表層的鍍銅層腐蝕成圓形后，照射激光以除去底板材料，且為了保留反面鍍銅層而進行輸出調(diào)節(jié)處理，故其步驟設(shè)定復(fù)雜微妙，且其截面形狀不是完全的圓柱形，如圖5(A)所示，會在周邊部殘留處理屑D的殘渣和未削除部。結(jié)果，在對此通路孔的內(nèi)部鍍層以使之導(dǎo)通時，如圖5(B)所示，不但不能有足夠的接觸部分使鍍層與反面的鍍銅層導(dǎo)通，而且在該接觸部分會存在界面E，在將通路孔對半切開時或有外部沖擊時，如圖5(C)所示，接觸部分會發(fā)生剝離，導(dǎo)致導(dǎo)通不良。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是為了解決上述問題，目的在于提供一種半導(dǎo)體組件及其制造方法，是在雙面鍍銅底板的通路孔通用化且進行總體樹脂密封成形的半導(dǎo)體組件及其制造方法中，用通路孔可靠地形成兩面之間的導(dǎo)通路，同時在將通路孔對半切開時，導(dǎo)通部的接觸部分不會剝離，可靠性好、產(chǎn)品合格率高。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體組件及其制造方法如下構(gòu)成。
本發(fā)明的半導(dǎo)體組件是在雙面鍍銅底板1的兩面之間將多個半導(dǎo)體組件2的布線圖案排成行列狀，且使形成前述底板1兩面之間的導(dǎo)通路用的通路孔3為各個單位的半導(dǎo)體組件2的布線圖案所共有，且將其開孔做成長孔狀，在該布線圖案的規(guī)定位置上安裝半導(dǎo)體芯片20并布線后將該底板1整體用樹脂密封，并沿著將該通路孔3對半切開的線上切分后制造出來的。
本發(fā)明的半導(dǎo)體組件的制造方法是使形成雙面鍍銅底板1兩面之間的導(dǎo)通路用的通路孔3為各個單位的半導(dǎo)體組件2的布線圖案所共有，將多個半導(dǎo)體組件2的布線圖案排列成行列狀，并在規(guī)定位置上安裝半導(dǎo)體芯片20后將該底板1整體用樹脂密封，然后沿著將前述通路孔3對半切開的線切分制造出半導(dǎo)體組件2，其特點是，將前述通路孔3做成長孔形狀。
另外，也可以在將雙面鍍銅底板1的一面鍍銅層10的規(guī)定位置用腐蝕處理開孔后，通過激光加工處理將該開孔位置的底板材料11削除以形成圓形開孔31，并通過連續(xù)地形成多個圓形開孔31而形成長孔狀的開孔。
還可以在樹脂密封工序中在陰模40與樹脂密封用的樹脂25a之間夾入氟樹脂薄膜40d。
上述附圖標(biāo)記是為了便于理解本發(fā)明而附加的，不言而喻，本發(fā)明不限于附圖所示的形態(tài)。


圖1是表示本實施形態(tài)的半導(dǎo)體組件外觀的立體圖。
圖2是本實施形態(tài)的配置有通路孔的底板的外觀圖。
圖3是表示本實施形態(tài)的通路孔形成順序的剖視圖。
圖4是表示本實施形態(tài)的樹脂密封工序(A)、樹脂密封工序的局部放大(B)及切斷工序(C)的剖視圖。
圖5是表示傳統(tǒng)通路孔的剖視圖。
具體實施例方式
以下結(jié)合附圖詳細說明本發(fā)明的半導(dǎo)體組件及其制造方法的實施形態(tài)。圖1是表示本實施形態(tài)的半導(dǎo)體組件外觀的立體圖。圖2是本實施形態(tài)的配置有通路孔的底板的外觀圖。圖3是表示本實施形態(tài)的通路孔形成順序的剖視圖。圖4是表示本實施形態(tài)的樹脂密封工序(A)、樹脂密封工序的局部放大(B)及切斷工序(C)的剖視圖。圖5是表示傳統(tǒng)通路孔的剖視圖。
本實施形態(tài)1個單位的組件如圖1所示，由裝載在底板1上的平臺21上的半導(dǎo)體芯片20、配置在該平臺21周圍的線連接用內(nèi)部端子22、連接半導(dǎo)體芯片20的電極20a和內(nèi)部端子22的導(dǎo)線23、底板1背面的外部端子24、在組件2的端部將內(nèi)部端子22與外部端子24導(dǎo)通用的經(jīng)過對半切開的長孔狀通路孔3構(gòu)成，且整體用樹脂密封。以上結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)相同，故省略詳細說明。
以下詳細說明本發(fā)明的半導(dǎo)體組件及其制造方法中的要點、即通路孔3的實施形態(tài)。
如圖2所示，首先對一面的鍍銅層10進行腐蝕處理，在規(guī)定位置上形成規(guī)定個數(shù)的長孔狀開口部30。本實施形態(tài)的該開口部30尺寸為直徑0.15mm、長度0.35mm，其配置位置如此設(shè)定當(dāng)在后道工序中將配置圖案排列成行列狀時位于該圖案的端部，當(dāng)沿通路孔3的長度方向的中心線切斷時，位于為相鄰的組件2所共有的位置。另外，為了進一步提高散熱效果，也可在組件2的內(nèi)面配置散熱用通路孔32(圖2中雙點劃線所示部位)。
然后，如圖3(A)所示，首先照射經(jīng)過輸出調(diào)節(jié)的激光，使激光接觸開口部30長度方向的一端，且不能損壞另一面(反面)的鍍銅層10，以除去樹脂層11，形成大致圓柱形的開孔31a。接著如圖(B)所示，使激光接觸開口部30的長度方向另一端，除去樹脂層11，以形成大致圓柱形的開孔31b。最后如圖(C)所示，用激光照射上述經(jīng)過照射的位置之間的中間部，除去殘余的樹脂層11，以形成開孔31c。結(jié)果，3個開孔31a、31b、31c就連成1個長孔狀通路孔3。然后用電解電鍍法在通路孔3的內(nèi)部進行導(dǎo)通處理。在該工序中，本實施形態(tài)的通路孔3如圖3(C)所示，其截面為研缽狀，但因其為長孔形狀，故能保證較多的接觸面積。
本實施形態(tài)的激光加工是用裝有電鍍系統(tǒng)的激光打孔機進行高速(譬如1000孔/1秒)處理。
然后用傳統(tǒng)的照相法在底板1上進行印相、顯影、溶解處理，由此在規(guī)定位置上形成規(guī)定數(shù)量的布線圖案，即平臺21、內(nèi)部端子22及外部端子24等，并在平臺21上裝載半導(dǎo)體芯片20，再進行導(dǎo)線連接。
然后將整個底板1放入鑄型模4中，并充填密封用的樹脂25a，形成樹脂密封體25。在該鑄型模4的陰模40的底面40a上，截面為V字形的凸條部40b排成格子狀，該凸條部40b的棱線40c與連接底板1上的通路孔3中心的線上下對齊。用該凸條部40b在樹脂密封體25的上面形成與通路孔3上下對齊的排成格子狀的V字槽25b(以下稱V字槽。另外，為了有利于陰模40與樹脂25a之間的脫模性，在該陰模40的底面40a夾入了氟樹脂薄膜40d。
最后將整個底板1從鑄型模4脫下并固定在切斷裝置5上，用切斷刀50沿著V字槽25b切斷，切分成每1單位的組件2。此時，由于切斷刀50的厚度不到通路孔3的圓周部，因此該通路孔3被分割后能夠作為導(dǎo)通裝置而將各相鄰組件2的內(nèi)部端子22與外部端子連接。而且由于該通路孔3的分割面與組件2的樹脂密封體25的切斷面大致一致，故底板1的部分不會從組件2的外周輪廓伸出，可實現(xiàn)小型化。
采用上述本發(fā)明的半導(dǎo)體組件及其制造方法時，由于通路孔做成長孔狀開口，故提高了通路孔內(nèi)周面的導(dǎo)通處理時導(dǎo)通部的物理性連接強度，同時通路孔對半切開時的剝離性等亦較好，提高了組件電氣連接的可靠性。
這一點有助于提高組件制造時的產(chǎn)品合格率，可提高生產(chǎn)效率，降低制造成本。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體組件，其特征在于，是在雙面鍍銅底板(1)的兩面之間將多個半導(dǎo)體組件(2)的布線圖案排列成行列狀，使形成所述底板(1)兩面之間的導(dǎo)通路用的通路孔(3)為各個單位的半導(dǎo)體組件(2)的布線圖案之間所共有，且將其開孔做成長孔狀，在該布線圖案的規(guī)定位置上安裝半導(dǎo)體芯片(20)并布線后將該底板(1)整體用樹脂密封，沿著將該通路孔(3)對半切開的線切分后制造出來。
2.一種半導(dǎo)體組件的制造方法，是使形成雙面鍍銅底板(1)兩面之間的導(dǎo)通路用的通路孔(3)為各個單位的半導(dǎo)體組件(2)的布線圖案之間所共有，將多個半導(dǎo)體組件(2)的布線圖案排列成行列狀，并在規(guī)定位置上安裝半導(dǎo)體芯片(20)后將該底板(1)整體用樹脂密封，然后沿著將前述通路孔(3)對半切開的線切分制造出半導(dǎo)體組件(2)，其特征在于，將前述通路孔(3)做成長孔形狀。
3.一種半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于，在形成通路孔(3)的過程中，是在將雙面鍍銅底板(1)的一面鍍銅層(10)的規(guī)定位置用腐蝕處理開孔后，通過激光加工處理將該開孔位置的底板材料(11)削除以形成圓形開孔(31)，并通過連續(xù)地形成多個圓形開孔(31)而形成長孔狀的開孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于，在樹脂密封工序中，在陰模(40)與樹脂密封用的樹脂(25a)之間夾入氟樹脂薄膜(40d)。
全文摘要
一種半導(dǎo)體組件及其制造方法，是使形成雙面鍍銅底板(1)兩面之間的導(dǎo)通路用的通路孔(3)為半導(dǎo)體組件(2)的布線圖案之間所共有，且將其開孔做成長孔狀，沿著將該通路孔(3)對半切開的線切分后制造出半導(dǎo)體組件。其通路孔是在將鍍銅層(10)進行腐蝕處理形成開口后，對該開口位置的底板材料(11)進行激光加工處理，形成圓形開孔，通過連續(xù)形成多個圓形開孔而形成長孔狀。本發(fā)明可在通路孔共用化、且一并用樹脂密封形成的半導(dǎo)體組件上提高通路孔導(dǎo)通部的可靠性，并提高半導(dǎo)體組件的產(chǎn)品合格率。
文檔編號H01L21/50GK1400660SQ0112505
公開日2003年3月5日 申請日期2001年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2001年7月30日
發(fā)明者大內(nèi)勉, 紙崎文昭 申請人:藝術(shù)電子有限公司