專利名稱：整合式晶片型二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及二極管的結(jié)構(gòu)，尤指一種可在二極管晶粒的制作過程中，直接以玻璃封裝制作二焊接導(dǎo)電端位于同一端面(頂部或底部)的晶片型二極管，使有效改善二極管的熱傳導(dǎo)特性，并大幅縮小其體積。
背景技術(shù)：
一般市面上習(xí)見的二極管元件，其基本結(jié)構(gòu)包含一硅晶粒，該硅晶粒的二端面分別焊接有一導(dǎo)電金屬片，該等導(dǎo)電金屬片的另一側(cè)面再分別焊接一導(dǎo)線，使藉該等導(dǎo)線與其它電子線腳連接。在該種習(xí)見的二極管元件的制作過程中，當(dāng)該硅晶粒與導(dǎo)電金屬片結(jié)合成一體后，需對該硅晶粒進(jìn)行蝕刻處理，待完成蝕刻處理后，需再通過封裝處理程序，于該硅晶粒及導(dǎo)電金屬片周緣，封裝一絕緣膠體，即制成一般的二極管元件。
在該等習(xí)用二極管元件的制程中，當(dāng)硅晶粒完成蝕刻處理后，均是以樹脂或其它膠體，對其進(jìn)行封裝，由于，該等樹脂或膠體的耐熱溫度不高，故當(dāng)其被用作高功率輸入電流的整流元件，或被使用于高溫環(huán)境時，極易因高熱而受損，致相關(guān)的電子設(shè)備無法正常使用，嚴(yán)重影響電子設(shè)備的使用壽命及品質(zhì)，并造成維修保養(yǎng)上的諸多困擾，此外，由于該等樹脂或膠體所形成的封裝殼體，必需占用一定大小的空間，故令該等習(xí)用二極管元件的體積，始終無法進(jìn)一步縮小。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于現(xiàn)有二極管上所存在的諸多問題，發(fā)明人為秉持從事該項(xiàng)行業(yè)多年的經(jīng)驗(yàn)，通過不斷努力研究與實(shí)驗(yàn)，研發(fā)出一種整合式晶片型二極管。
本發(fā)明的一目的，是在每一個二極管的同一端(頂部或底部)上，形成二獨(dú)立的焊接導(dǎo)電端，使各該焊接導(dǎo)電端可分別與各該二極管的p+及n+型半導(dǎo)體相導(dǎo)通，令所制作出的晶片型二極管，具備一可表面安裝(surfacemounting)型元件的特性，可直接安裝于相關(guān)的電子線路上。
本發(fā)明的另一目的，是在制作過程中，可利用玻璃燒結(jié)處理，直接將絕緣玻璃披覆在該晶粒周緣，以有效改善二極管的熱傳導(dǎo)特性，確保其可承受較大的工作溫度，并大幅縮小其體積。
本發(fā)明的又一目的，是無需后續(xù)封裝程序的處理下，即可制作出可供表面安裝(SMD)的二極管成品。
為達(dá)成上述目的，本發(fā)明的整合式晶片型二極管，主要是利用擴(kuò)散(diffusion)技術(shù)，在一半導(dǎo)體晶圓(wafer)的頂部及底部，分別形成一預(yù)定厚度的p+及n+型半導(dǎo)體(或n+及p+型半導(dǎo)體)，再利用雕像、蝕刻、布植及燒結(jié)等半導(dǎo)體制作技術(shù)，于該晶圓(Wafer)上分別制作出復(fù)數(shù)個二極管，各該二極管的側(cè)緣以絕緣玻璃予以封合，其二端面的p+及n+型半導(dǎo)體上，則分別形成有一導(dǎo)電金屬層，其中的一導(dǎo)電金屬層的局部表面上，并披覆有一絕緣材料，使該另一導(dǎo)電金屬層可通過該絕緣玻璃上所燒結(jié)的又一導(dǎo)電金屬層，導(dǎo)通至另端的該絕緣材料上。
本發(fā)明的晶片型二極管，無需后續(xù)封裝程序，可直接安裝于相關(guān)的電子線路上，還可有效改善二極管的熱傳導(dǎo)特性，確保其可承受較大的工作溫度，并大幅縮小其體積。
為能更具體且清楚地表達(dá)本發(fā)明的設(shè)計理念、結(jié)構(gòu)特征及制造程序，茲列舉數(shù)個腑的實(shí)施例，并配合圖示，詳細(xì)說明如下


圖1所示為在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，在晶圓上擴(kuò)散出p+型半導(dǎo)體層后的剖面示意圖；圖2a及2b所示為在該較佳實(shí)施例中，利用雕像及蝕刻溝渠技術(shù)于晶圓上形成復(fù)數(shù)個長方形凹槽后的X-X及Y-Y剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3a及3b所示為在該較佳實(shí)施例中，在晶圓上擴(kuò)散出n+型半導(dǎo)體層后的X-X及Y-Y剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4a及4b所示為在該較佳實(shí)施例中，于該等凹槽內(nèi)填入金屬膏，并對其進(jìn)行燒結(jié)后的X-X及Y-Y剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5所示為在該較佳實(shí)施例中，于橫斷面X-X上，位于二相鄰第一金屬層間的位置處，沿Y軸方向，利用雕像及蝕刻溝渠技術(shù)，開設(shè)一槽道后的X-X剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖6a及6b所示為在該較佳實(shí)施例中，以磊晶或布植技術(shù)，于該晶圓的底部，磊晶或布植出一二氧化硅層后的X-X及Y-Y剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖7所示為在該較佳實(shí)施例中，利用雕像及蝕刻溝渠技術(shù)，于相鄰的二槽道間，沿Y軸方向，開設(shè)一溝槽后的X-X剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖8所示為在該較佳實(shí)施例中，于該等槽道及溝槽的位置內(nèi)，填入金屬膏，并對其進(jìn)行燒結(jié)，形成第二及第三金屬層后的X-X剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖9a及9b所示為在該較佳實(shí)施例中，利用雕像及蝕刻溝渠技術(shù)，沿Y軸方向，于該晶圓上方開設(shè)另一槽道及另一溝槽后的X-X及Y-Y剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖10a及10b所示為在該較佳實(shí)施例中，將玻璃漿，填入該槽道及溝槽內(nèi)，并對其進(jìn)行燒結(jié)處理后的X-X及Y-Y剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖11所示為在該較佳實(shí)施例中，由該晶圓頂面，沿Y軸方向，對各該槽道內(nèi)的玻璃，進(jìn)行挖孔作業(yè)后的X-X剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖12a及12b所示為在該較佳實(shí)施例中，于該晶圓頂面，對應(yīng)于該p+型半導(dǎo)體的上表面至該等槽孔的范圍內(nèi)，形成第四金屬層后的X-X及Y-Y剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖13a及13b所示為在該較佳實(shí)施例中，于該晶圓頂面，對應(yīng)于該p+型半導(dǎo)體的位置，燒結(jié)出一層絕緣玻璃后的X-X及Y-Y剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖14a及14b所示為在該較佳實(shí)施例中，對該晶圓進(jìn)行切割分粒后，該晶片型二極管成品的X-X及Y-Y剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖15a及15b所示為在本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例中，該晶片型二極管成品的X-X及Y-Y剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明是一種整合式晶片型二極管及其制法，主要是利用擴(kuò)散技術(shù)，在一半導(dǎo)體晶圓的頂部及底部，分別形成一預(yù)定厚度的不同型半導(dǎo)體，再于該晶圓上分別制作出復(fù)數(shù)個二極管，各該二極管的側(cè)緣以絕緣玻璃予以封合，其二端面的不同型半導(dǎo)體表面上，分別形成有一導(dǎo)電金屬層，其中的一導(dǎo)電金屬層的局部表面上，并披覆有一絕緣材料，使該另一導(dǎo)電金屬層可通過該絕緣玻璃上所燒結(jié)的又一導(dǎo)電金屬層，導(dǎo)通至與另端的該絕緣材料上，而與該導(dǎo)電金屬層，在該二極管的同一端面上，形成二獨(dú)立的焊接導(dǎo)電端，使各該焊接導(dǎo)電端可分別與各該二極管上的不同型半導(dǎo)體相導(dǎo)通，令其在無需后封裝程序的處理下，即可制作出供表面安裝的二極管成品。本發(fā)明在后續(xù)的描述中，將其稱之為整合式晶片型二極管(IntegratedChip Diode，簡稱ICD)。
由于，在該整合式晶片型二極管的制程中，沿前述半導(dǎo)體材料的X-X及Y-Y剖面所制作出結(jié)構(gòu)，并不相同，故本發(fā)明在以下的各實(shí)施例說明中，將特別指明其在X及Y軸剖面結(jié)構(gòu)上的差異。
在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，可先在一n型半導(dǎo)體的晶圓10(wafer)上方，參閱圖1所示，離子擴(kuò)散入該n型晶圓10的上層，形成一預(yù)定厚度的p+型半導(dǎo)體11；再利用雕像及蝕刻溝渠技術(shù)，于n型晶圓10底部，依所需的實(shí)際尺寸，蝕刻出復(fù)數(shù)個長方形凹槽20，參閱圖2a所示，為制作四個晶片型二極管所需的晶圓的X-X橫剖面示意圖，其中顯示在X-X橫剖面上開設(shè)有2個長方形凹槽20，參閱圖2b所示，為制作一晶片型二極管所需的晶圓的Y-Y縱剖面示意圖，其中顯示在Y-Y縱剖面上開設(shè)有4個長方形凹槽20；然后，本發(fā)明再將磷離子擴(kuò)散入該n型晶圓10的底部，形成一預(yù)定厚度的n+型半導(dǎo)體12，參閱圖3a、3b所示的X-X及Y-Y剖面結(jié)構(gòu)示意圖；然后，再于該等凹槽20內(nèi)填入金屬膏(如銅膏、銀膏、金膏...等材料)，并對其進(jìn)行燒結(jié)，參閱圖4a、4b所示的X-X及Y-Y剖面結(jié)構(gòu)示意圖，以別在各該凹槽20內(nèi)形成一第一金屬層13；待本發(fā)明再于斷面X-X上，位于二相鄰第一金屬層13間的位置處，沿Y軸方向，利用雕像及蝕刻溝渠技術(shù)，開設(shè)一槽道21，參閱圖5所示的X-X剖面結(jié)構(gòu)示意圖，該槽道21的深度需穿過該n+型半導(dǎo)體12，到達(dá)該晶圓10的n型半導(dǎo)體部位；然后，再以CVD(Chemical Vapor Deposition)磊晶法(在本明的其它實(shí)施例中，亦可利用PVD(Physical Vapor Deposition)或PCVD(Photon-induce Chemical Vapor Deposition)等磊晶法)或布植技術(shù)，于該晶圓10的底部，即該金屬層13及該槽道21表面上磊晶(或布植)出一二氧化硅層14，參閱圖6a、6b所示的X-X及Y-Y剖面結(jié)構(gòu)示意圖，以該二氧化硅層14作為該晶片型二極管的第一絕緣層。
在此尤需注意的，是在該實(shí)施例中，雖是以離子擴(kuò)散法，在一n型半導(dǎo)體晶圓10的頂部及底部，形成一預(yù)定厚度的P+型半導(dǎo)體11及n+型半導(dǎo)體12，但本發(fā)明所主張的權(quán)利范圍，并不局限于此，按凡熟悉該項(xiàng)技藝人士，依據(jù)本發(fā)明所揭露的技術(shù)內(nèi)容，利用其它擴(kuò)散法或布植技術(shù)，于一n型或p型半導(dǎo)體的晶圓10(wafer)頂部及底部(或底部及頂部)，形成一預(yù)定厚度的n+型半導(dǎo)體及p+型半導(dǎo)體(或p+型半導(dǎo)體及n+型半導(dǎo)體)，應(yīng)仍屬本發(fā)明所稱的半導(dǎo)體晶圓，合先陳明。
然后，在該實(shí)施例中，再利用雕像及蝕刻溝渠技術(shù)，于相鄰的二槽道間21，沿Y軸方向，開設(shè)一溝槽22，參閱圖7所示的X-X剖面結(jié)構(gòu)示意圖，該溝槽22的深度恰到達(dá)該n+型半導(dǎo)體12；然后，再分別于該等槽道21及溝槽22的位置內(nèi)，填入金屬膏(如銅膏、銀膏、金膏...等材料)，并對其進(jìn)行燒結(jié)，以分別形成第二及第三金屬層15及16，參閱圖8所示的X-X剖面結(jié)構(gòu)示意圖，使該第三金屬層16恰可通過該第一金屬層13，與該n+型半導(dǎo)體12相導(dǎo)通，而作為本發(fā)明的晶片型二極管上用以導(dǎo)通該n+型半導(dǎo)體12的一焊接金屬層。
然后，在該實(shí)施例中，再利用雕像及蝕刻溝渠技術(shù)，沿Y軸方向，于該晶圓10上方對應(yīng)于第二及第三金屬層15及16的位置，分別開設(shè)另一槽道31及另一溝槽32，參閱圖9a所示的X-X剖面結(jié)構(gòu)示意圖，其中該另一槽道31的深度恰到達(dá)該二氧化硅層14，該另一溝槽32的深度則穿過該n+型半導(dǎo)體12，到達(dá)該第一金屬層13，而沿X軸方向，則于該晶圓10上方對應(yīng)于相鄰該第一金屬層13間的位置，分別開設(shè)一溝槽33，參閱圖9b所示的Y-Y剖面結(jié)構(gòu)示意圖，該溝槽33的深度恰到達(dá)該二氧化硅層14。
然后，本發(fā)明再將由玻璃粉末及膠液均勻調(diào)制混合而成的玻璃漿，填入該等溝槽32、33內(nèi)，參閱圖10a、10b所示的X-X及Y-Y剖面結(jié)構(gòu)示意圖，并對其進(jìn)行燒結(jié)處理，使完成燒結(jié)的玻璃34、35及36，恰可披覆在本發(fā)明晶片型二極管的側(cè)緣，完成對該晶片型二極管側(cè)緣的封裝；然后，再由該晶圓10頂面，沿Y軸方向，對各該槽道31內(nèi)的玻璃34，進(jìn)行挖孔作業(yè)，挖除多余的玻璃，僅保留足以封裝該晶片型二極管側(cè)緣的部份，參閱圖11所示的X-X剖面結(jié)構(gòu)示意圖，并令所開挖的槽孔40深度，恰可到達(dá)該第二金屬層15；然后，再分別于該晶圓10頂面，對應(yīng)于該p+型半導(dǎo)體12的上表面至該等槽孔40的范圍內(nèi)，填入低溫金屬膏(如銅膏、銀膏、金膏...等材料)，并對其進(jìn)行燒結(jié)，參閱圖12a、12b所示的X-X及Y-Y剖面結(jié)構(gòu)示意圖，以形成第四金屬層41，使該第二金屬層15恰可通過該第四金屬層41，與該p+型半導(dǎo)體11相導(dǎo)通，而令該第二金屬層15可作為本發(fā)明的晶片型二極管上用以導(dǎo)通該P(yáng)+型半導(dǎo)體11的另一焊接金屬層。
最后，再于該晶圓10頂面，對應(yīng)于該P(yáng)+型半導(dǎo)體11的位置，涂布一層絕緣玻璃漿，并對其進(jìn)行燒結(jié)處理，參閱圖13a、13b所示的X-X及Y-Y剖面結(jié)構(gòu)示意圖，以于該p+型半導(dǎo)體11上形成一絕緣玻璃層42，完成對該晶片型二極管頂面的封裝；然后，再分別沿X及Y軸，對應(yīng)于該另一槽道31、另一溝槽32及溝槽33的位置，對該晶圓10進(jìn)行切割分粒，即可制作出復(fù)數(shù)顆已完成封裝的晶片型二極管50，參閱圖14a、14b所示的X-X及Y-Y剖面結(jié)構(gòu)示意圖。在該實(shí)施例中，各該晶片型二極管50的同一端面(底部)上，形成有二獨(dú)立的焊接金屬層(即第二及第三金屬層15及16)，使各該焊接金屬層可分別與各該二極管的p+及n+型半導(dǎo)體相導(dǎo)通，作為表面安裝(SMD)時的焊接導(dǎo)電端。
本發(fā)明為保護(hù)該晶片型二極管50上的各該金屬層，令其不易氧化，可再對其進(jìn)行電鍍，以在各該金屬層上，形成保護(hù)層；然后，再依序?qū)Ω髟摼投O管進(jìn)行測試及包裝，如此，即可在無需后續(xù)封裝程序處理的情形下，制作出可供表面安裝(SMD)的晶片型二極管成品，不僅可大幅縮小其體積，并可有效改善二極管的關(guān)導(dǎo)特性。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，其成品60的X-X及Y-Y剖面結(jié)構(gòu)，如圖15a、15b所示，與前述實(shí)施例相同，亦是利用擴(kuò)散技術(shù)及蝕刻溝渠技術(shù)，在一半導(dǎo)體晶圓10的頂部及底部，分別形成一預(yù)定厚度的p+及n+型半導(dǎo)體11及12，再于該n+型半導(dǎo)體12底部所形成的凹槽內(nèi)填入金屬膏，并對其進(jìn)行燒結(jié)，以分別在各該凹槽內(nèi)形成一第一金屬層13；再于該金屬層13表面上磊晶(或布植)出一二氧化硅層14，使以該二氧化硅層14作為該晶片型二極管的第一絕緣層。然后，再利用雕像及蝕刻溝渠技術(shù)，在該二氧化硅層14上對應(yīng)于相鄰第一金屬層13間的位置，沿Y軸方向，開設(shè)一溝槽，該溝槽的深度恰到達(dá)第一金屬層13，再于該等溝槽內(nèi)，填入金屬膏，并對其進(jìn)行燒結(jié)，以形成一第二金屬層61，使該第二金屬層61恰可通過該第一金屬層13，與該n+型半導(dǎo)體12相導(dǎo)通。
然后，在該另一實(shí)施例中，再利用雕像及蝕刻溝渠技術(shù)，分別沿X及Y軸方向，于該晶圓10上方對應(yīng)于相鄰第一金屬層13間的位置，開設(shè)一溝槽62，該溝槽62的深度則穿過該n+型半導(dǎo)體12，到達(dá)該第一金屬層13，并在X-X斷面上，于相鄰的二溝槽62間，沿Y軸方向，另開設(shè)一槽道63，該槽道63的深度恰到達(dá)該n+型半導(dǎo)體12，使該P(yáng)+型半導(dǎo)體11在X-X斷面上，被區(qū)隔成兩部份。
然后，該另一實(shí)施例再將由玻璃粉末及膠液均勻調(diào)制混合而成的玻璃漿，填入該等槽道63、溝槽62內(nèi)及一部份P+型半導(dǎo)體11的上表面，并對其斷燒結(jié)處理，使完成燒結(jié)的玻璃74、75及76，恰可披覆在本發(fā)明餛片型二極管的側(cè)緣，完成對該晶片型二極管側(cè)緣的封裝；然后，再由該晶圓頂面，沿Y軸方向，對第二金屬層61所對應(yīng)的溝槽62內(nèi)的玻璃74，進(jìn)行挖孔作業(yè)，挖除多余的玻璃，僅保留足以封裝該晶片型二極管側(cè)緣的部份，并令所開挖的槽孔80深度，恰可到達(dá)該第二金屬層61；然后，再分別于該晶圓頂面，對應(yīng)于未披覆玻璃的該++型半導(dǎo)體12的上表面及該等槽孔80內(nèi)，填入低溫金屬膏，并對其進(jìn)行燒結(jié)，以分別形成一第三金屬層64及第四金屬層65，使該第四金屬層65可依序通過該第二金屬層及該第一金屬層61及13，與該n+型半導(dǎo)體12相導(dǎo)通，而令該第四金屬層65可作為本發(fā)明的晶片型二極管上用以導(dǎo)通該n+型半導(dǎo)體12的一焊接金屬層，而該第三金屬層64則可與該p+型半導(dǎo)體11相導(dǎo)通，作為本發(fā)明的晶片型二極管上用以導(dǎo)通該P(yáng)+型半導(dǎo)體11的另一焊接金屬層。如此，該另一實(shí)施例可在各該晶片型二極管60的同一端面(頂部)上，形成二獨(dú)立的焊接金屬層(即第三及第四金屬層64及65)，使各該焊接金屬層可分別與各該二極管的p+及n+型半導(dǎo)體11及12相導(dǎo)通，作為表面安裝(SMD)時的焊接導(dǎo)電端。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此項(xiàng)技藝者，在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許更動與潤飾，因此本發(fā)明之保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種整合式晶片型二極管，其特征是利用擴(kuò)散技術(shù)，在一半導(dǎo)體晶圓的二端面，分別形成一預(yù)定厚度的不同型半導(dǎo)體，再于該晶圓上分別制作出復(fù)數(shù)個二極管，各該二極管的側(cè)緣以絕緣玻璃予以封合，其中一端面的一半導(dǎo)體表面上，形成有一導(dǎo)電金屬層，該導(dǎo)電金屬層的局部表面上披覆有一絕緣材料，使該二極管另一端面的另一半導(dǎo)體，可通過該絕緣玻璃上所燒結(jié)的另一導(dǎo)電金屬層，導(dǎo)通至與該絕緣材料上，而與該導(dǎo)電金屬層，在該二極管的同一端面上，形成二獨(dú)立的焊接導(dǎo)電端，使各該焊接導(dǎo)電端可分別與各該二極管上不同型的半導(dǎo)體相導(dǎo)通。
2.如權(quán)利要求1所述的整合式晶片型二極管，其特征是該絕緣玻璃上所燒結(jié)的另一導(dǎo)電金同層，其一端延伸并燒結(jié)在該另一半導(dǎo)體表面上，其另端則延伸并燒結(jié)在該絕緣材料上，使與該導(dǎo)電金屬層位于同一端面上，形成二獨(dú)立的焊接導(dǎo)電端。
3.如權(quán)利要求1所述的整合式晶片型二極管，其特征是該導(dǎo)電金屬層包括一第一導(dǎo)電金屬層及一第三導(dǎo)電金屬層，該第一導(dǎo)電金屬層燒結(jié)在該半導(dǎo)體表面上，且其上局部披覆有該絕緣材料，未披覆有該絕緣材料的部份則燒結(jié)有該第三導(dǎo)電金屬層，使該第三導(dǎo)電金屬層可通過該第一導(dǎo)電金屬層，而與該半導(dǎo)體相導(dǎo)通。
4.如權(quán)利要求1所述的整合式晶片型二極管，其特征是該另一導(dǎo)電金屬層包括一第二導(dǎo)電金屬層及一第四導(dǎo)電金屬層，該第二導(dǎo)電金屬層燒結(jié)在該絕緣材料上，該第四導(dǎo)電金屬層燒結(jié)在該絕緣玻璃及該另一半導(dǎo)體表面上，使該第二導(dǎo)電金屬層可通過該第四導(dǎo)電金屬層，而與該另一半導(dǎo)體相導(dǎo)通。
5.一種整合式晶片型二極管，其特征是利用擴(kuò)散技術(shù)，在一半導(dǎo)體晶圓的二端面，分別形成一預(yù)定厚度的不同型半導(dǎo)體，再于該晶圓上分別制作出復(fù)數(shù)個二極管，各該二極管上開設(shè)有一槽道，該槽道穿過一端面的一半導(dǎo)體，其深度恰到達(dá)另一端面的另一半導(dǎo)體，使該半導(dǎo)體被區(qū)隔成兩部份，各該二極管的側(cè)緣及該槽道以絕緣玻璃予以封合，其中燒結(jié)在側(cè)緣的該絕緣玻璃，并延伸至一部份的該半導(dǎo)體表面上，另一部份的該半導(dǎo)體表面上則形成有一導(dǎo)電金屬層，該另一半導(dǎo)體則通過該絕緣玻璃上所燒結(jié)的另一導(dǎo)電金屬層，導(dǎo)通至該半導(dǎo)體表面上的該絕緣玻璃，而與該導(dǎo)電金屬層，在該二極管的同一端面上，形成二獨(dú)立的焊接導(dǎo)電端，使各該焊接導(dǎo)電端可分別與各該二極管上不同型的半導(dǎo)體相導(dǎo)通。
6.如權(quán)利要求5所述的整合式晶片型二極管，其特征是該絕緣玻璃上所燒結(jié)的另一導(dǎo)電金屬層，其一端延伸并燒結(jié)在該另一半導(dǎo)體表面上，其另端則延伸并燒結(jié)在一部份的該半導(dǎo)體上的該絕緣玻璃上，使與該導(dǎo)電金屬層位于同一端面上，形成二獨(dú)立的焊接導(dǎo)電端。
全文摘要
一種整合式晶片型二極管，利用擴(kuò)散技術(shù)，在一半導(dǎo)體晶圓的頂部及底部，分別形成一預(yù)定厚度的p+及n+型半導(dǎo)體(或n+及p+型半導(dǎo)體)，再利用雕像、蝕刻、布植及燒結(jié)等半導(dǎo)體制作技術(shù)，于該晶圓上分別制作出復(fù)數(shù)個二極管，各該二極管的側(cè)緣以絕緣玻璃予以封合，其二端面的p+及n+型半導(dǎo)體上，則分別形成有一導(dǎo)電金屬層，其中的一導(dǎo)電金屬層的局部表面上，并披覆有一絕緣材料，使該另一導(dǎo)電金屬層可通過該絕緣玻璃上所燒結(jié)的又一導(dǎo)電金屬層，導(dǎo)通至另端的該絕緣材料上；本發(fā)明的晶片型二極管，無需后續(xù)封裝程序，可直接安裝于相關(guān)的電子線路上，還可有效改善二極管的熱傳導(dǎo)特性，確保其可承受較大的工作溫度，并大幅縮小其體積。
文檔編號H01L29/861GK1482685SQ0213204
公開日2004年3月17日 申請日期2002年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月9日
發(fā)明者陳俊華, 祝孝平 申請人:陳俊華, 祝孝平