專利名稱：利用疊構(gòu)式光阻影像轉(zhuǎn)移的封裝用載板制程的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于電子元件封裝件制造方法，特別是一種利用疊構(gòu)式光阻影像轉(zhuǎn)移的封裝用載板制程。
習(xí)用的封裝載板制作，除于其上設(shè)置細(xì)密的圖案化線路外，且于導(dǎo)線線路上各I/O接點(diǎn)(如Bonding Pad、Bump Pad及Ball pad等)為提升其與晶片或焊接凸塊等電性連接的穩(wěn)固性及防止銅質(zhì)導(dǎo)線線路氧化，需再經(jīng)鍍鎳金層及印制防焊阻劑等表面處理(Surface Finish)制程，以確保載板導(dǎo)線線路的安定性。
如

圖10所示，習(xí)知電鍍鎳金表面處理的作法概系于具圖案化銅質(zhì)線路的載板20表面上施作圖案化防焊阻劑(Solder Resist)之后，利用其線路中預(yù)設(shè)的延伸至載板周圍的電鍍導(dǎo)線(Plating Bus)21作為電鍍的導(dǎo)電路徑進(jìn)行電鍍。使載板20上外露于防焊阻劑外的各I/O接點(diǎn)22上鍍設(shè)一層特定厚度的鎳金層。
前述鍍鎳金表面處理的制程作法雖可達(dá)到在導(dǎo)線線路上各I/O接點(diǎn)鍍設(shè)鎳金層的目的，然而，習(xí)知電鍍鎳金表面處理的作法，為利于電鍍的進(jìn)行，需令其所有I/O接點(diǎn)另設(shè)電鍍導(dǎo)線延伸至載板周圍作為電鍍的導(dǎo)電路徑，因此，此復(fù)數(shù)預(yù)設(shè)電鍍導(dǎo)線將占據(jù)載板上可布線的空間，相對減少高密度載板布線的可利用空間，致使其布線密度無法提升。另一方面，電子產(chǎn)品于作用時(shí)，電鍍導(dǎo)線易受側(cè)鄰導(dǎo)線線路訊號傳輸?shù)挠绊懚鸶袘?yīng)作用，于電鍍導(dǎo)線末端形成訊號回溯，產(chǎn)生干擾雜訊的問題，從而降低該電子產(chǎn)品的功能品質(zhì)。
因此，目前業(yè)界另有人采取FBG(Full Body Gold)制程生產(chǎn)載板產(chǎn)品，以適應(yīng)時(shí)代需求。FBG制程系令載板基材全面鍍金后，經(jīng)蝕刻制程產(chǎn)生圖案化的導(dǎo)線線路，再覆蓋防焊阻劑的工法設(shè)計(jì)。
所述FBG制程工法雖為無電鍍導(dǎo)線(Busless Plating)設(shè)計(jì)，可提高其布線密度及解決雜訊回溯等相關(guān)問題。然而，此種制程系采取全圖案鍍金導(dǎo)線線路設(shè)計(jì)，其鍍金面積約為前述制程的4-5倍，而金為貴金屬，相對造成成本高漲問題，而且因金與防焊阻劑間的結(jié)合力不及銅面與防焊阻劑間的結(jié)合力，導(dǎo)致封裝載板易出現(xiàn)防焊阻劑剝離的情形，其產(chǎn)品可靠度為業(yè)界所擔(dān)心。
本發(fā)明包括于載板基材表面上設(shè)置薄底銅層；以第一次光阻影像轉(zhuǎn)移手段定義出導(dǎo)體線路的鍍銅區(qū)域；于鍍銅區(qū)域鍍銅；以第二次光阻影像轉(zhuǎn)移手段定義出I/O接點(diǎn)鍍鎳金區(qū)域；于各I/O接點(diǎn)上電鍍鎳金；剝除光阻；蝕除線路間相連的薄底銅層；印制圖案化的防焊阻劑。
其中設(shè)置薄底銅層步驟中，系為于載板基板表面被覆銅層后，利用降低其厚度的技術(shù)手段而成為極薄的底銅層。
設(shè)置薄底銅層步驟中，設(shè)于載板基材表面上的薄底銅層的厚度約1～5μm為最佳。
設(shè)置薄底銅層步驟中，系以研磨的技術(shù)手段降低其厚度而成為極薄的底銅層。
設(shè)置薄底銅層步驟中，系以化學(xué)蝕刻的技術(shù)手段降低其厚度而成為極薄的底銅層。
以第一、二光阻影像轉(zhuǎn)移步驟中，影像轉(zhuǎn)移的第一、二光阻的材料為干膜。
以第一、二光阻影像轉(zhuǎn)移步驟中，影像轉(zhuǎn)移的第一、二光阻的材料為濕膜。
以第一、二光阻影像轉(zhuǎn)移步驟中，影像轉(zhuǎn)移的第一、二光阻的材料為防焊材。
以第一、二光阻影像轉(zhuǎn)移步驟中，影像轉(zhuǎn)移的第一、二光阻的材料為可移除的感光型樹脂。
剝除光阻步驟中，系為一并移除第一、二次光阻影像轉(zhuǎn)手段的重疊光阻。
由于本發(fā)明包括于載板基材表面上設(shè)置薄底銅層；以第一次光阻影像轉(zhuǎn)移手段定義出導(dǎo)體線路的鍍銅區(qū)域；于鍍銅區(qū)域鍍銅；以第二次光阻影像轉(zhuǎn)移手段定義出I/O接點(diǎn)鍍鎳金區(qū)域；于各I/O接點(diǎn)上電鍍鎳金；剝除光阻；蝕除線路間相連的薄底銅層；印制圖案化的防焊阻劑。本發(fā)明的制程結(jié)束后，即完全移除載板基材上的電鍍導(dǎo)線，僅留導(dǎo)體線路，更可多出空間增加其它I/O布局需求的應(yīng)用，在不改變載板面積下，增加其布線密度，以符合高密度載板時(shí)代需求，且本發(fā)明既已移除電鍍導(dǎo)線，同時(shí)解決習(xí)用制程中因電鍍導(dǎo)線末端訊號回溯產(chǎn)生干擾雜訊的問題；并僅于露出防焊阻劑外的各I/O接點(diǎn)鍍上鎳金層，不但可省下大量鍍金成本，且系以潛藏于防焊阻劑下方的線路及大銅面直接與防焊阻劑接觸，結(jié)合力大，提高產(chǎn)品可靠度。不僅無電鍍導(dǎo)線、提高載板布線密度、降低成本，而且杜絕防焊阻劑剝離、改善電子產(chǎn)品功能品質(zhì)，從而達(dá)到本發(fā)明的目的。
圖2、為本發(fā)明以第一光阻影像轉(zhuǎn)移示意圖。
圖3、為本發(fā)明鍍設(shè)銅層示意圖。
圖4、為本發(fā)明以第二光阻影像轉(zhuǎn)移示意圖。
圖5、為本發(fā)明鍍鎳金層示意圖。
圖6、為本發(fā)明剝除光阻示意圖。
圖7、為本發(fā)明蝕刻薄底銅層示意圖。
圖8、為本發(fā)明印制防焊阻劑示意圖。
圖9、為以本發(fā)明制造的載板局部平面示意圖。
圖10、為以習(xí)知具電鍍導(dǎo)線制造方法制造的載板局部平面示意圖。
以第一光阻影像轉(zhuǎn)移如圖2所示，以第一次光阻12影像轉(zhuǎn)移手段定義出導(dǎo)體線路的鍍銅區(qū)域1A；影像轉(zhuǎn)移光阻12可資利用的材料為干膜(Dry Film)、濕膜(Liquid Film)、防焊材(So1der Mask)或?yàn)榭梢瞥母泄庑蜆渲?Removable UV CuringResin)、...等；鍍設(shè)銅層如圖3所示，于鍍銅區(qū)域1A鍍設(shè)構(gòu)成導(dǎo)體線路的銅層13；以第二光阻影像轉(zhuǎn)移如圖4所示，以第二次光阻14影像轉(zhuǎn)移手段定義出I/O接點(diǎn)15預(yù)定鍍鎳金區(qū)域1B；影像轉(zhuǎn)移光阻14可資利用的材料為干膜(Dry Film)、濕膜(LiquidFilm)、防焊材(Solder Mask)或?yàn)榭梢瞥母泄庑蜆渲?Removable UV CuringRes in)、...等；鍍鎳金層如圖5所示，于各I/O接點(diǎn)15上電鍍鎳金層16；
剝除光阻如圖6所示，剝除光阻12、14系為一并移除第一次及第二次光阻影像轉(zhuǎn)手段的重疊光阻12、14；蝕刻薄底銅層如圖7所示，蝕除線路間相連處厚度約1-5μm的薄底銅層11，故利于蝕除連接于線路間的薄底銅層11；印制防焊阻劑如圖8所示，印制圖案化的防焊阻劑17，便完成封裝載板的制作。
如上所述，本發(fā)明系利用第一次光阻影像轉(zhuǎn)移手段定義出導(dǎo)體鍍銅，第二次光阻影像轉(zhuǎn)移手段于預(yù)定電鍍鎳金表面處理的區(qū)域位置并予電鍍鎳金層后，再行被覆防焊阻劑，使載板在此疊構(gòu)式光阻影像轉(zhuǎn)移技術(shù)手段下，完成其無電鍍導(dǎo)線及防焊阻劑下方無鍍鎳金的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明與前述兩種習(xí)用制程相比較，具有如下優(yōu)點(diǎn)1、如圖9所示，本發(fā)明與習(xí)用第一種具電鍍導(dǎo)線的制程比較，本發(fā)明的制程結(jié)束后即完全移除載板基材10上的電鍍導(dǎo)線，僅留導(dǎo)體線路18，更可多出空間增加其它I/O布局需求的應(yīng)用，在不改變載板面積下，增加其布線密度，以符合高密度載板時(shí)代需求，且本發(fā)明既已移除電鍍導(dǎo)線，同時(shí)解決習(xí)用制程中因電鍍導(dǎo)線末端訊號回溯產(chǎn)生干擾雜訊的問題。
2、本發(fā)明與習(xí)用第二種無電鍍導(dǎo)線的制程比較，本發(fā)明的制程僅于露出防焊阻劑外的各I/O接點(diǎn)鍍上鎳金層，相較于第二種全面鍍金的FBG制程，不但可省下大量鍍金成本，且系以潛藏于防焊阻劑下方的線路及大銅面直接與防焊阻劑接觸，使其結(jié)合力遠(yuǎn)優(yōu)于以金面與防焊阻劑接觸的FBG制程產(chǎn)品，且更可提高產(chǎn)品可靠度。
權(quán)利要求
1.一種利用疊構(gòu)式光阻影像轉(zhuǎn)移的封裝用載板制程，其特征在于它包括于載板基材表面上設(shè)置薄底銅層；以第一次光阻影像轉(zhuǎn)移手段定義出導(dǎo)體線路的鍍銅區(qū)域；于鍍銅區(qū)域鍍銅；以第二次光阻影像轉(zhuǎn)移手段定義出I/O接點(diǎn)鍍鎳金區(qū)域；于各I/O接點(diǎn)上電鍍鎳金；剝除光阻；蝕除線路間相連的薄底銅層；印制圖案化的防焊阻劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用疊構(gòu)式光阻影像轉(zhuǎn)移的封裝用載板制程，其特征在于所述的設(shè)置薄底銅層步驟中，系為于載板基板表面被覆銅層后，利用降低其厚度的技術(shù)手段而成為極薄的底銅層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的利用疊構(gòu)式光阻影像轉(zhuǎn)移的封裝用載板制程，其特征在于所述的設(shè)置薄底銅層步驟中，設(shè)于載板基材表面上的薄底銅層的厚度約1～5μm為最佳。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的利用疊構(gòu)式光阻影像轉(zhuǎn)移的封裝用載板制程，其特征在于所述的設(shè)置薄底銅層步驟中，系以研磨的技術(shù)手段降低其厚度而成為極薄的底銅層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的利用疊構(gòu)式光阻影像轉(zhuǎn)移的封裝用載板制程，其特征在于所述的設(shè)置薄底銅層步驟中，系以化學(xué)蝕刻的技術(shù)手段降低其厚度而成為極薄的底銅層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用疊構(gòu)式光阻影像轉(zhuǎn)移的封裝用載板制程，其特征在于所述的以第一、二光阻影像轉(zhuǎn)移步驟中，影像轉(zhuǎn)移的第一、二光阻的材料為干膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用疊構(gòu)式光阻影像轉(zhuǎn)移的封裝用載板制程，其特征在于所述的以第一、二光阻影像轉(zhuǎn)移步驟中，影像轉(zhuǎn)移的第一、二光阻的材料為濕膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用疊構(gòu)式光阻影像轉(zhuǎn)移的封裝用載板制程，其特征在于所述的以第一、二光阻影像轉(zhuǎn)移步驟中，影像轉(zhuǎn)移的第一、二光阻的材料為防焊材。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用疊構(gòu)式光阻影像轉(zhuǎn)移的封裝用載板制程，其特征在于所述的以第一、二光阻影像轉(zhuǎn)移步驟中，影像轉(zhuǎn)移的第一、二光阻的材料為可移除的感光型樹脂。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用疊構(gòu)式光阻影像轉(zhuǎn)移的封裝用載板制程，其特征在于所述的剝除光阻步驟中，系為一并移除第一、二次光阻影像轉(zhuǎn)手段的重疊光阻。
全文摘要
一種利用疊構(gòu)式光阻影像轉(zhuǎn)移的封裝用載板制程。為提供一種無電鍍導(dǎo)線、提高載板布線密度、降低成本、杜絕防焊阻劑剝離、改善電子產(chǎn)品功能品質(zhì)的電子元件封裝件制造方法，提出本發(fā)明，它包括于載板基材表面上設(shè)置薄底銅層；以第一次光阻影像轉(zhuǎn)移手段定義出導(dǎo)體線路的鍍銅區(qū)域；于鍍銅區(qū)域鍍銅；以第二次光阻影像轉(zhuǎn)移手段定義出I/O接點(diǎn)鍍鎳金區(qū)域；于各I/O接點(diǎn)上電鍍鎳金；剝除光阻；蝕除線路間相連的薄底銅層；印制圖案化的防焊阻劑。
文檔編號H01L23/12GK1459838SQ0212025
公開日2003年12月3日 申請日期2002年5月17日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月17日
發(fā)明者黃勝川 申請人:景碩科技股份有限公司