專利名稱：Mos晶體管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)晶體管及制造這種晶體管的方法，更具體地，涉及一種在半導(dǎo)體襯底上將柵極多晶氧化物層形成至一預(yù)定厚度的MOS晶體管及形成該MOS晶體管的方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體器件集成密度和儲(chǔ)存容量的增加，MOS晶體管的尺寸不斷減小。因而，柵極氧化物層和柵極多晶氧化物層的厚度，以及諸如源極/漏極區(qū)的結(jié)區(qū)的深度減小。
圖1至4是說(shuō)明制造MOS晶體管的傳統(tǒng)方法的橫截面視圖。參照?qǐng)D1，柵極氧化物層構(gòu)圖30和柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖35順序形成在形成有淺槽隔離(STI)20的半導(dǎo)體襯底10上。
然后，如圖2所示，柵極多晶氧化物層40形成在半導(dǎo)體襯底10的整個(gè)表面上，且源極/漏極區(qū)45形成在半導(dǎo)體襯底10上。隨著MOS晶體管尺寸的減小，柵極多晶氧化物層40的厚度不斷減小。然而，如果柵極多晶氧化物層40的厚度過(guò)小，則柵極多晶氧化物層的特性將下降，半導(dǎo)體襯底10可能損壞，襯底的蝕坑可能發(fā)生，且結(jié)的漏電流可能增加。
如圖3所示，中溫氧化物(MTO)層50和隔離層60順序沉積在柵極多晶氧化物層40上。引入MTO層50以獲得形成柵極隔離中所需要的蝕刻邊。隨MTO層50的厚度增加，確保了更大的蝕刻邊。然而，因?yàn)镸OS晶體管的尺寸隨MTO層50的厚度增加而增加，所以存在對(duì)MTO層50可以有多厚的限制。然后，各向異性蝕刻隔離層60、MTO層50和柵極多晶氧化物層40，由此形成柵極隔離。
然而，如圖4所示，在通過(guò)這種方法形成的MOS晶體管內(nèi)，蝕坑70出現(xiàn)在半導(dǎo)體襯底10的表面上。這是因?yàn)闁艠O多晶氧化物層40和MTO層50因MOS晶體管尺寸的減小而形成得過(guò)薄，于是，柵極多晶氧化物層40和MTO層50不能很好地執(zhí)行其功能。具體地，因?yàn)橹苯咏佑|半導(dǎo)體襯底10的柵極多晶氧化物層40薄薄地形成，所以難以在形成柵極隔離的各向異性蝕刻過(guò)程中保持柵極多晶氧化物層40相對(duì)于隔離層60的充分的蝕刻選擇比，于是，半導(dǎo)體襯底10易于被各向異性蝕刻破壞。結(jié)果，蝕坑70在半導(dǎo)體襯底10的表面上出現(xiàn)，使得可能導(dǎo)致結(jié)的漏電流的增加以及整個(gè)器件可能殘次。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的第一目的是提供一種制造MOS晶體管的方法，該方法能防止由形成隔離的蝕刻導(dǎo)致的對(duì)半導(dǎo)體襯底的破壞和結(jié)的漏電流。
本發(fā)明的第二個(gè)目的是提供一種通過(guò)這種方法制造的MOS晶體管。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種制造MOS晶體管的方法。在半導(dǎo)體襯底上形成柵極氧化物層構(gòu)圖和柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖。在半導(dǎo)體襯底和柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖上形成掩蔽層構(gòu)圖，使得柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖完全被掩蔽層構(gòu)圖覆蓋。利用掩蔽層構(gòu)圖將半導(dǎo)體襯底形成非晶態(tài)。除去掩蔽層構(gòu)圖，在半導(dǎo)體襯底的整個(gè)表面上沉積柵極多晶氧化物層。柵極隔離層沉積在柵極多晶氧化物層上，而柵極隔離通過(guò)各向異性蝕刻?hào)艠O隔離層和柵極多晶氧化物層形成。源極/漏極區(qū)形成在半導(dǎo)體襯底上。
優(yōu)選地，柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖的側(cè)壁與掩蔽層構(gòu)圖的側(cè)壁間隔60-140。
優(yōu)選地，將半導(dǎo)體襯底制成非晶態(tài)的步驟通過(guò)將掩蔽層構(gòu)圖用作離子注入掩膜而將Si或Ge離子注入部分半導(dǎo)體襯底中進(jìn)行。
優(yōu)選地，生長(zhǎng)柵極多晶氧化物層以具有包括第一厚度和第二厚度的不同厚度。第二厚度大于第一厚度。優(yōu)選地，被形成為具有第二厚度的柵極多晶氧化物層僅位于半導(dǎo)體襯底的被制成非晶態(tài)的部分上。
優(yōu)選地，柵極多晶氧化物層的第一厚度為10-50。優(yōu)選地，柵極多晶氧化物層的第二厚度比柵極多晶氧化物層的第一厚度大6倍。
優(yōu)選地，在將柵極多晶氧化物層沉積到半導(dǎo)體襯底的整個(gè)表面上后，還在柵極多晶氧化物層上形成中溫氧化物(MTO)層。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供制造MOS晶體管的另一方法。在半導(dǎo)體襯底上形成柵極氧化物層構(gòu)圖和柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖。在柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖上，將掩蔽層構(gòu)圖形成為具有大于柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖的尺寸。利用掩蔽層構(gòu)圖將半導(dǎo)體襯底形成為非晶的。除去掩蔽層構(gòu)圖，并在半導(dǎo)體襯底的整個(gè)表面上沉積柵極多晶氧化物層。柵極隔離層沉積在柵極多晶氧化物層上，柵極隔離通過(guò)各向異性蝕刻?hào)艠O隔離層和柵極多晶氧化物層形成。在半導(dǎo)體襯底上形成源極/漏極區(qū)。
優(yōu)選地，形成掩蔽層構(gòu)圖的步驟包括在柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖上形成防反射涂層(ARC)，以及通過(guò)非對(duì)稱(skew-etching)蝕刻構(gòu)圖柵極氧化物層構(gòu)圖和柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖，使得柵極氧化物層構(gòu)圖和柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖具有比ARC層構(gòu)圖的頂面小的尺寸。
優(yōu)選地，使半導(dǎo)體襯底非晶化的步驟通過(guò)將掩蔽層構(gòu)圖用作離子注入掩膜將Si或Ge離子注入部分半導(dǎo)體襯底內(nèi)而進(jìn)行。
優(yōu)選地，生長(zhǎng)柵極多晶氧化物層以具有包括第一厚度和第二厚度的不同厚度。第二厚度大于第一厚度。
優(yōu)選地，在去除掩蔽層構(gòu)圖和沉積柵極多晶氧化物層之后，進(jìn)一步在柵極多晶氧化物層上形成中溫氧化物(MTO)層。
根據(jù)本發(fā)明另一方面，制備一種MOS晶體管。該晶體管包括形成在半導(dǎo)體襯底上的柵極氧化物層構(gòu)圖和柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖、形成在柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖側(cè)壁上的柵極間隔層。形成柵極多晶氧化物層，以在半導(dǎo)體襯底和柵極間隔層底面之間具有包括第一厚度和第二厚度的不同厚度。在半導(dǎo)體襯底上形成源極/漏極區(qū)。
優(yōu)選地，第二厚度是柵極間隔層側(cè)壁上的柵極多晶氧化物層的厚度。優(yōu)選地，柵極多晶氧化物層的第二厚度大于柵極多晶氧化物層的第一厚度。
根據(jù)本發(fā)明，可以在半導(dǎo)體襯底上厚厚地形成柵極多晶氧化物層，該半導(dǎo)體襯底通過(guò)在蝕刻?hào)艠O間隔的工藝過(guò)程中使半導(dǎo)體襯底的暴露部分非晶化而非晶化。因而，可以防止對(duì)半導(dǎo)體襯底的損傷，如半導(dǎo)體襯底的蝕坑，并減少蝕坑出現(xiàn)所導(dǎo)致的結(jié)漏電的增加。此外，可以通過(guò)注入低能離子而薄薄地形成結(jié)區(qū)，因而可以提高M(jìn)OS晶體管的性能。


本發(fā)明的前述及其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將因本發(fā)明的參照附圖對(duì)優(yōu)選實(shí)施例的更具體描述而清楚，附圖中相同附圖標(biāo)記表示所有不同視圖中的相同部件。附圖不必按比例而是重點(diǎn)在于說(shuō)明本發(fā)明的原理，其中圖1至4是說(shuō)明制造MOS晶體管的傳統(tǒng)方法的橫截面視圖；圖5至12是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的制造MOS晶體管方法的橫截面視圖；圖12是說(shuō)明通過(guò)根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的制造MOS晶體管方法制造的MOS晶體管結(jié)構(gòu)的橫截面視圖；以及圖13至15是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的制造MOS晶體管方法的橫截面視圖。
具體實(shí)施例方式
附圖中，為了清晰起見，層和區(qū)的厚度被夸大。
圖5至12是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的制造MOS晶體管方法的橫截面視圖，具體地，圖12是說(shuō)明通過(guò)根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的制造MOS晶體管方法制造的MOS晶體管結(jié)構(gòu)的橫截面視圖。制造MOS晶體管的方法將首先參照?qǐng)D5至12說(shuō)明，然后將參照?qǐng)D12描述MOS晶體管的結(jié)構(gòu)。
圖5是說(shuō)明形成柵極氧化物層構(gòu)圖和柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖步驟的橫截面視圖。參照?qǐng)D5，柵極氧化物層構(gòu)圖210和柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖220形成在半導(dǎo)體襯底100上，在該半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成有淺槽隔離(STI)110。
然后，如圖6和7所示，在半導(dǎo)體襯底100的預(yù)定部分和柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖220上形成掩蔽層構(gòu)圖235。圖6是說(shuō)明在半導(dǎo)體襯底100的整個(gè)表面上沉積光致抗蝕劑層230，使得柵極氧化物層構(gòu)圖210和柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖220被光致抗蝕劑層230完全覆蓋的步驟。光致抗蝕劑層230被用來(lái)形成掩蔽層構(gòu)圖235。接著，構(gòu)圖光致抗蝕劑層230，籍此形成掩蔽層構(gòu)圖235，如圖7所示。掩蔽層構(gòu)圖235被形成得具有一大于柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖的尺寸，使得掩蔽層構(gòu)圖235完全覆蓋柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖220。優(yōu)選地，掩蔽層構(gòu)圖235可以是光致抗蝕劑層構(gòu)圖。優(yōu)選地，柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖220與掩蔽層構(gòu)圖235的側(cè)壁之間的距離M為60-140(見圖8)。
圖8是說(shuō)明將掩蔽層構(gòu)圖235用作離子注入掩膜使半導(dǎo)體襯底100非晶化步驟的橫截面視圖。參照?qǐng)D8，通過(guò)將Si或Ge離子注入到半導(dǎo)體襯底100的預(yù)定部分237內(nèi)，半導(dǎo)體襯底100的預(yù)定部分237被制成非晶的。即，除半導(dǎo)體襯底100的位于掩蔽層構(gòu)圖235下的部分外，Si或Ge離子被注入到半導(dǎo)體襯底100的整個(gè)表面內(nèi)。
接著，除去掩蔽層構(gòu)圖235，然后，如圖9所示，在半導(dǎo)體襯底100的整個(gè)表面上生長(zhǎng)柵極多晶氧化物層240。形成柵極多晶氧化物層240，使得柵極多晶氧化物層240在半導(dǎo)體襯底100的不同部分不同。即，柵極多晶氧化物層240在半導(dǎo)體襯底100的未被制成非晶態(tài)的部分和柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖220上，形成第一厚度T1，而在半導(dǎo)體襯底的已經(jīng)被形成為非晶的其它部分上，形成第二厚度T2。優(yōu)選地，第一厚度T1為10-50。優(yōu)選地，第二厚度T2比第一厚度T1大6倍。
接著，如圖10所示，在柵極多晶氧化物層240上沉積中溫氧化物(MTO)層250。引入MTO層250以獲得柵極間隔的形成中所需的蝕刻邊。隨著MTO層250的厚度增加，獲得更大的蝕刻邊。然而，如果MTO層250過(guò)厚，則晶體管的尺寸增加，因而在增加MTO層250的厚度上存在限制。
接著，如圖11所示，在MTO層250上沉積柵極間隔層260。柵極間隔層260優(yōu)選地由氮化物層或氧化物層制成。然后，各向異性蝕刻?hào)艠O間隔層260、MTO層250和柵極多晶氧化物層240，從而形成柵極間隔。在各向異性蝕刻過(guò)程中，不發(fā)生對(duì)半導(dǎo)體襯底的損傷。即，因?yàn)樵诎雽?dǎo)體襯底100上形成至第二厚度T2的柵極多晶氧化物層240足夠厚，所以半導(dǎo)體襯底100被保護(hù)而不受各向異性蝕刻，使得可以防止蝕坑在半導(dǎo)體襯底上出現(xiàn)。如果在半導(dǎo)體襯底100的未被制成非晶態(tài)的部分上形成的柵極多晶氧化物層240不大于30厚，則可能更有效地保護(hù)半導(dǎo)體襯底100，并完全防止蝕坑出現(xiàn)。
接著，如圖12所示，在半導(dǎo)體襯底100上形成柵極/漏極區(qū)300。
圖12是說(shuō)明通過(guò)根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的制造MOS晶體管方法制造的MOS晶體管結(jié)構(gòu)的橫截面視圖。參照?qǐng)D12，MOS晶體管包括柵極氧化物層構(gòu)圖210、柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖220、形成在柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖220側(cè)壁上的柵極間隔層260、被形成為在半導(dǎo)體襯底100的不同部分上具有不同厚度(即，第一厚度T1和第二厚度T2)的柵極多晶氧化物層240、間插在柵極多晶氧化物層240和柵極間隔層260之間的MTO層250，以及在半導(dǎo)體襯底100上形成的源極/漏極區(qū)。
第二厚度T2表示柵極隔離層260側(cè)壁上的柵極多晶氧化物層的厚度。隨著柵極間隔層260和半導(dǎo)體襯底100之間形成的柵極多晶氧化物層240的第二厚度T2增加，更加易于防止由形成柵極間隔的蝕刻導(dǎo)致的對(duì)半導(dǎo)體襯底100的損傷。柵極多晶氧化物層240的第二厚度T2優(yōu)選地大于柵極多晶氧化物層240的第一厚度T1。柵極多晶氧化物層240的第二厚度T2優(yōu)選地比柵極多晶氧化物層240的第一厚度T1大6倍。柵極間隔層260優(yōu)選地由氮化物層或氧化物層形成。
圖13至15是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的形成MOS晶體管方法的橫截面視圖。除形成掩蔽層構(gòu)圖的步驟外，本實(shí)施例與前面的實(shí)施例相同，該掩蔽層構(gòu)圖用于使半導(dǎo)體襯底的預(yù)定部分非晶化。
圖13是說(shuō)明形成柵極氧化物層構(gòu)圖1210、柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖1220和防反射涂(ARC)層1230的步驟的橫截面視圖。參照?qǐng)D13，柵極氧化物層構(gòu)圖1210、柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖1220和ARC層1230形成在半導(dǎo)體襯底1100上，在該襯底內(nèi)形成有淺槽隔離(STI)1110。
接著，如圖14所示，柵極氧化物層構(gòu)圖1210和柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖1220被非均勻刻蝕，從而形成掩蔽層構(gòu)圖1235。柵極氧化物層構(gòu)圖1210和柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖1220的側(cè)壁被蝕刻，使得掩蔽層構(gòu)圖1235完全覆蓋柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖1220的頂面。優(yōu)選地，柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖1220的側(cè)壁與掩蔽層構(gòu)圖1235的側(cè)壁隔開60-140。
圖15是說(shuō)明將掩蔽層構(gòu)圖1235用作離子注入掩膜來(lái)使半導(dǎo)體襯底1100預(yù)定部分非晶化的步驟的橫截面視圖。參照?qǐng)D15，半導(dǎo)體襯底1100的預(yù)定部分通過(guò)將Si或Ge離子注入到半導(dǎo)體襯底1100的預(yù)定部分內(nèi)而被制成非晶的。接著，除去掩蔽層構(gòu)圖1235。
接著，除去掩蔽層構(gòu)圖1235之后的工藝與本發(fā)明第一實(shí)施例的相同。也即，圖9所示的沉積柵極多晶氧化物層240的步驟至圖12所示的形成源極/漏極區(qū)300的步驟可直接應(yīng)用于本發(fā)明的第二實(shí)施例。
雖然本發(fā)明已經(jīng)參照其優(yōu)選實(shí)施例得以具體顯示和說(shuō)明，但是，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言明顯的是，在不脫離所附權(quán)利要求確定的本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和范圍的情況下，可以作出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
權(quán)利要求
1.一種制造MOS晶體管的方法，包括(a)在半導(dǎo)體襯底上形成柵極氧化物層構(gòu)圖和柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖；(b)在半導(dǎo)體襯底和柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖上形成掩蔽層構(gòu)圖，使得柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖完全被掩蔽層構(gòu)圖覆蓋；(c)利用掩蔽層構(gòu)圖將半導(dǎo)體襯底制成非晶的；(d)除去掩蔽層構(gòu)圖并在半導(dǎo)體襯底的整個(gè)表面上沉積柵極多晶氧化物層；(e)在柵極多晶氧化物層上沉積柵極間隔層，并通過(guò)各向異性蝕刻?hào)艠O間隔層和柵極多晶氧化物層而形成柵極間隔；以及(f)在半導(dǎo)體襯底上形成源極/漏極區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖的側(cè)壁與掩蔽層構(gòu)圖的側(cè)壁間隔60-140。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，掩蔽層構(gòu)圖是光致抗蝕劑構(gòu)圖。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過(guò)將掩蔽層構(gòu)圖用作離子注入掩膜來(lái)將Si和Ge離子中的至少一種注入到部分半導(dǎo)體襯底內(nèi)而進(jìn)行步驟(c)。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，柵極多晶氧化物層被生長(zhǎng)而具有包括第一厚度和第二厚度的不同厚度。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，僅在半導(dǎo)體襯底的已被制成非晶的部分上將柵極多晶氧化物層形成至第二厚度。
7.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，柵極多晶氧化物層的第一厚度為10-50。
8.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，柵極多晶氧化物層的第二厚度比柵極多晶氧化物層的第一厚度大6倍。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在步驟(d)之后在柵極多晶氧化物層上形成中溫氧化物層。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，柵極間隔層由氮化物層或氧化物層形成。
11.一種制造MOS晶體管的方法，包括(a)在半導(dǎo)體襯底上形成柵極氧化物層構(gòu)圖和柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖；(b)在柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖上形成掩蔽層構(gòu)圖，以具有大于柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖的尺寸；(c)利用掩蔽層構(gòu)圖將半導(dǎo)體襯底制成非晶的；(d)除去掩蔽層構(gòu)圖并在半導(dǎo)體襯底的整個(gè)表面上沉積柵極多晶氧化物層；(e)在柵極多晶氧化物層上沉積柵極間隔層，并通過(guò)各向異性蝕刻?hào)艠O間隔層和柵極多晶氧化物層而形成柵極間隔；以及(f)在半導(dǎo)體襯底上形成源極/漏極區(qū)。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖的側(cè)壁與掩蔽層構(gòu)圖的側(cè)壁間隔60-140。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，步驟(b)包括在柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖上形成防反射涂層；以及通過(guò)非均勻蝕刻來(lái)構(gòu)圖柵極氧化物層構(gòu)圖和柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖，使得柵極氧化物層構(gòu)圖和柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖具有比防反射涂層構(gòu)圖的頂面小的尺寸。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，通過(guò)將掩蔽層構(gòu)圖用作離子注入掩膜來(lái)將Si和Ge離子中的至少一種注入到部分半導(dǎo)體襯底內(nèi)而進(jìn)行步驟(c)。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，柵極多晶氧化物層被生長(zhǎng)而具有包括第一厚度和第二厚度的不同厚度。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，僅在半導(dǎo)體襯底的已被制成非晶的部分上將柵極多晶氧化物層形成至第二厚度。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，柵極多晶氧化物層的第一厚度為10-50。
18.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，柵極多晶氧化物層的第二厚度比柵極多晶氧化物層的第一厚度大2至6倍。
19.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，還包括在步驟(d)之后在柵極多晶氧化物層上形成中溫氧化物層。
20.一種MOS晶體管，包括在半導(dǎo)體襯底上形成的柵極氧化物層構(gòu)圖和柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖；在柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖的側(cè)壁上形成的柵極間隔層；在半導(dǎo)體襯底和柵極間隔層底部之間的柵極多晶氧化物層，該氧化物層被形成來(lái)具有包括第一厚度和第二厚度的不同厚度；以及形成在半導(dǎo)體襯底上的源極/漏極區(qū)。
21.如權(quán)利要求20所述的MOS晶體管，其特征在于，第二厚度是柵極間隔層側(cè)壁上柵極多晶氧化物層的厚度。
22.如權(quán)利要求20所述的MOS晶體管，其特征在于，柵極多晶氧化物層的第一厚度為10-50。
23.如權(quán)利要求20所述的MOS晶體管，其特征在于，柵極多晶氧化物層的第二厚度大于柵極多晶氧化物層的第一厚度。
24.如權(quán)利要求23所述的MOS晶體管，其特征在于，柵極多晶氧化物層的第二厚度比柵極多晶氧化物層的第一厚度大2至6倍。
25.如權(quán)利要求20所述的MOS晶體管，其特征在于，還包括形成在柵極多晶氧化物層和柵極間隔層之間的中溫氧化物層。
全文摘要
一種MOS晶體管及其制造方法，該晶體管包括在半導(dǎo)體襯底的整個(gè)表面上被形成為具有不同厚度的柵極多晶氧化物層。在半導(dǎo)體襯底上形成柵極氧化物層構(gòu)圖和柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖。掩蔽層構(gòu)圖形成在半導(dǎo)體襯底和柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖上，使得柵極導(dǎo)電層構(gòu)圖被掩蔽層構(gòu)圖完全覆蓋。利用掩蔽層構(gòu)圖將半導(dǎo)體襯底制成非晶的。除去掩蔽層構(gòu)圖，然后在半導(dǎo)體襯底的整個(gè)表面上沉積柵極多晶氧化物層。柵極間隔層沉積在柵極多晶氧化物層上，且通過(guò)各向異性蝕刻?hào)艠O間隔層和柵極多晶氧化物層而形成柵極間隔。在半導(dǎo)體襯底上形成源極/漏極區(qū)。因而，可以防止對(duì)半導(dǎo)體襯底的損傷，可以較薄地形成結(jié)區(qū)并提高M(jìn)OS晶體管的性能。
文檔編號(hào)H01L21/265GK1399319SQ0210677
公開日2003年2月26日 申請(qǐng)日期2002年3月7日 優(yōu)先權(quán)日2001年7月19日
發(fā)明者李東勛 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社