專利名稱：使用整合式度量的串級控制方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明系大致有關(guān)半導(dǎo)體制造，尤系有關(guān)一種用來執(zhí)行半導(dǎo)體晶片(wayer)的串級處理(cascading processing)的方法及裝置。
背景技術(shù)：
制造業(yè)的技術(shù)突破已產(chǎn)生了許多創(chuàng)新的新工藝?，F(xiàn)代的工藝(尤指半導(dǎo)體工藝)需要大量的重要步驟。這些工藝步驟通常是不可或缺的，因而需要通常是經(jīng)過微調(diào)的若干輸入，以便保持正確的制造控制。
半導(dǎo)體裝置的制造需要若干獨(dú)立的工藝步驟，以便從原始半導(dǎo)體材料作出封裝的半導(dǎo)體裝置。自半導(dǎo)體材料的起始生長、將半導(dǎo)體晶體切割成個別的晶片、制造階段(蝕刻、摻雜、或離子植入等的階段)至成品裝置的封裝及最后測試的各種工藝都是互不相同且專業(yè)化，因而可能在包含不同控制結(jié)構(gòu)的不同場所中執(zhí)行該等工藝。
一般而言，對一群半導(dǎo)體晶片(有時稱為一批半導(dǎo)體晶片)執(zhí)行一組工藝步驟。例如，可在晶片上形成由各種材料構(gòu)成的一工藝層。然后可利用習(xí)知的微影技術(shù)在該工藝層之上形成有圖案的光阻層。一般隨即利用該有圖案的光阻層作為一掩蔽層，而對該工藝層執(zhí)行蝕刻工藝。該蝕刻工藝使得在該工藝層中形成各種線路區(qū)或物體。可將此種線路區(qū)用于晶體管的閘電極結(jié)構(gòu)。經(jīng)常系在半導(dǎo)體晶片基材上形成溝渠結(jié)構(gòu)。溝渠結(jié)構(gòu)的一個例子是淺溝渠隔離(Shallow Trench Isolation；簡稱STI)結(jié)構(gòu)，可利用該STI結(jié)構(gòu)來隔離半導(dǎo)體晶片上的各電氣區(qū)域。通常系利用四乙氧基硅(TEOS)在該晶片之上且在該等STI結(jié)構(gòu)中形成二氧化硅，而填滿在半導(dǎo)體晶片上形成的STI結(jié)構(gòu)。
一半導(dǎo)體制造設(shè)施內(nèi)的制造工具通常系與連接到一制造結(jié)構(gòu)或一網(wǎng)絡(luò)的工藝模塊。每一制造工具通常系連接到一設(shè)備接口。該設(shè)備接口系連接到一制造網(wǎng)絡(luò)所連接的一機(jī)器接口，因而有助于該制造工具與該制造結(jié)構(gòu)間的連接。該機(jī)器接口通?？赡苁窍冗M(jìn)工藝控制(Advanced Process Control；簡稱APC)系統(tǒng)中的一部分。該APC系統(tǒng)激活控制描述語言程序，該控制描述語言程序可以是用來自動擷取工藝執(zhí)行所需的的數(shù)據(jù)的軟件程序。
第1圖標(biāo)出一個典型的半導(dǎo)體晶片(105)。晶片(105)通常包含多個被配置成一格子形(150)的個別半導(dǎo)體晶粒(103)。根據(jù)所采用特定光罩的情形，通常系利用一步進(jìn)機(jī)而一次大約對一個至四個晶粒位置執(zhí)行微影步驟。通常執(zhí)行若干微影步驟，以便在將要產(chǎn)生圖案的一個或多個工藝層之上形成若干有圖案的光阻層。在對一層或多層下層材料(例如，一層多晶硅、金屬、或絕緣材料)執(zhí)行濕式或干式蝕刻工藝期間，可將該有圖案的光阻層用來作為一掩蔽層，以便將所需的圖案轉(zhuǎn)移到下方層。系由將在下方工藝層中復(fù)制的諸如多晶硅線路等的線路型線路區(qū)或空缺型線路區(qū)等的多個線路區(qū)構(gòu)成該有圖案的光阻層。
在制造半導(dǎo)體晶片期間的傳統(tǒng)程序需要循序執(zhí)行的一組步驟?，F(xiàn)在請參閱第2圖，圖中示出這些步驟的流程圖。在步驟(210)中，該制造系統(tǒng)取得要被處理的若干半導(dǎo)體晶片(105)。一旦取得要被處理的一組晶片(105)之后，該制造系統(tǒng)即在步驟(220)中自該等半導(dǎo)體晶片(105)擷取處理前的制造數(shù)據(jù)(例如，度量數(shù)據(jù)等的制造數(shù)據(jù))。
對于某些工藝而言，自晶片(105)擷取的該制造數(shù)據(jù)可能涉及對半導(dǎo)體晶片(105)的一處理前的篩選。例如，在執(zhí)行一化學(xué)機(jī)械研磨(Chemical Mechanical Polishing；簡稱CMP)工藝之前，可利用自將要被處理的半導(dǎo)體晶片(105)擷取的處理前的數(shù)據(jù)來設(shè)定會影響到該CMP工藝的各控制參數(shù)。一旦擷取了處理前的數(shù)據(jù)之后，該制造系統(tǒng)即在步驟(230)中處理該等半導(dǎo)體晶片(105)。
在處理了半導(dǎo)體晶片(105)之后，該制造系統(tǒng)在步驟(240)中決定是否需要對半導(dǎo)體晶片(105)執(zhí)行額外的工藝。當(dāng)該制造系統(tǒng)決定將要對半導(dǎo)體晶片(105)執(zhí)行額外的工藝時，可擷取處理前的度量數(shù)據(jù)，并對半導(dǎo)體晶片(105)執(zhí)行額外的工藝(請參閱流程圖路徑步驟(230)-步驟(240)-步驟(220))。該制造系統(tǒng)可利用多個工藝工具而對半導(dǎo)體晶片(105)執(zhí)行多個工藝。
當(dāng)該制造系統(tǒng)決定將不對半導(dǎo)體晶片(105)執(zhí)行額外的工藝時，該制造系統(tǒng)可在步驟(250)中自經(jīng)過處理的晶片(105)擷取處理后的制造數(shù)據(jù)。一般而言，該處理后的制造數(shù)據(jù)包括在半導(dǎo)體晶片(105)上形成的多個結(jié)構(gòu)的量測數(shù)據(jù)。如果在步驟(260)中決定還有其它的半導(dǎo)體晶片(105)要被處理，則該制造系統(tǒng)在步驟(290)中取得要被處理的次一晶片(105)，并重復(fù)上述的該等工藝。否則，如果沒有要被處理的額外半導(dǎo)體晶片(105)，則該制造系統(tǒng)在步驟(270)中停止該處理模式。
通常系循序執(zhí)行第2圖所示的該等步驟，而使該制造系統(tǒng)在工藝的流程中經(jīng)常會有執(zhí)行的中斷。在循序執(zhí)行時，利用一度量工具擷取處理前的數(shù)據(jù)，然后處理晶片(105)，然后擷取處理后的制造數(shù)據(jù)，這些步驟可能是一無效率的工藝。半導(dǎo)體晶片的一工藝流程的任何中斷可能造成無效率及錯誤。因此種無效率造成的制造時間浪費(fèi)可能是昂貴的，且可能對產(chǎn)品交貨日程有不利的影響。半導(dǎo)體晶片(105)中的錯誤可能對利用經(jīng)過處理的半導(dǎo)體晶片(105)生產(chǎn)的裝置的良率有不利的影響。
本發(fā)明的目標(biāo)在于解決或至少降低前文所述一項(xiàng)或多項(xiàng)問題的效應(yīng)。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的一個局面中，提供了一種對半導(dǎo)體晶片的處理執(zhí)行串級控制的方法及裝置。接收第一半導(dǎo)體晶片以供處理。接收第二半導(dǎo)體晶片以供處理。對該第一及該第二半導(dǎo)體晶片執(zhí)行一串級處理作業(yè)，其中該串級處理作業(yè)包含下列步驟在正在處理該第一半導(dǎo)體晶片的一段時間中的至少一部分期間，擷取與該第二半導(dǎo)體晶片相關(guān)的處理前的度量數(shù)據(jù)。
在本發(fā)明的另一局面中，提供了一種對半導(dǎo)體晶片的處理執(zhí)行串級控制的系統(tǒng)。本發(fā)明的該系統(tǒng)包含工藝控制器，用以執(zhí)行一串級工藝作業(yè)，該串級工藝作業(yè)包含下列步驟擷取與第一半導(dǎo)體晶片相關(guān)的處理前的數(shù)據(jù)；在擷取與該第一半導(dǎo)體晶片相關(guān)的該處理前的數(shù)據(jù)之后，處理該第一半導(dǎo)體晶片；在正在處理該第一半導(dǎo)體晶片的一段時間中的至少一部分期間，擷取與第二半導(dǎo)體晶片相關(guān)的處理前的數(shù)據(jù)；在擷取與該第二半導(dǎo)體晶片相關(guān)的該處理前的數(shù)據(jù)之后，處理該第二半導(dǎo)體晶片；在正在處理該第二半導(dǎo)體晶片的一段時間中的至少一部分期間，擷取與一第一半導(dǎo)體晶片相關(guān)的處理后的數(shù)據(jù)；以及在處理了該第二半導(dǎo)體晶片之后，擷取與該第二半導(dǎo)體晶片相關(guān)的處理后的數(shù)據(jù)。該系統(tǒng)亦包含在作業(yè)上耦合到該工藝控制器的線上串級度量數(shù)據(jù)儲存單元，該線上串級度量數(shù)據(jù)儲存單元接收線上處理前的度量數(shù)據(jù)及線上處理后的度量數(shù)據(jù)中的至少一個數(shù)據(jù)；以及在作業(yè)上耦合到該工藝控制器及該線上串級度量數(shù)據(jù)儲存單元的回授/前饋單元，該回授/前饋單元響應(yīng)該線上處理前的度量數(shù)據(jù)及該線上處理后的度量數(shù)據(jù)中的至少一個數(shù)據(jù)，而執(zhí)行一回授功能。
以下將配合各附圖，說明本發(fā)明，在這些附圖中，相同的代號識別類似的組件。


第1圖表示正在處理的先前技藝半導(dǎo)體晶片的簡化圖；第2圖是在半導(dǎo)體晶片的制造期間的先前技藝工藝流動的簡化流程圖；第3圖是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的的系統(tǒng)的方塊圖；第4圖是根據(jù)本發(fā)明一替代實(shí)施例的的系統(tǒng)的方塊圖；第5圖是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的第4圖所示的工藝工具的詳細(xì)方塊圖；第6圖是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的第3及4圖所示系統(tǒng)的詳細(xì)方塊圖；第7圖是用于根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的制造系統(tǒng)的批次至批次回授循環(huán)及晶片至晶片回授循環(huán)的方塊圖；第8圖是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的方法的流程圖；第9圖是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例而如第6圖所示執(zhí)行半導(dǎo)體晶片的一串級處理的方法的流程圖；第10圖是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例而如第9圖所示擷取處理前的度量數(shù)據(jù)的方法的流程圖；以及第11圖是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例而如第9圖所示執(zhí)行度量數(shù)據(jù)回授的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
附圖中系以舉例方式示出本發(fā)明的一些特定實(shí)施例，且將在本文中說明這些特定實(shí)施例。然而，我們當(dāng)了解，本文對這些特定實(shí)施例的說明的用意并非將本發(fā)明限制在所揭示的該等特定形式，相反地，本發(fā)明將涵蓋最后的申請專利范圍所界定的本發(fā)明的精神及范圍內(nèi)的所有修改、等效物、及替代。
下文中將說明本發(fā)明的實(shí)施例。為了顧及說明的清晰，本說明書中將不說明實(shí)際的實(shí)施例的所有特征。然而，我們當(dāng)了解，于開發(fā)任何此類真實(shí)的實(shí)施例時，必須作出許多與實(shí)施例相關(guān)的決定，以便以便達(dá)到開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如符合與系統(tǒng)相關(guān)的及與業(yè)務(wù)相關(guān)的限制條件，而這些限制條件將隨著不同的實(shí)施例而變。此外，我們當(dāng)了解，開發(fā)工作可能是復(fù)雜且耗時的，但對已從本發(fā)明的揭示事項(xiàng)獲益的擁有此項(xiàng)技藝的一般知識者而言，仍然將是一種例行的工作。
有許多涉及半導(dǎo)體制造的獨(dú)立工藝。半導(dǎo)體裝置經(jīng)常系逐一經(jīng)過多個工藝工具。通常系在執(zhí)行相同工藝之前及(或)之后，收集其中包括度量數(shù)據(jù)的制造數(shù)據(jù)。例如，在執(zhí)行一化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)工藝之前，必須收集處理前的數(shù)據(jù)，以便決定要執(zhí)行多大程度的研磨。同樣地，在執(zhí)行一沉積工藝之后，必須收集處理后的數(shù)據(jù)，以便決定半導(dǎo)體晶片上沉積了多少的材料，并調(diào)整對該半導(dǎo)體晶片執(zhí)行的后續(xù)工藝的控制參數(shù)。然而，若要擷取處理前及處理后的度量數(shù)據(jù)(尤指以離線方式擷取時)，可能會使工藝流動變得沒有效率。本發(fā)明的實(shí)施例提供了以一種串級的方式執(zhí)行度量數(shù)據(jù)擷取步驟及工藝步驟的方法，因而可得到較有效率的工藝流動。
在一個實(shí)施例中，本發(fā)明實(shí)施例所提供的該串級控制系統(tǒng)意指一種控制循環(huán)的巢狀系統(tǒng)。本發(fā)明實(shí)施例所提供的該串級系統(tǒng)提供了晶片至晶片的內(nèi)控制循環(huán)(例如第一回授循環(huán))及批次至批次的外控制循環(huán)(例如第二回授循環(huán))。在一個實(shí)施例中，如第7圖及相關(guān)說明所示，內(nèi)回授循環(huán)提供了晶片至晶片的控制循環(huán)，而外回授循環(huán)提供了批次至批次的控制循環(huán)。
現(xiàn)在請參閱第3圖，圖中示出可執(zhí)行本發(fā)明一個實(shí)施例所揭示的方法的系統(tǒng)(300)。在實(shí)施例中，工藝工具(510)包含整合式度量工具(310)。在實(shí)施例中，整合式度量工具(310)可擷取線上度量數(shù)據(jù)(例如，當(dāng)半導(dǎo)體晶片(105)仍然在工藝工具(510)的控制下時，擷取半導(dǎo)體晶片(105)的度量數(shù)據(jù))。擷取線上度量數(shù)據(jù)通常比擷取離線度量數(shù)據(jù)較不具有侵入性，這是因?yàn)閿X取離線度量數(shù)據(jù)需要使用外部的度量數(shù)據(jù)工具。將卡匣(539)中的一組半導(dǎo)體晶片(105)提供給工藝工具(510)。本發(fā)明的實(shí)施例提供了工藝工具(510)，以便利用整合式度量工具(310)來執(zhí)行串級處理功能。工藝控制器(350)控制用來執(zhí)行該串級處理功能的工藝。
在一個實(shí)施例中，串級處理功能包括以循序及(或)重疊的方式執(zhí)行多個制造功能。例如，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的串級處理功能提供了擷取與第一組的半導(dǎo)體晶片(105)相關(guān)的處理前的度量數(shù)據(jù)；在一段時間的至少一部分中，處理該第一組的半導(dǎo)體晶片(105)，而在該段時間中，擷取第二組的半導(dǎo)體晶片(105)的處理前的數(shù)據(jù)；以及在一段時間的至少一部分中，擷取與該第一組的半導(dǎo)體晶片(105)相關(guān)的處理后的度量數(shù)據(jù)，而在該段時間中，執(zhí)行對該第二組的半導(dǎo)體晶片(105)的處理。此種串級處理提供了較有效率的工藝流動，其中系處理并分析多個半導(dǎo)體晶片(105)。在實(shí)施例中，系利用將于下文中詳細(xì)說明的整合式度量工具來擷取處理前的度量數(shù)據(jù)及處理后的度量數(shù)據(jù)。
將整合式度量工具(310)擷取的數(shù)據(jù)傳送到度量數(shù)據(jù)分析單元(560)。度量數(shù)據(jù)分析單元(560)組織及分析離線度量工具(550)(請參閱第5圖)所擷取的度量數(shù)據(jù)，并找出該度量數(shù)據(jù)與被檢查的特定半導(dǎo)體晶片(105)間的相關(guān)性。該度量數(shù)據(jù)分析單元(560)可以是軟件單元、硬件單元、或韌體單元。在各實(shí)施例中，該度量數(shù)據(jù)分析單元(560)被整合到計(jì)算機(jī)系統(tǒng)(530)，或者可被整合到離線度量工具(550)。
在一個實(shí)施例中，系統(tǒng)(300)將執(zhí)行串級處理作業(yè)時整合式度量工具(310)所擷取的線上串級度量數(shù)據(jù)儲存到線上串級度量數(shù)據(jù)儲存單元(320)。線上串級度量數(shù)據(jù)儲存單元(320)中儲存的該度量數(shù)據(jù)包括代表在半導(dǎo)體晶片(105)上形成的結(jié)構(gòu)的線寬、STI溝渠的溝渠深度、以及在半導(dǎo)體晶片(105)上形成的溝渠結(jié)構(gòu)(相對于垂直平面)的側(cè)壁角度等的的多組數(shù)據(jù)。在實(shí)施例中，可將線上串級度量數(shù)據(jù)儲存單元(320)中的數(shù)據(jù)用于回授修正，以便改善半導(dǎo)體晶片(105)處理的效率及精確度。
茲參閱第4圖，圖中示出系統(tǒng)(300)用來執(zhí)行串級處理功能的工藝工具(510)的替代實(shí)施例。第4圖所示的該工藝工具(510)包含整合式處理前度量工具(410)及整合式處理后度量工具(420)。在處理半導(dǎo)體晶片(105)之前，整合式處理前度量工具(410)先分析該等半導(dǎo)體晶片(105)。例如，在工藝工具對半導(dǎo)體晶片(105)執(zhí)行CMP工藝之前，整合式處理前度量工具(410)先分析該等半導(dǎo)體晶片(105)。然后可將所得到的處理前的度量數(shù)據(jù)用來更精確地控制該CMP工藝。
在處理半導(dǎo)體晶片(105)之后，工藝工具(510)經(jīng)常會利用整合式處理后度量工具(420)擷取處理后的度量數(shù)據(jù)。同時，將第二卡匣(539)所載送的第二組的半導(dǎo)體晶片(105)傳送到整合式處理前度量工具(410)，以便在被工藝工具(510)處理之前，先進(jìn)行分析。利用串級處理技術(shù)時，工藝工具(510)可以一種串級的方式執(zhí)行處理前的數(shù)據(jù)的擷取、對半導(dǎo)體晶片(105)的處理、以及處理后的整合式度量數(shù)據(jù)的擷取，因而系以一種更有同時性且更有效率的方式使用工藝工具(510)的能力。整合式處理前度量工具(410)及整合式處理后度量工具(420)將其各別的數(shù)據(jù)傳送到度量數(shù)據(jù)分析單元(560)，以供處理。然后將該度量數(shù)據(jù)儲存在線上串級度量數(shù)據(jù)儲存單元(320)，然后系統(tǒng)(300)可利用該度量數(shù)據(jù)來執(zhí)行更有效率的回授分析。執(zhí)行第4圖所示串級處理功能的程序系受到工藝控制器(350)的控制。
現(xiàn)在請參閱第5圖，圖中示出根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的系統(tǒng)(300)的更詳細(xì)的方塊圖。在該實(shí)施例中，系利用線路(523)上的多個控制輸入信號或制造參數(shù)，而在工藝工具(510a)、(510b)上處理各半導(dǎo)體晶片(105)。在實(shí)施例中，系將線路(523)上的控制輸入信號或制造參數(shù)自計(jì)算機(jī)系統(tǒng)(530)經(jīng)由機(jī)器接口(515a)、(515b)而傳送到工藝工具(510a)、(510b)。在實(shí)施例中，該第一及第二機(jī)器接口(515a)、(515b)系位于工藝工具(510a)、(510b)之外。在一個替代實(shí)施例中，該第一及第二機(jī)器接口(515a)、(515b)系位于工藝工具(510a)、(510b)之內(nèi)。系將該等半導(dǎo)體晶片(105)提供給多個工藝工具(510)，并自該等多個工藝工具(510)載送該等半導(dǎo)體晶片(105)。在一個實(shí)施例中，可以手動方式將半導(dǎo)體晶片(105)提供給工藝工具(510)。在一個替代實(shí)施例中，可以一種自動方式(例如，以機(jī)器人移動半導(dǎo)體晶片(105))將半導(dǎo)體晶片(105)提供給工藝工具(510)。在一個實(shí)施例中，系以批次的方式(例如堆棧在卡匣(539)中)將多個半導(dǎo)體晶片(105)輸送到該等工藝工具(510)。
在一個實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)(530)將控制輸入信號或制造參數(shù)經(jīng)由線路(523)而傳送到第一及第二機(jī)器接口(515a)、(515b)。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)(530)可控制處理作業(yè)。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)(530)系耦合到一計(jì)算機(jī)儲存單元(532)，而該計(jì)算機(jī)儲存單元(532)可存有多個軟件程序及數(shù)據(jù)集。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)(530)可包含一個或多個可執(zhí)行本文所述的作業(yè)的處理器(圖中未示出)。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)(530)采用一制造模型，以便產(chǎn)生線路(523)上的控制輸入信號。在一個實(shí)施例中，制造模型(540)包含制造配方，用以決定經(jīng)由線路(523)而傳送的多個控制輸入?yún)?shù)。
在一個實(shí)施例中，制造模型(540)界定用來執(zhí)行特定工藝的工藝描述語言程序及輸入控制。第一機(jī)器接口(515a)接收并處理線路(523)上的目標(biāo)為工藝工具A(510a)的控制輸入信號(或控制輸入?yún)?shù))。第二機(jī)器接口(515b)接收并處理線路(523)上的目標(biāo)為工藝工具B(510b)的控制輸入信號。用于半導(dǎo)體工藝的工藝工具(510a)、(510b)的例子是步進(jìn)機(jī)、及蝕刻工藝工具等的工藝工具。
亦可將工藝工具(510a)、(510b)所處理的一個或多個半導(dǎo)體晶片(105)傳送到一離線度量工具(550)，以便擷取度量數(shù)據(jù)。該離線度量工具(550)可以是一散射度量(scatterometry)數(shù)據(jù)擷取工具、疊對誤差(overlay-error)量測工具、及最小線寬(critical dimension)量測工具等的離線度量工具。在個一實(shí)施例中，系以度量工具(550)檢查一個或多個處理后的半導(dǎo)體晶片(105)。此外，工藝工具(510)內(nèi)的整合式度量工具(310)收集度量數(shù)據(jù)。度量數(shù)據(jù)分析單元(560)收集來自整合式度量工具(310)及離線度量工具(550)的數(shù)據(jù)。該數(shù)據(jù)可包括線寬量測值、溝渠深度、及側(cè)壁角度等的數(shù)據(jù)。如前文所述，度量數(shù)據(jù)分析單元(560)組織及分析度量工具(550)所擷取的度量數(shù)據(jù)，并找出該度量數(shù)據(jù)與被檢查的特定半導(dǎo)體晶片(105)間的相關(guān)性。
在一個實(shí)施例中，度量數(shù)據(jù)分析單元(560)將線上串級度量數(shù)據(jù)自整合式度量工具(310)傳送到線上串級度量數(shù)據(jù)儲存單元(320)，以供儲存。此外，度量數(shù)據(jù)分析單元(560)將離線度量數(shù)據(jù)傳送到一離線度量數(shù)據(jù)儲存單元(570)，以供儲存。系統(tǒng)(300)可擷取線上串級度量數(shù)據(jù)及離線度量數(shù)據(jù)，并執(zhí)行回授及前饋分析。將該線上度量數(shù)據(jù)及離線度量數(shù)據(jù)傳送到回授/前饋單元(580)，以便產(chǎn)生回授及前饋數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)(530)分析該回授及前饋數(shù)據(jù)，然后利用該回授及前饋數(shù)據(jù)來修改用來控制工藝工具(510)的作業(yè)的控制輸入?yún)?shù)。在一實(shí)施例中，線上串級度量數(shù)據(jù)儲存單元(320)、離線度量數(shù)據(jù)儲存單元(570)、及(或)回授/前饋單元(580)是軟件或韌體組件，且該等軟件或韌體組件可以是一獨(dú)立的單元，或者可被整合到計(jì)算機(jī)系統(tǒng)(530)中。
現(xiàn)在請參閱第6圖，圖中示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的工藝工具及工藝流動的較詳細(xì)的圖。在一個實(shí)施例中，該工藝工具包含設(shè)備接口(610)、工具控制單元(620)、工藝反應(yīng)室(630)、及整合式度量工具(310)。設(shè)備接口(610)協(xié)助工藝工具(510)與諸如計(jì)算機(jī)系統(tǒng)(530)、制造模型(540)、及機(jī)器接口(515)等的系統(tǒng)(300)其它部分間的通訊。工具控制單元(620)控制可經(jīng)由設(shè)備接口(610)自計(jì)算機(jī)系統(tǒng)(530)接收指令及數(shù)據(jù)。工具控制單元(620)亦可將諸如整合式度量數(shù)據(jù)等的數(shù)據(jù)經(jīng)由設(shè)備接口(610)而傳送到系統(tǒng)(300)的其它部分。
工藝工具(510)接收卡匣(539)所載送的第一組的半導(dǎo)體晶片(105)，且整合式度量工具(310)檢查該第一組的半導(dǎo)體晶片(105)，以便進(jìn)行處理前的度量數(shù)據(jù)擷取。然后將該第一組的半導(dǎo)體晶片(105)傳送到工藝反應(yīng)室(630)，以供處理。同時，整合式度量工具(310)接收第二組的半導(dǎo)體晶片(105)，以便進(jìn)行處理前的度量數(shù)據(jù)擷取。
在大約是自該第二組的半導(dǎo)體晶片(105)擷取度量數(shù)據(jù)的這段時間，工藝反應(yīng)室(630)可處理該第一組的半導(dǎo)體晶片(105)。完成了對該第一組的半導(dǎo)體晶片(105)的處理時，工具控制單元(620)提示整合式度量工具(310)自已經(jīng)過處理的第一組半導(dǎo)體晶片(105)擷取處理后的度量數(shù)據(jù)。同時，將該第二組的半導(dǎo)體晶片(105)傳送到工藝反應(yīng)室(630)，以供處理。該串級處理系統(tǒng)產(chǎn)生了可用于立即回授分析的大量迅速擷取的度量數(shù)據(jù)。將來自整合式度量工具(310)的數(shù)據(jù)傳送到度量數(shù)據(jù)分析單元(560)。然后將該度量數(shù)據(jù)儲存在線上串級度量數(shù)據(jù)儲存單元(320)，以供系統(tǒng)(300)擷取而作為回授處理之用。然后可以前文所述的串級方式處理第三、一第四、及第五至第n組的半導(dǎo)體晶片(105)，以便有效率地使用工藝工具(510)。此外，可利用本發(fā)明的各實(shí)施例，而更為立即地將度量數(shù)據(jù)用于回授及前饋程序。
在一個實(shí)施例中，使用本發(fā)明實(shí)施例所揭示的方法的系統(tǒng)(300)可執(zhí)行多個回授循環(huán)(feed back loops)，以便改善半導(dǎo)體晶片(105)制造的效率及精確度?，F(xiàn)在請參閱第7圖，圖中示出于半導(dǎo)體晶片制造期間所用的兩個回授循環(huán)。系統(tǒng)(300)所用的該等回授循環(huán)包括批次至批次回授循環(huán)(700)及晶片至晶片回授循環(huán)(705)。在工藝期間，可一起使用兩個回授循環(huán)(700)及(705)，以便調(diào)整控制輸入?yún)?shù)。換言的，于處理半導(dǎo)體晶片(105)期間，可利用這兩個回授循環(huán)(700)及(705)來執(zhí)行串級控制功能。
作為內(nèi)循環(huán)的晶片至晶片回授循環(huán)(705)包含處理半導(dǎo)體晶片(105)(方塊(740))；以及自該經(jīng)過處理的半導(dǎo)體晶片(105)擷取線上度量數(shù)據(jù)(方塊(750))。系統(tǒng)(300)然后處理該度量數(shù)據(jù)，其中包括計(jì)算半導(dǎo)體晶片(105)上存在的誤差量(方塊(770))。系統(tǒng)(300)然后根據(jù)該等誤差而計(jì)算修改值，以便控制用來控制工藝工具(510)的控制輸入?yún)?shù)(方塊(780))。該系統(tǒng)然后取得待處理的次一半導(dǎo)體晶片(105)，并利用修改后的控制輸入?yún)?shù)來處理該晶片(105)(方塊(790)-方塊(740))，因而形成一晶片至晶片回授循環(huán)(705)。
使用晶片至晶片回授循環(huán)(705)時，可利用整合式度量工具(310)迅速地?cái)X取自處理一半導(dǎo)體晶片(105)而擷取的誤差。然后處理該度量數(shù)據(jù)，并利用該度量數(shù)據(jù)作為回授數(shù)據(jù)，以供次一半導(dǎo)體晶片(105)的處理。第7圖所示的晶片至晶片回授循環(huán)(705)提供了更精確地修正一特定批的半導(dǎo)體晶片(105)內(nèi)的誤差。
收集該等計(jì)算出的誤差及修正值，并于次一組半導(dǎo)體晶片(105)期間將該等誤差及修正值用來修正誤差，而在大約于產(chǎn)生晶片至晶片回授循環(huán)(705)的同時亦產(chǎn)生批次至批次回授循環(huán)(700)。系統(tǒng)(300)取得一批新的半導(dǎo)體晶片(105)(方塊(710))，并利用自晶片至晶片回授循環(huán)(705)取得的數(shù)據(jù)及計(jì)算值來界定用來處理次一批的半導(dǎo)體晶片(105)的控制輸入?yún)?shù)的起始狀態(tài)(步驟(720))。系統(tǒng)(300)然后自該批新的半導(dǎo)體晶片(105)取得一些半導(dǎo)體晶片(105)，并傳送待處理的該等半導(dǎo)體晶片(105)(方塊(730)至方塊(740))。然后重復(fù)晶片至晶片回授循環(huán)(705)，并將所得到的計(jì)算值用于一后續(xù)批的半導(dǎo)體晶片(105)。因此，系分別地且有時同時地使用批次至批次回授循環(huán)(700)及晶片至晶片回授循環(huán)(705)這兩個回授循環(huán)，以便制造經(jīng)過更有效率地且更精確地處理的半導(dǎo)體晶片(105)。
現(xiàn)在請參閱第8圖，圖中示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的一方法的一流程圖。在步驟(810)中，系統(tǒng)(300)取得一第一組的半導(dǎo)體晶片(105)，以供處理。工藝工具(510)中的工具控制單元(620)經(jīng)由設(shè)備接口(610)接收數(shù)據(jù)及控制輸入?yún)?shù)，以便處理該進(jìn)來的第一組半導(dǎo)體晶片(105)。在步驟(820)中，系統(tǒng)(300)也將一第二組的半導(dǎo)體晶片(105)傳送到工藝工具(510)，以供處理。
在一個實(shí)施例中，系以卡匣(539)將該第一組及該第二組的半導(dǎo)體晶片(105)傳送到工藝工具(510)。在一個替代實(shí)施例中，系統(tǒng)(300)接收在各卡匣(539)中的兩組以上的半導(dǎo)體晶片(105)。在步驟(830)中，系統(tǒng)(300)對該等多組半導(dǎo)體晶片(105)執(zhí)行一串級處理作業(yè)。下文中將提供步驟(830)所示的執(zhí)行該串級處理的步驟的更詳細(xì)的說明(請參閱第9圖及相關(guān)的說明)。
繼續(xù)請參閱第8圖，一旦系統(tǒng)(300)執(zhí)行了該串級處理作業(yè)之后，系統(tǒng)(300)即在步驟(840)中將得自該串級處理作業(yè)的數(shù)據(jù)用來作為回授數(shù)據(jù)。在一個實(shí)施例中，系統(tǒng)(300)利用在串級處理期間擷取的度量數(shù)據(jù)來執(zhí)行晶片至晶片回授循環(huán)(705)及批次至批次回授循環(huán)(700)。在步驟(850)中，藉由使用該回授數(shù)據(jù)，系統(tǒng)(300)利用修改后的控制參數(shù)來處理后續(xù)的半導(dǎo)體晶片(105)，以便降低所偵測到的誤差。
現(xiàn)在請參閱第9圖，圖中示出根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例而執(zhí)行第8圖的步驟(830)中所示的串級處理作業(yè)的步驟的流程圖。在步驟(910)中，系統(tǒng)(300)擷取該第一組半導(dǎo)體晶片(105)的處理前的度量數(shù)據(jù)。在一個實(shí)施例中，系利用位于工藝工具(510)內(nèi)的整合式度量工具(310)擷取該處理前的度量數(shù)據(jù)。一旦工藝工具(510)自該第一組半導(dǎo)體晶片(105)擷取處理前的度量數(shù)據(jù)之后，工藝工具(510)即在步驟(920)中將該第一組半導(dǎo)體晶片(105)自其整合式度量工具(310)傳送到工藝反應(yīng)室(630)，以供處理。在一個實(shí)施例中，工具控制單元(620)控制工藝工具(510)內(nèi)的多組半導(dǎo)體晶片(105)的移動。
然后在步驟(930)中，工藝工具(510)自第二組半導(dǎo)體晶片(105)擷取處理前的度量數(shù)據(jù)。系利用整合式度量工具(310)擷取該第二組的半導(dǎo)體晶片(105)的處理前的度量數(shù)據(jù)。在一個實(shí)施例中，系大約在重疊的時間間隔中執(zhí)行對在工藝反應(yīng)室(630)中的該第一組半導(dǎo)體晶片(105)的處理、以及取得整合式度量工具(310)所擷取的該第二組半導(dǎo)體晶片(105)的處理前的度量數(shù)據(jù)。在一個實(shí)施例中，可以一種前饋控制的方式，將該處理前的度量數(shù)據(jù)用來修改半導(dǎo)體晶片(105)的后續(xù)處理的控制設(shè)定值。
完成了對該第一組半導(dǎo)體晶片(105)的處理時，工藝工具(510)即在步驟(940)中將該等半導(dǎo)體晶片(105)傳送到處理后的度量數(shù)據(jù)擷取步驟。在一個實(shí)施例中，系由整合式度量工具(310)執(zhí)行該處理后的度量數(shù)據(jù)的擷取。在一個替代實(shí)施例中，系由各別的整合式處理前度量工具(410)擷取該處理前的度量數(shù)據(jù)，且系由各別的整合式處理后度量工具(420)執(zhí)行該處理后的度量數(shù)據(jù)的擷取。在第9圖所示的實(shí)施例中，系由整合式度量工具(310)擷取該處理前的度量數(shù)據(jù)及該處理后的度量數(shù)據(jù)。在一個實(shí)施例中，可將該處理后的度量數(shù)據(jù)用來修改控制設(shè)定值，而修改對半導(dǎo)體晶片(105)的后續(xù)處理，以便用一種回授控制的方式補(bǔ)償先前對半導(dǎo)體晶片(105)的處理所產(chǎn)生的誤差。
在系統(tǒng)(300)正在自該第一組半導(dǎo)體晶片(105)擷取處理后的度量數(shù)據(jù)時，工藝工具(510)在步驟(950)中將該第二組半導(dǎo)體晶片(105)傳送到工藝反應(yīng)室(630)，以供處理。同時，在步驟(945)中，將自該第一組半導(dǎo)體晶片(105)擷取的數(shù)據(jù)(亦即該處理前的度量數(shù)據(jù)及該處理后的度量數(shù)據(jù))用來執(zhí)行晶片至晶片回授循環(huán)(705)及批次至批次回授循環(huán)(700)的度量回授。下文中及在第11圖的相關(guān)描述中將說明用來執(zhí)行該度量回授循環(huán)的一實(shí)施例。
請繼續(xù)參閱第9圖，當(dāng)在工藝反應(yīng)室(630)中處理該第二組的半導(dǎo)體晶片(105)時，系統(tǒng)(300)將第三組的半導(dǎo)體晶片(105)傳送到工藝工具(510)。在步驟(960)中，將該第三組的半導(dǎo)體晶片(105)傳送到整合式度量數(shù)據(jù)擷取工具(310)，以便進(jìn)行處理前的度量數(shù)據(jù)的擷取。一旦在工藝反應(yīng)室(630)中處理了該第二組半導(dǎo)體晶片(105)之后，即在步驟(970)中將該第二組半導(dǎo)體晶片(105)傳送到處理后的度量數(shù)據(jù)擷取步驟。然后在步驟(980)中，將該第三組半導(dǎo)體晶片傳送到工藝反應(yīng)室(630)，以供處理。同時，在步驟(975)中，利用與該第二組半導(dǎo)體晶片(105)相關(guān)的度量數(shù)據(jù)(亦即與該第二組半導(dǎo)體晶片(105)相關(guān)的處理前的度量數(shù)據(jù)及處理后的度量數(shù)據(jù))而開始一第二度量回授程序。可利用整合式度量工具(310)對多組半導(dǎo)體晶片(105)重復(fù)該串級處理程序。
現(xiàn)在請參閱第10圖，圖中示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例而如步驟(910)、(930)、及(960)所示的擷取線上度量數(shù)據(jù)的方法的流程圖。于擷取處理后的數(shù)據(jù)時，在系統(tǒng)(300)處理了半導(dǎo)體晶片(105)之后，系統(tǒng)(300)在步驟(1010)中接收到指示已處理了至少一個半導(dǎo)體晶片(105)的信號。當(dāng)系統(tǒng)(300)得知有一組半導(dǎo)體晶片(105)可供度量數(shù)據(jù)擷取時，即在步驟(1020)中決定工藝工具(510)中的哪一半導(dǎo)體晶片(105)系隨即在等候分析。一旦系統(tǒng)(300)決定了要進(jìn)行線上度量分析的特定半導(dǎo)體晶片(105)之后，工藝工具(510)即在步驟(1030)中將該特定的半導(dǎo)體晶片(105)傳送到整合式度量數(shù)據(jù)工具(310)，以便進(jìn)行線上度量數(shù)據(jù)的擷取。
系統(tǒng)(300)然后在步驟(1040)中自該選定的半導(dǎo)體晶片(105)擷取線上度量數(shù)據(jù)。工藝工具(510)內(nèi)的整合式度量工具(310)擷取該線上度量數(shù)據(jù)。因此，將實(shí)時或接近實(shí)時的度量數(shù)據(jù)提供給系統(tǒng)(300)。一旦擷取了線上度量數(shù)據(jù)之后，即在步驟(1050)中將已取得度量數(shù)據(jù)的訊息通知工藝工具(510)中的工藝反應(yīng)室(630)。在一個實(shí)施例中，工藝反應(yīng)室(630)系將數(shù)據(jù)擷取的訊息經(jīng)由設(shè)備接口(610)而通知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)(530)，因而計(jì)算機(jī)系統(tǒng)(530)可執(zhí)行一響應(yīng)該線上度量數(shù)據(jù)的作業(yè)。如第9圖的步驟(910)、(930)、及(960)所示，可利用第10圖所示的該等步驟來擷取處理前及處理后的度量數(shù)據(jù)。完成了第10圖所示的該等步驟時，即大致完成了第9圖的步驟(910)、(930)、及(960)所示的擷取線上度量數(shù)據(jù)的程序。
現(xiàn)在請參閱第11圖，圖中示出第9圖的步驟(945)及(975)所示的執(zhí)行該等度量回授步驟的一實(shí)施例的流程圖。在步驟(1110)中，該系統(tǒng)分析與特定組半導(dǎo)體晶片(105)相關(guān)的處理前及處理后的度量數(shù)據(jù)。例如，系針對晶片至晶片回授調(diào)整循環(huán)(705)及(或)批次至批次回授循環(huán)(700)而分析與該第一組半導(dǎo)體晶片(105)相關(guān)的處理前及處理后的度量數(shù)據(jù)。在步驟(1120)中，該系統(tǒng)根據(jù)該處理前及處理后的度量數(shù)據(jù)而計(jì)算誤差。在一個實(shí)施例中，將所計(jì)算出的該等誤差與預(yù)定的規(guī)格比較，以便決定是否有誤差存在。例如，將與半導(dǎo)體晶片(105)的基材上沉積的溝渠相關(guān)的數(shù)據(jù)與此種溝渠的預(yù)定可接受值范圍(例如，最小線寬值、溝渠側(cè)壁的角度、及溝渠深度等的可接受值范圍)比較。
系統(tǒng)(300)然后在步驟(1130)中決定所偵測到的誤差是否在預(yù)定可接受值范圍之外。當(dāng)系統(tǒng)(300)決定所偵測到的誤差并非在預(yù)定可接受值范圍之外時，系統(tǒng)(300)通常在步驟(1140)中不理會該誤差且繼續(xù)正常的處理作業(yè)。當(dāng)系統(tǒng)(300)決定所偵測到的誤差系在預(yù)定可接受值范圍之外時，系統(tǒng)(300)在步驟(1150)中針對半導(dǎo)體晶片(105)的后續(xù)處理而計(jì)算控制輸入?yún)?shù)的一個調(diào)整因子。在一個實(shí)施例中，系進(jìn)行控制輸入?yún)?shù)的修改，以便減少所偵測到的誤差。系統(tǒng)(300)然后在步驟(1160)中引進(jìn)所計(jì)算出的該等調(diào)整值，以便在對半導(dǎo)體晶片(105)的后續(xù)處理中實(shí)施該等調(diào)整值。例如，對在半導(dǎo)體晶片(105)的基材上形成一個溝渠結(jié)構(gòu)的控制調(diào)整值進(jìn)行修改，以便進(jìn)一步微調(diào)后續(xù)的溝渠結(jié)構(gòu)的精確度?？舍槍辆厥谘h(huán)(705)及批次至批次回授循環(huán)(700)而執(zhí)行第11圖所示的該回授方法。可將本發(fā)明的揭示事項(xiàng)用于半導(dǎo)體裝置制造中的各種處理程序。
可在諸如由KLA Tencor，Inc.所提供的一種催化劑系統(tǒng)等的先進(jìn)工藝控制(APC)結(jié)構(gòu)中實(shí)施本發(fā)明所揭示的原理。該催化劑系統(tǒng)使用與半導(dǎo)體設(shè)備及材料國際協(xié)會(Semiconductor Equipment and MaterialsInternational；簡稱SEMI)計(jì)算機(jī)整合式制造(Computer IntegratedManufacturing；簡稱CIM)結(jié)構(gòu)相符的系統(tǒng)技術(shù)，且系基于該先進(jìn)工藝控制(APC)結(jié)構(gòu)?？晒_地自SEMI取得CIM(SEMI E81-0699-ProvisionalSpecification for CIM Framework Domain Architecture)及APC(SEMIE93-0999-Provisional Specification for CIM Framework AdvancedProcess Control Component)規(guī)格。APC是一種可用來實(shí)施本發(fā)明所揭示的控制策略的較佳平臺。在某些實(shí)施例中，該APC可以是一種遍及整個工廠的軟件系統(tǒng)，因此，可將本發(fā)明所揭示的該等控制策略應(yīng)用于工廠內(nèi)的幾乎任何的半導(dǎo)體制造工具。該APC結(jié)構(gòu)亦可容許對工藝效能進(jìn)行遠(yuǎn)程訪問及監(jiān)視。此外，藉由采用該APC結(jié)構(gòu)，數(shù)據(jù)儲存可以比本地磁盤驅(qū)動器的方式更為方便，更有使用彈性，且成本更低。該APC平臺可進(jìn)行更復(fù)雜類型的控制，這是因?yàn)樵揂PC平臺在寫入必要的軟件程序代碼時提供了充裕的彈性。
將本發(fā)明所揭示的控制策略部署到該APC結(jié)構(gòu)，可能需要一些軟件組件。除了該APC結(jié)構(gòu)內(nèi)的軟件組件之外，系針對與該控制系統(tǒng)有關(guān)的每一半導(dǎo)體制造工具程序而撰寫一計(jì)算機(jī)描述語言程序。當(dāng)在半導(dǎo)體制造工廠中激活計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的一半導(dǎo)體制造工具程序時，該半導(dǎo)體制造工具程序通常會呼叫一描述語言程序，以便開始諸如疊對控制器等的工藝控制器所要求的動作。通常系這些描述語言程序中界定并執(zhí)行該等控制方法。這些描述語言程序的開發(fā)可能包含一控制系統(tǒng)的開發(fā)的一相當(dāng)大的部分?？蓪⒈景l(fā)明所揭示的原理實(shí)施于其它類型的制造結(jié)構(gòu)。
前文所揭示的該等特定實(shí)施例只是供舉例，這是因?yàn)槭炝?xí)此項(xiàng)技藝者在參閱本發(fā)明的揭示事項(xiàng)之后，可易于以不同但等效的方式修改并實(shí)施本發(fā)明。此外，除了下文的申請專利范圍所述者之外，不得將本發(fā)明限制在本文所示的結(jié)構(gòu)或設(shè)計(jì)的細(xì)節(jié)。因此，顯然可改變或修改前文所揭示的該等特定實(shí)施例，且將把所有此類的變化視為在本發(fā)明的范圍及精神內(nèi)。因此，本發(fā)明所尋求的保護(hù)系述于下文的申請專利范圍。
權(quán)利要求
1.一種執(zhí)行工藝的串級控制的方法，包含下列步驟接收第一半導(dǎo)體晶片(105)以供處理；接收第二半導(dǎo)體晶片(105)以供處理；以及對該第一及該第二半導(dǎo)體晶片(105)執(zhí)行串級處理作業(yè)，其中該串級處理作業(yè)包含下列步驟在正在處理該第一半導(dǎo)體晶片(105)的一段時間中的至少一個部分期間，擷取與該第二半導(dǎo)體晶片(105)相關(guān)的處理前的度量數(shù)據(jù)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包含下列步驟在正在處理該第二半導(dǎo)體晶片(105)的一段時間中的至少一個部分期間，擷取與該第一半導(dǎo)體晶片(105)相關(guān)的處理后的度量數(shù)據(jù)。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中擷取處理前的度量數(shù)據(jù)的該步驟進(jìn)一步包含下列步驟利用整合式度量工具(310)擷取處理前的度量數(shù)據(jù)。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中擷取處理后的度量數(shù)據(jù)的該步驟進(jìn)一步包含下列步驟利用整合式度量工具(310)擷取處理后的度量數(shù)據(jù)。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中對該第一及該第二半導(dǎo)體晶片(105)執(zhí)行一串級處理作業(yè)的該步驟進(jìn)一步包含下列步驟擷取與該第一半導(dǎo)體晶片(105)相關(guān)的處理前的度量數(shù)據(jù)；在擷取與該第一半導(dǎo)體晶片(105)相關(guān)的該處理前的度量數(shù)據(jù)之后，處理該第一半導(dǎo)體晶片(105)；在正在處理該第一半導(dǎo)體晶片(105)的一段時間中的至少一個部分期間，擷取與該第二半導(dǎo)體晶片(105)相關(guān)的處理前的度量數(shù)據(jù)；在該處理該第一半導(dǎo)體晶片(105)之后，擷取與該第一半導(dǎo)體晶片(105)相關(guān)的處理后的度量數(shù)據(jù)；在擷取與該第一半導(dǎo)體晶片(105)相關(guān)的處理后的度量數(shù)據(jù)的一段時間中的至少一個部分期間，處理該第二半導(dǎo)體晶片(105)；以及在處理該第二半導(dǎo)體晶片(105)之后，響應(yīng)該第二半導(dǎo)體晶片(105)的該處理，而擷取處理后的度量數(shù)據(jù)。
6.一種用以執(zhí)行半導(dǎo)體晶片(105)工藝的串級控制的系統(tǒng)，其特征在于該系統(tǒng)包含工藝控制器，用以執(zhí)行串級工藝作業(yè)，該串級工藝作業(yè)包含下列步驟擷取與第一半導(dǎo)體晶片(105)相關(guān)的處理前的數(shù)據(jù)；在該擷取與該第一半導(dǎo)體晶片(105)相關(guān)的該處理前的數(shù)據(jù)之后，處理該第一半導(dǎo)體晶片(105)；在正在處理該第一半導(dǎo)體晶片(105)的一段時間中的至少一個部分期間，擷取與一第二半導(dǎo)體晶片(105)相關(guān)的處理前的數(shù)據(jù)；在該擷取與該第二半導(dǎo)體晶片(105)相關(guān)的該處理前的數(shù)據(jù)之后，處理該第二半導(dǎo)體晶片(105)；在正在處理該第二半導(dǎo)體晶片(105)的一段時間中的至少一部分期間，擷取與一第一半導(dǎo)體晶片(105)相關(guān)的處理后的數(shù)據(jù)；以及在該處理了該第二半導(dǎo)體晶片(105)之后，擷取與該第二半導(dǎo)體晶片(105)相關(guān)的處理后的數(shù)據(jù)；在作業(yè)上耦合到該工藝控制器(350)的線上串級度量數(shù)據(jù)儲存單元(320)，該線上串級度量數(shù)據(jù)儲存單元(320)系用來接收線上處理前的度量數(shù)據(jù)及線上處理后的度量數(shù)據(jù)中的至少一個數(shù)據(jù)；以及在作業(yè)上耦合到該工藝控制器(350)及該線上串級度量數(shù)據(jù)儲存單元(320)的回授/前饋單元(580)，該回授/前饋單元(580)系響應(yīng)該線上處理前的度量數(shù)據(jù)及該線上處理后的度量數(shù)據(jù)中的至少一個數(shù)據(jù)，而執(zhí)行回授功能。
7.一種由計(jì)算機(jī)所使用的以指令編碼的計(jì)算機(jī)可讀取的程序儲存裝置，當(dāng)該計(jì)算機(jī)執(zhí)行該等指令時，即執(zhí)行一種執(zhí)行一工藝的串級控制的方法，該方法包含下列步驟接收第一半導(dǎo)體晶片(105)以供處理；接收第二半導(dǎo)體晶片(105)以供處理；以及對該第一及該第二半導(dǎo)體晶片(105)執(zhí)行一串級處理作業(yè)，其中該串級處理作業(yè)包含下列步驟在正在處理該第一半導(dǎo)體晶片(105)的一段時間中的至少一個部分期間，擷取與該第二半導(dǎo)體晶片(105)相關(guān)的處理前的度量數(shù)據(jù)。
8.如權(quán)利要求7所述的一種以指令編碼的計(jì)算機(jī)可讀取的程序儲存裝置，當(dāng)計(jì)算機(jī)執(zhí)行該等指令時，即執(zhí)行權(quán)利要求7項(xiàng)所述方法，該方法進(jìn)一步包含下列步驟在正在處理該第二半導(dǎo)體晶片(105)的一段時間中的至少一個部分期間，擷取與該第一半導(dǎo)體晶片(105)相關(guān)的處理后的度量數(shù)據(jù)。
9.如權(quán)利要求7所述的一種以指令編碼的計(jì)算機(jī)可讀取的程序儲存裝置，當(dāng)計(jì)算機(jī)執(zhí)行該等指令時，即執(zhí)行權(quán)利要求7項(xiàng)所述方法，其中擷取處理前的度量數(shù)據(jù)的該步驟進(jìn)一步包含下列步驟利用整合式度量工具(310)擷取處理前的度量數(shù)據(jù)。
10.如權(quán)利要求7所述的一種以指令編碼的計(jì)算機(jī)可讀取的程序儲存裝置，當(dāng)計(jì)算機(jī)執(zhí)行該等指令時，即執(zhí)行權(quán)利要求7項(xiàng)所述方法，其中對該第一及該第二半導(dǎo)體晶片執(zhí)行一串級處理作業(yè)的該步驟進(jìn)一步包含下列步驟自該第一半導(dǎo)體晶片(105)擷取處理前的度量數(shù)據(jù)；響應(yīng)自該第一半導(dǎo)體晶片(105)擷取該處理前的度量數(shù)據(jù)，而處理該第一半導(dǎo)體晶片(105)；在正在處理該第一半導(dǎo)體晶片(105)的一段時間中的至少一個部分期間，自該第二半導(dǎo)體晶片(105)擷取處理前的度量數(shù)據(jù)；響應(yīng)該處理該第一半導(dǎo)體晶片(105)，而自該第一半導(dǎo)體晶片(105)擷取處理后的度量數(shù)據(jù)；響應(yīng)在擷取與該第一半導(dǎo)體晶片(105)相關(guān)的處理后的度量數(shù)據(jù)的一段時間中的至少一個部分期間自該第二半導(dǎo)體晶片(105)擷取該處理前的度量數(shù)據(jù)，而處理該第二半導(dǎo)體晶片(105)；以及響應(yīng)該處理該第二半導(dǎo)體晶片(105)，而擷取處理后的度量數(shù)據(jù)。
全文摘要
本發(fā)明揭示了一種對半導(dǎo)體晶片的處理執(zhí)行串級控制的方法及裝置。接收第一半導(dǎo)體晶片以供處理。接收第二半導(dǎo)體晶片以供處理。對該第一及該第二半導(dǎo)體晶片執(zhí)行串級處理作業(yè)，其中該串級處理作業(yè)包含下列步驟在正在處理該第一半導(dǎo)體晶片的一段時間中的至少一部分期間，擷取與該第二半導(dǎo)體晶片相關(guān)的處理前的度量數(shù)據(jù)。
文檔編號H01L21/02GK1561541SQ02819074
公開日2005年1月5日 申請日期2002年8月9日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月30日
發(fā)明者A·J·帕薩丁, C·A·博德 申請人:先進(jìn)微裝置公司