專利名稱：電光裝置及其制造方法和電子設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及液晶裝置、EL(電致發(fā)光)裝置、電子發(fā)射元件(場發(fā)射顯示器和表面導通電子發(fā)射顯示器)等的電光裝置及其制造方法和電子設備的技術領域。此外，本發(fā)明還屬于電子紙張等電泳器件的技術領域。
背景技術：
歷來，作為液晶裝置等電光裝置，例如，具備排列成矩陣狀的像素電極，連接于各個該電極的薄膜晶體管(Thin Film Transistor；以下適當時稱為“TFT”)，連接于各個該TFT，分別平行于行和列方向地設置的掃描線和數(shù)據(jù)線，通過分別進行對前述掃描線靠掃描線驅動電路的驅動，對前述數(shù)據(jù)線靠數(shù)據(jù)線驅動電路的驅動，所謂有源矩陣驅動是可能的這是公知的。
這里，所謂有源矩陣驅動，是指通過把掃描信號供給到前述掃描線來控制前述TFT等開關元件的工作，并且通過把圖像信號供給到前述數(shù)據(jù)線，對對應于靠前述掃描信號來接通的TFT等開關元件的像素電極，進行對應于該圖像信號的電場的施加的驅動方法。
在該圖像信號的供給方法中，提出了種種方案，例如，有對一根一根的數(shù)據(jù)線逐次供給圖像信號的方法，或把圖像信號進行串行-并行變換而對若干根相鄰的數(shù)據(jù)線，在每組中同時供給圖像信號的方法。
可是，關于現(xiàn)有技術中的通過數(shù)據(jù)線的圖像信號的供給，存在著以下的問題。也就是說，上面舉例表示的圖像信號的供給方法當中，如果以每組同時進行圖像信號的供給的方法為例來說明，則在該場合，在當前接收圖像信號的供給的組(以下稱為“供給組”)和與之相鄰的組(以下稱為“非供給組”)之間，以幾乎沿著延長到該位置的數(shù)據(jù)線的形態(tài)，存在著在圖像上出現(xiàn)顯示不勻這樣的問題。
這是恰好存在于在前述供給組與前述非供給組的端分界處的像素電極中，未正確地施加對應于圖像信號的電場所致。更詳細地說，在該場合，如果數(shù)據(jù)線周圍的電容(例如該數(shù)據(jù)線的布線電容，或者因該數(shù)據(jù)線與其他布線和對向電極的重合產(chǎn)生的電容)相當程度地小，則因構成取樣電路的薄膜晶體管的柵-漏間的寄生電容的影響，寫入數(shù)據(jù)線的圖像信號電位的下推量變得更大，致使數(shù)據(jù)線中的電位變動加大。于是，帶來對應于該數(shù)據(jù)線地排列的像素電極的電位變動，結果，沿著該數(shù)據(jù)線的顯示不勻成為出現(xiàn)于圖像上。
而且，這種問題，如果把電光裝置的前述小型化、高精細化這樣的一般的要求置為前提，則其解決變得更加困難。這也就是說，雖然為了實現(xiàn)這種小型化、高精細化，構成電光裝置的各種構成要素，也就是前述掃描線、數(shù)據(jù)線、TFT和像素電極等不得不實現(xiàn)更加小型化或窄小化，但是該場合，特別是因為如果數(shù)據(jù)線窄小化，則附加于數(shù)據(jù)線的電容變得進一步被削減。因而，數(shù)據(jù)線中的電位的變動變得更大，前述的那種沿著數(shù)據(jù)線的顯示不勻的發(fā)生變得更加顯著。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而作成的，其目的在于提供一種能夠顯示沒有沿著數(shù)據(jù)線的顯示不勻的高質(zhì)量的圖像的電光裝置。此外，本發(fā)明的目的在于提供一種具有既實現(xiàn)這種電光裝置的小型化、高精細化，依然能夠顯示沒有前述那種顯示不勻等的發(fā)生的高質(zhì)量的圖像的構成的電光裝置。進而，本發(fā)明的目的還在于提供一種這種電光裝置的制造方法，以及提供一種具備該電光裝置而成的電子設備。
本發(fā)明的電光裝置，為了解決上述課題，在基板上，具備在一定方向上延長的數(shù)據(jù)線，與該數(shù)據(jù)線交叉地延長的掃描線，對應于前述掃描線與前述數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)域地配置的像素電極和像素開關用元件，以及包含以連接于前述數(shù)據(jù)線或從前述數(shù)據(jù)線延伸設置的導電層為其第1電極的電容器。
如果用本發(fā)明的電光裝置，則通過掃描線控制作為像素開關用元件之一例的薄膜晶體管等的開關工作，并且通過數(shù)據(jù)線供給圖像信號，借此經(jīng)由薄膜晶體管對像素電極根據(jù)該圖像信號施加電壓成為可能。
而且，在本發(fā)明中特別是具備包含以連接于數(shù)據(jù)線或從數(shù)據(jù)線延伸設置的導電層作為其第1電極的電容器。也就是說，雖然一般所謂電容器設想為具備一對電極與夾持于它們之間的絕緣膜者，但是在本發(fā)明中，設想成例如，作為構成該對電極的第1電極，屬于連接于數(shù)據(jù)線或從數(shù)據(jù)線延伸設置的導電層，作為另一方的電極屬于對向配置于該導電層的另一個導電層等這樣的形態(tài)。借此，對例如數(shù)據(jù)線的布線電容，或者因數(shù)據(jù)線與其他布線和對向電極的重合產(chǎn)生的電容，通過加到該電容器上，可以實現(xiàn)該數(shù)據(jù)線周圍的電容的適當?shù)拇_保，因此抑制該數(shù)據(jù)線應該保有的電位中發(fā)生變動成為可能，因而，對根據(jù)該變動產(chǎn)生像素電極的電位變動的事態(tài)防患于未然成為可能。
通過以上，如果用本發(fā)明，則極力抑制在背景技術項中所述的那種沿著數(shù)據(jù)線的顯示不勻等的發(fā)生成為可能，因而顯示更高質(zhì)量的圖像成為可能。
而且，這種作用效果，可以與該電光裝置的小型化、高精細化無關地享受。也就是說，假如，即使隨著電光裝置的小型等，有時數(shù)據(jù)線被窄小化，在本發(fā)明中，也因為另外具備“電容器”的緣故。也就是，即使數(shù)據(jù)線變得多么窄小，也具備補足它們的“電容器”，所以數(shù)據(jù)線周圍的電容的適當?shù)拇_保是可能的。這樣一來，如果用本發(fā)明，則既能夠實現(xiàn)電光裝置的小型化、高精細化，但是依然顯示前述那種沒有顯示不勻等的高質(zhì)量圖像成為可能。
再者，在本發(fā)明中，所謂‘“連接”于數(shù)據(jù)線的......導電層’，例如，除了如后所述經(jīng)由迂回層連接于數(shù)據(jù)線和導電層的場合外，可以設想種種的結構。這里所謂‘連接’，如果具體地舉例，可以設想利用接觸孔的場合等。
此外，所謂‘從數(shù)據(jù)線“延伸設置”的導電層’，例如，包含導電層由在與該數(shù)據(jù)線同一層上所形成的其他構件來構成的場合，或者根據(jù)情況，該數(shù)據(jù)線本身延伸設置構成導電層的場合(也就是說，由與數(shù)據(jù)線同一材料構成，外觀上，構成與該數(shù)據(jù)線沒有明顯區(qū)別的導電層的場合)等。在后者的場合，可以看成數(shù)據(jù)線本身的全部或一部分構成‘電容器’的電極。
在本發(fā)明的電光裝置的一種形態(tài)中，因為還具備在交叉于前述數(shù)據(jù)線的方向上延伸的電容器電極用布線，而且，構成前述電容器的另一方的電極包含連接于前述電容器電極用布線的或從前述電容器電極用布線延伸設置的另一個導電層。
如采用該形態(tài)，由于具備交差于數(shù)據(jù)線方向上延伸的電容器電極用布線，而且，在前述電容器的另一方電極包含連接于該電容器電極用布線的或從該電容器電極用布線延伸設置的另外的導電層，所以可形成其結構、制造比較簡單，并且可靠性高的電容器。
這是因為，為了在作為布線的一種的電容器電極用布線上，實現(xiàn)必要的電位(例如，如后所述規(guī)定的‘固定電位’等)的供給，至少僅設置一處該電容器電極用布線的一部分與供給該電位的電源的電氣的連接點就可以了的緣故。該點，如果例如根據(jù)各數(shù)據(jù)線，設置個別的電容器電極，則前述那種電位供給有必要個別地進行，電氣的連接點一般就有必要形成多個。在這種形態(tài)中，成為制造成品率低的原因(例如，雖然關于某個數(shù)據(jù)線的電容器正常地工作，但是關于別的數(shù)據(jù)線的電容器卻不工作等)，此外，每個電容器中其特性不同，成為作為總體的可靠性降低的原因。在本形態(tài)中，沒有遭受這種問題的危險。
在本發(fā)明電光裝置的另一種形態(tài)中，前述電容器電極用布線也可以取為固定電位。
如果用該形態(tài)，則因為構成電容器的另一方的電極的電容器電極用布線取為固定電位，所以另一個導電層此外也取為固定電位，該電容器可以適當?shù)匕l(fā)揮功能。也就是說，在該電容器中，蓄積與對應于供給到數(shù)據(jù)線的圖像信號的電壓與該固定電位的電位差相對應的電荷量成為可能。
也可以構成為在該形態(tài)中，還具備對向配置于前述基板的對向基板，與在該對向基板上所形成對向于前述像素電極地配置的對向電極，和配置于該對向基板和前述基板的某一方用來驅動前述掃描線和前述數(shù)據(jù)線以及前述像素電極的驅動電路，和向前述對向電極供給固定電位的第1電源，以及向前述驅動電路供給固定電位的第2電源，前述電容器電極用布線通過連接于前述第1電源或前述第2電源取為固定電位。
如果用這種構成，則因為成為用來把連接于作為電容器的另一方電極的另一個導電層等的電容器電極用布線取為固定電位的電源，與用來把對向電極取為固定電位的電源(也就是第1電源)，或者用來供給要供給到驅動電路的固定電位的電源(也就是第2電源)被共用的形態(tài)，所以可以實現(xiàn)裝置構成的簡化。
再者，在本形態(tài)中，根據(jù)情況，還包含第1電源與第2電源為一個共同電源這樣的場合。
在本發(fā)明的電光裝置的另一種形態(tài)中，前述電容器電極用布線由低電阻材料來構成。
如果用該形態(tài)，則因為電容器電極用布線由低電阻材料來構成，所以布線延遲等不成問題。再者，本形態(tài)中所謂‘低電阻材料’，例如，可以舉出鋁等。
在本發(fā)明的電光裝置的另一種形態(tài)中，在前述數(shù)據(jù)線的一端，還具備用來驅動該數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線驅動電路而成，在前述數(shù)據(jù)線的另一端側設有前述電容器。
如果用該形態(tài)，則在以數(shù)據(jù)線為中心的場合中的各種構成要素的配置關系成為最佳的。此外，在本形態(tài)中，因為成為在數(shù)據(jù)線的一端配置數(shù)據(jù)線驅動電路，在其另一端配置前述電容器，所以圖像信號的流動，就成為數(shù)據(jù)線驅動電路、數(shù)據(jù)線(和與之相連的像素開關用元件、像素電極)和電容器，實現(xiàn)沒有圖像信號停滯的向像素電極的傳遞，并且電容器中的電荷蓄積就利用可以說夠用的圖像信號來進行。也就是說，如果用本形態(tài)，則盡管設置對數(shù)據(jù)線也可能成為一種障礙物的電容器，但是可以有效地避免真正受到由此而產(chǎn)生的不良影響的事態(tài)。
再者，在本形態(tài)中，也可以在數(shù)據(jù)線驅動電路與數(shù)據(jù)線之間設置取樣電路等。
在本發(fā)明的電光裝置的另一種形態(tài)中，在前述數(shù)據(jù)線的一端，還具備用來驅動該數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線驅動電路而成，在前述數(shù)據(jù)線的另一端側還具備用來檢查該電光裝置的工作的檢查電路。
如果用該形態(tài)，則靠檢查電路，可以進行該電光裝置的工作，尤其作為像素開關用元件的薄膜晶體管的工作等的檢查。而且，在本形態(tài)中，該檢查電路可以設在數(shù)據(jù)線的另一端側，借此可以最佳地實現(xiàn)基板上的各種要素的布局。
再者，除了本形態(tài)，再加上在數(shù)據(jù)線的另一端側設置電容器的上述形態(tài)的形態(tài)中，特別是可以最佳地確定各種要素的布局。
在本發(fā)明的電光裝置的另一種形態(tài)中，還具備連接于前述像素電極和像素開關用元件的存儲電容器，構成前述電容器的構件的至少一部分，與構成前述存儲電容器的構件的至少一部分，在制造工序階段中在同一的機會中形成。
如果用該形態(tài)，則首先，通過具備連接于像素電極和像素開關用元件的存儲電容器，可以提高像素電極中的電位保持特性。因而，顯示具有高對比度等特質(zhì)的高質(zhì)量的圖像成為可能。
而且在本形態(tài)中，構成前述電容器的構件的至少一部分，與構成前述存儲電容器的構件的至少一部分，在制造工序階段中在同一的機會中形成。借此以具體的例子說明如下。
首先，存儲電容器由連接像素開關用元件和像素電極的像素電位側電容器電極，與與之對向配置，例如取為固定電位的電容器電極，而且夾持于這一對電極間的絕緣膜來構成。另一方面，關于根據(jù)本發(fā)明的‘電容器’，由作為其第1電極連接于數(shù)據(jù)線或從其延伸設置的導電層，作為其另一方的電極例如連接于前述電容器電極用布線或從其延伸設置的另一個導電層，進而夾持于這一對電極間的絕緣膜來構成。在這種場合，所謂‘構成存儲電容器的構件’為像素電位側電容器電極、電容器電極和絕緣膜，另一方面，所謂‘構成電容器的構件’為數(shù)據(jù)線、電容器電極用布線和絕緣膜。
而且，后者，與前者的所謂‘至少一部分，在制造工序階段中的同一的機會中形成’，意味著例如，導電層和像素電位側電容器電極作為同一膜形成，或者，另一個導電層和固定電位側電容器電極作為同一膜形成，再或者，‘電容器’的絕緣膜和‘存儲電容器’的絕緣膜作為同一膜形成等。再者，所謂作為同一膜形成，是指在電容器和存儲電容器中形成共同的前驅膜，并且對此進行圖形處理，借此例如導電層與固定電位側電容器電極根據(jù)各自的部位，而且，作為分別具有固有的圖形形狀者來形成。
這樣一來，如果用本形態(tài)，則因為在同一的機會中制造兩個要素(也就是電容器和存儲電容器)，所以與分別制造它們各自的場合相比，就可以實現(xiàn)制造工序的簡化，或制造成本的低廉化。此外，如果用根據(jù)本形態(tài)的結構，則可以以小面積更有效地形成電容器。
與此相關聯(lián)，在具備前述電容器電極用布線的形態(tài)中，也可以前述電容器電極用布線和前述數(shù)據(jù)線在制造工序階段中在同一的機會中形成。
如果用這種構成，則因為電容器電極用布線和數(shù)據(jù)線作為同一膜形成，所以與分別制造它們各自的場合相比，可以實現(xiàn)制造工序的簡化，或制造成本的低廉化。
再者，如果用這樣的構成，和前述在同一機會中形成電容器和存儲電容器的形態(tài)合并的形態(tài)，則不用說前述的作用效果更有效地實現(xiàn)。
這樣一來，在同一機會中形成電容器或其關聯(lián)的構成與圖像顯示區(qū)域側的構成(例如，存儲電容器、數(shù)據(jù)線)的形態(tài)中，還具備分別連接于前述數(shù)據(jù)線和前述導電層的迂回層，可以構成為該迂回層在制造工序階段與前述掃描線在同一的機會中形成。
如果用這種構成，則首先，數(shù)據(jù)線和導電層間經(jīng)由迂回層連接。也就是說，數(shù)據(jù)線和導電層能夠作為分開的構件構成，借此，可以由各自的材料分別構成兩者。例如，數(shù)據(jù)線用鋁，導電層用多晶硅構成等是可能的?？墒?，構成前述存儲電容器的一對電極的至少一方用的材料，為了充分發(fā)揮作為存儲電容器的性能等通常按其他固有的目的來選定。例如，為了使該一對電極的至少一方也作為防止對像素開關用的薄膜晶體管的光入射的上側遮光膜發(fā)揮功能，進行由光吸收性上比較優(yōu)良的多晶硅來構成等。
在以上這種場合，與例如，數(shù)據(jù)線本身的一部分構成根據(jù)本發(fā)明的電容器的電極等場合相比，在同一機會中形成構成存儲電容器的一對電極的至少一方與導電層這樣的形態(tài)可以更加容易實現(xiàn)。也就是說，如果設置根據(jù)本構成的‘迂回層’，則可以更容易實現(xiàn)前述的，在制造工序階段中在同一機會中形成電容器的構成，與存儲電容器的構成的至少一部分這樣的形態(tài)。
另一方面，在本形態(tài)中特別是，迂回層和掃描線在制造工序階段中在同一機會中形成。因而，如果用本構成，則除了上述外，可以更有效地實現(xiàn)制造工序的簡化，或制造成本的低廉化。
再者，在本形態(tài)中，該掃描線可以包含構成作為前述像素開關用元件的薄膜晶體管的柵電極。
在該形態(tài)中，可以構成為在前述數(shù)據(jù)線的一端側具備用來驅動該數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線驅動電路，在前述數(shù)據(jù)線的另一端側還具備用來檢查前述電容器和該電光裝置的工作的檢查電路，前述檢查電路經(jīng)由前述數(shù)據(jù)線與前述迂回層連接。
如果用這種構成，則可以最佳地確定數(shù)據(jù)線、電容器以及用來連接數(shù)據(jù)線和檢測電路的布線等的布局。例如，采用在迂回層上夾著層間絕緣膜設置電容器，并且在該電容器上或作為與該電容器同一層，分別形成數(shù)據(jù)線和檢查電路本身以及向它們連接的布線，在迂回層和數(shù)據(jù)線間以及迂回層和前述布線間，形成用來分別連接兩者的接觸孔等這樣的形態(tài)成為可能。在該場合，成為關于電容器的設置不特別需要面積等，成為各種要素的布局更佳地實現(xiàn)。
在本發(fā)明的電光裝置的另一種形態(tài)中，前述導電層的要成為前述第1電極的部位，比前述數(shù)據(jù)線寬幅地形成。
如果用該形態(tài)，則可以謀求電容器的電容值的增大。因而，如果用本形態(tài)，則成為可以更好地實現(xiàn)數(shù)據(jù)線周圍的電容的確保，除了前述外，還減低像素電極中的電位變動產(chǎn)生的可能性，顯示更高質(zhì)量的圖像成為可能。
再者，為了更有效地享受上述作用效果，除了本形態(tài)外，前述另一個導電層的要成為前述另一方的電極的部位，比前述數(shù)據(jù)線寬幅地形成的場合當然就被設想。
在本發(fā)明的電光裝置的另一種形態(tài)中，前述數(shù)據(jù)線存在多條，這些多條的數(shù)據(jù)線臨時區(qū)分成針對圖像信號的供給對象的多組。
如果用該形態(tài)，則例如，把由作為對一個圖像信號進行串行-并行變換的結果的，多個構成的圖像信號一舉供給到數(shù)據(jù)線成為可能。這樣一來，高效的圖像信號的發(fā)信成為可能?？墒?，關于位于臨時成圖像信號的供給對象的‘組’的兩端的數(shù)據(jù)線，容易出現(xiàn)沿著該數(shù)據(jù)線的圖像上的顯示不勻，此外，該顯示不勻成為以組為單位出現(xiàn)，所以成為更容易辨認者。也就是說，存在著圖像質(zhì)量低下變得顯著得‘眼睛看得見’這樣的缺點。再者，在該場合，顯示不勻‘容易出現(xiàn)’是因為在位于前述組的兩端的數(shù)據(jù)線上存在著與其相相鄰，沒有圖像信號的供給的數(shù)據(jù)線的緣故，是因為這兩個數(shù)據(jù)線與像素電極的相互關系造成更加容易發(fā)生顯示不勻的狀況的緣故。
然而，在本發(fā)明中，如上所述通過對數(shù)據(jù)線附設電容器，即使采用上述這種圖像信號的供給形態(tài)，也不特別成問題。換句話說，在采用上述這種圖像信號的供給形態(tài)的場合，與不這樣的場合相比，可以說根據(jù)本發(fā)明的電容器的存在意義提高。
再者，所謂‘臨時地成為圖像信號的供給對象的數(shù)據(jù)線的組’，根據(jù)該圖像信號由幾個并行信號來構成而確定。例如，如果設想該圖像信號為把串行信號串行-并行變換成6個并行信號者，則設想成所謂前述數(shù)據(jù)線的‘組’是由相相鄰的6根數(shù)據(jù)線構成的組是可能的。
本發(fā)明的電光裝置的制造方法，為了解決上述課題，在制造在基板上具備在一定方向上延長的數(shù)據(jù)線，交叉于該數(shù)據(jù)線地延長的掃描線，對應于該掃描線和前述數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)域地配置的像素電極和薄膜晶體管，連接于該像素電極和薄膜晶體管的存儲電容器以及連接或延伸設置于前述數(shù)據(jù)線的電容器的電光裝置的電光裝置的制造方法中，包含作為同一膜形成構成前述電容器的構件的至少一部分，與構成前述存儲電容器的構件的至少一部分的同時制造工序。
如果用本發(fā)明的電光裝置的制造方法，則可以比較容易地形成上述的本發(fā)明的電光裝置。而且，在本發(fā)明中特別是因為包含作為同一膜形成構成電容器的構件的至少一部分，與構成存儲電容器的構件的至少一部分的同時制造工序，所以可以謀求制造工序的簡化，或制造成本的低廉化等。
在本發(fā)明的電光裝置的制造方法的一種形態(tài)中，前述存儲電容器由連接于前述像素電極和前述薄膜晶體管的像素電位側電容器電極，對向配置于該像素電位側電容器電極的固定電位側電容器電極，夾持于這兩個電極的第1絕緣膜構成，前述電容器由連接或延伸設置于前述數(shù)據(jù)線的導電層，對向配置于該導電層的另一個導電層，夾持于這兩個層中的第2絕緣膜構成，前述同時制造工序包含作為同一膜形成前述像素電位側電容器電極和前述導電層的工序，作為同一膜形成前述固定電位側電容器電極和前述另一個導電層的工序和作為同一膜形成前述第1絕緣膜和前述第2絕緣膜的工序當中，至少一道工序。
如果用該形態(tài)，則前述同時制造工序成為作為同一膜形成像素電位側電容器電極和導電層，固定電位側電容器電極和另一個導電層以及第1絕緣膜和第2絕緣膜中的至少一組。因而，可以謀求與之相應的部分的制造工序的簡化，或制造成本的低廉化等。
在本發(fā)明的電光裝置的制造方法的另一個形態(tài)中，前述同時制造工序之前，包含作為同一膜形成構成前述薄膜晶體管的柵電極與迂回層的工序，包含形成用來連接前述迂回層與前述數(shù)據(jù)線的接觸孔的工序，和形成用來連接前述迂回層與前述導電層的接觸孔的工序。
如果用該形態(tài)，則因為前述同時制造工序前形成迂回層，并且該迂回層電氣上連接于前述數(shù)據(jù)線和前述導電層，所以可以比較容易地制造前述的本發(fā)明的電光裝置的各種形態(tài)當中具備迂回層的電光裝置。而且，在本形態(tài)中特別是，因為作為同一膜形成構成薄膜晶體管的柵電極和迂回層，所以就更有效地實現(xiàn)制造工序的簡化，或制造成本的低廉化等這樣的作用效果。
再者，在本形態(tài)中，也可以在與柵電極的形成同時形成掃描線以便包含該柵電極。
此外，在本形態(tài)中，因為在同時制造工序之前形成柵電極和迂回層，所以成為該柵電極和迂回層在存儲電容器和電容器之下形成。
在本發(fā)明的電光裝置的制造方法的另一種形態(tài)中，在前述同時制造工序之后，包含作為同一膜形成前述數(shù)據(jù)線與在交叉于該數(shù)據(jù)線的方向上延伸的電容器電極用布線的工序，和形成用來連接前述電容器電極用布線與前述另一個導電層的接觸孔的工序。
如果用該形態(tài)，則由于成為形成電容器電極用布線，并且該電容器電極用布線與前述另一個導電層電氣上連接，所以可以容易地制造前述的本發(fā)明的電光裝置的各種形態(tài)當中具備電容器電極用布線的電光裝置。而且，在本形態(tài)中特別是，因為作為同一膜形成該電容器電極用布線和前述數(shù)據(jù)線，所以就更有效地實現(xiàn)制造工序的簡化，或制造成本的低廉化等這樣的作用效果。
再者，在本形態(tài)中，因為數(shù)據(jù)線和電容器電極用布線在前述同時制造工序之后形成，所以成為該數(shù)據(jù)線和電容器電極用布線在存儲電容器和電容器之上形成。
在該形態(tài)中特別是，可以該電光裝置還具備檢查電路而成，包含作為同一膜形成連接于前述檢查電路的布線，前述數(shù)據(jù)線和前述電容器電極用布線的工序，和形成用來連接前述布線和前述迂回層的接觸孔的工序。
如果用這種構成，則因為作為同一膜形成連接于檢查電路的布線，數(shù)據(jù)線和電容器電極用布線，所以成為更有效地實現(xiàn)制造工序的簡化，或制造成本的低廉化等這樣的作用效果。此外，如果用本構成，則迂回層在數(shù)據(jù)線和前述布線的連接中起很大作用，可以最佳地實現(xiàn)構成由根據(jù)本發(fā)明的制造方法所制造的電光裝置的各種要素的布局。
本發(fā)明的電子設備，為了解決上述課題，具備上述的本發(fā)明的電光裝置(其中包含各種形態(tài))。
如果用本發(fā)明的電子設備，則因為具備上述的本發(fā)明的電光裝置，所以通過在數(shù)據(jù)線上附設電容器，可以實現(xiàn)能夠顯示沒有在圖像上發(fā)生沿著數(shù)據(jù)線的顯示不勻等這樣的情況的，高質(zhì)量的圖像的，投射型顯示裝置(液晶投影機)、液晶電視、便攜式電話、電子筆記本、文字處理機、取景器型或監(jiān)視器直視型錄像機、工作站、可視電話、POS終端、觸摸屏等各種電子設備。
本發(fā)明的這種作用和其他優(yōu)點根據(jù)以下說明的實施形態(tài)可以明白。


圖1是表示構成本發(fā)明的實施形態(tài)的電光裝置中的圖像顯示區(qū)域的矩陣狀的多個像素中所設置的各種元件、布線等的等效電路的電路圖。
圖2是本發(fā)明的實施形態(tài)的電光裝置中的數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極等所形成的TFT陣列基板的相相鄰的多個像素群的俯視圖。
圖3是圖2的A-A′剖視圖。
圖4是本發(fā)明的實施形態(tài)的電光裝置中的電容器所形成的俯視圖。
圖5是圖4的B-B′剖視圖。
圖6是概念地表示圖4和圖5中所示的電容器與其周圍的其他要素的配置關系的透視圖。
圖7是圖示地表示圖像信號供給到數(shù)據(jù)線的情形的透視圖。
圖8是與圖4同樣目的的圖，是作為電容器的電極的第1導電層和第2導電層比數(shù)據(jù)線寬幅地形成的場合中的俯視圖。
圖9是與圖6同樣目的的圖，是就數(shù)據(jù)線本身的一部分構成根據(jù)本實施形態(tài)的電容器的第1電極的場合表示者。
圖10是與圖6同樣目的的圖，是就電容器電極用布線本身的一部分構成根據(jù)本實施形態(tài)的電容器的另一方的電極的場合表示者。
圖11是關于圖5的剖視圖(圖中左方)和圖3的剖視圖當中半導體層1a附近相關部分(圖中右方)，按順序表示制造工序的各工序中的電光裝置的疊層結構的工序圖(之一)。
圖12是關于圖5的剖視圖(圖中左方)和圖3的剖視圖當中半導體層1a附近相關部分(圖中右方)，按順序表示制造工序的各工序中的電光裝置的疊層結構的工序圖(之二)。
圖13是關于圖5的剖視圖(圖中左方)和圖3的剖視圖當中半導體層1a附近相關部分(圖中右方)，按順序表示制造工序的各工序中的電光裝置的疊層結構的工序圖(之三)。
圖14是本發(fā)明的實施形態(tài)的電光裝置中的從其上所形成的各構成要素并且對向基板一側觀看TFT陣列基板的俯視圖。
圖15是圖14的H-H′剖視圖。
圖16是表示作為本發(fā)明的電子設備的實施形態(tài)的投射型彩色顯示裝置之一例的彩色液晶投影機的示意的剖視圖。
標號的說明3a...掃描線 6a...數(shù)據(jù)線 9a...像素電極 30...TFT 10...TFT陣列基板70...存儲電容器 71...中繼層 300...電容線 75...介電體膜 501、501A...電容器 511...第1導電層 512...第2導電層 503...電容器電極用布線 520...迂回層 60a...檢查電路用布線 581、582、583...接觸孔具體實施方式
下面，參照附圖就本發(fā)明的實施形態(tài)進行說明。以下的實施形態(tài)，是把本發(fā)明的電光裝置運用于液晶裝置者。
首先，參照圖1至圖3就根據(jù)本發(fā)明的實施形態(tài)中的電光裝置的像素部中的構成進行說明。圖1是表示構成電光裝置的圖像顯示區(qū)域的矩陣狀地形成的多個像素中的各種元件、布線等的等效電路的電路圖。此外圖2是數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極等形成了的TFT陣列基板的相相鄰的多個像素群的俯視圖，圖3是圖2的A-A′剖視圖。再者，在圖3中，該各層、各構件為達到圖上可辨認的程度，各層各部件中用不同的比例。
在圖1中，在構成本實施形態(tài)中的電光裝置的圖像顯示區(qū)域的矩陣狀地所形成的多個像素上，分別形成著像素電極9a與用來開關控制該像素電極9a的TFT30，圖像信號所供給的數(shù)據(jù)線6a電氣上連接于該TFT30的源。寫入數(shù)據(jù)線6a的圖像信號S1、S2、...Sn雖然也可以按該順序依次供給，但是在本實施形態(tài)中特別是，構成為圖像信號S1、S2、...Sn被串行-并行展開成N個并行的圖像信號，能夠從N根圖像信號線115對相相鄰的N根數(shù)據(jù)線6a彼此每組地供給。
在作為圖像顯示區(qū)域外的周邊區(qū)域，數(shù)據(jù)線6a的一端(圖1中的下端)連接著構成取樣電路301的開關用電路元件202。作為該開關用電路元件，如圖中所示可以是n溝道型TFT，也可以是p溝道型TFT。此外，也可以安排互補型等的TFT(以下把圖1中所示的該開關用電路元件202稱為‘TFT 202’)。在該場合，在該TFT 202的漏上，前述數(shù)據(jù)線6a經(jīng)由引出布線206連接，在該TFT 202的源上，圖像信號線115經(jīng)由引出布線116連接，并且在該TFT 202的柵上，連接著連接于數(shù)據(jù)線驅動電路101的取樣電路驅動信號線114。而且，適應圖像信號線115上的圖像信號S1、S2、...Sn從數(shù)據(jù)線驅動電路101通過取樣電路驅動信號線114供給取樣信號，構成為靠取樣電路301取樣，供給各數(shù)據(jù)線6a。
像這樣寫入數(shù)據(jù)線6a的圖像信號S1、S2、...Sn可以按該順序依線供給，也可以對相相鄰的多個數(shù)據(jù)線6a彼此，每組地供給。在本實施形態(tài)中，如圖1中所示，以6根數(shù)據(jù)線6a為一組，對此臨時地供給圖像信號。
而且，在本實施形態(tài)中特別是，在這些數(shù)據(jù)線6a的另一端(圖1中的上端)，如圖1中所示附設電容器501。該電容器501以連接于數(shù)據(jù)線6a或從該數(shù)據(jù)線6a延伸設置的導電層(參照后述的第1導電層511和圖4)為第1電極，以連接于在交叉于數(shù)據(jù)線6a的方向上延伸的維持固定電位的電容器電極用布線503或從該電容器電極用布線503延伸設置的另一個導電層(參照后述的第2導電層512和圖4)為另一方的電極，并且在這些之間夾持著絕緣膜而構成。在該電容器501上，如果對各數(shù)據(jù)線6a供給圖像信號S1、S2、...Sn，則成為蓄積對應于與其分別對應的電位，與電容器電極用布線503的固定電位之差的電荷。借此，數(shù)據(jù)線6a周圍處的電容被適當?shù)卮_保，可以抑制該數(shù)據(jù)線6a處的不確定的電壓變動，進而抑制像素電極9a處的電位變動，因此對圖像上發(fā)生沿著數(shù)據(jù)線6a的顯示不勻等防患于未然成為可能。再者，有關該電容器501的，更加實際的構成，下文將另行述及。
此外，掃描線3a電氣上連接于TFT 30的柵，構成為按規(guī)定的定時，把掃描信號G1、G2、...、Gn按該順序依線脈沖地施加于掃描線3a。像素電極9a電氣上連接于TFT 30的漏，通過把作為開關元件的TFT 30閉合其開關一定時間，把從數(shù)據(jù)線6a所供給的圖像信號S1、S2、...Sn按規(guī)定的定時寫入。
經(jīng)由像素電極9a寫入作為電光物質(zhì)之一例的液晶的規(guī)恒定電平的圖像信號S1、S2、...Sn，在與對向基板上所形成的對向電極之間保持一定時間。液晶根據(jù)所施加的電壓電平通過分子集合的取向或秩序的變化，對光進行調(diào)制，使灰度等級顯示成為可能。如果是常白模式，則根據(jù)在各像素的單位上所施加的電壓對入射光的透過率減少，如是常黑模式，對應于各像素單位上所施加的電壓對入射光的透過率增加，作為總體從電光裝置出射對應于圖像信號的具有對比度的光。
這里為了防止所保持的圖像信號泄漏，與在像素電極9a與對向電極之間所形成的液晶電容并列地附加存儲電容器70。該存儲電容器70并列設置于掃描線3a，包含固定電位側電容器電極并且包含固定于恒定電位的電容線300。
以下，參照圖2和圖3，就靠上述數(shù)據(jù)線6a、掃描線3a、TFT 30等的實現(xiàn)上述這種電路工作的電光裝置的實際的構成進行說明。
首先，根據(jù)本實施形態(tài)的電光裝置如作為圖2的A-A′剖視圖的圖3中所示，具備透明的TFT陣列基板10，和與之對向配置的透明的對向基板20。TFT陣列基板10由例如石英基板、玻璃基板、硅基板構成，對向基板20由例如玻璃基板或石英基板構成。
在TFT陣列基板10上，如圖3中所示，設有像素電極9a，在其上側，設有施行了摩擦處理等規(guī)定的取向處理的取向膜16。這當中像素電極9a由例如ITO(氧化銦錫)膜等透明導電膜構成。另一方面，在對向基板20上跨越其整個面地設置對向電極21，在其下側，設有施行了摩擦處理等規(guī)定的取向處理的取向膜22。這當中對向電極21與上述像素電極9a同樣，由例如ITO膜等透明導電膜構成，前述取向膜16和22由例如聚酰亞胺膜等透明的有機膜構成。在像這樣對向配置的TFT陣列基板10和對向基板20之間，在由后述的密封材料(參照圖14和圖15)所圍成的空間中封入液晶等電光物質(zhì)，形成液晶層50。液晶層50，在來自像素電極9a的電場未施加的狀態(tài)下取為由取向膜16和22規(guī)定的取向狀態(tài)。液晶層50由例如混合一種或多種向列的液晶的電光物質(zhì)構成。密封材料是由分別粘貼于TFT基板10和對向基板20的周邊用的，例如光固化性樹脂或熱固化性樹脂構成的粘接劑，混入用來把兩基板間的距離取為規(guī)定值的玻璃纖維或玻璃珠等間隔體。
另一方面，在圖2中，前述像素電極9a在TFT陣列基板10上矩陣狀地設置多個(由虛線部9a′示出輪廓)，分別沿著像素電極9a的縱橫的邊界設有數(shù)據(jù)線6a和掃描線3a。數(shù)據(jù)線6a由例如鋁膜等金屬膜或者合金膜構成，掃描線3a由例如導電性的多晶硅膜等構成。此外，掃描線3a對著半導體層1a當中圖中向右上抬的斜線區(qū)域中所示的溝道區(qū)域1a′配置，該掃描線3a作為柵電極發(fā)揮功能。也就是說，在掃描線3a與數(shù)據(jù)線6a的交叉部位分別設有掃描線3a的主線部作為柵電極對向配置于溝道區(qū)域1a′的像素開關用的TFT 30。
TFT 30，如圖3中所示，具有LDD(低摻雜漏)結構，包含作為其構成要素，如上所述作為柵電極發(fā)揮功能的掃描線3a，由例如多晶硅膜構成靠來自掃描線3a的電場形成溝道的半導體層1a的溝道區(qū)域1a′，包含絕緣掃描線3a與半導體層1a的柵絕緣膜的絕緣膜2，半導體層1a中的低濃度源區(qū)1b和低濃度漏區(qū)1c以及高濃度源區(qū)1d和高濃度漏區(qū)1e。
再者，TFT 30雖然最好是如圖3中所示具有LDD結構，但是也可以取為具有在低濃度源區(qū)1b和低濃度漏區(qū)1c中不摻入雜質(zhì)的偏移(off set)結構，也可以是以由掃描線3a的一部分構成的柵電極為掩模以高濃度摻入雜質(zhì)，自匹配地形成高濃度源區(qū)和高濃度漏區(qū)的自對準型的TFT。此外，雖然在本實施形態(tài)中，取為在高濃度源區(qū)1d和高濃度漏區(qū)1e之間僅配置一個像素開關用TFT 30的柵電極的單個柵結構，但是也可以在這些之間配置兩個以上的柵。如果像這樣用雙柵，或者三柵以上來構成TFT，則可以防止溝道與源和漏區(qū)的接合部的泄漏電流，可以降低斷開時的電流。進而，構成TFT 30的半導體層1a可以是非單晶層也可以是單晶層。在單晶層的形成中，可以用粘貼法等公知的方法。通過把半導體層1a取為單晶層，特別是可以謀求周邊電路的高性能化。
另一方面，在圖3中，存儲電容器70，通過作為連接于TFT 30的高濃度漏區(qū)1e和像素電極9a的像素電位側電容器電極的中繼層71，和作為固定電位側電容器電極的電容線300的一部分，經(jīng)由介電體膜75對向配置而形成。如果用該存儲電容器70，則顯著提高像素電極9a中的電位保持特性成為可能。
中繼層71由例如導電性的多晶硅膜構成作為像素電位側電容器電極發(fā)揮功能。但是，中繼層71，與后述的電容線300同樣，也可以由包含金屬或合金的單一層膜或多層膜來構成。中繼層71除了作為像素電位側電容器電極的功能外，具有經(jīng)由接觸孔83和85中繼連接像素電極9a與TFT 30的高濃度漏區(qū)1e的功能。
電容線300由例如包含金屬或合金的導電膜構成作為固定電位側電容器電極發(fā)揮功能。該電容線300如果俯視，則如圖2中所示，重合于掃描線3a的形成區(qū)域而形成。更具體地說電容線300具備沿著掃描線3a延伸的主線部，和圖中，從與數(shù)據(jù)線6a交叉的各部位沿著數(shù)據(jù)線6a分別向上突出的突出部，以及對應于接觸孔85的部位稍微隔開的隔開部。這當中突出部利用掃描線3a上的區(qū)域和數(shù)據(jù)線6a下的區(qū)域，貢獻于存儲電容器70的形成區(qū)域的增大。此外，電容線300最好是從像素電極9a所配置的圖像顯示區(qū)域10a向其周圍延伸設置，與恒定電位源電氣上連接，取為固定電位。作為這種恒定電位源，可以是供給到數(shù)據(jù)線驅動電路101的正電源或負電源的恒定電位源，也可以是供給到對向基板20的對向電極21的恒定電位。
介電體膜75，如圖3中所示，由例如膜厚5～200nm左右的比較薄的HTO(高溫氧化)膜，LTO(低溫氧化)膜等氧化硅膜，或者氮化硅膜等來構成。從增大存儲電容器70的觀點來說，只要充分得到膜的可靠性，介電體膜75越薄越好。
在圖2和圖3中，除了上述外，在TFT 30的下側，設有下側遮光膜11a。下側遮光膜11a格子狀地形成圖形，借此規(guī)定各像素的開口區(qū)域。再者，開口區(qū)域的規(guī)定，也由圖2中的數(shù)據(jù)線6a，和與之交叉地形成的電容線300來完成。此外，有關下側遮光膜11a也是，與前述電容線300的場合同樣，為了避免其電位變動對TFT 30產(chǎn)生不良影響，從圖像顯示區(qū)域向其周圍延伸設置而連接于恒定電位源就可以了。
此外，在TFT 30下，設有基底絕緣膜12?；捉^緣膜12除了把下側遮光膜11a與TFT 30層間絕緣的功能外，具有通過在TFT陣列基板10的整個面上形成，防止像素開關用的TFT 30的特性因TFT陣列基板10的表面研磨時的粗糙、清洗后殘留的污染物等而變化的功能。
另外，在掃描線3a上形成分別開孔通往高濃度源區(qū)1d的接觸孔81和通往高濃度漏區(qū)1e的接觸孔83的第1層間絕緣膜41。
在第1層間絕緣膜41上，形成中繼層71、和電容線300，在這些之上形成分別開孔通往高濃度源區(qū)1d的接觸孔81和通往中繼層71的接觸孔85的第2層間絕緣膜42。
再者，在本實施形態(tài)中，也可以通過對第1層間絕緣膜41進行大約1000℃的燒結，謀求注入構成半導體層1a或掃描線3a的多晶硅膜的離子的活化。另一方面，也可以通過對第2層間絕緣膜42不進行這種煅燒，謀求在電容線300的界面附近產(chǎn)生的應力的緩和。
另外，在第2層間絕緣膜42上，形成數(shù)據(jù)線6a，在這些之上形成形成通往中繼層71的接觸孔85的第3層間絕緣膜43。
第3層間絕緣膜43的表面，通過CMP(化學機械拋光)處理等進行平坦化，減少起因于存在于其下方的各種布線或元件等引起的階梯的液晶層50的取向不良。
但是，也可以代替像這樣對第3層間絕緣膜43施行平坦化處理，或者此外，通過在基底絕緣膜12、第1層間絕緣膜41和第2層間絕緣膜42中的至少一個上挖槽，把數(shù)據(jù)線6a等布線或TFT 30等埋入，進行平坦化處理。
(關于附設于數(shù)據(jù)線的電容器的構成)以下，參照圖4至圖6就本實施形態(tài)中特征的，附設于數(shù)據(jù)線6a的電容器501的構成，更詳細地進行說明。這里圖4是表示根據(jù)本實施形態(tài)的電容器的俯視圖，圖5是圖4的B-B′剖視圖。此外，圖6是概念地表示根據(jù)本實施形態(tài)的電容器與其周圍的其他元件的配置關系的透視圖。再者，在圖5和圖6中，因為取為在圖面上能夠辨認各層·各構件的程度的大小，故該各層·各構件等中用不同的比例。此外，在圖6中，因為主要目的是表示電容器的配置關系，故對例如介電體膜75或各層間絕緣膜等圖5中所圖示的要素的若干個來說，省略其圖示。
在本實施形態(tài)中，電容器501設在圖像顯示區(qū)域10a外，且設在數(shù)據(jù)線6a的上端一側。再者，在數(shù)據(jù)線6a的下端一側連接著取樣電路301和數(shù)據(jù)線驅動電路101(圖4中未畫出，參照圖1)。
更詳細地說，該電容器501，以連接于數(shù)據(jù)線6a的第1導電層511為第1電極，以在交叉于數(shù)據(jù)線6a的方向上延伸，維持固定電位的連接于電容器電極用布線503的第2導電層512為另一方的電極，并且在這些之間夾持介電體膜75而構成。
這當中，首先，第1導電層511，如圖5和圖6中所示，在第1層間絕緣膜41上形成。也就是說，對比圖5與圖3可以看出，該第1導電層511作為與構成存儲電容器70的中繼層71同一膜來形成。
此外，該第1導電層511，經(jīng)由接觸孔581和582，從而經(jīng)由迂回層520與數(shù)據(jù)線6a相互連接。這里接觸孔581開孔成貫通第1層間絕緣膜41和第2層間絕緣膜42，接觸孔582開孔成貫通第1層間絕緣膜41。此外，迂回層520在基底絕緣膜12上形成，對比圖5與圖3可以看出，與掃描線3a作為同一膜形成。借此，迂回層520具有與數(shù)據(jù)線6a同一的電位。
進而，在該迂回層520上經(jīng)由接觸孔583連接著檢查電路用布線60a。該檢查電路用布線60a與數(shù)據(jù)線6a作為同一膜形成。在該檢查電路用布線60a的前端，如圖4中所示，連接著檢查電路701，該檢查電路包含多個TFT 702。此外，在該TFT 702上，與前述檢查電路用布線60a分開，連接著布線703。
另一方面，第2導電層512，如圖5和圖6中所示，在第1導電層511上所形成的介電體膜75之上，與該第1導電層511對向地形成。該第2導電層512，經(jīng)由接觸孔584連接于在第2層間絕緣膜42上所形成的電容器電極用布線503。
這里電容器電極用布線503與在交叉于數(shù)據(jù)線6a的方向上延伸的數(shù)據(jù)線6a作為同一膜形成。也就是說，在數(shù)據(jù)線6a如上所述包含鋁而形成的場合，電容器電極用布線503也成為包含鋁而形成。這樣一來，如果電容器電極用布線503包含鋁等低電阻材料而形成，則其布線延遲等不成問題。
再者，這些第1導電層511和電容器電極用布線503，與前述的檢查電路用布線60a三者，如圖5中所示，作為同一膜形成。
此外，該電容器電極用布線503通過連接于(未畫出)用來把固定電位供給到對向電極21的恒定電位源(本發(fā)明中屬于所謂‘第1電源’)或者用來把固定電位供給到數(shù)據(jù)線驅動電路101或掃描線驅動電路104的恒定電位源(本發(fā)明中屬于所謂‘第2電源’)，取為固定電位，借此，第2導電層512也取為固定電位。
在本實施形態(tài)中，為了像這樣把電容器電極用布線503或第2導電層512取為固定電位，利用用來把對向電極21取為固定電位的電源，或者用來供給供給到數(shù)據(jù)線驅動電路或掃描線驅動電路的固定電位的電源中的某一個是可能的，無論如何，因為沒有必要為該電容器電極用布線503或第2導電層512特別設置電源，因此，可以實現(xiàn)裝置構成的簡化。
最后，作為該電容器501的絕緣層的介電體膜75，從其名稱和標號可以看出，與前述存儲電容器70的介電體膜75是同一個東西。也就是說，成為介電體膜75在電容器501和存儲電容器70中共用的形態(tài)。
在成為這種構成的電光裝置中，成為收到以下的作用效果。第一，通過在數(shù)據(jù)線6a上附設電容器501，可以抑制歷來可以看到的那種，圖像上的沿著數(shù)據(jù)線6a的顯示不勻等的發(fā)生。這是因為，通過電容器501的存在，可以適當?shù)卮_保數(shù)據(jù)線6a周圍的電容，借此可以抑制該數(shù)據(jù)線6a處的電位的變動，進而可以抑制起因于此的像素電極9a處的電位變動的緣故。
順便說一下，在對相相鄰的多個數(shù)據(jù)線6a同時實施對數(shù)據(jù)線6a的圖像信號的供給的場合，更加有效地享受這種作用效果成為可能。這也就是說，因為前述這種顯示不勻在這種場合表現(xiàn)得更顯著，乃至于變得容易辨認的緣故。以下，參照圖7說明這種情況。這里圖7是圖示地表示數(shù)據(jù)線上圖像信號所供給的情形的透視圖。再者，在圖7中，未畫出本來應該表示的接觸孔等，僅示出作為說明根據(jù)本實施形態(tài)的主要的作用效果用的必要的最小限度的構成的數(shù)據(jù)線6a和像素電極9a。
在該圖7中，在根據(jù)本實施形態(tài)的電光裝置中，數(shù)據(jù)線6a上所供給的圖像信號由把一個串行信號通過串行-并行變換所得到的6個并行信號構成。也就是說，圖像信號的供給，成為由6根數(shù)據(jù)線6a構成的每組同時進行。在這種圖像信號的供給方法的場合，對屬于與當前收到該圖像信號的供給的供給組601G相相鄰的非供給組602G的數(shù)據(jù)線6a來說，當然就不供給圖像信號。另外，在圖7中涂黑的數(shù)據(jù)線6a，示出為當前接收圖像信號供給的數(shù)據(jù)數(shù)，而此外的數(shù)據(jù)線6a，表示為未接收圖像信號供給的數(shù)據(jù)線(在該圖的下一個階段里，例如供給組601G的右鄰(或者左鄰)的非供給組602G中的6根數(shù)據(jù)線6a上成為圖像信號被供給等)。
這里，如果著眼于供給組601G，則在對應于位于圖中最左端的數(shù)據(jù)線6a1，和位于圖中最右端的數(shù)據(jù)線6a2的像素電極9a(參照圖中標號91)上，處于一般容易產(chǎn)生電位的變動的狀況。也就是說，如果該數(shù)據(jù)線6a1和6a2周圍的電容(例如，該數(shù)據(jù)線的布線電容、或者因該數(shù)據(jù)線與其他布線及對向電極的重合產(chǎn)生的電容)小到相當程度，則因構成取樣電路301的TFT 202的柵·漏間的寄生電容的影響，寫入該數(shù)據(jù)線6a1和6a2的圖像信號電位的下推量變得更大，致使這些數(shù)據(jù)線6a1和6a2處的電位變動變大。于是，帶來對應于這些數(shù)據(jù)線6a1和6a2而排列的像素電極9a的電位變動，結果，就在圖像上出現(xiàn)沿著該數(shù)據(jù)線6a1和6a2的顯示不勻。
更具體地說，如下。也就是說，如令寫入數(shù)據(jù)線6a的圖像信號電位的下推量為Δ，則有成為ΔV＝ΔVd×(CGD/(CGD+CST))的關系。這里ΔVd是數(shù)據(jù)線6a1和6a2處的電位變動量，CGD表示構成取樣電路301的TFT 202的柵-漏間的寄生電容，CST表示因數(shù)據(jù)線與其他布線和對向電極21的重合產(chǎn)生的寄生電容。根據(jù)此式可以明白，因為如果收窄數(shù)據(jù)線6a1和6a2的寬度，也就是減小電容CST，則寄生電容CGD的影響變大，故下推量ΔV變大。
此外，因為在數(shù)據(jù)線6a1和6a2上，存在著與之相相鄰地沒有圖像信號的供給的數(shù)據(jù)線6a(也就是，圖7中位于數(shù)據(jù)線6a1的左鄰的數(shù)據(jù)線6a和位于數(shù)據(jù)線6a2的右鄰的數(shù)據(jù)線6a)，所以在該數(shù)據(jù)線6a與像素電極9a之間就產(chǎn)生不能忽視的寄生電容。因此，在圖7中標號91內(nèi)所示的像素電極9a中，可以說發(fā)生容易產(chǎn)生電位變動的狀況。
根據(jù)以上情況的結果，在該像素電極9a中上就不能施加正確地對應于圖像信號的電場。由此，在圖7這種場合，就產(chǎn)生在圖像上以沿著數(shù)據(jù)線6a1和6a2的形式出現(xiàn)顯示不勻這樣的問題。而且，像本例子這樣，在根據(jù)每6根的數(shù)據(jù)線6a表現(xiàn)出顯示不勻的場合，圖像上的辨認變得容易，可以說事態(tài)更加嚴重。
然而，在本實施形態(tài)中，如圖1、圖4或圖6中所示，在數(shù)據(jù)線6a上設有電容器501。因而，在圖7中，屬于供給組601G的數(shù)據(jù)線6a，尤其位于其兩端的數(shù)據(jù)線6a1和6a2處的電位的變動受到抑制，成為幾乎不產(chǎn)生起因于此的像素電極9a的電位變動。
像以上這樣，如果用本實施形態(tài)的電光裝置，則極力抑制歷來所見的那種，沿著數(shù)據(jù)線6a的顯示不勻的發(fā)生成為可能。
此外第二，根據(jù)本實施形態(tài)的電容器501，從圖5與圖3的對比可以明白，成為與構成存儲電容器70的構件，在制造工序階段中在同一機會中形成。具體地說，如上所述，第1導電層511與中繼層71，第2導電層512與電容線300，分別作為同一膜形成。而且，介電體膜75，在電容器501與存儲電容器70中被共用。在本實施形態(tài)中進而，掃描線3a與迂回層520作為同一膜形成，數(shù)據(jù)線6a、電容器電極用布線503和檢查電路用布線60a作為同一膜形成。
這樣一來，在本實施形態(tài)中，因為電容器和與之關聯(lián)的構成，成為與在圖像顯示區(qū)域內(nèi)所形成的構成(掃描線3a和數(shù)據(jù)線6a，存儲電容器70等)同時形成，因此，可以謀求制造工序的簡化，或制造成本的低廉化等。
進而第三，在本實施形態(tài)中，因為成為以數(shù)據(jù)線6a為中心，在其一端連接著取樣電路301和數(shù)據(jù)線驅動電路101等，在另一端連接著電容器501和檢查電路301的形態(tài)，所以這些各種構成要素的配置關系成為最佳的。特別是，在該場合，向構成電容器501的第1導電層511供給電位，是因為向連接于數(shù)據(jù)線6a的像素電極9a的電位供給之后，沒有蒙受在該電容器501夾在中途的場合可能產(chǎn)生的不良影響的危險。另外，在本實施形態(tài)中，因為數(shù)據(jù)線6a和檢查電路701的連接，經(jīng)由迂回層520來進行，故可以毫不勉強且不需要大面積地實現(xiàn)這些與電容器501的配置關系的確定(參照圖5)。
再者，在上述中，雖然電容器501，如圖4等中所示，構成為作為一對電極具備具有與數(shù)據(jù)線6a大致同一的寬度的第1導電層511和第2導電層512，但是本發(fā)明不限定于這種形態(tài)。例如，如成為與圖4同樣目的的圖8中所示，也可以構成作為一對電極具備具有大于數(shù)據(jù)線6a的寬度的寬度的第1導電層511A和第2導電層512A的電容器501。如果用這種形態(tài)，則與上述實施形態(tài)相比，其電極面積變得更寬，其電容值相對地增大。或者，因為即使Y方向的距離減小也可以確保電容，故可以把電光裝置小型化。因而，如果用這種形態(tài)，則更適當?shù)卮_保數(shù)據(jù)線6a周圍的電容成為可能，除上述外，可以減低數(shù)據(jù)線6a和像素電極9a處的電位變動的危險性，減低起因于此的沿著數(shù)據(jù)線6a的圖像上的顯示不勻的發(fā)生的危險性。
此外，在上述中，雖然電容器501構成為作為一對電極具備第1導電層511和第2導電層512，但是本發(fā)明不限定于這種形態(tài)。
例如，如成為與圖6同樣目的的圖9中所示，也可以是通過數(shù)據(jù)線6a本身延伸設置而形成導電層511E，來形成電容器501E的形態(tài)。在該場合，該導電層511E和檢查電路用布線60aE由與數(shù)據(jù)線6a同一材料構成，成為作為外觀上，與該數(shù)據(jù)線6a沒有明確區(qū)別的東西而形成。換句話說，該導電層511E，可以看成數(shù)據(jù)線6a本身的一部分構成根據(jù)本發(fā)明的‘電容器’的第1電極。此外，在該場合，也沒有設置迂回層520的必要(參照圖9中的虛線)。
此外，使圖9中所示的形態(tài)更進一步，如圖10中所示，也可以取為電容器電極用布線503E本身擔任前述中所說第2導電層512的角色的構成。在該場合，導電層512E由與電容器電極用布線503E同一材料構成，成為作為外觀上，與該電容器電極用布線503E沒有明確區(qū)別的東西而形成。換句話說，該導電層512E，可以看成電容器電極用布線503E本身的一部分構成根據(jù)本發(fā)明的‘電容器’的另一方的電極。
(電光裝置的制造方法)以下，參照圖11至圖13就根據(jù)本實施形態(tài)的電光裝置的制造方法進行說明。這里圖11至圖13是關于圖5的剖視圖(圖中左方)和圖3的剖視圖當中半導體層1a附近相關部分(圖中右方)，依次示出制造工序的各工序中的電光裝置的疊層結構的工序圖。
首先，如圖11的工序(1)中所示，準備石英基板、硬玻璃、硅基板等TFT陣列基板10。這里，最好是在N2(氮氣)等惰性氣體氣氛中在大約900～1300℃的高溫下進行退火處理，進行前處理以便在以后所實施的高溫工序中TFT陣列基板10上產(chǎn)生的變形很小。接著，關于像這樣處理了的TFT陣列基板10的圖像顯示區(qū)域內(nèi)，通過濺射Ti、Cr、W、Ta、Mo等金屬或金屬硅化物等金屬合金膜，形成100～500nm左右的膜厚，最好是200nm的膜厚的遮光膜。然后，通過光刻和蝕刻，形成平面形狀為格子狀的下側遮光膜11a。接著，在下側遮光膜11a上，通過例如常壓或減壓CVD法用TEOS(原硅酸鹽四乙酯)氣體、TEB(硼酸四乙酯)氣體、TMOP(磷酸三甲酯)氣體等形成由NSG(非硅酸鹽玻璃)、PSG(磷硅酸鹽玻璃)、BSG(硼硅酸鹽玻璃)、BPSG(硼磷硅酸鹽玻璃)等硅酸鹽玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等構成的基底絕緣膜12。該基底絕緣膜12的膜厚，取為例如500～2000nm左右。此外，該基底絕緣膜12在圖像顯示區(qū)域內(nèi)外雙方上形成。
接著，在圖像顯示區(qū)域內(nèi)的基底絕緣膜12上，在大約450～550℃，最好是大約500℃的比較低溫環(huán)境中，通過用流量大約400～600cc/min的甲硅烷氣體、乙硅烷氣體等的減壓CVD(例如壓力大約20～40Pa的CVD)，形成非晶硅膜。此后，通過在氮氣氣氛中，用600～700℃施行大約1～10小時，最好是4～6小時的退火處理，使p-Si(多晶硅)膜固相生長到成為大約50～200nm的厚度，最好是大約10nm的厚度。作為固相生長的方法，可以是使用RTA的退火處理，也可以是用激元激光器等的激光退火。此時，也可以根據(jù)把像素開關用的TFT 30取為n溝道型還是p溝道型，通過少量離子注入V族元素或III族元素的摻雜進行摻雜。然后，通過光刻和蝕刻，形成具有規(guī)定圖形的半導體層1a。接著，用大約900～1300℃的溫度，最好是大約1000℃的溫度，對構成TFT 30的半導體層1a進行熱氧化形成下層柵絕緣膜，根據(jù)情況，接著通過減壓CVD法等形成上層柵絕緣膜，借此形成由一層或多層的高溫氧化硅膜(HTO膜)或氮化硅膜構成的(包含柵絕緣膜的)絕緣膜2。結果半導體層1a成為大約30～150nm的厚度，最好是大約35～50nm的厚度，絕緣膜2的厚度成為大約20～150nm的厚度，最好是大約30～100nm的厚度。
接著，為了控制像素開關用的TFT 30的閾值電壓Vth，在半導體層1a當中n溝道區(qū)域或p溝道區(qū)域上，按預先設定的規(guī)定量通過離子注入等摻雜硼等雜質(zhì)。
接著，如圖11的工序(2)中所示，通過減壓CVD法等淀積多晶硅膜，進而熱擴散磷(P)，把該多晶硅膜導電化。也可以代替該熱擴散，用在多晶硅膜成膜的同時引入P離子的摻雜硅膜。該多晶硅膜的膜厚，為大約100～500nm的厚度，最好是大約350nm左右。然后，通過光刻和蝕刻，包含TFT 30的柵電極部形成規(guī)定圖形的掃描線3a。此時，在本實施形態(tài)中特別是，與該掃描線3a的形成同時，在圖像顯示區(qū)域外，形成迂回層520。也就是說，在前述通過光刻和蝕刻形成規(guī)定圖形的掃描線3a的同時，還作為同一膜形成具有規(guī)定圖形(參照圖4)的迂回層520。
接著，在前述半導體層1a上，形成低濃度源區(qū)1b和低濃度漏區(qū)1c，以及高濃度源區(qū)1d和高濃度漏區(qū)1e。這里，說明取為使TFT 30具有LDD結構的n溝道型的TFT的場合，具體地說首先，為了形成低濃度源區(qū)1b和低濃度漏區(qū)1c，以掃描線3a(柵電極)為掩模，以低濃度(例如，把P離子取為1～3×1013/cm2的摻雜量)進行摻雜。借此掃描線3a下的半導體層1a成為溝道區(qū)域1a′。此時通過掃描線3a起掩模的作用，低濃度源區(qū)1b和低濃度漏區(qū)1c就自匹配地形成。接著，為了形成高濃度源區(qū)1d和高濃度漏區(qū)1e在掃描線3a上形成具有寬度比掃描線3a寬的平面圖形的抗蝕刻層。然后，以高濃度(例如把P離子取為1～3×1015/cm2的摻雜量)摻雜P等V族元素的雜質(zhì)。
再者，也可以不像這樣分成低濃度與高濃度兩個階段，進行摻雜。例如，也可以不進行低濃度的摻雜，制成偏移結構的TFT，也可以以掃描線3a(柵電極)為掩模，通過用P離子、B離子等的離子注入技術制成自對準型的TFT。通過該雜質(zhì)的摻雜，掃描線3a進一步低電阻化。
接著，如圖11的工序(3)中所示，在掃描線3a上，通過用例如TEOS氣體、TEB氣體、TMOP氣體等的常壓或減壓CVD法等，形成由NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸鹽玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜構成的第1層間絕緣膜41。該第1層間絕緣膜41的膜厚，取為例如大約500～2000nm左右。這里最好是，在800℃左右的高溫下進行退火處理，提高第1層間絕緣膜41的膜質(zhì)。
接著，通過對第1層間絕緣膜41的反應性離子蝕刻、反應性離子束蝕刻等干蝕刻，開孔接觸孔83。此時，在本實施形態(tài)中，在圖像顯示區(qū)域外，還同時開孔接觸孔582以便通到前述迂回層520。
接著，如圖11的工序(4)中所示，在第1層間絕緣膜41上，通過濺射，形成100～500nm左右的膜厚的多晶硅膜，或者Ti、Cr、W、Ta、Mo等金屬或金屬硅化物等的金屬合金膜。然后，通過光刻和蝕刻形成具有規(guī)定圖形的中繼層71。此時，在本實施形態(tài)中特別是，與該中繼層71的形成同時，在圖像顯示區(qū)域外，形成第1導電層511。也就是說，成為在前述通過光刻和蝕刻形成規(guī)定圖形的中繼層71的同時，還作為同一膜形成具有規(guī)定圖形(參照圖4)的第1導電層511。
接著，如圖12的工序(5)中所示，通過減壓CVD法或等離子體CVD法，在中繼層71上形成由HTO膜、氮化硅膜、TaOx膜等構成的介電體膜75。該介電體膜75，與絕緣膜2的場合同樣，可以由單層膜或多層膜中的某種來構成，一般能夠通過在形成TFT柵絕緣膜中用的各種公知技術來形成。然后，由于介電體膜75越薄，則存儲電容器70越大，所以，結果，在不產(chǎn)生膜破等缺陷的條件下，如果形成成為膜厚50nm以下的極薄的絕緣膜是有利的。在本實施形態(tài)中，該介電體膜75在圖像顯示區(qū)域外也形成。由此，該介電體膜75不僅在中繼層71之上，而且在與該中繼層71作為同一膜形成的前述第1導電層511之上也形成。
接著，如圖12的工序(6)中所示，在介電體膜75上，通過濺射，形成大約100～500nm左右膜厚的Al、Ti、Cr、W、Ta等金屬合金膜的金屬膜。然后，通過光刻和蝕刻，形成具有規(guī)定圖形的電容線300。借此，靠該電容線300與前述中繼層71和介電體膜75，完成存儲電容器70。
而且，在本實施形態(tài)中特別是，成為在與該電容線300的形成同時，在圖像顯示區(qū)域外，形成第2導電層512。也就是說，成為在前述通過光刻和蝕刻形成規(guī)定圖形的電容線300的同時，還作為同一膜形成具有規(guī)定圖形(參照圖4)的第2導電層512。借此，在本實施形態(tài)中，成為在完成前述存儲電容器70的同時，靠第1導電層511、第2導電層512和介電體膜75還同時完成電容器501。
接著，如圖12的工序(7)中所示，通過用例如TEOS氣體等的常壓或減壓CVD法，形成由NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸鹽玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等構成的第2層間絕緣膜42。該第2層間絕緣膜42的膜厚，取為例如500～1500nm左右。接著，通過對第2層間絕緣膜42的反應性離子蝕刻、反應性離子束蝕刻等干蝕刻，開孔接觸孔81。此時，在本實施形態(tài)中，在圖像顯示區(qū)域外，還同時開孔接觸孔581和583以便通到前述迂回層520。此外，關于圖像顯示區(qū)域外的第2層間絕緣膜42還開孔接觸孔584，以便通到前述第2導電層512。
接著，如圖13的工序(8)中所示，在第2層間絕緣膜42的整個面上，通過濺射等，以遮光性的Al等低電阻金屬或金屬硅化物等為金屬膜，淀積大約100～500nm左右的厚度，最好是大約300nm。然后，通過光刻和蝕刻，形成具有規(guī)定圖形的數(shù)據(jù)線6a。此時，在本實施形態(tài)中特別是，成為在形成該數(shù)據(jù)線6a的同時，在圖像顯示區(qū)域外，形成與電容器電極用布線503及檢查電路701連續(xù)的檢查電路用布線60a。即，與通過前述的光刻及蝕刻形成規(guī)定圖形的數(shù)據(jù)線6a的同時，還作為同一膜形成具有規(guī)定圖形(參照圖4)的電容器電極用布線503和檢查電路用布線60a。
接著，如圖13的工序(9)中所示，通過用例如TEOS氣體等的常壓或減壓CVD法形成由NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸鹽玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等構成的第3層間絕緣膜43，以便覆蓋數(shù)據(jù)線6a。該第3層間絕緣膜43的膜厚取為例如大約500～1500nm左右。接著，通過對第3層間絕緣膜43的反應性離子蝕刻、反應性離子束蝕刻等干蝕刻，開孔未畫出的接觸孔85(參照圖1至圖3)。接著，在第3層間絕緣膜43上，通過濺射處理等，淀積大約50～200nm厚度的ITO膜等透明導電膜。然后，通過光刻和蝕刻，形成像素電極9a。再者，在把該電光裝置用作反射型的場合，也可以由Al等反射率高的不透明的材料來形成像素電極9a。
而且最后，在像素電極9a上，涂布聚酰亞胺類的取向膜的涂布液后，通過具有規(guī)定的預傾角地，且在規(guī)定方向上施行摩擦處理等，形成取向膜16。
另一方面，關于對向基板20，首先準備玻璃基板等，作為邊框的遮光膜，濺射例如金屬鉻后，經(jīng)過光刻和蝕刻而形成。再者，這些遮光膜沒有必要是導電性的，除了Cr、Ni、Al等金屬材料外，也可以由把碳或Ti分散于光刻膠的樹脂塊等材料來形成。
然后，在對向基板20的整個面上通過濺射處理等，淀積大約50～200nm厚度的ITO等透明導電膜，借此形成對向電極21。進而，在對向電極21的整個面上涂布聚酰亞胺類取向膜的涂布液后，通過具有預傾角地，且在規(guī)定方向上施行摩擦處理等，形成取向膜22。
最后，如上所述，各層所形成的TFT陣列基板10與對向基板20靠密封材料相互粘貼，使取向膜16和22相對，通過吸真空等，把例如混合多種向列液晶而成的液晶吸入到兩基板間的空間，形成規(guī)定層厚的液晶層50。
通過以上說明的制造工序，可以制造前述的第1實施形態(tài)的電光裝置。
像以上說明的這樣，在根據(jù)本實施形態(tài)的電光裝置的制造方法中，構成電容器501的構件與構成存儲電容器70的構件在制造工序階段在同一機會中形成。具體地說，如上所述，第1導電層511與中繼層71，第2導電層512與電容線300，分別作為同一膜形成。而且，介電體膜75在電容器501與存儲電容器70中被共用。在本實施形態(tài)中進而，掃描線3a與迂回層520作為同一膜形成，數(shù)據(jù)線6a、電容器電極用布線503和檢查電路用布線60a作為同一膜形成。
這樣一來，在本實施形態(tài)中，因為電容器501和與之關聯(lián)的構成，與圖像顯示區(qū)域內(nèi)所形成的構成(掃描線3a和數(shù)據(jù)線6a，存儲電容器70等)同時形成，因此，可以謀求制造工序的簡化，或制造成本的低廉化等。
(電光裝置的總體構成)以下，參照圖14和圖15說明像以上這樣所構成的本實施形態(tài)中的電光裝置的總體構成。再者，圖14是在與在其上所形成的各種構成要素一起從對向基板20一側觀看TFT陣列基板的俯視圖，圖15是圖14的H-H′剖視圖。
在圖14和圖15中，在根據(jù)本實施形態(tài)的電光裝置中，TFT陣列基板10和對向基本20對向配置。在TFT陣列基板10與對向基板20之間，封入液晶層50，TFT陣列基板10與對向基板20靠設在位于圖像顯示區(qū)域10a的周圍的密封區(qū)域的密封材料52相互粘接。
密封材料52，因為相互粘貼兩基板，故由例如紫外線固化樹脂、熱固化樹脂等構成，是靠紫外線、加熱等固化者。此外，如果把根據(jù)本實施形態(tài)的電光裝置運用于像投影機用途那樣液晶裝置以小型進行放大顯示的液晶裝置，則在該密封材料52中，散布著用來使兩基板間的距離(基板間間隙)成為規(guī)定值的玻璃纖維、或者玻璃珠等間隙料(隔離料)?；蛘?，如果把該電光裝置運用于像液晶顯示器或液晶電視那樣大型地進行等倍顯示的液晶裝置，則這種間隙料可以包含于液晶層50中。
在密封材料52的外側的區(qū)域，通過按規(guī)定的定時把圖像信號供給到數(shù)據(jù)線6a來驅動該數(shù)據(jù)線6a的數(shù)據(jù)線驅動電路101和外部電路連接端子102沿著TFT陣列基板10的一邊設置，通過按規(guī)定的定時把掃描信號供給到掃描線3a，驅動掃描線3a的掃描線驅動電路104沿著相鄰于該一邊的兩邊設置。
再者，如果供給到掃描線3a的掃描信號延遲不成問題，則掃描線驅動電路104不用說僅在單側也可以。此外，也可以把數(shù)據(jù)線驅動電路101沿著圖像顯示區(qū)域10a的邊排列于兩側。
在TFT陣列基板10的剩下一邊，設有用來連接設在圖像顯示區(qū)域10a的兩側的掃描線驅動電路104間的多個布線105。此外，在對向基板20的角部的至少一處，設有用來在TFT陣列基板10與對向基板20之間進行導通的導通件106。
在圖15中，在TFT陣列基板10上，在像素開關用的TFT或掃描線、數(shù)據(jù)線等布線形成后的像素電極9a上，形成取向膜。另一方面，在對向基板20上，除了對向電極21之外，在最上層部分形成取向膜。此外，液晶50由混合例如一種或多種向列液晶的液晶構成，在這一對取向膜間，取為規(guī)定的取向狀態(tài)。
再者，在TFT陣列基板10上，除了這些數(shù)據(jù)線驅動電路101、掃描線驅動電路104等外，還可以形成按規(guī)定的定時把圖像信號施加于多個數(shù)據(jù)線6a的取樣電路，把規(guī)恒定電壓電平的預充電信號先于圖像信號分別供給到多個數(shù)據(jù)線6a的預充電電路，用來檢查制造中途或出品時的該電光裝置的質(zhì)量、缺陷等的檢查電路等。
此外，在上述各實施形態(tài)中，也可以不是把數(shù)據(jù)線驅動電路101和掃描線驅動電路104設在TFT陣列基板10上，代之以經(jīng)由設在TFT陣列基板10的周邊部的各向異性導電膜電氣上和機械上連接于裝設于例如TAB(帶式自動鍵合)基板上的驅動用LSI。此外，在對向基板20的投射光入射的一側和TFT陣列基板10的出射光出射的一側，分別根據(jù)例如TN(扭曲向列)模式、VA(豎直對準)模式、PDLC(聚合物分散液晶)模式等工作模式，或常白模式·常黑模式的不同，在規(guī)定的方向上配置偏振膜、相位差膜、偏振片等。
(電子設備)接下來，就作為把以上詳細說明的電光裝置用作光閥的電子設備之一例的投射型彩色顯示裝置的實施形態(tài)，就其總體構成、特別是光學上的構成進行說明。這里，圖16是投射型彩色顯示裝置的示意的剖視圖。
在圖16中，本實施形態(tài)中的作為彩色顯示裝置之一例的液晶投影機1100，準備三個包含驅動電路搭載于TFT陣列基板上的液晶裝置的液晶塊，作為分別用作紅綠藍用的光閥100R、100G和100B的投影機而構成。在液晶投影機1100中，如果從金屬鹵化物燈等白色光源的燈單元1102發(fā)出投射光，則靠三個反射鏡1106和兩個分色鏡1108，分成對應于紅綠藍三原色的光分量R、G和B，分別引入對應于各色的光閥100R、100G和100B。此時，B光，為了防止長的光路引起的光損失，經(jīng)由入射透鏡1122、中繼透鏡1123和出射透鏡1124構成的中繼透鏡系統(tǒng)1121引導。然后，對應于靠光閥100R、100G和100B分別調(diào)制的三原色的光分量，靠分光棱鏡1112再度合成后，經(jīng)由投射透鏡1114作為圖像投射到屏幕1120。
本發(fā)明不限于上述實施形態(tài)，在不脫離從如技術方案和整個說明書讀到的宗旨或精神的范圍內(nèi)適當變更是可能的，伴隨這種變更的電光裝置及其制造方法以及電子設備也包含在本發(fā)明的技術范圍中。
權利要求
1.一種電光裝置，其特征在于，在基板上，具備在一定方向上延長的數(shù)據(jù)線，與該數(shù)據(jù)線交叉地延長的掃描線，對應于前述掃描線與前述數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)域地配置的像素電極和像素開關用元件，以及包含以連接于前述數(shù)據(jù)線或從前述數(shù)據(jù)線延伸設置的導電層為其第1電極的電容器
2.如權利要求1中所述的電光裝置，其特征在于，其中還具備在交叉于前述數(shù)據(jù)線的方向上延伸的電容器電極用布線，構成前述電容器的第2電極包含連接于前述電容器電極用布線的或從前述電容器電極用布線延伸設置的另一個導電層。
3.如權利要求2中所述的電光裝置，其特征在于，前述電容器電極用布線取為固定電位。
4.如權利要求3中所述的電光裝置，其特征在于，還具備對向地配置于前述基板的對向基板，與在該對向基板上所形成對向于前述像素電極地配置的對向電極，配置于該對向基板和前述基板的某一方用來驅動前述掃描線和前述數(shù)據(jù)線以及前述像素電極的驅動電路，向前述對向電極供給固定電位的第1電源，以及向前述驅動電路供給固定電位的第2電源，前述電容器電極用布線通過連接于前述第1電源或前述第2電源取為固定電位。
5.如權利要求2中所述的電光裝置，其特征在于，前述電容器電極用布線由低電阻材料構成。
6.如權利要求1中所述的電光裝置，其特征在于，在前述數(shù)據(jù)線的一端側，還具備用來驅動該數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線驅動電路，在前述數(shù)據(jù)線的另一端側設有前述電容器。
7.如權利要求1中所述的電光裝置，其特征在于，在前述數(shù)據(jù)線的一端側，還具備用來驅動該數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線驅動電路，在前述數(shù)據(jù)線的另一端側還具備用來檢查該電光裝置的工作的檢查電路。
8.如權利要求1中所述的電光裝置，其特征在于，還具備連接于前述像素電極和像素開關用元件的存儲電容器，構成前述電容器的構件的至少一部分，與構成前述存儲電容器的構件的至少一部分，在制造工序階段中在同一的機會中形成。
9.如權利要求2中所述的電光裝置，其特征在于，前述電容器電極用布線和前述電容器，在制造工序階段中在同一的機會中形成。
10.如權利要求1中所述的電光裝置，其特征在于，還具備分別連接于前述數(shù)據(jù)線和前述導電層的迂回層，前述迂回層與前述掃描線在制造工序階段中在同一的機會中形成。
11.如權利要求10中所述的電光裝置，其特征在于，在前述數(shù)據(jù)線的一端側還具備用來驅動該數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線驅動電路，在前述數(shù)據(jù)線的另一端側還具備用來檢查前述電容器和該電光裝置的工作的檢查電路，前述檢查電路經(jīng)由前述數(shù)據(jù)線和前述迂回層而連接。
12.如權利要求1中所述的電光裝置，其特征在于，前述導電層的要成為前述第1電極的部位，比前述數(shù)據(jù)線寬度寬地形成。
13.如權利要求1中所述的電光裝置，其特征在于，前述數(shù)據(jù)線存在多條，這些多條的數(shù)據(jù)線臨時區(qū)分成作為圖像信號的供給對象的多組。
14.一種電光裝置的制造方法，是制造在基板上具備在一定方向上延長的數(shù)據(jù)線，交叉于該數(shù)據(jù)線地延長的掃描線，對應于該掃描線和前述數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)域地配置的像素電極和薄膜晶體管，連接于該像素電極和薄膜晶體管的存儲電容器以及連接或延伸設置于前述數(shù)據(jù)線的電容器的電光裝置的電光裝置的制造方法，其特征在于，包含作為同一膜形成構成前述電容器的構件的至少一部分，和構成前述存儲電容器的構件的至少一部分的同時制造工序。
15.如權利要求14中所述的電光裝置的制造方法，其特征在于，前述存儲電容器由連接于前述像素電極和前述薄膜晶體管的像素電位側電容器電極，對向地配置于該像素電位側電容器電極的固定電位側電容器電極，和夾持于這兩個電極的第1絕緣膜構成，前述電容器由連接或延伸設置于前述數(shù)據(jù)線的導電層，對向地配置于該導電層的另一個導電層，和夾持于這兩個層中的第2絕緣層構成前述同時制造工序包含作為同一膜形成前述像素電位側電容器電極和前述導電層的工序，作為同一膜形成前述固定電位側電容器電極和前述另一個導電層的工序和作為同一膜形成前述第1絕緣膜和前述第2絕緣膜的工序當中，至少一道工序。
16.如權利要求14中所述的電光裝置的制造方法，其特征在于，在前述同時制造工序之前，包含作為同一膜形成構成前述薄膜晶體管的柵電極和迂回層的工序，包含形成用來連接前述迂回層與前述數(shù)據(jù)線的接觸孔的工序，和形成用來連接前述迂回層與前述導電層的接觸孔的工序。
17.如權利要求14中所述的電光裝置的制造方法，其特征在于，在前述同時制造工序之后，包含作為同一膜形成前述數(shù)據(jù)線與在交叉于該數(shù)據(jù)線的方向上延伸的電容器電極用布線的工序，和形成用來連接前述電容器電極用布線與前述另一個導電層的接觸孔的工序。
18.如權利要求14中所述的電光裝置的制造方法，其特征在于，該電光裝置還具備檢查電路而成，包含作為同一膜形成連接于前述檢查電路的布線，前述數(shù)據(jù)線和前述電容器電極用布線的工序，和形成用來連接前述布線和前述迂回層的接觸孔的工序。
19.一種電子設備，其特征在于，具備如權利要求1中所述的電光裝置。
全文摘要
電光裝置，在基板上，具備在一定方向上延長的數(shù)據(jù)線，交叉于該數(shù)據(jù)線地延長的掃描線，對應于前述掃描線和前述數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)域地配置的像素電極和像素開關用元件，以及含有以連接于前述數(shù)據(jù)線或從該數(shù)據(jù)線延伸設置的導電層作為第1電極的電容器。
文檔編號H01L27/12GK1494050SQ0312640
公開日2004年5月5日 申請日期2003年9月27日 優(yōu)先權日2002年9月30日
發(fā)明者村出正夫 申請人:精工愛普生株式會社