專利名稱：圖形形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及圖形形成方法，具體涉及用于半導(dǎo)體器件制作中的光刻工序的圖形形成方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體元件的微細(xì)化，在光刻工序中要求高的清晰度。針對此要求，推進(jìn)所使用的曝光光的短波長化，在光刻中，作為曝光光源廣泛使用ArF準(zhǔn)分子激光器(波長193nm)。另外，隨著曝光光的短波長化，作為復(fù)制圖形的感光性樹脂(抗蝕劑膜)材料，化學(xué)放大型抗蝕劑也開始實用化?；瘜W(xué)放大型抗蝕劑膜，由于含有通過曝光在抗蝕劑中生成酸的酸生成劑，通過曝光生成的酸分解樹脂(在抗蝕劑是正型時)，或使其交聯(lián)(在抗蝕劑是負(fù)型時)，因此具有在其后進(jìn)行的顯影工序中使對于顯影液的溶解性變化的性質(zhì)，該性質(zhì)被用于得到高的清晰度。
在采用化學(xué)放大型抗蝕劑膜的光刻工序中，一般進(jìn)行使曝光時生成的酸擴(kuò)散的稱為PEB(Post Exposure Bake，曝光后烘烤)的加熱工序。在PEB工序中，由于在所供給的熱量和顯影后形成的抗蝕劑膜圖形的尺寸之間具有緊密關(guān)系，所以隨著所形成的圖形尺寸的微細(xì)化，要求更嚴(yán)格的溫度均勻性。
在以往的PEB工序中，廣泛使用在用加熱器加熱的熱板的上方，接近地載置被處理基板，從其背面?zhèn)认虮惶幚砘骞┙o熱的所謂鄰近烘烤的方法。熱板和被處理基板的距離(間隙)，從縮短加熱處理時間的觀點考慮，一般設(shè)定在100μm左右。但是，由于經(jīng)過成膜工序等的被處理基板因膜的應(yīng)力彎曲，因此熱板和被處理基板的間隙在被處理基板面內(nèi)不均勻。這成為使被處理基板面內(nèi)的溫度均勻性劣化的主要原因。
對此，提出了通過從設(shè)在被處理基板的上方的燈對被處理基板照射光，加熱被處理基板的燈加熱方法。在該方法中，基板的彎曲不像鄰近烘烤方法那樣成為問題。但是，存在難保證燈的照度均勻性，不能得到被處理基板面內(nèi)的良好的溫度均勻性的問題(參照特開2000-277423)。
對于具有彎曲的被處理基板，要求能夠形成在基板面內(nèi)具有良好的尺寸均勻性的圖形的圖形形成方法。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的第1觀點，提供一種圖形形成方法，其包括，在被處理基板上形成感光性樹脂膜；對所述感光性樹脂膜有選擇地照射能量線，在多個曝光區(qū)域各自上形成預(yù)期的潛像圖形；在形成所述潛像圖形后，在設(shè)置在熱板上的襯墊上載置所述被處理基板；采用所述熱板加熱所述感光性樹脂膜；以及為了形成與所述潛像圖形對應(yīng)的感光性樹脂膜圖形，使所述感光性樹脂膜顯影，其中在所述能量線的照射時，以使在所述被處理基板背面和所述熱板表面的距離大的曝光區(qū)域中的所述能量線的照射量，相對大于在所述被處理基板背面和所述熱板表面的距離小的曝光區(qū)域中的所述能量線的照射量的方式，設(shè)定所述能量線的照射量。
根據(jù)本發(fā)明的第2觀點，提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其包括采用上述第1觀點所述的圖形形成方法，在包括半導(dǎo)體基板的所述被處理基板上形成所述感光性樹脂膜圖形的工序。
根據(jù)本發(fā)明的第3觀點，提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其包括在包括半導(dǎo)體基板的被處理基板上形成感光性樹脂膜；對所述感光性樹脂膜有選擇地照射能量線，在多個曝光區(qū)域各自上形成預(yù)期的潛像圖形；在形成所述潛像圖形后，在設(shè)在熱板上的襯墊上載置所述被處理基板；采用所述熱板加熱所述感光性樹脂膜；為了形成與所述潛像圖形對應(yīng)的感光性樹脂膜圖形，使所述感光性樹脂膜顯影；以及在所述能量線的照射時，采用下述圖形形成方法，在包括所述半導(dǎo)體基板的所述被處理基板上形成所述感光性樹脂膜圖形，上述圖形形成方法，以使在所述被處理基板背面和所述熱板表面的距離大的曝光區(qū)域中的所述能量線的照射量，相對大于在所述被處理基板背面和所述熱板表面的距離小的曝光區(qū)域中的所述能量線的照射量的方式，設(shè)定所述能量線的照射量。


圖1是模式地表示根據(jù)第1實施方式的晶片整體圖的圖示。
圖2是模式地表示熱板和晶片的位置關(guān)系的剖面圖。
圖3是模式地表示晶片徑向被不均勻加熱的晶片的抗蝕劑膜圖形尺寸(顯影處理后)的面內(nèi)分布的圖示。
圖4是表示沿晶片徑向測定的一例晶片彎曲量數(shù)據(jù)的圖示。
圖5是表示彎曲量B和各彎曲量下的CD(critical dimension，關(guān)鍵尺寸)誤差量即ΔCD(彎曲量B＝0時的與CD的差)的關(guān)系的圖示。
圖6是表示用于得到預(yù)期圖形(90nmL&S)的設(shè)定曝光量的關(guān)系的圖示。
圖7是表示根據(jù)第1實施方式的24枚晶片的彎曲量分布的平均值的圖示。
圖8是表示從圖7所示的平均值得出的設(shè)定曝光量的圖示。
圖9是表示根據(jù)第2實施方式的處理順序的流程圖。
圖10是模式地表示根據(jù)第2實施方式的烘烤單元的剖面的圖示。
具體實施例方式
以下，參照

本發(fā)明的實施方式。
(第1實施方式)利用旋轉(zhuǎn)涂敷法，在被處理基板即直徑200mm的半導(dǎo)體基板(以下稱為晶片)上，涂敷防反射膜形成用材料。在190℃、60秒的條件下進(jìn)行烘烤處理，在晶片上形成膜厚80nm的防反射膜。
在該晶片上涂敷正型化學(xué)放大抗蝕劑膜形成用的材料。在130℃、60秒的條件下，進(jìn)行用于使抗蝕劑膜中的溶劑揮發(fā)的加熱處理(預(yù)烘烤)，在防反射膜上形成230nm的抗蝕劑膜。在預(yù)烘烤后，將晶片冷卻到室溫。冷卻后，將晶片輸送給以ArF準(zhǔn)分子激光器(波長193nm)作為光源的曝光裝置。
接著，準(zhǔn)備形成有包括下述圖形的掩模圖形的光掩模，上述圖形用于形成90nm線和空間(line and space)圖形(復(fù)制在晶片上時的圖形尺寸)。在抗蝕劑膜的各曝光區(qū)域?qū)π纬稍诠庋谀Ｉ系难谀D形進(jìn)行縮小投影曝光。
圖1是模式地表示晶片200的整體的圖示。如圖1所示，遍布晶片200整面地形成曝光區(qū)域(曝光拍攝)S。以下，詳細(xì)說明曝光量的修正方法。
首先，參照圖2說明如以往在晶片面內(nèi)使曝光量條件相同時出現(xiàn)的問題。圖2是模式地表示曝光后進(jìn)行的一般稱為PEB(Post Exposure Bake)的加熱工序所用的熱板和晶片的位置關(guān)系的剖面圖。
熱板201由形成在熱板背面上的加熱器(未圖示)加熱，由與加熱器連接的溫度調(diào)整單元(未圖示)控制溫度。晶片200通過襯墊203與熱板201分離地被保持。襯墊203以在熱板201的表面上環(huán)繞的圓周形設(shè)置，在圓周形的襯墊203上載置晶片200的周緣部。通過襯墊203，防止從熱板201向晶片200背面的污染，防止從晶片200背面向熱板201的污染。晶片200以通過襯墊203與熱板201分離地被保持的狀態(tài)被加熱。一般，從縮短加熱處理時間的觀點出發(fā)，采用0.1mm左右的厚度比較薄的襯墊203。
圖2(a)表示載置在襯墊203上的晶片200與熱板平行時的情況。但是，一般，經(jīng)過成膜工序、刻蝕工序后的晶片200，如圖2(b)所示，由于形成彎曲的形狀，因此熱板201上面和晶片200背面的距離d在晶片200面內(nèi)不同。因而，從熱板201供給晶片200的熱量在晶片200面內(nèi)不均勻。這是起因于按埋入在熱板201內(nèi)的溫度傳感器(未圖示)的溫度，控制熱板201的溫度。
圖3是模式地表示沿晶片徑向被不均勻加熱的晶片的抗蝕劑膜圖形(顯影處理后的抗蝕劑膜圖形)的晶片面內(nèi)分布的圖示。在圖3中，以相同的影線表示的抗蝕劑膜圖形具有相同的尺寸。例如如圖3所示，彎曲的晶片200，因PEB工序時的供熱量在晶片面內(nèi)的不均勻，在抗蝕劑膜圖形中產(chǎn)生尺寸偏差。
在本實施方式中，為了改善起因于PEB工序時的供熱量在晶片面內(nèi)的不均勻性的尺寸偏差，在PEB工序之前，準(zhǔn)備曝光量修正表，按基于該曝光量修正表算出的曝光量曝光。以下，說明曝光量修正表的計算方法。
準(zhǔn)備多個彎曲量不同的晶片，用KLA Tencor公司制的膜應(yīng)力測定器FLX5400測定抗蝕劑膜涂敷后的晶片面內(nèi)的彎曲量。此處，晶片彎曲量B，按以下定義。圖4是表示沿晶片徑向測定時的一例晶片彎曲量數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)在離晶片中心最遠(yuǎn)的2個測定點(在將晶片中心設(shè)定為x＝0時的x＝±90mm)之間調(diào)平。對于彎曲量不同的多個晶片，把調(diào)平基準(zhǔn)線的彎曲量規(guī)定為0，分別求出離晶片中心的距離x和在該晶片面內(nèi)位置處的彎曲量B(x)。
接著，對各晶片上的抗蝕劑膜，進(jìn)行曝光、PEB、顯影處理，形成多個抗蝕劑圖形。然后，用掃描型電子顯微鏡觀測在晶片面內(nèi)各位置處的圖形尺寸CD，計算用應(yīng)力測定器測定的彎曲量B和各彎曲量下的CD誤差量即ΔCD(彎曲量B＝0時的與CD的差)的關(guān)系(圖5)。
進(jìn)而，求出曝光量和CD的關(guān)系。由所求出的曝光量和CD的關(guān)系，計算用于得到預(yù)期圖形(90nmL&S)的彎曲量B和設(shè)定曝光量的關(guān)系(圖6)，求出曝光量修正表。
圖7是表示根據(jù)本實施方式的24枚晶片的彎曲量分布的平均值。由圖7所示的彎曲量分布的平均值，求出晶片面內(nèi)位置和設(shè)定曝光量的關(guān)系即曝光量修正表。圖8表示所求出的曝光量修正表。按與距晶片的中心的距離(位置)相應(yīng)的設(shè)定曝光量進(jìn)行曝光，在抗蝕劑膜中形成潛像，接著將晶片輸送到PEB單元，在130℃、60秒的條件下進(jìn)行PEB處理。在PEB處理后，將晶片冷卻到室溫。
接著，將晶片輸送到顯影單元，采用堿性顯影液進(jìn)行顯影處理。在顯影處理結(jié)束后，進(jìn)行沖洗處理、旋轉(zhuǎn)干燥處理，形成抗蝕劑膜圖形。
在上述條件下的實驗例中，在顯影后，測定抗蝕劑膜圖形的尺寸。晶片面內(nèi)的中心部的圖形和端部的圖形的尺寸差為1.1nm。由于不進(jìn)行根據(jù)距離d的修正時(以往技術(shù))的尺寸差為11.3nm，所以通過采用本實施方式的方法，能夠確認(rèn)大幅度降低尺寸差。其結(jié)果，能夠大幅度提高半導(dǎo)體器件的成品率。
在本實施方式中，從多個晶片的平均彎曲量(圖7)計算修正曝光量(圖8)，將算出的修正曝光量作為相對于整個晶片的修正曝光量，但也不局限于此。為了更嚴(yán)格地控制CD，也可以基于每個晶片的彎曲量數(shù)據(jù)，對每個晶片改變修正量。
此外，在本實施方式中，在抗蝕劑膜涂敷后計測晶片彎曲量，但也不局限于此。也可以采用在防反射膜形成前、或在抗蝕劑膜形成前所測定的晶片彎曲量。
此外，在本實施方式中，表示按每個曝光拍攝進(jìn)行曝光量修正的方法，但也不局限于此。在采用使被處理基板及光掩模平行地而且向同一方向移動的掃描型曝光裝置的時候，通過調(diào)整移動速度及掃描速度，也能夠在曝光拍攝內(nèi)進(jìn)行曝光量修正。此時的修正量，能夠用與本實施方式相同的方法求出。但是，不能用曝光裝置進(jìn)行與掃描方向直交的方向的修正。然而，在顯影時能夠通過采用某種顯影裝置進(jìn)行修正。具體是，采用特開2002-252167號公報記載的使進(jìn)行顯影液的供給/回收的顯影液供給/回收噴嘴，從所述被處理基板的一端向另一端掃描而進(jìn)行顯影的顯影裝置。該顯影裝置，能夠在局部區(qū)域進(jìn)行顯影處理。將顯影時的顯影液供給/回收噴嘴的掃描方向設(shè)定在與曝光時的被處理基板的移動方向直交的方向。另外，只要以使距離大的曝光區(qū)域上的顯影液供給/回收噴嘴的掃描速度相對小于距離小的曝光區(qū)域上的顯影液供給/回收噴嘴的掃描速度的方式設(shè)定就可以。
此外，在本實施方式中，對各彎曲量在晶片面內(nèi)測定抗蝕劑膜尺寸，求出修正曝光量，但也不局限于此。例如，也可以采用特開2001-102282號公報中記載的形成在光掩模上的曝光量監(jiān)測圖形，求出修正曝光量。能夠與對應(yīng)于曝光量監(jiān)測圖形地形成在感光性樹脂膜上的曝光量監(jiān)測標(biāo)記的潛像的尺寸對應(yīng)地計算修正曝光量。
形成在光掩模上的曝光量監(jiān)測圖形，在將掃描型曝光裝置的曝光波長設(shè)為λ、數(shù)值孔徑設(shè)為NA、相干因子設(shè)定為σ時，按滿足1/P≥(1+σ)NA/λ的條件的間距P間斷地或連續(xù)地配置在一方向上。此外，對抗蝕劑膜進(jìn)行曝光的能量線也可以設(shè)定為紫外線或遠(yuǎn)紫外線，也可以采用掃描型曝光裝置形成潛像圖形。
(第2實施方式)在本實施方式中，在曝光前的階段計測處理晶片的彎曲量，基于該計測結(jié)果設(shè)定曝光量條件。此外，在本實施方式中，由于只有修正曝光量的計算方法與實施方式1不同，所以省略重復(fù)的部分。
圖9是表示用于說明根據(jù)第2實施方式的處理的流程的流程圖的圖示。在預(yù)烘烤(抗蝕劑膜涂敷后的烘烤)中，在處理中測定與晶片背面間的距離d，基于該距離計算修正曝光量。下面詳細(xì)地說明。
首先，在半導(dǎo)體基板上形成抗蝕劑膜(步驟ST101)。接著，進(jìn)行預(yù)烘烤(步驟ST102)。圖10是模式表示抗蝕劑膜的預(yù)烘烤的烘烤單元的剖面的圖示。熱板201，由形成在熱板背面上的加熱器(未圖示)加熱，由與加熱器連接的溫度調(diào)整單元(未圖示)控制溫度。通過襯墊203，以與熱板201分離的狀態(tài)被保持而加熱晶片200。襯墊203，其厚度、尺寸、在面內(nèi)的配置位置、在面內(nèi)的配置數(shù)目與在曝光后烘烤中使用的襯墊相同。在熱板201上，在半徑方向形成多個從熱板201的背面向表面貫通的直徑2mm的孔，在這些孔中，從熱板201的背面?zhèn)瘸療岚?01的表面埋入激光位移計的頭部211。從激光位移計的頭部211向晶片200背面發(fā)射激光，通過利用頭部211接收來自晶片200背面的反射激光，能夠由反射激光的強度測定頭部211的位置處的熱板和晶片背面的距離。在抗蝕劑膜的預(yù)烘烤中，通過基于4個位置處的數(shù)據(jù)(距離d)，進(jìn)行插補處理，求出晶片半徑方向上的任意位置的熱板和晶片背面的距離d的關(guān)系(步驟ST103)。
在預(yù)烘烤前，預(yù)先求出距離d和用于形成預(yù)期圖形的修正曝光量的關(guān)系(修正量表T)。由在預(yù)烘烤前求出的該修正量表、和在預(yù)烘烤中測定的距離d，計算各拍攝位置的對晶片區(qū)域的修正曝光量(步驟ST104)。
采用對各拍攝位置的晶片區(qū)域分別算出的修正曝光量，進(jìn)行曝光處理(步驟ST105)。曝光后進(jìn)行加熱處理(PEB)(步驟ST106)，然后顯影(步驟ST107)。
測定所顯影的抗蝕劑圖形的尺寸。晶片面內(nèi)的中心部的圖形和端部的圖形的尺寸差為1.1nm。由于不進(jìn)行根據(jù)距離d的修正時的尺寸差為11.3nm，所以通過采用本實施方式的方法，能夠大幅度降低尺寸偏差。其結(jié)果，能夠大幅度提高半導(dǎo)體器件的成品率。
另外，在本實施方式中，采用激光位移計直接求出距離d，但也不局限于此。例如也可以采用輻射溫度計測定晶片背面的溫度，從背面溫度和距離d的變換表間接地求出距離d，進(jìn)行曝光量修正。
在各實施方式中，對抗蝕劑膜進(jìn)行曝光的能量線也能夠采用紫外線、遠(yuǎn)紫外線、真空紫外線、電子射線、X射線中的任何一種。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行附加的改良和變更。因此，本發(fā)明不限于上述具體實施方式
及詳細(xì)說明。在不脫離后述的技術(shù)方案和與其等同的內(nèi)容的主旨或范圍內(nèi)可以進(jìn)行種種變更。
權(quán)利要求
1.一種圖形形成方法，其包括，在被處理基板上形成感光性樹脂膜；對所述感光性樹脂膜有選擇地照射能量線，在多個曝光區(qū)域各自上形成預(yù)期的潛像圖形；在形成所述潛像圖形后，在設(shè)在熱板上的襯墊上載置所述被處理基板；采用所述熱板加熱所述感光性樹脂膜；以及為形成與所述潛像圖形對應(yīng)的感光性樹脂膜圖形，而對所述感光性樹脂膜進(jìn)行顯影，其中在所述能量線的照射時，以使在所述被處理基板背面和所述熱板表面的距離大的曝光區(qū)域的所述能量線的照射量，相對大于在所述被處理基板背面和所述熱板表面的距離小的曝光區(qū)域的所述能量線的照射量的方式，設(shè)定所述能量線的照射量。
2.如權(quán)利要求1所述的圖形形成方法，其中所述照射量，基于所述感光性樹脂膜形成后的所述被處理基板的彎曲量和最佳曝光量的關(guān)系設(shè)定。
3.如權(quán)利要求2所述的圖形形成方法，其中所述最佳曝光量，基于用于得到所述預(yù)期圖形的所述基板的彎曲量和曝光量的關(guān)系設(shè)定，該關(guān)系通過求出所述基板的彎曲量和所述感光性樹脂膜圖形與預(yù)期圖形的尺寸誤差的關(guān)系、基于該關(guān)系而設(shè)定。
4.如權(quán)利要求2所述的圖形形成方法，其中所述最佳曝光量，基于對于1塊基板的所述基板的彎曲量和曝光量的關(guān)系設(shè)定。
5.如權(quán)利要求2所述的圖形形成方法，其中所述最佳曝光量，基于對于多塊基板的所述基板的彎曲量和曝光量的關(guān)系的平均值設(shè)定。
6.如權(quán)利要求2所述的圖形形成方法，其中所述最佳曝光量，基于與曝光量監(jiān)測標(biāo)記的潛像的尺寸對應(yīng)的曝光量設(shè)定，所述曝光量監(jiān)測標(biāo)記的潛像與形成在光掩模上的曝光量監(jiān)測圖形對應(yīng)地形成在所述感光性樹脂膜上。
7.如權(quán)利要求6所述的圖形形成方法，其中形成在光掩模上的曝光量監(jiān)測圖形，在將掃描型曝光裝置的曝光波長設(shè)為λ、數(shù)值孔徑設(shè)為NA、相干因子設(shè)為σ時，按滿足1/P≥(1+σ)NA/λ的條件的間距P間斷地配置。
8.如權(quán)利要求6所述的圖形形成方法，其中形成在光掩模上的曝光量監(jiān)測圖形，在將掃描型曝光裝置的曝光波長設(shè)為λ、數(shù)值孔徑設(shè)為NA、相干因子設(shè)為σ時，按滿足1/P≥(1+σ)NA/λ的條件的間距P連續(xù)地配置在一方向上。
9.如權(quán)利要求1所述的圖形形成方法，其中所述潛像圖形，采用使被處理基板及光掩模向一方向平行地水平移動的掃描型曝光裝置形成。
10.如權(quán)利要求9所述的圖形形成方法，其中按每個所述曝光區(qū)域設(shè)定所述照射量。
11.如權(quán)利要求9所述的圖形形成方法，其中所述照射量在所述曝光區(qū)域內(nèi)設(shè)定。
12.如權(quán)利要求9所述的圖形形成方法，其中所述感光性樹脂膜的顯影采用顯影裝置進(jìn)行，該顯影裝置通過使進(jìn)行用于對所述感光性樹脂膜的局部區(qū)域進(jìn)行顯影的顯影液供給/回收的顯影液供給/回收噴嘴，沿所述感光性樹脂膜上掃描，而對所述感光性樹脂膜的大致整面進(jìn)行顯影；將所述顯影時的所述顯影液供給/回收噴嘴的掃描方向，設(shè)定為與所述掃描型曝光裝置的所述一方向直交的方向，并且，以使所述被處理基板背面和所述熱板表面的距離大的曝光區(qū)域中的所述顯影液供給/回收噴嘴的掃描速度比所述距離小的曝光區(qū)域中的該速度相對減慢的方式，設(shè)定所述顯影液供給/回收噴嘴的掃描速度。
13.如權(quán)利要求9所述的圖形形成方法，其中所述能量線是紫外線或遠(yuǎn)紫外線，采用所述掃描型曝光裝置形成所述潛像圖形。
14.如權(quán)利要求1所述的圖形形成方法，其中所述照射量，通過在所述感光性樹脂膜的預(yù)烘烤前求出所述被處理基板半徑方向位置處的所述熱板與所述被處理基板背面的距離、和用于形成預(yù)期圖形的修正曝光量的關(guān)系，由在該預(yù)烘烤前所求出的關(guān)系和在預(yù)烘烤中所測定的距離計算。
15.如權(quán)利要求14所述的圖形形成方法，其中所述熱板和所述被處理基板背面的所述距離利用激光位移計求出。
16.如權(quán)利要求14所述的圖形形成方法，其中所述熱板和被處理基板背面的所述距離，通過采用輻射溫度計測定被處理基板背面溫度，基于背面溫度和距離的變換表求出。
17.如權(quán)利要求1所述的圖形形成方法，其中還包括，在所述被處理基板上形成所述感光性樹脂膜之前，在所述被處理基板上形成防反射膜。
18.如權(quán)利要求1所述的圖形形成方法，其中所述能量線是紫外線、遠(yuǎn)紫外線、真空紫外線、電子束、X射線中的任何一種。
19.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其包括在包括半導(dǎo)體基板的被處理基板上形成感光性樹脂膜；對所述感光性樹脂膜有選擇地照射能量線，在多個曝光區(qū)域各自上形成預(yù)期的潛像圖形；在形成所述潛像圖形后，在設(shè)在熱板上的襯墊上載置所述被處理基板；采用所述熱板加熱所述感光性樹脂膜；為形成與所述潛像圖形對應(yīng)的感光性樹脂膜圖形，對所述感光性樹脂膜進(jìn)行顯影；以及在所述能量線的照射時，采用下述圖形形成方法，在包括所述半導(dǎo)體基板的所述被處理基板上形成所述感光性樹脂膜圖形，該方法中，以使在所述被處理基板背面和所述熱板表面的距離大的曝光區(qū)域的所述能量線的照射量，相對大于在所述被處理基板背面和所述熱板表面的距離小的曝光區(qū)域的所述能量線的照射量的方式，設(shè)定所述能量線的照射量。
全文摘要
本發(fā)明提供一種圖形形成方法，其包括在被處理基板上形成感光性樹脂膜，對所述感光性樹脂膜有選擇地照射能量線，在多個曝光區(qū)域各自上形成預(yù)期的潛像圖形，在形成所述潛像圖形后，在設(shè)在熱板上的襯墊上載置所述被處理基板，采用所述熱板加熱所述感光性樹脂膜，為形成與所述潛像圖形對應(yīng)的感光性樹脂膜圖形而對所述感光性樹脂膜顯影，所述圖形形成方法，在所述能量線的照射時，以使在所述被處理基板背面和所述熱板表面的距離大的曝光區(qū)域的所述能量線的照射量，相對大于在所述被處理基板背面和所述熱板表面的距離小的曝光區(qū)域的所述能量線的照射量的方式，設(shè)定所述能量線的照射量。
文檔編號H01L21/027GK1770009SQ200510117520
公開日2006年5月10日 申請日期2005年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月5日
發(fā)明者川野健二, 柴田剛, 早崎圭 申請人:株式會社東芝