專利名稱：發(fā)射輻射的芯片和發(fā)射輻射的元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及權(quán)利要求1前序部分所述的一種發(fā)射輻射的芯片和權(quán)利要求19前序部分所述的一種發(fā)射輻射的元件。
這種發(fā)射輻射的芯片通常具有一個多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)具有一個設(shè)置在一個襯底上的產(chǎn)生輻射的有源層。輻射輸出至少部分地通過該襯底來實現(xiàn)，而產(chǎn)生輻射的該襯底則是透明的。
用這種裝置時，輻射效率常常受到襯底表面上的全反射的嚴重限制。特別是在具有高折射率的襯底(例如SiC襯底)和相應(yīng)小的全反射角時出現(xiàn)這個問題。
具有正方形或矩形橫截面的襯底尤其如此，這種襯底由于多次連續(xù)的全反射，輻射效率受到限制。這例如用圖8來說明。該圖表示一個輻射能穿透的襯底20的剖面。當(dāng)在截面平面內(nèi)傳播的輻射部分1入射到襯底20的一個界面上時，如果入射角θ1小于全反射角αt，則該輻射部分1至少部分地被輸出。入射角和全反射角在這里與界面法線存在如下的關(guān)系。
如果入射角θ1象圖示那樣大于全反射角αt，則相關(guān)的輻射部分1被全反射，所以通過全反射角確定一個所謂的輸出錐形3，該錐形在斷面中用虛線4a、4b界定，其張角為2αt。如果相關(guān)的輻射部分1這樣入射到該界面上，即它位于輸出錐形3以內(nèi)，則它至少部分地被輸出，否則被全反射。
在所示例子中，襯底20具有一個方形的橫截面。輻射部分1連續(xù)地在錐形3以外入射到襯底20的界面上。所以輻射部分1在多次全反射下在襯底20內(nèi)循環(huán)繞行，最后被吸收，事先沒有輸出。
本發(fā)明的目的是提出一種具有改進輻射輸出的發(fā)射輻射的芯片。此外，本發(fā)明的目的是提出一種具有改善輻射效率的發(fā)射輻射的元件。
這個目的是通過權(quán)利要求1所述的一種芯片或權(quán)利要求19所述的一種元件來實現(xiàn)的。本發(fā)明的諸多有利的改進可從各項從屬權(quán)利要求中得知。
根據(jù)本發(fā)明，發(fā)射輻射的芯片包括一個輻射能穿透的、具有一個折射率nF和一個主面的窗口以及一個多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括一層產(chǎn)生輻射的有源層并布置在該窗口的主面上，其中，該窗口被一種具有折射率n0的介質(zhì)包圍，該折射率小于窗口的折射率nF，而且該窗口具有至少兩個界定面，這兩個界定面的夾角β滿足下列的雙不等式90°-αt＜β＜2αt這個不等式叫做輸出條件。αt叫做窗口和被包圍的介質(zhì)之間的界面的全反射角并由下式求出αt＝arcsin(n0/nF)。
窗口的這種造型具有這樣的優(yōu)點在夾角β的兩個界定面之一上被全反射的輻射部分，在對應(yīng)的另一個界定面上則被輸出。所以減少了連續(xù)的多次的全反射并提高了輻射效率。
在本發(fā)明的一個有利的方案中，該窗口具有輸出結(jié)構(gòu)，這些輸出結(jié)構(gòu)至少部分地被具有上述夾角β的面界定。這些輸出結(jié)構(gòu)例如可以是許多附加在該窗口上的或由該窗口形成的棱柱形或棱錐形，它們的側(cè)面是這樣布置的，即至少兩個側(cè)面夾成一個能滿足輸出條件的角度。
在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例中，該窗口主面對面的一面作為芯片的安裝面。這時該窗口的側(cè)面例如可夾成一個滿足輸出條件的角度β。這里的側(cè)面尤指窗口側(cè)面，即由主面向窗口對面延伸的窗口界定面。
在這個實施例時，該窗口具有一個平行于主面的橫截面是特別有利的，這個橫截面在下面叫做側(cè)向橫截面，這個側(cè)向橫截面呈三角形，其內(nèi)角為β、γ和δ，其中至少這些角之一能滿足上述輸出條件。
如果兩個或甚至全部三個內(nèi)角都滿足上述輸出條件，則以有利的方式進一步提高輻射效率。所以具有內(nèi)角β、γ和δ的三角形側(cè)向橫截面的窗口在滿足下列條件時是特別有利的，即90°-αt＜β＜2αt，90°-αt＜γ＜2αt，90°-αt＜δ＜2αt，在這種橫截面情況下，對在橫截面平面內(nèi)傳播的輻射部分來說，保證了每一輻射部分在最多一次全反射后在入射到該窗口的下一個界面時至少部分地被輸出。
本發(fā)明的一個優(yōu)選實施方案涉及輸出條件在具有一個相對于多層結(jié)構(gòu)傾斜或凹入延伸的或呈臺階狀的側(cè)面的窗口上的應(yīng)用，從多層結(jié)構(gòu)看，該窗口離多層結(jié)構(gòu)的距離不斷減小。通過側(cè)面相對于多層結(jié)構(gòu)的傾斜布置，有源層內(nèi)產(chǎn)生的輻射的入射角相對于相關(guān)的側(cè)面被減小，所以進一步增加了輸出。
具有這樣造型的窗口是特別有利的該窗口具有一個相對于多層結(jié)構(gòu)傾斜或凹入延伸的或呈臺階狀的側(cè)面，從該多層結(jié)構(gòu)看去，該側(cè)面后面布置一個垂直于該多層結(jié)構(gòu)延伸的側(cè)面，而且后一個側(cè)面最好連接在前一個側(cè)面上。
垂直于多層結(jié)構(gòu)布置的側(cè)面是為了方便窗口的制作和安裝，而傾斜的側(cè)面則主要是為了提高輻射效率。此外，窗口的側(cè)面尤指傾斜于該多層結(jié)構(gòu)布置的側(cè)面可盡可能地粗糙化。
在這種造型中，主面對面的、最好平行于該主面的窗口一側(cè)作為芯片的安裝面，用該安裝面可把發(fā)射輻射的芯片焊接或粘接在相應(yīng)的外殼中。
在這種造型中，窗口底部的兩個側(cè)面最好夾成一個能滿足輸出條件的角度。這里所述的窗口底部是指被垂直于多層結(jié)構(gòu)布置的側(cè)面界定的窗口區(qū)域。在這里，這樣的造型也是特別有利的，即窗口底部具有一個三角形形狀的側(cè)向橫截面，其中，三角形的至少一個內(nèi)角能滿足上述輸出條件。一般來說，窗口底部最好呈棱柱形，以便盡可能多的內(nèi)角滿足上述條件。
根據(jù)本發(fā)明，多層結(jié)構(gòu)最好用外延法制成，而該窗口則用一個適用于外延的襯底制作。這樣就有利地減少芯片制造所需的費用，因為窗口被同時作為外延襯底使用。
在本發(fā)明的一個有利方案中，窗口和多層結(jié)構(gòu)尤其是其中所含的有源層的材料是這樣選擇的，即該窗口的折射率大于多層結(jié)構(gòu)或其中所含的有源層的折射率。在這種情況下，由該多層結(jié)構(gòu)過渡到該窗口是一種光密介質(zhì)的過渡，所以在該多層結(jié)構(gòu)和窗口之間的界面上不發(fā)生在該多層結(jié)構(gòu)內(nèi)產(chǎn)生的輻射的全反射。
本發(fā)明的一個特別優(yōu)選的實施例涉及GaN基的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片。這種半導(dǎo)體芯片含有多層結(jié)構(gòu)，特別是有源層、GaN、AlGaN、InGaN或InAlGaN。其中，該有源層也可設(shè)計成例如一個量子阱結(jié)構(gòu)形式的層序列。這種多層結(jié)構(gòu)一般用外延法制造，其中特別是SiC襯底或藍寶石襯底適合作外延襯底。
該窗口最好用所用的外延襯底制成。為了滿足輸出條件，在用折射率約為2.7的SiC的襯底時，在夾成β角的界定面的區(qū)域內(nèi)，需要用折射率n0大于1.35的介質(zhì)進行部分的包覆，因為輸出條件只有在折射率之比nF/n0＜2時才能滿足，這在下面還要詳細說明。
作為包覆介質(zhì)尤其可用反應(yīng)樹脂，例如環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、硅樹脂或這些樹脂的混合物。其中，環(huán)氧樹脂具有高的透明性，而硅樹脂則尤其是在藍綠光、藍光和紫外線光譜范圍內(nèi)具有特別好的耐輻射性能。
本發(fā)明的其他特征、優(yōu)點和適用范圍在下面結(jié)合

圖1至7的8個附圖表示圖1a和1b一個本發(fā)明元件的剖面示意圖和俯視圖；圖2a和2b本發(fā)明一個發(fā)射輻射的芯片的第一和第二實施例的部分剖面示意圖；圖3本發(fā)明的一個發(fā)射輻射的芯片的第三實施例的剖面示意圖；圖4本發(fā)明的一個發(fā)射輻射的芯片的第四實施例的示意透視圖；圖5a和5b本發(fā)明的一個發(fā)射輻射的芯片的第五實施例的示意透視圖和剖面圖；圖6a和6b本發(fā)明的一個發(fā)射輻射的芯片的第六實施例的示意剖面圖和透視圖；圖7本發(fā)明的一個發(fā)射輻射的芯片的第七實施例的輸出量與先有技術(shù)的一個發(fā)射輻射的芯片的輸出量的比較示意圖；圖8先有技術(shù)的一個發(fā)射輻射的芯片的示意剖面圖。
在這些圖中，相同的或作用相同的部分用相同的附圖標(biāo)記表示。
圖1a用剖面圖和圖1b用俯視圖表示的元件包括一個發(fā)射輻射的芯片2，該芯片布置在外殼基體24的一個凹槽23中。該凹槽的側(cè)壁是傾斜的并作為從芯片2產(chǎn)生的輻射的反射器使用。
發(fā)射輻射的芯片2具有一個帶一主面19的窗口5，在該主面上布置一個多層結(jié)構(gòu)9。圖1a所示的截面平面垂直位于主面19上。
在多層結(jié)構(gòu)9內(nèi)，構(gòu)成了一層產(chǎn)生輻射的有源層10。在背離窗口5的一側(cè)上，多層結(jié)構(gòu)9配有一個上接觸面21，在主面19的對置一側(cè)上，該窗口配有一個下接觸面22。
在該外殼基體中埋入了一個芯片引線架25，芯片引線架的引線26a、26b側(cè)向從外殼基體24中引出。芯片2用下接觸面22安裝在芯片引線架25的芯片連接區(qū)上。芯片2例如可焊接或用一種導(dǎo)電的粘接劑粘接在該區(qū)域。一根金屬線27從上接觸面21引到該芯片引線架的一個金屬線連接區(qū)。
外殼基體內(nèi)的凹槽23用一種輻射能穿透的、包住芯片2的模塑材料28填充，這可例如是基于一種反應(yīng)樹脂的澆注材料。在這方面，環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、硅樹脂或這些樹脂的混合物都是特別適用的。
此外，包住芯片2的模塑材料28可含有熒光物質(zhì)，這種熒光物質(zhì)可把由該芯片產(chǎn)生的輻射的一部分轉(zhuǎn)變成另一種波長的輻射。該元件產(chǎn)生的輻射例如由于添加的顏色混合而可引起混合色的或尤其是白色的光線的光學(xué)感覺。合適的熒光物質(zhì)例如是具有一般式A3B5X12:M的熒光物質(zhì)，式中A3B5X12叫做基質(zhì)晶體，M叫做加入其中的發(fā)光中心，最好是稀土元素族例如Ce的一個原子或離子。作為已被證明有效的熒光材料是化合物YAG:Ce(Y3Al5O12:Ce)TAG:Ce(Tb3Al5O12:Ce)、TbYAG:Ce((TbxY1-x)3Al5O12:Ce，0≤x≤1)、GdYAG:Ce((GdxY1-x)3Al5O12:Ce3+，0≤x≤1)和GdTbYAG:Ce((GdxTbyY1-x-y)3Al5O12:Ce3，0≤x≤1，0≤y≤1)以及以它們?yōu)榛幕旌衔铩Ｆ渲蠥l可至少部分地被Ga或In代替。
芯片2的窗口5例如可用一個SiC襯底制成，在該襯底上生長一個GaN基半導(dǎo)體層序列形式的多層結(jié)構(gòu)9。
芯片2具有一個三角形的側(cè)向橫截面。其中該窗口的兩個側(cè)面6、7夾成三角形的一個內(nèi)角β，該內(nèi)角滿足輸出條件。
下面結(jié)合圖2a和2b來詳細說明這個輸出條件。圖2a和2b分別表示本發(fā)明一個芯片的一個窗口5的部分剖面圖。窗口5具有第一個界定面6和第二個界定面7，這兩個界定面垂直位于截面平面上并夾成一個滿足輸出條件的角度β。這樣就保證了—不受一般的限制—在第一界定面6上一次全反射后，輻射在第二界定面7上至少部分地被輸出或不會第二次被全反射。
從圖2a可以看出，輻射1在入射角θ1入射到第一界定面6上，在該處被全反射，然后以入射角θ2入射到界定面7上。為了輻射1在第二界定面上不第二次被全反射，入射角θ2必須小于全反射角αt，或在輸出錐形3以內(nèi)入射輻射。
亦即一方面，β角必須選擇得象圖2a所示的那樣大，使輻射1相對于圖2a右側(cè)邊緣2b在輸出錐形3以內(nèi)入射到界面7上，這時下式有效，即θ2＜αt(1)另一方面，β角必須選擇得象圖2b所示的那樣小，使輻射1也相對于圖2b中的輸出錐形3的左側(cè)邊緣4a入射到該界面上，這時也是下式有效θ2＜αt(2)在圖2a所示的第一種情況中，得出β、θ和θ2的關(guān)系為θ2＝θ1-β， (3)所以從(1)式得β＞θ1-αt(4)由于輻射1在界面6上被全反射，θ1為90°和αt之間。所以，條件(4)對所有可能的θ1角都能滿足，如果β＞90°-αt(5)在圖2b所示的第二種情況時，θ1、θ2和β之間的關(guān)系則為θ2＝β-θ1(6)所以從(2)式得β＜αt+θ2(7)由于界面6上的第一次全反射，θ1角又介于αt和90°之間，所以(7)式滿足有可能的θ1角都能滿足，如果
β＜2αt(8)從由式(5)給出的β的下限和由式(8)給出的β的上限的組合中得輸出條件為90°-α＜β＜2αt(9)對一個具有折射率nF的窗口5和一個具有折射率n0比nF小的鄰接介質(zhì)來說，全反射角αt由下式給定αt＝arcsin(n0/nF). (10)為了滿足輸出條件，αt必須大于30°。否則，β的下限必須大于60°和β的上限必須小于60°，所以沒有β值同時滿足輸出條件的兩個不等式。
因此，式(10)的折射率比n0/nF必須大于0.5。相應(yīng)地，該窗口的折射率nF最多容許為鄰接介質(zhì)的折射率n0的兩倍。否則不可能滿足輸出條件。
在高折射率的材料例如具有大約n0＝2.7的折射率的SiC時，可通過一種包圍發(fā)射輻射芯片的介質(zhì)例如用具有折射率n0＞1.35的模塑材料進行澆注來達到。例如在用典型折射率n0＝1.5的模塑材料時，全反射角αt約為34°。所以，從輸出條件式(9)得β的范圍為56°＜β＜68 °.
圖3表示一個本發(fā)明芯片的一種特別有利的窗口形狀的側(cè)向橫截面。
該橫截面呈三角形狀，且全部三個內(nèi)角β、γ和δ都滿足輸出條件。在具有折射率nF＝2.7的SiC窗口和具有折射率n0＝1.5的澆注體的上述例子中，特別是等邊三角形(β＝γ＝δ＝60°)時就是這種情況。在這種情況下，每個在橫截面平面內(nèi)經(jīng)過的輻射或者在直接入射到一個側(cè)面上后就被輸出，見輻射1a、1b、1c，或者最多一次就被全反射，見輻射1d、1e、1f。因此，不可能產(chǎn)生例如圖8所示的在多次全反射下的繼續(xù)循環(huán)。
圖4表示本發(fā)明一個發(fā)射輻射的芯片的另一個實施例的一個窗口5的透視圖。與前一個實施例的區(qū)別在于，側(cè)向橫截面具有一條方形的包絡(luò)線16。該窗口的周邊設(shè)置一個鋸齒形的輸出結(jié)構(gòu)17，其外側(cè)各由兩個面6、7構(gòu)成，這兩個面夾成一個能滿足輸出條件的角度β。在制造這種窗口時，可方便地使用一個具有方形橫截面的常規(guī)窗口，這種常規(guī)窗口通過去掉例如通過鋸掉或腐蝕相應(yīng)的區(qū)域制成圖示的鋸齒形輸出結(jié)構(gòu)17。
圖5a表示本發(fā)明一個發(fā)射輻射的芯片的另一個實施例的透視圖。這里在一個窗口5上設(shè)置了一個有一層輻射有源層10的多層結(jié)構(gòu)9，所以，多層結(jié)構(gòu)9鄰接窗口5的一個主面19。該窗口具有一個平行于該主面的側(cè)向的方形橫截面，并在該主面對面設(shè)置一個輸出結(jié)構(gòu)17，該輸出結(jié)構(gòu)由若干棱錐體組成。兩個對置的棱錐體側(cè)面之間的角度β是這樣選擇的，使它能滿足輸出條件。
背離窗口5的多層結(jié)構(gòu)9的一側(cè)設(shè)置了一個接觸面22，運行時的工作電流通過該接觸面饋入上述輻射有源層中。接觸面22同時作為該芯片的安裝面使用。例如該芯片可象已述過的那樣用這個接觸面固定到一個合適外殼的一個芯片安裝面上。只要該窗口是導(dǎo)電的，另一個接觸面(未畫出)則可例如設(shè)置在該窗口的側(cè)面上。
圖5b用剖面圖表示這個實施例的變型方案。在這里，在背離窗口5的多層結(jié)構(gòu)9的一側(cè)上，設(shè)置了兩個接觸面22和23。多層結(jié)構(gòu)9包括有源層10的一部分被去掉，兩個接觸面之一的23則設(shè)置在去掉部位的多層結(jié)構(gòu)9的剩余部分上。象圖5 a所示芯片那樣，另一個接觸面22設(shè)置在窗口5對面的多層結(jié)構(gòu)9的主面上。
在這個方案中，位于窗口5和有源層10之間的多層結(jié)構(gòu)9的區(qū)域與接觸面23連接，所以通過接觸面22和23饋入的工作電流通過有源層10流動。
在這個實施例和上個實施例在制造窗口時都最好從一個常規(guī)的立方形或正方形的窗口結(jié)構(gòu)著手，所以可部分地使用現(xiàn)成的制造方法和裝置。輸出棱錐例如可通過腐蝕或鋸削制成。在后一種情況中，使用一種V形成形鋸片，把多層結(jié)構(gòu)9對面上的窗口沿相互正交的鋸線11a和11b多次平行鋸切。
圖6a和圖6b分別表示本發(fā)明的一個發(fā)射輻射的芯片的一個特別優(yōu)選的實施例的斷面示意圖和透視圖。象前述實施例那樣，該芯片具有一個包住輻射有源層10的多層結(jié)構(gòu)9，該多層結(jié)構(gòu)鄰接窗口5的一個主面19。圖6a所示截面圖的截面平面垂直位于該多層結(jié)構(gòu)或窗口5的主面上。
與上述實施例不同的是，窗口具有傾斜于多層結(jié)構(gòu)9延伸的側(cè)面13a，這些側(cè)面分別過渡到垂直于該多層結(jié)構(gòu)布置的側(cè)面13b。這種窗口形狀例如可用一個合適的成形鋸片從背離多層結(jié)構(gòu)9的一側(cè)開始鋸入窗口5制成。
通過側(cè)面13a的傾斜位置，使該處入射的輻射1a的入射角減小并相應(yīng)提高輸出輻射的部分。
而入射到垂直于該多層結(jié)構(gòu)布置的側(cè)面13b即入射到窗口底部區(qū)域的輻射部分1b則比較容易地被全反射，所以在窗口底部區(qū)域內(nèi)的輻射輸出比傾斜的窗口側(cè)面13a區(qū)域內(nèi)的輻射輸出小。
在這種情況下，窗口底部最好這樣造型，使其至少兩個界定面最好兩個側(cè)面夾成一個可滿足輸出條件的β角。這樣就特別有利于形成三角形棱柱狀的窗口底部(見圖6b)，并有利于窗口底部的側(cè)向三角形橫截面的兩個甚至全部三個內(nèi)角β、γ和δ都滿足輸出條件。
雖然在所示實施例中通過輸出條件不可能在每種情況中都保證最多只產(chǎn)生一次全反射，因為輻射不只是平行于該窗口或多層結(jié)構(gòu)9的主平面?zhèn)鞑?，見輻?b，但該輻射的一部分仍然抑制了妨礙輸出的連續(xù)的全反射，所以總體上還是提高了輸出量。
這可從圖7所示的曲線一目了然。圖中示出了理論計算的輸出量K，亦即一個具有不同邊長d的相當(dāng)于圖6a所示芯片的總輸出輻射與產(chǎn)生的輻射之比。曲線14和相應(yīng)的測試點表示一個具有正方形橫截面的窗口的輸出量，曲線和相應(yīng)的測試點15則表示一個具有等邊三角形橫截面的相當(dāng)于本發(fā)明窗口的輸出量。輸出量用一個輻射示蹤程序確定具有折射率nF＝2.7的SiC襯底和n0＝1.55的包覆體的輸出量。在這些折射率時，一個60°的角位于由輸出條件確定的角度范圍內(nèi)，所以一個等邊三角形的全部三個內(nèi)角都滿足輸出條件。
本發(fā)明對全部所示邊長范圍都達到了輸出量的提高，部分超過25％(相對于具有正方形的窗口的輸出量而言)。所以用本發(fā)明也使一個相當(dāng)于圖6a的窗口形狀達到輸出量的明顯提高。
當(dāng)然，本發(fā)明不局限于結(jié)合上述實施例所作的說明。
權(quán)利要求
1.發(fā)射輻射的芯片(2)，具有一個輻射能穿透的窗口(5)，該窗口具有一個折射率nF和一個主面(19)。一個多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)含有一層產(chǎn)生輻射的有源層(10)并布置在窗口(5)的主面(19)上，其中窗口(5)被一種輻射能穿透的介質(zhì)包圍，該介質(zhì)的折射率n0小于該窗口的折射率nF，其特征為，窗口(5)朝輻射能穿透的介質(zhì)方向至少被兩個面(6，7)界定，這兩個面夾成一個β角，該角滿足下列關(guān)系90°-αt＜β＜2αt式中的αt用下式計算αt＝arcsin(n0/nF).
2.按權(quán)利要求1的發(fā)射輻射的芯片(2)，其特征為，這兩個面(6，7)是窗口(5)的側(cè)面。
3.按權(quán)利要求1或2的發(fā)射輻射的芯片(2)，其特征為，平行于主面(19)的窗口(5)具有一個內(nèi)角為β、γ和δ的三角形的橫截面。
4.按權(quán)利要求3的發(fā)射輻射的芯片(2)，其特征為，γ角滿足下列關(guān)系90°-αt＜γ＜2αt
5.按權(quán)利要求4的發(fā)射輻射的芯片(2)，其特征為，δ角滿足下列關(guān)系90°-αt＜δ＜2αt
6.按權(quán)利要求1至5任一項的發(fā)射輻射的芯片(2)，其特征為，窗口(5)具有至少一個側(cè)面(13a)，該側(cè)面相對于多層結(jié)構(gòu)(9)這樣傾斜或彎曲延伸或呈臺階狀，即從多層結(jié)構(gòu)(9)看去，窗口(5)逐漸減小。
7.按權(quán)利要求6的發(fā)射輻射的芯片(2)，其特征為，該窗口具有一個垂直于多層結(jié)構(gòu)(9)布置的側(cè)面(13b)，從該多層結(jié)構(gòu)看去，該側(cè)面后面布置一個傾斜或彎曲延伸的或呈臺階狀的側(cè)面(13a)并尤其是連接在這個側(cè)面上。
8.按權(quán)利要求6或7的發(fā)射輻射的芯片(2)，其特征為，至少傾斜或凹入延伸的或呈臺階狀的側(cè)面(13a)被打毛。
9.按權(quán)利要求1至8任一項的發(fā)射輻射的芯片(2)，其特征為，多層結(jié)構(gòu)(9)用外延法制成，而窗口(5)則用一個外延用的襯底制成。
10.按權(quán)利要求1至9任一項的發(fā)射輻射的芯片(2)，其特征為，該窗口的折射率nF大于多層結(jié)構(gòu)(9)的尤其是有源層(10)的折射率。
11.按權(quán)利要求1至10任一項的發(fā)射輻射的芯片(2)，其特征為，窗口(5)的與多層結(jié)構(gòu)(9)相對的一側(cè)是芯片(2)的安裝側(cè)。
12.按權(quán)利要求6至11任一項的發(fā)射輻射的芯片(2)，其特征為，窗口(5)在垂直于多層結(jié)構(gòu)(9)延伸的側(cè)面(13b)的區(qū)域內(nèi)呈棱柱形狀。
13.按權(quán)利要求1至12任一項的發(fā)射輻射的芯片(2)，其特征為，多層結(jié)構(gòu)由半導(dǎo)體層組成。
14.按權(quán)利要求13的發(fā)射輻射的芯片(2)，其特征為，多層結(jié)構(gòu)(9)含有至少一種化合物GaN、AlGaN、InGaN或AlInGaN。
15.按權(quán)利要求1至14任一項的發(fā)射輻射的芯片(2)，其特征為，窗口(5)含有SiC。
16.按權(quán)利要求1至14任一項的發(fā)射輻射的芯片(2)，其特征為，窗口(5)含有藍寶石。
17.按權(quán)利要求1至16任一項的發(fā)射輻射的芯片(2)，其特征為，包圍窗口(5)的介質(zhì)是一種反應(yīng)樹脂。
18.按權(quán)利要求17的發(fā)射輻射的芯片(2)，其特征為，該反應(yīng)樹脂含有一種環(huán)氧樹脂、一種硅樹脂、一種丙烯酸樹脂或這些樹脂的一種混合物。
19.發(fā)射輻射的元件，其特征為，該元件含有一個按權(quán)利要求1至18任一項所述的芯片(2)。
20.按權(quán)利要求19的發(fā)射輻射的元件，其特征為，該元件具有一個外殼基體(24)，發(fā)射輻射的芯片(2)安裝在該外殼基體上。
21.按權(quán)利要求20的發(fā)射輻射的元件，其特征為，在外殼基體(24)內(nèi)形成一個凹槽(23)，發(fā)射輻射的芯片(2)布置在該凹槽中。
22.按權(quán)利要求19至21任一項的發(fā)射輻射的元件，其特征為，該凹槽用包圍芯片(2)或窗口(5)的介質(zhì)填充。
23.按權(quán)利要求22的發(fā)射輻射的元件，其特征為，該凹槽用一種反應(yīng)樹脂填充。
24.按權(quán)利要求23的發(fā)射輻射的元件，其特征為，該反應(yīng)樹脂是一種環(huán)氧樹脂、一種硅樹脂、一種丙烯酸樹脂或這些樹脂的一種混合物。
全文摘要
本發(fā)明涉及一個發(fā)射輻射的芯片(2)，該芯片具有一個輻射能穿透的窗口(5)，該窗口具有一個折射率n
文檔編號H01L33/02GK1541421SQ02815779
公開日2004年10月27日 申請日期2002年6月5日 優(yōu)先權(quán)日2001年8月13日
發(fā)明者J·鮑爾, D·埃塞特, V·赫爾勒, , J 鮑爾 申請人:奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司