專利名稱：引線鍵合方法以及凸點(diǎn)形成方法和凸點(diǎn)的制作方法
專利說明引線鍵合方法以及凸點(diǎn)形成方法和凸點(diǎn) [發(fā)明所屬的技術(shù)領(lǐng)域]本發(fā)明涉及在2個導(dǎo)體間進(jìn)行引線鍵合的方法以及此時的凸點(diǎn)形成方法和凸點(diǎn)，特別是涉及適合于在第1導(dǎo)體上進(jìn)行1次鍵合，并且在第2導(dǎo)體上進(jìn)行2次鍵合，從而在第1導(dǎo)體與第2導(dǎo)體之間進(jìn)行引線鍵合，以進(jìn)行了引線鍵合的引線不與其他引線接觸，也不與電路基板面接觸的方式，利用球鍵合預(yù)先在第2導(dǎo)體上形成合適形狀的凸點(diǎn)來進(jìn)行的引線鍵合方法，以及形成那樣的凸點(diǎn)的方法和凸點(diǎn)。在進(jìn)行引線鍵合時，一般采用如下的引線鍵合法借助于利用毛細(xì)管內(nèi)穿過了Au引線的毛細(xì)管，通過來自焊槍電極的放電，使從毛細(xì)管中突出的Au引線的端部形成小球，使毛細(xì)管位于半導(dǎo)體芯片上進(jìn)行1次鍵合后，使毛細(xì)管移動到布線上進(jìn)行2次鍵合，在半導(dǎo)體芯片與布線之間進(jìn)行引線鍵合。
這時，由于當(dāng)布線材料是例如Cu、Ni、薄鍍Au層之類的與Au引線的鍵合性差的材料時，不能夠直接在布線上進(jìn)行鍵合，所以在要進(jìn)行鍵合的部分預(yù)先形成Ag鍍層或Au厚膜等基底。
但是，設(shè)置這樣的基底在實(shí)用上不方便，即使布線材料是與Au引線鍵合性差的材料，也希望用能夠直接在布線上鍵合的方法。
例如在日本國特開平10-112471號公報(bào)中記述了如下的鍵合方法如

圖10所示，在電路基板30的第2導(dǎo)體20上進(jìn)行球鍵合，形成凸點(diǎn)51a，在與第1導(dǎo)體10的相反一側(cè)的位置對凸點(diǎn)51a進(jìn)行其楔鍵合后，在第1導(dǎo)體10上進(jìn)行1次鍵合，對凸點(diǎn)51a從第1導(dǎo)體10一側(cè)將引線50制成環(huán)形，在凸點(diǎn)51a上進(jìn)行2次鍵合，從而在第1導(dǎo)體10與第2導(dǎo)體20間進(jìn)行引線鍵合。
根據(jù)該方法，由于在利用球鍵合形成凸點(diǎn)后，在凸點(diǎn)后方(凸點(diǎn)的與第1導(dǎo)體所在一側(cè)相反的一側(cè)的位置)的第2導(dǎo)體上進(jìn)行了其楔鍵合，所以楔鍵合呈彎曲形狀，不產(chǎn)生凸點(diǎn)尾部。
另外，還記述了在凸點(diǎn)上進(jìn)行2次鍵合的場合，當(dāng)如圖11所示，以從凸點(diǎn)51a延伸的引線50的彎曲部51b進(jìn)入毛細(xì)管40的通孔41內(nèi)的方式放置毛細(xì)管40時，以彎曲部51b被通孔41的一側(cè)的內(nèi)壁壓住，引線50被通孔41的另一側(cè)壓斷的狀態(tài)，使兩者鍵合。但是，用在上述公報(bào)中記載的方法，如圖11所示，導(dǎo)致凸點(diǎn)形成后的楔鍵合部與引線部的鍵合，即導(dǎo)致曲面與曲面的鍵合，當(dāng)發(fā)生鍵合位置偏離時，作為其結(jié)果，有可能發(fā)生引線彎曲，以及相鄰的引線間發(fā)生接觸。
另外，雖然在凸點(diǎn)形成后借助于使楔鍵合部形成為向后方彎曲的形狀能夠抑制引線尾部的發(fā)生，但是由于對引線與凸點(diǎn)的鍵合部不能確保其充分傾斜，或確保是平面，所以不能充分防止如圖11的虛線所示的、將凸點(diǎn)51a與引線50鍵合后所發(fā)生的引線50與電路基板30的接觸以及引線50與布線之間的接觸。
本發(fā)明的課題在于提供能夠防止凸點(diǎn)與引線鍵合后的引線與電路基板的接觸以及引線與布線之間的接觸的發(fā)生，并且能夠防止在凸點(diǎn)與引線鍵合時引線彎曲發(fā)生的引線鍵合方法、凸點(diǎn)形成方法和凸點(diǎn)。為解決上述課題，本發(fā)明采取了如下的方法。
本發(fā)明的引線鍵合方法是在第1導(dǎo)體與第2導(dǎo)體之間進(jìn)行引線鍵合的方法，它包括利用球鍵合在上述第2導(dǎo)體上形成凸點(diǎn)的工序；在上述凸點(diǎn)的上部形成傾斜面的工序；在上述第1導(dǎo)體上對引線的一端進(jìn)行1次鍵合的工序；以及對上述第2導(dǎo)體上的凸點(diǎn)從上述第1導(dǎo)體將引線制成環(huán)形，在上述凸點(diǎn)上部的傾斜面上對引線的另一端進(jìn)行2次鍵合的工序。
另外，本發(fā)明的引線鍵合方法是利用在其通孔中穿過引線的毛細(xì)管，在第1導(dǎo)體與第2導(dǎo)體之間進(jìn)行引線鍵合的方法，它包括使毛細(xì)管位于上述第2導(dǎo)體上，借助于進(jìn)行球鍵合在上述第2導(dǎo)體上形成凸點(diǎn)的工序；在將上述毛細(xì)管向上方移動后，使該毛細(xì)管橫向移動至與上述第1導(dǎo)體相反一側(cè)的位置，使上述毛細(xì)管下降，切斷上述引線，在上述凸點(diǎn)的上部形成傾斜面的工序；在上述第1導(dǎo)體上對上述引線的一端進(jìn)行1次鍵合的工序；以及使上述毛細(xì)管位于上述凸點(diǎn)上部的傾斜面上，對從上述毛細(xì)管內(nèi)伸出的引線在上述毛細(xì)管的底部在上述凸點(diǎn)上部的傾斜面上進(jìn)行2次鍵合，并在其鍵合部附近切斷上述引線的工序。
在本發(fā)明的引線鍵合方法的優(yōu)選實(shí)施例中，上述凸點(diǎn)上部的傾斜面形成平面或凹面，上述2次鍵合工序包括使上述毛細(xì)管位于上述凸點(diǎn)上部的傾斜面上，在該毛細(xì)管的底部在上述凸點(diǎn)上部的傾斜面上擠壓引線。
另外，在本發(fā)明的引線鍵合方法的優(yōu)選實(shí)施例中，上述凸點(diǎn)上部的傾斜面以聯(lián)結(jié)該傾斜面的兩端部間的直線對第2導(dǎo)體面所成的傾角朝向上述第1導(dǎo)體形成2°～60°的張角的方式形成。
還有，本發(fā)明的凸點(diǎn)形成方法是適合于在第1導(dǎo)體上進(jìn)行1次鍵合，并且在第2導(dǎo)體上進(jìn)行2次鍵合，從而在第1導(dǎo)體與第2導(dǎo)體之間進(jìn)行引線鍵合，利用球鍵合預(yù)先在第2導(dǎo)體上形成凸點(diǎn)的方法，它包括使毛細(xì)管下降至上述第2導(dǎo)體上，將在引線端部形成的小球球鍵合到上述第2導(dǎo)體上形成凸點(diǎn)的工序；之后，使上述毛細(xì)管垂直上升的工序；之后，使上述毛細(xì)管向與上述第1導(dǎo)體所在方向相反的方向橫向移動的工序；之后，使上述毛細(xì)管下降，將該毛細(xì)管的底部擠壓到上述凸點(diǎn)上的工序；以及之后的使上述毛細(xì)管向上述第1導(dǎo)體的方向橫向移動的工序，并且在上述凸點(diǎn)的上部設(shè)置傾斜面。
本發(fā)明的凸點(diǎn)形成方法是適合于在第1導(dǎo)體上進(jìn)行1次鍵合，并且在第2導(dǎo)體上進(jìn)行2次鍵合，從而在第1導(dǎo)體與第2導(dǎo)體之間進(jìn)行引線鍵合，利用球鍵合預(yù)先在第2導(dǎo)體上形成凸點(diǎn)的方法，它包括使毛細(xì)管下降至上述第2導(dǎo)體上，將在引線端部形成的小球球鍵合到上述第2導(dǎo)體上形成凸點(diǎn)的工序；之后，使上述毛細(xì)管垂直上升的工序；之后，使上述毛細(xì)管向上述第1導(dǎo)體所在方向橫向移動的工序；之后，使上述毛細(xì)管垂直上升的工序；之后，使上述毛細(xì)管向與上述第1導(dǎo)體所在方向相反的方向橫向移動的工序；之后，使上述毛細(xì)管下降，將該毛細(xì)管的底部擠壓到上述凸點(diǎn)上的工序；以及之后的使上述毛細(xì)管向上述第1導(dǎo)體所在方向橫向移動的工序，并且在上述凸點(diǎn)的上部設(shè)置傾斜面。
在本發(fā)明的凸點(diǎn)形成方法的優(yōu)選實(shí)施例中，上述凸點(diǎn)上部的傾斜面以聯(lián)結(jié)的該傾斜面的兩端部間直線對上述第2導(dǎo)體面所成的傾角朝向上述第1導(dǎo)體形成2°～60°的張角的方式形成。
另外，本發(fā)明的凸點(diǎn)是適合于在第1導(dǎo)體上進(jìn)行1次鍵合，并且在第2導(dǎo)體上進(jìn)行2次鍵合，從而在第1導(dǎo)體與第2導(dǎo)體之間進(jìn)行引線鍵合，利用球鍵合預(yù)先在第2導(dǎo)體上形成的凸點(diǎn)，其特征在于它具有形成平面或凹面的上表面，該上表面以聯(lián)結(jié)它的兩端部間的直線對上述第2導(dǎo)體面所成的傾角朝向上述第1導(dǎo)體形成2°～60°的張角的方式形成。圖1是示出采用本發(fā)明的一個實(shí)施例的引線鍵合方法在半導(dǎo)體芯片與布線之間進(jìn)行引線鍵合的狀態(tài)的剖面圖。
圖2A～圖2G是用于說明本發(fā)明的引線鍵合方法的一個實(shí)施例的鍵合工序的圖。
圖3是在凸點(diǎn)上部的傾斜面上對引線進(jìn)行2次鍵合時的放大剖面圖。
圖4是示出實(shí)施本發(fā)明的凸點(diǎn)形成方法之前的狀態(tài)，示出電路基板上的第1導(dǎo)體、第2導(dǎo)體與毛細(xì)管的位置關(guān)系的圖。
圖5A～圖5E是示出本發(fā)明的凸點(diǎn)形成方法的一個實(shí)施例的工序圖，圖5F是示出毛細(xì)管的移動路徑的圖。
圖6是根據(jù)圖5A～圖5F所示的實(shí)施例形成的凸點(diǎn)的剖面圖。
圖7A～圖7G是示出本發(fā)明的凸點(diǎn)形成方法的另一實(shí)施例的工序圖，圖7H是示出毛細(xì)管的移動路徑的圖。
圖8A和圖8B是根據(jù)圖7A～圖7H所示的實(shí)施例分別形成的凸點(diǎn)的剖面圖。
圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的凸點(diǎn)形成方法的實(shí)施例利用所形成的凸點(diǎn)進(jìn)行引線鍵合的例子的剖面圖。
圖10是利用按現(xiàn)有的凸點(diǎn)形成方法形成的凸點(diǎn)進(jìn)行引線鍵合的圖。
圖11是說明利用按現(xiàn)有的凸點(diǎn)形成方法形成的凸點(diǎn)進(jìn)行引線鍵合時的問題的圖。下面根據(jù)圖示的實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行具體的說明。另外，在附圖的各圖中，相同的參照符號表示同樣的部分。
在圖1中示出了用本發(fā)明的一個實(shí)施例的引線鍵合方法在半導(dǎo)體芯片與布線之間進(jìn)行引線鍵合的狀態(tài)。
在由陶瓷基板、印刷基板等基板或者引線框架等構(gòu)成的電路基板30上用小片安裝膏6安裝了半導(dǎo)體芯片8。在該半導(dǎo)體芯片8上形成了鍵合區(qū)(第1導(dǎo)體)10。另外，在電路基板30上形成了使用與Au引線50鍵合性差的Ni、Cu等布線材料的作為第2導(dǎo)體的布線20。
下面根據(jù)圖2A至圖2G，對本發(fā)明的一個實(shí)施例的引線鍵合方法進(jìn)行說明。
首先，如圖2A所示，在從毛細(xì)管40的通孔41中穿過引線50的狀態(tài)下，利用電焊槍60在從毛細(xì)管40突出的引線50的端部形成小球51。
其次，如圖2B所示，將毛細(xì)管40下降至布線20上，對在引線50的端部形成的小球51在布線20上進(jìn)行球鍵合。借助于該球鍵合形成凸點(diǎn)51a。
接著，在使毛細(xì)管40上升后，如圖2C所示，從凸點(diǎn)51a的中心向作為第1導(dǎo)體的鍵合區(qū)10的所在方向的反方向橫向移動。之后，如圖2D所示，再次將毛細(xì)管40壓向下方，將毛細(xì)管40的底部42擠壓到凸點(diǎn)51a的面上，在凸點(diǎn)51a的上部形成傾斜面51c，切斷引線50。
由實(shí)驗(yàn)得知，如圖3所示，這樣形成的凸點(diǎn)51a借助于使凸點(diǎn)51a上部的傾斜面51c對作為第2導(dǎo)體的布線20的面的傾角θ為2°～60°的張角，構(gòu)成了從鍵合區(qū)10向凸點(diǎn)51a上部的傾斜面51c進(jìn)行引線鍵合時的引線50的導(dǎo)軌，因而在引線50上不產(chǎn)生U字形的下垂。
之后，如圖2E所示，利用電焊槍60在引線50的端部形成小球52。然后，如圖2F所示，使毛細(xì)管40位于半導(dǎo)體芯片8的鍵合區(qū)10上，進(jìn)行1次鍵合。
接著，如圖2G所示，從鍵合區(qū)10進(jìn)行引線50的成環(huán)，使引線50位于凸點(diǎn)51a上部的傾斜面51c的上部，在毛細(xì)管40的底部42使引線50與凸點(diǎn)51a上部的傾斜面51c相鍵合，切斷引線50。
圖3是上述圖2G工序的引線50與凸點(diǎn)51a上部的傾斜面51c鍵合時的放大圖。之所以如上所述那樣，將凸點(diǎn)51a的上表面51c的傾角θ制成2°～60°，是因?yàn)楦鶕?jù)第1導(dǎo)體(鍵合區(qū))10和第2導(dǎo)體(布線)20的在高度方向上的位置關(guān)系由實(shí)驗(yàn)得出這一范圍是適當(dāng)?shù)?。即，由于在?導(dǎo)體10與第2導(dǎo)體20之間進(jìn)行引線鍵合時，在電路基板30上的第1導(dǎo)體10處于比第2導(dǎo)體20低的位置的場合，減小傾角θ使得易于將從第1導(dǎo)體10制成環(huán)形的引線50導(dǎo)引至第2導(dǎo)體20面上的凸點(diǎn)51a的上表面51c上。另一方面，是由于在第1導(dǎo)體10處于比第2導(dǎo)體20高的位置的場合，增大傾角θ反而易于導(dǎo)引。
另外，上述的引線鍵合利用了超聲波施加裝置。
下面參照圖4至圖9對本發(fā)明的凸點(diǎn)及其形成方法的實(shí)施例進(jìn)行說明。
圖4示出了在由陶瓷基板、印刷基板等基板或者引線框架等構(gòu)成的電路基板30上設(shè)置的第1導(dǎo)體10和第2導(dǎo)體20，以及構(gòu)成鍵合裝置的一部分的毛細(xì)管40和從其通孔41內(nèi)穿過落下，并在端部形成了小球51的引線50。
下面根據(jù)圖5A至圖5F對本發(fā)明的凸點(diǎn)形成方法的一個實(shí)施例進(jìn)行說明。
首先，借助于省略了其圖示的電焊槍的熱量，在毛細(xì)管40底部的、從通孔41突出的引線50的端部形成小球51。至此，是一般的工序。
其次，作為第1工序，如圖5A所示，使毛細(xì)管40下降到第2導(dǎo)體20上，將在引線50的端部形成的小球51鍵合到第2導(dǎo)體20上形成凸點(diǎn)51a。
接著，作為第2工序，如圖5B所示，使上述毛細(xì)管40垂直上升。
接著，作為第3工序，如圖5C所示，使上述毛細(xì)管40向與上述第1導(dǎo)體10所在方向相反的方向橫向移動。
進(jìn)而，作為第4工序，如圖5D所示，使上述毛細(xì)管40下降，將毛細(xì)管40的底部42擠壓到凸點(diǎn)51a的面上。
接著，作為第5工序，如圖5E所示，使上述毛細(xì)管40向上述第1導(dǎo)體10的方向橫向移動。
當(dāng)用毛細(xì)管的移動來表示這些工序時，如圖2F所示，成為M1→M2→M3→M4→M5，通過進(jìn)行這些工序可以在第2導(dǎo)體20的面上形成上表面51c為傾斜面的凸點(diǎn)51a。
對上述各工序中的毛細(xì)管40的移動距離和移動方向的控制以能取得如下結(jié)果的方式進(jìn)行如圖6所示，由此形成的凸點(diǎn)51a在聯(lián)結(jié)第1導(dǎo)體10和第2導(dǎo)體20的垂直面的剖面圖中，聯(lián)結(jié)凸點(diǎn)51a的上表面51c的兩端部P1、P2間的直線對第2導(dǎo)體20的面的傾角θ朝向第1導(dǎo)體形成2°～60°的張角。
另外，在圖中，符號A表示凸點(diǎn)51a的基底部的直徑，符號B表示基底部的厚度，符號C表示凸點(diǎn)51a的高度。
實(shí)際上，上述尺寸A、B、C與引線50的直徑也有關(guān)系，當(dāng)引線50的直徑為7～100μm時，基底部的直徑A為25～300μm，基底部的厚度B可以在4～60μm的范圍內(nèi)，凸點(diǎn)的高度C可以在10～200μm的范圍內(nèi)形成。作為一例，在引線直徑＝30μm的金絲的場合，形成基底部直徑A＝75μm，基底部厚度B＝17μm，凸點(diǎn)高度C＝60μm的凸點(diǎn)51a。另外，作為另一例，在引線直徑＝50μm的金絲的場合，形成基底部直徑A＝190μm，基底部厚度B＝35μm，凸點(diǎn)高度C＝110μm的凸點(diǎn)51a。
下面根據(jù)圖7A至圖7H對本發(fā)明的凸點(diǎn)形成方法的另一實(shí)施例進(jìn)行說明。
首先，借助于省略了其圖示的電焊槍的熱量，在毛細(xì)管40底部的、從通孔41突出的引線50的端部形成小球51。
其次，作為第1工序，如圖7A所示，使毛細(xì)管40下降到第2導(dǎo)體20上，將在引線50的端部形成的小球51鍵合到第2導(dǎo)體上形成凸點(diǎn)51a。
接著，作為第2工序，如圖7B所示，使上述毛細(xì)管40垂直上升。
然后，作為第3工序，如圖7C所示，使上述毛細(xì)管40向上述第1導(dǎo)體10的所在方向橫向移動。
接著，作為第4工序，如圖7D所示，使上述毛細(xì)管40垂直上升。
接著，作為第5工序，如圖7E所示，使上述毛細(xì)管40向與上述第1導(dǎo)體10所在方向相反的方向橫向移動。
進(jìn)而，作為第6工序，如圖7F所示，使上述毛細(xì)管40下降，將毛細(xì)管40的底部擠壓到凸點(diǎn)51a的面上。
最后，作為第7工序，如圖7G所示，使上述毛細(xì)管40向上述第1導(dǎo)體10的方向橫向移動。
當(dāng)用毛細(xì)管的移動來表示這些工序時，如圖2H所示，成為M1→M2→M3→M4→M5→M6→M7，通過進(jìn)行這些工序，可以在第2導(dǎo)體20的面上形成上表面51c為傾斜面的凸點(diǎn)51a。
對上述各工序中的毛細(xì)管40的移動距離和移動方向的控制以能取得如下結(jié)果的方式進(jìn)行由此形成的凸點(diǎn)，如圖8A、8B所示，在聯(lián)結(jié)第1導(dǎo)體10與第2導(dǎo)體20的垂直面的剖面圖中，聯(lián)結(jié)凸點(diǎn)51a的上表面51c的兩端部P1、P2間的直線對第2導(dǎo)體20的面的傾角θ朝向第1導(dǎo)體10形成2°～60°的張角。
在上述各工序中，當(dāng)如圖7H的虛線那樣移動毛細(xì)管40時，由于在凸點(diǎn)51a的上表面51c上承載的引線50的彎曲部51b的量有變化，所以最終會或如圖8A那樣，增高所形成的凸點(diǎn)51a的高度，或如圖8B那樣，使凸點(diǎn)51a的上部面積比基底部的面積大。
如圖3、圖6、圖8A、圖8B所示，本發(fā)明的實(shí)施例的凸點(diǎn)51a的上表面51c形成平面或凹面，同時在連接第1導(dǎo)體10與第2導(dǎo)體20的垂直面的剖面圖中，聯(lián)結(jié)凸點(diǎn)51a的上表面51c的兩端部P1、P2間的直線對第2導(dǎo)體20的面的傾角θ朝向第1導(dǎo)體10形成2°～60°的張角。
若在第2導(dǎo)體20的面上預(yù)先形成上述形狀的凸點(diǎn)51a，則如圖9所示，在從第1導(dǎo)體10對第2導(dǎo)體20將引線50環(huán)接時，傾斜面構(gòu)成了導(dǎo)引面，引線50的彎曲能夠減少，因而能夠使引線之間的接觸以及因引線松弛而與電路基板面的接觸等減少。如以上所述，根據(jù)本發(fā)明的引線鍵合方法，在凸點(diǎn)上部形成的傾斜面，在從第1導(dǎo)體對第2導(dǎo)體進(jìn)行引線環(huán)接時構(gòu)成了導(dǎo)引面，因而能夠防止引線與半導(dǎo)體芯片，或引線與鍵合區(qū)的接觸。另外，由于凸點(diǎn)的上表面成為傾斜面，所以消除了現(xiàn)有的用引線與引線鍵合時所發(fā)生的引線彎曲，作為其結(jié)果，消除了引線鍵合后相鄰的引線間的接觸。還有，由于凸點(diǎn)上部的楔鍵合形成了傾斜面，所以能夠消除楔鍵合后的引線殘留，使半導(dǎo)體封裝減薄。另外，將傾斜面制成平面或凹面時，能夠擴(kuò)大鍵合面積，可以提高鍵合強(qiáng)度。
另外，根據(jù)本發(fā)明的凸點(diǎn)形成方法，由于能夠在第2導(dǎo)體面上形成具有在聯(lián)結(jié)第1導(dǎo)體與第2導(dǎo)體的垂直面的剖面圖中，聯(lián)結(jié)凸點(diǎn)的上表面的兩端部間的直線對第2導(dǎo)體的面的傾角朝向第1導(dǎo)體形成2°～60°的張角的這樣的傾斜面的凸點(diǎn)，所以在從第1導(dǎo)體對第2導(dǎo)體進(jìn)行引線環(huán)接時，傾斜面構(gòu)成導(dǎo)引面，引線的彎曲能夠減少，因而能夠使引線之間的接觸以及因引線松弛而與電路基板面的接觸等減少，同時還能夠防止凸點(diǎn)與引線結(jié)合時引線彎曲的發(fā)生。
另外，由于能夠自由地形成傾角，所以當(dāng)減小傾角時能夠減少凸點(diǎn)上的引線殘留，從而能夠?qū)⒎庋b減薄。另外，當(dāng)?shù)?導(dǎo)體處于高的位置上時，通過增大傾角，能夠容易而完全地進(jìn)行引線連接。
另外，由于能夠增大凸點(diǎn)上表面的面積，所以能夠擴(kuò)大它與引線的鍵合面積，能夠提高鍵合強(qiáng)度。
權(quán)利要求
1.一種引線鍵合方法，它是在第1導(dǎo)體與第2導(dǎo)體之間進(jìn)行引線鍵合的方法，其特征在于，包括利用球鍵合在上述第2導(dǎo)體上形成凸點(diǎn)的工序；在上述凸點(diǎn)的上部形成傾斜面的工序；在上述第1導(dǎo)體上對引線的一端進(jìn)行1次鍵合的工序；以及對上述第2導(dǎo)體上的凸點(diǎn)從上述第1導(dǎo)體將引線制成環(huán)形，在上述凸點(diǎn)上部的傾斜面上對引線的另一端進(jìn)行2次鍵合的工序。
2.如權(quán)利要求1所述的引線鍵合方法，其特征在于上述凸點(diǎn)上部的傾斜面以聯(lián)結(jié)該傾斜面的兩端部間的直線對上述第2導(dǎo)體面所成的傾角朝向上述第1導(dǎo)體形成2°～60°的張角的方式形成。
3.一種引線鍵合方法，它是利用在其通孔中穿過引線的毛細(xì)管，在第1導(dǎo)體與第2導(dǎo)體之間進(jìn)行引線鍵合的方法，其特征在于，包括使毛細(xì)管位于上述第2導(dǎo)體上，借助于進(jìn)行球鍵合在上述第2導(dǎo)體上形成凸點(diǎn)的工序；在將上述毛細(xì)管向上方移動后，將該毛細(xì)管橫向移動至與上述第1導(dǎo)體相反一側(cè)的位置，使上述毛細(xì)管下降，切斷上述引線，在上述凸點(diǎn)的上部形成傾斜面的工序；在上述第1導(dǎo)體上對上述引線的一端進(jìn)行1次鍵合的工序；以及使上述毛細(xì)管位于上述凸點(diǎn)上部的傾斜面上，對從上述毛細(xì)管內(nèi)伸出的引線在上述毛細(xì)管的底部在上述凸點(diǎn)上部的傾斜面上進(jìn)行2次鍵合，并在其結(jié)合部附近切斷上述引線的工序。
4.如權(quán)利要求3所述的引線鍵合方法，其特征在于上述凸點(diǎn)上部的傾斜面形成為平面或凹面，上述2次鍵合工序包括使上述毛細(xì)管位于上述凸點(diǎn)上部的傾斜面上，用該毛細(xì)管的底部在上述凸點(diǎn)上部的傾斜面上擠壓引線。
5.如權(quán)利要求3或4所述的引線鍵合方法，其特征在于上述凸點(diǎn)上部的傾斜面以聯(lián)結(jié)該傾斜面的兩端部間的直線對第2導(dǎo)體面所成的傾角朝向上述第1導(dǎo)體形成2°～60°的張角的方式形成。
6.一種凸點(diǎn)形成方法，它是適合于在第1導(dǎo)體上進(jìn)行1次鍵合，并且在第2導(dǎo)體上進(jìn)行2次鍵合，從而在第1導(dǎo)體與第2導(dǎo)體之間進(jìn)行引線鍵合，利用球鍵合預(yù)先在第2導(dǎo)體上形成凸點(diǎn)的方法，其特征在于，包括將毛細(xì)管下降至上述第2導(dǎo)體上，將在引線端部形成的小球球鍵合到上述第2導(dǎo)體上，形成凸點(diǎn)的工序；之后，使上述毛細(xì)管垂直上升的工序；之后，使上述毛細(xì)管向與上述第1導(dǎo)體所在方向相反的方向橫向移動的工序；之后，使上述毛細(xì)管下降，將該毛細(xì)管的底部擠壓到上述凸點(diǎn)上的工序；以及之后，使上述毛細(xì)管向上述第1導(dǎo)體的方向橫向移動的工序，在上述凸點(diǎn)的上部設(shè)置傾斜面。
7.如權(quán)利要求6所述的凸點(diǎn)形成方法，其特征在于上述凸點(diǎn)上部的傾斜面以聯(lián)結(jié)該傾斜面的兩端部間的直線對上述第2導(dǎo)體面所成的傾角朝向上述第1導(dǎo)體形成2°～60°的張角的方式形成。
8.一種凸點(diǎn)形成方法，它是適合于在第1導(dǎo)體上進(jìn)行1次鍵合，并且在第2導(dǎo)體上進(jìn)行2次鍵合，從而在第1導(dǎo)體與第2導(dǎo)體之間進(jìn)行引線鍵合，利用球鍵合預(yù)先在第2導(dǎo)體上形成凸點(diǎn)的方法，其特征在于，包括將毛細(xì)管下降至上述第2導(dǎo)體上，將在引線端部形成的小球球鍵合到上述第2導(dǎo)體上，形成凸點(diǎn)的工序；之后，使上述毛細(xì)管垂直上升的工序；之后，使上述毛細(xì)管向上述第1導(dǎo)體所在方向橫向移動的工序；之后，使上述毛細(xì)管垂直上升的工序；之后，使上述毛細(xì)管向與上述第1導(dǎo)體所在方向相反的方向橫向移動的工序；之后，使上述毛細(xì)管下降，將該毛細(xì)管的底部擠壓到上述凸點(diǎn)上的工序；以及之后，使上述毛細(xì)管向上述第1導(dǎo)體所在的方向橫向移動的工序，在上述凸點(diǎn)的上部設(shè)置傾斜面。
9.如權(quán)利要求8所述的凸點(diǎn)形成方法，其特征在于上述凸點(diǎn)上部的傾斜面以聯(lián)結(jié)該傾斜面的兩端部間的直線對第2導(dǎo)體面所成的傾角朝向上述第1導(dǎo)體形成2°～60°的張角的方式形成。
10.一種凸點(diǎn)，它是適合于在第1導(dǎo)體上進(jìn)行1次鍵合，并且在第2導(dǎo)體上進(jìn)行2次鍵合，從而在第1導(dǎo)體與第2導(dǎo)體之間進(jìn)行引線鍵合，利用球鍵合預(yù)先在第2導(dǎo)體上形成的凸點(diǎn)，其特征在于具有在平面或凹面上形成的上表面，該上表面以聯(lián)結(jié)它的兩端部間的直線對上述第2導(dǎo)體面所成的傾角朝向上述第1導(dǎo)體形成2°～60°的張角的方式形成。
全文摘要
本發(fā)明的課題是，提供能夠防止凸點(diǎn)與引線鍵合后引線與電路基板的接觸以及引線與布線之間的接觸的發(fā)生，并且能夠防止凸點(diǎn)與引線結(jié)合時引線彎曲的發(fā)生的引線鍵合方法以及凸點(diǎn)形成方法和凸點(diǎn)。在第1導(dǎo)體10與第2導(dǎo)體20之間進(jìn)行引線鍵合時，利用球鍵合預(yù)先在第2導(dǎo)體20上形成凸點(diǎn)51a。經(jīng)規(guī)定的路徑移動毛細(xì)管40，并使其工作，在凸點(diǎn)51a的上部形成傾斜面51c。在第1導(dǎo)體10上進(jìn)行1次鍵合后，對凸點(diǎn)51a從第1導(dǎo)體10一側(cè)將引線50制成環(huán)形，在傾斜面51c上進(jìn)行2次鍵合。
文檔編號H01L21/60GK1474442SQ0214296
公開日2004年2月11日 申請日期2002年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月8日
發(fā)明者今井玲, 安田玉成, 成, 信, 石井志信, 小作祐次, 次 申請人:株式會社海上