專利名稱：用于高頻發(fā)生器的靜噪濾波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體涉及一種高頻發(fā)生器，尤其是涉及高頻發(fā)生器的靜噪濾波器。
背景技術(shù)：
諸如磁控管，速調(diào)管，行波管和半導(dǎo)體器件的高頻發(fā)生器在各個領(lǐng)域得到應(yīng)用。高頻發(fā)生器主要采用靜噪濾波器，以便防止高頻能量所不期望的泄漏。高頻能量的泄漏造成諸如收音機和電視的電子裝置中產(chǎn)生噪聲。為此，防止從高頻發(fā)生器泄漏高頻能量是很重要的。通常，靜噪濾波器包括諸如扼流圈，電容器和屏蔽封裝的元件，并且連接到用于供電的導(dǎo)電體上。
圖1A是韓國未審查專利公開No.10-1999-72650中披露的用于高頻發(fā)生器的傳統(tǒng)靜噪濾波器的局部剖視圖，圖1B是俯視圖。如圖1A和1B所示，靜噪濾波器120設(shè)置在磁控管100之下。在靜噪濾波器120的濾波器封裝144的內(nèi)部，設(shè)置有扼流圈154，每一個扼流圈154包括彼此串聯(lián)的有芯電感器150和空心電感器152。有芯電感器150中插有高頻能量吸收元件148，而空心電感器152中沒有高頻能量吸收元件148。有芯電感器150連接到電容器158上?？招碾姼衅?52通過管座接線端子156a和156b連接到管座156上。
通常，通過調(diào)節(jié)有芯電感器的繞組匝數(shù)，有芯電感器可以降低低于400MHz的頻帶的噪聲。通過調(diào)節(jié)空心電感器的繞組匝數(shù)，空心電感器可以降低范圍為700MHz至1000MHz頻帶的噪聲。在圖1A和1B所示的傳統(tǒng)的靜噪濾波器中，每一個有芯電感器150和每一個空心電感器152彼此串聯(lián)，并且高頻能量吸收元件148的截面尺寸使得可以降低范圍為400MHz至1000MHz頻帶的噪聲。
然而，在傳統(tǒng)的諸如上述靜噪濾波器的噪聲衰減裝置中，噪聲衰減頻帶限于400MHz至1000MHz。由此，對于范圍為30MHz至400MHz頻帶的噪聲可能沒有噪聲衰減效果。

發(fā)明內(nèi)容
相應(yīng)地，本發(fā)明的一方面是提供一種高頻發(fā)生器的靜噪濾波器，該靜噪濾波器在其扼流圈中設(shè)置的有芯電感器的繞組匝之間具有變化的間隔，由此衰減噪聲的頻帶最大。
本發(fā)明地其它方面和/或優(yōu)點在下面的描述中提出部分，部分由于描述而顯而易見，或通過本發(fā)明的實踐而被了解。
本發(fā)明的上述和/或其它方面通過提供一種高頻發(fā)生器的靜噪濾波器，所述高頻發(fā)生器包括扼流圈，扼流圈包括其繞組匝之間具有第一間隔的第一繞組單元，其繞組匝之間具有第二間隔的第二繞組單元和其繞組匝之間具有與第一間隔相同間隔的第三繞組單元。第一繞組單元，第二繞組單元和第三繞組單元彼此串聯(lián)連接。所述高頻發(fā)生器還包括插入扼流圈中的高頻能量吸收元件。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，高頻能量吸收元件由氧化鐵，錫合金和鐵氧體組成的組中選出的一種制造。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，高頻能量吸收元件包括衰減范圍為30MHz至1000MHz頻帶噪聲的截面面積。


通過結(jié)合附圖詳細描述優(yōu)選實施例，本發(fā)明的上述和/或其它方面以及優(yōu)點變得顯而易見并且很容易理解的，其中圖1A是用于高頻發(fā)生器的傳統(tǒng)靜噪濾波器的局部剖視圖；圖1B是圖1A所示的傳統(tǒng)靜噪濾波器的俯視圖；
圖2A是根據(jù)本發(fā)明實施例的靜噪濾波器的電感器的視圖；圖2B是根據(jù)本發(fā)明的高頻發(fā)生器的靜噪濾波器的俯視圖；圖3是圖2B所示的高頻發(fā)生器的靜噪濾波器的局部剖視圖；及圖4是描述圖2B所示的高頻發(fā)生器的靜噪濾波器的噪聲試驗結(jié)果的曲線圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在詳細介紹本發(fā)明的優(yōu)選實施例，其示例如附圖所示，其中全文以相同的標(biāo)號表示相同的元件。
下面參照附圖2A，2B，3和4描述本發(fā)明實施例的高頻發(fā)生器的靜噪濾波器。首先，圖2A示出了根據(jù)本發(fā)明的靜噪濾波器的電感器。如圖2A所示，扼流圈204如此構(gòu)造，即第一有芯電感器204a，第二有芯電感器204b和第三有芯電感器204c彼此串聯(lián)連接。第一有芯電感器204a和第三有芯電感器204c每一個在第一有芯電感器204a和第三有芯電感器204c中的每一個的繞組匝(winding turns)之間都具有相對致密的間隔。與第一有芯電感器204a和第三有芯電感器204c相比，第二有芯電感器204b在其匝(turns)之間具有較粗或較大的間隔。芯部202插入第一有芯電感器204a，第二有芯電感器204b和第三有芯電感器204c中。芯部202是高頻能量吸收元件，并且由諸如鐵氧體(ferrite)，鐵或陶瓷的磁性材料制成。
圖2B是本發(fā)明的高頻發(fā)生器的靜噪濾波器的俯視圖。如圖2B所示，扼流圈204每一個都包括彼此串聯(lián)連接的第一有芯電感器204a，第二有芯電感器204b和第三有芯電感器204c并且設(shè)置在靜噪濾波器220的濾波器封裝244中(請參見圖3)。第一有芯電感器204a和第三有芯電感器204c每一個在第一有芯電感器204a和第三有芯電感器204c中的每一個的繞組匝之間都具有相對致密的間隔。與第一有芯電感器204a和第三有芯電感器204c相比，第二有芯電感器204b在其繞組匝之間具有較粗或較大的間隔。
圖3是圖2B所示的高頻發(fā)生器的靜噪濾波器的局部剖視圖。如圖3所示，第一有芯電感器204a的一端206通過管座(stem)256的管座接線端子(stem terminals)256a和256b連接到磁控管300上。第三有芯電感器204c的一端208連接到電容器(condenser)258上。
從上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的高頻發(fā)生器的靜噪濾波器噪聲衰減效果的試驗結(jié)果，可以理解，范圍為400MHz至900MHz頻帶的噪聲衰減效果是理想的。圖4是本發(fā)明的高頻發(fā)生器的靜噪濾波器的噪聲試驗結(jié)果的曲線圖。試驗條件解釋如下。
首先，電磁干擾保護標(biāo)準(zhǔn)EN55011或CISPR11用作測量標(biāo)準(zhǔn)。電磁干擾(EMI)室，例如，10m EMI室或敞開位置(open site)試驗場地用作試驗場地。范圍為30MHz至230MHz的頻帶和范圍為230MHz至1000MHz的頻帶用作噪聲測量頻帶。當(dāng)采用本發(fā)明的靜噪濾波器的高頻發(fā)生器在預(yù)定的額定電壓下工作并且高頻發(fā)生器的輸出最大時進行噪聲測量。CISPR11規(guī)定的1000cc水用作噪聲測量時的負荷。
根據(jù)在上述試驗條件下進行的試驗的結(jié)果，如圖4所示，圖中可以看出，與采用傳統(tǒng)的靜噪濾波器的高頻發(fā)生器相比，在采用本發(fā)明的靜噪濾波器的高頻發(fā)生器中顯著降低了范圍為30MHz至1000MHz頻帶的噪聲。
如上所述，本發(fā)明的高頻發(fā)生器的靜噪濾波器通過在設(shè)置在靜噪濾波器的扼流圈中的有芯電感器的繞組匝之間具有變化的間隔，獲得了從高頻發(fā)生器泄漏的范圍為30MHz至1000MHz頻帶噪聲的噪聲衰減效果。
盡管示出和描述了本發(fā)明的幾個優(yōu)選實施例，但在不偏離本發(fā)明的原理和精神，權(quán)利要求和其等同原則所限定的范圍的情況下，可以對此實施例做出修改，這對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.一種高頻發(fā)生器，包括扼流圈，扼流圈包括其繞組匝之間具有第一間隔的第一繞組單元，其繞組匝之間具有第二間隔的第二繞組單元，和其繞組匝之間具有與第一間隔相同間隔的第三繞組單元，第一繞組單元，第二繞組單元和第三繞組單元彼此串聯(lián)連接；及插入扼流圈中的高頻能量吸收元件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻發(fā)生器，其中高頻能量吸收元件由從氧化鐵，錫合金和鐵氧體組成的組中選出的一種材料制造。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻發(fā)生器，其中高頻能量吸收元件具有在范圍為30MHz至1000MHz的頻帶中衰減噪聲的截面面積。
4.一種用于高頻發(fā)生器的靜噪濾波器，，具有電容器，所述靜噪濾波器包括扼流圈，扼流圈包括其繞組匝之間具有第一間隔的第一繞組單元，其繞組匝之間具有第二間隔的第二繞組單元，和其繞組匝之間具有與第一間隔相同間隔的第三繞組單元，第一繞組單元，第二繞組單元和第三繞組單元彼此串聯(lián)連接；其中，第一繞組單元的一端電連接到高頻發(fā)生器上，并且第三繞組單元的一端連接到電容器上；及插入扼流圈中的高頻能量吸收元件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的靜噪濾波器，其中高頻能量吸收元件由從氧化鐵，錫合金和鐵氧體組成的組中選出的一種材料制造。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的靜噪濾波器，其中高頻能量吸收元件具有在范圍為30MHz至1000MHz的頻帶中衰減噪聲的截面面積。
7.一種烹飪裝置，包括產(chǎn)生高頻信號的磁控管；及靜噪濾波器，該靜噪濾波器安裝在磁控管上，用于防止磁控管的高頻信號泄漏到外面，其中所述靜噪濾波器包括扼流圈，扼流圈包括其繞組匝之間具有第一間隔的第一繞組單元，其繞組匝之間具有第二間隔的第二繞組單元，和其繞組匝之間具有與第一間隔相同間隔的第三繞組單元，第一繞組單元，第二繞組單元和第三繞組單元彼此串聯(lián)連接；及插入扼流圈中的高頻能量吸收元件。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的烹飪裝置，其中高頻能量吸收元件由從氧化鐵，錫合金和鐵氧體組成的組中選出的一種材料制造。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的烹飪裝置，其中高頻能量吸收元件具有在范圍為30MHz至1000MHz的頻帶中衰減噪聲的截面面積。
10.一種用于高頻發(fā)生器的靜噪濾波器，，具有電容器，所述靜噪濾波器包括扼流圈，扼流圈包括其繞組匝之間具有第一間隔的第一有芯電感器，其繞組匝之間具有第二間隔的第二有芯電感器，和其繞組匝之間具有與第一間隔相同間隔的第三有芯電感器，第一有芯電感器，第二有芯電感器和第三有芯電感器彼此串聯(lián)連接；其中，第一有芯電感器的一端電連接到高頻發(fā)生器上，并且第三有芯電感器的一端連接到電容器上；及插入扼流圈中的高頻能量吸收元件。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的靜噪濾波器，其中第一有芯電感器和第三有芯電感器每一個其繞組匝之間都具有致密的間隔，第二有芯電感器在其繞組匝之間具有較大的間隔，從而衰減靜噪濾波器中的噪聲。
12.一種用于高頻發(fā)生器的靜噪濾波器，，具有電容器，所述靜噪濾波器包括扼流圈，扼流圈包括第一有芯電感器，第二有芯電感器和第三有芯電感器，每一個在其繞組匝之間具有變化的間隔，其中第一有芯電感器的一端電連接到高頻發(fā)生器上，第三有芯電感器的一端連接到電容上；及插入扼流圈中的高頻能量吸收元件。
全文摘要
一種高頻發(fā)生器的靜噪濾波器，通過調(diào)節(jié)設(shè)置在靜噪濾波器中的有芯電感器的繞組匝之間的間隔，使衰減噪聲的頻帶最大。靜噪濾波器包括扼流圈，扼流圈包括其繞組匝之間具有第一間隔的第一繞組單元，其繞組匝之間具有第二間隔的第二繞組單元和其繞組匝之間具有與第一間隔相同間隔的第三繞組單元。第一繞組單元，第二繞組單元和第三繞組單元彼此串聯(lián)連接。靜噪濾波器還包括插入扼流圈中的高頻能量吸收元件。高頻能量吸收元件由氧化鐵，錫合金和鐵氧體組成的組中選出的一種制造并且具有衰減范圍為30MHz至1000MHz頻帶噪聲的截面面積。
文檔編號H01F17/04GK1518214SQ0313782
公開日2004年8月4日 申請日期2003年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月16日
發(fā)明者梁承哲 申請人:三星電子株式會社