專利名稱：晶圓的切割方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體加工方法，特別是一種晶圓的切割方法。
背景技術(shù)：
如圖1所示，習(xí)知晶圓10在完成制作后，使其上形成復(fù)數(shù)個晶片12，且相鄰晶片12間形成有切割道14，用以將每一晶片12自晶圓10上切割下來。
為了使晶圓10在切割過程中，被切割下來的晶片12不致散飛，通常在切割時，首先將晶圓10固定于保護層16上，再以切割刀延著切割道14將每一晶片12切割下來，最后再將保護層16去除。
然而，在切割過程中，切割屑將污染到每一晶片12，所以，最后必須將切割完成的每一晶片12以清水予以清洗，再行烘干，如此，導(dǎo)致制程的復(fù)雜，使得制造成本提高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種避免切割時對晶圓污染、免除清洗烘干、簡化制程、有效降低成本的晶圓的切割方法。
本發(fā)明包括如下步驟步驟一黏著第一保護層提供第一保護層；提供設(shè)有復(fù)數(shù)個晶片的晶圓，相鄰晶片間形成有切割道，且晶圓設(shè)有上表面及下表面，晶圓的下表面系固定于第一保護層上；步驟二黏著第二保護層提供覆蓋于晶圓上表面以保護晶圓上表面不受污染的第二保護層；
步驟三切割提供切割刀由晶圓的上表面朝著切割道進行切割成復(fù)數(shù)個晶片；步驟四取下第一、二保護層自切割后的每一晶片上取下第一保護層及第二保護層。
其中第一保護層為具有藉由黏著固定晶圓下表面第一黏膠層的膠帶。
第二保護層為具有藉由黏著固定晶圓上表面第二黏膠層的膠帶。
由于本發(fā)明包括于設(shè)有復(fù)數(shù)相互之間形成切割道晶片并具有上、下表面晶圓下表面黏著第一保護層、于晶圓上表面黏著第二保護層、以切割刀由晶圓的上表面朝著切割道進行切割成復(fù)數(shù)個晶片及自切割后的每一晶片上取下第一、二保護層。晶圓在切割時，其上表面系被第二保護層覆蓋保護住，因此，切割屑不會污染切割后的晶片，無須再對晶片進行清洗及烘干作業(yè)，可有效簡化生產(chǎn)制程及降低切割成本。不僅避免切割時對晶圓污染，而且免除清洗烘干、簡化制程、有效降低成本，從而達到本發(fā)明的目的。


圖1、為習(xí)知晶圓的切割方法示意圖。
圖2、為本發(fā)明步驟一示意圖。
圖3、為本發(fā)明步驟二示意圖。
圖4、為本發(fā)明步驟二示意圖。
具體實施例方式
如圖2所示，本發(fā)明包括如下步驟步驟一黏著第一保護層20如圖1所示，首先提供為具有第一黏膠層22膠帶的第一保護層20；
提供設(shè)有復(fù)數(shù)個晶片24的晶圓23，相鄰晶片24間形成有切割道26，且晶圓23設(shè)有上表面28及下表面30，晶圓23的下表面30系設(shè)于第一保護層20上，藉由第一黏膠層22與第一保護層20黏著固定；步驟二黏著第二保護層32如圖3、圖4所示，提供為具有第二黏膠層34膠帶的第二保護層32，藉由第二黏膠層34黏著固定于晶圓23的上表面28上，用以保護每一晶片24；步驟三切割提供切割刀進行晶圓23的切割作業(yè)，該切割刀由晶圓23的上表面28朝著切割道26進行切割成復(fù)數(shù)個晶片24；步驟四取下第一、二保護層自切割后的每一晶片24上取下第一保護層20及第二保護層32，即完成晶圓23的切割。
由于晶圓23在切割時，其上表面28系被第二保護層32覆蓋保護住，因此，切割屑不會污染切割后的晶片24，無須再對晶片24進行清洗及烘干作業(yè)，可有效簡化生產(chǎn)制程及降低切割成本。
權(quán)利要求
1.一種晶圓的切割方法，其特征在于它包括如下步驟步驟一黏著第一保護層提供第一保護層；提供設(shè)有復(fù)數(shù)個晶片的晶圓，相鄰晶片間形成有切割道，且晶圓設(shè)有上表面及下表面，晶圓的下表面系固定于第一保護層上；步驟二黏著第二保護層提供覆蓋于晶圓上表面以保護晶圓上表面不受污染的第二保護層；步驟三切割提供切割刀由晶圓的上表面朝著切割道進行切割成復(fù)數(shù)個晶片；步驟四取下第一、二保護層自切割后的每一晶片上取下第一保護層及第二保護層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓的切割方法，其特征在于所述的第一保護層為具有藉由黏著固定晶圓下表面第一黏膠層的膠帶。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓的切割方法，其特征在于所述的第二保護層為具有藉由黏著固定晶圓上表面第二黏膠層的膠帶。
全文摘要
一種晶圓的切割方法。為提供一種避免切割時對晶圓污染、免除清洗烘干、簡化制程、有效降低成本的半導(dǎo)體加工方法，提出本發(fā)明，它包括于設(shè)有復(fù)數(shù)相互之間形成切割道晶片并具有上、下表面晶圓的下表面黏著第一保護層、于晶圓上表面黏著第二保護層、以切割刀由晶圓的上表面朝著切割道進行切割成復(fù)數(shù)個晶片及自切割后的每一晶片上取下第一、二保護層。
文檔編號H01L21/304GK1512550SQ02159710
公開日2004年7月14日 申請日期2002年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月30日
發(fā)明者蕭永宏 申請人:勝開科技股份有限公司