專利名稱：帶有具有冷卻功能的反射器的半導體發(fā)光器件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于發(fā)出白光的半導體發(fā)光器件，更具體地說，它涉及一種配有反射器的半導體發(fā)光器件，該反射器用于將發(fā)光單元中產生的熱量輻射至外部。
背景技術：
目前，使用氮化鎵的發(fā)光二極管(LED)芯片已被開發(fā)出來，它可發(fā)出高亮度的藍光。與發(fā)出紅光或黃綠光的其它LED相比，當使用這種氮化鎵半導體時，LED具有大的輸出及較小的色移。
該藍光發(fā)光二極管芯片被廣泛地用于各種裝置中，例如便攜式電子設備、信號燈或指示燈等。為了將LED芯片用于上述裝置中，要將點發(fā)射轉換為平面發(fā)射。
因此，在現(xiàn)有技術中，將一個芯片安裝在LED芯片的前面，用以控制光的方向(國際專利公開WO 98/5078)，或者將多個LED芯片密集地排列起來以形成一個陣列。
但是，LED芯片的密集排列或者透鏡的安裝會造成制造成本的上升。
另外，隨著對白光發(fā)射需求的增加，近來人們提出了一種用于發(fā)出白光的發(fā)光器件，在該裝置中，LED上置有一種YAG:CE熒光物質，該物質能夠通過部分吸收從LED芯片發(fā)出的藍光而發(fā)出綠光。
這種裝置通過在用于密封發(fā)光單元的密封樹脂中混合入YAG熒光物質而發(fā)出白光。但是，這種方法的問題在于，它不能給出滿意的光輸出，因為其光的傳輸受到密封樹脂的限制。
為了克服上述缺陷，人們還提出了一種發(fā)光器件，它通過在LED芯片周圍安裝含有熒光物質的反射器來實現(xiàn)白光的發(fā)射。
例如，美國專利公開US2003/0038295A1中公開了一種發(fā)光器件，通過在發(fā)光單元周圍安裝由透明樹脂制成并且含有熒光物質的反射器，以反射發(fā)光單元自身發(fā)出的藍光，或者在吸收藍光然后將其部分地轉換為黃光后再反射，從而可發(fā)出具有大輸出的平面白光。
上述美國專利公開中所揭示的反射器的特征在于，它起到了熒光部件和反射部件的作用。但是，上述美國專利公開不能實現(xiàn)具有光輻射功能的反射器。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種發(fā)光器件，其中，包圍發(fā)光單元的反射器由具有極好的導熱性以及良好的反射比的材料制成，從而使反射器能夠將LED芯片中產生的熱量輻射至外部。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種發(fā)光器件，通過使用具有極好的半透明度的硅酸鹽(如SiO2)而不是常規(guī)的透明樹脂以作為用于密封發(fā)光單元的密封材料，這種發(fā)光器件能夠實現(xiàn)具有大輸出的白光發(fā)射。
另外，本發(fā)明還有一個目的是通過在反射器的內側形成凹入的反射面以提供光的均勻性。
本發(fā)明人已知這樣的事實，即，當在表面安裝的LED芯片的周圍形成側壁以實現(xiàn)閃光燈時，LED芯片內產生的熱量不能被有效地發(fā)射到外部，由此縮短了LED的壽命并且使密封樹脂或熒光物質退化。為了解決這個問題，本發(fā)明人提出了一種反射器，該反射器通過使用具有優(yōu)良導熱性的金屬來形成側壁、并且在該金屬的表面上形成一層絕緣膜，從而具有冷卻功能。
另外，本發(fā)明人還獲得了這樣一個事實，即，當采用具有良好的半透明度的硅酸鹽以作為用于覆蓋LED芯片的密封樹脂時，就可以提高光的輸出。
在本發(fā)明的一個方面，提供了一種半導體發(fā)光器件，包括基底；位于該基底上的引線電極；在該基底上裝載的至少一個半導體發(fā)光單元，它與引線電極分開放置，并且發(fā)出藍光；連接部件，用于使電極與半導體發(fā)光單元相互電連接；反射器，它從該基底的底部伸出預定高度，用于包圍半導體發(fā)光單元，該反射器由表面具有高半透明度和高導熱性的材料制成，用以反射從發(fā)光單元輻射出的光，并且形成均勻的平面光，該反射器還將發(fā)光單元輻射出的熱量輻射至外部，從而對用于容納發(fā)光單元的容納空間的內部進行冷卻；以及形成于用來容納發(fā)光單元的容納空間中的半透明覆蓋層，該半透明覆蓋層含有色移物質，用于吸收從所述發(fā)光單元發(fā)出的藍光的至少一部分，以發(fā)出具有不同波長的光。
這樣，通過將發(fā)光單元發(fā)出的藍光與具有不同波長的光混合起來，該發(fā)光器件就可以向外發(fā)出白光。
作為本發(fā)明的另一個方面，還提供了一種半導體發(fā)光器件，包括基底；位于該基底上的引線電極；發(fā)光單元組件，它包括至少一個在該基底上裝載的半導體發(fā)光單元，該發(fā)光單元被與引線電極分開放置，并且發(fā)出藍光；連接部件，用于使所述電極與所述半導體發(fā)光單元相互電連接；以及反射器，它從所述基底的底部伸出預定高度，用于通過包圍所述發(fā)光單元組件來形成容納空間，其中，所述反射器由表面具有高半透明度和高導熱性的材料制成，用以反射從所述發(fā)光單元輻射出的光，并且形成均勻的平面光，而且該反射器還將所述發(fā)光單元輻射出的熱量輻射至外部，用以對所述容納空間的內部進行冷卻。
所述發(fā)光單元組件優(yōu)選地包括至少一個用于發(fā)出藍光(B)的LED芯片、至少一個用于發(fā)出紅光(R)的LED芯片以及至少一個用于發(fā)出綠光(G)的LED芯片。
因此，通過LED芯片發(fā)出的混合光的R-G-B組合，所屬發(fā)光器件就能夠向外發(fā)出白光。
另外，所述反射器優(yōu)選地為其表面的至少一部分上形成有絕緣膜的金屬板。例如，反射器可由鋁(Al)制成，絕緣膜由氧化鋁(Al2O3)制成。
以下將通過優(yōu)選實施例對本發(fā)明的其它目的和特征進行說明。另外，本發(fā)明的上述目的和優(yōu)點可通過由所附權利要求所公開的裝置及其組合來實現(xiàn)。
附圖的簡要說明通過以下結合附圖對本發(fā)明實施例所做的說明，本發(fā)明的其它目的和方面將變得更加清楚，在下面的附圖中


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一個實施例的半導體發(fā)光器件的剖視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明第二個實施例的半導體發(fā)光器件的剖視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明第三個實施例的半導體發(fā)光器件的剖視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明第四個實施例的半導體發(fā)光器件的剖視圖；圖5a至5f的剖視圖說明了用于制造根據(jù)本發(fā)明第四個實施例的半導體發(fā)光器件的過程。
優(yōu)選實施例的說明下面將參考附圖對本發(fā)明進行更加詳細的說明。
第一實施例圖1示出了根據(jù)本發(fā)明第一個實施例的半導體發(fā)光器件。
如圖1所示，至少一個半導體發(fā)光單元11被裝載在基底10上，并且引線電極12(例如，陽極和陰極)被置于基底10的底部上。半導體發(fā)光單元11與引線電極12分開一個預定距離，并且通過注入一種模片鍵合(die-bonding)樹脂(如環(huán)氧樹脂)而被模片鍵合在基底10上。
半導體發(fā)光單元11的電極(未示出)以及基底10上的引線電極12利用焊絲14(例如金絲)分別被焊絲鍵合。
具有熱輻射功能的反射器18被形成于基底10的底部，用以包圍發(fā)光單元11。在圖1的情況下，反射器18被連接在位于基底10上的引線電極12之上。
反射器18從基底10的底部伸出預定高度，用于形成一個容納空間以容納發(fā)光單元11。這樣，反射器18包圍了發(fā)光單元11，并且該容納空間底部的口徑小于其頂部的口徑。另外，在反射器18的底部邊緣與發(fā)光單元11的邊緣之間形成有預定的間隙。
在用于容納發(fā)光單元11的容納空間中填充透明密封樹脂15。另外，將透明密封樹脂15與諸如熒光材料之類的色移物質混合起來，以用于吸收從發(fā)光單元11發(fā)出的特定波長的光的一部分，并且隨后發(fā)出不同波長的光。
半導體發(fā)光單元(11)本實施例中采用的發(fā)光單元優(yōu)選為發(fā)出藍光并且具有高輸出和高亮度的氮化鎵發(fā)光二極管(LED)芯片。本實施例中的LED芯片11可以采用具有MIS結、PIN結或PN結的所有同質、異質、或者雙異質結構。
由于這種發(fā)出藍光的氮化鎵LED芯片是本領域所公知的，故此不再詳細說明。
混合有熒光材料的密封樹脂(15)本實施例的密封樹脂15采用具有較優(yōu)良的半透明度的透明樹脂。例如，可以采用硅樹脂作為密封樹脂15。另外，與密封樹脂15混合在一起的熒光材料可以采用YAG:CE熒光物質，它能夠吸收從發(fā)光單元發(fā)出的藍光的一部分，然后發(fā)出黃光。
反射器(18)本實施例中的反射器18優(yōu)選由其表面的至少一部分上形成有絕緣膜19的金屬板制成。如果不在反射器18的表面上形成絕緣膜19，則反射器18本身將成為導體，由此會破壞基底10上所設置的電極12的絕緣性。
用于反射器18的金屬優(yōu)選具有良好的反光能力和極好的導熱性。例如，具有較好的導熱性的鋁(Al)或銅(Cu)就適于用作本實施例的反射器的材料。當然，除了Al和Cu以外，其它具有良好的導熱性的金屬也可被用于本實施例的反射器。
另外，形成在反射器表面上的絕緣膜19是通過絕緣電鍍或絕緣噴涂而形成的。具體來說，絕緣膜19優(yōu)選地為由自然氧化形成的氧化膜。
例如，在使用鋁(Al)作為反射器材料的情況下，可以采用氧化鋁(Al2O3)作為絕緣膜。
在根據(jù)本實施例所述的具有上述結構的發(fā)光器件中，從LED芯片11輸出的藍光的一部分在沒有任何顏色改變的情況下原樣穿過密封樹脂15，或者從反射器18的內表面反射以發(fā)射至外部。與此同時，其它的藍光被密封樹脂15中的熒光材料16色移成黃光，然后該黃光穿過密封樹脂15，或者被反射器18的內表面反射以發(fā)射至外部。
因此，本實施例的發(fā)光器件可以輸出其中混合有藍光和黃光的白色平面光。
另外，LED芯片11產生的熱量通過反射器18被輻射至外部，這樣就可以使容納空間的內部冷卻至一個恒定的溫度。
改進例子1在這個改進的例子中，將至少一個藍光發(fā)光二極管、至少一個紅光發(fā)光二極管以及至少一個綠光發(fā)光二極管形成為一個組件，并且該組件被安裝在基底10上由反射器18形成的容納空間內，這與第一個實施例中只有藍光發(fā)光二極管被安裝在容納空間內的情況是不同的。
換句話說，本改進例子中的發(fā)光器件通過將由紅、藍和綠發(fā)光二極管發(fā)出的紅、藍和綠光混合起來(即，R-G-B組合)來實現(xiàn)白光。這樣，本改進例子就不需要像第一個實施例那樣，將諸如熒光物質的任何色移物質16混合到填充在容納空間內部的密封樹脂15中。
由紅、藍和綠發(fā)光二極管構成的組件可以沿著基底被連續(xù)放置，或者相互之間成某個角度地放置(例如，被放置在直角三角形的各個角上)。
本改進例子中的其它組件，例如反射器18、基底10、密封樹脂15、導線14、引線電極12以及模片鍵合樹脂13，與第一實施例中的相應組件基本相同。
第二實施例圖2示出了根據(jù)本發(fā)明第二個實施例的半導體發(fā)光器件。
除了反射器18的結構以外，本實施例的發(fā)光器件與第一實施例的發(fā)光器件基本相同。因此，以下的說明將集中于和第一個實施例具有不同結構的反射器18，其它的組件則不再詳細說明。
反射器(18)如圖2所示，與第一個實施例不同，根據(jù)本實施例的反射器18是一個形成為凹入的內表面。這樣，本實施例的反射器18就形成了一個凹入的反射面。換句話說，容納空間的一個端面形成了對稱的拋物面或對稱的橢圓面。
在反射器的內表面具有上述凹入的反射面的情況下，與平反射面相比，它可使反射光得到更好的聚集，由此可以輸出規(guī)則的平面光。
改進的例子2除了發(fā)光二極管組件被置于容納空間之外這一點，本改進例子與第二實施例基本相同，并且與改進例子1相類似地使用了未與色移材料混合的透明密封樹脂。
第三實施例圖3示出了根據(jù)本發(fā)明第三個實施例的半導體發(fā)光器件。
除了半透明覆蓋層15和17的結構以外，本實施例的發(fā)光器件與第一實施例基本相同。因此，以下的說明將主要集中于和第一個實施例不同的半透明覆蓋層15和17的結構，對其它的組件則不做詳細說明。
如圖3所示，與第一個實施例的密封樹脂15不同，半透明覆蓋層15和17被形成為兩個層次。
第一半透明覆蓋層(15)第一半透明覆蓋層15容納了整個LED芯片11，并且與反射器18的底部邊緣形成了一定的間隙。這樣，在這種情況下，LED芯片11被埋入到第一半透明覆蓋層15中。
第一半透明覆蓋層15優(yōu)選由硅酸鹽(特別是SiO2)制成，它比第一個實施例中的密封樹脂的半透明度更好，而且更便宜。
另外，硅酸鹽15含有一種熒光材料(或者是含磷材料)16以用于吸收LED芯片11所發(fā)出的藍光的一部分并且隨后將其偏移為黃光，或者含有一種色移材料16(如顏料)用以在藍光的基礎上產生白光。
在將LED芯片11表面安裝于襯底上并且進行焊絲鍵合之后，使用分配器(dispenser)來濺射含有熒光材料或顏料的硅酸鹽，從而形成第一半透明覆蓋層15。
第二半透明覆蓋層(17)
第二半透明覆蓋層17被形成于第一半透明覆蓋層15之上，并且填充在第一半透明覆蓋層15與反射器18之間。
第二半透明覆蓋層17可以只利用透明樹脂制成(例如硅樹脂)。另外，第二半透明覆蓋層17可以額外地含有被混合入第一半透明覆蓋層中的色移材料。
在本實施例中，用于容納LED芯片11的半透明覆蓋層被形成為兩個層次，這與第一實施例是不同的。具體來說，在LED芯片11附近形成的第一半透明覆蓋層15是利用具有較好導熱性并且便宜的硅酸鹽制成的，這樣，本實施例的發(fā)光器件就能夠以低成本來提供大的輸出。
第四實施例圖4示出了根據(jù)本發(fā)明第四個實施例的半導體發(fā)光器件。
除了反射器18以及半透明覆蓋層15和17的結構以外，本實施例的發(fā)光器件與第一實施例基本相同。因此，以下的說明將集中于和第一個實施例不同的反射器18以及半透明覆蓋層15和17的結構，對其它的組件則不做詳細說明。
反射器(18)如圖4所示，與第一個實施例不同，本實施例的反射器18是一個形成為凹入面的內表面。這樣，本實施例的反射器18就形成了一個凹入的反射面。換句話說，該容納空間的一個端面形成了對稱的拋物面或對稱的橢圓面。
另外，如圖4所示，與第一個實施例的密封樹脂15不同，根據(jù)本實施例的半透明覆蓋層15和17被形成為兩個層次。
第一半透明覆蓋層(15)第一半透明覆蓋層15容納了整個LED芯片11，并且與反射器18的底部邊緣形成了一定的間隙。這樣，在這種情況下，LED芯片11被埋入到第一半透明覆蓋層15中。
第一半透明覆蓋層15優(yōu)選由硅酸鹽(特別是SiO2)制成，它比第一個實施例中的密封樹脂具有相對較好的半透明度，并且更便宜。
另外，硅酸鹽15含有一種熒光材料(或者是含磷材料)16，以用于吸收LED芯片11所發(fā)出的藍光的一部分，并且隨后將其偏移為黃光，或者含有一種色移材料(如顏料)用以在藍光的基礎上產生白光。
在將LED芯片11表面安裝于襯底上并且進行焊絲鍵合之后，使用分配器來濺射含有熒光材料或顏料的硅酸鹽，從而形成第一半透明覆蓋層15。
第二半透明覆蓋層(17)第二半透明覆蓋層17被形成于第一半透明覆蓋層15之上，并且充滿于第一半透明覆蓋層15與反射器18之間。
第二半透明覆蓋層17可以只利用透明樹脂制成(例如硅樹脂)。另外，第二半透明覆蓋層17可以額外地含有被混合入第一半透明覆蓋層中的色移材料。
在本實施例中，用于容納LED芯片11的半透明覆蓋層被形成為兩個層次，這與第一實施例是不同的。具體來說，在LED芯片11附近形成的第一半透明覆蓋層15是利用具有較好導熱性并且便宜的硅酸鹽而制成的，這樣，本實施例的發(fā)光器件就能夠以低成本來提供大的輸出。
另外，由于本實施例的反射器的內表面具有如上所述的凹入反射面，因此，與平的反射面相比，它可以使反射光得到更好的聚集，由此可以輸出規(guī)則的平面光。
以下將對一種用于制造根據(jù)上述各實施例所述的發(fā)光器件的方法進行說明。
圖5a至5f很好地示出了用于制造根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件的方法。
根據(jù)本發(fā)明所述的這種方法有助于對如上述第四實施例所述的發(fā)光器件進行高質量的批量生產。
在這種制造方法中，多個封裝被成批處理，直到半透明覆蓋層15和/或17覆蓋LED芯片11為止，因此，在本方法中使用了其中聚集有多個封裝的封裝組件。
但是，為了便于對以下說明的理解，本發(fā)明的制造方法僅針對一個封裝單元進行說明。
(a)其上形成有引線電極(12)的基底(10)的制造(見圖5a)在薄基底(例如，PCB)上利用具有優(yōu)良導電性的金屬形成正(+)和負(-)引線電極12。
(b)含有通孔(21)的金屬襯底(18)的結(見圖5b)制備薄金屬板(例如鋁板或銅板)，然后，利用諸如化學腐蝕、激光處理、壓?；驔_壓的方式將如圖5b所示的通孔21形成于金屬板18之中。該通孔21的橫截面可以為橢圓形、圓形或矩形。換句話說，本發(fā)明不受通孔21的截面形狀的限制，可以在多種形狀中進行選擇。另外，通孔21具有一個傾斜的側壁，這樣通孔21的口徑將從金屬板18的一側(例如，與基底接觸的一側)向對側增加。如果通孔21的側壁是傾斜的，則LED芯片11朝向通孔21的側壁的光輸出將因傾斜的側壁而被向上反射，這樣，來自LED芯片11的光輸出可以從發(fā)光器件有效地輸出。
另外，通孔21優(yōu)選被處理成使其端側形成為一個對稱的拋物面或對稱的橢圓面，如圖5b所示。如果通孔21的側壁是如上所述的圓形的凹入，則形成凹入的反射面，以便于聚集反射光，由此形成更加均勻的平面光。
如果具有通孔21的金屬板18被合在基底10上，如圖5b所示，則各個封裝中的引線電極12和基底10將部分暴露在通孔21中。
(c)LED芯片的安裝(見圖5c)利用模片鍵合樹脂13將LED芯片11模片鍵合在如上構成的封裝組件的封裝單元的通孔21的一個預定位置上。
(d)焊絲鍵合(見圖5d)利用用于布線的導線14，將暴露在通孔21中的LED芯片11的正和負引線電極12以及P型電極(未示出)和N型電極(未示出)進行焊絲鍵合。
(e)第一半透明覆蓋層(15)的形成(見圖5e)利用一個分配器將含有色移材料16(如熒光材料或顏料)的硅酸鹽(特別是SiO2)濺射在導線連接的LED芯片11的上表面上，從而形成用于容納整個LED芯片的第一半透明覆蓋層15。
(f)第二半透明覆蓋層(17)的形成(見圖5f)將含有諸如硅樹脂的透明樹脂或色移材料(如熒光材料或顏料)的透明樹脂填充到其上是第一半透明覆蓋層15的通孔21中，從而形成第二半透明覆蓋層17。
通過執(zhí)行圖5a至5f所示的過程，就可制造出配置有多個封裝單元的封裝組件。然后，該封裝組件被分割成各個封裝單元，從而最終制成如圖4所示半導體發(fā)光器件。
雖然以上參考圖5a至5f對用于制造第四實施例的發(fā)光器件方法進行了介紹，但類似的過程當然也可被應用于第一、第二和第三實施例(或者是改進例子1和2)。
工業(yè)應用性通過在安裝于襯底上的LED芯片周圍配置由具有高導熱性的金屬制成的反射器，本發(fā)明所述的發(fā)光器件可以有效地將LED芯片中產生的熱量輻射至外部。因此，本發(fā)明的這種發(fā)光器件可以使用于容納LED芯片的容納空間的溫度保持在一定的標準之下。
另外，由于LED芯片是利用比常規(guī)透明樹脂具有更好的半透明度的硅酸鹽樹脂來封裝的，因此該發(fā)光器件可以發(fā)射大輸出的白光。
雖然已經(jīng)對本發(fā)明進行了詳細說明。但是應該理解，盡管上述詳細說明和具體例子對本發(fā)明的優(yōu)選實施例做出了說明，但這些僅起到了說明性的作用。因為通過這些說明，本領域的技術人員將會理解屬于本發(fā)明精神和范圍之內的各種變換和修改。
權利要求
1.一種半導體發(fā)光器件，包括基底；位于所述基底上的引線電極；在所述基底上裝載的至少一個半導體發(fā)光單元，與所述引線電極分開放置，并且發(fā)出藍光；連接部件，用于使所述電極與所述半導體發(fā)光單元相互電連接；反射器，它從所述基底的底部伸出預定高度，用于包圍所述半導體發(fā)光單元，所述反射器由表面具有高半透明度和高導熱性的材料制成，用以反射從所述發(fā)光單元輻射出的光，并且形成均勻的平面光，所述反射器還將所述發(fā)光單元輻射出的熱量輻射至外部，從而對用于容納發(fā)光單元的容納空間的內部進行冷卻；以及形成于用來容納所述發(fā)光單元的容納空間中的半透明覆蓋層，該半透明覆蓋層含有色移物質，用于吸收從所述發(fā)光單元發(fā)出的藍光的至少一部分，以發(fā)出具有不同波長的光，由此，所述發(fā)光器件通過將所述發(fā)光單元發(fā)出的藍光與所述具有不同波長的光混合起來，從而向外發(fā)出白光。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光器件，其特征在于，所述反射器為其表面的至少一部分上形成有絕緣膜的金屬板。
3.根據(jù)權利要求2所述的半導體發(fā)光器件，其特征在于，所述反射器由鋁(Al)制成，所述絕緣膜由氧化鋁(Al2O3)制成。
4.根據(jù)權利要求3所述的半導體發(fā)光器件，其特征在于，所述反射器的與容納空間相鄰的內表面從所述基底的底部以一預定角度傾斜，由此，所述容納空間的口徑從與所述基底接觸的底部向對側逐漸增大。
5.根據(jù)權利要求3所述的半導體發(fā)光器件，其特征在于，所述反射器的內表面為圓形凹入，從而使所述容納空間的一個端側基本上形成為對稱的拋物面或者對稱的橢圓面。
6.根據(jù)權利要求5所述的半導體發(fā)光器件，其特征在于，所述半導體發(fā)光單元為使用氮化物半導體的藍光發(fā)光二極管。
7.根據(jù)權利要求6所述的半導體發(fā)光器件，其特征在于，所述半透明覆蓋層由含有熒光材料的透明樹脂制成，該熒光材料可吸收來自所述發(fā)光單元的藍光的一部分并隨后發(fā)出黃光，其中所述容納空間填充有所述透明樹脂。
8.根據(jù)權利要求6所述的半導體發(fā)光器件，其特征在于，所述半透明覆蓋層包括第一半透明覆蓋層，設置于所述發(fā)光單元附近，并且含有色移物質，用于通過吸收來自所述發(fā)光單元的藍光的一部分而發(fā)出黃光；以及第二半透明覆蓋層，設置于所述第一半透明覆蓋層上，以填充所述容納空間，所述第二半透明覆蓋層由透明樹脂制成，用于將穿過所述第一半透明覆蓋層的光傳輸至外部。
9.根據(jù)權利要求8所述的半導體發(fā)光器件，其特征在于，所述第一半透明覆蓋層由含有色移物質的硅酸鹽樹脂制成。
10.根據(jù)權利要求8所述的半導體發(fā)光器件，其特征在于，所述第二半透明覆蓋層含有熒光物質，用于吸收來自所述發(fā)光單元的藍光的一部分并隨后發(fā)出黃光。
11.一種半導體發(fā)光器件，包括基底；位于所述基底上的引線電極；發(fā)光單元組件，它包括至少一個在所述基底上裝載的半導體發(fā)光單元，所述發(fā)光單元與所述引線電極間隔開，并且發(fā)出藍光；連接部件，用于使所述電極與所述半導體發(fā)光單元相互電連接；以及反射器，它從所述基底的底部伸出預定高度，用于通過包圍所述發(fā)光單元組件來形成容納空間，其中，所述反射器的表面由具有高半透明度和高導熱性的材料制成，用以反射從所述發(fā)光單元輻射出的光，并且形成均勻的平面光，而且所述反射器還將所述發(fā)光單元輻射出的熱量輻射至外部，以使所述容納空間的內部冷卻。
12.根據(jù)權利要求11所述的半導體發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光單元組件包括至少一個用于發(fā)出藍光(B)的LED芯片、至少一個用于發(fā)出紅光(R)的LED芯片以及至少一個用于發(fā)出綠光(G)的LED芯片，由此，通過所述多個LED芯片發(fā)出的混合光的R-G-B組合，所述發(fā)光器件向外發(fā)出白光。
13.根據(jù)權利要求12所述的半導體發(fā)光器件，其特征在于，所述反射器為其表面的至少一部分上形成有絕緣膜的金屬板。
14.根據(jù)權利要求13所述的半導體發(fā)光器件，其特征在于，所述反射器由鋁(Al)制成，所述絕緣膜由氧化鋁(Al2O3)制成。
15.根據(jù)權利要求14所述的半導體發(fā)光器件，其特征在于，所述反射器的與容納空間相鄰的內表面從所述基底的底部以預定角度傾斜，由此，所述容納空間的口徑從與所述基底接觸的底部向對側逐漸增大。
16.根據(jù)權利要求14所述的半導體發(fā)光器件，其特征在于，所述反射器的內表面為圓形凹入，從而使所述容納空間的一個端側基本上形成為對稱的拋物面或者對稱的橢圓面。
17.根據(jù)權利要求12所述的半導體發(fā)光器件，其特征在于還包括透明樹脂層，該透明樹脂層充填在用于容納所述發(fā)光單元組件的容納空間中。
全文摘要
一種半導體發(fā)光器件，包括基底；在基底上的引線電極；裝載在基底上的至少一個發(fā)出藍光的半導體發(fā)光單元，與引線電極分開放置；使電極與半導體發(fā)光單元相互電連接的連接件；反射器，從基底的底部伸出預定高度，包圍半導體發(fā)光單元；以及半透明覆蓋層，形成在用于容納發(fā)光單元的容納空間內，該半透明覆蓋層含有色移物質，用于吸收從發(fā)光單元發(fā)出藍光的至少一部分，以發(fā)出具有不同波長的光。反射器表面由具有高半透明度和高導熱性的材料制成，用以反射從發(fā)光單元輻射的光，并形成均勻的平面光，反射器還將發(fā)光單元輻射出的熱量輻射至外部，從而將容納發(fā)光單元的容納空間的內部冷卻。通過將發(fā)光單元發(fā)出的藍光與不同波長的光混合，發(fā)光器件向外發(fā)出白光。
文檔編號H01L33/64GK1540773SQ0313694
公開日2004年10月27日 申請日期2003年5月23日 優(yōu)先權日2003年4月24日
發(fā)明者林元義明, 徐英珠 申請人:日本葛瑞菲克科技株式會社, 林元義明, 徐英珠