專利名稱：集成電路芯片及使用該芯片的顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成電路(IC)芯片，尤其是關(guān)于一種用以安裝在如液晶顯示裝置(LCD)或有機電激發(fā)光(EL)顯示裝置的機器的玻璃基板上的IC芯片。
圖6是顯示LCD100的立體圖。LCD100，是在由玻璃所構(gòu)成的第一本體基板2與第二本體基板3之間封入液晶，以形成顯示區(qū)域。在顯示區(qū)域的第一本體基板2上，以行列狀配置有多個像素電極4與薄膜晶體管(Thin Film Transistor；TFT)所構(gòu)成的開關(guān)組件5。然后，在顯示區(qū)域全面的第二基板上配置有共享電極6。LCD100，是在像素電極4與共享電極6之間施加電壓以驅(qū)動液晶而進行顯示的顯示裝置。在顯示區(qū)域的周圍上，配置有多個柵極線驅(qū)動IC101與多個信號線驅(qū)動IC8。多條柵極線9從柵極線驅(qū)動IC101開始延伸，而柵極線驅(qū)動IC101，依序選擇柵極線9并施加?xùn)艠O信號，以使連接于此的TFT5導(dǎo)通。多條信號線10系從信號線驅(qū)動IC8開始延伸，而信號線驅(qū)動IC8是介以已導(dǎo)通的TFT5對像素電極4供給影像信號。柵極線驅(qū)動IC101、驅(qū)動IC8搭載于本體基板上的IC芯片。
一般而言，IC芯片，是在半導(dǎo)體所構(gòu)成的IC基板上形成有多個層疊半導(dǎo)體膜、導(dǎo)電膜、絕緣膜等的電路組件。在本說明書中，分別將構(gòu)成LCD100的基板表記為本體基板，而將構(gòu)成IC芯片的基板表記為IC基板。
圖7是顯示作為構(gòu)成IC芯片的電路組件的一例的MOS晶體管120的剖視圖。有關(guān)MOS晶體管120的構(gòu)成，將敘述如下。在硅基板121上，配置有將硅基板121予以熱氧化所得的柵極絕緣膜122、組件隔離區(qū)域123。在柵極絕緣膜122上配置有柵極124，并以柵極124為罩幕而在半導(dǎo)體基板121上形成有植入離子而得的擴散層125a、125b。覆蓋柵極124而配置有第一層間絕緣膜126，并介以設(shè)于層間絕緣膜126上的接觸孔而配置有第一內(nèi)聯(lián)機127。在第一內(nèi)聯(lián)機127上配置有第二層間絕緣膜128，并介以設(shè)于層間絕緣膜126、128上的接觸孔而配置有第二內(nèi)聯(lián)機129。
如圖8所示，IC芯片8、101，是在由被稱為鑄塊(ingot)的單晶硅塊所切出的半導(dǎo)體晶片130上同時形成多個IC芯片，并利用沿著虛線所示的切割線(scribe line)131而切離制造。
因此，本發(fā)明的目的是在于提供一種更能減低制造成本的IC芯片。
另外，在搭載于LCD100上的IC芯片8、101的情況，是利用壓接而安裝于本體基板2上。因此，玻璃基板與半導(dǎo)體基板的熱膨脹系數(shù)會不同，而依所使用的環(huán)境條件，會發(fā)生IC芯片剝落的問題，并造成故障的原因。
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種故障更少的顯示裝置。[解決問題的方法]本發(fā)明是為了解決上述問題而開發(fā)完成的，一種集成電路芯片，其是在IC基板上形成有多個電路組件及與連接該等電路組件的內(nèi)聯(lián)機，其特征在于IC基板，由玻璃所構(gòu)成，電路組件的至少一部分，由使非晶質(zhì)硅結(jié)晶化的多晶硅所構(gòu)成。
另外，一種顯示裝置，其是具有在由玻璃所構(gòu)成的本體基板上配置有多個像素電極的顯示區(qū)域，且在本體基板上搭載有用以對像素電極供給影像信號的驅(qū)動集成電路芯片，其中驅(qū)動集成電路芯片，是在由玻璃所構(gòu)成的IC基板上形成多個組件而成。
另外，一種顯示裝置，其是主動矩陣型，且包含有由玻璃所構(gòu)成的本體基板；配置有形成于本體基板上的多個像素電極的顯示區(qū)域；以及形成于本體基板上且與像素電極連接的多個開關(guān)組件，其中，在本體基板上搭載有與開關(guān)組件連接的多個驅(qū)動集成電路芯片，驅(qū)動集成電路芯片的至少一部分，是在由玻璃所構(gòu)成的IC基板上形成多個組件而成。
而且，一種顯示裝置，其是主動矩陣型，且包含有由玻璃所構(gòu)成的第一本體基板；配置有形成于第一本體基板上的多個像素電極的顯示區(qū)域；形成于第一本體基板上且與像素電極連接的多個開關(guān)組件；由與第一本體基板相對向的玻璃所構(gòu)成的第二本體基板；形成于第二本體基板上并與多個像素電極相對向配置的共享電極；以及密封于第一及第二本體基板之間的液晶，其中，在第一本體基板上搭載有與開關(guān)組件連接的多個驅(qū)動集成電路，驅(qū)動集成電路的至少一部分，是在由玻璃所構(gòu)成的IC基板上形成多個組件而成。
而且，一種顯示裝置，其是主動矩陣型，且包含有由玻璃所構(gòu)成的本體基板；配置有形成于本體基板上的多個像素電極的顯示區(qū)域；形成于本體基板上且與像素電極連接的多個開關(guān)組件；形成于本體基板上且與開關(guān)組件的柵極連接的柵極線；以及形成于本體基板上且介以開關(guān)組件而與像素電極連接的信號線，其中，該顯示裝置上搭載有，與柵極線連接的柵極線驅(qū)動集成電路芯片；及與信號線連接的信號線驅(qū)動集成電路芯片，且柵極線或信號線驅(qū)動集成電路芯片的至少一方，是在由玻璃所構(gòu)成的IC基板上形成多個組件而成。
而且，一種顯示裝置，其是主動矩陣型，且包含有由玻璃所構(gòu)成的本體基板；配置有形成于本體基板上的多個像素電極的顯示區(qū)域；形成于本體基板上且與像素電極連接的多個開關(guān)組件；形成于本體基板上且與開關(guān)組件的柵極連接的柵極線；以及形成于本體基板上且介以開關(guān)組件與像素電極連接的信號線，其中，該顯示裝置上搭載有，與柵極線連接的柵極線驅(qū)動集成電路芯片；及與信號線連接的信號線驅(qū)動集成電路芯片，且柵極線驅(qū)動集成電路芯片，是在由玻璃所構(gòu)成的IC基板上形成多個組件而成，而信號線驅(qū)動集成電路芯片，是在由單晶硅所構(gòu)成的IC基板上形成多個組件而成。
另外，形成于本體基板上的多個開關(guān)組件，是具有由非晶質(zhì)硅所構(gòu)成的活性層，形成于IC基板上的多個組件，是具有由多晶硅所構(gòu)成的活性層。
另外，開關(guān)組件是薄膜晶體管。
另外，柵極線驅(qū)動集成電路芯片，是沿著顯示區(qū)域的一邊只配置一個，柵極線是從柵極線驅(qū)動集成電路芯片開始而朝向顯示區(qū)域互相延伸成大致平行。
圖2是表示形成于玻璃IC基板上的MOS晶體管的剖面圖。
圖3是表示形成于母玻璃上的IC芯片的立體圖。
圖4是表示柵極線驅(qū)動IC和柵極線的俯視圖。
圖5是表示將本發(fā)明的IC芯片組裝到電路基板上的步驟的立體圖。
圖6是表示已搭載現(xiàn)有的IC芯片的顯示裝置的立體圖。
圖7是表示形成于半導(dǎo)體IC基板上的MOS晶體管的剖面圖。
圖8是表示形成于半導(dǎo)體基板上的IC芯片的立體圖。
符號說明1、100顯示裝置；2、3主體基板；4像素電極；5開關(guān)元件(TFT)；6共同電極；7、8、101IC芯片；9柵極線；10信號線上述柵極線驅(qū)動IC7與信號線柵極線IC8于基板上形成有多個組件或內(nèi)聯(lián)機的IC芯片。一般而言，IC芯片，雖是在半導(dǎo)體的IC基板上層疊半導(dǎo)體膜、導(dǎo)電膜、絕緣膜等而形成，但是本實施形態(tài)的柵極線驅(qū)動IC7是使用玻璃基板。圖2是顯示構(gòu)成本實施形態(tài)的柵極線驅(qū)動IC7的電路組件的一例的MOS晶體管20的剖視圖。在由不含鈉等堿性元素的無堿性玻璃所構(gòu)成的IC基板21上，形成有用以防止來自IC基板的雜質(zhì)擴散的緩沖層22。在緩沖層22上配置有多晶硅膜23以作為活性層，并覆蓋此以形成有柵極絕緣膜24。在柵極絕緣膜24上與多晶硅膜23的一部分相重疊而配置柵極25，并覆蓋此而形成有第一層間絕緣膜26。在該第一層間絕緣膜26上，介以接觸孔而配置有與多晶硅膜23連接的第一內(nèi)聯(lián)機27，并覆蓋此而形成有第二層間絕緣膜28。在第二層間絕緣膜28上，介以設(shè)于第一、第二層間絕緣膜上的接觸孔而形成有與多晶硅膜23連接的第二內(nèi)聯(lián)機29。
其次，就在玻璃的IC基板21上形成MOS晶體管的方法加以敘述。玻璃的軟化溫度，由于大約為750℃，所以無法使用通常半導(dǎo)體制程中所用的750℃以上的熱處理。因而，膜的層疊基本上只能使用如濺鍍或化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition；CVD)法、涂敷等層疊材料的方法。首先，在IC基板21上使用CVD法以形成緩沖層22，接著利用CVD法形成非晶質(zhì)(amorphous)硅膜。通過對該非晶質(zhì)硅膜照射準分子激光以局部加熱而使之結(jié)晶化，即可形成多晶硅膜。圖案化可使用通常的微影術(shù)、蝕刻。其次，利用CVD法形成柵極絕緣膜24，而利用濺鍍法形成柵極25。第一層間絕緣膜是利用CVD法所得的氧化硅膜與氮化硅膜的層疊構(gòu)造。內(nèi)聯(lián)機27、29可利用濺鍍法形成。第二層間絕緣膜28為涂敷丙烯等的有機樹脂所得。
如圖3所示，具有玻璃的IC基板的柵極線驅(qū)動IC7，是在作為大張的玻璃基板的母玻璃30上，同時形成多個IC，且利用沿著虛線所示的切割線31而切離所制造。玻璃基板是一邊例如為數(shù)十cm×數(shù)十cm的長方形，與直徑20cm左右的圓形的半導(dǎo)體晶片相比，在制造與以往的柵極線驅(qū)動IC101相同面積者的情況，能使IC的取得數(shù)增加成數(shù)倍，且能大幅減低制造成本。
另外，通過使用玻璃IC基板，可增長柵極線驅(qū)動IC7的長度。如

圖1所示，本實施形態(tài)的柵極線驅(qū)動IC7，具有與顯示區(qū)域的側(cè)邊大致相同的長度。以下，就增長柵極線驅(qū)動IC7的優(yōu)點加以說明。圖4是使用以往的半導(dǎo)體基板的柵極線驅(qū)動IC的擴大圖。柵極線9，由于是配置于像素各列上，所以柵極線驅(qū)動IC的輸出，有需要擴展至像素的列間距。只要當像素數(shù)變多時柵極線的條數(shù)也會變多，且必須擴展的寬度L會更加擴大。然而，配置于柵極線驅(qū)動IC的正橫向的柵極線與配置于最遠的柵極線，由于從柵極線驅(qū)動IC101至顯示區(qū)域的距離不同，所以離柵極線驅(qū)動IC越遠就越會發(fā)生柵極信號的延遲。因此，以往有必要將柵極線驅(qū)動IC101的IC芯片設(shè)置在每一定間隔上，以將信號延遲收在能動作范圍內(nèi)。相對于此，本實施形態(tài)，由于柵極線驅(qū)動IC7具有與顯示區(qū)域大致相等的長度，所以沒有必要對柵極線進行配置位置的擴大，而全部的柵極線被配置成實質(zhì)平行，而至顯示區(qū)域的長度也可實質(zhì)設(shè)為相等。因而，電路延遲在每一各列上均相等。因而，沒有必要將柵極線驅(qū)動IC7分散配置于多個IC芯片上，且能形成一個柵極線驅(qū)動IC7。更且，以往為了要將從柵極線驅(qū)動IC開始延伸的柵極線擴展成寬度L，雖需要距離D，但是本實施形態(tài)中，卻能削減該距離D，且使顯示裝置小型化、及框緣狹窄化。
此外，與安裝多個IC芯片以作為柵極線驅(qū)動IC者相比，若為一個柵極線驅(qū)動IC，則當然可削減安裝所需要的步驟數(shù)。
如此長的IC芯片，要以半導(dǎo)體基板來制造是不太實際的。如上所述，半導(dǎo)體晶片，雖是切斷單晶硅的鑄塊所制造，但是鑄塊的制造，由于是使用特殊的坩堝來進行，所以很難形成一定以上的尺寸。而且，半導(dǎo)體晶片一般如圖8所示，由于切取一部分的圓形，所以當制作太細長形狀的IC時，自一片晶片所取得的數(shù)就會變得極為少，且無效率。相較于此，若使用玻璃基板以形成IC芯片的話，則母玻璃30由于是長方形，所以即使制作細長的IC也無效率降低的情形。另外，在LCD的本體基板2上，雖有組入TFT，但是若有制造該本體基板2的設(shè)備的話，則與此相同長度的IC芯片，可挪用本體基板2的制造設(shè)備，而無須追加投資任何的設(shè)備即可制造。
此外，在玻璃的本體基板2上，由于搭載有玻璃的IC基板，所以本體基板2與柵極線驅(qū)動IC7的熱膨脹系數(shù)會相等。因而，就不會因熱膨脹的差異而使柵極線驅(qū)動IC7剝離，且可減低故障發(fā)生率。
然而，如上所述，當使用玻璃的IC基板21時，因其與硅的IC基板不同，故無法將基板熱氧化以形成柵極絕緣膜，而必須利用CVD法來層疊。但是，利用CVD法所形成的柵極絕緣膜，與利用熱氧化所形成的柵極絕緣膜相比，因構(gòu)成分子的密度較薄，所以在相同膜厚的情況下將無法獲得同等的絕緣性。因此，就有必要形成較厚的柵極絕緣膜24。并且，多晶硅膜23形成有多個結(jié)晶區(qū)域，并存在多個結(jié)晶彼此之間的境界即晶粒界面，而由多晶硅所構(gòu)成的活性層，當與單晶硅的活性層相比時，其電子遷移率較低。與形成于半導(dǎo)體基板上的MOS-TFT相比其特性較低，很難細微化至半導(dǎo)體基板的IC程度。因此，在本實施形態(tài)中，信號線驅(qū)動IC8與以往相同，使用半導(dǎo)體基板的IC芯片。比起柵極線驅(qū)動IC7在水平同步期間使移位緩存器一次動作的情況，由于信號線驅(qū)動IC8在水平同步期間之間有需要對一列份的像素電極完成供給影像信號，所以有需要進行高速動作。另外，信號線驅(qū)動IC所供給的影像信號，為了達到多階調(diào)化，而需為模擬的電壓信號。因此，在信號線驅(qū)動IC內(nèi)，包含有運算放大器等的模擬組件。為了將該種的電路配置成可收納在像素間距內(nèi)，比起玻璃基板系以使用半導(dǎo)體基板的IC較為有利。因此，在本實施形態(tài)中，在信號線驅(qū)動IC8方面，使用由電子遷移率更高的半導(dǎo)體所構(gòu)成的IC基板。換言之，正因為其系動作速度慢的柵極線驅(qū)動IC，所以也可謂可采用玻璃以作為IC基板。當然，并非無法使用玻璃的IC基板以制作信號線驅(qū)動IC，而是重視可從母玻璃30同時制作多個信號線驅(qū)動IC，而也可以玻璃基板來制造信號線驅(qū)動IC。
其次，就使用玻璃基板的IC芯片的更佳優(yōu)點加以敘述。圖5系顯示安裝玻璃基板IC芯片的樣態(tài)的立體圖。在印刷電路基板或作為本體基板的電路基板40上，形成有各種組件、內(nèi)聯(lián)機，同時形成有用以安裝IC芯片的基板側(cè)端子41。搭載于基板側(cè)端子41上的IC芯片42，在玻璃基板上形成有各種組件、內(nèi)聯(lián)機，同時在對應(yīng)于基板側(cè)端子41的位置上形成有芯片側(cè)端子43。在芯片側(cè)端子43上，形成有由金屬構(gòu)成的突起的凸塊，可利用包含細微的導(dǎo)電粒子的樹脂黏接劑而壓接固定端子彼此之間。此時，當端子彼此之間偏移時，雖會造成導(dǎo)通不良的原因，但是在本實施形態(tài)的情況，由于IC芯片42是使用玻璃基板所形成，所以電路基板40上的端子41可透過IC芯片42來目視，所以可輕易進行正確的位置對準，并可提高制造效率。
在本實施形態(tài)中，設(shè)于顯示區(qū)域內(nèi)的TFT5的主動組件，雖也可使用多晶硅，但是使用非晶質(zhì)硅已足夠。此系因在每一各像素上設(shè)置作為開關(guān)組件的TFT，由于在一垂直同步期間只要一次對被連接的像素供給所需要的電荷即已足夠，所以比起周邊驅(qū)動電路還無法要求較大的電流驅(qū)動能力之故。因而，在本體基板2中，可在形成非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜之后，利用準分子激光的照射以削減多晶化步驟，以更進一步抑制制造成本。
以上所述的顯示裝置雖是例示使用TFT的主動矩陣型的LCD加以說明，但是并非限于此。驅(qū)動方式，也可為被動式，而開關(guān)組件除了薄膜晶體管以外也可考慮使用二極管等。此外，并不限于液晶，也可為有機EL顯示裝置、螢光顯示裝置、及LED顯示裝置等。
當然，使用玻璃基板的IC芯片，除了顯示裝置的驅(qū)動電路以外，也可適用于各式各樣的電路。
如以上所詳述，本發(fā)明由于是一在由玻璃所構(gòu)成的IC基板上配置有由使非晶質(zhì)硅結(jié)晶化的多晶硅所構(gòu)成的電路的IC芯片，所以可比使用半導(dǎo)體晶片的基板還廉價地制造IC芯片。
此外，藉由在玻璃的本體基板上搭載有使用玻璃的IC基板的IC芯片，即可使基板彼此之間的熱膨脹系數(shù)相等，而防止因溫度變化所產(chǎn)生的芯片剝離。
尤其是在使用玻璃以作為本體基板的機器，是以液晶或EL等的顯示裝置為代表，而搭載于其上的IC芯片，則是以柵極線驅(qū)動IC或信號線驅(qū)動IC為代表。
另外，在具有由玻璃所構(gòu)成的本體基板；配置有形成于本體基板上的多個像素電極的顯示區(qū)域；及形成于本體基板上且與像素電極連接的多個開關(guān)組件的主動矩陣型顯示裝置中，是在本體基板上搭載有連接于開關(guān)組件的多個驅(qū)動IC芯片，且驅(qū)動IC芯片的至少一部分，是在由玻璃所構(gòu)成的IC基板上形成多個組件而成的顯示裝置。
尤其是，柵極線驅(qū)動IC芯片，由于動作速度比信號線驅(qū)動IC芯片慢，且不包含進行模擬動作的電路組件，所以最適于作為玻璃基板。另一方面，信號線驅(qū)動IC芯片，也有時使用半導(dǎo)體基板較佳。
此外，若由非晶硅形成本體基板上的活性層，而由多晶硅形成IC基板上的活性層的話，則可削減本體基板中的結(jié)晶化步驟，且可邊保持必要充分的組件特性，而邊削減制造成本。
此外，藉由將柵極線驅(qū)動IC芯片當作玻璃基板，由于可沿著顯示區(qū)域的一邊只配置一個，所以從柵極線驅(qū)動IC芯片朝向顯示區(qū)域，可將柵極線互相配置成大致平行。因而，可使每一柵極線的信號延遲量同等，并確實顯示裝置的動作，同時與配置多個柵極線驅(qū)動IC芯片者相比，則可削減安裝成本。
權(quán)利要求
1.一種集成電路芯片，其是在IC基板上形成有多個電路組件及與連接該等電路組件的內(nèi)聯(lián)機，其特征在于上述IC基板，是由玻璃所構(gòu)成的，上述電路組件的至少一部分，是由使非晶質(zhì)硅結(jié)晶化的多晶硅所構(gòu)成的。
2.一種顯示裝置，其具有在由玻璃所構(gòu)成的本體基板上配置有多個像素電極的顯示區(qū)域，且在上述本體基板上搭載有用以對上述像素電極供給影像信號的驅(qū)動集成電路芯片，其特征在于上述驅(qū)動集成電路芯片，是在由玻璃所構(gòu)成的IC基板上形成多個組件而成。
3.一種顯示裝置，其是主動矩陣型，且包含有由玻璃所構(gòu)成的本體基板；配置有形成于上述本體基板上的多個像素電極的顯示區(qū)域；以及形成于上述本體基板上且與上述像素電極連接的多個開關(guān)組件，其特征在于在上述本體基板上搭載有與上述開關(guān)組件連接的多個驅(qū)動集成電路芯片，上述驅(qū)動集成電路芯片的至少一部分，是在由玻璃所構(gòu)成的IC基板上形成多個組件而成。
4.一種顯示裝置，其是主動矩陣型，且包含有由玻璃所構(gòu)成的第一本體基板；配置有形成于上述第一本體基板上的多個像素電極的顯示區(qū)域；形成于上述第一本體基板上且與上述像素電極連接的多個開關(guān)組件；由與上述第一本體基板相對向的玻璃所構(gòu)成的第二本體基板；形成于上述第二本體基板上并與上述多個像素電極相對向配置的共享電極；以及密封于上述第一及第二本體基板之間的液晶，其特征在于在上述第一本體基板上搭載有與上述開關(guān)組件連接的多個驅(qū)動集成電路，上述驅(qū)動集成電路的至少一部分，是在由玻璃所構(gòu)成的IC基板上形成多個組件而成。
5.一種顯示裝置，其是主動矩陣型，且包含有由玻璃所構(gòu)成的本體基板；配置有形成于上述本體基板上的多個像素電極的顯示區(qū)域；形成于上述本體基板上且與上述像素電極連接的多個開關(guān)組件；形成于上述本體基板上且與上述開關(guān)組件的柵極連接的柵極線；以及形成于上述本體基板上且介以上述開關(guān)組件而與上述像素電極連接的信號線，其特征在于該顯示裝置上搭載有與上述柵極線連接的柵極線驅(qū)動集成電路芯片；及與上述信號線連接的信號線驅(qū)動集成電路芯片，其中，上述柵極線或信號線驅(qū)動集成電路芯片的至少一方，是在由玻璃所構(gòu)成的IC基板上形成多個組件而成。
6.一種顯示裝置，其是主動矩陣型，且包含有由玻璃所構(gòu)成的本體基板；配置有形成于上述本體基板上的多個像素電極的顯示區(qū)域；形成于上述本體基板上且與上述像素電極連接的多個開關(guān)組件；形成于上述本體基板上且與上述開關(guān)組件的柵極連接的柵極線；以及形成于上述本體基板上且介以上述開關(guān)組件與上述像素電極連接的信號線，其特征在于該顯示裝置上搭載有與上述柵極線連接的柵極線驅(qū)動集成電路芯片；及與上述信號線連接的信號線驅(qū)動集成電路芯片，其中，上述柵極線驅(qū)動集成電路芯片，是在由玻璃所構(gòu)成的IC基板上形成多個組件而成，上述信號線驅(qū)動集成電路芯片，是在由單晶硅所構(gòu)成的IC基板上形成多個組件而成。
7.如權(quán)利要求2至6中任一項所述的顯示裝置，其特征在于形成于上述本體基板上的多個開關(guān)組件，是具有由非晶質(zhì)硅所構(gòu)成的活性層，形成于上述IC基板上的多個組件，是具有由多晶硅所構(gòu)成的活性層。
8.如權(quán)利要求3至6中任一項所述的顯示裝置，其特征在于上述開關(guān)組件是薄膜晶體管。
9.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其特征在于上述柵極線驅(qū)動集成電路芯片，是沿著上述顯示區(qū)域的一邊只配置一個，上述柵極線是從上述柵極線驅(qū)動集成電路芯片開始而朝向上述顯示區(qū)域互相延伸成大致平行。
全文摘要
一種集成電路芯片及使用該芯片的顯示裝置，可減低集成電路(IC)芯片的制造成本。且可減低搭載有IC芯片的顯示裝置的故障率。其使用玻璃基板以制造IC芯片?？杀仁褂冒雽?dǎo)體晶片的IC芯片更廉價。而且，在顯示裝置等的本體基板為玻璃的情況，由于IC芯片與本體基板的熱膨脹系數(shù)相等，所以可防止IC芯片的剝離，并減低故障率。而且，在適用于顯示裝置1的柵極線驅(qū)動IC7的情況，可形成與顯示區(qū)域大致相同長度的IC芯片7，且沒有必要搭載多個IC芯片以作為柵極線驅(qū)動IC，而能減低制造成本。更且，由于將柵極線9分別從IC芯片7全部作平行延伸，所以不會產(chǎn)生柵極線9彼此之間的延遲差，而可使框緣狹窄化。
文檔編號H01L29/786GK1391287SQ0212220
公開日2003年1月15日 申請日期2002年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月8日
發(fā)明者山村久仁, 橫山良一, 宮島康志, 廣澤考司 申請人:三洋電機株式會社