專(zhuān)利名稱(chēng)：圖形形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及形成半導(dǎo)體集成電路裝置的制造過(guò)程中使用的由化學(xué)放大型抗蝕劑構(gòu)成的抗蝕劑圖形的方法。
但是，為對(duì)應(yīng)抗蝕劑圖形的進(jìn)一步的微細(xì)化，最好是使用具有高分辨率和高靈敏度的化學(xué)放大型抗蝕劑材料形成抗蝕劑圖形。
另外，隨著抗蝕劑圖形的進(jìn)一步的微細(xì)化要求，抗蝕劑圖形的寬高比提高。
下面參考圖9(a)～9(c)和

圖10(a)～10(c)說(shuō)明形成化學(xué)放大型抗蝕劑材料構(gòu)成且寬高比高的抗蝕劑圖形的已有的圖形形成方法。
首先，如圖9(a)所示，在半導(dǎo)體襯底1上涂敷市場(chǎng)上銷(xiāo)售的化學(xué)放大型抗蝕劑材料(住友化學(xué)公司制造的PAR-101)，形成具有0.4微米厚的抗蝕劑膜2。
接著如圖9(b)所示，經(jīng)具有希望的掩膜圖形的光掩膜3，在數(shù)值孔徑NA為0.60的條件下，對(duì)抗蝕劑膜2照射ArF受激激光(波長(zhǎng)為193nm帶)4，進(jìn)行圖形曝光。
接著如圖9(c)所示，在105℃的溫度下，通過(guò)加熱板，對(duì)經(jīng)過(guò)圖形曝光的抗蝕劑膜2進(jìn)行90秒鐘的加熱(PEB)。這樣一來(lái)，在抗蝕劑膜2的曝光部2a中，由于從酸發(fā)生劑產(chǎn)生的酸的作用，可溶解于堿性顯影液，另一方面，在抗蝕劑膜2的未曝光部2b中，由于不從酸發(fā)生劑產(chǎn)生酸，因此難以溶解在堿性顯影液中。
隨后，如圖10(a)所示，將抗蝕劑膜2在例如2.38wt％四甲基氫氧化銨液構(gòu)成的堿性顯影液5中放置60秒鐘進(jìn)行顯影后，如圖10(b)所示，使用純水構(gòu)成的漂洗液進(jìn)行60秒鐘的漂洗，形成由抗蝕劑膜2的未曝光部2b構(gòu)成的、具有0.11微米的線(xiàn)寬的抗蝕劑圖形6。
但是，使用漂洗液7漂洗寬高比高的抗蝕劑圖形6時(shí)，如圖10(c)所示，由于漂洗液7的表面張力而產(chǎn)生抗蝕劑圖形6或傾斜或倒塌的問(wèn)題。
這樣，抗蝕劑圖形6或傾斜或倒塌時(shí)，將該抗蝕劑圖形6作為掩膜得到的圖形的形狀不良，因此，出現(xiàn)半導(dǎo)體器件的成品率惡化的問(wèn)題為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的第一圖形形成方法包括在襯底上形成由化學(xué)放大型抗蝕劑構(gòu)成的抗蝕劑膜的工序；選擇性地對(duì)抗蝕劑膜照射曝光光來(lái)進(jìn)行圖形曝光的工序；將經(jīng)過(guò)圖形曝光的抗蝕劑膜放置(暴露)于顯影液中的工序；對(duì)置于顯影液中的抗蝕劑膜進(jìn)行漂洗，形成抗蝕劑膜構(gòu)成的抗蝕劑圖形的工序，并且進(jìn)行漂洗的工序使用堿性漂洗液進(jìn)行。
根據(jù)第一圖形形成方法，由于對(duì)顯影后的抗蝕劑膜使用比純水表面張力小的堿性漂洗液進(jìn)行漂洗，因此抗蝕劑圖形從漂洗液受到的表面張力降低，從而抗蝕劑圖形不傾斜不倒塌，可保持良好形狀。
第二圖形形成方法包括在襯底上形成由化學(xué)放大型抗蝕劑構(gòu)成的抗蝕劑膜的工序；選擇性地對(duì)抗蝕劑膜照射曝光光來(lái)進(jìn)行圖形曝光的工序；將經(jīng)過(guò)圖形曝光的上述抗蝕劑膜放置(暴露)于顯影液中的工序；對(duì)置于顯影液中的上述抗蝕劑膜進(jìn)行漂洗，形成由抗蝕劑膜構(gòu)成的抗蝕劑圖形的工序，并且進(jìn)行上述漂洗的工序使用包含有機(jī)溶劑的漂洗液進(jìn)行。
根據(jù)第二圖形形成方法，由于對(duì)顯影后的抗蝕劑膜使用比純水表面張力小的包含有機(jī)溶劑的漂洗液進(jìn)行漂洗，因此抗蝕劑圖形從漂洗液受到的表面張力降低，從而抗蝕劑圖形不傾斜不倒塌，可保持良好形狀。
第三圖形形成方法，包括在襯底上形成由化學(xué)放大型抗蝕劑構(gòu)成的抗蝕劑膜的工序；選擇性地對(duì)抗蝕劑膜照射曝光光來(lái)進(jìn)行圖形曝光的工序；將經(jīng)過(guò)圖形曝光的抗蝕劑膜放置(暴露)于顯影液中的工序；對(duì)置于顯影液中的抗蝕劑膜進(jìn)行漂洗，形成由抗蝕劑膜構(gòu)成的抗蝕劑圖形的工序，并且進(jìn)行漂洗的工序使用包含有機(jī)溶劑的堿性漂洗液進(jìn)行。
根據(jù)第三圖形形成方法，由于對(duì)顯影后的抗蝕劑膜使用比純水表面張力小的包含有機(jī)溶劑的堿性漂洗液進(jìn)行漂洗，因此抗蝕劑圖形從漂洗液受到的表面張力降低，從而抗蝕劑圖形不傾斜不倒塌，可保持良好形狀。使用包含有機(jī)溶劑的堿性漂洗液時(shí)，可分別抑制抗蝕劑圖形從堿性物質(zhì)受到的壞影響，以及環(huán)境從有機(jī)溶劑受到的壞影響。
第四圖形形成方法，包括在襯底上形成由化學(xué)放大型抗蝕劑構(gòu)成的抗蝕劑膜的工序；選擇性地對(duì)抗蝕劑膜照射曝光光來(lái)進(jìn)行圖形曝光的工序；將經(jīng)過(guò)圖形曝光的抗蝕劑膜放置(暴露)于顯影液中的工序；對(duì)置于顯影液中的抗蝕劑膜進(jìn)行漂洗，形成由抗蝕劑膜構(gòu)成的抗蝕劑圖形的工序，并且進(jìn)行漂洗的工序是邊搖動(dòng)抗蝕劑膜邊向抗蝕劑膜供給漂洗液的工序。
根據(jù)第四圖形形成方法，從漂洗液的表面張力不同的方向?qū)刮g劑圖形作用，與對(duì)抗蝕劑圖形作用一定方向的表面張力的情況相比，抗蝕劑圖形受到的表面張力降低。因此抗蝕劑圖形不傾斜不倒塌，可保持良好形狀。
第五圖形形成方法，包括在襯底上形成由化學(xué)放大型抗蝕劑構(gòu)成的抗蝕劑膜的工序；選擇性地對(duì)抗蝕劑膜照射曝光光來(lái)進(jìn)行圖形曝光的工序；將經(jīng)過(guò)圖形曝光的抗蝕劑膜放置(暴露)于顯影液中的工序；對(duì)置于顯影液中的抗蝕劑膜進(jìn)行漂洗，形成由抗蝕劑膜構(gòu)成的抗蝕劑圖形的工序，并且進(jìn)行漂洗的工序是向抗蝕劑膜中散布霧狀的漂洗液的工序。
根據(jù)第五圖形形成方法，對(duì)抗蝕劑膜散布霧狀的漂洗液，因此與從噴嘴供給漂洗液的情況相比，漂洗液難以貯存在抗蝕劑圖形之間。從而降低對(duì)抗蝕劑圖形作用的表面張力，使得抗蝕劑圖形不傾斜不倒塌，可保持良好形狀。
在第四或第五的圖形形成方法中，漂洗液最好是堿性漂洗液或包含有機(jī)溶劑的堿性漂洗液。
這樣，由于漂洗液自身的表面張力小，對(duì)抗蝕劑圖形作用的表面張力大大降低。
在第一、第三、第四或第五的圖形形成方法中，在漂洗液是堿性漂洗液或包含有機(jī)溶劑的堿性漂洗液的情況下，堿性漂洗液最好是稀釋的堿性顯影液。
在第四或第五的圖形形成方法中，漂洗液最好是包含有機(jī)溶劑的漂洗液或包含有機(jī)溶劑的堿性漂洗液。
在第二、第三、第四或第五的圖形形成方法中，在漂洗液是包含有機(jī)溶劑的漂洗液或包含有機(jī)溶劑的堿性漂洗液的情況下，有機(jī)溶劑最好是丙酮、甲醇、乙醇、異丙醇、乳酸乙酯、甲基丙二醇醚醋酸酯、甲基丙二醇醚或二甘醇二甲醚。
首先如圖1(a)所示，在半導(dǎo)體襯底10上涂敷市場(chǎng)上銷(xiāo)售的化學(xué)放大型抗蝕劑材料(住友化學(xué)公司制造的PAR-101)，形成具有0.4微米厚的抗蝕劑膜11。
接著，如圖1(b)所示，經(jīng)具有希望的掩膜圖形的掩膜12，在數(shù)值孔徑NA為0.60的曝光條件下，對(duì)抗蝕劑膜11照射ArF受激激光(波長(zhǎng)為193nm帶)13，進(jìn)行圖形曝光。
接著，如圖1(c)所示，在105℃的溫度下，通過(guò)加熱板，對(duì)圖形曝光了的抗蝕劑膜11進(jìn)行90秒鐘的加熱(PEB)。這樣一來(lái)，在抗蝕劑膜11的曝光部11a中，由于從酸發(fā)生劑產(chǎn)生的酸的作用，基礎(chǔ)聚合物的保護(hù)基脫離，變?yōu)榭扇芙庥趬A性顯影液中，另一方面，在抗蝕劑膜11的未曝光部11b中，由于不從酸發(fā)生劑產(chǎn)生酸，因此基礎(chǔ)聚合物的保護(hù)基不脫離，難以溶解在堿性顯影液中。
隨后，如圖2(a)所示，將抗蝕劑膜11在例如2.38wt％四甲基氫氧化銨液構(gòu)成的堿性顯影液14中放置60秒鐘進(jìn)行顯影。
接著，如圖2(b)所示，從噴嘴16向顯影后的抗蝕劑膜11供給60秒鐘的、在純水中包含0.1wt％的四甲基氫氧化銨構(gòu)成的堿性漂洗液(堿性顯影液的稀釋液)17，進(jìn)行漂洗，如圖2(c)所示，形成由抗蝕劑膜11的未曝光部11b構(gòu)成且具有0.11微米線(xiàn)寬的抗蝕劑圖形15。
根據(jù)實(shí)施例1，對(duì)顯影后的抗蝕劑膜11使用比純水表面張力小的堿性漂洗液進(jìn)行漂洗，因此抗蝕劑圖形15從漂洗液受到的表面張力降低，從而抗蝕劑圖形15不傾斜不倒塌，可保持良好形狀。
另外，作為實(shí)施例1使用的堿性漂洗液17，可使用在純水中包含0.2wt％的四甲基氫氧化銨構(gòu)成的堿性溶液、在純水中包含0.07wt％的三甲基氫氧化銨構(gòu)成的堿性溶液、在純水中包含0.5wt％的四-正-丙基氫氧化銨構(gòu)成的堿性溶液、或在純水中包含0.1wt％的膽堿的堿性溶液等。
這樣，最好將堿性漂洗液中包含的堿含有量設(shè)定為高于0.01wt％且低于1wt％。由于漂洗液中包含的堿的含有量在0.01wt％以上，因此堿性漂洗液的表面張力確實(shí)比純水的表面張力降低，從而防止抗蝕劑圖形15傾斜或倒塌的情況。由于漂洗液中包含的堿含有量在1wt％以下，因此可防止抗蝕劑圖形15溶解在堿性漂洗液中的情況。
(實(shí)施例2)下面參考圖3(a)～3(c)和圖4(a)～4(c)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例2的圖形形成方法。
首先如圖3(a)所示，在半導(dǎo)體襯底20上涂敷市場(chǎng)上銷(xiāo)售的化學(xué)放大型抗蝕劑材料(住友化學(xué)公司制造的PAR-101)，形成具有0.4微米厚的抗蝕劑膜21。
接著，如圖3(b)所示，經(jīng)具有希望的掩膜圖形的掩膜22，在數(shù)值孔徑NA為0.60的曝光條件下，對(duì)抗蝕劑膜21照射ArF受激激光(波長(zhǎng)為193nm帶)23，進(jìn)行圖形曝光。
接著，如圖3(c)所示，在105℃的溫度下，通過(guò)加熱板，對(duì)圖形曝光了的抗蝕劑膜21進(jìn)行90秒鐘的加熱(PEB)。
這樣一來(lái)，在抗蝕劑膜21的曝光部21a中，由于從酸發(fā)生劑產(chǎn)生的酸的作用，基礎(chǔ)聚合物的保護(hù)基脫離，變?yōu)榭扇芙庥趬A性顯影液中，另一方面，在抗蝕劑膜21的未曝光部21b中，由于不從酸發(fā)生劑產(chǎn)生酸，因此基礎(chǔ)聚合物的保護(hù)基不脫離，難以溶解在堿性顯影液中。
隨后，如圖4(a)所示，將抗蝕劑膜21在例如2.38wt％四甲基氫氧化銨液構(gòu)成的堿性顯影液34中放置60秒鐘進(jìn)行顯影。
接著如圖4(b)所示，從噴嘴26向顯影后的抗蝕劑膜21供給60秒鐘的包含有機(jī)溶劑的漂洗液27，例如在純水中包含0.3wt％的甲基丙二醇醚醋酸酯的漂洗液，進(jìn)行漂洗，如圖4(c)所示，形成由抗蝕劑膜21的未曝光部21b構(gòu)成的、且具有0.11微米的線(xiàn)寬的抗蝕劑圖形25。
根據(jù)實(shí)施例2，由于對(duì)顯影后的抗蝕劑膜21使用比純水表面張力小的包含有機(jī)溶劑的漂洗液27進(jìn)行漂洗，因此抗蝕劑圖形25從漂洗液受到的表面張力降低，從而抗蝕劑圖形15不傾斜不倒塌，可保持良好形狀。
另外，作為漂洗液27中包含的有機(jī)溶劑，使用了甲基丙二醇醚醋酸酯，但也可使用丙酮、甲醇、乙醇、異丙醇、乳酸乙酯、甲基丙二醇醚或二甘醇二甲醚。
等來(lái)替代它。此時(shí)，最好將有機(jī)溶劑的含有量設(shè)定為高于0.01wt％且低于1wt％。這樣，不對(duì)環(huán)境產(chǎn)生壞影響，可減小漂洗液的表面張力。
實(shí)施例2中，使用純水中包含有機(jī)溶劑的漂洗液27，但替代其可使用純水中包含0.1wt％的三乙醇胺(堿)和0.5wt％的異丙醇(有機(jī)溶劑)構(gòu)成的包含有機(jī)溶劑的堿性漂洗液。
這樣，抑制抗蝕劑圖形25和環(huán)境受到的壞影響.并降低漂洗液的表面張力。
(實(shí)施例3)下面參考圖5(a)～5(c)和圖6(a)～6(c)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例3的圖形形成方法。
首先如圖5(a)所示，在半導(dǎo)體襯底30上涂敷市場(chǎng)上銷(xiāo)售的化學(xué)放大型抗蝕劑材料(住友化學(xué)公司制造的PAR-101)，形成具有0.4微米厚的抗蝕劑膜31。
接著，如圖5(b)所示，經(jīng)具有希望的掩膜圖形的掩膜32，在數(shù)值孔徑NA為0.60的曝光條件下，對(duì)抗蝕劑膜31照射ArF受激激光(波長(zhǎng)為193nm帶)33，進(jìn)行圖形曝光。
接著，如圖5(c)所示，在105℃的溫度下，通過(guò)加熱板，對(duì)經(jīng)過(guò)圖形曝光的抗蝕劑膜31進(jìn)行90秒鐘的加熱(PEB)。
這樣一來(lái)，在抗蝕劑膜31的曝光部31a中，由于從酸發(fā)生劑產(chǎn)生的酸的作用，基礎(chǔ)聚合物的保護(hù)基脫離，變?yōu)榭扇芙庥趬A性顯影液中，另一方面，在抗蝕劑膜31的未曝光部31b中，由于不從酸發(fā)生劑產(chǎn)生酸，因此基礎(chǔ)聚合物的保護(hù)基不脫離，難以溶解在堿性顯影液中。
隨后，如圖6(a)所示，將抗蝕劑膜31在例如2.38wt％四甲基氫氧化銨液構(gòu)成的堿性顯影液34中放置60秒鐘進(jìn)行顯影。
接著，如圖6(b)所示，進(jìn)行60秒鐘的邊搖動(dòng)保持半導(dǎo)體襯底30的試樣臺(tái)38邊從噴嘴36向顯影后的抗蝕劑膜31供給由純水構(gòu)成的漂洗液37的漂洗工序，如圖6(c)所示，形成由抗蝕劑膜31的未曝光部31b構(gòu)成且具有0.11微米的線(xiàn)寬的抗蝕劑圖形35。
根據(jù)實(shí)施例3，由于邊搖動(dòng)顯影后的抗蝕劑膜31邊向抗蝕劑膜31供給漂洗液37，因此，對(duì)抗蝕劑圖形35，從漂洗液37的表面張力不同的方向作用，與對(duì)抗蝕劑膜31作用一定方向的表面張力的情況相比，抗蝕劑圖形35受到的表面張力降低。從而抗蝕劑圖形35不傾斜不倒塌，可保持良好形狀。
另外，作為搖動(dòng)顯影后的抗蝕劑膜31的方向，可以是直線(xiàn)方向或是旋轉(zhuǎn)方向，作為搖動(dòng)抗蝕劑膜31的距離，最好是5cm左右，作為搖動(dòng)周期，最好是每秒1次左右。即，在每秒10cm左右的速度下?lián)u動(dòng)抗蝕劑膜31為好。
實(shí)施例3中，盡管使用純水構(gòu)成的漂洗液37，但也可使用實(shí)施例1所示的堿性漂洗液或?qū)嵤├?所示的包含有機(jī)溶劑的漂洗液或包含有機(jī)溶劑的堿性漂洗液來(lái)代替它。
(實(shí)施例4)下面參考圖7(a)～7(c)和圖8(a)～8(c)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例4的圖形形成方法。
首先如圖7(a)所示，在半導(dǎo)體襯底40上涂敷市場(chǎng)上銷(xiāo)售的化學(xué)放大型抗蝕劑材料(住友化學(xué)公司制造的PAR-101)，形成具有0.4微米厚的抗蝕劑膜41。
接著，如圖7(b)所示，經(jīng)具有希望的掩膜圖形的掩膜42，在數(shù)值孔徑NA為0.60的曝光條件下，對(duì)抗蝕劑膜41照射ArF受激激光(波長(zhǎng)為193nm帶)43，進(jìn)行圖形曝光。
接著，如圖7(c)所示，在105℃的溫度下，通過(guò)加熱板，對(duì)經(jīng)過(guò)圖形曝光的抗蝕劑膜41進(jìn)行90秒鐘的加熱(PEB)。
這樣一來(lái)，在抗蝕劑膜41的曝光部41a中，由于從酸發(fā)生劑產(chǎn)生的酸的作用，基礎(chǔ)聚合物的保護(hù)基脫離，變?yōu)榭扇芙庥趬A性顯影液中，另一方面，在抗蝕劑膜41的未曝光部41b中，由于不從酸發(fā)生劑產(chǎn)生酸，因此基礎(chǔ)聚合物的保護(hù)基不脫離，難以溶解在堿性顯影液中。
隨后，如圖8(a)所示，將抗蝕劑膜41在例如2.38wt％四甲基氫氧化銨液構(gòu)成的堿性顯影液44中放置60秒鐘進(jìn)行顯影。
接著，如圖8(b)所示，從濺射頭46對(duì)顯影后的抗蝕劑膜41進(jìn)行60秒鐘的霧狀散布由純水構(gòu)成的漂洗液47的漂洗工序，如圖8(c)所示，形成由抗蝕劑膜41的未曝光部41b構(gòu)成且具有0.11微米的線(xiàn)寬的抗蝕劑圖形45。
根據(jù)實(shí)施例4，對(duì)顯影后的抗蝕劑膜41霧狀散布漂洗液47，因此與從噴嘴供給漂洗液的情況下相比，抗蝕劑圖形45之間難以貯存漂洗液47。從而作用在抗蝕劑圖形45的表面張力降低。使得抗蝕劑圖形45不傾斜不倒塌，可保持良好形狀。
此時(shí)，最好是邊旋轉(zhuǎn)抗蝕劑膜41邊對(duì)該抗蝕劑膜41霧狀散布漂洗液47。這樣，抗蝕劑圖形45之間暫時(shí)貯存的漂洗液47通過(guò)旋轉(zhuǎn)力快速移動(dòng)到外側(cè)，從而作用在抗蝕劑圖形45的表面張力大大降低。
另外，盡管在實(shí)施例4中，使用了由純水構(gòu)成的漂洗液47，但也可使用實(shí)施例1所示的堿性漂洗液或?qū)嵤├?所示的包含有機(jī)溶劑的漂洗液或包含有機(jī)溶劑的堿性漂洗液來(lái)代替它。
權(quán)利要求
1.一種圖形形成方法，包括在襯底上形成由化學(xué)放大型抗蝕劑構(gòu)成的抗蝕劑膜的工序；選擇性地對(duì)上述抗蝕劑膜照射曝光光來(lái)進(jìn)行圖形曝光的工序；將經(jīng)過(guò)圖形曝光的上述抗蝕劑膜放置于顯影液中的工序；和對(duì)置于上述顯影液中的上述抗蝕劑膜進(jìn)行漂洗，形成由上述抗蝕劑膜構(gòu)成的抗蝕劑圖形的工序，并且進(jìn)行上述漂洗的工序使用堿性漂洗液進(jìn)行。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的圖形形成方法，上述堿性漂洗液是稀釋的堿性顯影液。
3.一種圖形形成方法，包括在襯底上形成由化學(xué)放大型抗蝕劑構(gòu)成的抗蝕劑膜的工序；選擇性地對(duì)上述抗蝕劑膜照射曝光光來(lái)進(jìn)行圖形曝光的工序；將經(jīng)過(guò)圖形曝光的上述抗蝕劑膜放置于顯影液中的工序；和對(duì)置于上述顯影液中的上述抗蝕劑膜進(jìn)行漂洗，形成由上述抗蝕劑膜構(gòu)成的抗蝕劑圖形的工序，并且進(jìn)行上述漂洗的工序使用包含有機(jī)溶劑的漂洗液進(jìn)行。
4.一種圖形形成方法，包括在襯底上形成由化學(xué)放大型抗蝕劑構(gòu)成的抗蝕劑膜的工序；選擇性地對(duì)上述抗蝕劑膜照射曝光光來(lái)進(jìn)行圖形曝光的工序；將經(jīng)過(guò)圖形曝光的上述抗蝕劑膜放置于顯影液中的工序；和對(duì)置于上述顯影液中的上述抗蝕劑膜進(jìn)行漂洗，形成由上述抗蝕劑膜構(gòu)成的抗蝕劑圖形的工序，并且進(jìn)行上述漂洗的工序使用包含有機(jī)溶劑的堿性漂洗液進(jìn)行。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的圖形形成方法，上述堿性漂洗液是稀釋的堿性顯影液。
6.一種圖形形成方法，包括在襯底上形成由化學(xué)放大型抗蝕劑構(gòu)成的抗蝕劑膜的工序；選擇性地對(duì)上述抗蝕劑膜照射曝光光來(lái)進(jìn)行圖形曝光的工序；將經(jīng)過(guò)圖形曝光的上述抗蝕劑膜放置于顯影液中的工序；對(duì)置于上述顯影液中的上述抗蝕劑膜進(jìn)行漂洗，形成由上述抗蝕劑膜構(gòu)成的抗蝕劑圖形的工序，并且進(jìn)行上述漂洗的工序是邊搖動(dòng)上述抗蝕劑膜邊向上述抗蝕劑膜提供漂洗液的工序。
7.一種圖形形成方法，包括在襯底上形成由化學(xué)放大型抗蝕劑構(gòu)成的抗蝕劑膜的工序；選擇性地對(duì)上述抗蝕劑膜照射曝光光來(lái)進(jìn)行圖形曝光的工序；將經(jīng)過(guò)圖形曝光的上述抗蝕劑膜放置于顯影液中的工序；對(duì)置于上述顯影液中的上述抗蝕劑膜進(jìn)行漂洗，形成由上述抗蝕劑膜構(gòu)成的抗蝕劑圖形的工序，進(jìn)行上述漂洗的工序是向上述抗蝕劑膜中散布霧狀的漂洗液的工序。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7的圖形形成方法，上述漂洗液是堿性漂洗液或包含有機(jī)溶劑的堿性漂洗液。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的圖形形成方法，上述堿性漂洗液是經(jīng)過(guò)稀釋的堿性顯影液。
10.根據(jù)權(quán)利要求3、5或9的圖形形成方法，上述有機(jī)溶劑是丙酮、甲醇、乙醇、異丙醇、乳酸乙酯、甲基丙二醇醚醋酸酯、甲基丙二醇醚或二甘醇二甲醚。
全文摘要
一種圖形形成方法，在襯底上形成由化學(xué)放大型抗蝕劑構(gòu)成的抗蝕劑膜后，選擇性地對(duì)該抗蝕劑膜照射曝光光來(lái)進(jìn)行圖形曝光。將經(jīng)過(guò)圖形曝光的抗蝕劑膜放置(暴露)于顯影液中，使用堿性漂洗液對(duì)該抗蝕劑膜進(jìn)行漂洗，形成由抗蝕劑膜構(gòu)成的抗蝕劑圖形。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1409377SQ02148238
公開(kāi)日2003年4月9日 申請(qǐng)日期2002年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2001年9月13日
發(fā)明者遠(yuǎn)藤政孝, 笹子勝 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社