專利名稱：分離柵極快閃存儲(chǔ)單元的復(fù)晶硅間隙壁的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種分離柵極快閃存儲(chǔ)單元(Split Gate Flash Cell)制作工藝，特別是有關(guān)于一種分離柵極快閃存儲(chǔ)單元的復(fù)晶硅間隙壁(Polysicilion Spacer)的制造方法。
隨著，信息家電(IA)以及筆記型計(jì)算機(jī)、通訊器材等可便攜式電子組件普及化，因而對(duì)可電除可編程只讀存儲(chǔ)器及閃存等存取功能如同磁盤驅(qū)動(dòng)器的內(nèi)存的需求量大幅增加。其中，可電除可編程只讀存儲(chǔ)器與閃存最大的差異在于，可電除可編程只讀存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)的存取以一個(gè)位(Bit)為單位，而閃存的數(shù)據(jù)的存取則以一個(gè)區(qū)段(Block)為單位。相較之下，閃存的數(shù)據(jù)存取速度遠(yuǎn)大于可電除可編程只讀存儲(chǔ)器。因此，閃存廣泛地應(yīng)用于數(shù)據(jù)儲(chǔ)存系統(tǒng)中。
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圖1至圖10，其繪示公知制造分離柵極快閃存儲(chǔ)單元的復(fù)晶硅間隙壁的剖面流程圖。首先，在半導(dǎo)體和基材100上依序覆蓋氧化層102以及復(fù)晶硅層104，形成如圖1所示的堆棧結(jié)構(gòu)。其中，上述的氧化層102以及復(fù)晶硅層104為用以制作浮柵極(FloatingGate)的材料層。再形成氮化層106覆蓋在復(fù)晶硅層104上，并定義此氮化層106，而移除部分的氮化層106以及部分的復(fù)晶硅層104，借此以形成開口108。其中，開口108用以制作部分的內(nèi)存柵極組件的區(qū)域，而且復(fù)晶硅層104區(qū)域內(nèi)的開口108的側(cè)壁成傾斜狀，而形成凹槽狀結(jié)構(gòu)，如圖2所示的結(jié)構(gòu)。
接著，在開口108形成氮化層間隙壁109。之后，再形成氧化層間隙壁110，如圖3所示的結(jié)構(gòu)。使用例如微影以及蝕刻制作工藝去除部分的復(fù)晶硅層104，并暴露出部分的氧化層102。接著，形成氧化層間隙壁114，并暴露出部分的基材100。然后再進(jìn)行離子注入步驟，借以形成源極區(qū)112，如圖4所示的結(jié)構(gòu)。
之后，形成復(fù)晶硅層116覆蓋在部分的氧化層間隙壁110、氧化層間隙壁114、以及部分的基材100上。再次利用例如回蝕刻的方式去除多余的復(fù)晶硅層116，而僅留下開口108內(nèi)的復(fù)晶硅層116。此時(shí)，已完成了閃存的源極區(qū)112的內(nèi)部聯(lián)機(jī)布植。利用例如熱氧化的方式進(jìn)行復(fù)晶硅層116表面的氧化，借此以在復(fù)晶硅層116的表面形成氧化層118。待氧化層118形成后，去除其余的氮化層106、部分的復(fù)晶硅層104、部分的氧化層102、以及氮化層間隙壁109，而完成分離柵極快閃存儲(chǔ)單元的預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)117，如圖5所示。
然后，形成氧化層120覆蓋在預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)117以及基材100上。再形成復(fù)晶硅層122覆蓋在氧化層120上，其中復(fù)晶硅層122用以作為后來所制作的間隙壁的材料。此時(shí)，便可進(jìn)行預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)117所在的柵極區(qū)域的圖案化，而形成如圖6所示的結(jié)構(gòu)。而經(jīng)圖案化后，會(huì)使復(fù)晶硅層122以及氧化層120產(chǎn)生傾斜狀的側(cè)壁124，如圖6所示的結(jié)構(gòu)。
當(dāng)于基材100的另一部分上形成邏輯(Logic)柵極(未繪示)時(shí)，會(huì)依序沉積氧化硅、復(fù)晶硅、以及氮氧化硅(SiON)等材料層。在完成邏輯柵極后，仍有部分的氧化硅覆蓋在預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)117上的復(fù)晶硅層122上，形成氧化層126，而部分的復(fù)晶硅也會(huì)殘留在側(cè)壁124旁，形成復(fù)晶硅層128，如圖7所示。此時(shí)，先利用微影以及蝕刻制作工藝去除所殘留的部分復(fù)晶硅層128。并同時(shí)進(jìn)行回蝕刻步驟，而將部分的氧化層126以及部分的復(fù)晶硅層122去除，借此在預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)117旁形成復(fù)晶硅間隙壁130。由于預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)117及氧化層126的結(jié)構(gòu)和回蝕刻的交互作用，而導(dǎo)致在所形成的復(fù)晶硅間隙壁130的表面上產(chǎn)生凹陷區(qū)132，進(jìn)而嚴(yán)重影響存儲(chǔ)單元119的電性穩(wěn)定度，并導(dǎo)致可靠度的大幅下降。此外，當(dāng)復(fù)晶硅間隙壁130制作完成后，仍有一部分的氧化層126以及復(fù)晶硅層128殘留，如圖8所示的結(jié)構(gòu)。另一方面，由于氧化層126在制造邏輯柵極時(shí)所形成，因此造成氧化層126的厚度在存儲(chǔ)單元119的兩端較薄。因而在存儲(chǔ)單元的兩端的操作區(qū)(Operation Domain；OD)上，導(dǎo)致蝕刻劑深入并蝕刻基材100而形成孔洞等缺陷。
于是，在進(jìn)行后續(xù)的制作工藝步驟前，必須先借此助額外的光罩(未繪示)來進(jìn)行殘留的氧化層126以及復(fù)晶硅層128的去除。先在圖8的存儲(chǔ)單元119的結(jié)構(gòu)上涂布光阻層134，再利用光罩對(duì)光阻層134進(jìn)行曝光以及顯影步驟，而將覆蓋在殘留的氧化層126以及復(fù)晶硅層128上的光阻層134去除，借此以將殘留的氧化層126、復(fù)晶硅層128、以及部分的氧化層120暴露出來，如圖9所示。此時(shí)，利用剩下來的光阻層134當(dāng)作罩幕，先對(duì)氧化層126以及所暴露的氧化層120進(jìn)行濕式浸泡(Wet Dip)步驟，而將氧化層126以及暴露的氧化層120去除。再次利用剩下來的光阻層134當(dāng)作罩幕，而以例如干式蝕刻的方式，將復(fù)晶硅層128去除。完成殘留的氧化層126以及復(fù)晶硅層128的去除后，便可將光阻層134予以剝除。然后，可進(jìn)行后續(xù)的制作工藝步驟，以完成分離柵極閃存的存儲(chǔ)單元119的制作。
因此，本發(fā)明的主要目的為提供一種分離柵極快閃存儲(chǔ)單元的復(fù)晶硅間隙壁的制造方法，其在快閃存儲(chǔ)單元的主體結(jié)構(gòu)上的復(fù)晶硅層上，覆蓋一層由氮氧化硅(SiON)或氮化硅所組成的硬罩幕層。通過此額外注入的硬罩幕層，可在蝕刻復(fù)晶硅層以形成間隙壁的過程中，不須額外使用光罩來去除柵極區(qū)兩旁的材料殘余，降低成本。而且，更可避免在基材中形成孔洞，而提升制作工藝的可靠度。
本發(fā)明的再一目的就是通過在制造分離柵極快閃存儲(chǔ)單元的復(fù)晶硅間隙壁期間，使用氧等離子體在復(fù)晶硅層上形成氧化硬罩幕。通過，適時(shí)提供的氧化硬罩幕，可先對(duì)復(fù)晶硅層的蝕刻表面進(jìn)行修整，再完成后續(xù)之間隙壁蝕刻。因此，可獲得結(jié)構(gòu)近似方形的間隙壁，而改善存儲(chǔ)元件的電性表現(xiàn)。而且，所形成的方形間隙壁結(jié)構(gòu)可進(jìn)一步地防止后續(xù)的離子被植入而穿透進(jìn)入基材中，并避免存儲(chǔ)元件因電性阻絕不良而產(chǎn)生意外導(dǎo)通的現(xiàn)象。
根據(jù)以上所述的主要目的，本發(fā)明更提供了一種分離柵極快閃存儲(chǔ)單元的復(fù)晶硅間隙壁的制造方法，至少包括提供一基材，其中此基材的一部分上形成有上述的分離柵極快閃存儲(chǔ)單元的一預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)；形成一復(fù)晶硅層覆蓋在上述的基材以及分離柵極快閃存儲(chǔ)單元的預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)上；形成一硬罩幕層覆蓋在上述的復(fù)晶硅層上；進(jìn)行一定義步驟，借此以去除部分的復(fù)晶硅層以及部分的硬罩幕層，而暴露出基材的另一部分；形成一邏輯柵極于基材的另一部分上，并在上述的復(fù)晶硅層的另一部分上形成一第一氧化層；進(jìn)行一第一蝕刻步驟，借此以去除上述的第一氧化層，而約暴露出復(fù)晶硅層的另一部分，其中進(jìn)行此第一蝕刻步驟所使用的氣體為四氟化碳(CF4)；進(jìn)行一第二蝕刻步驟，借此以去除復(fù)晶硅層的另一部分的一部分，其中此第二蝕刻步驟所使用的氣體至少包括四氟化碳、氯氣(Cl2)、溴化氫(HBr)、以及氦氣(He)/氧氣混合氣體；進(jìn)行一等離子體處理，借此以在其余的復(fù)晶硅層上覆蓋一第二氧化層，其中此等離子體處理使用氧氣當(dāng)作反應(yīng)氣體；進(jìn)行一第三蝕刻步驟，借此以去除部分的第二氧化層，其中第三蝕刻步驟的反應(yīng)氣體為四氟化碳；進(jìn)行一第四蝕刻步驟，借此以在上述的分離柵極快閃存儲(chǔ)單元的預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成復(fù)數(shù)個(gè)復(fù)晶硅間隙壁，并產(chǎn)生一殘余物，其中第四蝕刻步驟的反應(yīng)氣體至少包括四氟化碳、氯氣、溴化氫、以及氦氣/氧氣混合氣體；以及進(jìn)行一第五蝕刻步驟，借此以去除上述的殘余物，其中第五蝕刻步驟使用溴化氫以及氦氣/氧氣混合氣體當(dāng)作反應(yīng)氣體。
在閃存組件中，分離柵極閃存組件與堆棧柵極閃存組件相較之下，更為省電，而且集成電路的體積更加微小。因此，目前分離柵極閃存已成為相當(dāng)受歡迎的存儲(chǔ)元件。在分離柵極閃存中，通常利用復(fù)晶硅間隙壁來做為字線(Word Line)，來降低分離柵極閃存的尺寸。
請(qǐng)參照?qǐng)D11至圖20，其繪示本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的制造分離柵極快閃存儲(chǔ)單元的復(fù)晶硅間隙壁的剖面流程圖。首先，提供半導(dǎo)體的基材200，并在基材200上覆蓋依序堆棧的氧化層202以及復(fù)晶硅層204，借此以提供制作浮柵極的材料層，而形成如圖11所示的結(jié)構(gòu)。其中，氧化層202的厚度約為80，而復(fù)晶硅層204的厚度則約為800。再于復(fù)晶硅層204上覆蓋一層氮化層206后，利用例如微影以及蝕刻制作工藝對(duì)氮化層206進(jìn)行定義，而將部分的氮化層206以及部分的復(fù)晶硅層204移除，但并不暴露氧化層202，借此以形成開口208。開口208用以提供制作部分的內(nèi)存柵極組件的區(qū)域。其中，開口208在復(fù)晶硅層204區(qū)域內(nèi)的側(cè)壁成傾斜狀，而使開口208的底部呈現(xiàn)凹槽狀，如圖12所示。
在完成開口208的制作后，在開口208的側(cè)壁形成氮化層間隙壁209。接著，再于氮化層間隙壁209旁形成氧化層間隙壁210，其結(jié)構(gòu)如圖13所示。利用例如微影以及蝕刻制作工藝去除部分的復(fù)晶硅層204，并暴露出部分的氧化層202。再于氧化層間隙壁210旁形成氧化層間隙壁214，并暴露出部分的基材200。然后進(jìn)行離子注入步驟，借此以在基材200中形成源極區(qū)212，而形成如圖14所示的結(jié)構(gòu)。
當(dāng)在開口208的側(cè)壁上制作出氧化層間隙壁214后，形成復(fù)晶硅層216覆蓋在部分的氧化層間隙壁210、氧化層間隙壁214、以及部分的基材200上。再利用例如回蝕刻技術(shù)，移除部分的復(fù)晶硅層216，而僅保留位于開口208內(nèi)的復(fù)晶硅層216，借此以注入出閃存的源極區(qū)212的內(nèi)部聯(lián)機(jī)。此時(shí)，利用例如熱氧化法使復(fù)晶硅層216的表面產(chǎn)生氧化，而在復(fù)晶硅層216的表面上形成氧化層218。當(dāng)氧化層218形成后，去除剩余的氮化層206、部分的復(fù)晶硅層204、部分的氧化層202、以及氮化層間隙壁209，而形成如圖15所示的結(jié)構(gòu)。至此，已完成了分離柵極閃存的存儲(chǔ)單元219(見圖20)的預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)217。
然后，形成氧化層220覆蓋在預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)217以及基材200上。再形成厚度約為1600的復(fù)晶硅層222覆蓋在氧化層220上，其中此復(fù)晶硅層222用來當(dāng)作復(fù)晶硅間隙壁234(見圖20)的材料。接著，在復(fù)晶硅層222上覆蓋一層硬罩幕層224，其中硬罩幕層224用以做為后續(xù)的間隙壁蝕刻的犧牲罩幕，而硬罩幕層224的材料可例如為氮化硅或氮氧化硅等。此時(shí)，便可進(jìn)行柵極區(qū)域的圖案化步驟，而形成如圖16所示的結(jié)構(gòu)。經(jīng)圖案化后，硬罩幕層224、復(fù)晶硅層222、以及氧化層220所構(gòu)成的堆棧結(jié)構(gòu)的側(cè)壁226呈現(xiàn)傾斜狀，如圖16所示。
接下來的制作工藝在基材200的另一部分上制作邏輯柵極(未繪示)，其先在基材200上依序覆蓋氧化硅、復(fù)晶硅、以及氮氧化硅等材料層，再進(jìn)行邏輯柵極的定義以完成邏輯柵極的架構(gòu)。在完成邏輯柵極的定義后，仍有一些氧化硅覆蓋在復(fù)晶硅層222尾端，形成氧化層228，而一些復(fù)晶硅亦會(huì)殘留在側(cè)壁226旁，形成復(fù)晶硅層230，如圖17所示的結(jié)構(gòu)。
接著，進(jìn)行復(fù)晶硅間隙壁234的蝕刻，在此之前，先利用例如微影以及蝕刻制作工藝將殘留的部分復(fù)晶硅層230去除，如圖18所示。首先，進(jìn)行氧化層228的濕式浸泡步驟，而去除氧化層228，再進(jìn)行第一穿透性(Break Through)蝕刻步驟，將硬罩幕層224移除，但仍有部分的硬罩幕層224殘留在側(cè)壁226旁。其中，第一穿透性蝕刻步驟所使用的反應(yīng)氣體可例如為四氟化碳。接著，進(jìn)行第一主要蝕刻步驟，而去除部分的復(fù)晶硅層222，并同時(shí)去除復(fù)晶硅層230。其中，第一主要蝕刻步驟所使用的反應(yīng)氣體可例如至少包括四氟化碳、氯氣、溴化氫、以及氦氣/氧氣混合氣體。
由于，進(jìn)行上述的殘留氧化層228的濕式浸泡步驟時(shí)，可利用硬罩幕層224當(dāng)作保護(hù)層。因此，殘留氧化層228的去除可在復(fù)晶硅間隙壁234形成前進(jìn)行，且不須再多使用一道光罩，可降低成本并減少不必要的程序。此外，在進(jìn)行復(fù)晶硅層222的蝕刻時(shí)，硬罩幕層224可提供基材200的操作區(qū)較為有效的保護(hù)。因此，可避免蝕刻步驟在操作區(qū)上形成孔洞缺陷，進(jìn)而可改善組件的可靠度以及電性穩(wěn)定度。
將部分的復(fù)晶硅層222去除后，先進(jìn)行等離子體處理，借此以在剩余的復(fù)晶硅層222上形成氧化層232，并修補(bǔ)剩余的復(fù)晶硅層222的蝕刻表面，如圖19所示的結(jié)構(gòu)。其中，等離子體處理步驟可使用例如氧氣當(dāng)作反應(yīng)氣體。再進(jìn)行第二穿透性蝕刻步驟，蝕刻部分的氧化層232。其中，第二穿透性蝕刻步驟所使用的反應(yīng)氣體可例如為四氟化碳。隨后，再進(jìn)行第二主要蝕刻步驟，而蝕刻剩余的復(fù)晶硅層222，借此以在預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)217的側(cè)邊形成復(fù)晶硅間隙壁234。其中，第二主要蝕刻步驟所使用的反應(yīng)氣體可例如為四氟化碳、氯氣、溴化氫、以及氦氣/氧氣混合氣體。此時(shí)，尚需進(jìn)行一次蝕刻步驟來去除殘余的復(fù)晶硅。其中，此次的蝕刻步驟所使用的反應(yīng)氣體可例如為溴化氫以及氦氣/氧氣混合氣體。
由于，等離子體處理所形成的氧化層232，可修補(bǔ)第一主要蝕刻步驟在復(fù)晶硅層222上所形成的蝕刻表面，而提供第二主要蝕刻步驟較為平坦的表面。因此，第二主要蝕刻步驟便可在較平坦的表面上進(jìn)行，而避免在復(fù)晶硅間隙壁234上形成凹陷區(qū)，進(jìn)而使復(fù)晶硅間隙壁234的形狀更趨于方形結(jié)構(gòu)，使組件電性穩(wěn)定度獲得改善。
如熟悉此技術(shù)人員所了解的，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用以限定本發(fā)明的專利范圍；凡其它未脫離本發(fā)明所揭示的精神下所完成的等效改變或修飾，均應(yīng)包含在權(quán)利要求書內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種分離柵極快閃存儲(chǔ)單元(Split Gate Flash Cell)的復(fù)晶硅間隙壁(Polysicilion Spacer)的制造方法，其特征在于至少包括提供一基材，其中該基材的一部分上形成有該分離柵極快閃存儲(chǔ)單元的一預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)；形成一復(fù)晶硅層覆蓋在該基材以及該分離柵極快閃存儲(chǔ)單元的該預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)上；形成一硬罩幕(Hard Mask)層覆蓋在該復(fù)晶硅層上；進(jìn)行一定義步驟，借此以去除部分的復(fù)晶硅層以及部分的硬罩幕層，而暴露出該基材的一部分；形成一邏輯(Logic)柵極于該基材的另一部分上，并在該復(fù)晶硅層的一部分上形成一第一氧化層；進(jìn)行一第一蝕刻步驟，借此以去除該第一氧化層，而約暴露出該復(fù)晶硅層的該另一部分；進(jìn)行一第二蝕刻步驟，借此去除該復(fù)晶硅層的該另一部分的一部分；進(jìn)行一等離子體處理，借此在其余的該復(fù)晶硅層上覆蓋一第二氧化層；進(jìn)行一第三蝕刻步驟，借此去除部分的該第二氧化層；進(jìn)行一第四蝕刻步驟，借此在該分離柵極快閃存儲(chǔ)單元的該預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成復(fù)數(shù)個(gè)復(fù)晶硅間隙壁，并形成一殘余物。
2.如權(quán)利要求1所述的分離柵極快閃存儲(chǔ)單元的復(fù)晶硅間隙壁的制造方法，其特征在于其中該硬罩幕層的材料選自于由氮化硅(SiN)以及氮氧化硅(SiON)所組成的一族群。
3.如權(quán)利要求1所述的分離柵極快閃存儲(chǔ)單元的復(fù)晶硅間隙壁的制造方法，其特征在于其中還至少包括進(jìn)行一第五蝕刻步驟，借此去除該殘余物。
4.如權(quán)利要求3所述的分離柵極快閃存儲(chǔ)單元的復(fù)晶硅間隙壁的制造方法，其特征在于其中進(jìn)行該第五蝕刻步驟還至少包括使用一反應(yīng)氣體，其中該反應(yīng)氣體至少包括一溴化氫以及一氦氣/氧氣混合氣體。
5.如權(quán)利要求1所述的分離柵極快閃存儲(chǔ)單元的復(fù)晶硅間隙壁的制造方法，其特征在于其中進(jìn)行該等離子體處理步驟還至少包括使用另一反應(yīng)氣體，其中該另一反應(yīng)氣體至少包括一氧氣。
6.一種分離柵極快閃存儲(chǔ)單元的復(fù)晶硅間隙壁的制造方法，其特征在于至少包括提供一基材，其中該基材的一部分上形成有該分離柵極快閃存儲(chǔ)單元的一預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)；形成一復(fù)晶硅層覆蓋在該基材以及該分離柵極快閃存儲(chǔ)單元的該預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)上；形成一硬罩幕層覆蓋在該復(fù)晶硅層上；進(jìn)行一定義步驟，借此去除部分的該復(fù)晶硅層以及部分的該硬罩幕層，而暴露出該基材的另一部分；形成一邏輯柵極于該基材的該另一部分上，并在該復(fù)晶硅層的另一部分上形成一氧化層；進(jìn)行一第一蝕刻步驟，借此去除該氧化層，而暴露出該復(fù)晶硅層的該另一部分；進(jìn)行一第二蝕刻步驟，借此在該分離柵極快閃存儲(chǔ)單元的該預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成復(fù)數(shù)個(gè)復(fù)晶硅間隙壁，并形成一殘余物。
7.如權(quán)利要求6所述的分離柵極快閃存儲(chǔ)單元的復(fù)晶硅間隙壁的制造方法，其特征在于其中該硬罩幕層的材料選自于由氮化硅以及氮氧化硅所組成的一族群。
8.如權(quán)利要求6所述的分離柵極快閃存儲(chǔ)單元的復(fù)晶硅間隙壁的制造方法，其特征在于其中進(jìn)行該第二蝕刻步驟后，還至少包括進(jìn)行一第三蝕刻步驟，借此去除該殘余物。
9.如權(quán)利要求6所述的分離柵極快閃存儲(chǔ)單元的復(fù)晶硅間隙壁的制造方法，其特征在于其中進(jìn)行該第二蝕刻步驟時(shí)，還至少包括進(jìn)行一等離子體處理。
10.權(quán)利要求9所述的分離柵極快閃存儲(chǔ)單元的復(fù)晶硅間隙壁的制造方法，其特征在于其中進(jìn)行該等離子體處理還至少包括使用一反應(yīng)氣體，且該反應(yīng)氣體至少包括一氧氣。
全文摘要
本發(fā)明公開一種分離柵極快閃存儲(chǔ)單元(Split Gate Flash Cell)的復(fù)晶硅間隙壁(Polysicilion Spacer)的制造方法，其在完成快閃存儲(chǔ)單元的分離柵極的主體結(jié)構(gòu)，并在此主體結(jié)構(gòu)上覆蓋復(fù)晶硅層后，再覆蓋一層由氮氧化硅(SiON)或氮化硅(SiN)所構(gòu)成的硬罩幕(Hard Mask)層。通過此硬罩幕的保護(hù)，可在進(jìn)行復(fù)晶硅層的間隙壁蝕刻時(shí)，防止孔洞(Punch)在基材中形成，并造成垂直的間隙壁。此外，更可在復(fù)晶硅層的間隙壁蝕刻進(jìn)行一段時(shí)間后，以氧等離子體在復(fù)晶硅層上形成氧化層來當(dāng)作犧牲硬罩幕。由于此犧牲硬罩幕可避免在間隙壁上形成凹陷區(qū)，因此可獲得形狀更趨于方形的間隙壁結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)H01L21/70GK1459846SQ02120229
公開日2003年12月3日 申請(qǐng)日期2002年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月20日
發(fā)明者歐陽修, 吳齊山, 羅際興 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司