專利名稱：輻射元件的芯片引線架、輻射元件及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及權利要求1前序部分所述的一種芯片引線架、權利要求14前序部分所述的一種外殼、權利要求23前序部分所述的一種輻射元件以及權利要求33前序部分所述的該元件的一種制造方法。
例如從DE 196 36 454已知發(fā)出輻射的半導體元件的芯片引線架。該處描述的半導體元件具有一個埋入了芯片引線架的外殼基體以及一個發(fā)出輻射的半導體本體，該半導體本體安裝在該芯片引線架上。該芯片引線架和外殼基體同時設計成產生輻射的反射器。
此外，從外殼基體伸出的芯片引線架的部分區(qū)域作為外部電連接條構成，而外殼則設計成適合于表面安裝元件。為了達到尤其是在大功率半導體元件時產生的損耗熱的良好的散熱，反射器的一部分可作為熱連接從外殼基體引出。
對高發(fā)光效率和相應大的損耗功率的元件來說，希望或需要更有效的散熱。
本發(fā)明的目的是對輻射元件提出一種改進的散熱，從而可在元件內產生高發(fā)光效率。此外，本發(fā)明的目的是提出這種元件的制造方法。
這個目的是通過權利要求1的一個芯片引線架、權利要求14的一個外殼、權利要求23的一個輻射元件或權利要求33的一種方法來實現的。本發(fā)明的諸多有利改進方案可從各項從屬權利要求的內容得知。
根據本發(fā)明，輻射元件尤指發(fā)光二極管的芯片引線架具有至少一個芯片安裝區(qū)、至少一個引線連接區(qū)和至少一個例如用來把元件安裝并連接到一塊印刷電路板上的外部連接條，并設置了一個支承部分，該支承部分具有引線連接區(qū)和電連接條并在其中嵌入一個與芯片引線架隔開的單獨制造的熱連接部分，后者設有芯片安裝區(qū)。具有這種芯片引線架的元件在運行中產生的損耗熱主要通過這個熱連接部分來散熱。這個熱連接部分最好與支承部分進行電連接，并同時作為芯片的電連接用。
與芯片引線架隔開單獨制造的熱連接部分具有這樣的優(yōu)點，即在大量損耗熱的吸收和散發(fā)方面可達到最佳化而比整體的芯片引線架好得多。所以在這種熱連接部分時，厚度、導熱率、熱膨脹系數和熱連接面都可達到最佳化而幾乎與對芯片引線架的要求無關。特別是，這種熱連接部分可達到高的熱容量，所以該熱連接部分構成一個有效的散熱源。一個大的熱連接面可減小熱阻，并由此改善導熱和把熱散發(fā)到周圍。
在本發(fā)明的一個優(yōu)選方案中，支承部分具有一個例如夾箍或夾環(huán)形式的嵌入孔，該熱連接部分嵌入其中。這里可理解成將熱連接元件嵌入芯片引線架的嵌入孔中，且其周邊與芯片引線架連接。
為此，這個熱連接部分例如可卡入該支承部分中和/或與它擠緊連接或鉚接。根據本發(fā)明，最好在熱連接部分和支承部分之間構成擠緊連接，這種擠緊連接的特點是具有高的機械強度和優(yōu)良的導電率。擠緊連接例如可這樣構成支承部分和熱連接部分例如通過把該連接部分嵌入支承部分的一個嵌入孔中來實現該支承部分和熱連接部分的相互定位，然后熱連接部分這樣變形，即在支承部分中形成連接部分的機械的固定位置。可用錘或沖頭之類的工具來產生變形。
連接部分最好這樣成形，即它可按鉚釘的方式與支承部分連接。在一定情況下，連接部分的單個接片或撐條的變形也能滿足在連接部分和支承部分之間形成足夠強度的擠緊連接。
在本發(fā)明的范圍內可在連接部分和支承部分之間建立附加的或另外的其他連接例如釬焊或熔焊連接也是適合的。此外，連接部分還與支承部分進行粘接。
半導體元件的這樣構成的一個機械穩(wěn)定的支架具有這樣的優(yōu)點，即用相當少的技術費用就可把它制造出來。
熱連接部分最好具有一個反射槽。在由此構成的元件時，這種熱連接部分可改善元件的輻射效率和射束聚束。在本發(fā)明的這個方案時，最好用一種金屬的熱連接部分，因為金屬表面以其很小的吸收損失和很強的定向反射而很適合作反射器表面。
為了提高機械穩(wěn)定性，尤其是對下面尚待詳細說明的外殼或元件來說，熱連接部分的反射槽的高度最好這樣選定，使它不超過一個設置在安裝區(qū)的芯片的兩倍高度。
適合作熱連接部分的材料是具有高導熱率的金屬，特別是銅或鋁或它們的合金。此外，其他優(yōu)選的材料有鉬、鐵、鎳和鎢以及鎳鐵合金和銅鎢合金，它們的熱膨脹系數與半導體材料例如砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)和以它們?yōu)榛A的材料的熱膨脹系數很匹配。其他適合作熱連接部分的材料為陶瓷和硅之類的半導體。熱連接部分也可是多層的，例如構成金屬陶瓷復合系統(tǒng)。
熱連接部分的芯片安裝表面最好進行調質處理，調質處理可改善芯片安裝的表面性能(鍵合性能)。這種調質處理例如可包括涂覆一層銀或金。
還有焊接連接條或引線連接區(qū)進行表面調質處理例如涂覆一層金、銀、錫或鋅來改善焊接或鍵合性能，在很大程度上也是有利的。
支承部分最好含銅或軟鐵并可例如用相應的箔沖壓而成。根據本發(fā)明，這種支承部分有利于散熱，所以對供電功能以及在下面還要詳細說明的一種模塑材料的彎曲性能和附著性能都可達到最佳化。
這方面例如包括支承部分在其厚度上可這樣制作，即從一卷支承帶進行加工、稍為沖壓即可彎曲成型。這類加工性能有利于自動化生產和支承帶上單個元件的密集布置(很小的間距)。
這樣要求的支承部分的很小厚度一般對芯片的足夠冷卻造成了困難。特別是由于機械穩(wěn)定性的原因限制了熱連接的橫截面。本發(fā)明通過嵌入熱連接部分而消除了這個缺點。
根據本發(fā)明，為了構成輻射元件的外殼，芯片引線架最好被外殼基體包封。為此，芯片引線架最好埋入一種構成該外殼基體的模塑材料例如注塑或壓鑄材料中。這樣就可用注塑法或壓鑄法進行經濟的外殼制造。模塑材料例如可用環(huán)氧樹脂或丙烯酸樹脂為基礎的塑料，但也可用任一種其他適合于這種使用目的的材料。為了散熱，熱連接部分最好這樣埋入它部分地從外殼基體伸出或構成外殼基體的一部分并由此可從外部進行熱連接。
在外殼基體中最好構成一個輻射出射窗口形式的孔口，并將熱連接部分這樣埋入外殼基體中，使芯片安裝區(qū)位于輻射出射窗口以內。芯片安裝區(qū)例如可構成輻射出射窗口的一個界定面。
這種外殼形狀特別適合于可表面安裝的元件，輻射出射窗口對面的一側或外殼基體的一個側面構成元件的一個支承面。埋入的熱連接部分最好一直延伸到這個支承面，這樣，通過該支承面就可同時把損耗熱散發(fā)到一個冷卻體或印制電路板上。熱連接部分最好這樣設計，使其表面的一部分同時構成支承面或支承面的一部分。
為了提高輻射效率，外殼基體內的輻射出射窗口可做成圓錐形。這樣，它的側壁就構成了一個反射器。通過這個反射器可使位于芯片安裝區(qū)的輻射源朝主輻射方向偏轉到發(fā)射輻射分量的一側。這樣就達到了輻射效率的提高和輻射的聚束改進。
反射器最好這樣造型，使熱連接部分構成反射器的第一區(qū)段，在該第一區(qū)段上連接一個由輻射出射窗口的側壁構成的反射器第二區(qū)段。反射器的總高度最好小于一個用來安裝在芯片裝配區(qū)上的芯片的四倍高度。這樣就可保證高的機械穩(wěn)定性，并把由于溫度變化產生的應力例如焊接過程中產生的應力限制到容許的范圍。
此外，用本發(fā)明的一個芯片引線架或外殼可構成一個具有改善散熱的發(fā)射輻射元件。這個元件具有一個發(fā)出輻射的芯片最好是一個半導體芯片，該芯片布置在熱連接部分的芯片安裝區(qū)上。
該芯片最好至少部分地被一種澆注材料包封。這種實施方案特別適用于具有一個在一個輻射出射窗口中布置了芯片的外殼，其中該輻射出射窗口完全或部分地用上述澆注材料填充。作為澆注材料特別適合用反應性樹脂，例如環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂或硅樹脂或它們的混合。在澆注材料中也可添加發(fā)光物質，這種發(fā)光物質把芯片產生的輻射轉換成別的波長范圍。這個實施方案特別適用于發(fā)射混合色或白色光的元件。
為了使外殼、芯片和澆注材料之間的熱翹曲保持最小，特別是為了避免澆注保護層的剝落，最好這樣選擇澆注體積V，使之與芯片的高度H滿足下列關系V≤q·H式中q表示比例系數，其值小于10毫米2，最好為7毫米2。
在本發(fā)明的一個優(yōu)選方案中，芯片引線架分成第一和第二電連接部分，其中熱連接部分嵌入第一電連接部分并在第二電連接部分上構成引線連接區(qū)。為了供電，一根引線從芯片的接觸面引到引線連接區(qū)。
本發(fā)明元件的制造方法從制造一個支承部分開始，該支承部分例如事先從一條帶或箔沖制而成。
在下一個步驟中，將一個單獨制作的熱連接部分嵌入該支承部分為此設置的一個孔中。然后將芯片安裝到熱連接部分上，例如通過用一種導電的粘接劑粘接或通過焊接。接著把這樣形成的芯片引線架用一種合適的外殼模塑材料進行包封，以構成外殼，例如用一種注塑法或一種壓鑄法進行。
在澆注前把芯片安裝到芯片引線架上的優(yōu)點是，也可用高溫方法例如焊接方法進行裝配。澆注的外殼部分不可能在這種高溫過程中受到損害。如果這點并不重要，當然也可按別的順序進行上述工藝步驟。
在澆注前把芯片安裝到芯片引線架上時，可用一種硬焊方法在超過260℃的溫度下焊接芯片。這樣，在芯片和芯片引線架之間就可達到特別低的熱阻。此外，在芯片和熱連接部分之間建立了耐高溫的連接，并特別是在高達大約260℃的典型溫度下焊接元件時，減少了芯片松脫的危險。
本發(fā)明的其他特征，優(yōu)點和適用性結合附

圖1至5的5個實施例來說明。
附圖表示圖1a和1b本發(fā)明一個芯片引線架的一個實施例的示意俯視圖或剖面圖；圖2本發(fā)明一個外殼的第一實施例的示意透視剖面圖；圖3本發(fā)明一個外殼的第二實施例的示意透視圖；圖4本發(fā)明一個元件的第一實施例的示意透視圖；圖5本發(fā)明一個元件的第二實施例的示意橫截面。
在圖1a和1b中所示的芯片引線架2包括一個分成兩個電連接部分12a，b的支承部分以及一個熱連接部分4。兩個電連接部分12a，b分別結束在一個焊接連接條3a，b中。
一個電連接部分12a具有一個夾環(huán)形式的孔，熱連接部分4嵌入該孔中。為此，熱連接部分4例如可精配合嵌入電連接部分12a中，然后按鉚接方式與電連接部分12a擠緊。熱連接部分4和電連接部分12a之間的另一類周邊連接例如也可通過鉚接，釬焊或熔焊來實現。
熱連接部分4基本上是旋轉對稱的并具有凸起19，這些凸起可實現芯片引線架2牢固錨定在一個外殼中。此外，在熱連接部分4中構成一個反射槽16形式的凹坑，在該凹坑的底面設置一個用來安裝一個發(fā)射輻的芯片的芯片安裝區(qū)11，而該凹坑的側面則起反射面的作用。
電連接部分12a的夾環(huán)具有一個空隙13，第二個電連接線12a的一個舌狀的引線連接區(qū)10與該空隙重疊。這個引線連接區(qū)10與反射槽的輻射側邊緣在高度上錯開布置。這樣，在安裝芯片時就可在芯片和引線連接區(qū)10之間進行短的引線連接，而無須在熱連接部分中在反射槽的邊緣上為此設置一個空隙。
圖2表示本發(fā)明一個外殼的一個實施例的縱剖面透視圖。該外殼具有一個用塑料模塑材料制成的基體1，該基體例如可周注塑法或壓鑄法制成。該模塑材料例如由一種以環(huán)氧樹脂或丙烯酸樹脂為基礎的塑料材料組成，但了民可由適合于這個目的的別的任何一種材料組成。
在基體1中，埋入了一個基本上相當于圖1的芯片引線架2，該芯片引線架包括兩個電連接部分12a，b和一個嵌入其中的熱連接部分4以及焊接連接條，后者從該外殼基體中伸出。熱連接部分4在芯片連接區(qū)11上構成基本上平面的沒有反射槽的結構。
熱連接部分4是這樣布置在外殼基體1內的，使熱連接部分4的底面6構成基體支承面7的一部分。該熱連接部分在其周邊設置有凸起19，以便機械牢固錨定在該外殼基體中。
在支承面7的對面，在外殼基體中構成一個孔口8作為輻射出射窗口，該孔口通到熱連接部分4，這樣，一個要固定在其上的發(fā)出輻射的芯片便可位于輻射出射窗口8內。輻射發(fā)射窗口8的側面9是傾斜的并作為由這個芯片運行時產生的輻射的反射器用。
圖3表示本發(fā)明一個外殼的另一實施例的支承面的透視圖。象前述實施例那樣，熱連接部分4的底面6從外殼基體1伸出。其中熱連接部分4的底面6從基體1稍微凸起，這樣，在裝配好的狀態(tài)下，就可保證在熱連接部分4和一個相應的支撐體例如一塊印制電路板或一個冷卻體之間的牢固支承和良好的導熱。
與前述實施例不同的是，這個外殼基體1具有一個側向的、從熱連接部分4延伸到外殼基體1的側面的槽20。當外殼安裝到一個支撐體上時。在裝配好的狀態(tài)下，這個槽20也可用來檢查該外殼和支撐體之間的連接。這樣，就可特別是檢查支撐體和熱連接部分之間的焊接。
圖4表示本發(fā)明一個輻射元件的一個實施例的示意透視圖。
象前述實施例那樣，一個芯片引線架2用一個嵌入的熱連接部分4幾乎埋入外殼基體1中，所以只有焊接連接條3a，b從外殼基體1側向伸出，熱連接部分4以未示出的方式構成外殼基體的支承面7的一部分并由此可從外部進行熱連接。
在熱連接部分4的芯片安裝區(qū)11上，固定了一個發(fā)出輻射的芯片5例如一個發(fā)光二極管。最好這是一個半導體芯片，例如一個發(fā)光二極管芯片或激光器芯片，該芯片用一種硬焊料焊接到熱連接部分4上。另一種方法是，該芯片可用一種粘接劑粘接到芯片安裝區(qū)11上，該粘接劑應具有足夠的導熱性，而且最好也是導電的。
GaAs、GaP和GaN基的半導體材料例如GaAlAs、InGaAs、InGaAlAs、InGaAlP、GaN、GaAlN、InGaN和InGaAlN特別適合作有效的輻射源。
元件的外殼基本上相當于圖2和圖3所示的外殼。唯一的區(qū)別是，熱連接部分4具有一個包圍芯片5的反射槽16，它的反射面基本上無縫過渡到輻射出射窗口8的側面9，所以形成了一個分別由熱連接部分4和由輻射出射窗口8構成的區(qū)段組成的整個反射器。
此外，輻射出射窗口8在元件的縱向內進行了少許的擴展并包括一個引線連接區(qū)10，該連接區(qū)位于沒有與熱連接部分連接的芯片引線架2的電連接部分12b上。一根引線17從這個引線連接區(qū)10引到一個設置在芯片5上的接觸面。
引線連接區(qū)10與熱連接部分的反射槽16的輻射側的邊緣在高度上是錯開布置的。這樣，在芯片5和引線連接區(qū)10之間就可建立短的，因而機械牢固的引線連接，因為后者可靠近芯片5延伸。此外，由此使所產生的引線拱起的高度保持很小，因而減少了短路的危險，這種短路例如在芯片用澆注材料包封時由于引線側向重疊到熱連接部分上而可產生。
圖5表示本發(fā)明一個元件的另一個實施例的橫截面，該橫截面相當于沿圖4剖面線A-A剖開的輪廓。
象圖3所示的實施例那樣，這里的芯片5的安裝側上的熱連接部分也是中心凹入的，所以為芯片5產生的輻射形成了一個反射槽16，輻射出射窗口8的反射側壁9與該反射槽連接。
與上述實施例的區(qū)別在于，這樣構成的整個反射器15在部分反射器9、16之間的過渡部分具有一個折點。通過這種造型使整個反射器15很接近于一個旋轉拋物面，并由此達到了有利的輻射特性。與該反射槽的底面以一個較陡的角度從芯片輻射的光線較強地朝元件的主輻射方向偏轉。
為了保護芯片，輻射出射窗口8用一種澆注材料14例如環(huán)氧樹脂或丙烯酸樹脂之類的反應樹脂填充。為了產生的輻射的聚束，澆注材料14可象透鏡那樣構成一個輕微拱起的表面18。
為了澆注材料14、外殼基體1和芯片引線架2達到牢固的機械連接，熱連接部分的反射槽16的高度A最好選用小于芯片5的兩倍高度H。由熱連接部分4和外殼基體1構成的整個反射器15的高度B應小于芯片5的4倍高度H。最后，輻射出射窗口8最好這樣造型，使?jié)沧⒌捏w積V滿足上述關系V≤q·H式中q約為7毫米2。由于滿足了這個關系，便有利于增加機械穩(wěn)定性并由此提高元件的容許負荷和壽命。為此，把熱連接部分4用凸起19錨定在外殼基體1中同樣有助于這個目的。
為了制作這種元件，首先要為芯片引線架2制備一個支承部分，該支承部分例如用一種支承帶沖壓而成并帶有一個孔。然后將熱連接部分4嵌入該支承部分的這個孔中并與該支承部分擠緊。
在下一個步驟中，在熱連接部分4上安裝例如焊接或粘接發(fā)出輻射的芯片5。為了構成外殼基體1，由該支承部分和熱連接部分4構成的芯片引線架2與預安裝的芯片5用一種模塑材料進行包封，其中，芯片5周圍的區(qū)域以及引線連接區(qū)10留有空隙。這種包封例如可用注塑法或壓鑄法來實現。最后，將一根引線17從引線連接區(qū)10引到芯片5的一個接觸面。
另一種辦法是，在該支承部分和熱連接部分4連接后，首先用上述模塑材料包封所構成的芯片引線架2，然后將芯片5固定最好粘接并鍵合到芯片連接區(qū)11上。
當然，本發(fā)明結合實施例進行的說明并不表示本發(fā)明局限于這些實施例。本發(fā)明的芯片引線架和外殼在很大程度上可用于要求有效散熱的其他元件，或作為芯片也可用其他的半導體。
上述方法包括制備一個芯片引線架的步驟和該芯片最好通過焊接固定是在芯片引線架用一種模塑材料包封之前進行的，其中芯片的周圍留有空隙，也可應用到其他外殼結構型式上而不用熱連接部分，這本身就已經是一種發(fā)明。
這種方法的諸多優(yōu)點特別在于，芯片的固定可達到最佳化而幾乎與模塑材料的性能無關。焊接過程例如可在一個擴展的溫度區(qū)進行，而且焊料可用熔點最好超過260℃的例如硬焊料，這種焊料可在芯片和芯片引線架之間建立熱阻很小的連接。這樣，也就減少了在一個相應元件分離到一塊印制電路板上時芯片可能松脫的危險。
權利要求
1.輻射元件尤指發(fā)光二極管元件的芯片引線架(2)，具有至少一個芯片安裝區(qū)(11)、至少一個引線連接區(qū)(10)和至少一個外部電連接條(3a，b)，其特征為，設置了一個支承部分，它具有引線連接區(qū)(10)和連接條(3a，b)并在其中嵌入一個單獨制造的熱連接部分(4)，后者具有芯片安裝區(qū)(11)。
2.按權利要求1的芯片引線架(2)，其特征為，該支承部分具有一個夾箍或夾環(huán)，熱連接部分(4)嵌入其中。
3.按權利要求1或2的芯片引線架(2)，其特征為，在熱連接部分(4)和支承部分之間設置有一個插壓連接、釬焊或熔焊。
4.按權利要求1或3任一項的芯片引線架(2)，其特征為，熱連接部分(4)具有一個反射槽(16)，該反射槽包括芯片安裝區(qū)(11)。
5.按權利要求4的芯片引線架(2)，其特征為，從芯片安裝區(qū)(11)看去，引線連接區(qū)(10)布置得比它高一些。
6.按權利要求5的芯片引線架(2)，其特征為，從芯片安裝區(qū)(11)看去，引線連接區(qū)(10)布置在反射槽(16)的上緣上方。
7.按權利要求4、5或6的芯片引線架(2)，其特征為，反射槽(16)的高度(A)不超過一個安裝在芯片安裝區(qū)(11)上的芯片(5)的兩倍高度(H)。
8.按權利要求1至7任一項的芯片引線架(2)，其特征為，熱連接部分(4)含有銅、鋁、鉬、鐵、鎳或鎢。
9.按權利要求1至8任一項的芯片引線架(2)，其特征為，為了改善芯片安裝，芯片安裝區(qū)(11)進行表面調質處理。
10.按權利要求9的芯片引線架(2)，其特征為，芯片安裝的表面調質處理包括涂覆一層銀或金。
11.按權利要求1至10任一項的芯片引線架(2)，其特征為，芯片引線架(2)含有銅或鐵。
12.按權利要求1至11任一項的芯片引線架(2)，其特征為，為了改善元件的安裝性能，外部電連接條(3a，b)進行表面處理。
13.按權利要求12的芯片引線架(2)，其特征為，改善元件安裝性能的表面調質處理包括涂覆一層銀、金、錫或鋅。
14.輻射發(fā)射的元件尤指發(fā)光二極管的外殼，其特征為，該外殼包括一個按權利要求1至13任一項所述的芯片引線架(2)。
15.按權利要求14的外殼，其特征為，外殼(1)具有一個外殼基體(1)，該基體用一種模塑材料制成，芯片引線架(2)這樣埋入其中，即電連接條(3a，b)可從該外殼基體引出，且熱連接部分(4)的一個熱連接面可從外面進行熱連接。
16.按權利要求14或15的外殼，其特征為，外殼基體(1)具有一個輻射出射窗口(8)，且熱連接部分(4)這樣埋置在該外殼基體中，使芯片安裝區(qū)(11)布置在輻射出射窗口(8)內。
17.按權利要求16的外殼，其特征為，輻射出射窗口(8)的側壁(9)作為反射面構成。
18.按權利要求17的外殼，其特征為，熱連接部分(4)具有一個反射槽(16)，該反射槽構成一個反射器(15)的第一區(qū)段，該第一區(qū)段過渡到由輻射出射窗口(8)的側壁(9)構成的反射器(15)的第二區(qū)段。
19.按權利要求18的外殼，其特征為，反射器(15)的總高度(13)不超過一個安裝在芯片安裝區(qū)(11)上的芯片(5)的4倍高度(H)。
20.按權利要求18或19的外殼，其特征為，反射槽(16)的反射壁和輻射出射窗口(8)的反射面與元件的主輻射方向(27)具有不同的夾角。
21.按權利要求20的外殼，其特征為，反射槽(16)的反射壁與主輻射方向(27)的夾角大于輻射出射窗口(8)的反射面與主輻射方向(27)的夾角。
22.按權利要求14至21任一項的外殼，其特征為，該外殼可表面安裝。
23.具有一個發(fā)出輻射的芯片(5)的輻射元件，其特征為，該元件具有一個按權利要求1至13任一項所述的芯片引線架(2)或一個按權利要求14至22任一項所述的外殼。
24.按權利要求23的輻射元件，其特征為，芯片(5)是一個半導體芯片。
25.按權利要求23或24的輻射元件，其特征為，芯片(5)至少部分地用一種輻射可穿透的材料(14)特別是一種塑料材料例如澆鑄樹脂或模塑材料包封。
26.按權利要求25的輻射元件，其特征為，該塑料材料含有環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、硅樹脂或這些樹脂的混合。
27.按權利要求25或26的發(fā)出輻射的半導體元件，其特征為，輻射可穿透的材料(14)的體積(V)按下式計算V≤q·H，式中H為芯片(5)的高度，q為比例系數，其值小于10毫米2，最好為7毫米2。
28.按權利要求23至27任一項的發(fā)出輻射的半導體元件，其特征為，芯片(5)固定在熱連接部分(4)的芯片安裝區(qū)(11)上。
29.按權利要求28的發(fā)出輻射的半導體元件，其特征為，芯片(5)粘接或釬焊在芯片安裝區(qū)(11)上。
30.按權利要求29的發(fā)出輻射的半導體元件，其特征為，芯片(5)用一種硬焊料固定在芯片安裝區(qū)(11)上。
31.按權利要求30的發(fā)出輻射的半導體元件，其特征為，該硬焊料的熔化溫度高于260℃。
32.按權利要求23至31任一項的發(fā)出輻射的半導體元件，其特征為，芯片(5)用引線(17)與引線連接區(qū)(10)導電連接。
33.按權利要求23至32任一項的半導體元件的制造方法，其特征為具有下列步驟-制備一個支承部分；-把一個具有芯片安裝區(qū)(11)的熱連接部分(4)嵌入該支承部分中；-把一個發(fā)出輻射的芯片(5)安裝到芯片安裝區(qū)(11)上；-把支承部分(2)和熱連接部分(4)埋入一種外殼模塑材料中。
34.按權利要求33的方法，其特征為，熱連接部分(4)通過鉚接、壓插連接或焊接與該支承部分連接。
35.按權利要求33或34的方法，其特征為，在該支承部分和熱連接部分(4)埋入外殼模塑材料之前，將芯片(5)安裝到芯片安裝區(qū)(11)上。
36.按權利要求33至35任一項的方法，其特征為，芯片(5)焊接在芯片安裝區(qū)(11)上，且焊接溫度高于260℃。
37.按權利要求33至36任一項的方法，其特征為，芯片(5)用一種硬焊料固定在芯片安裝區(qū)(11)上。
38.按權利要求33至37任一項的方法，其特征為，支承部分(2)和熱連接部分(4)用注塑法或壓鑄法埋入外殼模塑材料中。
全文摘要
本發(fā)明涉及一個芯片引線架(2)和一個外殼以及一個以此構成的元件及其制造方法。該芯片引線架具有一個支承部分，該支承部分包括至少一個引線連接區(qū)(10)和至少一個焊接連接條(3a，b)，在該連接條中嵌入一個單獨制造的熱連接部分(4)，這個熱連接部分具有一個芯片安裝區(qū)(11)。芯片引線架(2)最好用一種模塑材料包封，以構在一個外殼，其中，熱連接部分是這樣埋置的，即它可從外部進行熱連接。
文檔編號H01L33/64GK1602555SQ02811663
公開日2005年3月30日 申請日期2002年4月9日 優(yōu)先權日2001年4月10日
發(fā)明者G·博納, H·布倫納, M·希格勒, G·維特爾 申請人:奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司